JP2007123628A - 半導体製造方法及びサテライト - Google Patents
半導体製造方法及びサテライト Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007123628A JP2007123628A JP2005315165A JP2005315165A JP2007123628A JP 2007123628 A JP2007123628 A JP 2007123628A JP 2005315165 A JP2005315165 A JP 2005315165A JP 2005315165 A JP2005315165 A JP 2005315165A JP 2007123628 A JP2007123628 A JP 2007123628A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- satellite
- substrate
- fixing portion
- group
- outer peripheral
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/12—Substrate holders or susceptors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【解決手段】サテライトに基板をセットする工程と、サテライトを通じて基板に熱エネルギーを供給しながら、基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、サテライトとして、基板を載置する平坦なサテライト本体と基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、外周固定部が基板の外周部の360°全周ではなく一部のみに接触するものを用いる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施の形態1に係る半導体製造方法について図面を参照しながら説明する。
実施の形態2では、サテライトとして、静電チャック又は真空吸着により基板を固定するものを用いる。これにより、サテライト本体を平坦なものにすることができるため、サテライトの量産に有利となる。
11a サテライト本体
11b 外周固定部
12 基板
Claims (16)
- サテライトに基板をセットする工程と、
前記サテライトを通じて前記基板に熱エネルギーを供給しながら、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、
前記サテライトとして、前記基板を載置する平坦なサテライト本体と前記基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、前記外周固定部が前記基板の外周部の360°全周ではなく一部のみに接触するものを用いることを特徴とする半導体製造方法。 - 前記サテライトとして、前記外周固定部が前記基板の外周部の10〜80%に接触するものを用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記外周固定部が3〜8個のツメからなるものを用いることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記外周固定部が前記サテライト本体を切削することで形成されたものを用いることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体製造方法。
- 前記サテライトとして、前記サテライト本体に前記外周固定部としてネジが取り付けられたものを用いることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体製造方法。
- 前記ネジとして、円柱型又は四角柱型のものを用いることを特徴とする請求項5に記載の半導体製造方法。
- 前記ネジとして、材質がカーボン、石英、又は窒化ボロンの何れかからものを用いることを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体製造方法。
- サテライトに基板をセットする工程と、
前記サテライトを通じて前記基板に熱エネルギーを供給しながら、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する工程とを有し、
前記サテライトとして、前記基板を静電チャック又は真空吸着により固定するものを用いることを特徴とする半導体製造方法。 - 結晶成長時に基板がセットされ、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する際に前記基板に熱エネルギーを供給するサテライトであって、
前記基板を載置する平坦なサテライト本体と前記基板の外周部を固定する外周固定部とを有し、
前記外周固定部が前記基板の外周部の360°全周ではなく一部のみに接触することを特徴とするサテライト。 - 前記外周固定部が前記基板の外周部の10〜80%に接触することを特徴とする請求項9に記載のサテライト。
- 前記外周固定部が3〜8個のツメからなることを特徴とする請求項9又は10に記載のサテライト。
- 前記外周固定部が前記サテライト本体を切削することで形成されていることを特徴とする請求項9〜11の何れか1項に記載のサテライト。
- 前記サテライト本体に前記外周固定部としてネジが取り付けられていることを特徴とする請求項9〜12の何れか1項に記載のサテライト。
- 前記ネジは、円柱型又は四角柱型であることを特徴とする請求項13に記載のサテライト。
- 前記ネジは、材質がカーボン、石英、又は窒化ボロンの何れかであることを特徴とする請求項13又は14に記載のサテライト。
- 結晶成長時に基板がセットされ、前記基板上にV族元素又はIV族元素を2種類以上有する混晶化合物半導体薄膜を有機金属気相成長法により成膜する際に前記基板に熱エネルギーを供給するサテライトであって、
前記基板を静電チャック又は真空吸着により固定することを特徴とするサテライト。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005315165A JP4844086B2 (ja) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 半導体製造方法及びサテライト |
US11/453,981 US20070099355A1 (en) | 2005-10-28 | 2006-06-16 | Satellite and method of manufacturing a semiconductor film using the satellite |
DE102006043991A DE102006043991A1 (de) | 2005-10-28 | 2006-09-19 | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiters und Satellit |
CN200610159526XA CN1956151B (zh) | 2005-10-28 | 2006-09-22 | 半导体制造方法及附属装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005315165A JP4844086B2 (ja) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 半導体製造方法及びサテライト |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123628A true JP2007123628A (ja) | 2007-05-17 |
JP4844086B2 JP4844086B2 (ja) | 2011-12-21 |
Family
ID=37912984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005315165A Active JP4844086B2 (ja) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | 半導体製造方法及びサテライト |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070099355A1 (ja) |
JP (1) | JP4844086B2 (ja) |
CN (1) | CN1956151B (ja) |
DE (1) | DE102006043991A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020071308A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012043983A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 多層膜形成方法およびそれに用いる成膜装置 |
CN105800547B (zh) * | 2016-04-08 | 2017-06-16 | 厦门大学 | 用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法 |
CN108950680A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-07 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 外延基座及外延设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117195A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 気相成長方法 |
JPS62221128A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 処理装置 |
JPS6446917A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Chemical vapor growth device |
JPH07249580A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜製造装置 |
JPH1174203A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-16 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および成長装置 |
JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5141893A (en) * | 1988-12-22 | 1992-08-25 | Ford Microelectronics | Growth of P type Group III-V compound semiconductor on Group IV semiconductor substrate |
US5077875A (en) * | 1990-01-31 | 1992-01-07 | Raytheon Company | Reactor vessel for the growth of heterojunction devices |
US5800686A (en) * | 1993-04-05 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition chamber with substrate edge protection |
US5837058A (en) * | 1996-07-12 | 1998-11-17 | Applied Materials, Inc. | High temperature susceptor |
US6020750A (en) * | 1997-06-26 | 2000-02-01 | International Business Machines Corporation | Wafer test and burn-in platform using ceramic tile supports |
KR100505310B1 (ko) * | 1998-05-13 | 2005-08-04 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막 장치 및 방법 |
US6320736B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Chuck having pressurized zones of heat transfer gas |
US7381276B2 (en) * | 2002-07-16 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Susceptor pocket with beveled projection sidewall |
DE10261362B8 (de) * | 2002-12-30 | 2008-08-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Substrat-Halter |
US20050042881A1 (en) * | 2003-05-12 | 2005-02-24 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
KR100513276B1 (ko) * | 2003-05-23 | 2005-09-09 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 고정 스핀 척 |
-
2005
- 2005-10-28 JP JP2005315165A patent/JP4844086B2/ja active Active
-
2006
- 2006-06-16 US US11/453,981 patent/US20070099355A1/en not_active Abandoned
- 2006-09-19 DE DE102006043991A patent/DE102006043991A1/de not_active Ceased
- 2006-09-22 CN CN200610159526XA patent/CN1956151B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61117195A (ja) * | 1984-11-10 | 1986-06-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 気相成長方法 |
JPS62221128A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 処理装置 |
JPS6446917A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Toshiba Corp | Chemical vapor growth device |
JPH07249580A (ja) * | 1994-03-14 | 1995-09-26 | Fujitsu Ltd | 薄膜製造装置 |
JPH1174203A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-03-16 | Sony Corp | 窒化物系iii−v族化合物半導体の成長方法および成長装置 |
JP2002343727A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Hitachi Ltd | 結晶成長方法及び結晶成長装置並びに半導体デバイスの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020071308A1 (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 東洋炭素株式会社 | サセプタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102006043991A1 (de) | 2007-05-03 |
JP4844086B2 (ja) | 2011-12-21 |
US20070099355A1 (en) | 2007-05-03 |
CN1956151B (zh) | 2011-08-17 |
CN1956151A (zh) | 2007-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4999866B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体ヘテロ構造体の成長方法 | |
KR100629558B1 (ko) | GaN단결정기판 및 그 제조방법 | |
US7981713B2 (en) | Group III-V nitride-based semiconductor substrate, group III-V nitride-based device and method of fabricating the same | |
US20060225643A1 (en) | AlGaN substrate and production method thereof | |
JP5509680B2 (ja) | Iii族窒化物結晶及びその製造方法 | |
JP4981602B2 (ja) | 窒化ガリウム基板の製造方法 | |
US20070215901A1 (en) | Group III-V nitride-based semiconductor substrate and method of fabricating the same | |
JP6704387B2 (ja) | 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに半導体デバイス及びその製造方法 | |
JP5065625B2 (ja) | GaN単結晶基板の製造方法 | |
JP2000091234A (ja) | 窒化物系iii−v族化合物半導体の製造方法 | |
JP4844086B2 (ja) | 半導体製造方法及びサテライト | |
US7928447B2 (en) | GaN crystal substrate, fabricating method of GaN crystal substrate, and light-emitting device | |
JP5557180B2 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006100518A (ja) | 基板表面処理方法及びiii族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。 | |
JP2003526203A (ja) | III族−N、(III−V)族−Nおよび金属−窒素の所定成分による層構造をSi基板上に作成する方法および装置 | |
JP2005203418A (ja) | 窒化物系化合物半導体基板及びその製造方法 | |
JP2002299251A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 | |
JP4363415B2 (ja) | 結晶膜、結晶基板および半導体装置 | |
JP2519232B2 (ja) | 化合物半導体結晶層の製造方法 | |
JP2005057064A (ja) | Iii族窒化物半導体層およびその成長方法 | |
JP2009177027A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法および化合物半導体基板並びに発光素子 | |
JP5672261B2 (ja) | 窒化ガリウム結晶 | |
JP3156514B2 (ja) | 半導体エピタキシャルウェハの製造方法 | |
US20190189849A1 (en) | Air void structures for semiconductor fabrication | |
JP2013049593A (ja) | 結晶基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080904 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110719 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110913 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110926 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141021 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4844086 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |