JP2004103713A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】きわめて高い膜厚面内均一性を有するエピタキシャル層を得ることのできる半導体製造装置を得る。
【解決手段】回転する板状のサセプタ3に、複数の基板4を周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、サセプタ3の直径方向に原料ガスを流し、加熱された基板4上で半導体結晶を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、基板4のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段21、22を設け、該加熱手段21、22により上流のサセプタ外周側からサセプタ内周側に向かって上昇する温度分布を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】回転する板状のサセプタ3に、複数の基板4を周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、サセプタ3の直径方向に原料ガスを流し、加熱された基板4上で半導体結晶を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、基板4のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段21、22を設け、該加熱手段21、22により上流のサセプタ外周側からサセプタ内周側に向かって上昇する温度分布を形成する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、III−V族化合物半導体を均等な膜厚で成長するのに適した半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
GaAs(ガリウム砒素)やInGaAs(インジウムガリウム砒素)などのIII−V族化合物半導体は、Si(シリコン)半導体に比べて、電子移動度が高いという特長がある。この特長をいかして、高速高効率動作を要求されるデバイスや、発光デバイスなどに多く用いられている。代表例としてHEMT(High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ)、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)、LD(Laser Diode:レーザーダイオード)などが挙げられる。
【0003】
一例として、図3にLDの基本構造を示す。LDは、基板上に結晶成長した、上からキャップ層、p−クラッド層、発光層、n−クラッド層、n−バッファ層よりなる。キャップ層は電極を形成するための層である。p−クラッド層はp型ドーパントが、またn−クラッド層はn型ドーパントがそれぞれドーピングされており、発生したキャリアは発光層へ供給されて再結合し、発光する。n−バッファ層は基板表面の残留不純物によるデバイス特性劣化を防ぐ働きがある。n−基板は単結晶成長するための下地である。
【0004】
表1にLDの構造例を示した。結晶成長のことをエピタキシャルと言う。エピタキシャル層名称のn−、p−はエピタキシャル層がそれぞれn型、p型であることを、また、un−はエピタキシャル層がアンドープであることを表している。厚さの単位はnm(10−9m)である。キャリア濃度の単位はcm−3であり、例えば1.0E+18で1.0×1018cm−3を表す。
【0005】
表1に示したLDエピタキシャルウェハの成長方法を以下に述べる。
【0006】
上記LDの化合物半導体結晶は一般に有機金属気相成長法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 、以下MOVPE法)による半導体製造装置で成長される。MOVPE法は、III族有機金属原料ガスとV族原料ガスを、高純度水素キャリアガスとの混合ガスとして反応炉内に導入し、反応炉内で加熱された基板付近で原料が熱分解され、基板上に化合物半導体結晶がエピタキシャル成長する。
【0007】
ここで従来のMOVPE装置(半導体製造装置)が採用しているリアクター(反応炉)の構成を図4に示す。これは、原料ガス供給口2aからガス排気口2bへ原料ガスが流通する反応管2の上部壁に板状のサセプタ3を設け、これをモータ10で回転可能に構成すると共に、このサセプタ3に、図5、図6の如く、気相エピタキシャル成長の対象である半導体基板4とほぼ同じ形状に開口部5を開け、この開口部5内に基板4の表面を下向きに収納し下面を露出させた状態で支持すると共に、上記基板4を加熱する加熱源たるメインヒータ21に面して前記開口部5に均熱板7をはめ込んだエピタキシャル成長装置である。なお、9は磁気シールドユニット、22は外周ヒータである。
