JP2004111964A - 表面実装型電子デバイス - Google Patents

表面実装型電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2004111964A
JP2004111964A JP2003316609A JP2003316609A JP2004111964A JP 2004111964 A JP2004111964 A JP 2004111964A JP 2003316609 A JP2003316609 A JP 2003316609A JP 2003316609 A JP2003316609 A JP 2003316609A JP 2004111964 A JP2004111964 A JP 2004111964A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
contact member
solder
contact members
led
electrical contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003316609A
Other languages
English (en)
Inventor
Kee Yean Ng
エヌ・ジー・キー・ヤーン
Gubbir Singh
ガーバー・シン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Agilent Technologies Inc
Original Assignee
Agilent Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=31987564&utm_source=***_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP2004111964(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Agilent Technologies Inc filed Critical Agilent Technologies Inc
Publication of JP2004111964A publication Critical patent/JP2004111964A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01C—RESISTORS
    • H01C1/00—Details
    • H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49548—Cross section geometry
    • H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3442—Leadless components having edge contacts, e.g. leadless chip capacitors, chip carriers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49805—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the leads being also applied on the sidewalls or the bottom of the substrate, e.g. leadless packages for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09145—Edge details
    • H05K2201/09154—Bevelled, chamferred or tapered edge
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09372—Pads and lands
    • H05K2201/09472—Recessed pad for surface mounting; Recessed electrode of component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09745—Recess in conductor, e.g. in pad or in metallic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

　【課題】ＬＥＤデバイスのコントラストを改善するための実装構造を提供すること。
　【解決手段】表面実装型デバイスは、デバイス実装の為の第１の面（４１０）を有する本体（４０２）と、第１の面（４１０）に形成される窪み部分（４２０、４２１）と、第１の面（４１０）に位置する複数の電気接触部材（４０４、４０６）とを備える。電気接触部材（４０４、４０６）は、窪み部分（４２０、４２１）の少なくとも１つの内表面の少なくとも一部分を構成する第１の部分（４１２、４１４）を含む。
【選択図】図４

