JP4461523B2 - 閃光制御装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、閃光発光量を最適に制御する閃光制御装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の閃光制御装置は、一眼レフカメラに主に採用されている閃光発光器（以下ＳＢと呼ぶ）の自動調光を行う、いわゆるＴＴＬ調光方式と呼ばれるものがある。この方式は、ＳＢから発光し、被写体から反射してきた光束を撮影レンズを通してリアルタイムで測光し、発光量が適量に達したときに、ＳＢ発光をストップさせる方式である。この方式は、撮影レンズを通った光を測光するので、撮影される領域と測光する領域のずれ（パララックス）が無いことや、撮影者が絞り値を自由に設定可能である点が特に優れている。
【０００３】
また、閃光制御装置は、主にコンパクトカメラ等に採用されているものに、フラッシュマチック方式がある。この方式は、被写体距離Ｘ、絞り値Ｆ、及び、ＳＢ光のガイドナンバーＧＮとが、以下の数式１の関係が成り立つことを利用して、撮影時の被写体距離Ｘとカメラに備わったＳＢのガイドナンバーＧＮとから撮影時の絞り値Ｆを算出するものである。
【０００４】
ＧＮ＝Ｘ・Ｆ …（１）
【０００５】
ところが、前者のＴＴＬ調光方式では、被写体からの反射ＳＢ光が更に撮像面又はフィルム面で拡散反射された光を測光しているために、電子カメラの撮像部のように、ＳＢ光をほとんど拡散反射させないものにおいては、うまく制御することができないといった問題点がある。
しかし、後者のフラッシュマチック方式では、撮影者は、絞り値を自由に選択することができないために、一眼レフカメラ等の高機能カメラには採用することができなかった。
【０００６】
そこで、特開平９−６１９１３号公報の装置では、以下のようなＴＴＬ調光の技術を開示している。
（１）撮影の本発光に先立って行う予備発光時に、カメラ側では撮像面からの反射ではなく、別の場所に設けた受光部で測光し、その受光量から本発光量を演算する。
（２）図２１に示すように、カメラ本体６１は、外付けフラッシュ６３に、本発光量を予備発光量の倍数値（比ｒ）として指示する。
（３）外付けフラッシュ６３は、予備発光量を自分で測定しておき、カメラ本体６１からの倍数値を基にして本発光量を算出し、その発光量で発光する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、前述した従来の装置では、ＳＢ側での予備発光量の測定はよいとして、カメラ側での予備発光測定は、必ずしもうまく行くとは限らない。例えば、
（１）予備発光の最初の方は、発光管のウォームアップ用として測光しない、
（２）測光ＩＣのゲイン設定が適切でなく、反射光を測光できなかった、
（３）被写体の反射率が標準よりも高かったり低かったりして、測光ダイナミックレンジ内に入らなかった、等々である。
【０００８】
測光が失敗した場合には、本発光量を算出できないので、再度予備発光を行ったり、途中からやり直したりする。すると、カメラ側で測光した予備発光量と、ＳＢ側で測光した予備発光量がずれてしまい、カメラからの指示値に対して、正確な本発光量が算出できなくなってしまう。
【０００９】
本発明の目的は、上記のような状況であっても、正確に本発光量を算出可能な閃光制御装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１の発明は、所定発光量の小発光を繰り返して行う予備発光及び本発光を行う閃光発光部（３６）と、前記閃光発光部に予備発光及び本発光を行わせる閃光制御部（３０，３５）と、予備発光時の被写体からの反射光を測光する閃光測光部（２２）と、前記閃光測光部の出力に基づいて、前記閃光発光部で本発光量を算出するための本発光量指示値（ｌｏｇｋｇｎ）を演算する指示値演算部（３０，Ｓ１２）と、前記予備発光時に行った小発光のうちの、前記閃光発光部で本発光量を算出するための基準発光量に対応する小発光を指定する指定情報（ｓｔｎ）を設定する指定情報設定部（３０）と、を備えた閃光制御装置である。