【0008】
エピタキシャル層を成長させる基板4をサセプタ3にセットし、成長炉内で加熱する。成長炉内に原料ガスを供給すると、原料ガスが熱により分解し、基板上にエピタキシャル層が成長される。
【0009】
たとえば、un−GaAsを成長する場合には、Ga原料のGa(CH3)3(トリメチルガリウム)とAs原料のAsH3(アルシン)を基板に供給する。なお、Ga原料として他にGa(CH3CH2)3(トリエチルガリウム)がある。As原料として他にAs(CH3)3(トリメチル砒素)、TBA(ターシャリーブチルアルシン)がある。
【0010】
un−Al0.5GaAsを成長する場合には、Ga(CH3)3、AsH3、及びAl原料のAl(CH3)3(トリメチルアルミニウム)を基板に供給する。なお、Al原料として他にAl(CH3CH2)3(トリエチルアルミニウム)がある。Al0.5GaAsとはAl0.5Ga0.5Asを略したものであり、AlとGaの比が0.5:0.5であることを意味する。
【0011】
n−GaAsを成長する場合には、Ga(CH3)3、AsH3及びn型ドーパントを基板に供給する。n型ドーパントの元素としてはSiやSe(セレン)がある。Si原料としてSiH4(モノシラン)、Si2H6(ジシラン)がある。Se原料としてはH2Se(セレン化水素)がある。
【0012】
ここで、例として、図7のようにサセプタ3に基板4を2枚セットし、その基板4の上にエピタキシャル層を成長する場合を考える。従来技術では、一般的に、加熱源(ヒータ21、22)を調整し、図7に示すように、基板4のサセプタ直径方向の温度分布が均一(等温)になるようにしていた。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板4のサセプタ直径方向の温度分布が均一の場合、次のような課題があった。
【0014】
まず、サセプタを静止したまま結晶成長すると図8(a)のように基板4上に成長される結晶の厚さが不均一となり、基板“1”と基板“2”には厚さの異なるエピタキシャル層が形成される。これは原料ガスが熱で分解され、下流に行くほど原料が枯渇してしまうためである。この上流側から下流側に向かう膜厚分布は、原料ガスの熱分解曲線にほぼ一致している。この場合、厚さの異なる2枚のウェハが得られるが、それぞれ基板面内での膜厚分布が悪く、これらを製品とするには問題がある。特にLDでは、最も薄い発光層膜厚の面内均一性が重要であり、素子とした時に発振されるレーザーの波長は、発光層膜厚が薄いと短く、発光層膜厚が厚いと長くなってしまう。
【0015】
次に、サセプタを一定回転数で回転させながら成長した場合には、膜厚は図8(a)の回転積分値となるため、結果として図8(b)のように、結晶の厚さを面内である程度均一にすることができる。
【0016】
しかし、きわめて高い膜厚分布精度を要求される製品には不十分な均一度であった。
【0017】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、きわめて高い膜厚面内均一性を有するエピタキシャル層を得ることのできる半導体製造装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0019】
請求項1の発明に係る半導体製造装置は、回転する板状のサセプタに、複数の基板を周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、サセプタの直径方向に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段を設け、該加熱手段により、基板の上流のサセプタ外周側からサセプタ内周側に向かって上昇する温度分布を形成したことを特徴とする。
【0020】
請求項2の発明は、請求項1記載の半導体製造装置において、上記基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段により、上流側のサセプタ外周からサセプタ中心に向かって上昇する温度分布を形成したことを特徴とする。
【0021】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の半導体製造装置において、上記温度分布の昇温勾配を、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺する温度勾配にしたことを特徴とする。
【0022】
<発明の要点>
従来技術のように、基板のサセプタ直径方向に温度分布が均一(等温)である場合、つまり図9(b)のような温度分布の場合、図9(c)に分解効率の変化で示すように、上流側から供給された原料ガスはそのほとんどがサセプタ中心より上流側で分解していまい、下流側ではほとんど末分解の原料ガスが残っていない、すなわち原料が枯渇した状態となってしまう(図9(c)参照)。よって、サセプタ中心より上流側での反応が支配的であった。図9はこの様子を示すものである。
【0023】
これに対し、本発明は、基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を持たせるようにしたものである。具体的には、図1(b)に示すように、基板4のサセプタ外周側4aから内周側4bに向かって上昇するような温度勾配、又は上流側のサセプタ外周からサセプタ中心に向かって上昇するような温度勾配を持たせる。こうすることで、原料ガスは最上流部で一気に分解せず、下流のサセプタ中心に向かって均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚は非常に均一なものとなる。
【0024】
この効果は、上記温度分布の昇温勾配を、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺するような温度勾配にすることで顕著となり、下流のサセプタ中心に向かってより均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚はきわめて均一なものとなる。
【0025】
なお本発明においては、上記温度分布に加え、上記加熱手段により、上記サセプタ中心から下流側のサセプタ外周に向かって下降する温度分布を形成するのがよい。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
前提となる化合物半導体製造装置1は、加熱手段であるメインヒータ21及び外周ヒータ22を除き、図4〜図5のものと同一とした。すなわち、本実施形態の化合物半導体製造装置1は、原料ガス供給口2aからガス排気口2bへ原料ガスが流通する反応管2の上部壁に板状のサセプタ3を設け、これをモータ10で回転可能に構成する。このサセプタ3に、図5、図6の如く、気相エピタキシャル成長の対象である半導体基板4とほぼ同じ形状に開口部5を開け、この開口部5内に基板4の表面を下向きに収納し、下面を露出させた状態で支持する。基板4を加熱する加熱源たるメインヒータ21に面して開口部5に均熱板7をはめ込んだ構成とする。なお、9は磁気シールドユニット、22は外周ヒータである。
【0027】
上記加熱手段たるメインヒータ21及び外周ヒータ22は、本発明に従い、基板4のサセプタ3の直径方向に作為的に温度分布を持たせることができるように、基板4のサセプタ3の直径方向の温度を制御可能に構成されている。
【0028】
本発明は、上記のように、回転する板状のサセプタ3に、複数の基板4を、サセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、その基板の裏面側からサセプタをヒータ21、22で加熱し、サセプタ3の直径方向一側の入口(サセプタ外周)から他側の出口(サセプタ外周)に一方向に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる半導体製造装置を前提とし、基板4のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段たるメインヒータ21及び外周ヒータ22により、上流側のサセプタ外周(原料ガス供給口2a)からサセプタ中心に向かって上昇する温度分布を形成し、これにより、基板4の上流のサセプタ外周側4aからサセプタ内周側4bに向かって上昇する温度分布を形成する。
【0029】
この温度分布は、好ましくは、図1(b)に示すように、その昇温勾配が、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺する温度勾配に設定し、下流のサセプタ中心に向かって均一な割合で原料ガスの分解が進むようにする。また、上記加熱手段により、サセプタ中心から下流側のサセプタ外周(ガス排気口2b)に向かって下降する温度分布を形成する。
【0030】
図2(a)にガス流速が遅い場合のガス分解効率の変化を、また図2(b)にガス流速が早い場合のガス分解効率の変化を示す。図2に示すように、原料ガスの分解曲線はガス流速に依存する。すなわち、ガス流速が遅いときは分解曲線の傾きは大きく(急勾配に)なり、逆に速いときは分解曲線の傾きは小さく(ゆるやかに)なる。
【0031】
そこで、本発明を適用する場合には、この分解曲線の勾配を相殺するように温度勾配を設定してやるのである。つまり、分解曲線の傾きが大きい場合は温度勾配も大きくし、逆に分解曲線の傾きが小さい場合は温度勾配も小さくなるように設定する。
