JP2001042396A - 閃光制御装置 - Google Patents
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Abstract
とともに、全ての領域で、予備発光時の測光出力を適正
な値とすることを可能にする。 【解決手段】 被写界を複数に分割した分割測光領域に
よって測光可能であり、撮影直前に行われる予備発光の
被写体からの反射光を測光する閃光測光部26と、閃光
測光部26の出力に基づいて、撮影時の閃光発光量を算
出する発光量演算部30と、発光量演算部30の出力に
応じた発光量によって発光を行う閃光発光部27と、予
備発光時に用いられる閃光測光部26のゲインを演算す
るゲイン演算部29と、閃光測光部26の各分割測光領
域に対して、ゲイン演算部29で演算した2以上のゲイ
ンを設定し、閃光発光部27に予備発光を行わせる発光
制御部25とを備えた。
Description
に制御する閃光制御装置に関するものである。
れている閃光発光器(以下、SBと呼ぶ)の自動調光を
行う閃光制御装置は、いわゆるTTL調光方式と呼ばれ
るものである。この方式は、SBから発光し、被写体か
ら反射してきた光束を撮影レンズを通してリアルタイム
に測光し、発光量が適量に達したときに、SB発光をス
トップさせる方式である。この方式は、撮影レンズを通
った光束を測光するので、撮影される領域と測光する領
域のずれ(パララックス)が無いことや、撮影者が絞り
値を自由に設定可能である点が特に優れている。
方式では、被写体からの反射光は、撮影レンズを透過し
た後に、さらに、フィルム面に反射した光量を測光する
ために、フィルムの反射率の違いによって、露出誤差が
出るという短所がある。
の、例えば、電子スチルカメラにおけるCCD等である
場合には、その表面は、透明なシールガラス等である。
そして、CCDの受光面自体も、その反射率は、フィル
ム面に比べて相当に低く(ほとんど光が反射しない)、
反射の拡散特性もほとんど広がりがない。このため、レ
ンズ透過光の反射が測光系にほとんど入らなくなり、正
確な測光をすることができない、という問題を生じる。
号は、TTL調光方式において、撮影直前に、本露光に
先立って予備発光を行い、シャッタ幕面によるその反射
光を分割測光し、その測光出力に基づいて、撮影時の閃
光発光量(本発光量)を算出して、その演算結果に応じ
た発光量で発光を行う閃光制御装置を既に提案してい
る。これにより、レンズからの透過光をほとんど反射し
ないCCD等の撮像素子を撮影媒体としたカメラであっ
ても、TTL調光を行うことができる。
レンズの絞りが絞り込まれているほどシャッター幕面の
照度が低下することから、それを補うために、絞りに応
じた閃光測光部のアンプゲインを設定し、絞り込まれて
照度が低下する場合は、ゲインを大きくして、測光出力
の低下を補うことが行われている。
力が一様な輝度面の測光時に等しくなるように、微少な
補正がされることはあっても、基本的には、各分割測光
領域に対して一律な値としている。このために、各領域
に対応した被写体の反射率の分布に大きな違いがある場
合に、一の測光領域では、予備発光時に十分な測光出力
が得られたのに、他の測光領域では、被写体の反射率が
低いために、十分な測光出力が得られなかったり、逆
に、反射率が高すぎて出力が大きすぎ、飽和(オーバー
フロー)してしまうこともあり得た。
が終了すると、閃光測光部からの予備発光積分値に基づ
いて、第2の予備発光が必要か否かを判定する判定部を
備え、閃光測光部から最初の予備発光積分値を入力し、
第2の予備発光が必要か否かを判定し、その判定結果に
より第2の予備発光が必要であった場合には、再び、閃
光測光部のゲイン設定を行い、第1の予備発光と同様な
方法で第2の予備発光を行うこととしている。第2の予
備発光でのゲイン設定は、最初の第1の予備発光の測光
結果で光量不足又は飽和の領域の出力が正確に測光でき
るようになる方向へゲインを変化させる。
の結果で飽和又は光量不足の領域があった場合には、必
ず、第2の予備発光を行わなければならず、それだけ本
発光の前に時間を要することになり、レリーズからスト
ロボ本発光、すなわち露光までの、いわゆるカメラのレ
リーズタイムラグが長くなってしまう、という問題点が
あった。
も、閃光測光部のゲイン設定が全領域で一定であるため
に、第1の予備発光の測光結果において、被写体の反射
率分布がある程度正確にわかったとしても、それが領域
ごとに著しく異なる場合などは、設定ゲインを変更させ
たとしても、結局、全ての領域で正確な測光値が得られ
ない場合が生じる、という問題もあった。
ラグを極力短くするとともに、全ての閃光測光領域で、
予備発光時の測光出力を適正な値とすることができる閃
光制御装置を提供することである。
に、請求項1の発明は、被写界を複数に分割した分割測
光領域によって測光可能であり、撮影直前に行われる予
備発光の被写体からの反射光を測光する閃光測光部(2
6)と、前記閃光測光部の出力に基づいて、撮影時の閃
光発光量を算出する発光量演算部(30)と、前記発光
量演算部の出力に応じた発光量によって発光を行う閃光
発光部(27)と、前記予備発光時に用いられる前記閃
光測光部のゲインを演算するゲイン演算部(29)と、
前記閃光測光部の各分割測光領域に対して、前記ゲイン
演算部で演算した2以上のゲインを設定し、前記閃光発
光部に予備発光を行わせる発光制御部(25)と、を備
えた閃光制御装置である。
制御装置において、前記発光制御部は、前記閃光測光部
の分割測光領域ごとに、ゲインの変更を行うことを特徴
とする閃光制御装置である。
制御装置において、前記ゲイン演算部は、前記被写界の
定常光を前記閃光測光部の分割測光領域に対応した複数
の領域に分割して測光した測光出力に応じて、前記閃光
測光部の分割測光領域ごとにゲインを演算することを特
徴とする閃光制御装置である。
制御装置において、前記ゲイン演算部は、1回目の予備
発光の前記閃光測光部の測光出力に応じて、前記閃光測
光部の分割測光領域ごとにゲインを演算し、前記発光制
御部は、前記閃光測光部をその演算結果のゲインに設定
して、前記閃光発光部に2回目の予備発光を行わせるこ
とを特徴とする閃光制御装置である。
制御装置において、前記閃光測光部の分割測光領域の少
なくとも一部に対応した複数の焦点検出領域を有する焦
点検出部(20)をさらに備え、前記発光制御部は、前
記焦点検出部の焦点状態信号に基づいて、前記閃光測光
部の分割測光領域のゲイン設定を行うことを特徴とする
閃光制御装置である。
制御装置において、前記発光制御部は、前記閃光測光部
によって測光する前記定常光測光出力のうち、最高輝度
及び/又は最低輝度の領域が前記焦点検出部の焦点状態
信号により焦点の合っている領域でない場合には、その
領域の定常光測光出力をゲイン設定に使用しないことを
特徴とする閃光制御装置である。
制御装置において、前記発光制御部は、前記閃光発光部
に第1予備発光及び第2予備発光を行わせ、前記閃光測
光部は、前記第1予備発光時に測光すると共に、前記第
2予備発光時に前記第1予備発光の出力に基づいて、前
記発光制御部で設定されたゲインを用いて測光すること
を特徴とする閃光制御装置である。
実施形態について説明する。 (第1実施形態)図1は、本発明に係わるカメラの閃光
制御装置の第1実施形態の光学系を示した図である。撮
影レンズ1を通過した光束は、クイックリターンミラー
2によって折り曲げられ、拡散スクリーン3上にいった
ん結像する。その後に、コンデンサレンズ4、ペンタプ
リズム5、接眼レンズ6を通って撮影者の目に到達す
る。一方、拡散スクリーン3によって拡散された光束の
一部は、コンデンサレンズ4、ペンタプリズム5、測光
用プリズム7、測光用レンズ8を通して定常光用の測光
素子9上へ再結像される。
フォト・ダイオード)等の受光素子が用いられており、
図3に示すように、被写界をB1〜B10の10領域に
分割して測光し、それぞれの測光値を出力可能な構造に
なっている。小さな領域B6〜B10は、AF(オート
フォーカス)の焦点検出をする領域に対応しており、多
点のAF領域に対応した領域の明るさを測光する。
絞られると同時に、クイックリターンミラー2が跳ね上
げられる。その後に、SB15による予備発光時には、
シャッター11上に略結像され反射された一部の光束
を、調光用レンズ12を通して調光素子13へ再結像さ
せる。SB15による本発光時は、シャッター11を開
き、例えばCCD(チャージ・カップルド・デバイス)
等によって構成される撮像素子14の受光面上に光束を
結像させる。
光電流を蓄積するコンデンサと、増幅アンプ等とによっ
て構成され、図4に示すように、定常光用の測光素子9
の大きな分割領域B1〜B5と略同一の分割形状をして
おり、領域S1〜S5は、それぞれ図3のB1〜B5と
対応している。また、クイックリターンミラー2は、一
部の光を透過するハーフミラーになっており、透過した
光束の一部は、サブミラー16によって下へ折り曲げら
れ、焦点検出部17へ導かれる。焦点検出部17は、図
3に示す被写界の焦点検出領域領域B6〜B10での焦
点状態を検出し、そのうちの一つの領域において、合焦
状態になるまで撮影レンズ1が駆動される。
の概略構成を示すブロック図である。定常光測光部21
は、図3に示したように、被写界を10分割して測光す
る回路であり、その測光出力は、露出演算部22へ出力
される。露出演算部22は、定常光測光部21からの出
力と、撮影レンズに設けられたマイクロプロセッサであ
るレンズマイコン31内に格納された撮影レンズの開放
F値、焦点距離、射出瞳位置などのレンズ情報と、感度
設定部28からの撮像素子14の感度情報とに基づい
て、定常光露出に関する適正露出値を算出し、それを絞
り値とシャッター値とに分解してシーケンス制御部24
等へ出力する回路である。
チ23よりレリーズ信号を入力すると、図1に示すクイ
ックリターンミラー2を跳ね上げ、絞り10を絞り込ん
だ後に、発光制御部25へ予備発光の指示を出し、その
後にシャッター11を所定値に制御すると同時に、再び
発光制御部25へ本発光の指示を出すなどの一連の動作
の制御を行う回路である。
ケンス制御部24、ゲイン演算部29、感度設定部28
などからの信号に基づいて、閃光測光部26、閃光発光
部27等を制御する回路である。
閃光測光部26の出力に基づいて、露出演算部22(場
合によっては、AF制御部20)の情報に応じて、閃光
測光各領域におけるゲインを演算する回路であり、その
出力は、発光制御部25に接続されている。
制御部24から予備発光の指示を入力すると、露出演算
部22からの絞り値情報、定常測光部21からの各領域
における被写体の輝度情報に基づいて、ゲイン演算部2
9が算出した各領域でのゲイン値に応じて、閃光測光部
26の各領域のゲイン設定を行い、その後に、閃光発光
部27(図1のSB15)を所定ガイドナンバーによっ
てチョップ発光させる予備発光を行う。そして、閃光測
光部26から受光量が所定値になったことを示すストッ
プ信号が発生するか、又は、チョップ発光の回数が所定
値になるまで、引き続き閃光発光部27のチョップ発光
を行う。
の予備発光積分値、定常光測光部21からの測光値、レ
ンズマイコン31からのピント距離値、露出演算部22
からの絞り値、感度設定部28からの感度値等に基づい
て、本発光量を演算し、その値を閃光発光部27へ出力
する回路である。予備発光が終了してシャッター11が
全開し、本発光の指示が発光制御部25から閃光発光部
27へと出力されると、閃光発光部27は、発光量演算
部30によって算出された本発光量によって、本発光を
行い撮像素子14への露光を行う。
域の分割形状を示した図である。閃光測光部26の光学
系は、シャッター面に入射し結像した被写体像を、3連
の調光用レンズ12により、調光素子13上に再結像さ
せ、S1〜S5の5領域に分割してそれぞれ光電変換さ
れた電荷を蓄積する構成になっている。ここで、S1〜
S5の各領域と番号の関係は、図3における測光領域B
1〜B5の各領域と番号に対応している。
役割をわかりやすく説明した図である。C1〜C5は、
それぞれ領域S1〜S5の光電流を蓄積する外付けコン
デンサ、SCは、ストップ信号を出すために、S1〜S
5の光電流を加算して蓄積する外付けコンデンサ、Vr
efは、温度比例電圧出力端子、stopは、ストップ
信号出力端子、CSR,CSG,CLKは、アンプ・ゲ
インと読み出しチャンネルの設定を切り替えるための端
子である。設定方法は、それぞれ図5(b)、および
(c)の所で説明する。ISは、蓄積開始/終了を行う
端子、DAは、各領域のアンプ・ゲインを入力する端
子、ADは、各領域の測光積分値の出力端子である。
ンプ・ゲインの設定方法を示した図である。チャンネル
は、CSG端子をHレベルにしたまま、CSR端子をL
レベルに下げ、その後にCLK端子にクロック信号を入
力すると、Lレベルへの立ち下がりに同期して切り替わ
る。そのチャンネルのゲインは、CLK端子がLレベル
の間に、DA端子を設定ゲインに応じた電圧レベルにす
ることによって設定される。Ch1〜Ch5は、それぞ
れS1〜S5に対応している。
光積分値の読み出し方法を示した図である。チャンネル
は、CSR及びCSG端子をLレベルに下げた後に、C
LK端子にクロック信号を入力すると、Lレベルへの立
ち下がりに同期して切り替わり、各領域の測光積分値が
測光値に応じた電圧レベルとなってAD端子に出力され
る。
説明した図である。レリーズ信号が入力されて絞り込み
が完了すると、発光制御部25は、予備発光のためのゲ
イン設定(ゲイン設定1:設定の仕方については、後述
する)を行い、閃光発光部27及び閃光測光部26のウ
ォーム・アップのために、チョップ発光の2発カラ打ち
を行った後に、IS端子を立ち下げて積分を開始すると
同時に予備発光を行う。
ョップ発光の回数が所定値になったところで予備発光を
終了し、積分値(積分1)の読み出し(読み出し1)を
行なった後にIS端子を立ち上げ、積分値のリセットを
行う。予備発光時の積分値には、SB光の反射光の他に
定常光成分も含まれているために、予備発光終了後に定
常光のみの積分を行い、後の演算処理において、定常光
成分を予備発光積分値から差し引く演算を行う。
のゲイン設定を行い、その後、予備発光のときと同様に
IS端子を立ち下げ、定常光積分(積分2)を行う。定
常光積分のゲイン設定と積分時間は、予備発光時と同じ
とする。
た(読み出し2)後に、IS端子を立ち上げて積分値を
リセットする。その後に、後述するアルゴリズムによっ
て本発光量を算出して、その値を閃光発光部27へ設定
し、撮影と同時に本発光制御を行い撮影が完了する。
ーチャート図である。カメラのレリーズスイッチ23が
半押しされることによってカメラの電源が入り、本プロ
グラムが実行される。まず、ステップS101におい
て、撮影レンズ内に設けられたレンズマイコン31と通
信を行い、撮影レンズの開放F値、焦点距離、射出瞳位
置等の情報を読み込む。次に、ステップS102におい
て、感度設定部28より手動又は自動によって設定され
た感度値を読み込む。さらに、ステップS103で測光
素子9により定常光測光を行い、ステップS101で読
み込んだレンズ情報による補正を行って、B1〜B5の
輝度情報を求め、その値を基に公知の手法によって、定
常光露出演算を行い適正露出値BVans を求める。ステ
ップS104では、BVans とフィルム感度値とから撮
影時の絞り値とシャッター値とを算出する。
よって焦点検出を行い、ステップS106において算出
されたデフォーカス量が0になるまで撮影レンズ1を駆
動する。ステップS107では、合焦位置での撮影レン
ズ1のピント距離を被写体距離と見なし、その値をレン
ズマイコン31から読み出す。そして、ステップS10
8において、レリーズスイッチ23が全押しされたか否
かを判別し、全押しの場合には、ステップS109へ進
み、そうでない場合には、ステップS121へジャンプ
する。ステップS109では、クイックリターンミラー
2を跳ね上げ、絞り10をステップS104で求められ
た値まで絞り込む。
S1〜S5の測光積分値IG1(1)〜IG1(5)を
算出する。この予備発光の方法は、後に説明する。
において、定常光積分を行い、積分値Ipst(1)〜Ipst
(5)を読み出す。定常光積分は、ゲイン設定及び積分時
間は、予備発光と等しく設定する。つまり、図6におい
て、tpre2=tpre1である。
められた積分値から、各調光領域S1〜S5におけるG
Nrtn (n)を算出する。GNrtn とは、各領域が標準
反射率の被写体であった場合に、感度がISO100換
算で標準露光量を与えるSBのガイドナンバーである。
ステップS115では、本発光量を算出する上で有害と
なる異常反射率領域を検出するいわゆるHi/Loカッ
トの演算を行う。ステップS116では、GNrtn、
Hi/Loカット判定の結果などを基に、撮影時の本発
光量を算出し、ステップS117において、その値を閃
光発光部27へ通信等により伝達させる。
ッターを開き、ステップS119において、本発光のS
B制御を行う。本発光終了後は、ステップS120にお
いて、シャッター、絞り、ミラーを初期位置に復帰させ
る。ステップS121では、半押しタイマー起動後に所
定時間が経過したか否かを判別し、所定時間内であれば
ステップS101へ戻って処理を繰り返し、タイマー切
れであれば処理を終了する。
ブルーチン・フローチャートである。図7のステップS
110が実行されることにより、本サブルーチンが呼び
出されて実行される。まず、ステップS201におい
て、1発光あたりのガイドナンバーGNp1を閃光発光部
27から読み込む。このガイドナンバーは、感度がIS
O100であった場合の値とする。次に、ステップS2
02により、予備発光時のアンプゲインGpre(n)を設定
する。ゲイン設定のサブルーチンについては、後述す
る。
管のウォームアップのために2回のカラ打ち発光をした
後に、ステップS204によって、予備発光回数を示す
変数Qpre を0にセットし、予備発光時間tpre1の計時
を開始すると共に、調光素子13のIS端子をLにして
積分を開始する。
加える。ステップS206では、ガイドナンバーGNp1
において、予備発光を行い、ステップS207におい
て、ストップ信号が出たか否かを判定し、ストップ信号
が出た場合には、次のステップをとばしてステップS2
09へ進み、そうでない場合は、ステップS208へ進
み、予備発光回数Qpre が最高回数の8回に達したか否
かを判定する。8回に達したときには、予備発光を終了
してステップS209へ進み、そうでない場合には、ス
テップS205へ戻り予備発光を繰り返す。予備発光量
の総和の上限を設けているので、本発光時の発光光量を
確実に確保できる。
おいて、予備発光数を示す変数Qpre1にQpre を代入
し、ステップS210において、予備発光時間tpre1の
計時を終了する。そして、ステップS211において、
調光領域S1〜S5に対応した積分値IG1(1) 〜IG
1(5) を読み出して処理を終了する。
サブルーチンを示すフローチャートである。S202に
おける予備発光時のアンプゲインの設定(ゲイン設定
1)は、各領域が標準反射率に近い被写体であって、各
領域における反射率にあまり差のない状態では、各領域
のアンプゲインは一律でよく、例えば、特願平10−3
63732号で示したように、以下の式により決定す
る。
り、それぞれの番号は、図4に示した領域に対応してい
る。また、AVは、設定された絞り値のアペックス値
(単位:EV)、Sα(n) は、各領域毎の出力をそろえ
るための補正値、Lev,γは、ストップ信号が適正な受
光量で出るための係数である。また、Log2(1/5) の項
は、5領域の積分値の総和が適切な受光量になるための
補正項である。アンプのゲインGpre は、値が小さくな
るほど高ゲインになるように構成されているので、AV
値が大きい程、つまり絞りが絞り込まれているほど、大
きなゲインを設定するようになっている。これは、絞り
込まれているほど、シャッター面の照度が低下するの
で、それを補うためである。
とに標準反射率からかなり違っていると予想される場合
には、測光出力が飽和又は十分でないことがないよう
に、この標準値から各領域に対応するゲインを、あらか
じめ領域ごとに変化させることとする。被写体の反射率
分布は、予備発光すればその測光結果からかなり正確に
知ることができるが、予備発光前であっても、定常光測
光部の出力からその概略を予想することが可能である。
多くの場合、被写体は、一様な定常光を受けていると考
えられるので、反射率の高い被写体ほど、定常光測光の
出力は高くなり、逆に、反射率の低い被写体ほど、その
出力は低くなると推測されるので、定常光測光出力の分
布から、おおよその被写体の反射率に応じたゲイン設定
ができる。
V(n) を読み込む。そして、S302において、Goffs
et(n) を計算する。定常光の測光出力から予備発光時の
アンプゲインを領域ごとに設定するには、例えば、以下
のようにする。各領域の定常測光出力BV(n) (n=1
…10)すると、図3のB1と、B6〜B10とを、合
わせた中央の部分C(センター)を、BV(c) とする
と、次式で表すことができる。
面積比 例えば、B1=N・B6,B6=B7=・・・=B10
最大値をBVmax 、最小値をBVmin としたとき(高輝
度限界、低輝度限界をあらかじめ決めておき、それを超
えた場合は、それぞれの限界値をBVmax 、BVmin と
する、いわゆる高輝度カット、低輝度カットを行えば、
高輝度又は低輝度被写体の影響を少なくできる)、各領
域の設定ゲインの補正量Goffset(n) は、次式から求め
ることができる。
輝度カット込み) H:ゲインを変化させることのできる最大幅 また、BVmax −BVmin のときには、Goffset(n) =
0とする。
を、(1)式の標準ゲインに加えれることにより、各領
域でのゲインGprenN(n) を設定することができる。つ
まり補正後のゲインは、次式のようにすればよい。
行う。これにより、平均輝度値BVave に近い領域は、
Goffset(n) がほぼ0なので標準ゲインが設定され、B
Vmax の領域ではGoffset(n) が最大となるのでGpre
N(n) が最大(ゲインが最小)に、BVmin の領域では
Goffset(n) が最小となりGpre N(n) が最小(ゲイン
が最大)となる。従って、領域の輝度に応じた、つまり
は、概ね被写体の反射率に応じたゲイン設定が可能とな
る。
ば、従来では、領域ごとに予備発光の出力が大きかった
り小さかったりして、一つの領域では、測光精度が得ら
れても、他の領域では、測光精度が得られないといった
ような場合にも、全ての領域で測光精度が得られる。ま
た、予備発光を1回のみで領域ごとに適正なゲインが設
定できるので、レリーズタイムラグを長くすることな
く、閃光測光出力の精度が確保される。
閃光制御装置の第2実施形態を示す説明図である。図1
1は、第2実施形態に係る閃光制御装置の動作を説明す
るフローチャート、図12は、ゲイン設定2のサブルー
チンを示すフローチャートである。
の図7のフローチャートにS111,S112を付加し
たものである。すなわち、ステップS111では、IG
1(1)〜IG1(5)に基づいて、第2の予備発光が
必要か否かを判定する。判定基準としては何通りか考え
られるが、ここでは、以下に示す(5)式が成立するか
否かで判定する。
後の演算に使用し得る精度を有する最小の値であり、そ
の値は、実験によればAD端子出力を8ビットの分解能
でA/D変換した場合に(0〜255)、IGth=20
程度である。また、同じく実験によれば、IGthの値
は、閃光測光部26の設定ゲインや積分時間、また、調
光素子13の受光面照度によらずほぼ一定の値であっ
た。IG1(n)の全てがIGth以上であった場合に
は、第2の予備発光は、必要ないとしてステップS11
3をスキップし、そうでない場合には、ステップS11
2へ進み、第2の予備発光を行い、積分値IG2(1)
〜IG2(5)を読み出す。
示したサブルーチン・フローチャートである。図11の
ステップS112が実行されることにより、本サブルー
チンが呼び出されて実行される。ステップS401によ
り、予備発光時のアンプゲインGpre2(n) を、以下に示
す(6)式によって設定する。
備発光で用いたものと同一である。Goffsetは、第2の
予備発光の設定ゲインを第1の予備発光時に比べてどの
くらい変化させるかを指定する変数である。ここでは、
Goffset=3(EV)とし、2回目のゲインを1回目に
比べて、一律+3EV(感度8倍)とするが、他にここ
を変数として、第1の予備発光の結果に応じて変更可能
にしてもよい。
す変数Qpre を0にセットし、予備発光時間tpre2の計
時を開始すると共に、調光素子13のIS端子をLにし
て積分を開始する。次に、ステップS403において、
Qpre に1を加え、ステップS404において、ガイド
ナンバーGNp1において予備発光を行い、ステップS4
05において、予備発光回数Qpre が第1の予備発光数
であるQpre1に達したか否かを判定する。Qpre1に達し
たときには、予備発光を終了してステップS406へ進
み、そうでない場合には、ステップS403へ戻り予備
発光を繰り返す。
おいて、予備発光時間tpre2の計時を終了する。そし
て、ステップS407において、積分値IG2(1) 〜I
G2(5) を読み出して処理を終了する。
予備発光を2回行い、1回目の予備発光は、各領域一律
のゲイン設定で行い(ゲイン設定1)、その測光結果I
G1(n) により、被写体の反射率分布がより正確にわか
るので、BV(n) の替わりにIG1(n) を用いて、
(3)式と同様な手法により、2回目の予備発光時(S
112)の各領域のゲイン設定の補正値Goffset2を求
め、ゲインを設定する(ゲイン設定2)。また、このと
きの定常光積分のためのゲイン(ゲイン設定3)は、2
回目の予備発光時のゲインと同等とする。
ば、1回目の予備発光の測光出力をもとにして、領域ご
とのゲイン設定を行うので、2回目の予備発光のゲイン
設定は、さらに正確に行えるという効果がある。
閃光制御装置の第3実施形態を示すフローチャートであ
る。第3実施形態は、定常光測光出力に加え、焦点検出
情報をゲイン設定に利用するようにしたものである。図
3に示したように、画面内の複数の領域(B6〜B1
0)で焦点検出を行っている場合には、どの領域にある
被写体にピントが合っているかがわかるので、第1実施
形態のように、定常光測光出力からゲインを設定すると
きに、その情報を加味することによって、撮影者が撮影
しようとしている被写体を重視したゲイン設定をするこ
とが可能となる。
判断して、肯定の場合には、S502に進み、BV
(c),BV(2)〜BV(5)のMax,Minを、
BVmax,BVmin としてリターンし、否定の場合に
は、S503に進む。
かを判断して、肯定の場合には、S502に進み、Gof
fset(n)=0としてリターンし、否定の場合には、S
505に進む。
かを判断して、肯定の場合には、S506に進み、BV
(c),BV(3),BV(5)のMax,Minを、
BVmax ,BVmin としてリターンし、否定の場合に
は、S507に進む。
かを判断して、肯定の場合には、S508に進み、BV
(c),BV(2),BV(4)のMax,Minを、
BVmax ,BVmin としてリターンし、否定の場合に
は、S509に進む。
かを判断して、肯定の場合には、S510に進み、BV
(c),BV(2),BV(3)のMax,Minを、
BVmax ,BVmin としてリターンし、否定の場合に
は、S511に進む。S511では、BV(c),BV
(4),BV(5)のMax,Minを、BVmax ,B
Vmin としてリターンする。
9)において、設定ゲインの補正値を算出する(3)式
におけるBVmax ,BVmin は、ピントの合っている主
要被写体のある領域及びその周辺の領域に基づいて、図
14で設定したような領域の輝度とする。こうすること
で、ゲイン設定において、主要被写体のある領域につい
て、適正なゲインが設定されることとなる。
ば、焦点の合っている領域及びその周辺の定常光測光出
力を、ゲイン設定に用いるので、閃光制御のために余裕
をもったゲイン設定が行える。
されることなく、種々の変形や変更が可能であって、そ
れらも本発明の均等の範囲内である。 (1) 第3実施形態において、第1実施形態のゲイン
設定(図9)において、ピントの合っている主要被写体
のある領域が高輝度のBVmax の領域ではない場合は、
設定ゲインの補正値を算出する(3)式におけるBVma
x は、2番目に高輝度の領域の輝度とするようにしても
よい。
番高輝度であり主要被写体がない領域については、適正
なゲインが設定されないこととなるが、その分、他の領
域に対して余裕をもったゲイン設定ができるので、単
に、高輝度を一定値でクランプするより高輝度を有効に
カットし、高輝度被写体のゲイン設定に対する影響を除
去できることとなる。もちろん、高輝度被写体のある領
域にピントが合っており、そこに主要被写体がある場合
は、全ての領域の輝度を用いて、(3)式を適用する。
低輝度領域にピントが合っていない場合の適用も、同様
である。従って、焦点の合っていいない領域の定常光測
光出力を、ゲイン設定に用いないので、閃光制御のため
に余裕をもったゲイン設定が行える。
説明したが、予備発光を制御するときの閃光発光する発
光量に対してゲイン設定するようにしてもよい。
第2実施形態を同時に実施することもできる。つまり、
複数回の予備発光を行う場合には、前回の予備発光の結
果に基づいて、次回のゲイン設定を、前回と異なる基準
で行うことができる。
予備発光時の閃光測光部のゲイン設定を、分割測光の各
測光領域に対応させて領域ごとに相異なるゲイン設定を
可能とし、レリーズ前の定常光用の測光出力、又は、第
1の予備発光の測光結果に基づいて、あらかじめ被写体
の反射率分布に応じて閃光測光部の領域ごとのゲインを
設定するので、予備発光時の測光出力を適正な値とする
ことが可能となった。
る。
である。
図である。
状を示す図である。
かりやすく示した図である。
く説明した図である。
ートである。
御方法)を示すフローチャートである。
を示すフローチャートである。
すく説明した図である。
ャートである。
を示すフローチャートである。
ャートである。
Claims (7)
- 【請求項1】 被写界を複数に分割した分割測光領域に
よって測光可能であり、撮影直前に行われる予備発光の
被写体からの反射光を測光する閃光測光部と、 前記閃光測光部の出力に基づいて、撮影時の閃光発光量
を算出する発光量演算部と、 前記発光量演算部の出力に応じた発光量によって発光を
行う閃光発光部と、 前記予備発光時に用いられる前記閃光測光部のゲインを
演算するゲイン演算部と、 前記閃光測光部の各分割測光領域に対して、前記ゲイン
演算部で演算した2以上のゲインを設定し、前記閃光発
光部に予備発光を行わせる発光制御部と、を備えた閃光
制御装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の閃光制御装置におい
て、 前記発光制御部は、前記閃光測光部の分割測光領域ごと
に、ゲインの変更を行うことを特徴とする閃光制御装
置。 - 【請求項3】 請求項1に記載の閃光制御装置におい
て、 前記ゲイン演算部は、前記被写界の定常光を前記閃光測
光部の分割測光領域に対応した複数の領域に分割して測
光した測光出力に応じて、前記閃光測光部の分割測光領
域ごとにゲインを演算することを特徴とする閃光制御装
置。 - 【請求項4】 請求項1に記載の閃光制御装置におい
て、 前記ゲイン演算部は、1回目の予備発光の前記閃光測光
部の測光出力に応じて、前記閃光測光部の分割測光領域
ごとにゲインを演算し、 前記発光制御部は、前記閃光測光部をその演算結果のゲ
インに設定して、前記閃光発光部に2回目の予備発光を
行わせることを特徴とする閃光制御装置。 - 【請求項5】 請求項2に記載の閃光制御装置におい
て、 前記閃光測光部の分割測光領域の少なくとも一部に対応
した複数の焦点検出領域を有する焦点検出部をさらに備
え、 前記発光制御部は、前記焦点検出部の焦点状態信号に基
づいて、前記閃光測光部の分割測光領域のゲイン設定を
行うことを特徴とする閃光制御装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載の閃光制御装置におい
て、 前記発光制御部は、前記閃光測光部によって測光する前
記定常光測光出力のうち、最高輝度及び/又は最低輝度
の領域が前記焦点検出部の焦点状態信号により焦点の合
っている領域でない場合には、その領域の定常光測光出
力をゲイン設定に使用しないことを特徴とする閃光制御
装置。 - 【請求項7】 請求項1に記載の閃光制御装置におい
て、 前記発光制御部は、前記閃光発光部に第1予備発光及び
第2予備発光を行わせ、 前記閃光測光部は、前記第1予備発光時に測光すると共
に、前記第2予備発光時に前記第1予備発光の出力に基
づいて、前記発光制御部で設定されたゲインを用いて測
光することを特徴とする閃光制御装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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US09/469,272 US6272292B1 (en) | 1998-12-22 | 1999-12-22 | Electronic flash control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
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JP22026499A JP4374665B2 (ja) | 1999-08-03 | 1999-08-03 | 閃光制御装置 |
Publications (2)
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ID=16748468
Family Applications (1)
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JP22026499A Expired - Lifetime JP4374665B2 (ja) | 1998-12-22 | 1999-08-03 | 閃光制御装置 |
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Country | Link |
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- 1999-08-03 JP JP22026499A patent/JP4374665B2/ja not_active Expired - Lifetime
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JP4374665B2 (ja) | 2009-12-02 |
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