JP2004069995A - 閃光制御装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＳＥロック機能を備えつつ、ＳＥロック以外の撮影や、撮影者の希望等によって予備発光と本発光の時間間隔が目立たない動作が可能な閃光制御装置を提供する。また、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得られる閃光制御装置を提供する。
【解決手段】測光素子９及び調光素子１５から選択したセンサにより予備発光の閃光測光を行う。この選択は、装着されたＳＢ本体５０に応じて選択したり、ユーザの設定により選択したりできるようにする。また、予備発光は、１回目に小発光の予備発光を行い、その結果に応じて、２回目の予備発光を行うか否かを決定し、さらに、２回目の予備発光の発光光量は、１回目の予備発光の測光結果により可変とする。
【選択図】 図１
【解決手段】測光素子９及び調光素子１５から選択したセンサにより予備発光の閃光測光を行う。この選択は、装着されたＳＢ本体５０に応じて選択したり、ユーザの設定により選択したりできるようにする。また、予備発光は、１回目に小発光の予備発光を行い、その結果に応じて、２回目の予備発光を行うか否かを決定し、さらに、２回目の予備発光の発光光量は、１回目の予備発光の測光結果により可変とする。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、閃光発光量を最適に制御する閃光制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまで一眼レフカメラに主に採用されてきた閃光発光器（以下、ＳＢと呼ぶ）の自動調光を行う閃光制御装置は、いわゆるリアルタイムＴＴＬ調光方式と呼ばれる物である。これは、図２２（ｂ）に示したように、閃光発光部１７から発光し、被写体から反射してきた光束を撮影レンズ１を通して撮影フィルムなどの撮像部１２に結像させ、その反射光を閃光測光部１５によってリアルタイムに測光し、発光量が適量に達した時にＳＢ発光をストップさせるものである。この方式は、撮影レンズを通った光を測光するので、撮影される領域と測光する領域のずれ（パララックス）が無いことや、撮影者が絞り値を自由に設定可能である点が特に優れている。
【０００３】
しかしながらこのリアルタイムＴＴＬ調光方式は、撮影フィルムなどの撮像部１２の反射率が使用するフィルムによって変化すると制御量に誤差を生じたり、電子カメラなどのように撮像部１２が電子デバイスでできているために反射率が非常に低かったりすると制御不能になるという欠点がある。
【０００４】
そこで、上記欠点を持たない装置が特開平９−３３９９２号公報に提案されている。これは、図２２（ａ）に示したように、まず撮影前に閃光発光部１７から予備発光させ、その反射光を撮影レンズ１、ミラー３、スクリーン４、ペンタプリズム５、測光レンズ８を通して測光素子９で測光する（以下、予備発光時における測光を予備測光と呼ぶ）。この測光値を基に最適な本発光量を演算し、その結果を基に本発光時は、閃光発光器５０内の発光モニター部１８ａ又は１８ｂによって光量をモニターしながら最適光量に制御する。この方法では、撮像部の反射を介さないで測光するため、撮像部の反射率が変化したり、電子カメラのような反射率の低いデバイスであっても問題なく制御可能である。
【０００５】
また、予備発光に基づいて本発光量を算出する装置として、特許第３１７１１６３号公報に記載されている装置がある。これは、図２３に示すように、プリ発光指示手段１１２によって発光した時の撮像出力を光量判定手段１１３で判定し、適正であった場合は、その時の撮像出力をそのまま記録指示手段１１６によって記録し、適正でなかった場合は、適正光量決定手段１１４によって本発光量を算出し、本発光指示手段１１５によって本発光を行う。
また、本出願人による特開平１１−１８３９７８号公報に示す装置は、規定光量の予備発光であるモニター発光を繰り返し、測光値が適正になるように制御を行う（後述の図８及び図９参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図２２（ａ）に示した装置では、制御の原理上撮影前に必ず予備発光させる必要があるが、その測光をペンタプリズム側の測光素子９で行っているために、予備発光をミラーダウンの状態で行う必要がある。しかしながら、ミラーアップには、一定の時間がかかるため、予備発光と本発光とを時間間隔をおいて発光しなければならない。そうすると、予備発光が本発光から分離して見えてしまう為に撮影者に違和感を与えたり、モデルが予備発光に反応して本発光時に目をつぶってしまうという問題点があった。
【０００７】
一方、図２２（ｂ）に示した装置では、予備発光を行う場合でも比較的時間のかかるミラーアップの後に行うことができるので、本発光とのタイムラグは、シャッター１１が開く間のほんの短い時間であり、図２２（ａ）の装置のような問題は起こらない。しかし、図２２（ｂ）の装置では、上述のような反射率の差による制御誤差の問題があった。
ところで、閃光制御の一方法として、予備発光だけを予め実行して本発光量を決定、記憶しておき、その後フレーミングを変えても記憶された本発光量で制御を行ういわゆるＳＥ（スピードライト・エクスポージャ）ロック方式があるが、図２２（ｂ）の装置でそれを行うと予備発光測光を行うためにミラーがアップしてしまうためにファインダーが見えなくなり、フレーミングの再調整が不可能になるという問題点があった。
【０００８】
また、被写体の正確な反射率を算出するためには、予備発光時の正確な測光値が必要であり、予備発光を１回しか行わない特許第３１７１１６３号の装置では、被写体の正確な反射率を算出できず、したがって最適な発光量で閃光発光することができないという問題があった。
さらに、特開平１１−１８３９７８号の装置では、予備発光時の正確な測光値を求めることは可能だが、発光回数が多くなるほど、発光時に消費したエネルギに対する実際に発光したエネルギの割合が小さくなり、エネルギ効率が悪くなるという問題があった。
【０００９】
本発明の課題は、ＳＥロック機能を備えつつ、ＳＥロック以外の撮影や、撮影者の希望等によって予備発光と本発光の時間間隔が目立たない動作が可能な閃光制御装置を提供することである。
また、本発明の他の課題は、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得られる閃光制御装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。すなわち、請求項１の発明は、予備発光及び本発光を行う閃光発光部（１７）を制御する閃光制御装置であって、前記閃光発光部による予備発光の被写体反射光を測光する第１閃光測光部（９）と、前記第１閃光測光部とは異なるセンサを用いて前記閃光発光部による予備発光の被写体反射光を測光する第２閃光測光部（１５）と、予備発光の測光を前記第１閃光測光部と前記第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択する予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする閃光制御装置である。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の閃光制御装置において、前記第１閃光測光部（９）のセンサは、定常光の輝度を測光する定常光測光部のセンサを兼用し、前記第２閃光測光部のセンサ（１５）は、本発光の発光中に本発光の被写体反射光を測光して調光を行う閃光調光部のセンサを兼用すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の閃光制御装置において、閃光制御装置を含む機器は、クイックリターンミラー（２）を備えたカメラであって、前記予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）によって前記第１閃光測光部（９）が選択された場合には、予備発光をミラーアップ前に行い、前記第２閃光測光部（１５）が選択された場合には、予備発光をミラーアップ後に行うこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、撮影前に予備発光を単独で行う第１の予備発光モード（ＳＥＬ）と、撮影時に予備発光と本発光とを連続的に行う第２の予備発光モードと、を備え、前記予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）は、前記第１の予備発光モードが実行された場合には、前記第１閃光測光部（９）を選択し、前記第２の予備発光モードが実行された場合には、前記第２閃光測光部（１５）を選択すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部（１７）は、閃光制御装置を含む機器（３０）から着脱可能であって、前記予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）は、装着された前記閃光発光部に応じて予備発光の測光を前記第１閃光測光部（９）と前記第２閃光測光部（１５）とのいずれで行うかを選択すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、予備発光の測光を前記第１閃光測光部（９）と前記第２閃光測光部（１５）とのいずれで行うかに関わらず、同一の制御方式（Ｓ１０４，Ｓ１０６，Ｓ１０８）により前記閃光発光部（１７）へ予備発光の指示を行う予備発光制御部（３１）を備えたこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項６に記載の閃光制御装置において、前記予備発光制御部（３１）が行う予備発光の制御方式は、前記閃光発光部（１７）に所定光量の第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）を行わせた後に、必要に応じて第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を行わせる方式であること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１７】
請求項８の発明は、予備発光及び本発光を行う閃光発光部（１７）を制御する閃光制御装置であって、前記予備発光の被写体反射光を測光する閃光測光部（９，１５）と、前記閃光発光部に所定光量の第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）を行わせた後に、必要に応じて光量可変の第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を行わせる予備発光制御部（３１）と、前記第１予備発光時の前記閃光測光部の出力に応じて前記第２予備発光の必要性を判定する予備発光判定部（Ｓ３０５，Ｓ４０７，Ｓ５０８）と、を備えたことを特徴とする閃光制御装置である。
【００１８】
請求項９の発明は、請求項８に記載の閃光制御装置において、前記予備発光制御部（３１）は、前記第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）時の前記閃光測光部（９，１５）の出力に応じて前記第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）の光量を算出すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１９】
請求項１０の発明は、請求項８又は請求項９に記載の閃光制御装置において、前記予備発光制御部（３１）は、前記第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）を行う時は予備発光を指示する情報のみを通信し、前記第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を行う時は予備発光を指示する情報と発光量情報とを通信する通信部（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を有すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００２０】
請求項１１の発明は、請求項８から請求項１０までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部（１７）は、閃光制御装置を含む機器（３０）から着脱可能であって、前記閃光発光部は、予備発光に同期した同期信号を発生し、前記閃光測光部（９，１５）は、前記同期信号に同期させて測光を行うこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面等を参照しながら、本発明の実施の形態について、更に詳しく説明する。
図１は、本発明の実施形態の光学系を示した図である。
本実施形態における閃光制御装置は、撮影レンズ本体４０を交換可能なカメラ本体３０に搭載されており、ＳＢ本体５０による閃光発光を制御する装置である。
【００２２】
撮影時以外でＳＢ（閃光発光器）が発光していない状況では、いわゆる周囲光は、撮影レンズ１を通過し、メインミラー（クイックリターンミラー）２によって上方に反射され拡散スクリーン３上にいったん結像する。その後、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、接眼レンズ６を通って撮影者の目に到達する。一方、拡散スクリーン３によって拡散された光束の一部は、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、測光用プリズム７、測光用レンズ８を通して定常光用の測光素子９上へ再結像される。測光素子９は、例えばＣＣＤ（チャージ・カップルド・デバイス）等の受光素子が用いられており、図３（ａ）又は（ｃ）に示すように被写界を２０×１２の２４０領域に分割して測光し、それぞれの測光値を出力可能な構造になっている。また、それぞれの領域は、図３（ｂ）に示すようにＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色の測光セルを持ち、それぞれの色に分解して測光可能になっている。
【００２３】
ＳＥロック又は測光素子９を用いた予備測光を行う場合には、上述の周囲光測光時と同様な経路で測光が行われる。絞り１０が開放状態であり、メインミラー２が下がった状態のままで閃光発光部１７による予備発光が行われる。ＳＢ反射光は、定常光測光と同様に測光素子９で測光されるが、その測光タイミングは、予備発光と同期させている。その後、撮影時になって初めて絞り１０が所定値まで絞られると同時にメインミラー２が跳ね上げられる。その後、シャッター１１が開き切ったところで予め算出された光量で本発光が行われ、例えばＣＣＤ等によって構成される撮像素子１２によって撮影が行われる。
【００２４】
調光素子１５を用いた予備測光を行う場合には、まず絞り１０が所定値まで絞られると同時にメインミラー２が跳ね上げられる。その後、予備発光として閃光発光部１７から発した光束は、被写体によって反射され、撮影レンズ１によってシャッター１１上に略結像される。シャッター１１で反射、拡散された一部の光束を調光用レンズ１４を通して調光素子１５へ再結像させ閃光測光（予備測光）を行う。
本発光時は、シャッター１１を開き、撮像素子１２によって撮影が行われる。調光素子１５は、ＳＰＤとＳＰＤからの光電流を蓄積するコンデンサ、増幅アンプ等によって構成され、図６に示すように領域Ｓ１〜Ｓ５に５分割されており、それぞれ図３（ｃ）のＢ１〜Ｂ５へ対応している。
【００２５】
また、メインミラー２は、一部の光を透過するハーフミラーになっており、透過した光束の一部は、サブミラー１３によって下へ折り曲げられ、例えばＣＣＤ等によって構成される焦点検出部１６へ導かれる。焦点検出部１６では、図５に示す被写界の焦点検出領域Ｆ１〜Ｆ５についての焦点状態を検出し、そのいずれかの領域の焦点が合焦状態になるまで撮影レンズ１を駆動する。どの焦点検出領域を合焦させるかは、撮影者による手動選択、至近選択等がある。
ＳＢ本体５０は、閃光発光部１７と、自身の発光量をモニターする発光モニター部１８を有している。
【００２６】
図２は、本実施形態におけるカメラ本体３０，レンズ本体４０，ＳＢ本体５０の構成を示すブロック図である。
カメラ本体３０内の制御は、全てマイクロプロセッサであるカメラマイコン３１によって制御され、カメラマイコン３１は、予備測光選択部、本発光量演算部、本発光制御部、予備発光制御部等の機能を含んでいる。同様に、レンズ本体４０内の制御は、レンズマイコン４１、ＳＢ本体５０内の制御は、ＳＢマイコン５１によって制御される。
【００２７】
（測光・露出関連）
定常光測光部３２は、図３（ａ）又は（ｃ）に示したように被写界を２０×１２の２４０領域に分割して測光する回路であり、その測光出力は、カメラマイコン３１へ出力される。カメラマイコン３１では、定常光測光部３２からの出力と、撮影レンズ４０に設けられたレンズマイコン４１内に格納された撮影レンズの開放Ｆ値、焦点距離、射出瞳位置、距離情報などのレンズ情報、感度設定部３６からの撮像素子１２の感度情報等に基づいて定常光露出に関する適正露出値を算出し、それを絞り値とシャッター値とに分解して絞り制御部３５やシャッター１１へ出力する。絞り制御部３５は、レリーズスイッチ３７からのレリーズ信号に応じて絞り１０の絞り込み／復帰の制御を行う。
【００２８】
（オートフォーカス関連）
焦点検出部１６は、図５に示したように被写界の５領域についての焦点状態を検出する。その情報は、カメラマイコン３１で処理されレンズ駆動量となってレンズ駆動部３４へ出力され、更にレンズ本体４０内のレンズ光学系１を合焦状態まで駆動する。
【００２９】
（ＳＥロック）
不図示のＳＥロックスイッチが押されたことを検出すると、カメラマイコン３１は、ＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７を予備発光させる。一方、その予備発光に同期させて定常光測光部３２によって反射光を測光し、その結果を基に本発光量指示値を算出し、カメラマイコン３１内のメモリに格納する。その後、レリーズスイッチ３７の全押しを検出すると、メモリ内の本発光量指示値をＳＢ本体５０へ通信した後に撮影動作を行う。ＳＢマイコン５１は、その本発光量指示値と自ら発光モニター部１８によって測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し発光量を適正光量に制御する。