Description

　本発明は表面実装技術（ＳＭＴ）に関するものである。より具体的には、デバイスを基板表面に接続するための電気接続部を窪み中に設けることにより、窪み中ではんだ付けすることを可能とした表面実装型電子装置又は電子デバイスに関する。
　差し込み方式によらずにデバイスを表面に直接的に実装する表面実装技術（ＳＭＴ）は、電子デバイスのアプリケーションにおいては広く利用されている。ＳＭＴの利用には、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）デバイスのような光電デバイスの小型化の要求に関係する。表面実装技術によるＬＥＤは、サイズが非常に小さく、ＳＭＴ型にしてプリント回路基板（ＰＣＢ）上に組み立てられる。ＬＥＤでは、より輝度の高い半導体材料の出現により表面実装型光電デバイスの利用がバックライティング、可変メッセージ標識等の電子標識・シンボル、或いは大型フルカラービデオスクリーン等の（野外及び室内アプリケーションにおける）領域で増えている。
　周囲の光が明るい条件下においては、ＬＥＤは見る者からの視認性をより高める為に十分な輝度を持っていなければならない。ＬＥＤの輝度は使用されている半導体材料の種類や駆動電流等といった要因に依存する。インジウムガリウム窒素（ＩｎＧａＡｓ）及びアルミニウムインジウムガリウム燐（ＡｌＩｎＧａＰ）はより高い光効率を持っており、その為ＬＥＤの製造に用いられている。より高い駆動電流については、発生する熱に耐えられるようにＬＥＤは熱抵抗（即ち、熱伝導に対する抵抗）の非常に低いパッケージ中に組み立てられる。これは、ＬＥＤの全体的なパッケージデザインに依存するものである。
　パッケージサイズはパッケージデザインに影響されるものである。パッケージサイズは表示装置の解像度を決定する。組立部品面積が固定である場合、パッケージサイズが大きい程、実装し得るデバイスの数は少なくなり、表示解像度も低くなる。
　光電デバイスの組立工程においては、ＳＭＴ部品のリード線が基板へ適正にはんだ付け出来るようになっていない場合に問題が生じる。現在、ＳＭＴデバイスのリードは、はんだリフロー時に適正なはんだフィレットを形成することが出来るように、垂直な側壁を持たせて、或いはデバイスから外に向かって延びるように設計されている。
　公知の表面実装型光電デバイスの第１の例を図１（ａ）、（ｂ）に示した。図１（ａ）は側面図であり、図１（ｂ）は平面図である。
　第１のデバイス１００においては、ＬＥＤ１０１が導電性媒体１０３により接触部材（コンタクト部材）１０２上に電気的に取り付けられている。ボンディングワイヤ１０４がＬＥＤ１０１を他方の接触部材１０５へと電気的に接続している。接触部材１０２、１０５は、デバイス１００の本体１０６中を水平に（図１（ａ）に矢印で示す方向に）伸びている。本体１０６の殆どの部分は、反転させた円錐台形の空洞１０７を除いて光学的に不透明である。この空洞１０７の中にＬＥＤ１０１、ボンディングワイヤ１０４、そして２つの接触部材１０２、１０５の内部端が光学的に透明なプラスチック中に収容されており、空洞１０７の端部がＬＥＤ１０１から発される光のリフレクタとして作用している。２つの接触部材１０２、１０５は水平に本体１０５の端部に向かって外側に水平に伸びており、下半分の側面１０８に沿って下に回り込んで、底端部１０９の下で逆方向に戻るように延びている。はんだリフロー処理においては、デバイス１００を基板１１０へと固定する為に、側面１０８を下に伸びる接触部材１０２、１０５がはんだ接合１１１により基板１１０へと接続されるが、このはんだ接合１１１はＬＥＤデバイス１００の外部側壁１０８とは反対側に広がっている。
　従来から周知の表面実装型光電デバイスの第２の例を図２（ａ）〜図２（ｂ）に示した。図２（ａ）は上面の側面図であり、図２（ｂ）は平面図である。
　第２のデバイス２００においては、ＬＥＤ２０１が導電性媒体２０３により接触部材２０２上に電気的に取り付けられている。ボンディングワイヤ２０４がＬＥＤ２０１を他方の接触部材２０５へと電気接続している。デバイス２００の本体全体は、光学的に透明なプラスチックである。２つの接触部材２０２、２０５は、デバイス１００の本体２０６の下に沿って外側に水平に伸びており、本体２０６の外の水平部分で終わっている。はんだリフロー処理において、接触部材２０２、２０５ははんだ接合２１１により基板２１０に接続されるが、このはんだ接合２１１は接触部材２０２、２０５の端部における、外側垂直面とは反対に向かっている。上述した例のいずれにおいても、はんだ付けポイントも導電性部材もプラスチック本体の端部の外へと伸びているのである。図１又は図２に示す構成に類似する従来の公知技術が、例えば、以下の特許文献1ないし３に記載される。
特開平１０−６５２２０号 特開平８−７８７３２号 特表平１１−５００５８４号
　図１（ａ）及び（ｂ）に示したＬＥＤデバイスには多くの欠点がある。例えば、ＬＥＤと基板との間の熱経路が非常に長く、これにより、今度はＬＥＤの温度を上昇させる為、デバイスの熱抵抗が非常に高くなっている点である。温度の上昇はＬＥＤの駆動電流に悪影響を及ぼす。デバイスのフットプリントはプラスチック本体のサイズａ×ｂよりもあまり大きくはないが、それを実装する為のはんだは、そのフットプリントのかなり外側に伸びることになる。
　図２（ａ）及び（ｂ）に示した延長導電性部材含むデザインは、図１（ａ）及び（ｂ）に示したものよりも更に長いフットプリントを持っている。これにより、ＬＥＤデバイスを基板上に密に搭載することが出来ない。デバイスのフットプリントは長さｃであるが、これはデバイスの本体ａよりもかなり長い。はんだ付けすることにより、必要とされる全体長は更に長くなってしまう。
　従来技術によるデバイスに要するサイズは、ＬＥＤデバイスのアレイの画素解像度に影響を与える。図２（ａ）及び（ｂ）に示したデバイスのアレイを図３に示したが、これらのデバイスはＰＣＢ３００上に搭載されている。ＬＥＤデバイスのピッチｄは、小さくすることは出来ない。小さくした場合、組立工程或いは使用中に短絡が発生する可能性があるのである。
　更に、図１、及び図２に示したデバイスにおいては、延長された導電性部材及びはんだ接合部が見る者に対して視覚的に現れることになり、これらの反射性が高いことから、見た目に望ましくない障害となってしまう。換言すると、これらはＬＥＤと基板との間のコントラストを低下させてしまうのである。この現象は日光等の明るい周囲光がある状況下では、より強調される。
　フットプリントを小さくしつつも熱抵抗を低く維持した表面実装電子デバイスの必要性がある。ＬＥＤデバイスにおいては更に、より良好なコントラストが求められている。従って、本発明の目的は、従来技術における１つ以上の欠点を少なくとも部分的に緩和することである。
　本発明の一態様によれば、デバイスを実装する為の第１の実装表面を持つ本体を含む表面実装電子デバイスが提供される。第１の表面は、窪み部分をその中に持っている。また、少なくとも２つの電気接触部材が第１の表面に設けられている。電気接触部材は、窪み部分の少なくとも１つの内面の少なくとも一部を形成する第１の部分を含む。従って、デバイスが実装された場合にこれらの下には間隙が生じることになる。
　本発明は、デバイスを実装する為の第１の面を持つ本体と、前記第１の面中の窪み部分と、前記第１の面中の複数の電気接触部材とを具備し、前記電気接触部材が、前記窪み部分の少なくとも１つの内表面の少なくとも一部分を構成する第１の部分を有することを特徴とする表面実装型電子デバイスを提供する。
　好ましくは、前記電気接触部材の各々が、少なくとも部分的に、前記第１の面にわたって延びたものであり、前記第１の面が平坦面上に実装された場合に、前記第１の部分が前記平坦面から間隔を空けた位置に置かれる。
　好ましくは、前記窪み部分中にある前記第１の部分の少なくとも一部が、前記第１の面に対して実質的に平行である。
　好ましくは、前記窪み部分中にある前記第１の部分の少なくとも一部が、前記第１の面に対して平行ではないようにされる。
　好ましくは、前記窪み部分中にある前記第１の部分の少なくとも一部が、前記第１の面に対して垂直とされる。
　好ましくは、前記窪み部分中にある前記第１の部分の少なくとも一部が、斜め部分であり、前記第１の面から斜めに遠のく方向に延びている。
　好ましくは、前記窪み部分中にある前記第１の部分が、前記第１の面から斜めに遠のく方向に延びる斜め部分と、そして前記第１の面に実質的に平行に延び、前記第１の面から最も遠い前記斜め部分の端部に接続する平行部分とを有する。
　好ましくは、前記電気接触部材が、更に第２の部分を前記第１の面の非窪み部分に有することを特徴とする請求項１に記載のデバイス。
　好ましくは、前記電気接触部材が、前記本体の前記第１の面に沿って外側に向かって延びており、前記第１の部分が前記本体の前記第１の面の外側端部に向かって配置される。
　好ましくは、前記デバイスがプリント回路基板上に実装されており、前記電気接触部材が前記プリント回路基板の端子と直接接触した状態にあり、前記第１の部分と前記プリント回路基板との間に接着剤が設けられており、前記電気接触部材がヒートシンクとして機能する。
　典型的な実施態様によれば、本発明は、以下のように説明される。これは、発明を限定的に解釈するためのものではない。
　本発明の表面実装型光電デバイスの態様は、２つの導電性部材をその裏側（第１の面）に設けたものである。２つの導電性部材の前端部は、相互に間隙を隔てて向き合っており、その後端部（第１の部分）はデバイスの端子とは反対方向を向いており、デバイス本体の下に窪みを作る為にある角度で上に曲げられている。ＬＥＤの第１の電極は、第１の導電性部材の前端部に取り付けられる。導電性相互接続がＬＥＤの第２の電極と第２の導電性部材との間に伸びている。ＰＣＢの適正な配置にはんだを設け、その上にデバイスを実装することが出来るが、これははんだを窪み領域中に配置し、ここでリフローするという形式で実施される。かわりに、はんだリフロー処理中に、導電性部材の***部分の下にある窪み領域中へとはんだを導入することも出来る。はんだは導電性部材を基板へと固定し、これがパッケージの端部を超えて出た場合であっても、その突出はわずかとなる。