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１に記載の閃光制御装置において、前記指定情報設定部は、前記基準発光量の指定として、予備発光時に行った小発光数のうち、無効となる回数を設定すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項２に記載の閃光制御装置において、前記指定情報設定部は、予備発光時に行った小発光のうち、１回目から所定数までの小発光を無効として設定すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１〜２のいずれか一項に記載の閃光制御装置において、前記閃光制御部は、前記閃光測光部が予備発光測光を失敗したときは、前記閃光発光部に再度予備発光を行わせること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項４に記載の閃光制御装置において、前記指定情報設定部は、再度予備発光を行った場合には、１回目から最初の予備発光終了までの小発光を無効として設定すること、を特徴とする閃光制御装置。
【００１５】
請求項６の発明は、請求項１に記載の閃光制御装置において、前記指定情報設定部は、予備発光時の無効発光量を示す情報、及び、有効な予備発光量と本発光量とを関連づける情報を設定すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項１に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部は、装置本体の外部に外付けされており、前記指示値演算部で演算された指示値及び前記指定情報設定部で設定された指定情報を、前記閃光発光部に伝達する伝達部を備え、前記閃光発光部は、前記伝達部が情報伝達に失敗した場合には、本発光時に予め定められた別の発光制御を行うこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１７】
請求項８の発明は、請求項７に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部は、予備発光終了後から所定時間内に、前記伝達部からの情報が来ないか、又は、前記伝達部からの情報が来る前に、本発光開始の指示が来たときには、予め定められた別の発光制御を行うこと、を特徴とする閃光制御装置。
【００１８】
請求項９の発明は、請求項７又は請求項８に記載の閃光制御装置において、前記閃光発光部は、本発光量を演算できない場合には、外部調光方式で制御を行うこと、を特徴とする閃光制御装置である。
【００１９】
請求項１０の発明は、請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、前記閃光測光部は、ＴＴＬ調光を行なうこと、を特徴とする閃光制御装置である。請求項１１の発明は、請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、撮像素子を用いる電子スチルカメラに使用すること、を特徴とする閃光制御装置である。
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、図面などを参照しながら、本発明の実施の形態をあげて、さらに詳しく説明する。
図１は、本発明によるカメラの閃光制御装置の実施形態の光学系を示した図である。
撮影レンズ１を通過した光束は、メインミラー２によって折り曲げられ、拡散スクリーン３上にいったん結像する。その後に、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、接眼レンズ６を通って撮影者の目に到達する。
一方、拡散スクリーン３によって拡散された光束の一部は、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、測光用プリズム７、測光用レンズ８を通して定常光用の測光素子９上へ再結像される。
【００２１】
測光素子９は、例えばＣＣＤ（チャージ・カップルド・デバイス）等の受光素子が用いられており、図３（ａ）に示すように、被写界を２２×１５の３３０領域に分割して測光し、それぞれの測光値を出力可能な構造になっている。
また、それぞれの領域は、図３（ｂ）に示すように、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の３色の測光セルを持ち、それぞれの色に分解して測光可能になっている。
【００２２】
撮影時には、まず、絞り１０が所定値まで絞られると同時に、メインミラー２が跳ね上げられる。その後に、予備発光時には、シャッター１１上に略結像され反射された一部の光束を調光用レンズ１４を通して調光素子１５へ再結像させ、本発光時は、シャッター１１を開き、例えばＣＣＤ（チャージ・カップルド・デバイス）等によって構成される撮像素子１２の受光面上に光束を結像させる。
【００２３】
