JP2004062041A - 電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】大きなレンジを実現するための充電電圧を容量素子に供給することができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】駆動用トランジスタＴｒｄのソースに、異なる駆動電圧を有する第１の駆動電圧Ｖｄｄａ及び第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給するようにした。
そして、データ書き込み期間においては、駆動用トランジスタＴｒｄに供給する駆動電圧を第２の駆動電圧Ｖｄｄｂより高い第１の駆動電圧Ｖｄｄａにした。又、発光期間においては、駆動用トランジスタＴｒｄに供給する駆動電圧を第１の駆動電圧Ｖｄｄａより低い第２の駆動電圧Ｖｄｄｂにした。
【選択図】 図３
【解決手段】駆動用トランジスタＴｒｄのソースに、異なる駆動電圧を有する第１の駆動電圧Ｖｄｄａ及び第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給するようにした。
そして、データ書き込み期間においては、駆動用トランジスタＴｒｄに供給する駆動電圧を第２の駆動電圧Ｖｄｄｂより高い第１の駆動電圧Ｖｄｄａにした。又、発光期間においては、駆動用トランジスタＴｒｄに供給する駆動電圧を第１の駆動電圧Ｖｄｄａより低い第２の駆動電圧Ｖｄｄｂにした。
【選択図】 図３
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電流駆動素子として有機ＥＬ素子を用いた電気光学装置が開発されている。前記有機ＥＬ素子は自発光素子であるためバックライトが不要なので、消費電力、視野角、コントラスト比等といった点で、他の電気光学装置と較べて優れた表示品質を有する電気光学装置を実現できるものと期待されている。
【０００３】
この種の電気光学装置においては、その表示パネル部に前記有機ＥＬ素子を制御するための画素回路がマトリクス状に配設されているアクティブマトリクス型と呼ばれるものがある。アクティブマトリクス型電気光学装置の画素回路は、その内部に有機ＥＬ素子を制御するためのトランジスタを備えている。そして、前記表示パネル部にて表示を実行させるためのデータ信号がデータ線駆動回路から各画素回路に供給されると、各画素回路は、そのデータ信号に基づいて前記トランジスタの導通状態を制御して前記有機ＥＬ素子を制御するようになっている。
【０００４】
図１０は、従来の画素回路の一例を示す回路図である。画素回路８０は、前記データ信号が電圧信号である電圧プログラム方式の画素回路である。画素回路８０は、第１及び第２トランジスタ８１，８２と、コンデンサ８３と、有機ＥＬ素子８４とから構成されている。第１トランジスタ８１はｐチャネルＦＥＴであり、第２トランジスタ８２はｎチャネルＦＥＴである。
【０００５】
第１トランジスタ８１は、有機ＥＬ素子８４に供給される駆動電流Ｉｄを制御するためのトランジスタである。第１トランジスタ８１は、そのソースが、駆動電圧Ｖｄｄを有する駆動電源部８５に接続されている。第１トランジスタ８１のドレインは、有機ＥＬ素子８４に接続されている。第１トランジスタ８１のゲートは、第２トランジスタ８２のドレインに接続されている。尚、駆動電圧Ｖｄｄの大きさは、有機ＥＬ素子８４の輝度階調のレンジに応じて予め設定されている。
【０００６】
第２トランジスタ８２は、スイッチングトランジスタとして機能するトランジスタである。第２トランジスタ８２のソースはデータ線Ｕに接続されている。データ線Ｕは、前記データ信号であるデータ電圧Ｖｄを供給するデータ線駆動回路に接続されている。第２トランジスタ８２のゲートは、走査線Ｓに接続されている。第２トランジスタ８２は、走査線Ｓを介して走査線駆動回路から供給される走査信号に基づいてオン・オフ制御されるようになっている。
【０００７】
コンデンサ８３は、第１トランジスタ８１のゲート／ソース間に接続されている。コンデンサ８３は、第２トランジスタ８２を介してデータ線Ｕに電気的に接続されている。コンデンサ８３は、第２トランジスタ８２がオン状態となることによって、データ線Ｕを介して前記データ電圧Ｖｄに応じた電荷量が充電されるようになっている。
【０００８】
このように構成された画素回路８０において、まず、前記走査線駆動回路から走査線Ｓを介して第２トランジスタ８２のゲートに、同第２トランジスタ８２を所定のデータ書き込み期間でオン状態にする走査信号が供給される。すると、第２トランジスタ８２がオン状態となり、データ線Ｕを介して前記データ書き込み期間内にコンデンサ８３にデータ電圧Ｖｄに応じた電荷量が充電される。そして、前記データ書き込み期間が終了した後に、第２トランジスタ８２のゲートに走査線駆動回路から走査線Ｓを介して同第２トランジスタ８２を所定の発光期間内でオフ状態する走査信号が供給される。すると、第２トランジスタ８２がオフ状態となり、第１トランジスタ８１のコンデンサ８３に充電された電荷量に応じた充電電圧Ｖｏに基づいて第１トランジスタ８１の導通状態が制御される。そして、第１トランジスタ８１は、前記充電電圧Ｖｏに応じた駆動電流Ｉｄが生成され、その駆動電流Ｉｄが有機ＥＬ素子８４に供給される。その結果、この駆動電流Ｉｄに応じて前記有機ＥＬ素子８４の輝度階調が制御される。
【０００９】
このとき、第１トランジスタ８１は、飽和領域で動作するように設定されている。従って、第１トランジスタ８１の飽和領域での駆動電流Ｉｄは以下の式で表される。
【００１０】
Ｉｄ＝（１／２）βｏ（Ｖｏ−Ｖｔｈ）２
ここで、βｏは、第１トランジスタの利得係数であって、第１トランジスタのキャリアの移動度をμ、ゲート容量をＡ、チャネル幅をＷ、チャネル長をＬで表すと、利得係数βｏは、βｏ＝（μＡＷ／Ｌ）で表わされる定数である。又、Ｖｔｈは、第１トランジスタの閾値電圧である。
【００１１】
つまり、駆動電流Ｉｄは、駆動電圧Ｖｄｄとは直接的には関係なく、前記充電電圧Ｖｏで決定される。
又、有機ＥＬ素子８４にて消費される消費電力Ｐｏは、以下の式で与えられる。
【００１２】
従って、消費電力Ｐｏは、コンデンサ７３に充電される充電電圧Ｖｏと駆動電圧Ｖｄｄで決定されることとなる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、有機ＥＬ素子８４を用いた電気光学装置において、高精細化に伴って有機ＥＬ素子８４のコントラストを向上させることが考えられる。有機ＥＬ素子８４のコントラストを向上させるためには、前記駆動電圧Ｖｄｄを高く設定することで、有機ＥＬ素子７４の輝度階調のレンジを大きくする必要がある。その結果、前記消費電力Ｐｏが増大することとなる。これは、特に、高い表示品質を有する電気光学装置や大型の表示パネル部を有する電気光学装置に対しては顕著になる。
【００１４】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、大きなレンジを実現するための充電電圧を容量素子に供給することができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明における電子回路は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子とを備えた回路部に、前記回路部に対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記回路部に対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００１６】
これによれば、電気信号に相対した電荷量を容量素子に保持させる場合と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて第２のトランジスタの導通状態を制御させる場合とで、回路部に供給する駆動電圧を区別して供給することができる。
【００１７】
この電子回路において、前記第１の駆動電圧は、前記第２の駆動電圧より高い電圧であり、前記第１の手段は、少なくとも前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２の手段は、少なくとも前記第２のトランジスタを介して前記電子素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第２の駆動電圧を供給する。
【００１８】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる。本発明における電子回路は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子とを有した複数の単位回路を備えた電子回路において、前記単位回路の各々は、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００１９】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させる単位回路をそれぞれ有した電子回路を提供することができる。
【００２０】
本発明における電子回路は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子とを有した複数の単位回路を備えた電子回路において、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、前記各第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００２１】
これによれば、従来の単位回路を使用しつつ前記単位回路に対して外部から容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を提供することができる。
【００２２】
この電子回路において、前記電子素子は、電流駆動素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電流駆動素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００２３】
この電子回路において、前記電流駆動素子は、ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００２４】
本発明の電子回路の駆動方法は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電子素子とを備えた電子回路の駆動方法において、前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記電子回路に第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２のトランジスタを介して前記電子素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第１の駆動電圧より低い電圧の第２の駆動電圧を供給する。
【００２５】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を駆動させることができる。
【００２６】
この電子回路の駆動方法において、前記電子素子は、電流駆動素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電流駆動素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を駆動させることができる。
【００２７】
この電子回路の駆動方法において、前記電流駆動素子は、ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を駆動させることができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを備えた電子回路を有する電気光学装置であって、前記電子回路には、前記電子回路に対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記電子回路に対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００２９】
これによれば、電気信号に対応した電荷量を容量素子に保持させる場合と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて第２のトランジスタの導通状態を制御させる場合とで、回路部に供給する駆動電圧を区別して供給することができる電気光学装置を提供することができる。
【００３０】