　よって本発明は、デバイスを実装する為の第１の実装面を持つ本体を含む表面実装電子デバイスを提供するものである。第１の面にはその内側に窪んだ窪み部分が設けられている。また、第１の面には複数の接触部材（通常は２、３個）が設けられている。電気接触部材は、各窪み部分の内表面の少なくとも一部分を形成する面を持つ第１の部分を含む。
　通常、接触部材は第１の面に沿って延びている。第１の面が平坦面上に搭載された場合、接触部材はその平坦面と接触することになる一方で、第１の部分はその平坦面から間隔をあけることになる。
　第１の部分は第１の面に対して実質的に平行に延びていても、非平行に延びていても良く、或いはその両方の部分を含んでいても良い。第１の部分は、それが水平面であれ傾斜面（湾曲した斜面を含む）であれ、窪み部分の少なくとも上面を形成するものであることが望ましい。代わりに、或いはそれに加えて窪み部分の垂直面を形成するものであっても良い。第１の部分は、電気接触部材の斜めに上向きに延びる部分であっても良い。更に電気接触部材には、斜め上向きに延びる部分の上端部に設けた水平部分があっても良い。
　電気接触部材は更に第２の部分を含んでいても良く、これはデバイスが平坦面に実装される場合、その平坦面と接触することになる部分である。このような第２の部分を設ける場合、これは斜め上向きに延びる部分の下端部から水平に伸びる部分とすることが出来る。
　本デバイスは、これが平坦面上に実装される場合、平坦面と第１の部分との間の空間を、デバイスと平坦面とを接着させる為に充填することが可能であり、理想的な形で構成することが出来る。
　好適な実施形態においては、電気接触部材が本体の下側に沿って外側に延びており、第１の部分はその本体の下側の外側に向けて配置される。窪み部分中にある第１の部分は、デバイスが平坦面上に実装された場合でもデバイス側面からのアクセスが可能である。通常、電気接触は本体の端部を超えて延びることは無い。
　本発明は、デバイスが光電デバイスであった場合に最もその利点を活用することが出来る。このようなデバイスは、本体中に設けられ、電気接触部材に電気的に接続された少なくとも１つの発光手段を含む。このような発光手段とは、デバイスの実装面とは反対方向を向いた電気接触部材の１つの面上に実装され、他方の電気接触部材に電気的に接続された少なくとも１つの発光ダイオードとすることが出来る。
　本発明のデバイスは、プリント回路基板へと実装し、電気接触部材をプリント回路基板の端子と直接的に接触させることが出来る。第１の部分とプリント回路基板との間の窪みは接着剤で充填することが可能である。接着剤は、第１の部分と端子とを電気的にも粘着的にも接続するものであることが望ましい。接着手段としては、はんだ付けが望ましいが、導電性エポキシ接着剤を利用することも可能である。
　本発明の実施形態は、デバイスの接触部が最も下に、即ち下面に位置している図示の配向を仮定して説明するものである。これは単に説明目的でそのように仮定したものであり、限定的な意味は無い。実際上、接触部は最も上にあっても、或いは他の配置であっても良いものである。
　本発明による表面実装型のデバイスは、実装される面に設けられる窪み部分にはんだ付けのための実装部又は接続部を有するので、実装面積を最小にすることができ、また、はんだ付け部分が視認されにくいように実装することができる。このことは、デバイスを比較的狭ピッチで実装できることにも繋がる。更に、従来品と比較して接触部材は、比較的短くなり、発生する熱を逃がすための放熱手段として有効に機能する。
　以下に添付図面を参照して、本発明の好適実施形態となる表面実装デバイスについて詳細に説明する。第１の実施形態に基づく表面実装型光電デバイス４００を、図４（ａ）及び（ｂ）に示したが、これは透光性本体４０２と、２つの概ね平坦な電気接触部材４０４、４０６と、そしてＬＥＤ４０８を含んでいる。
　本体４０２は平面図においては概ね長方形をしているが、その側端部は若干外側に傾斜しており、よってその基部は上部よりも大きくなっている。その最も大きい寸法が、長さａ×幅ｂである。
　２つの電気接触部材４０４、４０６が本体４０２の下面４１０に取り付けられており、この接触部材４０４、４０６の下側は、外からのアクセスが可能となっている。この下側４１０それ自体がデバイスの実装面である。２つの接触部材はデバイス４００の中間にある間隙により分割されており、デバイスの中間から反対側の端部まで水平に伸びている。各接触部材はそれぞれの端部からの短い距離において第１の部分を持っているが、この部分は、各端部とも斜め上向きに延びる部分４１２、４１４と、それに続く水平部分４１６、４１８を含み、ジグザグ形状を呈している。本体は第１の部分の下を埋めてはおらず、その下には何も無い。この結果、窪み４２０、４２１がそれぞれの端部（第１の部分とデバイスを実装する平坦面との間）に形成されている。各接触部材の残りの部分は第２の部分４２２、４２４である。
　ＬＥＤ４０８は、２つあるうちの左側の接触部材４０４の上であり、２つのうちの他方の接触部材４０６に面した接触部材４０４の端部付近に導電性媒体により実装されている。ボンディングワイヤ４２８がＬＥＤ４０８の上部を他方の電気接触部材４０６の近い方の端部に電気的に接続している。
　上述から、２つの接触部材４０４、４０６は概してへら状、或いは漏斗状の形状をしているように見えるものである。デバイスの中間近くにおいて相対する端部は、各接触部材の他の部分よりも幅広い。
　この特定の実施形態においては、本体４０２はＬＥＤ４０８及び２つの接触部材４０４、４０６の上面を封止する光学的に透明なプラスチックとし得る。
　先に説明した従来のデバイスとは異なり、接触部材はパッケージの本体を超えて水平に伸びてはいない。かわりにそのフットプリントは本体の長さａ或いは幅ｂに略等しく、より小さくなっている。更に、窪みがデバイスをＰＣＢへと搭載する為のはんだを収容する空間を提供しており、はんだが本体の長さａを超えることはない。よってこれらのデバイスはより緊密に設けることが出来、上から見た場合に、はんだは見える位置に略存在しないように実装され得る。
　本発明の第２の好適実施形態となるデバイスを図５（ａ）、（ｂ）に示す。
　表面実装型光電デバイス５００は、本体５０２、３つの概ね平坦な電気接触部材５０４、５０６、５０７、そして２つのＬＥＤ５０８、５０９を含む。その構成において、デバイス５００は第１の実施形態におけるデバイス４００にかなり似ている。
　本体５０２は平面図においては概ね長方形であるが、しかし第１の実施形態と比べると幅広である。その端部は若干外側に向かって傾斜しており、従って、その基部は上部よりも大きくなっている。
　３つの電気接触部材５０４、５０６、５０７は本体５０２の実装面５１０の下側に取り付けられており、接触部材の下側は下からのアクセスが可能となっている。３つの接触部材は全て独立している。主要接触部材５０４の前側端部はデバイスのほぼ全体にわたって伸びており、デバイス５００の中間にある間隙を隔てて他の副接触部材５０６、５０７の両方に面している。これらの副接触部材５０６、５０７は相互に対して平行である。全ての３つの接触部材５０４、５０６、５０７はデバイスの中間から反対側の端部に向かって水平に伸びている。各接触部材は、これらの端部からの短い距離において第１の部分を含み、各端部はそれぞれに斜め上向きに延びる部分５１２、５１４、５１７と、それに続く水平部分５１６、５１８、５１９を含み、ジグザグ形状（段差形状）を呈している。本体は第１の部分の下を埋めてはいない。この結果、デバイスが実装されている各接触部材の第１の部分と平面の間に窪み５２０がそれぞれの接触部材の外側端部の下に１つづつ形成されている。各接触部材の残りの部分は第２の部分５２２、５２４、５２５である。
　ＬＥＤ５０８、５０９は両方とも主要接触部材５０４の前端部近くに導電性媒体５２６を介して実装されているが、各々からは分離されている。ボンディングワイヤ５２８、５２９は、一方のＬＥＤ５０８の上部を近い方の副接触部材５０６へ、そして他方のＬＥＤ５０９の上部を他の近い方の副接触部材５０７へと接続している。
　上述から、主要接触部材５０４は概ねＴ字型であり、Ｔ字型の上部分と軸部分との間にウエブを持った形状をしている。２つの副接触部材５０６、５０７は図４（ａ）、（ｂ）の実施形態と同様に概ねへら状又は漏斗状に見える。デバイスの中間近くで相互に向き合う接触部材の端部は、各接触部材の他の部分よりも幅が広くなっている。
　本実施形態においては、本体５０２は光学的に不透明なプラスチックから成り、これが２つのＬＥＤ５０８、５０９及び反転させた円錐台形の空洞５３０の周辺部分を除き、３つの電気接触部材５０４、５０６、５０７の上表面の多くを封止している。この空洞５３０は光学的に透明なプラスチックで満たされており、その上面は本体の他の部分と面一になっている。よってこの実施形態においては、光は閉じ込められ、円錐台形の空洞を通じて逃げることになる。
　先に述べた従来技術によるデバイスと異なり、接触部材がパッケージ本体を超えて水平に伸びてはいない。かわりに、フットプリントはより小さくなっており、本体の長さａと幅ｂに収まっている。更に、窪みがデバイスをＰＣＢへと実装する為のはんだを収容する空間を提供しており、はんだが本体の長さａを超えることはない。よってこれらのデバイスはより緊密に設けることが出来、上から見た場合に、はんだは見える位置に略存在しないように実装され得る。
　第３の実施形態となるデバイス６００を図６（ａ）及び（ｂ）に示したが、これは電気接触部材の形状を除き、図４（ａ）及び（ｂ）の実施形態と似ているものであり、対応する作用部及び部品には符号の最初の数字を４から６に変えた以外は同様の符号を付してある。光学的に透明な本体６０２は２つの水平な接触部材６０４、６０６を持っている。ＬＥＤ６０８は第１の接触部材６０４上に実装される。２つの接触部材はそれ自体が本体６０２の下側６１０に設けられている。接触６０４、６０６は、第１の部分６１６、６１８で終わる外側端部を持ち、これらは斜め上向きに傾斜しており、第１の部分６１６、６１８の各々の下にそれぞれ窪み６２０、６２１を提供している。各接触部材の第１の部分以外の残りの部分は第２の部分６２２、６２４である。ＬＥＤ６０８は、第１の接触部材の第２の部分６２２上に実装されており、ボンディングワイヤ６２８がＬＥＤの上部を第２の接触部材６０６の第２の部分６２４へと接続している。