調光素子１５は、ＳＰＤとＳＰＤからの光電流を蓄積するコンデンサ、増幅アンプ等によって構成され、図５に示すように、領域Ｓ１〜Ｓ５に５分割されており、それぞれ図３のＢ１〜Ｂ５に対応している。
【００２４】
また、メインミラー２は、一部の光を透過するハーフミラーになっており、透過した光束の一部は、サブミラー１３によって下へ折り曲げられ、セパレータレンズ１６を通して、例えばＣＣＤ（チャージ・カップルド・デバイス）等によって構成されるＡＦ用センサ１７へ導かれる。
【００２５】
ＡＦ用センサ１７は、図４に示す被写界の焦点検出領域Ｆ１〜Ｆ５についての焦点状態を検出し、その何れかの領域の焦点が合焦状態になるまで撮影レンズ１を駆動する。どの焦点検出領域を合焦させるかは、撮影者による手動選択、至近選択等がある。
【００２６】
図２は、本発明による閃光制御装置の実施形態の概略の構成を示すブロック図である。カメラ本体５１内の制御は、全てマイクロプロセッサであるカメラマイコン３０によって制御されている。
【００２７】
（測光・露出関連）
定常光測光部２１は、図３に示したように、被写界を２２×１５の３３０分割して測光する回路であり、その測光出力は、カメラマイコン３０へ出力されている。
カメラマイコン３０は、定常光測光部２１からの出力と、撮影レンズ５２に設けられたレンズマイコン３３内に格納された撮影レンズの開放Ｆ値、焦点距離、射出瞳位置などのレンズ情報、感度設定部２５からの撮像素子１２の感度情報等に基づいて、定常光露出に関する適正露出値を算出し、それを絞り値とシャッター値とに分解して、絞り制御部２７やシャッター１１へ出力する。
絞り制御部２７は、レリーズスイッチ２６からのレリーズ信号に応じて、絞り１０の絞り込み／復帰の制御を行う。
【００２８】
（オートフォーカス関連）
焦点検出部２３は、図４に示したように、被写界の５領域についての焦点状態を検出する。その情報は、カメラマイコン３０で処理され、レンズ駆動量となってレンズ駆動部２４へ出力され、更に、レンズ本体５２内のレンズ光学系３１を合焦状態まで駆動する。このとき、レンズ光学系３１の移動量は、距離エンコーダ３２によって検出され、レンズマイコン３１を介して、カメラマイコン３０に伝達される。
【００２９】
（ＳＢ関連）
カメラマイコン３０は、測光値、絞り値、感度値、距離値、閃光発光部３６のバウンス状態などに基づいて、閃光測光部２２の設定ゲインを算出し、閃光測光部２２のゲイン設定を行う。その後に、カメラマイコン３０は、ＳＢ本体５３内のＳＢマイコン３５を通じて、閃光発光部３６を予備発光させ、閃光測光部２２は、被写体反射光を積分する。そして、カメラマイコン３０は、その積分値に基づいて、本発光量指示値を算出し、再び、ＳＢマイコン３５へ本発光量指示値を出力する。
【００３０】
ＳＢマイコン３５は、その本発光量指示値と、発光モニター部３７によって自ら測光した予備発光値とから本発光量を算出し、撮影時の発光トリガ信号（Ｘ信号）によって発光し、発光量を制御する。
【００３１】
図３（ａ）は、測光素子９の分割状態を被写界に照らし合わせて示した図である。測光素子９は、被写界のほぼ全面を３３０分割して測光し、それぞれの測光値を出力できるようになっている。また、測光領域を閃光測光部２２の分割形状に合わせて平均化した領域Ｂ１〜Ｂ５の測光値を出力可能になっている。
図３（ｂ）は、それぞれの測光領域がＲＧＢの３色の測光領域に分割されている所を示した図である。
【００３２】
図４（ａ）は、焦点検出部２３の検出領域を被写界に照らし合わせて示した図である。Ｆ１〜Ｆ５の５領域についての焦点状態をそれぞれ検出可能になっている。
図４（ｂ）は、焦点検出部２３の光学系を詳しく示した図である。焦点検出部２３の光学系は、撮影レンズ１、視野マスク２０、フィールドレンズ１９、セパレータレンズ１６、ＡＦ用センサ１７から構成されている。
【００３３】
図５は、閃光測光部２２の光学系と測光領域の分割形状を示した図である。シャッター面に入射し結像した被写体像を、３連の調光用レンズ１４により調光素子１５上に再結像させ、Ｓ１〜Ｓ５の５領域に分割してそれぞれ光電変換された電荷を蓄積する構成になっている。ここで、Ｓ１〜Ｓ５の各領域と番号の関係は、図３（ａ）における測光領域Ｂ１〜Ｂ５の各領域の番号と対応している。
【００３４】
図６は、調光素子１５の端子とその役割をわかりやすく説明した図である。Ｃ１〜Ｃ５は、それぞれ領域Ｓ１〜Ｓ５の光電流を蓄積する外付けコンデンサ、ＳＣは、ストップ信号を出すためにＳ１〜Ｓ５の光電流を加算して蓄積する外付けコンデンサ、Ｖｒｅｆは、温度比例電圧出力端子、ｓｔｏｐは、ストップ信号出力端子、ＣＳＲ，ＣＳＧ，ＣＬＫは、アンプ・ゲインと読み出しチャンネルの設定を切り替えるための端子である。設定方法は、それぞれ図７及び図８のところで説明する。ＩＳは、蓄積開始／終了を行う端子、ＤＡは、各領域のアンプ・ゲインを入力する端子、ＡＤは、各領域の測光積分値の出力端子である。