この電気光学装置において、前記第１の駆動電圧は、前記第２の駆動電圧より高い電圧であり、前記第１の手段は、少なくとも前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２の手段は、少なくとも前記第２のトランジスタを介して前記電気光学素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第２の駆動電圧を供給する。
【００３１】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電気光学素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電気光学素子とを有した複数の単位回路を備えた電気光学装置において、前記単位回路の各々は、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００３３】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電気光学素子にて消費される消費電力を低減させる単位回路をそれぞれ有した電気光学装置を提供することができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電気光学素子とを有した複数の単位回路を備えた電気光学装置において、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、前記各第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００３５】
これによれば、従来の単位回路を使用しつつ前記単位回路に対して外部から容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる電気光学装置を提供することができる。
【００３６】
この電気光学装置において、前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、有機ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記電気光学装置に第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２のトランジスタを介して前記電気光学素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第１の駆動電圧より低い電圧の第２の駆動電圧を供給する。
【００３８】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電気光学素子にて消費される消費電力を低減させることができる電気光学装置を駆動させることができる。
【００３９】
この電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、有機ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる電気光学装置を駆動させることができる。
【００４０】
本発明における電子機器は、請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電子回路を実装したことを特徴とする電子機器。
これによれば、容量素子に高速で電気信号に対応した電荷量を保持させることができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる電子機器を提供することができる。
【００４１】
本発明における電子機器は、請求項１０乃至１４のいずれか１つに記載の電子回路を実装したことを特徴とする電子機器。
これによれば、容量素子に高速で電気信号に対応した電荷量を保持させることができるとともに、電気光学素子の消費電力を低減させることができる電子機器を提供することができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜４に従って説明する。
【００４３】
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。図２は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。図３は、電子回路としての画素回路の回路図である。図４は、画素回路の動作を示すタイミングチャートである。
【００４４】
有機ＥＬディスプレイ１０は、図１に示すように、制御回路１１、電子回路としての表示パネル部１２、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。尚、本実施形態における有機ＥＬディスプレイ１０は、電圧プログラム方式の画素回路を有する有機ＥＬディスプレイである。
【００４５】
有機ＥＬディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。
【００４６】
又、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００４７】
制御回路１１は、図示しない外部装置から出力される画像データに基づいて表示パネル部１２に所望の画像を表示するための走査制御信号及びデータ制御信号をそれぞれ作成する。又、制御回路１１は、走査制御信号を走査線駆動回路１３に出力するとともに、データ制御信号をデータ線駆動回路１４に出力する。
【００４８】
表示パネル部１２は、図２に示すように、発光層が有機材料で構成された電子素子または電気光学素子としての有機ＥＬ素子２１を有する複数の単位回路としての画素回路２０がマトリクス状に配設されている。つまり、画素回路２０は、列方向に沿って延びるＭ本のデータ線Ｘｍ（ｍ＝１〜Ｍ；ｍは整数）と、行方向に沿って延びるＮ本の走査線Ｙｎ（ｎ＝１〜Ｎ；ｎは整数）との交差部に対応する位置に配設されている。また、表示パネル部１２には、後記する第１及び第２の駆動電圧Ｖｄｄａ，Ｖｄｄｂをそれぞれ供給する駆動電源部２２が設けられている（図３参照）。そして、前記駆動電源部２２は、第１及び第２の電源供給線Ｕａ，Ｕｂを介して第１及び第２の手段としての第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂを備えた電圧供給回路部２４に接続されている。そして、電圧供給回路部２４に備えられた第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂは画素回路２０に接続されている（図３参照）。尚、画素回路２０内に配置形成される後記するトランジスタは、通常はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００４９】
走査線駆動回路１３は、前記制御回路１１から出力される走査制御信号に基づいて、表示パネル部１２に設けられたＮ本の走査線Ｙｎのうち、１本の走査線を選択し、その選択された走査線に走査信号を供給する。
【００５０】
データ線駆動回路１４は、複数の単一ラインドライバ２３を備えている。各単一ラインドライバ２３は、表示パネル部１２に設けられたデータ線Ｘｍと接続されている。単一ラインドライバ２３は、それぞれ、制御回路１１から出力されるデータ制御信号に基づいて、電気信号としてのデータ電圧Ｖｄａｔａを生成する。又、単一ラインドライバ２３は、その生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａをデータ線Ｘｍを介して各画素回路２０に供給する。画素回路２０は、このデータ電圧Ｖｄａｔａに応じて同画素回路２０の内部状態を設定することで、各有機ＥＬ素子２１に流れる駆動電流Ｉｅｌを制御して同有機ＥＬ素子２１の輝度階調を制御するようになっている。
【００５１】
このように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の画素回路２０及び電圧供給回路部２４について図３に従って以下に説明する。尚、各画素回路２０の回路構成はすべて同じであるので、説明の便宜上、１つの画素回路及び電圧供給回路部について説明する。
【００５２】
画素回路２０は、第２のトランジスタとしての駆動用トランジスタＴｒｄ、第１のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタＴｒｓ、容量素子としての保持用キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＴｒｄ及びスイッチング用トランジスタＴｒｓは、それぞれ、ｐチャネルＦＥＴで構成されている。
【００５３】
電圧供給回路部２４は、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂを備えている。又、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂは、それぞれ、ｐチャネルＦＥＴで構成されている。
【００５４】
駆動用トランジスタＴｒｄは、そのドレインが有機ＥＬ素子２１の陽極に接続されている。有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【００５５】
第１の駆動電圧Ｖｄｄａは、有機ＥＬ素子２１の輝度階調におけるレンジを大きくすることで所望のコントラストを実現するために、十分に高く設定されている。又、前記第２の駆動電圧Ｖｄｄｂは第１の駆動電圧Ｖｄｄａと較べて低く設定されている。そして、画素回路２０がデータ書き込み期間Ｔｒｐのときは、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態となって、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ドレイン間に第１の駆動電圧Ｖｄｄａが供給されるようになっている。又、画素回路２０が発光期間Ｔｅｌのときは、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態となって、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ドレイン間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給されるようになっている。又、前記データ書き込み期間Ｔｒｐにおいて、駆動用トランジスタＴｒｄは、飽和領域で動作するように設定されている。ここで、データ書き込み期間Ｔｒｐとは、有機ＥＬ素子２１の輝度階調を画素回路２０に設定する期間である。又、発光期間Ｔｅｌは、前記駆動用トランジスタＴｒｄにて生成された駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子２１に供給される期間である。
【００５６】
駆動用トランジスタＴｒｄのゲートは、スイッチング用トランジスタＴｒｓのドレインに接続されている。スイッチング用トランジスタＴｒｓのソースは、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａを各画素回路２０に供給するデータ線Ｘｍに接続されている。又、スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートは、第１の副走査線Ｙｓ１に接続されている。スイッチング用トランジスタＴｒｓは、前記データ書き込み期間Ｔｒｐにて第１の副走査線Ｙｓ１を介してスイッチング用トランジスタＴｒｓをオン状態にする第１の走査信号ＳＣ１に応答してオン状態となる。又、スイッチング用トランジスタＴｒｓは、前記発光期間Ｔｅｌにて第１の副走査線Ｙｓ１を介してスイッチング用トランジスタＴｒｓをオフ状態にする第１の走査信号ＳＣ１に応答してオフ状態となる。尚、前記第１、第２、第３の副走査線Ｙｓ１，Ｙｓ２，Ｙｓ３で走査線Ｙｎを構成している。
【００５７】
駆動用トランジスタＴｒｄのゲート／ソース間には、保持用キャパシタＣｏが接続されている。保持用キャパシタＣｏは、前記スイッチング用トランジスタＴｒｓがオン状態になったとき、即ち、データ書き込み期間Ｔｒｐになったとき、データ線Ｘｍを介して前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相対した電荷量を充電するためのコンデンサである。保持用キャパシタＣｏの静電容量は駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに寄生する寄生容量の影響を無視することができる程度に十分に大きく設定されているので、画素回路２０は、大きなレンジを実現するのに応じた大きさのデータ電圧Ｖｄａｔａに対応した電荷量を保持用キャパシタＣｏに充電することができる。このことによって、データ電圧Ｖｄａｔａに正確な駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給させることができる。