　本実施形態と図４（ａ）及び（ｂ）に示した実施形態との違いは、第１の部分（及びそれに関わる本体の領域）にある。本実施形態においては、第１の部分の各々は、斜め上向きに延びる部分に続く水平部分から構成されてはいない。かわりに、それぞれ各端部にある第１の部分６１６、６１８は、本体６０２の下にはあるものの、接触部材の端部付近で斜め上に伸びているのみである。本体は第１の部分６１６、６１８の下には存在しない。よって第１の部分６１６、６１８は、デバイス６００のそれぞれの端部に窪み６２０、６２１を画定している。この例においては、本体の端部形状は第１の部分の外表面が画定する形状と同じであり、斜め上向きに傾斜している。しかしながら、本発明の他の実施形態においては、残りの本体が第１の部分の外側端部の上から実質的に垂直に下に伸びている場合もある。このような実施形態においては、第１の部分は本体の端部中に沈み込むことになる。
　先に述べた従来技術によるデバイスとは異なり、接触部材がパッケージ本体を超えて水平に伸びてはいない。かわりに、フットプリントはより小さくなっており、本体の長さａと幅ｂに収まっている。更に、窪みがデバイスをＰＣＢへと搭載する為のはんだを収容する空間を提供しており、はんだが本体の長さａを超えることはない。よってこれらのデバイスはより緊密に設けることが出来、上から見た場合に、はんだは略見える位置に存在しないように実装され得る。
　第４の実施形態７００を図７（ａ）及び（ｂ）に示した。これは図５（ａ）及び（ｂ）の実施形態と似たものであるが、側面から見た場合に図６に示した実施形態にある接触部材の第１の部分の形状を採用しており、対応する造作及び部品には符号の頭を５から７に変えた以外は同様の符号を付してある。概ね光学的に不透明な本体７０２は３つの水平な接触部材７０４、７０６、７０７を持っている。２つのＬＥＤ７０８、７０９は第１の主要接触部材７０４上に実装されている。３つの接触部材はそれ自体が本体７０２の下側７１０に設けられている。接触部材７０４、７０６、７０７は第１の部分７１６、７１８、７１９で終わる外側端部を持っており、これが斜め上向きに傾斜しており、第１の部分７１６、７１８、７１９の各々の下にそれぞれ窪み７２０、７２１を提供している。各接触部材の第１の部分以外の残りの部分は第２の部分７２２、７２４、７２５である。ＬＥＤ７０８、７０９は第１の接触部材７０４の第２の部分７２２上に実装されており、ボンディングワイヤ７２８が第１のＬＥＤ７０８の上部を第１の副接触部材７０６の第２の部分７２４へと接続し、第２のボンディングワイヤ７２９が第２のＬＥＤ７０９の上部を第２の副接触部材７０７の第２の部分７２５へと接続している。光学的に透明なプラスチックで満たされた反転させた円錐台形空洞７３０は、２つのＬＥＤ７０８、７０９からの光を上向きに逃がすようになっている。
　本実施形態と図５（ａ）及び（ｂ）に示した実施形態の違いは、第１の部分（及びそれに付随する本体領域）にある。本実施形態においては、３つの電気接触部材７０４、７０６、７０７が、本体７０２の下にはあるが、接触部材端部において斜め上向きに伸びてた第１の部分７１６、７１８、７１９を含んでいる。本体は第１の部分７１６、７１８、７１９の下には存在しない。よって第１の部分７１６、７１８、７１９は窪み７２０、７２１をその下に画定している。図６（ａ）及び（ｂ）の場合の他の実施形態と同様に、本体は第１の部分の形状に順じている必要はなく、実質的に垂直の（或いは他の様々な態様の）端部を持つものであっても良い。
　先に述べた従来技術によるデバイスとは異なり、接触部材がパッケージ本体を超えて水平に伸びてはいない。かわりに、フットプリントはより小さくなっており、本体の長さａと幅ｂに収まっている。更に、窪みがデバイスをＰＣＢへと搭載する為のはんだを収容する空間を提供しており、はんだが本体の長さａを超えることはない。よってこれらのデバイスはより緊密に設けることが出来、上から見た場合に、はんだは見える位置に略存在しないように実装され得る。
　第５の実施形態８００を図８（ａ）及び（ｂ）に示したが、これは図４（ｂ）の実施形態に類似したものであり、対応する造作及び部品には符号の頭を４から８に変えた以外は同様の符号を付してある。光学的に透明な本体８０２は２つの水平な接触部材８０４、８０６を持っている。ＬＥＤ８０８は第１の接触部材８０４上に実装される。２つの接触部材自体が本体８０２の下側８１０に設けられている。接触部材８０４、８０６は、第１の部分８１６、８１８において終わっている外端部を含み、その上面は各接触部材の残りの部分と同じレベルにあるが、縦の厚さが接触部材の残りの部分の半分しかない。よってこれら第１の部分８１６、８１８の下にはそれぞれに窪み８２０、８２１がある。各接触部材の第１の部分以外の残りの部分は第２の部分８２２、８２４である。ＬＥＤ８０８は第１の接触部材の第２の部分８２２の上に実装され、ボンディングワイヤ８２８がＬＥＤの上部を第２の接触部材８０６の第２の部分８２４へと接続している。
　よって実施形態間の違いは、電気接触部材８０４、８０６の第１の部分８１６、８１８の本体８０２基部における形状と厚さの違いにある。特に、平坦部分、それに続く斜め上向きに延びる部分、そしてまたそれに続く更なる平坦部分を持たせるよりも、接触部材下部を平坦部分、それに続き、短い距離だけ垂直に上に伸びる実質的に直角（垂直）な部分、そして再度外向きの更なる平坦部分で構成した方が、接触部材の上面を平坦にすることが出来る。厚さを薄くした平坦部分が第１の部分８１６、８１８を形成する。本体は第１の部分８１６、８１８の下には存在していない。よって第１の部分８１０が窪み８２０、８２１を画定することになる。
　先に述べた従来技術によるデバイスとは異なり、接触部材がパッケージ本体を超えて水平に伸びてはいない。代わりに、フットプリントはより小さくなっており、本体の長さａと幅ｂに収まっている。更に、窪みがデバイスをＰＣＢへと搭載する為のはんだを収容する空間を提供しており、はんだが本体の長さａを超えることはない。よってこれらのデバイスはより緊密に設けることが出来、上から見た場合に、はんだは見える位置に略存在しないように実装され得る。
　第６の実施形態９００を図９（ａ）及び（ｂ）に示した。これは図５（ａ）、（ｂ）の実施形態と似ているが、上から見た場合の接触部材の形状が図８の実施形態と同じものであり、対応する造作及び部品には符号の頭を５から９に変えた以外は同様の符号を付してある。概ね光学的に不透明な本体９０２は３つの水平接触部材９０４、９０６、９０７を含んでいる。２つのＬＥＤ９０８、９０９は、第１の主要接触部材９０４上に実装される。これら３つの接触部材自体が本体９０２の下側９１０に設けられる。接触部材９０４、９０６、９０７は第１の部分９１６、９１８、９１９で終わる外側端部を持っており、これらの上面は各接触部材の残りの部分と同じレベルにあるが、その厚さは接触部材の他の部分の縦の厚さの半分しかない。よって各第１の部分９１６、９１８、９１９の下には窪み９２０、９２１がある。各接触部材の第１の部分以外の残りの部分は第２の部分９２２、９２４、９２５である。ＬＥＤ９０８、９０９は、第１の接触部材９０４の第２の部分９２２上に実装されており、第１のボンディングワイヤ９２８が第１のＬＥＤ９０８の上部を第１の副接触部材９０６の第２の部分９２４へと接続し、第２のボンディングワイヤ９２９が第２のＬＥＤ９０９の上部を第２の副接触部材９０７の第２の部分９２５へと接続している。光学的に透明なプラスチックで満たされた反転させた円錐台形の空洞９３０が２つのＬＥＤ９０８、９０９からの光を上方向に逃がすようになっている。
　よって図５（ａ）及び（ｂ）、図９（ａ）及び（ｂ）の実施形態との違いは、各接触部材９０４、９０６、９０７の第１の部分９１６、９１８、９１９にある。これらは本体９０２の下にありながらも、垂直に窪みを作っている。第１の部分９１６、９１８、９１９の下には本体は存在していない。よってこの場合にも、窪み９２０、９２１が画定されている。
　先に述べた従来技術によるデバイスとは異なり、接触部材がパッケージ本体を超えて水平に伸びてはいない。かわりに、フットプリントはより小さくなっており、本体の長さａと幅ｂに収まっている。更に、窪みがデバイスをＰＣＢへと搭載する為のはんだを収容する空間を提供しており、はんだが本体の長さａを超えることはない。よってこれらのデバイスはより緊密に設けることが出来、上から見た場合に、はんだは見える位置に略存在しないように実装され得る。
　図１０は、図５（ａ）、（ｂ）の実施形態の使用中の側面図である。図１１は、図７（ａ）、（ｂ）の実施形態の使用中の側面図である。図１２は、図９（ａ）、（ｂ）の実施形態の使用中の側面図である。これらは側面図であるが、各図におけるはんだ部分は、よくわかるように網掛けで示した。図４（ａ）、（ｂ）、図６（ａ）、（ｂ）、及び図８（ａ）、（ｂ）の実施形態の使用中の側面図はこれらに類似したものである。
　図１０においては、各々が間隙１５により電気的に分離されている、３つの電気絶縁はんだパッド端子１２、１４（この側面図においては３つのうちの２つが見えている）を介してデバイス５００がプリント回路基板（ＰＣＢ）１０に実装されている。
　主要はんだパッド端子１２は、主要接触部材５０４の第２の部分５２２の水平長全体にわたって主要接触部材５０４と直接電気的に接触している。しかしながら、主要接触部材は主要接触部材の第１の部分５１２、５１６において、はんだパッド端子１２の上に持ち上げられた状態になっており、窪み５２０（図５（ａ）に図示）が設けられている。独立した副はんだパッド端子１４は副接触部材５０６、５０７の第２の部分５２４、５２５と直接接触している。しかしながら、副接触部材は副接触部材の第１の部分５１４、５１５、５１８、５１９において副はんだバッド端子１４の上に持ち上げられた状態にあり、窪み５２１（図５（ａ）に図示）が設けられている。３つのはんだパッド端子１２、１４は、実装されたデバイス５００との電気接触として作用するだけではなく、熱を放散する為のヒートシンクとしての働きも持っている。