【００３０】
（調光素子１５を用いた場合のＳＢ制御）
カメラマイコン３１は、測光値、絞り値、感度値、距離値、閃光発光部のバウンス状態などに基づいて閃光測光部３３の設定ゲインを算出しゲイン設定を行う。その後、カメラマイコン３１からＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７を予備発光させ、閃光測光部３３は、その被写体反射光量に応じた光電流を積分する。その積分値を基に本発光量指示値を算出し、再びＳＢマイコン５１へ本発光指示値を出力する。ＳＢマイコン５１は、その本発光量指示値と自ら発光モニター部１８によって測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し発光量を適正光量に制御する。
【００３１】
なお、調光素子１５を用いたＳＢ制御を行うか否かは、カスタム設定部３８によって選択可能である。また、調光素子１５を用いた場合でも、予備発光結果から上記の如く本発光量を算出して制御する方法と、本発光時も調光素子１５によってリアルタイムに測光し、適正光量に達したところで調光素子１５からストップ信号を出してＳＢ光を停止させる、いわゆるリアルタイム調光方式とを選択可能である。これもカスタム設定部３８によって選択する。
【００３２】
（測光素子９を用いた場合のＳＢ制御）
カメラマイコン３１は、ＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７を予備発光させ、定常光測光部３２によってその被写体反射光量に応じた光電流を積分する。その積分値を基に本発光量指示値を算出し、ＳＢマイコン５１へ本発光指示値を出力する。ＳＢマイコン５１は、その本発光量指示値と自ら発光モニター部１８によって測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し発光量を適正光量に制御する。
なお、測光素子９を用いたＳＢ制御を行うか否かは、カスタム設定部３８によって選択可能である。
【００３３】
図３は、測光素子９の測光領域を説明する図である。
図３（ａ），（ｃ）は、測光素子９の分割状態を被写界に照らし合わせて示した図である。測光素子９は、被写界のほぼ全面を２４０分割して測光し、それぞれの測光値を出力できるようになっている。
図３（ａ）は、２４０の測光領域をＢ（１，１）〜Ｂ（５，５）の２５領域にグループ化した場合の分割形状を示している。
図３（ｃ）は、同様に測光領域を閃光測光部３３の分割形状に合わせて平均化した領域Ｂ１〜Ｂ５の５領域にグループ化した場合の形状を示している。
図３（ｂ）は、それぞれの測光領域がＲＧＢの３色の測光領域に分割されている様子を示している。
【００３４】
図４は、測光素子９の動作を説明する図である。
図４（ａ）は、測光素子９の端子とその役割を示している。φＭＣＫは、測光素子９の動作の基本となるマスタークロック入力である。φｉｎｔは、蓄積の開始と終了を制御する為の入力である。ＶＣｓｃｉｎは、電源投入時の不要電荷を高速に行うための切り替え入力である。ＧＳＷは、感度をＨ／Ｌの２段階に切り替える為の入力である。ＲＳＷは、測光値の出力クロック周波数を２段階に切り替える為の入力（普通は、一方に固定）である。ＳＹＮＣは、測光値読み出し同期クロック出力である。Ｖｏｕｔは、測光値出力である。
【００３５】
図４（ｂ）は、測光素子９の光電変換部の配列を示した図である。横方向（Ｈ方向）には、Ｂ，Ｇ，Ｒを１周期として２０周期、計６０画素、縦方向（Ｖ方向）には、Ｂ、Ｇ、Ｒのいずれかが２０画素並んでいる。データ出力時には、まずＨ方向へ１画素シフトして１列分のデータをＶレジスタに転送し、続いてＶ方向に１列分、すなわち２０画素分を出力する。その後、またＨ方向へ１画素シフトした後にＶ方向に１列分出力を繰り返し、最後のＲ列が出力されるまでこれを繰り返す。
図４（ｃ）は、測光素子９のデータ出力の様子をわかりやすく示した図である。φｉｎｔがＬになると蓄積を開始し、Ｈに戻ったところで終了する。その後、自動的にＳＹＮＣパルスに同期して測光データが１列ずつ出力される。
【００３６】
図５は、焦点検出部１６を説明する図である。
図５（ａ）は、焦点検出部１６の検出領域を被写界に照らし合わせて示している。Ｆ１〜Ｆ５の５領域についての焦点状態をそれぞれ検出可能になっている。図５（ｂ）は、焦点検出部１６の光学系を詳しく示している。撮影レンズ１を通過した光束は、視野マスク１６ａ、フィールドレンズ１６ｂ、セパレータレンズ１６ｃを通過し、ＡＦ用センサ１６ｄに到達する。
【００３７】
図６は、閃光測光部３３の光学系と測光領域の分割形状を示した図である。
シャッター面に入射し結像した被写体像を、３連の調光用レンズ１４により調光素子１５上に再結像させ、Ｓ１〜Ｓ５の５領域に分割してそれぞれ光電変換された電荷を蓄積する構成になっている。ここで、Ｓ１〜Ｓ５の各領域と番号の関係は、図３（ｃ）における測光領域Ｂ１〜Ｂ５の各領域の番号と対応している。また、絞りマスク１５ａにより隣のレンズからの入射光がセンサ上に迷光として入らないようにカットする。
【００３８】
図７は、調光素子１５を説明する図である。
図７（ａ）は、調光素子１５の端子とその役割を示している。Ｃ１〜Ｃ５は、それぞれ領域Ｓ１〜Ｓ５の光電流を蓄積する外付けコンデンサである。ＳＣは、ストップ信号を出すためにＳ１〜Ｓ５の光電流を加算して蓄積する外付けコンデンサである。Ｖｒｅｆは、温度比例電圧出力端子である。ＴＯＰは、トップ信号出力端子である。ＣＳＲ，ＣＳＧ，ＣＬＫは、アンプ・ゲインと読み出しチャンネルの設定を切り替える為の端子であり、設定方法は、それぞれ図７（ｂ）及び（ｃ）の所で説明する。ＩＳは、蓄積開始／終了を行う端子である。ＤＡは、各領域のアンプ・ゲインを入力する端子である。ＡＤは、各領域の測光積分値の出力端子である。
【００３９】
図７（ｂ）は、調光素子１５の各領域のアンプ・ゲインの設定方法を示している。ＣＳＧ端子をＨレベルにしたまま、ＣＳＲ端子をＬレベルに下げ、その後にＣＬＫ端子にクロック信号を入力すると、Ｌレベルへの立ち下がりに同期してチャンネルが切り替わる。ＣＬＫ端子がＬレベルの間にＤＡ端子を設定ゲインに応じた電圧レベルにすることでそのチャンネルのゲインが設定される。Ｃｈ１〜Ｃｈ５は、それぞれＳ１〜Ｓ５に対応している。
【００４０】
図７（ｃ）は、調光素子１５の各領域の測光積分値の読み出し方法を示している。ＣＳＲ及びＣＳＧ端子をＬレベルに下げた後にＣＬＫ端子にクロック信号を入力すると、Ｌレベルへの立ち下がりに同期してチャンネルが切り替わり各領域の測光積分値が測光値に応じた電圧レベルとなってＡＤ端子に出力される。
【００４１】
図８は、旧フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
ここで、旧フォーマットの予備発光とは、僅かな光量の小発光（チョップ発光）を多数繰り返して、必要な予備発光光量が得られた時点で予備発光を終了する方式を呼ぶこととする。
レリーズ信号が入力されてミラーアップと絞り込みが完了すると、フェーズ（以下、Ｐとする）８−１において、通信端子１と通信端子２の動作によりカメラとＳＢのハンドシェイクが行われ予備発光シーケンスへの移行が行われる。
その後、Ｐ８−２において、調光素子１５のゲイン設定（ゲイン設定１）が行われる。ゲインの算出方法は、後で詳しく説明する。
【００４２】
次に、Ｐ８−３において、閃光発光部１７及び調光素子１５のウォーム・アップのために小発光のカラ打ちが２回行われた後、ＩＳ端子を立ち下げて積分（積分１）が開始されると同時にカメラ側からの通信端子２のクロックに同期して予備発光が行われる。測光積分値が適当なレベルに達したか、小発光の回数が最大数（１６回程度）になったところで予備発光が終了する。
【００４３】
Ｐ８−４では、積分値の読み出し（読み出し１）が行なわれた後にＩＳ端子を立ち上げ積分値のリセットを行う。予備発光時の積分値には、ＳＢ光の反射光の他に定常光成分も含まれているため、予備発光終了後に定常光のみの積分を行い後の演算処理において定常光成分を予備発光積分値から差し引く演算を行う。
【００４４】
Ｐ８−５では、定常光積分のためのゲイン設定（ゲイン設定２）を行う。
その後、Ｐ８−６では、予備発光の時と同様にＩＳ端子を立ち下げ定常光積分（積分２）を行う。定常光積分のゲイン設定と積分時間については、後述する。定常光積分が終了したら、Ｐ８−７において、積分値を読み出し（読み出し２）た後、ＩＳ端子を立ち上げて積分値をリセットする。
【００４５】
その後、Ｐ８−８では、後述するアルゴリズムによって調光エリアと補正量を算出する。
Ｐ８−９では、Ｐ８−８における算出結果により本発光制御を行うための本調光用ゲイン設定を行う。
その後、Ｐ８−１０では、撮影開始のシャッター全開に同期して本調光積分と本発光を行い、適正光量になったところでストップ信号が出力されて発光が停止しリアルタイム調光が行われる。その後、所定のシャッター秒時でシャッターが閉じ撮影が完了する。
【００４６】
図９は、旧フォーマットの予備発光によるＧＮ制御方式のＴＴＬ調光（以後、Ｄ−ＴＴＬ調光と呼ぶ）の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
ここで、Ｄ−ＴＴＬ調光とは、予備発光により得られた測光値から、本発光前に予め本発光光量を演算して決めておく方式を指すものとする。
図９中、Ｐ９−８までは、図８と同様であるので説明を省略する。Ｐ９−８において、調光エリアと補正量を算出した後、Ｐ９−９では、後述する方法にて本発光量を算出してその値をＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７へ通信する（本発光量データ通信）。その結果を基に、Ｐ９−１０では、撮影時にＳＢ側において本発光制御を行い適正光量の制御を行い撮影が完了する。
【００４７】
図１０は、新フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
ここで、新フォーマットの予備発光とは、上述の旧フォーマットの予備発光とは異なる新しいフォーマットの予備発光方式であり、ＳＢ発光及び予備測光の効率を上げるべく改良された方式である。上述の旧フォーマットの予備発光方式が、チョップ発光を多数繰り返していたのに対して、新フォーマットの予備発光では、１回又は２回の予備発光を行う。
【００４８】
カメラ本体３０にＳＢ本体５０が装着されると、カメラ本体３０は、ＳＢ本体５０と通信を行い、ＳＢ側が新フォーマットに対応しているか否かを判定し、ＳＢが新フォーマットに対応していることを検出した場合には、自動的に新フォーマットによる予備測光に切り替える。
レリーズ信号が入力されてミラーアップと絞り込みが完了すると、Ｐ１０−１では、通信端子１〜３によるカメラ本体３０とＳＢ本体５０との間の通信によりカメラ本体３０側から予備発光シーケンスの開始が宣言される。
【００４９】
その後、Ｐ１０−２において、調光素子１５のゲイン設定（ゲイン設定１）が行われる。ゲインの算出方法は、後で詳しく説明する。
次に、Ｐ１０−３において、同じくカメラ本体３０とＳＢ本体５０との間の通信によりカメラ本体３０側からモニター発光（小）を指示するコマンドを送信する。
その後、Ｐ１０−４において、カメラが通信端子１をＬに下げている間にＳＢ本体５０が通信端子２のＬとほぼ同期して所定光量のモニター発光（予備発光）を行う。カメラ本体３０は、通信端子２のＬを発光同期信号としてこれに同期させて調光素子１５のＩＳ端子を立ち下げて積分（積分１）を行う。予備発光が終了したタイミングを見計らって積分値の読み出し（読み出し１）を行なう。
【００５０】
Ｐ１０−５では、読み出した積分値から、この時の予備測光値のレベルが演算に必要な大きさに達しているかどうかを判定する（２回目要否判定）。そして、もし測光値が必要レベルに達していなかった場合には、Ｐ１０−６へ移行し、必要レベルに達している場合には、Ｐ１０−９へ移行する。
Ｐ１０−６では、２回目のゲイン設定（ゲイン設定２）を行う。
Ｐ１０−７では、モニター発光（大）とその発光量（ＧＮ）を指示するコマンドを送信する。
Ｐ１０−８では、１回目と同様にモニター発光（大）と積分（積分２）を行う。
【００５１】
予備発光時の積分値には、ＳＢ光の反射光の他に定常光成分も含まれている。そこで、Ｐ１０−９〜１０において、予備発光終了後に定常光のみの積分を行い後の演算処理において定常光成分を予備発光積分値から差し引く演算を行う。この場合、定常光ゲイン設定と積分時間は、直前の積分時に設定したゲインと積分時間と同じ値にセットする。
定常光積分が終了したら、Ｐ１０−１１において、通信によって予備発光シーケンスの終了を宣言する。
【００５２】
その後、Ｐ１０−１２では、後述するアルゴリズムによって調光エリアと補正量を算出する。
Ｐ１０−１３では、Ｐ１０−１２の結果を用いて本発光制御を行うための本調光用ゲイン設定を行ない、Ｐ１０−１４でレリーズ投入コマンドの通信を行う。その後、Ｐ１０−１５において、撮影開始のシャッター全開に同期して本調光積分と本発光を行い、適正光量になったところでストップ信号が出力されて発光が停止しリアルタイム調光が行われるのは、図８の場合と同様である。その後、所定のシャッター秒時でシャッターが閉じ撮影が完了する。
【００５３】
図１１は、新フォーマットの予備発光によるＤ−ＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
図１１中、Ｐ１１−１２の所までは、図１０と同様であるので説明を省略する。
Ｐ１１−１２では、調光エリアと補正量を算出した後、後述する方法にて本発光量を算出して、その値を通信によって本発光量伝達コマンドと発光倍数データとしてＳＢ側へ伝える。その結果を基に、図９の場合と同様にして撮影時には、ＳＢ側において本発光制御を行い、適正光量の制御を行い撮影が完了する。
【００５４】
図１２は、新フォーマットの予備発光を行い、かつ、測光素子９を用いた予備測光方式の基本動作をわかりやすく示したタイミングチャートである。
レリーズ信号が入力されると、ミラーアップと絞り込みを行う前に、まずＰ１２−１において、通信端子１〜３によるカメラ・ＳＢ間通信によりカメラ側から予備発光シーケンスの開始が宣言される。
次に、Ｐ１２−３では、同じくカメラ・ＳＢ間通信によりカメラ側からモニター発光（小）を指示するコマンドを送信する。
【００５５】
その後、Ｐ１２−４では、カメラが通信端子１をＬに下げている間にＳＢが通信端子２のＬとほぼ同期して所定光量のモニター発光（予備発光）を行う。カメラは、通信端子２のＬを発光同期信号としてこれに同期させて測光素子９のφｉｎｔ端子を立ち下げてデータの蓄積（積分１）を行う。予備発光が終了したタイミングを見計らって測光データの読み出し（読み出し１）を行なう。
【００５６】
Ｐ１２−５では、この時の予備測光値のレベルが演算に必要な大きさに達しているかどうかを判定する（２回目要否判定）。そして、測光値が必要レベルに達していなかった場合には、Ｐ１２−６に進み、測光値が必要レベルに達している場合には、Ｐ１２−８に進む。
【００５７】
Ｐ１２−６では、２回目のゲイン設定（ゲイン設定２）を行い、今度は、モニター発光（大）とその発光量（ＧＮ）を指示するコマンドを送信する。
Ｐ１２−７では、先のモニター発光（小）と同様にモニター発光（大）とデータの蓄積（積分２）を行う。
Ｐ１２−８では、通信によって予備発光シーケンスの終了を宣言する。
Ｐ１２−９では、後述するアルゴリズムによって調光エリアと補正量、及び、本発光量を算出する。
【００５８】
Ｐ１２ー１０は、レリーズ待ちの状態であり、例えば、ＳＥロックの場合には、比較的長い時間となる。
Ｐ１２−１１では、ミラーアップと絞り込みを行う。
Ｐ１２−１２では、Ｐ１２−９で算出した値を通信によって本発光量伝達コマンドと発光倍数データとしてＳＢ側へ伝える。
Ｐ１２−１３では、得られた値を基に、図９の場合と同様に撮影時には、ＳＢ側において本発光制御を行い適正光量の制御を行い撮影が完了する。
【００５９】
【表１】
【００６０】
表１は、図８〜１２に示した調光制御及び予備発光方式の関係をまとめて示した一覧表である。
図８〜１１により説明した調光制御は、いずれも閃光の測光を調光素子１５により行っており、予備発光の方式（旧フォーマット，新フォーマット）及び調光方式（リアルタイムＴＴＬ，Ｄ−ＴＴＬ）の組み合わせの違いである。一方、図１２に示した制御は、測光素子９を用いて閃光の測光を行っている。測光素子９を用いて閃光の測光を行う場合には、ミラーアップすると、測光不能となるので、リアルタイムＴＴＬ調光は行うことができない。
【００６１】
予備発光の方式については、測光素子を用いた場合でも、旧フォーマットの予備発光を行わせることは、原理的には可能である。しかし、旧フォーマットによる予備発光では、閃光の測光を行っている時間に対して発光している量が少ない。したがって、周囲光が明るいと、光っていない時間に周囲光が入ってきてしまう。一般に測光素子は、調光素子に比べて飽和しやすく、よって、周囲光が明るいと、測光素子９が直ぐに飽和してしまう。一方、新フォーマットの予備発光によれば、閃光が発光している時間だけ測光することができ、測光素子９による予備発光には、新フォーマットが適している。また、先にも述べたように、チョップ発光を繰り返す旧フォーマットの予備発光方式は、エネルギの効率があまり良くない。
そこで、本実施形態では、測光素子９を用いる場合には、新フォーマットの予備発光のみ行うこととしている。
【００６２】
図１３は、カメラマイコン３１のプログラムを示したフローチャートである。カメラのレリーズスイッチ３７が半押しされることによってカメラの電源が入り、本プログラムが実行される。以下に、ステップ（以下、Ｓとする）毎に説明する。
Ｓ１０１では、ＳＥロックの状態を識別するフラグＳＥＬを０にクリアする（非ＳＥロック状態とする）。
Ｓ１０２では、撮影前サブルーチン処理（図１４において説明）を行う。
【００６３】
Ｓ１０３では、不図示のＳＥロックスイッチが押されているか否かを判定する。ＳＥロックスイッチが押されている場合には、Ｓ１０４に進み、ＳＥロックスイッチが押されていない場合には、Ｓ１０５に進む。
Ｓ１０４では、ＳＥロックスイッチが押されていた場合のサブルーチン処理（予備発光１：図１５において説明）を行う。
Ｓ１０５では、レリーズスイッチ３７が全押しされたか否かを判定する。レリーズスイッチ３７が全押しされた場合には、Ｓ１０６に進み、レリーズスイッチ３７が全押しされていない場合には、Ｓ１２０に進む。
【００６４】
Ｓ１０６では、ミラーアップ前のサブルーチン処理（予備発光２：図１６において説明）を行う。
Ｓ１０７では、ミラーアップ、絞り込みを行う。
Ｓ１０８では、ミラーアップ後の予備発光サブルーチン（予備発光３：図１７において説明）処理を行う。
尚、上述の予備発光１〜３及び、後述の図１７における予備発光４は、これらの内いずれかひとつのみが実行されるようになっている（各サブルーチン内において判断される）。
【００６５】
Ｓ１０９では、リアルタイムＴＴＬ調光のアルゴリズム演算（エリア選択、補正量算出）を行う。なお、この演算の内容については、後述する。
Ｓ１１０では、カスタム設定部３８の設定の一つであるカスタム設定に応じて、ストップ信号によるリアルタイム調光制御が選択されているか否かを判定する。リアルタイム調光制御が選択されている場合には、Ｓ１１１に進み、リアルタイム調光制御が選択されていない場合には、Ｓ１１２に進む。
Ｓ１１１では、リアルタイム調光制御を行うために、調光素子１５のゲイン設定を行う。このリアルタイム調光制御は、図８又は図１０のタイムチャートに対応している。ゲインの算出方法については、後述する。
Ｓ１１２では、Ｄ−ＴＴＬ制御の場合の本発光量演算を行う。このＤ−ＴＴＬ制御は、図９、図１１又は図１２のタイムチャートに対応している。Ｄ−ＴＴＬ制御の内容については、後述する。
【００６６】
Ｓ１１３では、カメラからＳＢへ本発光量データ（Ｋｇｎ 、後述）の通信を行う。（図９，１１，１２を参照）
Ｓ１１４では、シャッターを開く（撮影露光開始）。
Ｓ１１５では、リアルタイム調光制御であるか否かの判断を行い、リアルタイム調光制御の場合、Ｓ１１６に進み、調光素子１５の積分を開始する。リアルタイム調光制御でない場合、Ｓ１１７に進む。
Ｓ１１７では、本発光制御を行う。なお、本発光制御は、場合により、リアルタイム調光かＤ−ＴＴＬ調光かのいずれかを行う。
Ｓ１１８では、所定時間でシャッターを閉じ（撮影露光終了）、ミラー、絞りを復帰させる。
Ｓ１１９では、ＳＥロックフラグ（ＳＥＬ）を０にクリアする。
Ｓ１２０では、半押しタイマーが起動後所定時間経過したかどうかを判別し、所定時間内であればステップＳ１０２へ戻って処理を繰り返し、タイマー切れであれば処理を終了する。
【００６７】
図１４は、撮影前処理の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１４に示す撮影前処理は、図１３に示すＳ１０２が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。以下、ステップ毎に説明する。
Ｓ２０１では、カメラの諸設定（感度、測光モード、露出モードなど）を読み出す。
Ｓ２０２では、レンズ通信により、撮影レンズの焦点距離、開放Ｆ値、射出瞳距離、距離データなどを読み出す。
【００６８】
Ｓ２０３では、ＳＢ通信により、ＳＢが新フォーマットへ対応しているか否か、モニター発光（小、大）の発光時間、チョップ発光１発当たりの光量、最大本発光量、ＳＢの状態（バウンス状態か否か）等を読み出す。
Ｓ２０４では、定常光測光を行い、Ｂ（１，１）〜Ｂ（５，５）、Ｂ１〜Ｂ５の測光値等を算出する。
Ｓ２０５では、測光値を基に公知の手法により適正露出値を算出し、露出モードに応じて絞り値、シャッター値を算出する。
【００６９】
Ｓ２０６では、焦点検出を行う。
Ｓ２０７では、焦点検出の状態に応じてデフォーカス量が０になるまでレンズを駆動しピントを合わせる。
Ｓ２０８では、合焦位置での撮影レンズのピント距離を被写体距離と見なし、その値をレンズマイコン４１から読み出す。
【００７０】
図１５は、予備発光１の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１５に示す予備発光１は、図１３に示すＳ１０４が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。図１３でもわかるように、本フローチャートは、ＳＥロック実行時に適用されるものであり、図１２のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
【００７１】
Ｓ３０１では、ＳＢが新フォーマットに対応しているか否かを判定する。新フォーマットに対応している場合には、Ｓ３０２へ進み、新フォーマットに対応していなければＳＥロックは実行することができないので処理を終了する。
Ｓ３０２では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（小）の発光時間にセットする（タイマーセット１）。
Ｓ３０３では、モニター発光（小）を指示するコマンドを送信する（モニター発光１）。ここで、１回目のモニター発光の光量は、予め規格により定めてある（例えばＩＳＯ１００のガイドナンバーで２など）のでＳＢ側に指定する必要はない。
【００７２】
Ｓ３０４では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始して、Ｓ３０２でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し１）。
Ｓ３０５では、測光データが演算に使用可能か否かを判定する。具体的には、２４０領域のＢ，Ｇ，Ｒの各データの最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベル（Ｖｎ）以上にあるかどうかを判定し、所定レベル以上あれば使用可能として、２回目のモニター発光は行わずにＳ３１０へ進み、使用不可能である場合には、Ｓ３０６へ進む。
なお、通常なら最大値（Ｖｏｍａｘ）が逆に飽和レベルを超えていないかどうかの判定も必要であるが、この場合は、測光素子９の感度から実使用範囲において測光値が飽和しないようなモニター発光の光量を定めてあるのでここでは必要ない。０〜４Ｖの出力範囲を持った測光素子の場合、例えばＶｎ＝０．５Ｖ程度である。
【００７３】
Ｓ３０６では、最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベルに達していなかった場合、以下に示す（式１）によって次回の発光量を算出する。
【００７４】
ＧＮ２＝ＧＮ１＋２＊ｌｏｇ２（Ｖａｇｃ／Ｖｏｍａｘ）｝ ・・・（式１）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ＧＮ２ ：次回発光量（単位：ガイドナンバー）
ＧＮ１ ：前回発光量（単位：ガイドナンバー）
Ｖａｇｃ：予備測光値目標レベル（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
Ｖｏｍａｘ ：前回予備測光値の最大値（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
このように、本実施形態では、１回目の予備発光結果に応じて、２回目の予備発光光量を可変量とし、２回目の予備発光で必要かつ十分な予備発光を行うようにしている。
【００７５】
Ｓ３０７では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（大）の発光時間にセットする（タイマーセット２）。
Ｓ３０８では、モニター発光（大）を指示するコマンドと光量を指定するデータを送信する（モニター発光２）。ここで、光量の指定方法は、ガイドナンバーを直接指定、前回の光量との相対値で指定、発光可能な数値を数パターンＳＢ側から通信により開示しカメラ側で最も適当な光量を選択して指定、などが考えられる。いずれの方法でも通信規格によって予め規定しておけば良い。
【００７６】
Ｓ３０９では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始し、Ｓ３０７でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し１）。
Ｓ３１０では、予備測光結果より、以下に示す（式２）を用いてＧＶ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）を算出する。ここで、ＧＶ［ｉ，ｊ］は、標準反射率被写体に対して基準露光量を与えるガイドナンバーを単位ＥＶに変換したものである。ＧＶ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）のそれぞれの位置は、図３（ａ）のＢ（１，１）〜Ｂ（５，５）に対応している。
【００７７】
ＧＶ［ｉ，ｊ］ ＝ Ｌｏｇ２（ＧＮｐｒｅ＾２）＋ｌｏｇ２（ＡＤ０［ｉ，ｊ］／ＡＤ［ｉ，ｊ］）＋（ＡＶ−ＡＶ０） ・・・（式２）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ＧＮｐｒｅ：予備発光時のガイドナンバー（１回目もしくは２回目）
ＡＤ０［ｉ，ｊ］：適正光量時の各エリアＢ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）の測光値（エリア内の平均値）
ＡＤ［ｉ，ｊ］：予備発光時の各エリアＢ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）の測光値（エリア内の平均値）
ＡＶ：制御絞り値（ＡＰＥＸ値）
ＡＶ０：開放Ｆ値（ＡＰＥＸ値）
【００７８】
ここで、上記（式２）は、（ｉ，ｊ）の全てのエリアのＧＶ［ｉ，ｊ］を算出するための式であるが、本サブルーチンは、ＳＥロックの時の物であり、ＳＥロック時は、被写界の一部分（例えば画面中央の（３，３）のエリアなど）のみを考慮して適正光量を算出する仕様の場合もある。その場合には、ここでは、全てのＧＶ［ｉ，ｊ］を算出する必要はないので、必要とされるエリア（画面中央やＡＦエリアに対応したエリアなど）のみの算出にとどめておけば演算時間やメモリの節約になる。Ｓ３１１では、ＳＥロック実行中であることを示すフラグＳＥＬに１を代入する。
【００７９】
図１６は、予備発光２の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１３に示したＳ１０６が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。図１３でもわかるように、本フローチャートは、ミラーアップ前の予備発光時に適用されるものであり、図１２のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
【００８０】
Ｓ４０１では、ＳＥＬ＝１か否か、すなわちＳＥロック中か否かを判定し、ＳＥロック中であれば既にＧＶ［ｉ，ｊ］が算出済みであるので処理を終了する。
Ｓ４０２では、ＳＢが新フォーマットへ対応しているか否かを判定する。新フォーマットへ対応していなければミラーアップ前の予備測光はできないので処理を終了する。
Ｓ４０３では、カスタム設定部３８の設定の一つであるカスタム設定に応じて、測光素子９による予備測光が選択されているか否かを判定する。測光素子９が選択されていない場合、つまり調光素子１５による予備測光が選択されている場合には、ミラーアップ前の予備測光はできないので処理を終了する。
【００８１】
Ｓ４０４では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（小）の発光時間にセットする（タイマーセット１）。
Ｓ４０５では、モニター発光（小）を指示するコマンドを送信する（モニター発光１）。ここで、１回目のモニター発光の光量は、予め規格により定めてある（例えばＩＳＯ１００のガイドナンバーで２など）のでＳＢ側に指定する必要はない。
Ｓ４０６では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始、Ｓ３０２でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し１）。
【００８２】
Ｓ４０７では、測光データが演算に使用可能か否かを判定する。具体的には、２４０領域のＢ，Ｇ，Ｒの各データの最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベル（Ｖｎ）以上にあるかどうかを判定し、所定レベル以上あれば使用可能として、２回目のモニター発光は、行わずにＳ４１２へ進み、使用不可能である場合には、Ｓ４０８へ進む。
なお、通常なら最大値（Ｖｏｍａｘ）が逆に飽和レベルを超えていないかどうかの判定も必要であるが、この場合は、Ｓ３０５同様、測光素子９の感度から実使用範囲において測光値が飽和しないようなモニター発光の光量を定めてあるのでここでは必要ない。０〜４Ｖの出力範囲を持った測光素子の場合、例えばＶｎ＝０．５Ｖ程度である。
【００８３】
Ｓ４０８では、最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベルに達していなかった場合、前述の（式１）によって次回の発光量を算出する。
Ｓ４０９では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（大）の発光時間にセットする（タイマーセット２）。
Ｓ４１０では、モニター発光（大）を指示するコマンドと光量を指定するデータを送信する（モニター発光２）。具体的な方法は、Ｓ３０８と同様である。
Ｓ４１１では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始、Ｓ４０９でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し２）。
Ｓ４１２では、予備測光結果より、前述の（式２）を用いてＧＶ［ｉ，ｊ］ （ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）を算出する。
【００８４】
図１７は、予備発光３の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１３に示したＳ１０８が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。図１３でもわかるように、本フローチャートは、ミラーアップ後の予備発光時に適用されるものであり、図８、図９、図１０、又は図１１のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
Ｓ５０１では、ＳＥＬ＝１であるか否か、すなわちＳＥロック中か否かを判定し、ＳＥロック中であれば既にＧＶ［ｉ，ｊ］が算出済みであるので処理を終了する。Ｓ５０２では、ＳＢが新フォーマットへ対応しているか否かを判定する。新フォーマットへ対応していなければ、Ｓ５０３へ進み、旧フォーマットによる予備測光である予備測光４サブルーチン（図１８）を実行する。
【００８５】
Ｓ５０４では、カスタム設定部３８の設定の一つであるカスタム設定に応じて、調光素子１５による予備測光が選択されているか否かを判定する。調光素子１５が選択されていない場合、つまり測光素子９による予備測光が選択されている場合には、既にミラーアップ前に予備測光処理が終了されているはずなので処理を終了する。
【００８６】
Ｓ５０５では、調光素子１５のＩＣゲイン設定を行う（ＩＣゲイン設定１）。ゲインは、図６の領域Ｓ１〜Ｓ５について、それぞれ別々に設定される。まず、以下の（式３）に基づいてゲイン設定パラメータＧａＶ［ｉ］ （ｉ＝１〜５）を算出する。
【００８７】
ＧａＶ［ｉ］＝ＳｖＶ＋ＧｎＶ＋ＸｍＶ＋ＡｖＶ＋ＢｖＶ［ｉ］＋ＢｏＶ＋ＲｅＶ−Ｓａ［ｉ］ （ｉ＝１〜５） ・・・（式３）
ここで、ＧａＶ［ｉ］の単位は、ＥＶであり、ｉの数値は、それぞれ領域Ｓの番号に対応している。
また、ＧａＶ［ｉ］の値が大きくなるほど高いゲインが設定される。
以下、（式３）の右辺のそれぞれの項について説明する。
【００８８】
ＳｖＶは、撮像素子の設定感度による変化量である。図１９（ａ）に示すように、感度（ＳＶ）が上がるに連れてＳｖＶも大きくなりゲインが上がる。これは、感度が高くなると適正露光を与え得る距離が遠方側に伸びるため、予備発光測光も遠方まで対応させるためである。しかし、感度が高くても近距離での撮影が行われる場合もあるので、あまり感度を上げすぎないよう感度１ＥＶの変化に対してＳｖＶの値は、１以下になるよう調整されている。
【００８９】
ＧｎＶは、予備発光１発当たりの光量（ＧＮｐ１）による変化量である。装着されるＳＢやＳＢ配光角によってＧＮｐ１は、変化するので、その変化分を吸収させＳＢがどの状態にあっても一定した測光値が得られるようにする為である。そのため、図１９（ｂ）に示すようにＧＮｐ１が１ＥＶ大きくなるとＧｎＶは、１ＥＶ小さくなるようになっている。
【００９０】
ＸｍＶは、距離による変化量である。どの距離にあっても一定した測光値が得られるようにする為である。そのため、図１９（ｃ）に示すように距離が１ＥＶ遠くなる（√２倍の距離）とＸｍＶも１ＥＶ大きくなるようになっている。
【００９１】
ＡｖＶは、絞り値による変化量である。どの絞り値であっても一定した測光値が得られるようにする為である。そのため、図１９（ｄ）に示すように絞り値が１ＥＶ大きくなる（暗くなる）とＡｖＶも１ＥＶ大きくなるようになっている。
【００９２】
ＢｖＶ［ｉ］は、輝度値による変化量である。周囲光の輝度が高くなると、予備発光中にも閃光測光部２２に周囲光が入ってしまい、ＳＢ反射光の積分値が十分蓄積される前にストップ信号が発生し積分が終わってしまうことがある。そのため、周囲光の輝度が高い場合には、その輝度に応じてその領域のゲインを下げておく。図２０に示すように、輝度がＢＶｏｆｓｅｔを越えたらその後輝度が１ＥＶ増す毎にゲインを１ＥＶ下げていき、下げ幅がＢｖＶｍａｘに達したらＢｖＶをそこでクリップする。
【００９３】
ＢｏＶは、ＳＢがバウンス状態にあるかないかで変わる値である。バウンスでない（通常の状態）では、０であり、バウンス時は、＋２ＥＶとする。これは、バウンス時は、天井などを介して被写体が照明されるため反射光量が少なくなるためである。
【００９４】
ＲｅＶは、予備発光がやり直しされたか否かで変わる値である。１回目の予備発光では、０であるが、１回目の予備発光で測光値が飽和してしまった場合には、この値を−３ＥＶとしてゲインを下げて２回目の予備発光を行う。