【００５８】
次に、前記のように構成された画素回路２０の駆動方法について図３及び図４に従って説明する。図４は、スイッチング用トランジスタＴｒｓ、第１電圧供給用トランジスタＴｒａ、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのそれぞれの駆動状態と、有機ＥＬ素子２１に流れる駆動電流Ｉｅｌとのタイミングチャートである。又、図４において、Ｔｃ及びＴｅｌは、それぞれ、駆動周期及び発光期間を表している。駆動周期Ｔｃは、データ書き込み期間Ｔｒｐと発光期間Ｔｅｌとから成っている。駆動周期Ｔｃは、前記有機ＥＬ素子２１の輝度階調が１回ずつ更新される周期を意味しており、所謂、走査周期と同じものである。
【００５９】
画素回路２０において、まず、前記走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、スイッチング用トランジスタＴｒｓをオン状態にする第１の走査信号ＳＣ１が、同スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００６０】
すると、スイッチング用トランジスタＴｒｓが前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【００６１】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電圧Ｖｄａｔａを供給することができる。
【００６２】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介してスイッチング用トランジスタＴｒｓを、所定の発光期間Ｔｅｌに、オフ状態にする第１の走査信号ＳＣ１が同スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３からは、第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にするための第２の走査信号ＳＣ２が供給されるとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にするための第３の走査信号ＳＣ３が供給される。
【００６３】
すると、スイッチング用トランジスタＴｒｓが前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【００６４】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電圧Ｖｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。このとき、駆動用トランジスタＴｒｄは飽和領域で動作し、前記駆動電流Ｉｅｌは以下の式で表される。
【００６５】
Ｉｅｌ＝（１／２）β（Ｖ１−Ｖｔｈ）２
ここで、βは、駆動用トランジスタＴｒｄの利得係数であって、駆動用トランジスタＴｒｄのキャリアの移動度をμ、ゲート容量をＡ、チャネル幅をＷ、チャネル長をＬで表わすと、利得係数βは、β＝（μＡＷ／Ｌ）で表わされる定数である。又、Ｖｔｈは、駆動用トランジスタＴｒｄの閾値電圧である。
【００６６】
そして、有機ＥＬ素子２１にて消費される消費電力Ｐは、以下の式で与えられる。
従って、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【００６７】
このようにすることによって、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電圧Ｖｄａｔａを供給することができるとともに、有機ＥＬ素子の消費電力Ｐを低減させることができる画素回路２０を提供することができる。
【００６８】
前記実施形態の画素回路及び画素回路の駆動方法によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、駆動用トランジスタＴｒｄのソースに、異なる駆動電圧を有する第１の駆動電圧Ｖｄｄａ及び第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給するようにした。そして、データ書き込み期間Ｔｒｐにおいては、駆動用トランジスタＴｒｄに第２の駆動電圧Ｖｄｄｂより高い第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給するようにした。つまり、保持用キャパシタＣｏに充電される電荷量に応じた電圧Ｖ１のレンジは、前記駆動用トランジスタＴｒｄに供給する駆動電圧が高い程、大きくすることができる。
【００６９】
その結果、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電圧Ｖｄａｔａを供給することができる。
又、発光期間Ｔｅｌにおいては、駆動用トランジスタＴｒｄに第１の駆動電圧Ｖｄｄａより低い第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給するようにした。このとき、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさを保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さくしておけば、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧を保存することが可能となる。それによって、駆動電圧として第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給されているときに流れる駆動電流Ｉｅｌは、駆動電圧として第１の駆動電圧Ｖｄｄａが供給されているときに流れるＩｅｌと同じ大きさになる。すなわち、駆動電圧を低電圧化しつつも同等の駆動電流Ｉｅｌを流すことができる。
【００７０】
その結果、発光期間Ｔｅｌにおいては、駆動用トランジスタＴｒｄに第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給することで有機ＥＬ素子２１を発光させる時に消費される消費電力Ｐを低減させることができる。
【００７１】
（２）本実施形態では、保持用キャパシタＣｏの静電容量を十分に大きく設定することによって、駆動電流Ｉｅｌが駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに寄生する寄生容量の影響を無視するようにした。このことによって、データ電圧Ｖｄａｔａに正確な駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給させることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図５に従って説明する。尚、本実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして、その詳細な説明を省略する。
【００７２】
図５は、有機ＥＬディスプレイ１０の表示パネル部１２に配設された画素回路３０及び電圧供給回路部２４の回路図である。画素回路３０は、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路である。画素回路３０は、駆動用トランジスタＴｒｄ、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２、保持用キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子２１を含む。
【００７３】
前記駆動用トランジスタＴｒｄ、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１は、それぞれｐチャネルＦＥＴである。
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のソースは、制御用トランジスタＴｒｃのドレインと、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のドレインと、駆動用トランジスタＴｒｄのドレインとにそれぞれ接続されている。第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のドレインは、データ線Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に電気的に接続されている。本実施形態におけるデータ線駆動回路１４は、前記制御回路１１から出力されるデータ制御信号に基づいてデータ電流Ｉｄａｔａを生成し、その生成されたデータ電流Ｉｄａｔａを各画素回路３０に供給する。
【００７４】
制御用トランジスタＴｒｃのソースは、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに接続されている。保持用キャパシタＣｏは、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間に接続されている。
【００７５】
有機ＥＬ素子２１の陽極は、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のソースに接続され、有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。又、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２と制御用トランジスタＴｒｃの各ゲートは、第１の副走査線Ｙｓ１に共通して接続されている。
【００７６】
このように構成された画素回路３０において、駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【００７７】
次に、前記のように構成された画素回路３０の駆動方法について説明する。
前記画素回路３０において、まず、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオン状態（第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオフ状態）にする第１の走査信号ＳＣ１が、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２の各ゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００７８】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【００７９】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電流Ｉｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電流Ｉｄａｔａを供給することができる。
【００８０】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介して制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１を、所定の発光期間Ｔｅｌに、オフ状態（第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオン状態）にする第１の走査信号ＳＣ１が同スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３からは、第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にするための第２の走査信号ＳＣ２が供給されるとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にするための第３の走査信号ＳＣ３が供給される。
【００８１】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【００８２】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電流Ｉｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。つまり、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【００８３】
従って、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路３０においても、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態を図６に従って説明する。尚、本実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして、その詳細な説明を省略する。