　はんだフィレット５３２、５３４は窪み５２０、５２１を充填し、デバイスの接触５０４、５０６、５０７をはんだパッド端子１２、１４へと電気的、粘着的に接続する。このように、表面実装型デバイスはＰＣＢ１０上に有効に実装される。更に明らかなように、はんだフィレット５３２、５３４は水平方向においてパッケージを超えて延びることはなく、従って実装された場合にデバイスのフットプリントが増大することはない。
　同じＰＣＢ１０及びはんだパッド端子１２、１４を図１１に示したが、この場合はデバイス７００を使用している。図１０の実施形態と同様、窪み７２０、７２１中のはんだフィレット７３２、７３４はデバイスの接触部材７０４、７０６、７０７をはんだパッド端子１２、１４へと電気的、粘着的に接続している。はんだフィレット７３２、７３４は水平方向においてパッケージを超えてわずかにしか、或いは全く延びてはおらず、従って実装された場合にデバイスのフットプリントが増大することはない。
　同じＰＣＢ１０、はんだパッド端子１２、１４を更に図１２にも示したが、この場合はデバイス９００を使用したものである。図１０の実施形態と同様、窪み９２０、９２１中のはんだフィレット９３２、９３４はデバイスの接触部材９０４、９０６、９０７をはんだパッド端子へと電気的、粘着的に接続している。はんだフィレット９３２、９３４は水平方向においてパッケージを超えてわずかにしか、或いは全く延びてはおらず、従って実装された場合にデバイスのフットプリントが増大することはない。
　図１３はデバイス５００のアレイを示すものであり、デバイスの各々は図１０に示した方法で一般的なＰＣＢ１０上に実装されている。図３に示したアレイと比較すると、デバイスはより緊密に実装されており、ピッチｄは図３におけるピッチｄよりも小さく、より高い解像度が提供されている。加えて、はんだフィレットはアレイを上から見た場合に見えない、或いはほぼ見えない状態にあり、これにより暗いＰＣＢ表面と発光アレイとのあいだのコントラストが改善されている。
　様々な実施形態における接触部材は、光電デバイスの下側に沿って設けられている。図示の便宜上、デバイスの本体は接触部材の上面、或いは接触部材の底面まで延びるものとして描いたが、本体は電気接触部材の上面から底面までのいずれのレベルにまで延びるものであっても良い。出来れば、本体は接触部材の底面とほぼ同じレベルにまで延びるものであることが望ましいが、例えば各接触部材の厚さの中間のレベル等、より短くすることも可能である。よって接触部材は、実質的に本体の長さに沿った窪み中に設けられるのである。
　本発明は少なくとも水平部品（斜めの部分があったとしても）に窪みを設けるものである。これにより、より堅固で強いはんだ接続を同じ水平距離に作ることが可能となる。はんだのデバイスへの接触地点が単に垂直面であった場合、相応の強度を得るにはより長い垂直方向の広がりが必要となる。一方、本発明は、はんだに同じ水平及び垂直空間においてより広い表面積を提供しており、より高い強度のボンドを実現するものである。
　窪みはデバイスの端部に設けられ、水平方向に空いており、デバイスが所定位置に配置された場合でもはんだを流入或いは流出させることが可能である。
　上述した実施形態においては、斜め部分に続く水平部分を持つもの、まっすぐに斜めのもの、そして垂直部分に続く水平部分を持つものの、３つの特定の接触部材の形状のみを示した。勿論、概ね湾曲した部分を持つものも含めて他の形状も可能である。また、更に下向きに延びる部分を含むものも、窪みを外側から遮断しない限りにおいては可能である。いずれのデバイスにおいても、第１の部分に関して異なるデザインが可能である。
　接触部材は、上面及び底面が平行であるものを示した。これは推奨されるものであるが、必ずしもそうである必要は無い。更に、これらは概ね平坦部分から構成されているように描いた。これも必須ではない。これらは、本体又ははんだ等への接着性を高める為に波状形状の表面を持っていても、或いはパターニングされた表面を持っていても良い。
　第１の部分は、必要な窪みを造ることが出来るように、例えば選択的エッチング処理で接触部材材料から選択的に除去することにより作られる。かわりに、例えば打ち抜き加工や機械加工、ダイカスト加工或いは押し出し成型加工等による他の加工法によることも可能である。
　窪みは本体のモールディング加工時に用いられる型の形状により形成される。
　上述した実施形態においては、窪みは接触部材の第１の部分と同じ幅を持っている。これは推奨されることであるが、必ずしもそうである必要はない。窪みはその幅よりも大きくても小さくても良い（例えばデバイスの幅全体にわたっていても、或いは接触部材の第１の部分に対応する領域のみにわたるものであっても良い）。その広さは本体のモールディング加工で使用される型により決まる。
　上述した実施形態においては、ＬＥＤが１つだけの場合には本体は光学的に透明であり、２つある場合においては不透明である。本発明はこれに限られたものではない。
　接触部材は、説明したものとは異なる形状を持っていても良い。例えば、幅を各端部で同じとし、中間で漸減しているもの等でも良い。形状は、例えば熱流の容易性やプラスチックと接触部材の接着強度、そして製造上の利便性といった要因を考慮しつつ様々に設計することが出来る。プラスチック製の本体と接触部材との接着強度を改善する為には固定穴を用いることが一般的である。一般に、接触部材の最終形状は熱及びストレス解析シミュレーションを通じて決定される。
　更に、ＬＥＤの接触部材上への配置方法は変えることが出来、また、２つ以上のＬＥＤを用いることも出来る。更に、ＬＥＤを配置する接触面にも、カップ形状の空洞、又は窪みを作り、そこにＬＥＤを配置することが出来る。空洞の壁はリフレクタとしても作用し、ＬＥＤが放射する側面光を集光して向きを変えるように助けます。また、上述した実施形態においては、本体は必ずしも平坦な上面を持つものと限られてはいない。所望の光学特性を得る為に、上面を適切にレンズ形状としたり、上面にレンズを取り付けたりすることが出来る。
　上述した実施形態は、例えば高さが０．２５ｍｍから１０ｍｍ、長さ及び幅が０．２５ｍｍから５０ｍｍといった、様々なパッケージ寸法を持つＳＭＤに適用することが出来る。窪みの高さは、通常は０．０５ｍｍから５ｍｍの範囲であり、第１の部分の長さは約０．１ｍｍから５ｍｍである。第１及び第２の実施形態においては、第１の部分の斜め部分は約４５°の角度である。
　図８（ａ）、（ｂ）に示した実施形態の本体は、例えば長さ約１．６ｍｍ、幅約０．８ｍｍ、高さ約０．４ｍｍであり、そして長さ約０．１５ｍｍ、高さ約０．１ｍｍ及び幅約０．５ｍｍの窪みを持ったものである。
　特許請求の範囲によって定義される本発明の範囲において、他にも更に多数の実施形態が実現可能である。ＬＥＤを用いて本発明を説明したが、本発明の概念は他のＳＭＤについても適用可能であり、特に隣接するＳＭＤ間のピッチを小さくする応用に利用することができる。
既存の表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 他の既存の表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 図２のデバイスのアレイを示す平面図であり、基板にはんだ付けされた状態を示した図である。 本発明の第１の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 本発明の第２の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 本発明の第３の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 本発明の第四の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 本発明の第五の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 本発明の第六の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスの側面図及び上面図である。 第２の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスを基板に実装したアセンブリの側面図である。 第四の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスを基板に実装したアセンブリの側面図である。 第六の実施形態に基づくリード無し表面実装型光電デバイスを基板に実装したアセンブリの側面図である。 第２の実施形態に基づく表面実装型光電デバイスを基板に実装したアレイの上面図である。
符号の説明
　１０　プリント回路基板
　１２、１４　プリント回路基板の端子
　４００、５００、６００、７００、８００、９００　表面実装型電子デバイス
　４０２、５０２、６０２、７０２、８０２、９０２　本体
　４０４、４０６、５０４、５０６、５０７、６０４、６０６、７０４、７０６、７０７、８０４、８０６、９０４、９０６、９０７　電気接触部材
　４１０、５１０、６１０、７１０、８１０、９１０　本体の第１の面
　４１２、４１４、４１６、４１８、５１２、５１４、５１６〜５１９、６１６、６１８、７１６、７１８、７１９、８１６、８１８、９１６、９１８、９１９　電気接触部材の第１の部分
　４２０、４２１、５２０、５２１、６２０、６２１、７２０、７２１、８２０、８２１、９２０、９２１　窪み
　４２２、４２４、５２２、５２４、５２５、６２２、６２４、７２２、７２４、７２５、８２２、８２４、９２２、９２４、９２５　電気接触部材の第２の部分