【0032】
上記のように基板4のサセプタ外周側から内周側に向かって上昇するような温度勾配を持たせることで、原料ガスは最上流部で一気に分解せず、下流に向かって均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚はきわめて均一なものとなる。この効果を確認するため、実施例として、次のようにLDの試作を行った。
【0033】
<実施例>
本発明を表1のLDエピタキシャルウェハの成長に適用した。
【0034】
【表1】
【0035】
成長時の基板温度は700℃、成長炉内圧力は70Torr、希釈用ガスは水素である。基板には、GaAs基板を用いた。un−Al0.1GaAs層の成長にはGa(CH3)3、Al(CH3)3及びAsH3を用い、それらの流量はそれぞれ65cm3/分、45cm3/分及び1000cm3/分である。n−Al0.5GaAs層の成長には、un−Al0.1GaAsの成長に使用したGa(CH3)3、Al(CH3)3、AsH3に加えてSi2H6を使用した。流量はそれぞれ65cm3/分、150cm3/分、1000cm3/分及び300cm3/分である。n−GaAs層の成長にはGa(CH3)3、AsH3及びSi2H6を用い、それらの流量はそれぞれ100cm3/分、300cm3/分及び200cm3/分である。
【0036】
本発明の一実施例を説明する。サセプタを静止した状態で加熱源を調整し、基板両端の温度差、すなわち、
(基板のサセプタ内周側端部温度)−(基板のサセプタ外周側端部温度)=10℃
となるように設定した。この温度環境を保ったまま、サセプタを30rpmで回転させ、エピタキシャル成長を実施した。
【0037】
【表2】
【0038】
表2に、エピタキシャル層の膜厚の面内バラツキ(%)を、上記実施例(基板両端温度差10℃)で成長したエピタキシャル層の膜厚データと、従来技術(基板両端温度差0℃)で成長したエピタキシャル層の膜厚データとで、比較して示す。ここに「面内バラツキ」とは、(面内膜厚最大値−面内膜厚最小値)/(2×膜厚平均値)で定義される量である。
【0039】
従来技術(基板両端温度差0℃)で成長したエピタキシャル層の面内バラツキが±1.52%であるのに対し、上記実施例(基板両端温度差10℃)で成長したエピタキシャル層の面内バラツキは±0.19%と、きわめて小さかった。これより、本発明によれば、きわめて膜厚の面内均一性の高いエピタキシャル層が得られることがわかる。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【0041】
従来技術では、基板のサセプタ直径方向の温度分布が均一(等温)になるようにしていたため、上流から供給された原料ガスはそのほとんどが最上流側で一気に分解していまい、成長されたエピタキシャル層の膜厚は、サセプタ外周側で厚く、内周側で薄い分布を持っていた。
【0042】
しかし、本発明では、基板のサセプタ外周側から内周側に向かって上昇するような温度勾配を持たせた。こうすることで、原料ガスは最上流部で一気に分解せず、下流に向かって均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚はきわめて均一なものとなる。これにより、従来技術では達成できなかったレベルの膜厚均一性が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の化合物半導体製造装置を示したもので、(a)はサセプタと原料ガスの流れの関係を示した図、(b)はサセプタの温度分布を示した図、(c)は分解効率の変化を示した図である。
【図2】原料ガス分解曲線のガス流速依存性を示す説明図である。
【図3】LDの基本構造を示す図である。
【図4】本発明を適用した化合物半導体製造装置の構造を示した断面図である。
【図5】図4のサセプタの詳細を半導体基板及び均熱板を装着した状態で示した平面図である。
【図6】図4の化合物半導体製造装置におけるサセプタの開口部分の断面図である。
【図7】従来技術の化合物半導体製造装置での温度分布を示す説明図である。
【図8】従来技術の問題点である膜厚不均一を説明するための図で、(a)はサセプタ静止状態のときの成長厚さを、(b)はサセプタが一定回転しているときの成長厚さを示した図ある。
【図9】従来技術の化合物半導体製造装置を示したもので、(a)はサセプタと原料ガスの流れの関係を示した図、(b)はサセプタの温度分布を示した図、(c)は分解効率の変化を示した図である。
【符号の説明】
1 化合物半導体製造装置
2 反応管
3 サセプタ
4 半導体基板
5 開口部
6 基板支持部
7 均熱板
21 メインヒータ
22 外周ヒータ
【発明の属する技術分野】