【００３５】
図７は、調光素子１５の各領域のアンプ・ゲインの設定方法を示した図である。ＣＳＧ端子をＨレベルにしたまま、ＣＳＲ端子をＬレベルに下げ、その後に、ＣＬＫ端子にクロック信号を入力すると、Ｌレベルへの立ち下がりに同期してチャンネルが切り替わる。
ＣＬＫ端子がＬレベルの間にＤＡ端子を設定ゲインに応じた電圧レベルにすることによって、そのチャンネルのゲインが設定される。Ｃｈ１〜Ｃｈ５は、それぞれＳ１〜Ｓ５に対応している。
【００３６】
図８は、調光素子１５の各領域の測光積分値の読み出し方法を示した図である。ＣＳＲ及びＣＳＧ端子をＬレベルに下げた後に、ＣＬＫ端子にクロック信号を入力すると、Ｌレベルへの立ち下がりに同期してチャンネルが切り替わり、各領域の測光積分値が測光値に応じた電圧レベルとなってＡＤ端子に出力される。
【００３７】
図９は、レリーズ時の動作をわかりやすく説明した図である。レリーズ信号が入力されて絞り込みが完了すると、閃光測光部２２のゲイン設定（ゲイン設定１）が行われる。ゲインの算出方法は、後で詳しく説明する。その後に、閃光発光部３６及び閃光測光部２２のウォーム・アップのために、チョップ発光のカラ打ちが２発行われた後に、ＩＳ端子が立ち下げられて、積分（予備発光積分）が開始されると同時に、予備発光が行われる。
【００３８】
測光積分値が適当なレベルに達したか、チョップ発光の回数が所定値になったところで予備発光が終了し、積分値の読み出し（読み出し１）が行なわれた後に、ＩＳ端子を立ち上げ積分値のリセットを行う。予備発光時の積分値には、ＳＢ光の反射光の他に、定常光成分も含まれているために、予備発光終了後に定常光のみの積分を行い、後の演算処理において、定常光成分を予備発光積分値から差し引く演算を行う。
【００３９】
ゲイン設定２において、定常光積分のためのゲイン設定を行い、その後に、予備発光のときと同様に、ＩＳ端子を立ち下げ、積分（定常光積分）を行う。定常光積分のゲイン設定と積分時間については後述する。定常光積分が終了したら積分値を読み出し（読み出し２）た後に、ＩＳ端子を立ち上げて積分値をリセットする。その後、後述するアルゴリズムによって、本発光量を算出して、その値をＳＢマイコン３５を通じて、閃光発光部３６へ通信し、撮影と同時に本発光制御を行い撮影が終了する。
【００４０】
図１０は、予備発光のやり直しがおこなれた場合の図である。図９に比べて、第１の予備発行後に、ゲイン設定を変えて行う第２の予備発光が行われる部分が異なっている。第２の予備発光時のゲイン設定方法についても後述する。
【００４１】
図１１〜１５は、閃光測光部２２のゲイン設定パラメータとゲインについてわかりやすく示した図である。ゲインは、図５の領域Ｓ１〜Ｓ５について、それぞれ、以下の数式２に基づいて、別々に設定される。
【００４２】
GaV[i]=SvV+GnV+XmV+AvV+BvV[i]+BoV+ReV-Sa[i], i=1..5 …（２）
【００４３】
ここで、GaV[i]の単位は、ＥＶであり、ｉの数値は、それぞれ領域Ｓの番号に対応している。また、GaV[i]の値が大きくなるほど、高いゲインが設定される。数式２の右辺のそれぞれの項について、以下に説明する。
【００４４】
SvV は、撮像素子１２の設定感度による変化量である。図１１に示すように、感度（ＳＶ）が上がるに連れてＳｖＶも大きくなり、ゲインが上がる。これは、感度が高くなると、適正露光を与え得る距離が遠方側に伸びるため、予備発光測光も遠方まで対応させるためである。しかし、感度が高くても近距離での撮影が行われる場合もあるので、あまり感度を上げすぎないように、感度１ＥＶの変化に対して、SvV の値は、１以下になるよう調整されている。
【００４５】
GnV は、予備発光１発光当たりの発光量(GNp1)による変化量である。装着されるＳＢやＳＢ配光角によって、GNp1は、変化するので、その変化分を吸収させ、ＳＢがどの状態にあっても、一定した測光値が得られるようにするためである。そのため、図１２に示すように、GNp1が１ＥＶ大きくなると、GnV は、１ＥＶ小さくなるようになっている。
【００４６】
XmV は、距離による変化量である。どの距離にあっても、一定した測光値が得られるようにするためである。そのため、図１３に示すように、距離が１ＥＶ遠くなる（√２倍の距離）と、XmV も１ＥＶ大きくなるようになっている。
【００４７】