Claims (10)

  1. 　デバイスを実装する為の第１の面を有する本体と、前記第１の面に形成される窪み部分と、前記第１の面に位置する複数の電気接触部材とを備え、該電気接触部材が、前記窪み部分の内表面の少なくとも一部分を構成する第１の部分を有することを特徴とする表面実装型電子デバイス。
  2. 　前記電気接触部材の各々は、少なくとも部分的に前記第１の面に延び、該第１の面が平坦面上に実装されるとき、前記第１の部分が前記平坦面から間隔を空けた位置に置かれることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。
  3. 　前記窪み部分にある前記第１の部分の少なくとも一部は、前記第１の面に対して実質的に平行であることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。
  4. 　前記窪み部分にある前記第１の部分の少なくとも一部は、前記第１の面に対して非平行とされることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。
  5. 　前記窪み部分にある前記第１の部分の少なくとも一部は、前記第１の面に対して垂直とされることを特徴とする請求項４に記載の表面実装型デバイス。
  6. 　前記窪み部分にある前記第１の部分の少なくとも一部は、傾斜部分を有し、前記第１の面から斜めに遠ざかる方向に延びていることを特徴とする請求項４に記載の表面実装型デバイス。
  7. 　前記窪み部分にある前記第１の部分は、前記第１の面から斜めに遠ざかる方向に延びる傾斜部分と、前記第１の面に実質的に平行に延び、前記第１の面から最も遠い前記傾斜部分の端部に結合する平行部分とを有することを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。
  8. 　前記電気接触部材は、前記第１の面の前記窪み部分から外れて位置する第２の部分を有することを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。
  9. 　前記電気接触部材は、前記本体の前記第１の面に沿って外側に向かって延びており、前記第１の部分が前記本体の前記第１の面の外側端部に向かって配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。
  10. 　前記デバイスがプリント回路基板上に実装されており、前記電気接触部材が前記プリント回路基板の端子と直接接触した状態にあり、前記第１の部分と前記プリント回路基板との間に接着剤が設けられており、前記電気接触部材がヒートシンクとして機能することを特徴とする請求項１に記載の表面実装型デバイス。