本発明は、III−V族化合物半導体を均等な膜厚で成長するのに適した半導体製造装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
GaAs(ガリウム砒素)やInGaAs(インジウムガリウム砒素)などのIII−V族化合物半導体は、Si(シリコン)半導体に比べて、電子移動度が高いという特長がある。この特長をいかして、高速高効率動作を要求されるデバイスや、発光デバイスなどに多く用いられている。代表例としてHEMT(High Electron Mobility Transistor:高電子移動度トランジスタ)、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)、LD(Laser Diode:レーザーダイオード)などが挙げられる。
【0003】
一例として、図3にLDの基本構造を示す。LDは、基板上に結晶成長した、上からキャップ層、p−クラッド層、発光層、n−クラッド層、n−バッファ層よりなる。キャップ層は電極を形成するための層である。p−クラッド層はp型ドーパントが、またn−クラッド層はn型ドーパントがそれぞれドーピングされており、発生したキャリアは発光層へ供給されて再結合し、発光する。n−バッファ層は基板表面の残留不純物によるデバイス特性劣化を防ぐ働きがある。n−基板は単結晶成長するための下地である。
【0004】
表1にLDの構造例を示した。結晶成長のことをエピタキシャルと言う。エピタキシャル層名称のn−、p−はエピタキシャル層がそれぞれn型、p型であることを、また、un−はエピタキシャル層がアンドープであることを表している。厚さの単位はnm(10−9m)である。キャリア濃度の単位はcm−3であり、例えば1.0E+18で1.0×1018cm−3を表す。
【0005】
表1に示したLDエピタキシャルウェハの成長方法を以下に述べる。
【0006】
上記LDの化合物半導体結晶は一般に有機金属気相成長法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy 、以下MOVPE法)による半導体製造装置で成長される。MOVPE法は、III族有機金属原料ガスとV族原料ガスを、高純度水素キャリアガスとの混合ガスとして反応炉内に導入し、反応炉内で加熱された基板付近で原料が熱分解され、基板上に化合物半導体結晶がエピタキシャル成長する。
【0007】
ここで従来のMOVPE装置(半導体製造装置)が採用しているリアクター(反応炉)の構成を図4に示す。これは、原料ガス供給口2aからガス排気口2bへ原料ガスが流通する反応管2の上部壁に板状のサセプタ3を設け、これをモータ10で回転可能に構成すると共に、このサセプタ3に、図5、図6の如く、気相エピタキシャル成長の対象である半導体基板4とほぼ同じ形状に開口部5を開け、この開口部5内に基板4の表面を下向きに収納し下面を露出させた状態で支持すると共に、上記基板4を加熱する加熱源たるメインヒータ21に面して前記開口部5に均熱板7をはめ込んだエピタキシャル成長装置である。なお、9は磁気シールドユニット、22は外周ヒータである。
【0008】
エピタキシャル層を成長させる基板4をサセプタ3にセットし、成長炉内で加熱する。成長炉内に原料ガスを供給すると、原料ガスが熱により分解し、基板上にエピタキシャル層が成長される。
【0009】
たとえば、un−GaAsを成長する場合には、Ga原料のGa(CH3)3(トリメチルガリウム)とAs原料のAsH3(アルシン)を基板に供給する。なお、Ga原料として他にGa(CH3CH2)3(トリエチルガリウム)がある。As原料として他にAs(CH3)3(トリメチル砒素)、TBA(ターシャリーブチルアルシン)がある。
【0010】
un−Al0.5GaAsを成長する場合には、Ga(CH3)3、AsH3、及びAl原料のAl(CH3)3(トリメチルアルミニウム)を基板に供給する。なお、Al原料として他にAl(CH3CH2)3(トリエチルアルミニウム)がある。Al0.5GaAsとはAl0.5Ga0.5Asを略したものであり、AlとGaの比が0.5:0.5であることを意味する。
【0011】
n−GaAsを成長する場合には、Ga(CH3)3、AsH3及びn型ドーパントを基板に供給する。n型ドーパントの元素としてはSiやSe(セレン)がある。Si原料としてSiH4(モノシラン)、Si2H6(ジシラン)がある。Se原料としてはH2Se(セレン化水素)がある。
【0012】
ここで、例として、図7のようにサセプタ3に基板4を2枚セットし、その基板4の上にエピタキシャル層を成長する場合を考える。従来技術では、一般的に、加熱源(ヒータ21、22)を調整し、図7に示すように、基板4のサセプタ直径方向の温度分布が均一(等温)になるようにしていた。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、基板4のサセプタ直径方向の温度分布が均一の場合、次のような課題があった。