【００８４】
図６は、有機ＥＬディスプレイ１０の表示パネル部１２に配設された画素回路４０及び電圧供給回路部２４の回路図である。画素回路４０は、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路である。画素回路４０は、駆動用トランジスタＴｒｄ、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２、保持用キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子２１を含む。
【００８５】
前記駆動用トランジスタＴｒｄはｐチャネルＦＥＴである。又、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２はそれぞれ、ｎチャネルＦＥＴである。
【００８６】
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のドレインは、制御用トランジスタＴｒｃのソースと、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のドレインと、駆動用トランジスタＴｒｄのドレインとにそれぞれ接続されている。第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のソースは、データ線Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に接続されている。本実施形態におけるデータ線駆動回路１４は、前記制御回路１１から出力されるデータ制御信号に基づいてデータ電流Ｉｄａｔａを生成し、その生成されたデータ電流Ｉｄａｔａを各画素回路３０に供給する。
【００８７】
制御用トランジスタＴｒｃのドレインは、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに接続されている。保持用キャパシタＣｏは、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間に接続されている。
【００８８】
有機ＥＬ素子２１の陽極は、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のソースに接続され、有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。又、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１と制御用トランジスタＴｒｃの各ゲートは、第１の走査制御線Ｙｓｓ１に共通して接続されている。又、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートは、第２の走査制御線Ｙｓｓ２に接続されている。前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１と前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２とで第１の副走査線Ｙｓ１を構成している。
【００８９】
このように構成された画素回路４０において、駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【００９０】
次に、前記のように構成された画素回路４０の駆動方法について説明する。
前記画素回路４０において、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオン状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記データ書き込み期間Ｔｒｐに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオフ状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【００９１】
又、このとき、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００９２】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になるとともに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオフ状態になる。又、このとき、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【００９３】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電流Ｉｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電流Ｉｄａｔａを供給することができる。
【００９４】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介して所定の発光期間Ｔｅｌに、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオフ状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記発光期間Ｔｅｌに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオン状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【００９５】
又、このとき、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００９６】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【００９７】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電流Ｉｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。
【００９８】
つまり、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【００９９】
従って、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路４０においても、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第４実施形態）
次に、本発明を具体化した第４実施形態を図７に従って説明する。尚、本実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして、その詳細な説明を省略する。
【０１００】
図７は、有機ＥＬディスプレイ１０の画素回路５０及び電圧供給回路部２４の回路図である。画素回路５０は、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路である。画素回路５０は、駆動用トランジスタＴｒｄ、トランジスタＴｒｍ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２、保持用キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子２１を含む。
【０１０１】
前記駆動用トランジスタＴｒｄ、トランジスタＴｒｍ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１は、それぞれｐチャネルＦＥＴである。又、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２は、ｎチャネルＦＥＴである。
【０１０２】
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１は、トランジスタＴｒｍのゲート／ドレイン間に接続されている。トランジスタＴｒｍのソースは第１電圧供給用トランジスタＴｒａのドレインに接続されている。つまり、トランジスタＴｒｍは、駆動用トランジスタＴｒｄとカレントミラー回路を形成する。又、トランジスタＴｒｍのゲートは、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに接続されている。
【０１０３】
保持用キャパシタＣｏは、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間に接続されている。第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のソースは、データ線Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に接続されている。
【０１０４】
有機ＥＬ素子２１の陽極は、駆動用トランジスタＴｒｄのドレインに接続され、有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートは、第１の走査制御線Ｙｓｓ１に共通して接続されている。又、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートは、第２の走査制御線Ｙｓｓ２に接続されている。そして、前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１と前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２とで第１の副走査線Ｙｓ１を構成している。
【０１０５】
このように構成された画素回路５０において、駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【０１０６】
次に、前記のように構成された画素回路５０の駆動方法について説明する。
前記画素回路５０において、前記走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオン状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記データ書き込み期間Ｔｒｐに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオン状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【０１０７】
又、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【０１０８】
すると、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【０１０９】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電流Ｉｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電流Ｉｄａｔａを供給することができる。
【０１１０】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介して所定の発光期間Ｔｅｌに、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオフ状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記発光期間Ｔｅｌに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオフ状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【０１１１】
又、このとき、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【０１１２】
すると、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２が前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【０１１３】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電流Ｉｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。つまり、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【０１１４】
従って、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路５０においても、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第５実施形態）