JP2003316609A 2002-09-18 2003-09-09 表面実装型電子デバイス Pending JP2004111964A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
MYPI20023479 2002-09-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004111964A true JP2004111964A (ja) 2004-04-08

Family

ID=31987564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003316609A Pending JP2004111964A (ja) 2002-09-18 2003-09-09 表面実装型電子デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6879040B2 (ja)
JP (1) JP2004111964A (ja)
DE (1) DE10340069B4 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096079A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2007180227A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
JP2008010486A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2008059650A1 (fr) * 2006-11-14 2008-05-22 Harison Toshiba Lighting Corp. Dispositif électroluminescent, son procédé de fabrication et son substrat monté
JP2010516050A (ja) * 2007-01-11 2010-05-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置
JP2011129876A (ja) * 2009-11-17 2011-06-30 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2011176270A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2011205124A (ja) * 2010-01-29 2011-10-13 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2014060343A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
JP2016029732A (ja) * 2015-10-09 2016-03-03 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US9490411B2 (en) 2008-09-03 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP2017050570A (ja) * 2016-12-07 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2017076822A (ja) * 2017-02-01 2017-04-20 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US9929318B2 (en) 2006-05-18 2018-03-27 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP2018157087A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018186306A (ja) * 2018-08-28 2018-11-22 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP2019216265A (ja) * 2019-08-27 2019-12-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2021121042A (ja) * 2020-03-13 2021-08-19 ローム株式会社 半導体装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005079329A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
KR101085144B1 (ko) * 2004-04-29 2011-11-21 엘지디스플레이 주식회사 Ｌｅｄ 램프 유닛
JP4952233B2 (ja) * 2006-04-19 2012-06-13 日亜化学工業株式会社 半導体装置
US8064211B2 (en) 2006-08-31 2011-11-22 Tdk Corporation Passive component and electronic component module
US7800304B2 (en) * 2007-01-12 2010-09-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-chip packaged LED light source
DE102007016904B4 (de) * 2007-04-10 2014-11-20 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
KR100801621B1 (ko) * 2007-06-05 2008-02-11 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
US8101955B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-24 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. PLCC package with a reflector cup surrounded by an encapsulant
US8089075B2 (en) * 2009-04-17 2012-01-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. LFCC package with a reflector cup surrounded by a single encapsulant
DE102009032253B4 (de) 2009-07-08 2022-11-17 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Elektronisches Bauteil
DE102010007752A1 (de) * 2010-02-12 2011-08-18 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil
CN102971654B (zh) * 2010-07-07 2014-12-24 住友电气工业株式会社 具有封装在密封体中的透镜的光学组件及其制造方法
TWI492427B (zh) * 2012-09-19 2015-07-11 一詮精密工業股份有限公司 發光二極體導線架的製造方法
CN103682018B (zh) * 2012-09-21 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制造方法
DE102013220880B4 (de) * 2013-10-15 2016-08-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Halbleitergehäuse mit einer elektrisch isolierenden, thermischen Schnittstellenstruktur auf einer Diskontinuität einer Verkapselungsstruktur sowie ein Herstellungsverfahren dafür und eine elektronische Anordung dies aufweisend
EP3168874B1 (en) * 2015-11-11 2020-09-30 Lipac Co., Ltd. Semiconductor chip package with optical interface
FR3054640B1 (fr) * 2016-07-28 2020-06-12 Linxens Holding Dispositif emetteur de lumiere