AvV は、絞り値による変化量である。どの絞り値であっても、一定した測光値が得られるようにするためである。そのため、図１４に示すように絞り値が１ＥＶ大きくなる（暗くなる）と、AvV も１ＥＶ大きくなるようになっている。
【００４８】
BvV[i]は、輝度値による変化量である。周囲光の輝度が高くなると、予備発光中にも、閃光測光部２２に周囲光が入ってしまい、ＳＢ反射光の積分値が十分蓄積される前に、ストップ信号が発生し、積分が終わってしまうことがある。そのため、周囲光の輝度が高い場合には、その輝度に応じて、その領域のゲインを下げておく。図１５に示すように、輝度がBvofset を越えたら、その後に、輝度が１ＥＶ増す毎に、ゲインを１ＥＶ下げていき、下げ幅がBvVmaxに達したら、BvV をそこでクリップする。
【００４９】
BoV は、ＳＢがバウンス状態にあるかないかで変わる値である。バウンスでない状態（通常の状態）では０であり、バウンス時は＋２ＥＶとする。これは、バウンス時は、天井などを介して被写体が照明されるので、反射光量が少なくなるためである。
【００５０】
ReV は、予備発光がやり直しされたか否かで変わる値である。１回目の予備発光では０であるが、１回目の予備発光で測光値が飽和してしまった場合には、この値を−３ＥＶとして、ゲインを下げて、２回目の予備発光を行う。
【００５１】
Sa[i] は、撮影レンズの種類と設定絞り値に応じて、算出される補正値である。この補正値は、各エリア毎に求める。実験などによって、あらかじめ算出式を定めておくようにすればよい。
【００５２】
図１６は、本実施形態による閃光制御装置のカメラマイコン３０のプログラムを示したフローチャートである。カメラのレリーズスイッチ２６が半押しされることによって、カメラの電源が入り、本プログラムが実行される。以下ステップ毎に説明する。
【００５３】
Ｓ１０１では、カメラの諸設定（感度、測光モード、露出モードなど）を読み出す。
Ｓ１０２では、レンズ通信により、撮影レンズの焦点距離、開放Ｆ値、射出瞳距離、距離データなどを読み出す。
Ｓ１０３では、ＳＢ通信により、予備発光１発光当たりの発光量(GNp1)、ＳＢの状態（バウンス状態か否か）等を読み出す。
Ｓ１０４では、定常光測光を行い、Ｂ１〜Ｂ５の測光値等を算出する。
Ｓ１０５では、測光値を基に公知の手法により適正露出値Bvans を算出し、露出モードに応じて絞り値、シャッター値を算出する。
【００５４】
Ｓ１０６では、焦点検出を行う。
Ｓ１０７では、焦点検出の状態に応じてデフォーカス量が０になるまでレンズを駆動し、ピントを合わせる。
Ｓ１０８では、合焦位置での撮影レンズのピント距離を被写体距離とみなし、その値をレンズマイコン３３から読み出す。
Ｓ１０９では、レリーズが全押しされたか否かを判定し、肯定の場合には、Ｓ１１０に進み、否定の場合には、Ｓ１２６へジャンプする。
Ｓ１１０では、ミラーアップ、絞り込みを行う。
【００５５】
Ｓ１１１では、予備発光やり直しを示すFLG ＿PRE を０にセットする。
Ｓ１１２では、閃光測光部２２のＩＣゲインを数式２に基づいて算出する。
Ｓ１１３では、予備発光を行う。詳細は後述する。
Ｓ１１４では、閃光測光部２２の測光値から予備発光やり直し判定のための演算を行う。やり直し判定は、予備発光のチョップ発光数が１回（カラ打ち除く）でストップし、かつ、Ｓ１〜Ｓ５の各積分値IGpre[i]が一つでも、あらかじめ記憶された飽和レベルに達していたら、やり直しとする。
Ｓ１１５では、やり直しか否かの判定を行い、肯定の場合には、Ｓ１１６へ進み、否定の場合には、Ｓ１１８へ進む。
【００５６】
Ｓ１１６では、予備発光やり直しを示すFLG ＿PRE を１にセットする。
Ｓ１１７では、やり直しゲイン値ReV を−３にセットする。
Ｓ１１８では、定常光積分を行い積分値IGtei[1]〜IGtei[5]を読み出す。定常光積分は、ゲイン設定及び積分時間を予備発光の場合と等しく設定する。つまり、図９において、tpre＝tteiとする。
Ｓ１１９では、予備発光などで求められた積分値から、各調光領域Ｓ１〜Ｓ５におけるGV[1] 〜GV[5] を算出する。GV[i](i=1..5) とは、各領域における被写体反射率に関係する変数であり、単位ＥＶで表したものである。GV[i] は、以下の数式３によって求める。
【００５７】
GV[i]=log2(GNp1)+log2(Qpre)+GaV[i]+log2(IGstop/IG[i])+Gofset…（３）
【００５８】
ここで、log2は、２を底とした対数を表す。IGstopは、ストップ信号が出るときのIG[i] の理論値である。IG[i]=IGpre[i]-IGtei[i](IG[i]>0)である。