次に、第１〜第４実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器の適用について図８及び図９に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１１５】
図８は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図８において、パーソナルコンピュータ６０は、キーボード６１を備えた本体部６２と、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット６３とを備えている。この場合においても、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット６３は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、低消費電力の画素回路２０、３０、４０及び５０を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ６０を提供することができる。
【０１１６】
図９は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図９において、携帯電話７０は、複数の操作ボタン７１、受話口７２、送話口７３、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット７４を備えている。この場合においても、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット７４は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、低消費電力の画素回路２０、３０、４０及び５０を備えた携帯電話７０を提供することができる。
【０１１７】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、電流駆動素子として有機ＥＬ素子２１を用いたが、これを他の電流駆動素子に適応してもよい。例えば、ＬＥＤやＦＥＤ等の発光素子のような電流駆動素子に適応してもよい。
【０１１８】
○上記実施形態では、電気光学装置として、有機ＥＬ素子２１を有する画素回路２０、３０、４０及び５０を用いた有機ＥＬディスプレイ１０に適応したが、これを、発光層が無機材料で構成された無機ＥＬ素子を有する画素回路を用いたディスプレイに適応してもよい。
【０１１９】
○前記実施形態では、１色からなる有機ＥＬ素子２１の画素回路２０、３０、４０及び５０を設けた有機ＥＬディスプレイ１０であったが、赤色、緑色及び青色の３色の有機ＥＬ素子２１に対して各色用の画素回路２０、３０、４０及び５０を設けたＥＬディスプレイに応用しても良い。
【０１２０】
【発明の効果】
請求項１〜１８に記載の発明によれば、大きなレンジを実現するための充電電圧を容量素子に供給することができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の有機ＥＬディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。
【図３】本実施形態の画素回路の回路図である。
【図４】本実施形態の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】第２実施形態を説明するための画素回路の回路図である。
【図６】第３実施形態を説明するための画素回路の回路図である。
【図７】第４実施形態を説明するための画素回路の回路図である。
【図８】第５実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図９】第５実施形態を説明するための携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１０】従来の画素回路の回路図である。
【符号の説明】
Ｃｏ 容量素子としての保持用キャパシタ
Ｔｒａ 第１の手段としての第１電圧供給用トランジスタ
Ｔｒｂ 第２の手段としての第２電圧供給用トランジスタ
Ｔｒｄ 第２のトランジスタとしての駆動用トランジスタ
Ｔｒｓ 第１のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタ
Ｖｄａｔａ 電気信号としてのデータ電圧
１０ 電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ
１２ 電子回路としての表示パネル部
２０ 単位回路としての画素回路
２１ 電気光学素子、電子素子及び電流駆動素子としての有機ＥＬ素子
６０ 電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピュータ
７０ 電子機器としての携帯電話
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電流駆動素子として有機ＥＬ素子を用いた電気光学装置が開発されている。前記有機ＥＬ素子は自発光素子であるためバックライトが不要なので、消費電力、視野角、コントラスト比等といった点で、他の電気光学装置と較べて優れた表示品質を有する電気光学装置を実現できるものと期待されている。
【０００３】
この種の電気光学装置においては、その表示パネル部に前記有機ＥＬ素子を制御するための画素回路がマトリクス状に配設されているアクティブマトリクス型と呼ばれるものがある。アクティブマトリクス型電気光学装置の画素回路は、その内部に有機ＥＬ素子を制御するためのトランジスタを備えている。そして、前記表示パネル部にて表示を実行させるためのデータ信号がデータ線駆動回路から各画素回路に供給されると、各画素回路は、そのデータ信号に基づいて前記トランジスタの導通状態を制御して前記有機ＥＬ素子を制御するようになっている。
【０００４】
図１０は、従来の画素回路の一例を示す回路図である。画素回路８０は、前記データ信号が電圧信号である電圧プログラム方式の画素回路である。画素回路８０は、第１及び第２トランジスタ８１，８２と、コンデンサ８３と、有機ＥＬ素子８４とから構成されている。第１トランジスタ８１はｐチャネルＦＥＴであり、第２トランジスタ８２はｎチャネルＦＥＴである。
【０００５】
第１トランジスタ８１は、有機ＥＬ素子８４に供給される駆動電流Ｉｄを制御するためのトランジスタである。第１トランジスタ８１は、そのソースが、駆動電圧Ｖｄｄを有する駆動電源部８５に接続されている。第１トランジスタ８１のドレインは、有機ＥＬ素子８４に接続されている。第１トランジスタ８１のゲートは、第２トランジスタ８２のドレインに接続されている。尚、駆動電圧Ｖｄｄの大きさは、有機ＥＬ素子８４の輝度階調のレンジに応じて予め設定されている。
【０００６】
第２トランジスタ８２は、スイッチングトランジスタとして機能するトランジスタである。第２トランジスタ８２のソースはデータ線Ｕに接続されている。データ線Ｕは、前記データ信号であるデータ電圧Ｖｄを供給するデータ線駆動回路に接続されている。第２トランジスタ８２のゲートは、走査線Ｓに接続されている。第２トランジスタ８２は、走査線Ｓを介して走査線駆動回路から供給される走査信号に基づいてオン・オフ制御されるようになっている。
【０００７】
コンデンサ８３は、第１トランジスタ８１のゲート／ソース間に接続されている。コンデンサ８３は、第２トランジスタ８２を介してデータ線Ｕに電気的に接続されている。コンデンサ８３は、第２トランジスタ８２がオン状態となることによって、データ線Ｕを介して前記データ電圧Ｖｄに応じた電荷量が充電されるようになっている。
【０００８】
このように構成された画素回路８０において、まず、前記走査線駆動回路から走査線Ｓを介して第２トランジスタ８２のゲートに、同第２トランジスタ８２を所定のデータ書き込み期間でオン状態にする走査信号が供給される。すると、第２トランジスタ８２がオン状態となり、データ線Ｕを介して前記データ書き込み期間内にコンデンサ８３にデータ電圧Ｖｄに応じた電荷量が充電される。そして、前記データ書き込み期間が終了した後に、第２トランジスタ８２のゲートに走査線駆動回路から走査線Ｓを介して同第２トランジスタ８２を所定の発光期間内でオフ状態する走査信号が供給される。すると、第２トランジスタ８２がオフ状態となり、第１トランジスタ８１のコンデンサ８３に充電された電荷量に応じた充電電圧Ｖｏに基づいて第１トランジスタ８１の導通状態が制御される。そして、第１トランジスタ８１は、前記充電電圧Ｖｏに応じた駆動電流Ｉｄが生成され、その駆動電流Ｉｄが有機ＥＬ素子８４に供給される。その結果、この駆動電流Ｉｄに応じて前記有機ＥＬ素子８４の輝度階調が制御される。
【０００９】
このとき、第１トランジスタ８１は、飽和領域で動作するように設定されている。従って、第１トランジスタ８１の飽和領域での駆動電流Ｉｄは以下の式で表される。
【００１０】
Ｉｄ＝（１／２）βｏ（Ｖｏ−Ｖｔｈ）２
ここで、βｏは、第１トランジスタの利得係数であって、第１トランジスタのキャリアの移動度をμ、ゲート容量をＡ、チャネル幅をＷ、チャネル長をＬで表すと、利得係数βｏは、βｏ＝（μＡＷ／Ｌ）で表わされる定数である。又、Ｖｔｈは、第１トランジスタの閾値電圧である。
【００１１】
つまり、駆動電流Ｉｄは、駆動電圧Ｖｄｄとは直接的には関係なく、前記充電電圧Ｖｏで決定される。
又、有機ＥＬ素子８４にて消費される消費電力Ｐｏは、以下の式で与えられる。
【００１２】
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、有機ＥＬ素子８４を用いた電気光学装置において、高精細化に伴って有機ＥＬ素子８４のコントラストを向上させることが考えられる。有機ＥＬ素子８４のコントラストを向上させるためには、前記駆動電圧Ｖｄｄを高く設定することで、有機ＥＬ素子７４の輝度階調のレンジを大きくする必要がある。その結果、前記消費電力Ｐｏが増大することとなる。これは、特に、高い表示品質を有する電気光学装置や大型の表示パネル部を有する電気光学装置に対しては顕著になる。
【００１４】
本発明は上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、大きなレンジを実現するための充電電圧を容量素子に供給することができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる電子回路、電子回路の駆動方法、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法及び電子機器を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明における電子回路は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子とを備えた回路部に、前記回路部に対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記回路部に対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００１６】
これによれば、電気信号に相対した電荷量を容量素子に保持させる場合と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて第２のトランジスタの導通状態を制御させる場合とで、回路部に供給する駆動電圧を区別して供給することができる。
【００１７】
この電子回路において、前記第１の駆動電圧は、前記第２の駆動電圧より高い電圧であり、前記第１の手段は、少なくとも前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２の手段は、少なくとも前記第２のトランジスタを介して前記電子素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第２の駆動電圧を供給する。
【００１８】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる。本発明における電子回路は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子とを有した複数の単位回路を備えた電子回路において、前記単位回路の各々は、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００１９】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させる単位回路をそれぞれ有した電子回路を提供することができる。
【００２０】