【0014】
まず、サセプタを静止したまま結晶成長すると図8(a)のように基板4上に成長される結晶の厚さが不均一となり、基板“1”と基板“2”には厚さの異なるエピタキシャル層が形成される。これは原料ガスが熱で分解され、下流に行くほど原料が枯渇してしまうためである。この上流側から下流側に向かう膜厚分布は、原料ガスの熱分解曲線にほぼ一致している。この場合、厚さの異なる2枚のウェハが得られるが、それぞれ基板面内での膜厚分布が悪く、これらを製品とするには問題がある。特にLDでは、最も薄い発光層膜厚の面内均一性が重要であり、素子とした時に発振されるレーザーの波長は、発光層膜厚が薄いと短く、発光層膜厚が厚いと長くなってしまう。
【0015】
次に、サセプタを一定回転数で回転させながら成長した場合には、膜厚は図8(a)の回転積分値となるため、結果として図8(b)のように、結晶の厚さを面内である程度均一にすることができる。
【0016】
しかし、きわめて高い膜厚分布精度を要求される製品には不十分な均一度であった。
【0017】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、きわめて高い膜厚面内均一性を有するエピタキシャル層を得ることのできる半導体製造装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0019】
請求項1の発明に係る半導体製造装置は、回転する板状のサセプタに、複数の基板を周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、サセプタの直径方向に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段を設け、該加熱手段により、基板の上流のサセプタ外周側からサセプタ内周側に向かって上昇する温度分布を形成したことを特徴とする。
【0020】
請求項2の発明は、請求項1記載の半導体製造装置において、上記基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段により、上流側のサセプタ外周からサセプタ中心に向かって上昇する温度分布を形成したことを特徴とする。
【0021】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の半導体製造装置において、上記温度分布の昇温勾配を、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺する温度勾配にしたことを特徴とする。
【0022】
<発明の要点>
従来技術のように、基板のサセプタ直径方向に温度分布が均一(等温)である場合、つまり図9(b)のような温度分布の場合、図9(c)に分解効率の変化で示すように、上流側から供給された原料ガスはそのほとんどがサセプタ中心より上流側で分解していまい、下流側ではほとんど末分解の原料ガスが残っていない、すなわち原料が枯渇した状態となってしまう(図9(c)参照)。よって、サセプタ中心より上流側での反応が支配的であった。図9はこの様子を示すものである。
【0023】
これに対し、本発明は、基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を持たせるようにしたものである。具体的には、図1(b)に示すように、基板4のサセプタ外周側4aから内周側4bに向かって上昇するような温度勾配、又は上流側のサセプタ外周からサセプタ中心に向かって上昇するような温度勾配を持たせる。こうすることで、原料ガスは最上流部で一気に分解せず、下流のサセプタ中心に向かって均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚は非常に均一なものとなる。
【0024】
この効果は、上記温度分布の昇温勾配を、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺するような温度勾配にすることで顕著となり、下流のサセプタ中心に向かってより均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚はきわめて均一なものとなる。
【0025】
なお本発明においては、上記温度分布に加え、上記加熱手段により、上記サセプタ中心から下流側のサセプタ外周に向かって下降する温度分布を形成するのがよい。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