Ｓ１２０では、GV[i] の結果などを基に、後に説明する手法により、各領域の重みwt[i] とレベル補正値delyaYを算出する。
Ｓ１２１では、以下の数式４により、撮影時の本発光量指示値logkgnを算出する。
【００５９】
logkgn=delyaY-log2(GNp1)-log2(Qpre)-log2( Σ(wt[i]/2＾GV[i]))+C …（４）
【００６０】
logkgnは、本発光量を、基準とする予備発光量の何倍とするかを指定する変数であり、その倍数値を２の対数に圧縮して示したものである。ここで、log2は２を底とした対数、Ｃは、オフセット値である。
Ｓ１２２では、本発光量指示値logkgnと無効プリ発光回数stn を、ＳＢマイコン３５へ通信により伝達する。
無効プリ発光回数stn は、予備発光やり直しがなかった場合には、カラ打ち回数（２回）、やり直した場合には、カラ打ち回数と１回目の予備発光回数（１回）の和となる。
Ｓ１２３では、シャッターを開く。
Ｓ１２４では、閃光発光部３６により、本発光の発光量制御、撮像素子１２への露出を行う。
【００６１】
Ｓ１２５では、シャッター、絞り、ミラーを初期位置に復帰させる。
Ｓ１２６では、半押しタイマー起動後、所定時間経過したか否かを判別し、所定時間内であれば、ステップＳ１０１へ戻って処理を繰り返し、タイマー切れであれば、処理を終了する。
【００６２】
図１７は、本実施形態による閃光制御装置の予備発光の方法を示したフローチャートである。
Ｓ２０１では、以下の数式５によって、実際に調光素子１５に設定するゲインDApre[i]を算出する。
【００６３】
DApre[i]＝（pre ＿level[i]−GaV[i]*pre＿gamma ）*T/Tref （i=1 〜5 ） …（５）
【００６４】
ここで、pre ＿level[i]は、予備発光調光レベルの基準値、pre ＿gammmaは、ガンマ調整値、T は、現在の温度、Trefは、調整時の温度をそれぞれ示している。また、-GaV[i] とマイナスになっている理由は、図６に示した調光素子１５のＤＡ端子電圧を低くすると、ゲインが高くなる仕様のためである。
【００６５】
Ｓ２０２では、カラ打ちを２回行う。
Ｓ２０３では、trpeの計時を開始する。ＩＳ＝Ｌとして積分を開始する。
Ｓ２０４では、プリ発光数を示す変数Qpreに０をセットする。
【００６６】
Ｓ２０５では、Qpreに１を加算する。
Ｓ２０６では、発光量GNp1でチョップ発光する。
Ｓ２０７では、ストップ信号が出たかを判定し、肯定の場合には、Ｓ２０９にジャンプし、否定の場合には、Ｓ２０８へ進む。
Ｓ２０８では、プリ発光数がQpremax 回に達したかを判定し、肯定の場合には、Ｓ２０９に進み、否定の場合には、Ｓ２０５へ戻る。
Ｓ２０９では、tpreの計時を終了する。
Ｓ２１０では、積分値IGpre[i]を読み出し、IGpre[i]へ格納した後に、リターンする。
【００６７】
次に、図１６のステップＳ１２０のwt[i] 、deltaY算出方法について説明する。まず、数式３で求められた各領域のGV[i] を用いて、各領域の被写体反射率RefEV[i]を、数式６を用いて算出する。
【００６８】
RefEV[i]＝２* Ｘ＋AV−GV[i](i=1..5) …（６）
【００６９】
ただし、Ｘは、撮影距離（単位は、ｍ）、AVは、撮影絞り値（単位は、ＡＶ）である。
ここで、RefEV[i]は、反射率が標準値であった場合は０、反射率が標準よりも＋１段高かった場合は＋１、同様に、−１段低かった場合には−１となるような変数である。
【００７０】
次に、RefEV[i]を用いて、反射率に応じた各領域に対する重み付け数RefG[i] を数式７を用いて算出する。
【００７１】
RefG[i] ＝１／（２＾（Abs （RefG[i])）） (i=1..5) …（７）
【００７２】
ただし、Abs （ ）は、（ ）内の絶対値を求める関数である。RefG[i] は、図１９に示すように、被写体の反射率が標準値の場合には、１、また、標準値からから離れるに従って小さくなっていく変数である。
次に、数式８により、RefG[i] を規格化し、各領域対する重みwt[i] を算出する。
【００７３】
wt[i] ＝RefG[i] ／Σ（RefG[i] ） (i=1..5) …（８）
【００７４】
ただし、Σ（ ）は、（ ）内の変数RefG[i] (i=1..5)の総和を求める関数である。
次に、数式６で求めたRefEV[i]を再び用いて、数式９により被写界全体での反射率補正値RefMain を算出する。