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545921U (ja) * 1991-11-18 1993-06-18 株式会社フジ電科 気密端子
JPH0587911U (ja) * 1992-04-30 1993-11-26 ミツミ電機株式会社 高周波コイル
JPH0626280U (ja) * 1992-09-04 1994-04-08 株式会社三協精機製作所 半導体装置のリード構造
JPH06350206A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Osaka Shinku Kagaku Kk 立体回路基板及びその製造方法
JP2000077725A (ja) * 1998-08-27 2000-03-14 Shichizun Denshi:Kk 半導体のパッケージおよびその製造方法
JP2001185763A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体パッケージ
WO2001050540A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle
WO2002059982A1 (en) * 2001-01-24 2002-08-01 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor elemet and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5608262A (en) * 1995-02-24 1997-03-04 Lucent Technologies Inc. Packaging multi-chip modules without wire-bond interconnection
KR100214463B1 (ko) * 1995-12-06 1999-08-02 구본준 클립형 리드프레임과 이를 사용한 패키지의 제조방법
US6208020B1 (en) * 1999-02-24 2001-03-27 Matsushita Electronics Corporation Leadframe for use in manufacturing a resin-molded semiconductor device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0545921U (ja) * 1991-11-18 1993-06-18 株式会社フジ電科 気密端子
JPH0587911U (ja) * 1992-04-30 1993-11-26 ミツミ電機株式会社 高周波コイル
JPH0626280U (ja) * 1992-09-04 1994-04-08 株式会社三協精機製作所 半導体装置のリード構造
JPH06350206A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Osaka Shinku Kagaku Kk 立体回路基板及びその製造方法
JP2000077725A (ja) * 1998-08-27 2000-03-14 Shichizun Denshi:Kk 半導体のパッケージおよびその製造方法
JP2001185763A (ja) * 1999-12-27 2001-07-06 Toshiba Electronic Engineering Corp 光半導体パッケージ
WO2001050540A1 (de) * 1999-12-30 2001-07-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle
WO2002059982A1 (en) * 2001-01-24 2002-08-01 Nichia Corporation Light emitting diode, optical semiconductor elemet and epoxy resin composition suitable for optical semiconductor element and production methods therefor

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007096079A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2007180227A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Toshiba Corp 光半導体装置およびその製造方法
US9929318B2 (en) 2006-05-18 2018-03-27 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10971656B2 (en) 2006-05-18 2021-04-06 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10263161B2 (en) 2006-05-18 2019-04-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US10686102B2 (en) 2006-05-18 2020-06-16 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US11631790B2 (en) 2006-05-18 2023-04-18 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
JP2008010486A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置及びその製造方法
WO2008059650A1 (fr) * 2006-11-14 2008-05-22 Harison Toshiba Lighting Corp. Dispositif électroluminescent, son procédé de fabrication et son substrat monté
JP2010516050A (ja) * 2007-01-11 2010-05-13 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス部品用のハウジング及びハウジングにおけるオプトエレクトロニクス部品の配置
US9054279B2 (en) 2007-01-11 2015-06-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component disposed in a recess of a housing and electrical componenet disposed in the housing
US10573788B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9537071B2 (en) 2008-09-03 2017-01-03 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US11094854B2 (en) 2008-09-03 2021-08-17 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9490411B2 (en) 2008-09-03 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10700241B2 (en) 2008-09-03 2020-06-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10115870B2 (en) 2008-09-03 2018-10-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10573789B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP2011129876A (ja) * 2009-11-17 2011-06-30 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2011205124A (ja) * 2010-01-29 2011-10-13 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2011176270A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2014060343A (ja) * 2012-09-19 2014-04-03 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
JP2016029732A (ja) * 2015-10-09 2016-03-03 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2017050570A (ja) * 2016-12-07 2017-03-09 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
JP2017076822A (ja) * 2017-02-01 2017-04-20 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
US10622528B2 (en) 2017-03-17 2020-04-14 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2018157087A (ja) * 2017-03-17 2018-10-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2018186306A (ja) * 2018-08-28 2018-11-22 日亜化学工業株式会社 樹脂成形体及び表面実装型発光装置並びにそれらの製造方法
JP2019216265A (ja) * 2019-08-27 2019-12-19 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7054008B2 (ja) 2019-08-27 2022-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2021121042A (ja) * 2020-03-13 2021-08-19 ローム株式会社 半導体装置
JP7219790B2 (ja) 2020-03-13 2023-02-08 ローム株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE10340069B4 (de) 2010-01-21
DE10340069A1 (de) 2004-04-08
US20040051171A1 (en) 2004-03-18
US6879040B2 (en) 2005-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004111964A (ja) 表面実装型電子デバイス
US20180301438A1 (en) Led surface-mount device and led display incorporating such device
US8049230B2 (en) Apparatus and system for miniature surface mount devices
JP5279225B2 (ja) 発光モジュールおよびその製造方法
US10431567B2 (en) White ceramic LED package
JP4711715B2 (ja) 半導体発光装置及び半導体発光ユニット
US7642704B2 (en) Light-emitting diode with a base
US20120025227A1 (en) Water resistant surface mount device package
US20130341656A1 (en) Miniature Surface Mount Device
US9685592B2 (en) Miniature surface mount device with large pin pads
US9054257B2 (en) Water resistant LED devices and an LED display including same
JP2004356506A (ja) ガラス封止型発光ダイオード
JPH1187780A (ja) 発光装置
WO2010081403A1 (en) Aligned multiple emitter package
JP2004172170A (ja) 高輝度発光装置及びその製造方法
JP2005294736A (ja) 半導体発光装置の製造方法
US9316781B2 (en) Linear light source device and planar light source device
KR100805822B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
JP2008147605A (ja) 発光装置及びその製造方法並びに実装基板
JP2011071265A (ja) 発光装置
JP4187239B2 (ja) 高輝度発光装置及びその製造方法
JP2008130735A (ja) 発光装置の製造方法
JPWO2018105448A1 (ja) 発光装置
JP2006156643A (ja) 表面実装型発光ダイオード
KR20050101737A (ko) 발광 다이오드 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060629

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20060911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20091209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100315

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100706

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101006

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110201