前提となる化合物半導体製造装置1は、加熱手段であるメインヒータ21及び外周ヒータ22を除き、図4〜図5のものと同一とした。すなわち、本実施形態の化合物半導体製造装置1は、原料ガス供給口2aからガス排気口2bへ原料ガスが流通する反応管2の上部壁に板状のサセプタ3を設け、これをモータ10で回転可能に構成する。このサセプタ3に、図5、図6の如く、気相エピタキシャル成長の対象である半導体基板4とほぼ同じ形状に開口部5を開け、この開口部5内に基板4の表面を下向きに収納し、下面を露出させた状態で支持する。基板4を加熱する加熱源たるメインヒータ21に面して開口部5に均熱板7をはめ込んだ構成とする。なお、9は磁気シールドユニット、22は外周ヒータである。
【0027】
上記加熱手段たるメインヒータ21及び外周ヒータ22は、本発明に従い、基板4のサセプタ3の直径方向に作為的に温度分布を持たせることができるように、基板4のサセプタ3の直径方向の温度を制御可能に構成されている。
【0028】
本発明は、上記のように、回転する板状のサセプタ3に、複数の基板4を、サセプタ中心から少し離れた位置にて周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、その基板の裏面側からサセプタをヒータ21、22で加熱し、サセプタ3の直径方向一側の入口(サセプタ外周)から他側の出口(サセプタ外周)に一方向に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶をエピタキシャル成長させる半導体製造装置を前提とし、基板4のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段たるメインヒータ21及び外周ヒータ22により、上流側のサセプタ外周(原料ガス供給口2a)からサセプタ中心に向かって上昇する温度分布を形成し、これにより、基板4の上流のサセプタ外周側4aからサセプタ内周側4bに向かって上昇する温度分布を形成する。
【0029】
この温度分布は、好ましくは、図1(b)に示すように、その昇温勾配が、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺する温度勾配に設定し、下流のサセプタ中心に向かって均一な割合で原料ガスの分解が進むようにする。また、上記加熱手段により、サセプタ中心から下流側のサセプタ外周(ガス排気口2b)に向かって下降する温度分布を形成する。
【0030】
図2(a)にガス流速が遅い場合のガス分解効率の変化を、また図2(b)にガス流速が早い場合のガス分解効率の変化を示す。図2に示すように、原料ガスの分解曲線はガス流速に依存する。すなわち、ガス流速が遅いときは分解曲線の傾きは大きく(急勾配に)なり、逆に速いときは分解曲線の傾きは小さく(ゆるやかに)なる。
【0031】
そこで、本発明を適用する場合には、この分解曲線の勾配を相殺するように温度勾配を設定してやるのである。つまり、分解曲線の傾きが大きい場合は温度勾配も大きくし、逆に分解曲線の傾きが小さい場合は温度勾配も小さくなるように設定する。
【0032】
上記のように基板4のサセプタ外周側から内周側に向かって上昇するような温度勾配を持たせることで、原料ガスは最上流部で一気に分解せず、下流に向かって均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚はきわめて均一なものとなる。この効果を確認するため、実施例として、次のようにLDの試作を行った。
【0033】
<実施例>
本発明を表1のLDエピタキシャルウェハの成長に適用した。
【0034】
【表1】
【0035】
成長時の基板温度は700℃、成長炉内圧力は70Torr、希釈用ガスは水素である。基板には、GaAs基板を用いた。un−Al0.1GaAs層の成長にはGa(CH3)3、Al(CH3)3及びAsH3を用い、それらの流量はそれぞれ65cm3/分、45cm3/分及び1000cm3/分である。n−Al0.5GaAs層の成長には、un−Al0.1GaAsの成長に使用したGa(CH3)3、Al(CH3)3、AsH3に加えてSi2H6を使用した。流量はそれぞれ65cm3/分、150cm3/分、1000cm3/分及び300cm3/分である。n−GaAs層の成長にはGa(CH3)3、AsH3及びSi2H6を用い、それらの流量はそれぞれ100cm3/分、300cm3/分及び200cm3/分である。
【0036】
本発明の一実施例を説明する。サセプタを静止した状態で加熱源を調整し、基板両端の温度差、すなわち、
(基板のサセプタ内周側端部温度)−(基板のサセプタ外周側端部温度)=10℃
となるように設定した。この温度環境を保ったまま、サセプタを30rpmで回転させ、エピタキシャル成長を実施した。
【0037】
【表2】
【0038】
表2に、エピタキシャル層の膜厚の面内バラツキ(%)を、上記実施例(基板両端温度差10℃)で成長したエピタキシャル層の膜厚データと、従来技術(基板両端温度差0℃)で成長したエピタキシャル層の膜厚データとで、比較して示す。ここに「面内バラツキ」とは、(面内膜厚最大値−面内膜厚最小値)/(2×膜厚平均値)で定義される量である。
【0039】
従来技術(基板両端温度差0℃)で成長したエピタキシャル層の面内バラツキが±1.52%であるのに対し、上記実施例(基板両端温度差10℃)で成長したエピタキシャル層の面内バラツキは±0.19%と、きわめて小さかった。これより、本発明によれば、きわめて膜厚の面内均一性の高いエピタキシャル層が得られることがわかる。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【0041】
従来技術では、基板のサセプタ直径方向の温度分布が均一(等温)になるようにしていたため、上流から供給された原料ガスはそのほとんどが最上流側で一気に分解していまい、成長されたエピタキシャル層の膜厚は、サセプタ外周側で厚く、内周側で薄い分布を持っていた。
【0042】
しかし、本発明では、基板のサセプタ外周側から内周側に向かって上昇するような温度勾配を持たせた。こうすることで、原料ガスは最上流部で一気に分解せず、下流に向かって均一な割合で分解が進むようになる。この結果、基板上に成長されるエピタキシャル層の膜厚はきわめて均一なものとなる。これにより、従来技術では達成できなかったレベルの膜厚均一性が容易に得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の化合物半導体製造装置を示したもので、(a)はサセプタと原料ガスの流れの関係を示した図、(b)はサセプタの温度分布を示した図、(c)は分解効率の変化を示した図である。
【図2】原料ガス分解曲線のガス流速依存性を示す説明図である。
【図3】LDの基本構造を示す図である。
【図4】本発明を適用した化合物半導体製造装置の構造を示した断面図である。
【図5】図4のサセプタの詳細を半導体基板及び均熱板を装着した状態で示した平面図である。
【図6】図4の化合物半導体製造装置におけるサセプタの開口部分の断面図である。
【図7】従来技術の化合物半導体製造装置での温度分布を示す説明図である。
【図8】従来技術の問題点である膜厚不均一を説明するための図で、(a)はサセプタ静止状態のときの成長厚さを、(b)はサセプタが一定回転しているときの成長厚さを示した図ある。
【図9】従来技術の化合物半導体製造装置を示したもので、(a)はサセプタと原料ガスの流れの関係を示した図、(b)はサセプタの温度分布を示した図、(c)は分解効率の変化を示した図である。
【符号の説明】
1 化合物半導体製造装置
2 反応管
3 サセプタ
4 半導体基板
5 開口部
6 基板支持部
7 均熱板
21 メインヒータ
22 外周ヒータ
Claims (3)
- 回転する板状のサセプタに、複数の基板を周方向に配設し、且つ成長面たる下面をガス流路側に向けて支持し、サセプタの直径方向に原料ガスを流し、加熱された基板上で半導体結晶を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる半導体製造装置において、
基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段を設け、該加熱手段により、基板の上流のサセプタ外周側からサセプタ内周側に向かって上昇する温度分布を形成したことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1記載の半導体製造装置において、
上記基板のサセプタ直径方向に作為的に温度分布を与える加熱手段により、上流側のサセプタ外周からサセプタ中心に向かって上昇する温度分布を形成したことを特徴とする半導体製造装置。 - 請求項1又は2記載の半導体製造装置において、
上記温度分布の昇温勾配を、原料ガスの分解曲線の勾配を相殺する温度勾配にしたことを特徴とする半導体製造装置。
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JP2018116971A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体基板の製造方法 |
-
2002
- 2002-09-06 JP JP2002261333A patent/JP2004103713A/ja not_active Withdrawn
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