【００７５】
RefMain ＝log2（Σ(wt[i]* ２＾RefEV[i]) ）(i=1..5) …（９）
【００７６】
ただし、Σ（ ）は、数式８と同様の関数であり、log2は、２の対数を表す関数である。
次いで、RefMain を用いて、本発光量補正値deltaYを、数式１０により算出する。
【００７７】
deltaY＝krm*RefMain …（１０）
【００７８】
反射率とdeltaYの関係を図２０に示す。ここで、krm は、反射率の補正度合いを調節する定数でありkrm ＝０．５程度の数値を用いるが、必要に応じて変更可能にしてもよい。
【００７９】
図１８は、本実施形態による閃光制御装置の本発光の動作を示したフローチャートである。
Ｓ３０１では、本発光量演算のためのlogkgn、stn が通信されたか否かを判定し、肯定の場合には、Ｓ３０２に進み、否定の場合には、Ｓ３０３へ進む。
Ｓ３０２では、本発光量を算出する。
Ｓ３０３では、通信データが来ない場合には外部調光モードにセットする。外部調光モードとは、ＳＢ本体５３に内蔵されたセンサ（不図示）によって被写体からの反射光を検出し、その反射光が一定値に達したら、発光をストップするモードである。
Ｓ３０４では、発光トリガ（Ｘ信号）が来たかを判定し、肯定の場合には、Ｓ３０５に進み、否定の場合には、Ｓ３０１へ戻る。
Ｓ３０５では、セットされたモードで本発光制御を行う。
【００８０】
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それも本発明の均等の範囲内である。
（１）ＣＣＤ等の撮像素子を用いた電子スチルカメラを例にして説明したが、銀塩フィルムを露光するカメラにも同様に適用することができる。
（２）外付けのＳＢを例にして説明したが、内蔵ＳＢにも適用できる。ＳＢは、１灯の場合を例にしたが、多灯の場合にも適用できる。
【００８１】
（３）小発光は、ＦＰ発光の場合も含むものであり、この場合には、発光の繰り返しの周期が短いので、小発光の繰り返し回数を、最初から何秒をカットする等と時間で指定すればよい。
（４）無効にする小発光は、１回目から所定数までと指定した例で説明したが、何発光目から何発光目までのような指定の方法でもよい。また、最後の小発光を除いた回数を指定することもできる。
また、無効となる小発光を指定する例で説明したが、「何発光目から何個を使用する」という有効な個数を指定してもよい。
【００８２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、閃光発光部で本発光量を算出するための本発光量指示値を演算すると共に、その本発光量を算出するための基準発光量に関する指定情報を設定するようにしたので、測光が失敗して、再度予備発光を行ったり、途中からやり直したりした場合であっても、本発光量指示値に対して、正確な本発光量の算出が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による閃光制御装置の実施形態の光学系を示した図である。
【図２】本実施形態による閃光制御装置の構成を示すブロック図である。
【図３】本実施形態による閃光制御装置の定常光測光部の分割形状を示す図である。
【図４】本実施形態による閃光制御装置の焦点検出部の領域と光学系を示した図である。
【図５】本実施形態による閃光制御装置の閃光測光部の光学系及び分割形状を示した図である。
【図６】本実施形態による閃光制御装置の調光素子の端子とその動作をわかりやすく示した図である。
【図７】本実施形態による閃光制御装置の調光素子の端子とその動作をわかりやすく示した図である。
【図８】本実施形態による閃光制御装置の調光素子の端子とその動作をわかりやすく示した図である。
【図９】本実施形態による閃光制御装置の発光動作をわかりやすく説明した図である。
【図１０】本実施形態による閃光制御装置の発光動作をわかりやすく説明した図である。
【図１１】本実施形態による閃光制御装置の各種条件とゲインの関係を簡潔に示した図である。
【図１２】本実施形態による閃光制御装置の各種条件とゲインの関係を簡潔に示した図である。
【図１３】本実施形態による閃光制御装置の各種条件とＳＢ光の到達距離との関係を簡潔に示した図である。
【図１４】本実施形態による閃光制御装置の各種条件とゲインの関係を簡潔に示した図である。
【図１５】本実施形態による閃光制御装置の各種条件とＳＢ光の到達距離との関係を簡潔に示した図である。