【００９５】
Ｓａ［ｉ］は、撮影レンズの種類と設定絞り値に応じて算出される補正値である。各エリア毎に補正値を求める（実験などによってあらかじめ算出式を定めておく）。
【００９６】
次に、以下に示す（式４）によって実際に調光素子１５に設定するゲインＤＡｐｒｅ［ｉ］を算出する。
【００９７】
ＤＡｐｒｅ［ｉ］＝（ｐｒｅ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］−ＧａＶ［ｉ］＊ｐｒｅ＿ｇａｍｍａ）＊Ｔ／Ｔｒｅｆ （ｉ＝１〜５） ・・・（式４）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ｐｒｅ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］：予備発光調光レベルの基準値
ｐｒｅ＿ｇａｍｍｍａ：ガンマ調整値
Ｔ：現在の温度
Ｔｒｅｆ：調整時の温度
なお、ＧａＶ［ｉ］とマイナスになっているのは、図７に示した調光素子１５のＤＡ端子電圧を低くするとゲインが高くなる仕様のためである。
【００９８】
Ｓ５０６では、モニター発光（小）を指示するコマンドを送信する（モニター発光１）。ここで、１回目のモニター発光の光量は、予め規格により定めてある（例えばＩＳＯ１００のガイドナンバーで２など）のでＳＢ側に指定する必要はない。
Ｓ５０７では、ＳＢのモニター発光に同期して調光素子１５の積分を開始し、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（小）の発光時間にてタイマーを作動させ積分を終了し、測光データＡＤ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を読み出す（蓄積・読み出し１）。
【００９９】
Ｓ５０８では、測光データＡＤ［ｉ］（ｉ＝１〜５）が演算に使用可能か否かを判定する。具体的には、５領域のＡＤ［ｉ］データの最大値（ＡＤｍａｘ）が使用可能レベル（ＡＤ１）以上であり、かつ最大値（ＡＤｍａｘ）が飽和レベル（ＡＤ２）を越えていないかを判定する。０〜４Ｖの出力を持った調光素子の場合、例えばＡＤ１＝０．５Ｖ、ＡＤ２＝３．７Ｖ程度である。データが使用可能な場合には、２回目のモニター発光は、行わずにＳ５１３へ進み、データが使用不可能な場合は、Ｓ５０９へ進む。
【０１００】
Ｓ５０９では、Ｓ５０８の判定で、ＡＤｍａｘ＜ＡＤ１であった場合、以下の（式５）によって次回の発光量を算出し、かつ調光素子１５のゲイン設定は、Ｓ５０５と同様とする。
【０１０１】
ＧＮ２＝ＧＮ１＋｛２＊ｌｏｇ２（ＡＤａｇｃ／ＡＤｍａｘ）｝ ・・・（式５）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ＧＮ２：次回発光量（単位：ガイドナンバー）
ＧＮ１：前回発光量（単位：ガイドナンバー）
ＡＤａｇｃ：予備測光値目標レベル（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
ＡＤｍａｘ：前回測光値の最大値（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
また、ＡＤｍａｘ＞ＡＤ２であった場合には、上述のＳ５０５の（式３）の説明にあるようにＲｅＶに−３ＥＶを代入してゲインを再計算し、かつ次回発光量は、Ｓ５０６と同様とする。
【０１０２】
Ｓ５１０では、Ｓ５０９で求めた調光素子１５のＩＣゲイン設定を行う（ＩＣゲイン設定２）。
Ｓ５１１では、Ｓ５０９で求めた発光量にてモニター発光を指示するコマンドと光量を指定するデータを送信する。具体的な方法は、Ｓ３０８と同様である。Ｓ５１２では、ＳＢのモニター発光に同期して調光素子１５の積分を開始し、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光の発光時間にてタイマーを作動させ積分を終了し、測光データＡＤ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を読み出す（蓄積・読み出し２）。
Ｓ５１３では、予備測光結果より、前述の（式２）を用いてＧＶ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を算出する。
【０１０３】
図１８は、予備発光４の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１７のＳ５０３が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。本フローチャートは、旧フォーマットに適用されるものであり、図８、又は図９のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
【０１０４】
Ｓ６０１では、Ｓ５０５と同様の手法によって調光素子１５に設定するゲインＤＡｐｒｅ［ｉ］を算出する（ゲイン設定１）。
Ｓ６０２では、カラ打ちを２回行う。
Ｓ６０３では、ｔｒｐｅ計時開始。ＩＳ＝Ｌとして積分を開始する。
Ｓ６０４では、予備発光の小回数を示す変数Ｑｐｒｅに０をセットする。
Ｓ６０５では、Ｑｐｒｅに１を加算する。
Ｓ６０６では、発光量ＧＮｐ１で小発光（チョップ発光）を行う。
【０１０５】
Ｓ６０７では、ストップ信号が出たか否かを判定し、ストップ信号が出た場合には、Ｓ６９０へ進み、ストップ信号が出ていない場合は、Ｓ６０８へ進む。
Ｓ６０８では、小発光数が最大値として設定されたＱｐｒｅ＿ｍａｘ回に達したか否かを判定し、達している場合には、Ｓ６０９へ進み、達していない場合には、Ｓ６０５へ戻る。
【０１０６】
Ｓ６０９では、ｔｐｒｅ計時を終了する。
Ｓ６１０では、積分値ＩＧｐｒｅ［ｉ］を読み出す。
Ｓ６１１では、積分時間タイマーをｔｐｒｅにセット。
Ｓ６１２では、Ｓ６０３と同一ゲインにてｔｐｒｅ間だけ積分し、その積分値ＩＧｔｅｉ［ｉ］を読み出す。
Ｓ６１３では、予備測光結果より、前述の（式２）を用いてＧＶ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を算出する。
【０１０７】
ここで、本発光量の演算について説明する。
まず、予備発光により得られた各領域のＧＶ［ｉ］又はＧＶ［ｉ，ｊ］を用いて、各領域の被写体反射率ＲｅＳＥＶ［ｉ］、又はＲｅＳＥＶ［ｉ，ｊ］を、以下に示す（式６）を用いて算出する。（ただし、以降は、［ｉ，ｊ］を省略し［ｉ］で代表させる。）
ＲｅＳＥＶ［ｉ］＝２＊Ｘ＋ＡＶ−ＧＶ［ｉ］ （ｉ＝１〜５） ・・・（式６）
Ｘ：撮影距離（単位：ｍ）
ＡＶ：撮影絞り値（単位：ＡＶ）
ここで、ＲｅＳＥＶ［ｉ］は、反射率が標準値であった場合は０、反射率が標準よりも＋１段高かった場合は＋１、同様−１段では−１となる変数である。
【０１０８】
次に、ＲｅＳＥＶ［ｉ］を用いて、反射率に応じた各領域に対する重み付け数ＲｅｆＧ［ｉ］を（式７）を用いて算出する。
ＲｅｆＧ［ｉ］＝１／（２＾（Ａｂｓ（ＲｅｆＧ［ｉ］））） （ｉ＝１〜５） ・・・（式７）
ただし、Ａｂｓ（）は、（）内の絶対値を求める関数である。ＲｅｆＧ［ｉ］は、図２１（ａ）に示すように被写体の反射率が標準値の場合には１、また標準値からから離れるに従って小さくなっていく変数である。
【０１０９】
次に、（式８）によりＲｅｆＧ［ｉ］を規格化し、各領域対する重みｗｔ［ｉ］を算出する。
ｗｔ［ｉ］＝ＲｅｆＧ［ｉ］／Σ（ＲｅｆＧ［ｉ］） （ｉ＝１〜５） ・・・（式８）
ただし、Σ（）は、（）内の変数ＲｅｆＧ［ｉ］（ｉ＝１〜５）の総和を求める関数である。
【０１１０】
次に、（式６）で求めたＲｅＳＥＶ［ｉ］を再び用いて、（式９）により被写界全体での反射率補正値ＲｅｆＭａｉｎを算出する。
ＲｅｆＭａｉｎ＝ｌｏｇ２（Σ（ｗｔ［ｉ］＊２＾ＲｅＳＥＶ［ｉ］）） （ｉ＝１〜５） ・・・（式９）
ただし、Σ（）は、（式８）と同様の関数、ｌｏｇ２は、２の対数を表す関数である。
ＲｅｆＭａｉｎを用いて、本発光量補正値ｄｅｌｔａＹを（式１０）により算出する。
ｄｅｌｔａＹ＝ｋｒｍ＊ＲｅｆＭａｉｎ ・・・（式１０）
【０１１１】
反射率とｄｅｌｔａＹの関係を図２１（ｂ）に示す。ここで、ｋｒｍは、反射率の補正度合いを調節する定数でありｋｒｍ＝０．５程度の数値を用いるが、必要に応じて変更可能にしても良い。
【０１１２】
Ｄ−ＴＴＬ制御の場合は、ｗｔ［ｉ］，ｄｅｌｔａＹなどを用いて（式１１）（式１２）によって本発光量倍数Ｋｇｎを算出する。ここで、本発光量倍数Ｋｇｎは、Ｓ１１２の演算結果に対応するものである。
Ｋ＝Σ（２＾（ＧＶ［ｉ］）＊ｗｔ［ｉ］）／（ＧＮｐｒｅ＾２） ・・・（式１１）
ただし、
ＧＶ［ｉ］：演算に用いるエリアのＧＶ値
ｗ［ｉ］：演算に用いるエリアの重み係数
ＧＮｐｒｅ：予備発光時ガイドナンバー
例えばＳＥロックの場合には、ＧＶ［ｉ］は、ＧＶ［３，３］のみを用い、ｗ［３，３］＝１とする。
本発光量倍数値Ｋｇｎは、以下のようにして求まる。
Ｋｇｎ＝１２＊（ｌｏｇ２（Ｋ））＋ｄｅｌｔａＹ）＋１２８ ・・・（式１２）
【０１１３】
リアルタイム調光制御の場合には、ｗｔ［ｉ］，ｄｅｌｔａＹなどを用いて以下のＳａＶ［ｉ］、ＤＡｈｏｎ［ｉ］を算出する。ここで、本発光時の各エリアのＩＣゲインＤＡｈｏｎ［ｉ］は、Ｓ１１１の演算結果に対応するものである。
まず、（式１３）により各エリアのＳａＶ［ｉ］を算出する。
ＳａＶ［ｉ］ ＝ ＳＶ ＋ｌｏｇ２（Ｗｔ［ｉ］） − ｄｅｌｔａＹ ・・・（式１３）
ここで、
ＳＶ：フィルムの感度値（ＡＰＥＸ値）
Ｗｔ［ｉ］：各領域への重み係数
ｄｅｌｔａＹ：調光補正値
【０１１４】
次に、（式１４）により各エリアのＩＣゲインＤＡｈｏｎ［ｉ］を算出する。
ＤＡｈｏｎ［ｉ］ ＝（ｈｏｎ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］−ＳａＶ［ｉ］＊ｈｏｎ＿ｇａｍｍａ）＊Ｔ／Ｔｒｅｆ（ｉ＝１〜５） ・・・（式１４）
ここで、
ｈｏｎ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］：調光レベルの基準値
ｈｏｎ＿ｇａｍｍｍａ：ガンマ調整値
Ｔ：現在の温度
Ｔｒｅｆ：調整時の温度
なお、−ＳａＶ［ｉ］とマイナスになっているのは、図７に示した調光素子１５のＤＡ端子電圧を低くするとゲインが高くなる仕様のためである。
【０１１５】
本実施形態によれば、閃光の測光を行うセンサを、必要に応じて測光素子９及び調光素子１５から選択可能としたので、ＳＥロック機能を備えつつ、ＳＥロック以外の撮影や、撮影者の希望等によって予備発光と本発光の時間間隔が目立たない動作を行うことができる。
また、新フォーマットの予備発光時には、１回目の予備発光の結果に応じて、２回目の予備発光の光量を可変としたので、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得ることができる。
【０１１６】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
本実施形態において、ＣＣＤ等の撮像素子を用いた電子スチルカメラを例にして説明したが、これに限らず、例えば、銀塩フィルムを露光するカメラにも同様に適用することができる。
【０１１７】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）予備発光の測光を第１閃光測光部と第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択する予備測光選択部を備えたので、必要に応じて最適な予備発光を行うことができる。
【０１１８】
（２）、第１閃光測光部のセンサは、定常光の輝度を測光する定常光測光部のセンサを兼用し、第２閃光測光部のセンサは、本発光の発光中に本発光の被写体反射光を測光して調光を行う閃光調光部のセンサを兼用するので、既存のセンサを有効に利用することができる。
【０１１９】
（３）予備測光選択部によって第１閃光測光部が選択された場合には、予備発光をミラーアップ前に行い、第２閃光測光部が選択された場合には、予備発光をミラーアップ後に行うので、閃光測光部の配置位置に合った制御を行うことができる。
【０１２０】
（４）撮影前に予備発光を単独で行う第１の予備発光モードが実行された場合には、第１閃光測光部を選択し、撮影時に予備発光と本発光とを連続的に行う第２の予備発光モードが実行された場合には、第２閃光測光部を選択するので、ＳＥロックとリアルタイム調光とを両立させることができる。
【０１２１】
（５）予備測光選択部は、装着された閃光発光部に応じて予備発光の測光を第１閃光測光部と第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択するので、どのような閃光発光部が装着された場合であっても、正しく予備発光を行うことができる。
【０１２２】
（６）予備発光の測光を第１閃光測光部と第２閃光測光部とのいずれで行うかに関わらず、同一の制御方式により閃光発光部へ予備発光の指示を行う予備発光制御部を備えるので、システムを簡素化することができる。
【０１２３】
（７）予備発光制御部が行う予備発光の制御方式は、所定光量の第１予備発光を行わせた後に、必要に応じて第２予備発光を行わせる方式であるので、いずれの閃光測光部であっても、確実に予備測光を行うことができる。
【０１２４】
（８）閃光発光部に所定光量の第１予備発光を行わせた後に、必要に応じて光量可変の第２予備発光を行わせる予備発光制御部と、第１予備発光時の閃光測光部の出力に応じて第２予備発光の必要性を判定する予備発光判定部とを備えるので、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得ることができる。
【０１２５】
（９）予備発光制御部は、第１予備発光時の閃光測光部の出力に応じて第２予備発光の光量を算出するので、第２予備発光の光量を最適な光量で発光することができる。
【０１２６】
（１０）予備発光制御部は、第１予備発光を行う時は、予備発光を指示する情報のみを通信し、第２予備発光を行う時は、予備発光を指示する情報と発光量情報とを通信するので、余計な通信をすることなく、動作を高速にすることができる。
【０１２７】
（１１）閃光発光部は、予備発光に同期した同期信号を発生し、閃光測光部は、同期信号に同期させて測光を行うので、必要な閃光のみを測光することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の光学系を示した図である。
【図２】本実施形態におけるカメラ本体３０，レンズ本体４０，ＳＢ本体５０の構成を示すブロック図である。
【図３】測光素子９の測光領域を説明する図である。
【図４】測光素子９の動作を説明する図である。
【図５】焦点検出部１６を説明する図である。
【図６】閃光測光部３３の光学系と測光領域の分割形状を示した図である。
【図７】調光素子１５を説明する図である。
【図８】旧フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図９】旧フォーマットの予備発光によるＧＮ制御方式のＴＴＬ調光（以後、Ｄ−ＴＴＬ調光と呼ぶ）の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図１０】新フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図１１】新フォーマットの予備発光によるＤ−ＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図１２】新フォーマットの予備発光を行い、かつ、測光素子９を用いた予備測光方式の基本動作をわかりやすく示したタイミングチャートである。
【図１３】カメラマイコン３１のプログラムを示したフローチャートである。
【図１４】撮影前処理の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１５】予備発光１の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１６】予備発光２の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１７】予備発光３の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１８】予備発光４の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１９】本実施形態による閃光制御装置の各種パラメータを説明する図である。
【図２０】ＢｖＶ［ｉ］とＢＶ［ｉ］との関係を示す図である。
【図２１】ＲｅｆＧ［ｉ］及びｄｅｌｔａＹを説明する図である。
【図２２】従来技術を説明する図である。
【図２３】従来技術を説明する図である。
【符号の説明】
１ 撮影レンズ
２ メインミラー
３ 拡散スクリーン
４ コンデンサレンズ
５ ペンタプリズム
６ 接眼レンズ
７ 測光用プリズム
８ 測光用レンズ
９ 測光素子
１０ 絞り
１１ シャッター
１２ 撮像素子
１３ サブミラー
１４ 調光用レンズ
１５ 調光素子
１６ 焦点検出部
１７ 閃光発光部
１８ 発光モニター部
３０ カメラ本体
３１ カメラマイコン
３２ 定常光測光部
３３ 閃光測光部
３４ レンズ駆動部
３５ 絞り制御部
３６ 感度設定部
３７ レリーズスイッチ
３８ カスタム設定部
４０ 撮影レンズ本体
４１ レンズマイコン
４２ 距離エンコーダ
５０ ＳＢ本体
５１ ＳＢマイコン
【発明の属する技術分野】
本発明は、閃光発光量を最適に制御する閃光制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
これまで一眼レフカメラに主に採用されてきた閃光発光器（以下、ＳＢと呼ぶ）の自動調光を行う閃光制御装置は、いわゆるリアルタイムＴＴＬ調光方式と呼ばれる物である。これは、図２２（ｂ）に示したように、閃光発光部１７から発光し、被写体から反射してきた光束を撮影レンズ１を通して撮影フィルムなどの撮像部１２に結像させ、その反射光を閃光測光部１５によってリアルタイムに測光し、発光量が適量に達した時にＳＢ発光をストップさせるものである。この方式は、撮影レンズを通った光を測光するので、撮影される領域と測光する領域のずれ（パララックス）が無いことや、撮影者が絞り値を自由に設定可能である点が特に優れている。
【０００３】
しかしながらこのリアルタイムＴＴＬ調光方式は、撮影フィルムなどの撮像部１２の反射率が使用するフィルムによって変化すると制御量に誤差を生じたり、電子カメラなどのように撮像部１２が電子デバイスでできているために反射率が非常に低かったりすると制御不能になるという欠点がある。
【０００４】
そこで、上記欠点を持たない装置が特開平９−３３９９２号公報に提案されている。これは、図２２（ａ）に示したように、まず撮影前に閃光発光部１７から予備発光させ、その反射光を撮影レンズ１、ミラー３、スクリーン４、ペンタプリズム５、測光レンズ８を通して測光素子９で測光する（以下、予備発光時における測光を予備測光と呼ぶ）。この測光値を基に最適な本発光量を演算し、その結果を基に本発光時は、閃光発光器５０内の発光モニター部１８ａ又は１８ｂによって光量をモニターしながら最適光量に制御する。この方法では、撮像部の反射を介さないで測光するため、撮像部の反射率が変化したり、電子カメラのような反射率の低いデバイスであっても問題なく制御可能である。
【０００５】
また、予備発光に基づいて本発光量を算出する装置として、特許第３１７１１６３号公報に記載されている装置がある。これは、図２３に示すように、プリ発光指示手段１１２によって発光した時の撮像出力を光量判定手段１１３で判定し、適正であった場合は、その時の撮像出力をそのまま記録指示手段１１６によって記録し、適正でなかった場合は、適正光量決定手段１１４によって本発光量を算出し、本発光指示手段１１５によって本発光を行う。
また、本出願人による特開平１１−１８３９７８号公報に示す装置は、規定光量の予備発光であるモニター発光を繰り返し、測光値が適正になるように制御を行う（後述の図８及び図９参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
図２２（ａ）に示した装置では、制御の原理上撮影前に必ず予備発光させる必要があるが、その測光をペンタプリズム側の測光素子９で行っているために、予備発光をミラーダウンの状態で行う必要がある。しかしながら、ミラーアップには、一定の時間がかかるため、予備発光と本発光とを時間間隔をおいて発光しなければならない。そうすると、予備発光が本発光から分離して見えてしまう為に撮影者に違和感を与えたり、モデルが予備発光に反応して本発光時に目をつぶってしまうという問題点があった。
【０００７】
一方、図２２（ｂ）に示した装置では、予備発光を行う場合でも比較的時間のかかるミラーアップの後に行うことができるので、本発光とのタイムラグは、シャッター１１が開く間のほんの短い時間であり、図２２（ａ）の装置のような問題は起こらない。しかし、図２２（ｂ）の装置では、上述のような反射率の差による制御誤差の問題があった。
ところで、閃光制御の一方法として、予備発光だけを予め実行して本発光量を決定、記憶しておき、その後フレーミングを変えても記憶された本発光量で制御を行ういわゆるＳＥ（スピードライト・エクスポージャ）ロック方式があるが、図２２（ｂ）の装置でそれを行うと予備発光測光を行うためにミラーがアップしてしまうためにファインダーが見えなくなり、フレーミングの再調整が不可能になるという問題点があった。
【０００８】
また、被写体の正確な反射率を算出するためには、予備発光時の正確な測光値が必要であり、予備発光を１回しか行わない特許第３１７１１６３号の装置では、被写体の正確な反射率を算出できず、したがって最適な発光量で閃光発光することができないという問題があった。
さらに、特開平１１−１８３９７８号の装置では、予備発光時の正確な測光値を求めることは可能だが、発光回数が多くなるほど、発光時に消費したエネルギに対する実際に発光したエネルギの割合が小さくなり、エネルギ効率が悪くなるという問題があった。
【０００９】
本発明の課題は、ＳＥロック機能を備えつつ、ＳＥロック以外の撮影や、撮影者の希望等によって予備発光と本発光の時間間隔が目立たない動作が可能な閃光制御装置を提供することである。
また、本発明の他の課題は、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得られる閃光制御装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。すなわち、請求項１の発明は、予備発光及び本発光を行う閃光発光部（１７）を制御する閃光制御装置であって、前記閃光発光部による予備発光の被写体反射光を測光する第１閃光測光部（９）と、前記第１閃光測光部とは異なるセンサを用いて前記閃光発光部による予備発光の被写体反射光を測光する第２閃光測光部（１５）と、予備発光の測光を前記第１閃光測光部と前記第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択する予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする閃光制御装置である。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の閃光制御装置において、前記第１閃光測光部（９）のセンサは、定常光の輝度を測光する定常光測光部のセンサを兼用し、前記第２閃光測光部のセンサ（１５）は、本発光の発光中に本発光の被写体反射光を測光して調光を行う閃光調光部のセンサを兼用すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の閃光制御装置において、閃光制御装置を含む機器は、クイックリターンミラー（２）を備えたカメラであって、前記予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）によって前記第１閃光測光部（９）が選択された場合には、予備発光をミラーアップ前に行い、前記第２閃光測光部（１５）が選択された場合には、予備発光をミラーアップ後に行うこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、撮影前に予備発光を単独で行う第１の予備発光モード（ＳＥＬ）と、撮影時に予備発光と本発光とを連続的に行う第２の予備発光モードと、を備え、前記予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）は、前記第１の予備発光モードが実行された場合には、前記第１閃光測光部（９）を選択し、前記第２の予備発光モードが実行された場合には、前記第２閃光測光部（１５）を選択すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部（１７）は、閃光制御装置を含む機器（３０）から着脱可能であって、前記予備測光選択部（３１，３８，Ｓ１０３〜Ｓ１０６）は、装着された前記閃光発光部に応じて予備発光の測光を前記第１閃光測光部（９）と前記第２閃光測光部（１５）とのいずれで行うかを選択すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、予備発光の測光を前記第１閃光測光部（９）と前記第２閃光測光部（１５）とのいずれで行うかに関わらず、同一の制御方式（Ｓ１０４，Ｓ１０６，Ｓ１０８）により前記閃光発光部（１７）へ予備発光の指示を行う予備発光制御部（３１）を備えたこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項６に記載の閃光制御装置において、前記予備発光制御部（３１）が行う予備発光の制御方式は、前記閃光発光部（１７）に所定光量の第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）を行わせた後に、必要に応じて第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を行わせる方式であること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１７】
請求項８の発明は、予備発光及び本発光を行う閃光発光部（１７）を制御する閃光制御装置であって、前記予備発光の被写体反射光を測光する閃光測光部（９，１５）と、前記閃光発光部に所定光量の第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）を行わせた後に、必要に応じて光量可変の第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を行わせる予備発光制御部（３１）と、前記第１予備発光時の前記閃光測光部の出力に応じて前記第２予備発光の必要性を判定する予備発光判定部（Ｓ３０５，Ｓ４０７，Ｓ５０８）と、を備えたことを特徴とする閃光制御装置である。
【００１８】
請求項９の発明は、請求項８に記載の閃光制御装置において、前記予備発光制御部（３１）は、前記第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）時の前記閃光測光部（９，１５）の出力に応じて前記第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）の光量を算出すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１９】
請求項１０の発明は、請求項８又は請求項９に記載の閃光制御装置において、前記予備発光制御部（３１）は、前記第１予備発光（Ｓ３０３，Ｓ４０５，Ｓ５０６）を行う時は予備発光を指示する情報のみを通信し、前記第２予備発光（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を行う時は予備発光を指示する情報と発光量情報とを通信する通信部（Ｓ３０８，Ｓ４１０，Ｓ５１１）を有すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００２０】
請求項１１の発明は、請求項８から請求項１０までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部（１７）は、閃光制御装置を含む機器（３０）から着脱可能であって、前記閃光発光部は、予備発光に同期した同期信号を発生し、前記閃光測光部（９，１５）は、前記同期信号に同期させて測光を行うこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、図面等を参照しながら、本発明の実施の形態について、更に詳しく説明する。
図１は、本発明の実施形態の光学系を示した図である。
本実施形態における閃光制御装置は、撮影レンズ本体４０を交換可能なカメラ本体３０に搭載されており、ＳＢ本体５０による閃光発光を制御する装置である。
【００２２】
撮影時以外でＳＢ（閃光発光器）が発光していない状況では、いわゆる周囲光は、撮影レンズ１を通過し、メインミラー（クイックリターンミラー）２によって上方に反射され拡散スクリーン３上にいったん結像する。その後、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、接眼レンズ６を通って撮影者の目に到達する。一方、拡散スクリーン３によって拡散された光束の一部は、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、測光用プリズム７、測光用レンズ８を通して定常光用の測光素子９上へ再結像される。測光素子９は、例えばＣＣＤ（チャージ・カップルド・デバイス）等の受光素子が用いられており、図３（ａ）又は（ｃ）に示すように被写界を２０×１２の２４０領域に分割して測光し、それぞれの測光値を出力可能な構造になっている。また、それぞれの領域は、図３（ｂ）に示すようにＲ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色の測光セルを持ち、それぞれの色に分解して測光可能になっている。
【００２３】
ＳＥロック又は測光素子９を用いた予備測光を行う場合には、上述の周囲光測光時と同様な経路で測光が行われる。絞り１０が開放状態であり、メインミラー２が下がった状態のままで閃光発光部１７による予備発光が行われる。ＳＢ反射光は、定常光測光と同様に測光素子９で測光されるが、その測光タイミングは、予備発光と同期させている。その後、撮影時になって初めて絞り１０が所定値まで絞られると同時にメインミラー２が跳ね上げられる。その後、シャッター１１が開き切ったところで予め算出された光量で本発光が行われ、例えばＣＣＤ等によって構成される撮像素子１２によって撮影が行われる。
【００２４】
調光素子１５を用いた予備測光を行う場合には、まず絞り１０が所定値まで絞られると同時にメインミラー２が跳ね上げられる。その後、予備発光として閃光発光部１７から発した光束は、被写体によって反射され、撮影レンズ１によってシャッター１１上に略結像される。シャッター１１で反射、拡散された一部の光束を調光用レンズ１４を通して調光素子１５へ再結像させ閃光測光（予備測光）を行う。
本発光時は、シャッター１１を開き、撮像素子１２によって撮影が行われる。調光素子１５は、ＳＰＤとＳＰＤからの光電流を蓄積するコンデンサ、増幅アンプ等によって構成され、図６に示すように領域Ｓ１〜Ｓ５に５分割されており、それぞれ図３（ｃ）のＢ１〜Ｂ５へ対応している。
【００２５】
また、メインミラー２は、一部の光を透過するハーフミラーになっており、透過した光束の一部は、サブミラー１３によって下へ折り曲げられ、例えばＣＣＤ等によって構成される焦点検出部１６へ導かれる。焦点検出部１６では、図５に示す被写界の焦点検出領域Ｆ１〜Ｆ５についての焦点状態を検出し、そのいずれかの領域の焦点が合焦状態になるまで撮影レンズ１を駆動する。どの焦点検出領域を合焦させるかは、撮影者による手動選択、至近選択等がある。
ＳＢ本体５０は、閃光発光部１７と、自身の発光量をモニターする発光モニター部１８を有している。
【００２６】
図２は、本実施形態におけるカメラ本体３０，レンズ本体４０，ＳＢ本体５０の構成を示すブロック図である。
カメラ本体３０内の制御は、全てマイクロプロセッサであるカメラマイコン３１によって制御され、カメラマイコン３１は、予備測光選択部、本発光量演算部、本発光制御部、予備発光制御部等の機能を含んでいる。同様に、レンズ本体４０内の制御は、レンズマイコン４１、ＳＢ本体５０内の制御は、ＳＢマイコン５１によって制御される。
【００２７】
（測光・露出関連）
定常光測光部３２は、図３（ａ）又は（ｃ）に示したように被写界を２０×１２の２４０領域に分割して測光する回路であり、その測光出力は、カメラマイコン３１へ出力される。カメラマイコン３１では、定常光測光部３２からの出力と、撮影レンズ４０に設けられたレンズマイコン４１内に格納された撮影レンズの開放Ｆ値、焦点距離、射出瞳位置、距離情報などのレンズ情報、感度設定部３６からの撮像素子１２の感度情報等に基づいて定常光露出に関する適正露出値を算出し、それを絞り値とシャッター値とに分解して絞り制御部３５やシャッター１１へ出力する。絞り制御部３５は、レリーズスイッチ３７からのレリーズ信号に応じて絞り１０の絞り込み／復帰の制御を行う。
【００２８】
（オートフォーカス関連）
焦点検出部１６は、図５に示したように被写界の５領域についての焦点状態を検出する。その情報は、カメラマイコン３１で処理されレンズ駆動量となってレンズ駆動部３４へ出力され、更にレンズ本体４０内のレンズ光学系１を合焦状態まで駆動する。
【００２９】
（ＳＥロック）
不図示のＳＥロックスイッチが押されたことを検出すると、カメラマイコン３１は、ＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７を予備発光させる。一方、その予備発光に同期させて定常光測光部３２によって反射光を測光し、その結果を基に本発光量指示値を算出し、カメラマイコン３１内のメモリに格納する。その後、レリーズスイッチ３７の全押しを検出すると、メモリ内の本発光量指示値をＳＢ本体５０へ通信した後に撮影動作を行う。ＳＢマイコン５１は、その本発光量指示値と自ら発光モニター部１８によって測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し発光量を適正光量に制御する。
【００３０】
（調光素子１５を用いた場合のＳＢ制御）
カメラマイコン３１は、測光値、絞り値、感度値、距離値、閃光発光部のバウンス状態などに基づいて閃光測光部３３の設定ゲインを算出しゲイン設定を行う。その後、カメラマイコン３１からＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７を予備発光させ、閃光測光部３３は、その被写体反射光量に応じた光電流を積分する。その積分値を基に本発光量指示値を算出し、再びＳＢマイコン５１へ本発光指示値を出力する。ＳＢマイコン５１は、その本発光量指示値と自ら発光モニター部１８によって測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し発光量を適正光量に制御する。
【００３１】
なお、調光素子１５を用いたＳＢ制御を行うか否かは、カスタム設定部３８によって選択可能である。また、調光素子１５を用いた場合でも、予備発光結果から上記の如く本発光量を算出して制御する方法と、本発光時も調光素子１５によってリアルタイムに測光し、適正光量に達したところで調光素子１５からストップ信号を出してＳＢ光を停止させる、いわゆるリアルタイム調光方式とを選択可能である。これもカスタム設定部３８によって選択する。
【００３２】
（測光素子９を用いた場合のＳＢ制御）
カメラマイコン３１は、ＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７を予備発光させ、定常光測光部３２によってその被写体反射光量に応じた光電流を積分する。その積分値を基に本発光量指示値を算出し、ＳＢマイコン５１へ本発光指示値を出力する。ＳＢマイコン５１は、その本発光量指示値と自ら発光モニター部１８によって測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し発光量を適正光量に制御する。
なお、測光素子９を用いたＳＢ制御を行うか否かは、カスタム設定部３８によって選択可能である。
【００３３】
図３は、測光素子９の測光領域を説明する図である。
図３（ａ），（ｃ）は、測光素子９の分割状態を被写界に照らし合わせて示した図である。測光素子９は、被写界のほぼ全面を２４０分割して測光し、それぞれの測光値を出力できるようになっている。
図３（ａ）は、２４０の測光領域をＢ（１，１）〜Ｂ（５，５）の２５領域にグループ化した場合の分割形状を示している。
図３（ｃ）は、同様に測光領域を閃光測光部３３の分割形状に合わせて平均化した領域Ｂ１〜Ｂ５の５領域にグループ化した場合の形状を示している。
図３（ｂ）は、それぞれの測光領域がＲＧＢの３色の測光領域に分割されている様子を示している。
【００３４】
図４は、測光素子９の動作を説明する図である。
図４（ａ）は、測光素子９の端子とその役割を示している。φＭＣＫは、測光素子９の動作の基本となるマスタークロック入力である。φｉｎｔは、蓄積の開始と終了を制御する為の入力である。ＶＣｓｃｉｎは、電源投入時の不要電荷を高速に行うための切り替え入力である。ＧＳＷは、感度をＨ／Ｌの２段階に切り替える為の入力である。ＲＳＷは、測光値の出力クロック周波数を２段階に切り替える為の入力（普通は、一方に固定）である。ＳＹＮＣは、測光値読み出し同期クロック出力である。Ｖｏｕｔは、測光値出力である。
【００３５】
図４（ｂ）は、測光素子９の光電変換部の配列を示した図である。横方向（Ｈ方向）には、Ｂ，Ｇ，Ｒを１周期として２０周期、計６０画素、縦方向（Ｖ方向）には、Ｂ、Ｇ、Ｒのいずれかが２０画素並んでいる。データ出力時には、まずＨ方向へ１画素シフトして１列分のデータをＶレジスタに転送し、続いてＶ方向に１列分、すなわち２０画素分を出力する。その後、またＨ方向へ１画素シフトした後にＶ方向に１列分出力を繰り返し、最後のＲ列が出力されるまでこれを繰り返す。
図４（ｃ）は、測光素子９のデータ出力の様子をわかりやすく示した図である。φｉｎｔがＬになると蓄積を開始し、Ｈに戻ったところで終了する。その後、自動的にＳＹＮＣパルスに同期して測光データが１列ずつ出力される。
【００３６】
図５は、焦点検出部１６を説明する図である。
図５（ａ）は、焦点検出部１６の検出領域を被写界に照らし合わせて示している。Ｆ１〜Ｆ５の５領域についての焦点状態をそれぞれ検出可能になっている。図５（ｂ）は、焦点検出部１６の光学系を詳しく示している。撮影レンズ１を通過した光束は、視野マスク１６ａ、フィールドレンズ１６ｂ、セパレータレンズ１６ｃを通過し、ＡＦ用センサ１６ｄに到達する。
【００３７】
図６は、閃光測光部３３の光学系と測光領域の分割形状を示した図である。
シャッター面に入射し結像した被写体像を、３連の調光用レンズ１４により調光素子１５上に再結像させ、Ｓ１〜Ｓ５の５領域に分割してそれぞれ光電変換された電荷を蓄積する構成になっている。ここで、Ｓ１〜Ｓ５の各領域と番号の関係は、図３（ｃ）における測光領域Ｂ１〜Ｂ５の各領域の番号と対応している。また、絞りマスク１５ａにより隣のレンズからの入射光がセンサ上に迷光として入らないようにカットする。
【００３８】
図７は、調光素子１５を説明する図である。
図７（ａ）は、調光素子１５の端子とその役割を示している。Ｃ１〜Ｃ５は、それぞれ領域Ｓ１〜Ｓ５の光電流を蓄積する外付けコンデンサである。ＳＣは、ストップ信号を出すためにＳ１〜Ｓ５の光電流を加算して蓄積する外付けコンデンサである。Ｖｒｅｆは、温度比例電圧出力端子である。ＴＯＰは、トップ信号出力端子である。ＣＳＲ，ＣＳＧ，ＣＬＫは、アンプ・ゲインと読み出しチャンネルの設定を切り替える為の端子であり、設定方法は、それぞれ図７（ｂ）及び（ｃ）の所で説明する。ＩＳは、蓄積開始／終了を行う端子である。ＤＡは、各領域のアンプ・ゲインを入力する端子である。ＡＤは、各領域の測光積分値の出力端子である。
【００３９】
図７（ｂ）は、調光素子１５の各領域のアンプ・ゲインの設定方法を示している。ＣＳＧ端子をＨレベルにしたまま、ＣＳＲ端子をＬレベルに下げ、その後にＣＬＫ端子にクロック信号を入力すると、Ｌレベルへの立ち下がりに同期してチャンネルが切り替わる。ＣＬＫ端子がＬレベルの間にＤＡ端子を設定ゲインに応じた電圧レベルにすることでそのチャンネルのゲインが設定される。Ｃｈ１〜Ｃｈ５は、それぞれＳ１〜Ｓ５に対応している。
【００４０】
図７（ｃ）は、調光素子１５の各領域の測光積分値の読み出し方法を示している。ＣＳＲ及びＣＳＧ端子をＬレベルに下げた後にＣＬＫ端子にクロック信号を入力すると、Ｌレベルへの立ち下がりに同期してチャンネルが切り替わり各領域の測光積分値が測光値に応じた電圧レベルとなってＡＤ端子に出力される。
【００４１】
図８は、旧フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
ここで、旧フォーマットの予備発光とは、僅かな光量の小発光（チョップ発光）を多数繰り返して、必要な予備発光光量が得られた時点で予備発光を終了する方式を呼ぶこととする。
レリーズ信号が入力されてミラーアップと絞り込みが完了すると、フェーズ（以下、Ｐとする）８−１において、通信端子１と通信端子２の動作によりカメラとＳＢのハンドシェイクが行われ予備発光シーケンスへの移行が行われる。
その後、Ｐ８−２において、調光素子１５のゲイン設定（ゲイン設定１）が行われる。ゲインの算出方法は、後で詳しく説明する。
【００４２】
次に、Ｐ８−３において、閃光発光部１７及び調光素子１５のウォーム・アップのために小発光のカラ打ちが２回行われた後、ＩＳ端子を立ち下げて積分（積分１）が開始されると同時にカメラ側からの通信端子２のクロックに同期して予備発光が行われる。測光積分値が適当なレベルに達したか、小発光の回数が最大数（１６回程度）になったところで予備発光が終了する。
【００４３】
Ｐ８−４では、積分値の読み出し（読み出し１）が行なわれた後にＩＳ端子を立ち上げ積分値のリセットを行う。予備発光時の積分値には、ＳＢ光の反射光の他に定常光成分も含まれているため、予備発光終了後に定常光のみの積分を行い後の演算処理において定常光成分を予備発光積分値から差し引く演算を行う。
【００４４】
Ｐ８−５では、定常光積分のためのゲイン設定（ゲイン設定２）を行う。
その後、Ｐ８−６では、予備発光の時と同様にＩＳ端子を立ち下げ定常光積分（積分２）を行う。定常光積分のゲイン設定と積分時間については、後述する。定常光積分が終了したら、Ｐ８−７において、積分値を読み出し（読み出し２）た後、ＩＳ端子を立ち上げて積分値をリセットする。
【００４５】
その後、Ｐ８−８では、後述するアルゴリズムによって調光エリアと補正量を算出する。
Ｐ８−９では、Ｐ８−８における算出結果により本発光制御を行うための本調光用ゲイン設定を行う。
その後、Ｐ８−１０では、撮影開始のシャッター全開に同期して本調光積分と本発光を行い、適正光量になったところでストップ信号が出力されて発光が停止しリアルタイム調光が行われる。その後、所定のシャッター秒時でシャッターが閉じ撮影が完了する。
【００４６】
図９は、旧フォーマットの予備発光によるＧＮ制御方式のＴＴＬ調光（以後、Ｄ−ＴＴＬ調光と呼ぶ）の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
ここで、Ｄ−ＴＴＬ調光とは、予備発光により得られた測光値から、本発光前に予め本発光光量を演算して決めておく方式を指すものとする。
図９中、Ｐ９−８までは、図８と同様であるので説明を省略する。Ｐ９−８において、調光エリアと補正量を算出した後、Ｐ９−９では、後述する方法にて本発光量を算出してその値をＳＢマイコン５１を通じて閃光発光部１７へ通信する（本発光量データ通信）。その結果を基に、Ｐ９−１０では、撮影時にＳＢ側において本発光制御を行い適正光量の制御を行い撮影が完了する。
【００４７】
図１０は、新フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
ここで、新フォーマットの予備発光とは、上述の旧フォーマットの予備発光とは異なる新しいフォーマットの予備発光方式であり、ＳＢ発光及び予備測光の効率を上げるべく改良された方式である。上述の旧フォーマットの予備発光方式が、チョップ発光を多数繰り返していたのに対して、新フォーマットの予備発光では、１回又は２回の予備発光を行う。
【００４８】
カメラ本体３０にＳＢ本体５０が装着されると、カメラ本体３０は、ＳＢ本体５０と通信を行い、ＳＢ側が新フォーマットに対応しているか否かを判定し、ＳＢが新フォーマットに対応していることを検出した場合には、自動的に新フォーマットによる予備測光に切り替える。
レリーズ信号が入力されてミラーアップと絞り込みが完了すると、Ｐ１０−１では、通信端子１〜３によるカメラ本体３０とＳＢ本体５０との間の通信によりカメラ本体３０側から予備発光シーケンスの開始が宣言される。
【００４９】
その後、Ｐ１０−２において、調光素子１５のゲイン設定（ゲイン設定１）が行われる。ゲインの算出方法は、後で詳しく説明する。
次に、Ｐ１０−３において、同じくカメラ本体３０とＳＢ本体５０との間の通信によりカメラ本体３０側からモニター発光（小）を指示するコマンドを送信する。
その後、Ｐ１０−４において、カメラが通信端子１をＬに下げている間にＳＢ本体５０が通信端子２のＬとほぼ同期して所定光量のモニター発光（予備発光）を行う。カメラ本体３０は、通信端子２のＬを発光同期信号としてこれに同期させて調光素子１５のＩＳ端子を立ち下げて積分（積分１）を行う。予備発光が終了したタイミングを見計らって積分値の読み出し（読み出し１）を行なう。
【００５０】
Ｐ１０−５では、読み出した積分値から、この時の予備測光値のレベルが演算に必要な大きさに達しているかどうかを判定する（２回目要否判定）。そして、もし測光値が必要レベルに達していなかった場合には、Ｐ１０−６へ移行し、必要レベルに達している場合には、Ｐ１０−９へ移行する。
Ｐ１０−６では、２回目のゲイン設定（ゲイン設定２）を行う。
Ｐ１０−７では、モニター発光（大）とその発光量（ＧＮ）を指示するコマンドを送信する。
Ｐ１０−８では、１回目と同様にモニター発光（大）と積分（積分２）を行う。
【００５１】
予備発光時の積分値には、ＳＢ光の反射光の他に定常光成分も含まれている。そこで、Ｐ１０−９〜１０において、予備発光終了後に定常光のみの積分を行い後の演算処理において定常光成分を予備発光積分値から差し引く演算を行う。この場合、定常光ゲイン設定と積分時間は、直前の積分時に設定したゲインと積分時間と同じ値にセットする。
定常光積分が終了したら、Ｐ１０−１１において、通信によって予備発光シーケンスの終了を宣言する。
【００５２】
その後、Ｐ１０−１２では、後述するアルゴリズムによって調光エリアと補正量を算出する。
Ｐ１０−１３では、Ｐ１０−１２の結果を用いて本発光制御を行うための本調光用ゲイン設定を行ない、Ｐ１０−１４でレリーズ投入コマンドの通信を行う。その後、Ｐ１０−１５において、撮影開始のシャッター全開に同期して本調光積分と本発光を行い、適正光量になったところでストップ信号が出力されて発光が停止しリアルタイム調光が行われるのは、図８の場合と同様である。その後、所定のシャッター秒時でシャッターが閉じ撮影が完了する。
【００５３】
図１１は、新フォーマットの予備発光によるＤ−ＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
図１１中、Ｐ１１−１２の所までは、図１０と同様であるので説明を省略する。
Ｐ１１−１２では、調光エリアと補正量を算出した後、後述する方法にて本発光量を算出して、その値を通信によって本発光量伝達コマンドと発光倍数データとしてＳＢ側へ伝える。その結果を基に、図９の場合と同様にして撮影時には、ＳＢ側において本発光制御を行い、適正光量の制御を行い撮影が完了する。
【００５４】
図１２は、新フォーマットの予備発光を行い、かつ、測光素子９を用いた予備測光方式の基本動作をわかりやすく示したタイミングチャートである。
レリーズ信号が入力されると、ミラーアップと絞り込みを行う前に、まずＰ１２−１において、通信端子１〜３によるカメラ・ＳＢ間通信によりカメラ側から予備発光シーケンスの開始が宣言される。
次に、Ｐ１２−３では、同じくカメラ・ＳＢ間通信によりカメラ側からモニター発光（小）を指示するコマンドを送信する。
【００５５】
その後、Ｐ１２−４では、カメラが通信端子１をＬに下げている間にＳＢが通信端子２のＬとほぼ同期して所定光量のモニター発光（予備発光）を行う。カメラは、通信端子２のＬを発光同期信号としてこれに同期させて測光素子９のφｉｎｔ端子を立ち下げてデータの蓄積（積分１）を行う。予備発光が終了したタイミングを見計らって測光データの読み出し（読み出し１）を行なう。
【００５６】
Ｐ１２−５では、この時の予備測光値のレベルが演算に必要な大きさに達しているかどうかを判定する（２回目要否判定）。そして、測光値が必要レベルに達していなかった場合には、Ｐ１２−６に進み、測光値が必要レベルに達している場合には、Ｐ１２−８に進む。
【００５７】
Ｐ１２−６では、２回目のゲイン設定（ゲイン設定２）を行い、今度は、モニター発光（大）とその発光量（ＧＮ）を指示するコマンドを送信する。
Ｐ１２−７では、先のモニター発光（小）と同様にモニター発光（大）とデータの蓄積（積分２）を行う。
Ｐ１２−８では、通信によって予備発光シーケンスの終了を宣言する。
Ｐ１２−９では、後述するアルゴリズムによって調光エリアと補正量、及び、本発光量を算出する。
【００５８】
Ｐ１２ー１０は、レリーズ待ちの状態であり、例えば、ＳＥロックの場合には、比較的長い時間となる。
Ｐ１２−１１では、ミラーアップと絞り込みを行う。
Ｐ１２−１２では、Ｐ１２−９で算出した値を通信によって本発光量伝達コマンドと発光倍数データとしてＳＢ側へ伝える。
Ｐ１２−１３では、得られた値を基に、図９の場合と同様に撮影時には、ＳＢ側において本発光制御を行い適正光量の制御を行い撮影が完了する。
【００５９】
【表１】
表１は、図８〜１２に示した調光制御及び予備発光方式の関係をまとめて示した一覧表である。
図８〜１１により説明した調光制御は、いずれも閃光の測光を調光素子１５により行っており、予備発光の方式（旧フォーマット，新フォーマット）及び調光方式（リアルタイムＴＴＬ，Ｄ−ＴＴＬ）の組み合わせの違いである。一方、図１２に示した制御は、測光素子９を用いて閃光の測光を行っている。測光素子９を用いて閃光の測光を行う場合には、ミラーアップすると、測光不能となるので、リアルタイムＴＴＬ調光は行うことができない。
【００６１】
予備発光の方式については、測光素子を用いた場合でも、旧フォーマットの予備発光を行わせることは、原理的には可能である。しかし、旧フォーマットによる予備発光では、閃光の測光を行っている時間に対して発光している量が少ない。したがって、周囲光が明るいと、光っていない時間に周囲光が入ってきてしまう。一般に測光素子は、調光素子に比べて飽和しやすく、よって、周囲光が明るいと、測光素子９が直ぐに飽和してしまう。一方、新フォーマットの予備発光によれば、閃光が発光している時間だけ測光することができ、測光素子９による予備発光には、新フォーマットが適している。また、先にも述べたように、チョップ発光を繰り返す旧フォーマットの予備発光方式は、エネルギの効率があまり良くない。
そこで、本実施形態では、測光素子９を用いる場合には、新フォーマットの予備発光のみ行うこととしている。
【００６２】
図１３は、カメラマイコン３１のプログラムを示したフローチャートである。カメラのレリーズスイッチ３７が半押しされることによってカメラの電源が入り、本プログラムが実行される。以下に、ステップ（以下、Ｓとする）毎に説明する。
Ｓ１０１では、ＳＥロックの状態を識別するフラグＳＥＬを０にクリアする（非ＳＥロック状態とする）。
Ｓ１０２では、撮影前サブルーチン処理（図１４において説明）を行う。
【００６３】
Ｓ１０３では、不図示のＳＥロックスイッチが押されているか否かを判定する。ＳＥロックスイッチが押されている場合には、Ｓ１０４に進み、ＳＥロックスイッチが押されていない場合には、Ｓ１０５に進む。
Ｓ１０４では、ＳＥロックスイッチが押されていた場合のサブルーチン処理（予備発光１：図１５において説明）を行う。
Ｓ１０５では、レリーズスイッチ３７が全押しされたか否かを判定する。レリーズスイッチ３７が全押しされた場合には、Ｓ１０６に進み、レリーズスイッチ３７が全押しされていない場合には、Ｓ１２０に進む。
【００６４】
Ｓ１０６では、ミラーアップ前のサブルーチン処理（予備発光２：図１６において説明）を行う。
Ｓ１０７では、ミラーアップ、絞り込みを行う。
Ｓ１０８では、ミラーアップ後の予備発光サブルーチン（予備発光３：図１７において説明）処理を行う。
尚、上述の予備発光１〜３及び、後述の図１７における予備発光４は、これらの内いずれかひとつのみが実行されるようになっている（各サブルーチン内において判断される）。
【００６５】
Ｓ１０９では、リアルタイムＴＴＬ調光のアルゴリズム演算（エリア選択、補正量算出）を行う。なお、この演算の内容については、後述する。
Ｓ１１０では、カスタム設定部３８の設定の一つであるカスタム設定に応じて、ストップ信号によるリアルタイム調光制御が選択されているか否かを判定する。リアルタイム調光制御が選択されている場合には、Ｓ１１１に進み、リアルタイム調光制御が選択されていない場合には、Ｓ１１２に進む。
Ｓ１１１では、リアルタイム調光制御を行うために、調光素子１５のゲイン設定を行う。このリアルタイム調光制御は、図８又は図１０のタイムチャートに対応している。ゲインの算出方法については、後述する。
Ｓ１１２では、Ｄ−ＴＴＬ制御の場合の本発光量演算を行う。このＤ−ＴＴＬ制御は、図９、図１１又は図１２のタイムチャートに対応している。Ｄ−ＴＴＬ制御の内容については、後述する。
【００６６】
Ｓ１１３では、カメラからＳＢへ本発光量データ（Ｋｇｎ 、後述）の通信を行う。（図９，１１，１２を参照）
Ｓ１１４では、シャッターを開く（撮影露光開始）。
Ｓ１１５では、リアルタイム調光制御であるか否かの判断を行い、リアルタイム調光制御の場合、Ｓ１１６に進み、調光素子１５の積分を開始する。リアルタイム調光制御でない場合、Ｓ１１７に進む。
Ｓ１１７では、本発光制御を行う。なお、本発光制御は、場合により、リアルタイム調光かＤ−ＴＴＬ調光かのいずれかを行う。
Ｓ１１８では、所定時間でシャッターを閉じ（撮影露光終了）、ミラー、絞りを復帰させる。
Ｓ１１９では、ＳＥロックフラグ（ＳＥＬ）を０にクリアする。
Ｓ１２０では、半押しタイマーが起動後所定時間経過したかどうかを判別し、所定時間内であればステップＳ１０２へ戻って処理を繰り返し、タイマー切れであれば処理を終了する。
【００６７】
図１４は、撮影前処理の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１４に示す撮影前処理は、図１３に示すＳ１０２が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。以下、ステップ毎に説明する。
Ｓ２０１では、カメラの諸設定（感度、測光モード、露出モードなど）を読み出す。
Ｓ２０２では、レンズ通信により、撮影レンズの焦点距離、開放Ｆ値、射出瞳距離、距離データなどを読み出す。
【００６８】
Ｓ２０３では、ＳＢ通信により、ＳＢが新フォーマットへ対応しているか否か、モニター発光（小、大）の発光時間、チョップ発光１発当たりの光量、最大本発光量、ＳＢの状態（バウンス状態か否か）等を読み出す。
Ｓ２０４では、定常光測光を行い、Ｂ（１，１）〜Ｂ（５，５）、Ｂ１〜Ｂ５の測光値等を算出する。
Ｓ２０５では、測光値を基に公知の手法により適正露出値を算出し、露出モードに応じて絞り値、シャッター値を算出する。
【００６９】
Ｓ２０６では、焦点検出を行う。
Ｓ２０７では、焦点検出の状態に応じてデフォーカス量が０になるまでレンズを駆動しピントを合わせる。
Ｓ２０８では、合焦位置での撮影レンズのピント距離を被写体距離と見なし、その値をレンズマイコン４１から読み出す。
【００７０】
図１５は、予備発光１の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１５に示す予備発光１は、図１３に示すＳ１０４が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。図１３でもわかるように、本フローチャートは、ＳＥロック実行時に適用されるものであり、図１２のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
【００７１】
Ｓ３０１では、ＳＢが新フォーマットに対応しているか否かを判定する。新フォーマットに対応している場合には、Ｓ３０２へ進み、新フォーマットに対応していなければＳＥロックは実行することができないので処理を終了する。
Ｓ３０２では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（小）の発光時間にセットする（タイマーセット１）。
Ｓ３０３では、モニター発光（小）を指示するコマンドを送信する（モニター発光１）。ここで、１回目のモニター発光の光量は、予め規格により定めてある（例えばＩＳＯ１００のガイドナンバーで２など）のでＳＢ側に指定する必要はない。
【００７２】
Ｓ３０４では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始して、Ｓ３０２でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し１）。
Ｓ３０５では、測光データが演算に使用可能か否かを判定する。具体的には、２４０領域のＢ，Ｇ，Ｒの各データの最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベル（Ｖｎ）以上にあるかどうかを判定し、所定レベル以上あれば使用可能として、２回目のモニター発光は行わずにＳ３１０へ進み、使用不可能である場合には、Ｓ３０６へ進む。
なお、通常なら最大値（Ｖｏｍａｘ）が逆に飽和レベルを超えていないかどうかの判定も必要であるが、この場合は、測光素子９の感度から実使用範囲において測光値が飽和しないようなモニター発光の光量を定めてあるのでここでは必要ない。０〜４Ｖの出力範囲を持った測光素子の場合、例えばＶｎ＝０．５Ｖ程度である。
【００７３】
Ｓ３０６では、最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベルに達していなかった場合、以下に示す（式１）によって次回の発光量を算出する。
【００７４】
ＧＮ２＝ＧＮ１＋２＊ｌｏｇ２（Ｖａｇｃ／Ｖｏｍａｘ）｝ ・・・（式１）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ＧＮ２ ：次回発光量（単位：ガイドナンバー）
ＧＮ１ ：前回発光量（単位：ガイドナンバー）
Ｖａｇｃ：予備測光値目標レベル（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
Ｖｏｍａｘ ：前回予備測光値の最大値（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
このように、本実施形態では、１回目の予備発光結果に応じて、２回目の予備発光光量を可変量とし、２回目の予備発光で必要かつ十分な予備発光を行うようにしている。
【００７５】
Ｓ３０７では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（大）の発光時間にセットする（タイマーセット２）。
Ｓ３０８では、モニター発光（大）を指示するコマンドと光量を指定するデータを送信する（モニター発光２）。ここで、光量の指定方法は、ガイドナンバーを直接指定、前回の光量との相対値で指定、発光可能な数値を数パターンＳＢ側から通信により開示しカメラ側で最も適当な光量を選択して指定、などが考えられる。いずれの方法でも通信規格によって予め規定しておけば良い。
【００７６】
Ｓ３０９では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始し、Ｓ３０７でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し１）。
Ｓ３１０では、予備測光結果より、以下に示す（式２）を用いてＧＶ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）を算出する。ここで、ＧＶ［ｉ，ｊ］は、標準反射率被写体に対して基準露光量を与えるガイドナンバーを単位ＥＶに変換したものである。ＧＶ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）のそれぞれの位置は、図３（ａ）のＢ（１，１）〜Ｂ（５，５）に対応している。
【００７７】
ＧＶ［ｉ，ｊ］ ＝ Ｌｏｇ２（ＧＮｐｒｅ＾２）＋ｌｏｇ２（ＡＤ０［ｉ，ｊ］／ＡＤ［ｉ，ｊ］）＋（ＡＶ−ＡＶ０） ・・・（式２）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ＧＮｐｒｅ：予備発光時のガイドナンバー（１回目もしくは２回目）
ＡＤ０［ｉ，ｊ］：適正光量時の各エリアＢ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）の測光値（エリア内の平均値）
ＡＤ［ｉ，ｊ］：予備発光時の各エリアＢ［ｉ，ｊ］（ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）の測光値（エリア内の平均値）
ＡＶ：制御絞り値（ＡＰＥＸ値）
ＡＶ０：開放Ｆ値（ＡＰＥＸ値）
【００７８】
ここで、上記（式２）は、（ｉ，ｊ）の全てのエリアのＧＶ［ｉ，ｊ］を算出するための式であるが、本サブルーチンは、ＳＥロックの時の物であり、ＳＥロック時は、被写界の一部分（例えば画面中央の（３，３）のエリアなど）のみを考慮して適正光量を算出する仕様の場合もある。その場合には、ここでは、全てのＧＶ［ｉ，ｊ］を算出する必要はないので、必要とされるエリア（画面中央やＡＦエリアに対応したエリアなど）のみの算出にとどめておけば演算時間やメモリの節約になる。Ｓ３１１では、ＳＥロック実行中であることを示すフラグＳＥＬに１を代入する。
【００７９】
図１６は、予備発光２の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１３に示したＳ１０６が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。図１３でもわかるように、本フローチャートは、ミラーアップ前の予備発光時に適用されるものであり、図１２のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
【００８０】
Ｓ４０１では、ＳＥＬ＝１か否か、すなわちＳＥロック中か否かを判定し、ＳＥロック中であれば既にＧＶ［ｉ，ｊ］が算出済みであるので処理を終了する。
Ｓ４０２では、ＳＢが新フォーマットへ対応しているか否かを判定する。新フォーマットへ対応していなければミラーアップ前の予備測光はできないので処理を終了する。
Ｓ４０３では、カスタム設定部３８の設定の一つであるカスタム設定に応じて、測光素子９による予備測光が選択されているか否かを判定する。測光素子９が選択されていない場合、つまり調光素子１５による予備測光が選択されている場合には、ミラーアップ前の予備測光はできないので処理を終了する。
【００８１】
Ｓ４０４では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（小）の発光時間にセットする（タイマーセット１）。
Ｓ４０５では、モニター発光（小）を指示するコマンドを送信する（モニター発光１）。ここで、１回目のモニター発光の光量は、予め規格により定めてある（例えばＩＳＯ１００のガイドナンバーで２など）のでＳＢ側に指定する必要はない。
Ｓ４０６では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始、Ｓ３０２でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し１）。
【００８２】
Ｓ４０７では、測光データが演算に使用可能か否かを判定する。具体的には、２４０領域のＢ，Ｇ，Ｒの各データの最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベル（Ｖｎ）以上にあるかどうかを判定し、所定レベル以上あれば使用可能として、２回目のモニター発光は、行わずにＳ４１２へ進み、使用不可能である場合には、Ｓ４０８へ進む。
なお、通常なら最大値（Ｖｏｍａｘ）が逆に飽和レベルを超えていないかどうかの判定も必要であるが、この場合は、Ｓ３０５同様、測光素子９の感度から実使用範囲において測光値が飽和しないようなモニター発光の光量を定めてあるのでここでは必要ない。０〜４Ｖの出力範囲を持った測光素子の場合、例えばＶｎ＝０．５Ｖ程度である。
【００８３】
Ｓ４０８では、最大値（Ｖｏｍａｘ）が所定レベルに達していなかった場合、前述の（式１）によって次回の発光量を算出する。
Ｓ４０９では、測光素子９の蓄積時間のタイマーを、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（大）の発光時間にセットする（タイマーセット２）。
Ｓ４１０では、モニター発光（大）を指示するコマンドと光量を指定するデータを送信する（モニター発光２）。具体的な方法は、Ｓ３０８と同様である。
Ｓ４１１では、ＳＢのモニター発光に同期して測光素子９のデータ蓄積を開始、Ｓ４０９でセットした時間で蓄積を終了し測光データを読み出す（蓄積・読み出し２）。
Ｓ４１２では、予備測光結果より、前述の（式２）を用いてＧＶ［ｉ，ｊ］ （ｉ＝１〜５，ｊ＝１〜５）を算出する。
【００８４】
図１７は、予備発光３の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１３に示したＳ１０８が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。図１３でもわかるように、本フローチャートは、ミラーアップ後の予備発光時に適用されるものであり、図８、図９、図１０、又は図１１のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
Ｓ５０１では、ＳＥＬ＝１であるか否か、すなわちＳＥロック中か否かを判定し、ＳＥロック中であれば既にＧＶ［ｉ，ｊ］が算出済みであるので処理を終了する。Ｓ５０２では、ＳＢが新フォーマットへ対応しているか否かを判定する。新フォーマットへ対応していなければ、Ｓ５０３へ進み、旧フォーマットによる予備測光である予備測光４サブルーチン（図１８）を実行する。
【００８５】
Ｓ５０４では、カスタム設定部３８の設定の一つであるカスタム設定に応じて、調光素子１５による予備測光が選択されているか否かを判定する。調光素子１５が選択されていない場合、つまり測光素子９による予備測光が選択されている場合には、既にミラーアップ前に予備測光処理が終了されているはずなので処理を終了する。
【００８６】
Ｓ５０５では、調光素子１５のＩＣゲイン設定を行う（ＩＣゲイン設定１）。ゲインは、図６の領域Ｓ１〜Ｓ５について、それぞれ別々に設定される。まず、以下の（式３）に基づいてゲイン設定パラメータＧａＶ［ｉ］ （ｉ＝１〜５）を算出する。
【００８７】
ＧａＶ［ｉ］＝ＳｖＶ＋ＧｎＶ＋ＸｍＶ＋ＡｖＶ＋ＢｖＶ［ｉ］＋ＢｏＶ＋ＲｅＶ−Ｓａ［ｉ］ （ｉ＝１〜５） ・・・（式３）
ここで、ＧａＶ［ｉ］の単位は、ＥＶであり、ｉの数値は、それぞれ領域Ｓの番号に対応している。
また、ＧａＶ［ｉ］の値が大きくなるほど高いゲインが設定される。
以下、（式３）の右辺のそれぞれの項について説明する。
【００８８】
ＳｖＶは、撮像素子の設定感度による変化量である。図１９（ａ）に示すように、感度（ＳＶ）が上がるに連れてＳｖＶも大きくなりゲインが上がる。これは、感度が高くなると適正露光を与え得る距離が遠方側に伸びるため、予備発光測光も遠方まで対応させるためである。しかし、感度が高くても近距離での撮影が行われる場合もあるので、あまり感度を上げすぎないよう感度１ＥＶの変化に対してＳｖＶの値は、１以下になるよう調整されている。
【００８９】
ＧｎＶは、予備発光１発当たりの光量（ＧＮｐ１）による変化量である。装着されるＳＢやＳＢ配光角によってＧＮｐ１は、変化するので、その変化分を吸収させＳＢがどの状態にあっても一定した測光値が得られるようにする為である。そのため、図１９（ｂ）に示すようにＧＮｐ１が１ＥＶ大きくなるとＧｎＶは、１ＥＶ小さくなるようになっている。
【００９０】
ＸｍＶは、距離による変化量である。どの距離にあっても一定した測光値が得られるようにする為である。そのため、図１９（ｃ）に示すように距離が１ＥＶ遠くなる（√２倍の距離）とＸｍＶも１ＥＶ大きくなるようになっている。
【００９１】
ＡｖＶは、絞り値による変化量である。どの絞り値であっても一定した測光値が得られるようにする為である。そのため、図１９（ｄ）に示すように絞り値が１ＥＶ大きくなる（暗くなる）とＡｖＶも１ＥＶ大きくなるようになっている。
【００９２】
ＢｖＶ［ｉ］は、輝度値による変化量である。周囲光の輝度が高くなると、予備発光中にも閃光測光部２２に周囲光が入ってしまい、ＳＢ反射光の積分値が十分蓄積される前にストップ信号が発生し積分が終わってしまうことがある。そのため、周囲光の輝度が高い場合には、その輝度に応じてその領域のゲインを下げておく。図２０に示すように、輝度がＢＶｏｆｓｅｔを越えたらその後輝度が１ＥＶ増す毎にゲインを１ＥＶ下げていき、下げ幅がＢｖＶｍａｘに達したらＢｖＶをそこでクリップする。
【００９３】
ＢｏＶは、ＳＢがバウンス状態にあるかないかで変わる値である。バウンスでない（通常の状態）では、０であり、バウンス時は、＋２ＥＶとする。これは、バウンス時は、天井などを介して被写体が照明されるため反射光量が少なくなるためである。
【００９４】
ＲｅＶは、予備発光がやり直しされたか否かで変わる値である。１回目の予備発光では、０であるが、１回目の予備発光で測光値が飽和してしまった場合には、この値を−３ＥＶとしてゲインを下げて２回目の予備発光を行う。
【００９５】
Ｓａ［ｉ］は、撮影レンズの種類と設定絞り値に応じて算出される補正値である。各エリア毎に補正値を求める（実験などによってあらかじめ算出式を定めておく）。
【００９６】
次に、以下に示す（式４）によって実際に調光素子１５に設定するゲインＤＡｐｒｅ［ｉ］を算出する。
【００９７】
ＤＡｐｒｅ［ｉ］＝（ｐｒｅ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］−ＧａＶ［ｉ］＊ｐｒｅ＿ｇａｍｍａ）＊Ｔ／Ｔｒｅｆ （ｉ＝１〜５） ・・・（式４）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ｐｒｅ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］：予備発光調光レベルの基準値
ｐｒｅ＿ｇａｍｍｍａ：ガンマ調整値
Ｔ：現在の温度
Ｔｒｅｆ：調整時の温度
なお、ＧａＶ［ｉ］とマイナスになっているのは、図７に示した調光素子１５のＤＡ端子電圧を低くするとゲインが高くなる仕様のためである。
【００９８】
Ｓ５０６では、モニター発光（小）を指示するコマンドを送信する（モニター発光１）。ここで、１回目のモニター発光の光量は、予め規格により定めてある（例えばＩＳＯ１００のガイドナンバーで２など）のでＳＢ側に指定する必要はない。
Ｓ５０７では、ＳＢのモニター発光に同期して調光素子１５の積分を開始し、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光（小）の発光時間にてタイマーを作動させ積分を終了し、測光データＡＤ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を読み出す（蓄積・読み出し１）。
【００９９】
Ｓ５０８では、測光データＡＤ［ｉ］（ｉ＝１〜５）が演算に使用可能か否かを判定する。具体的には、５領域のＡＤ［ｉ］データの最大値（ＡＤｍａｘ）が使用可能レベル（ＡＤ１）以上であり、かつ最大値（ＡＤｍａｘ）が飽和レベル（ＡＤ２）を越えていないかを判定する。０〜４Ｖの出力を持った調光素子の場合、例えばＡＤ１＝０．５Ｖ、ＡＤ２＝３．７Ｖ程度である。データが使用可能な場合には、２回目のモニター発光は、行わずにＳ５１３へ進み、データが使用不可能な場合は、Ｓ５０９へ進む。
【０１００】
Ｓ５０９では、Ｓ５０８の判定で、ＡＤｍａｘ＜ＡＤ１であった場合、以下の（式５）によって次回の発光量を算出し、かつ調光素子１５のゲイン設定は、Ｓ５０５と同様とする。
【０１０１】
ＧＮ２＝ＧＮ１＋｛２＊ｌｏｇ２（ＡＤａｇｃ／ＡＤｍａｘ）｝ ・・・（式５）
ただし、各変数は、以下の内容を示すものとする。
ＧＮ２：次回発光量（単位：ガイドナンバー）
ＧＮ１：前回発光量（単位：ガイドナンバー）
ＡＤａｇｃ：予備測光値目標レベル（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
ＡＤｍａｘ：前回測光値の最大値（単位：Ｖ又はＡ／Ｄ値）
また、ＡＤｍａｘ＞ＡＤ２であった場合には、上述のＳ５０５の（式３）の説明にあるようにＲｅＶに−３ＥＶを代入してゲインを再計算し、かつ次回発光量は、Ｓ５０６と同様とする。
【０１０２】
Ｓ５１０では、Ｓ５０９で求めた調光素子１５のＩＣゲイン設定を行う（ＩＣゲイン設定２）。
Ｓ５１１では、Ｓ５０９で求めた発光量にてモニター発光を指示するコマンドと光量を指定するデータを送信する。具体的な方法は、Ｓ３０８と同様である。Ｓ５１２では、ＳＢのモニター発光に同期して調光素子１５の積分を開始し、予めＳ２０３のＳＢ通信で読み出してあるモニター発光の発光時間にてタイマーを作動させ積分を終了し、測光データＡＤ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を読み出す（蓄積・読み出し２）。
Ｓ５１３では、予備測光結果より、前述の（式２）を用いてＧＶ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を算出する。
【０１０３】
図１８は、予備発光４の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
図１７のＳ５０３が実行されると本サブルーチンが呼び出されて実行される。本フローチャートは、旧フォーマットに適用されるものであり、図８、又は図９のタイムチャートに対応している。以下、ステップ毎に説明する。
【０１０４】
Ｓ６０１では、Ｓ５０５と同様の手法によって調光素子１５に設定するゲインＤＡｐｒｅ［ｉ］を算出する（ゲイン設定１）。
Ｓ６０２では、カラ打ちを２回行う。
Ｓ６０３では、ｔｒｐｅ計時開始。ＩＳ＝Ｌとして積分を開始する。
Ｓ６０４では、予備発光の小回数を示す変数Ｑｐｒｅに０をセットする。
Ｓ６０５では、Ｑｐｒｅに１を加算する。
Ｓ６０６では、発光量ＧＮｐ１で小発光（チョップ発光）を行う。
【０１０５】
Ｓ６０７では、ストップ信号が出たか否かを判定し、ストップ信号が出た場合には、Ｓ６９０へ進み、ストップ信号が出ていない場合は、Ｓ６０８へ進む。
Ｓ６０８では、小発光数が最大値として設定されたＱｐｒｅ＿ｍａｘ回に達したか否かを判定し、達している場合には、Ｓ６０９へ進み、達していない場合には、Ｓ６０５へ戻る。
【０１０６】
Ｓ６０９では、ｔｐｒｅ計時を終了する。
Ｓ６１０では、積分値ＩＧｐｒｅ［ｉ］を読み出す。
Ｓ６１１では、積分時間タイマーをｔｐｒｅにセット。
Ｓ６１２では、Ｓ６０３と同一ゲインにてｔｐｒｅ間だけ積分し、その積分値ＩＧｔｅｉ［ｉ］を読み出す。
Ｓ６１３では、予備測光結果より、前述の（式２）を用いてＧＶ［ｉ］（ｉ＝１〜５）を算出する。
【０１０７】
ここで、本発光量の演算について説明する。
まず、予備発光により得られた各領域のＧＶ［ｉ］又はＧＶ［ｉ，ｊ］を用いて、各領域の被写体反射率ＲｅＳＥＶ［ｉ］、又はＲｅＳＥＶ［ｉ，ｊ］を、以下に示す（式６）を用いて算出する。（ただし、以降は、［ｉ，ｊ］を省略し［ｉ］で代表させる。）
ＲｅＳＥＶ［ｉ］＝２＊Ｘ＋ＡＶ−ＧＶ［ｉ］ （ｉ＝１〜５） ・・・（式６）
Ｘ：撮影距離（単位：ｍ）
ＡＶ：撮影絞り値（単位：ＡＶ）
ここで、ＲｅＳＥＶ［ｉ］は、反射率が標準値であった場合は０、反射率が標準よりも＋１段高かった場合は＋１、同様−１段では−１となる変数である。
【０１０８】
次に、ＲｅＳＥＶ［ｉ］を用いて、反射率に応じた各領域に対する重み付け数ＲｅｆＧ［ｉ］を（式７）を用いて算出する。
ＲｅｆＧ［ｉ］＝１／（２＾（Ａｂｓ（ＲｅｆＧ［ｉ］））） （ｉ＝１〜５） ・・・（式７）
ただし、Ａｂｓ（）は、（）内の絶対値を求める関数である。ＲｅｆＧ［ｉ］は、図２１（ａ）に示すように被写体の反射率が標準値の場合には１、また標準値からから離れるに従って小さくなっていく変数である。
【０１０９】
次に、（式８）によりＲｅｆＧ［ｉ］を規格化し、各領域対する重みｗｔ［ｉ］を算出する。
ｗｔ［ｉ］＝ＲｅｆＧ［ｉ］／Σ（ＲｅｆＧ［ｉ］） （ｉ＝１〜５） ・・・（式８）
ただし、Σ（）は、（）内の変数ＲｅｆＧ［ｉ］（ｉ＝１〜５）の総和を求める関数である。
【０１１０】
次に、（式６）で求めたＲｅＳＥＶ［ｉ］を再び用いて、（式９）により被写界全体での反射率補正値ＲｅｆＭａｉｎを算出する。
ＲｅｆＭａｉｎ＝ｌｏｇ２（Σ（ｗｔ［ｉ］＊２＾ＲｅＳＥＶ［ｉ］）） （ｉ＝１〜５） ・・・（式９）
ただし、Σ（）は、（式８）と同様の関数、ｌｏｇ２は、２の対数を表す関数である。
ＲｅｆＭａｉｎを用いて、本発光量補正値ｄｅｌｔａＹを（式１０）により算出する。
ｄｅｌｔａＹ＝ｋｒｍ＊ＲｅｆＭａｉｎ ・・・（式１０）
【０１１１】
反射率とｄｅｌｔａＹの関係を図２１（ｂ）に示す。ここで、ｋｒｍは、反射率の補正度合いを調節する定数でありｋｒｍ＝０．５程度の数値を用いるが、必要に応じて変更可能にしても良い。
【０１１２】
Ｄ−ＴＴＬ制御の場合は、ｗｔ［ｉ］，ｄｅｌｔａＹなどを用いて（式１１）（式１２）によって本発光量倍数Ｋｇｎを算出する。ここで、本発光量倍数Ｋｇｎは、Ｓ１１２の演算結果に対応するものである。
Ｋ＝Σ（２＾（ＧＶ［ｉ］）＊ｗｔ［ｉ］）／（ＧＮｐｒｅ＾２） ・・・（式１１）
ただし、
ＧＶ［ｉ］：演算に用いるエリアのＧＶ値
ｗ［ｉ］：演算に用いるエリアの重み係数
ＧＮｐｒｅ：予備発光時ガイドナンバー
例えばＳＥロックの場合には、ＧＶ［ｉ］は、ＧＶ［３，３］のみを用い、ｗ［３，３］＝１とする。
本発光量倍数値Ｋｇｎは、以下のようにして求まる。
Ｋｇｎ＝１２＊（ｌｏｇ２（Ｋ））＋ｄｅｌｔａＹ）＋１２８ ・・・（式１２）
【０１１３】
リアルタイム調光制御の場合には、ｗｔ［ｉ］，ｄｅｌｔａＹなどを用いて以下のＳａＶ［ｉ］、ＤＡｈｏｎ［ｉ］を算出する。ここで、本発光時の各エリアのＩＣゲインＤＡｈｏｎ［ｉ］は、Ｓ１１１の演算結果に対応するものである。
まず、（式１３）により各エリアのＳａＶ［ｉ］を算出する。
ＳａＶ［ｉ］ ＝ ＳＶ ＋ｌｏｇ２（Ｗｔ［ｉ］） − ｄｅｌｔａＹ ・・・（式１３）
ここで、
ＳＶ：フィルムの感度値（ＡＰＥＸ値）
Ｗｔ［ｉ］：各領域への重み係数
ｄｅｌｔａＹ：調光補正値
【０１１４】
次に、（式１４）により各エリアのＩＣゲインＤＡｈｏｎ［ｉ］を算出する。
ＤＡｈｏｎ［ｉ］ ＝（ｈｏｎ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］−ＳａＶ［ｉ］＊ｈｏｎ＿ｇａｍｍａ）＊Ｔ／Ｔｒｅｆ（ｉ＝１〜５） ・・・（式１４）
ここで、
ｈｏｎ＿ｌｅｖｅｌ［ｉ］：調光レベルの基準値
ｈｏｎ＿ｇａｍｍｍａ：ガンマ調整値
Ｔ：現在の温度
Ｔｒｅｆ：調整時の温度
なお、−ＳａＶ［ｉ］とマイナスになっているのは、図７に示した調光素子１５のＤＡ端子電圧を低くするとゲインが高くなる仕様のためである。
【０１１５】
本実施形態によれば、閃光の測光を行うセンサを、必要に応じて測光素子９及び調光素子１５から選択可能としたので、ＳＥロック機能を備えつつ、ＳＥロック以外の撮影や、撮影者の希望等によって予備発光と本発光の時間間隔が目立たない動作を行うことができる。
また、新フォーマットの予備発光時には、１回目の予備発光の結果に応じて、２回目の予備発光の光量を可変としたので、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得ることができる。
【０１１６】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の均等の範囲内である。
本実施形態において、ＣＣＤ等の撮像素子を用いた電子スチルカメラを例にして説明したが、これに限らず、例えば、銀塩フィルムを露光するカメラにも同様に適用することができる。
【０１１７】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）予備発光の測光を第１閃光測光部と第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択する予備測光選択部を備えたので、必要に応じて最適な予備発光を行うことができる。
【０１１８】
（２）、第１閃光測光部のセンサは、定常光の輝度を測光する定常光測光部のセンサを兼用し、第２閃光測光部のセンサは、本発光の発光中に本発光の被写体反射光を測光して調光を行う閃光調光部のセンサを兼用するので、既存のセンサを有効に利用することができる。
【０１１９】
（３）予備測光選択部によって第１閃光測光部が選択された場合には、予備発光をミラーアップ前に行い、第２閃光測光部が選択された場合には、予備発光をミラーアップ後に行うので、閃光測光部の配置位置に合った制御を行うことができる。
【０１２０】
（４）撮影前に予備発光を単独で行う第１の予備発光モードが実行された場合には、第１閃光測光部を選択し、撮影時に予備発光と本発光とを連続的に行う第２の予備発光モードが実行された場合には、第２閃光測光部を選択するので、ＳＥロックとリアルタイム調光とを両立させることができる。
【０１２１】
（５）予備測光選択部は、装着された閃光発光部に応じて予備発光の測光を第１閃光測光部と第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択するので、どのような閃光発光部が装着された場合であっても、正しく予備発光を行うことができる。
【０１２２】
（６）予備発光の測光を第１閃光測光部と第２閃光測光部とのいずれで行うかに関わらず、同一の制御方式により閃光発光部へ予備発光の指示を行う予備発光制御部を備えるので、システムを簡素化することができる。
【０１２３】
（７）予備発光制御部が行う予備発光の制御方式は、所定光量の第１予備発光を行わせた後に、必要に応じて第２予備発光を行わせる方式であるので、いずれの閃光測光部であっても、確実に予備測光を行うことができる。
【０１２４】
（８）閃光発光部に所定光量の第１予備発光を行わせた後に、必要に応じて光量可変の第２予備発光を行わせる予備発光制御部と、第１予備発光時の閃光測光部の出力に応じて第２予備発光の必要性を判定する予備発光判定部とを備えるので、予備発光に消費するエネルギを最小に押さえつつ、正確な予備測光値を得ることができる。
【０１２５】
（９）予備発光制御部は、第１予備発光時の閃光測光部の出力に応じて第２予備発光の光量を算出するので、第２予備発光の光量を最適な光量で発光することができる。
【０１２６】
（１０）予備発光制御部は、第１予備発光を行う時は、予備発光を指示する情報のみを通信し、第２予備発光を行う時は、予備発光を指示する情報と発光量情報とを通信するので、余計な通信をすることなく、動作を高速にすることができる。
【０１２７】
（１１）閃光発光部は、予備発光に同期した同期信号を発生し、閃光測光部は、同期信号に同期させて測光を行うので、必要な閃光のみを測光することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態の光学系を示した図である。
【図２】本実施形態におけるカメラ本体３０，レンズ本体４０，ＳＢ本体５０の構成を示すブロック図である。
【図３】測光素子９の測光領域を説明する図である。
【図４】測光素子９の動作を説明する図である。
【図５】焦点検出部１６を説明する図である。
【図６】閃光測光部３３の光学系と測光領域の分割形状を示した図である。
【図７】調光素子１５を説明する図である。
【図８】旧フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図９】旧フォーマットの予備発光によるＧＮ制御方式のＴＴＬ調光（以後、Ｄ−ＴＴＬ調光と呼ぶ）の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図１０】新フォーマットの予備発光によるリアルタイムＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図１１】新フォーマットの予備発光によるＤ−ＴＴＬ調光の基本動作をわかりやすく説明したタイミングチャートである。
【図１２】新フォーマットの予備発光を行い、かつ、測光素子９を用いた予備測光方式の基本動作をわかりやすく示したタイミングチャートである。
【図１３】カメラマイコン３１のプログラムを示したフローチャートである。
【図１４】撮影前処理の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１５】予備発光１の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１６】予備発光２の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１７】予備発光３の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１８】予備発光４の制御内容を示したサブルーチンフローチャートである。
【図１９】本実施形態による閃光制御装置の各種パラメータを説明する図である。
【図２０】ＢｖＶ［ｉ］とＢＶ［ｉ］との関係を示す図である。
【図２１】ＲｅｆＧ［ｉ］及びｄｅｌｔａＹを説明する図である。
【図２２】従来技術を説明する図である。
【図２３】従来技術を説明する図である。
【符号の説明】
１ 撮影レンズ
２ メインミラー
３ 拡散スクリーン
４ コンデンサレンズ
５ ペンタプリズム
６ 接眼レンズ
７ 測光用プリズム
８ 測光用レンズ
９ 測光素子
１０ 絞り
１１ シャッター
１２ 撮像素子
１３ サブミラー
１４ 調光用レンズ
１５ 調光素子
１６ 焦点検出部
１７ 閃光発光部
１８ 発光モニター部
３０ カメラ本体
３１ カメラマイコン
３２ 定常光測光部
３３ 閃光測光部
３４ レンズ駆動部
３５ 絞り制御部
３６ 感度設定部
３７ レリーズスイッチ
３８ カスタム設定部
４０ 撮影レンズ本体
４１ レンズマイコン
４２ 距離エンコーダ
５０ ＳＢ本体
５１ ＳＢマイコン
Claims (11)
- 予備発光及び本発光を行う閃光発光部を制御する閃光制御装置であって、
前記閃光発光部による予備発光の被写体反射光を測光する第１閃光測光部と、前記第１閃光測光部とは異なるセンサを用いて前記閃光発光部による予備発光の被写体反射光を測光する第２閃光測光部と、
予備発光の測光を前記第１閃光測光部と前記第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択する予備測光選択部と、
を備えたことを特徴とする閃光制御装置。 - 請求項１に記載の閃光制御装置において、
前記第１閃光測光部のセンサは、定常光の輝度を測光する定常光測光部のセンサを兼用し、
前記第２閃光測光部のセンサは、本発光の発光中に本発光の被写体反射光を測光して調光を行う閃光調光部のセンサを兼用すること、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項１又は請求項２に記載の閃光制御装置において、
閃光制御装置を含む機器は、クイックリターンミラーを備えたカメラであって、
前記予備測光選択部によって前記第１閃光測光部が選択された場合には、予備発光をミラーアップ前に行い、
前記第２閃光測光部が選択された場合には、予備発光をミラーアップ後に行うこと、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、
撮影前に予備発光を単独で行う第１の予備発光モードと、
撮影時に予備発光と本発光とを連続的に行う第２の予備発光モードと、
を備え、
前記予備測光選択部は、前記第１の予備発光モードが実行された場合には、前記第１閃光測光部を選択し、
前記第２の予備発光モードが実行された場合には、前記第２閃光測光部を選択すること、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、
前記閃光発光部は、閃光制御装置を含む機器から着脱可能であって、
前記予備測光選択部は、装着された前記閃光発光部に応じて予備発光の測光を前記第１閃光測光部と前記第２閃光測光部とのいずれで行うかを選択すること、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、
予備発光の測光を前記第１閃光測光部と前記第２閃光測光部とのいずれで行うかに関わらず、同一の制御方式により前記閃光発光部へ予備発光の指示を行う予備発光制御部を備えたこと、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項６に記載の閃光制御装置において、
前記予備発光制御部が行う予備発光の制御方式は、
前記閃光発光部に所定光量の第１予備発光を行わせた後に、必要に応じて第２予備発光を行わせる方式であること、
を特徴とする閃光制御装置。 - 予備発光及び本発光を行う閃光発光部を制御する閃光制御装置であって、
前記予備発光の被写体反射光を測光する閃光測光部と、
前記閃光発光部に所定光量の第１予備発光を行わせた後に、必要に応じて光量可変の第２予備発光を行わせる予備発光制御部と、
前記第１予備発光時の前記閃光測光部の出力に応じて前記第２予備発光の必要性を判定する予備発光判定部と、
を備えたことを特徴とする閃光制御装置。 - 請求項８に記載の閃光制御装置において、
前記予備発光制御部は、前記第１予備発光時の前記閃光測光部の出力に応じて前記第２予備発光の光量を算出すること、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項８又は請求項９に記載の閃光制御装置において、
前記予備発光制御部は、前記第１予備発光を行う時は予備発光を指示する情報のみを通信し、前記第２予備発光を行う時は予備発光を指示する情報と発光量情報とを通信する通信部を有すること、
を特徴とする閃光制御装置。 - 請求項８から請求項１０までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、
前記閃光発光部は、閃光制御装置を含む機器から着脱可能であって、
前記閃光発光部は、予備発光に同期した同期信号を発生し、
前記閃光測光部は、前記同期信号に同期させて測光を行うこと、
を特徴とする閃光制御装置。
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