【図１６】本実施形態による閃光制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１７】本実施形態による閃光制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１８】本実施形態による閃光制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図１９】反射率と各変数との関係を簡潔に示した図である。
【図２０】反射率と各変数との関係を簡潔に示した図である。
【図２１】従来例による閃光制御装置を示した図である。
【符号の説明】
１ 撮影レンズ
２ メインミラー
３ 拡散スクリーン
４ コンデンサレンズ
５ ペンタプリズム
６ 接眼レンズ
７ 測光用プリズム
８ 測光用レンズ
９ 測光素子
１０ 絞り
１１ シャッター
１２ 撮像素子
１３ サブミラー
１４ 調光用レンズ
１５ 調光素子
１６ セパレータレンズ
１７ ＡＦ用センサ
１８ 閃光発光部
１９ フィールドレンズ
２０ 絞りマスク
２１ 定常光測光部
２２ 閃光測光部
２３ 焦点検出部
２４ レンズ駆動部
２５ 感度設定部
２６ レリーズ・スイッチ
２７ 絞り制御部
３０ カメラマイコン
３１ レンズ光学系
３２ 距離エンコーダ
３３ レンズマイコン
３５ ＳＢマイコン
３６ 閃光発光部
３７ 発光部モニタ

Claims (11)

1. 所定発光量の小発光を繰り返して行う予備発光及び本発光を行う閃光発光部と、
   前記閃光発光部に予備発光及び本発光を行わせる閃光制御部と、
   予備発光時の被写体からの反射光を測光する閃光測光部と、
   前記閃光測光部の出力に基づいて、前記閃光発光部で本発光量を算出するための本発光量指示値を演算する指示値演算部と、
   前記予備発光時に行った小発光のうちの、前記閃光発光部で本発光量を算出するための基準発光量に対応する小発光を指定する指定情報を設定する指定情報設定部と、
   を備えた閃光制御装置。
2. 請求項１に記載の閃光制御装置において、
   前記指定情報設定部は、前記基準発光量の指定として、予備発光時に行った小発光数のうち、無効となる回数を設定すること、
   を特徴とする閃光制御装置。
3. 請求項２に記載の閃光制御装置において、
   前記指定情報設定部は、予備発光時に行った小発光のうち、１回目から所定数までの小発光を無効として設定すること、
   を特徴とする閃光制御装置。
4. 請求項１〜２のいずれか一項に記載の閃光制御装置において、
   前記閃光制御部は、前記閃光測光部が予備発光測光を失敗したときは、前記閃光発光部に再度予備発光を行わせること、
   を特徴とする閃光制御装置。
5. 請求項４に記載の閃光制御装置において、
   前記指定情報設定部は、再度予備発光を行った場合には、１回目から最初の予備発光終了までの小発光を無効として設定すること、
   を特徴とする閃光制御装置。
6. 請求項１に記載の閃光制御装置において、
   前記指定情報設定部は、予備発光時の無効発光量を示す情報、及び、有効な予備発光量と本発光量とを関連づける情報を設定すること、
   を特徴とする閃光制御装置。
7. 請求項１に記載の閃光制御装置において、
   前記閃光発光部は、装置本体の外部に外付けされており、
   前記指示値演算部で演算された指示値及び前記指定情報設定部で設定された指定情報を、前記閃光発光部に伝達する伝達部を備え、
   前記閃光発光部は、前記伝達部が情報伝達に失敗した場合には、本発光時に予め定められた別の発光制御を行うこと、
   を特徴とする閃光制御装置。
8. 請求項７に記載の閃光制御装置において、
   前記閃光発光部は、予備発光終了後から所定時間内に、前記伝達部からの情報が来ないか、又は、前記伝達部からの情報が来る前に、本発光開始の指示が来たときには、予め定められた別の発光制御を行うこと、
   を特徴とする閃光制御装置。
9. 請求項７又は請求項８に記載の閃光制御装置において、
   前記閃光発光部は、本発光量を演算できない場合には、外部調光方式で制御を行うこと、
   を特徴とする閃光制御装置。
10. 請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、
    前記閃光測光部は、ＴＴＬ調光を行なうこと、
    を特徴とする閃光制御装置。
11. 請求項１から請求項１０までのいずれか１項に記載の閃光制御装置において、
    撮像素子を用いる電子スチルカメラに使用すること、
    を特徴とする閃光制御装置。

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