本発明における電子回路は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子とを有した複数の単位回路を備えた電子回路において、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、前記各第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００２１】
これによれば、従来の単位回路を使用しつつ前記単位回路に対して外部から容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を提供することができる。
【００２２】
この電子回路において、前記電子素子は、電流駆動素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電流駆動素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００２３】
この電子回路において、前記電流駆動素子は、ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００２４】
本発明の電子回路の駆動方法は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電子素子とを備えた電子回路の駆動方法において、前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記電子回路に第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２のトランジスタを介して前記電子素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第１の駆動電圧より低い電圧の第２の駆動電圧を供給する。
【００２５】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を駆動させることができる。
【００２６】
この電子回路の駆動方法において、前記電子素子は、電流駆動素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電流駆動素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を駆動させることができる。
【００２７】
この電子回路の駆動方法において、前記電流駆動素子は、ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる電子回路を駆動させることができる。
【００２８】
本発明の電気光学装置は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを備えた電子回路を有する電気光学装置であって、前記電子回路には、前記電子回路に対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記電子回路に対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００２９】
これによれば、電気信号に対応した電荷量を容量素子に保持させる場合と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて第２のトランジスタの導通状態を制御させる場合とで、回路部に供給する駆動電圧を区別して供給することができる電気光学装置を提供することができる。
【００３０】
この電気光学装置において、前記第１の駆動電圧は、前記第２の駆動電圧より高い電圧であり、前記第１の手段は、少なくとも前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２の手段は、少なくとも前記第２のトランジスタを介して前記電気光学素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第２の駆動電圧を供給する。
【００３１】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電気光学素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００３２】
本発明の電気光学装置は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電気光学素子とを有した複数の単位回路を備えた電気光学装置において、前記単位回路の各々は、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００３３】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電気光学素子にて消費される消費電力を低減させる単位回路をそれぞれ有した電気光学装置を提供することができる。
【００３４】
本発明の電気光学装置は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電気光学素子とを有した複数の単位回路を備えた電気光学装置において、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、前記各第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段とを有する。
【００３５】
これによれば、従来の単位回路を使用しつつ前記単位回路に対して外部から容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電子素子にて消費される消費電力を低減させることができる電気光学装置を提供することができる。
【００３６】
この電気光学装置において、前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、有機ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる。
【００３７】
本発明の電気光学装置の駆動方法は、第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを備えた電気光学装置の駆動方法において、前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記電気光学装置に第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２のトランジスタを介して前記電気光学素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第１の駆動電圧より低い電圧の第２の駆動電圧を供給する。
【００３８】
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、電気光学素子にて消費される消費電力を低減させることができる電気光学装置を駆動させることができる。
【００３９】
この電気光学装置の駆動方法において、前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子である。
これによれば、容量素子に電気信号に対応した電荷量を高速で供給することができるとともに、有機ＥＬ素子にて消費される消費電力を低減させることができる電気光学装置を駆動させることができる。
【００４０】
本発明における電子機器は、請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電子回路を実装したことを特徴とする電子機器。
これによれば、容量素子に高速で電気信号に対応した電荷量を保持させることができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる電子機器を提供することができる。
【００４１】
本発明における電子機器は、請求項１０乃至１４のいずれか１つに記載の電子回路を実装したことを特徴とする電子機器。
これによれば、容量素子に高速で電気信号に対応した電荷量を保持させることができるとともに、電気光学素子の消費電力を低減させることができる電子機器を提供することができる。
【００４２】
【発明の実施の形態】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜４に従って説明する。
【００４３】
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。図２は、表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。図３は、電子回路としての画素回路の回路図である。図４は、画素回路の動作を示すタイミングチャートである。
【００４４】
有機ＥＬディスプレイ１０は、図１に示すように、制御回路１１、電子回路としての表示パネル部１２、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４を備えている。尚、本実施形態における有機ＥＬディスプレイ１０は、電圧プログラム方式の画素回路を有する有機ＥＬディスプレイである。
【００４５】
有機ＥＬディスプレイ１０の制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４は、それぞれが独立した電子部品によって構成されていてもよい。例えば、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４が、各々１チップの半導体集積回路装置によって構成されていてもよい。
【００４６】
又、制御回路１１、走査線駆動回路１３及びデータ線駆動回路１４の全部若しくは一部がプログラマブルなＩＣチップで構成され、その機能がＩＣチップに書き込まれたプログラムによりソフトウェア的に実現されてもよい。
【００４７】
制御回路１１は、図示しない外部装置から出力される画像データに基づいて表示パネル部１２に所望の画像を表示するための走査制御信号及びデータ制御信号をそれぞれ作成する。又、制御回路１１は、走査制御信号を走査線駆動回路１３に出力するとともに、データ制御信号をデータ線駆動回路１４に出力する。
【００４８】
表示パネル部１２は、図２に示すように、発光層が有機材料で構成された電子素子または電気光学素子としての有機ＥＬ素子２１を有する複数の単位回路としての画素回路２０がマトリクス状に配設されている。つまり、画素回路２０は、列方向に沿って延びるＭ本のデータ線Ｘｍ（ｍ＝１〜Ｍ；ｍは整数）と、行方向に沿って延びるＮ本の走査線Ｙｎ（ｎ＝１〜Ｎ；ｎは整数）との交差部に対応する位置に配設されている。また、表示パネル部１２には、後記する第１及び第２の駆動電圧Ｖｄｄａ，Ｖｄｄｂをそれぞれ供給する駆動電源部２２が設けられている（図３参照）。そして、前記駆動電源部２２は、第１及び第２の電源供給線Ｕａ，Ｕｂを介して第１及び第２の手段としての第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂを備えた電圧供給回路部２４に接続されている。そして、電圧供給回路部２４に備えられた第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂは画素回路２０に接続されている（図３参照）。尚、画素回路２０内に配置形成される後記するトランジスタは、通常はＴＦＴ（薄膜トランジスタ）で構成されている。
【００４９】
走査線駆動回路１３は、前記制御回路１１から出力される走査制御信号に基づいて、表示パネル部１２に設けられたＮ本の走査線Ｙｎのうち、１本の走査線を選択し、その選択された走査線に走査信号を供給する。
【００５０】
データ線駆動回路１４は、複数の単一ラインドライバ２３を備えている。各単一ラインドライバ２３は、表示パネル部１２に設けられたデータ線Ｘｍと接続されている。単一ラインドライバ２３は、それぞれ、制御回路１１から出力されるデータ制御信号に基づいて、電気信号としてのデータ電圧Ｖｄａｔａを生成する。又、単一ラインドライバ２３は、その生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａをデータ線Ｘｍを介して各画素回路２０に供給する。画素回路２０は、このデータ電圧Ｖｄａｔａに応じて同画素回路２０の内部状態を設定することで、各有機ＥＬ素子２１に流れる駆動電流Ｉｅｌを制御して同有機ＥＬ素子２１の輝度階調を制御するようになっている。
【００５１】
このように構成された有機ＥＬディスプレイ１０の画素回路２０及び電圧供給回路部２４について図３に従って以下に説明する。尚、各画素回路２０の回路構成はすべて同じであるので、説明の便宜上、１つの画素回路及び電圧供給回路部について説明する。
【００５２】
画素回路２０は、第２のトランジスタとしての駆動用トランジスタＴｒｄ、第１のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタＴｒｓ、容量素子としての保持用キャパシタＣｏを備えている。駆動用トランジスタＴｒｄ及びスイッチング用トランジスタＴｒｓは、それぞれ、ｐチャネルＦＥＴで構成されている。
【００５３】
電圧供給回路部２４は、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂを備えている。又、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂは、それぞれ、ｐチャネルＦＥＴで構成されている。
【００５４】
駆動用トランジスタＴｒｄは、そのドレインが有機ＥＬ素子２１の陽極に接続されている。有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【００５５】
第１の駆動電圧Ｖｄｄａは、有機ＥＬ素子２１の輝度階調におけるレンジを大きくすることで所望のコントラストを実現するために、十分に高く設定されている。又、前記第２の駆動電圧Ｖｄｄｂは第１の駆動電圧Ｖｄｄａと較べて低く設定されている。そして、画素回路２０がデータ書き込み期間Ｔｒｐのときは、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態となって、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ドレイン間に第１の駆動電圧Ｖｄｄａが供給されるようになっている。又、画素回路２０が発光期間Ｔｅｌのときは、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態となって、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ドレイン間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給されるようになっている。又、前記データ書き込み期間Ｔｒｐにおいて、駆動用トランジスタＴｒｄは、飽和領域で動作するように設定されている。ここで、データ書き込み期間Ｔｒｐとは、有機ＥＬ素子２１の輝度階調を画素回路２０に設定する期間である。又、発光期間Ｔｅｌは、前記駆動用トランジスタＴｒｄにて生成された駆動電流Ｉｅｌが有機ＥＬ素子２１に供給される期間である。
【００５６】
駆動用トランジスタＴｒｄのゲートは、スイッチング用トランジスタＴｒｓのドレインに接続されている。スイッチング用トランジスタＴｒｓのソースは、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａを各画素回路２０に供給するデータ線Ｘｍに接続されている。又、スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートは、第１の副走査線Ｙｓ１に接続されている。スイッチング用トランジスタＴｒｓは、前記データ書き込み期間Ｔｒｐにて第１の副走査線Ｙｓ１を介してスイッチング用トランジスタＴｒｓをオン状態にする第１の走査信号ＳＣ１に応答してオン状態となる。又、スイッチング用トランジスタＴｒｓは、前記発光期間Ｔｅｌにて第１の副走査線Ｙｓ１を介してスイッチング用トランジスタＴｒｓをオフ状態にする第１の走査信号ＳＣ１に応答してオフ状態となる。尚、前記第１、第２、第３の副走査線Ｙｓ１，Ｙｓ２，Ｙｓ３で走査線Ｙｎを構成している。
【００５７】
駆動用トランジスタＴｒｄのゲート／ソース間には、保持用キャパシタＣｏが接続されている。保持用キャパシタＣｏは、前記スイッチング用トランジスタＴｒｓがオン状態になったとき、即ち、データ書き込み期間Ｔｒｐになったとき、データ線Ｘｍを介して前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相対した電荷量を充電するためのコンデンサである。保持用キャパシタＣｏの静電容量は駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに寄生する寄生容量の影響を無視することができる程度に十分に大きく設定されているので、画素回路２０は、大きなレンジを実現するのに応じた大きさのデータ電圧Ｖｄａｔａに対応した電荷量を保持用キャパシタＣｏに充電することができる。このことによって、データ電圧Ｖｄａｔａに正確な駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給させることができる。
【００５８】
次に、前記のように構成された画素回路２０の駆動方法について図３及び図４に従って説明する。図４は、スイッチング用トランジスタＴｒｓ、第１電圧供給用トランジスタＴｒａ、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのそれぞれの駆動状態と、有機ＥＬ素子２１に流れる駆動電流Ｉｅｌとのタイミングチャートである。又、図４において、Ｔｃ及びＴｅｌは、それぞれ、駆動周期及び発光期間を表している。駆動周期Ｔｃは、データ書き込み期間Ｔｒｐと発光期間Ｔｅｌとから成っている。駆動周期Ｔｃは、前記有機ＥＬ素子２１の輝度階調が１回ずつ更新される周期を意味しており、所謂、走査周期と同じものである。
【００５９】
画素回路２０において、まず、前記走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、スイッチング用トランジスタＴｒｓをオン状態にする第１の走査信号ＳＣ１が、同スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００６０】
すると、スイッチング用トランジスタＴｒｓが前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【００６１】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電圧Ｖｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電圧Ｖｄａｔａを供給することができる。
【００６２】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介してスイッチング用トランジスタＴｒｓを、所定の発光期間Ｔｅｌに、オフ状態にする第１の走査信号ＳＣ１が同スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３からは、第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にするための第２の走査信号ＳＣ２が供給されるとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にするための第３の走査信号ＳＣ３が供給される。
【００６３】
すると、スイッチング用トランジスタＴｒｓが前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【００６４】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電圧Ｖｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。このとき、駆動用トランジスタＴｒｄは飽和領域で動作し、前記駆動電流Ｉｅｌは以下の式で表される。
【００６５】
Ｉｅｌ＝（１／２）β（Ｖ１−Ｖｔｈ）２
ここで、βは、駆動用トランジスタＴｒｄの利得係数であって、駆動用トランジスタＴｒｄのキャリアの移動度をμ、ゲート容量をＡ、チャネル幅をＷ、チャネル長をＬで表わすと、利得係数βは、β＝（μＡＷ／Ｌ）で表わされる定数である。又、Ｖｔｈは、駆動用トランジスタＴｒｄの閾値電圧である。
【００６６】
そして、有機ＥＬ素子２１にて消費される消費電力Ｐは、以下の式で与えられる。
【００６７】
このようにすることによって、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電圧Ｖｄａｔａを供給することができるとともに、有機ＥＬ素子の消費電力Ｐを低減させることができる画素回路２０を提供することができる。
【００６８】
前記実施形態の画素回路及び画素回路の駆動方法によれば、以下のような特徴を得ることができる。
（１）本実施形態では、駆動用トランジスタＴｒｄのソースに、異なる駆動電圧を有する第１の駆動電圧Ｖｄｄａ及び第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給するようにした。そして、データ書き込み期間Ｔｒｐにおいては、駆動用トランジスタＴｒｄに第２の駆動電圧Ｖｄｄｂより高い第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給するようにした。つまり、保持用キャパシタＣｏに充電される電荷量に応じた電圧Ｖ１のレンジは、前記駆動用トランジスタＴｒｄに供給する駆動電圧が高い程、大きくすることができる。
【００６９】
その結果、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電圧Ｖｄａｔａを供給することができる。
又、発光期間Ｔｅｌにおいては、駆動用トランジスタＴｒｄに第１の駆動電圧Ｖｄｄａより低い第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給するようにした。このとき、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさを保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さくしておけば、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧を保存することが可能となる。それによって、駆動電圧として第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給されているときに流れる駆動電流Ｉｅｌは、駆動電圧として第１の駆動電圧Ｖｄｄａが供給されているときに流れるＩｅｌと同じ大きさになる。すなわち、駆動電圧を低電圧化しつつも同等の駆動電流Ｉｅｌを流すことができる。
【００７０】
その結果、発光期間Ｔｅｌにおいては、駆動用トランジスタＴｒｄに第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給することで有機ＥＬ素子２１を発光させる時に消費される消費電力Ｐを低減させることができる。
【００７１】
（２）本実施形態では、保持用キャパシタＣｏの静電容量を十分に大きく設定することによって、駆動電流Ｉｅｌが駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに寄生する寄生容量の影響を無視するようにした。このことによって、データ電圧Ｖｄａｔａに正確な駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給させることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図５に従って説明する。尚、本実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして、その詳細な説明を省略する。
【００７２】
図５は、有機ＥＬディスプレイ１０の表示パネル部１２に配設された画素回路３０及び電圧供給回路部２４の回路図である。画素回路３０は、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路である。画素回路３０は、駆動用トランジスタＴｒｄ、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２、保持用キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子２１を含む。
【００７３】
前記駆動用トランジスタＴｒｄ、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１は、それぞれｐチャネルＦＥＴである。
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のソースは、制御用トランジスタＴｒｃのドレインと、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のドレインと、駆動用トランジスタＴｒｄのドレインとにそれぞれ接続されている。第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のドレインは、データ線Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に電気的に接続されている。本実施形態におけるデータ線駆動回路１４は、前記制御回路１１から出力されるデータ制御信号に基づいてデータ電流Ｉｄａｔａを生成し、その生成されたデータ電流Ｉｄａｔａを各画素回路３０に供給する。
【００７４】
制御用トランジスタＴｒｃのソースは、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに接続されている。保持用キャパシタＣｏは、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間に接続されている。
【００７５】
有機ＥＬ素子２１の陽極は、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のソースに接続され、有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。又、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２と制御用トランジスタＴｒｃの各ゲートは、第１の副走査線Ｙｓ１に共通して接続されている。
【００７６】
このように構成された画素回路３０において、駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【００７７】
次に、前記のように構成された画素回路３０の駆動方法について説明する。
前記画素回路３０において、まず、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオン状態（第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオフ状態）にする第１の走査信号ＳＣ１が、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２の各ゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００７８】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【００７９】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電流Ｉｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電流Ｉｄａｔａを供給することができる。
【００８０】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を介して制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１を、所定の発光期間Ｔｅｌに、オフ状態（第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオン状態）にする第１の走査信号ＳＣ１が同スイッチング用トランジスタＴｒｓのゲートに供給される。又、走査線駆動回路１３からは、第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にするための第２の走査信号ＳＣ２が供給されるとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にするための第３の走査信号ＳＣ３が供給される。
【００８１】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【００８２】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電流Ｉｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。つまり、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【００８３】
従って、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路３０においても、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第３実施形態）
次に、本発明を具体化した第３実施形態を図６に従って説明する。尚、本実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして、その詳細な説明を省略する。
【００８４】
図６は、有機ＥＬディスプレイ１０の表示パネル部１２に配設された画素回路４０及び電圧供給回路部２４の回路図である。画素回路４０は、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路である。画素回路４０は、駆動用トランジスタＴｒｄ、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２、保持用キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子２１を含む。
【００８５】
前記駆動用トランジスタＴｒｄはｐチャネルＦＥＴである。又、制御用トランジスタＴｒｃ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２はそれぞれ、ｎチャネルＦＥＴである。
【００８６】
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のドレインは、制御用トランジスタＴｒｃのソースと、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のドレインと、駆動用トランジスタＴｒｄのドレインとにそれぞれ接続されている。第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のソースは、データ線Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に接続されている。本実施形態におけるデータ線駆動回路１４は、前記制御回路１１から出力されるデータ制御信号に基づいてデータ電流Ｉｄａｔａを生成し、その生成されたデータ電流Ｉｄａｔａを各画素回路３０に供給する。
【００８７】
制御用トランジスタＴｒｃのドレインは、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに接続されている。保持用キャパシタＣｏは、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間に接続されている。
【００８８】
有機ＥＬ素子２１の陽極は、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のソースに接続され、有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。又、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１と制御用トランジスタＴｒｃの各ゲートは、第１の走査制御線Ｙｓｓ１に共通して接続されている。又、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートは、第２の走査制御線Ｙｓｓ２に接続されている。前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１と前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２とで第１の副走査線Ｙｓ１を構成している。
【００８９】
このように構成された画素回路４０において、駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【００９０】
次に、前記のように構成された画素回路４０の駆動方法について説明する。
前記画素回路４０において、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオン状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記データ書き込み期間Ｔｒｐに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオフ状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【００９１】
又、このとき、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００９２】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になるとともに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオフ状態になる。又、このとき、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【００９３】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電流Ｉｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電流Ｉｄａｔａを供給することができる。
【００９４】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介して所定の発光期間Ｔｅｌに、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオフ状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記発光期間Ｔｅｌに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオン状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【００９５】
又、このとき、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【００９６】
すると、制御用トランジスタＴｒｃ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１が前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【００９７】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電流Ｉｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。
【００９８】
つまり、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【００９９】
従って、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路４０においても、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第４実施形態）
次に、本発明を具体化した第４実施形態を図７に従って説明する。尚、本実施形態において、前記第１実施形態と同じ構成部材については符号を等しくして、その詳細な説明を省略する。
【０１００】
図７は、有機ＥＬディスプレイ１０の画素回路５０及び電圧供給回路部２４の回路図である。画素回路５０は、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路である。画素回路５０は、駆動用トランジスタＴｒｄ、トランジスタＴｒｍ、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２、保持用キャパシタＣｏ及び有機ＥＬ素子２１を含む。
【０１０１】
前記駆動用トランジスタＴｒｄ、トランジスタＴｒｍ及び第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１は、それぞれｐチャネルＦＥＴである。又、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２は、ｎチャネルＦＥＴである。
【０１０２】
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１は、トランジスタＴｒｍのゲート／ドレイン間に接続されている。トランジスタＴｒｍのソースは第１電圧供給用トランジスタＴｒａのドレインに接続されている。つまり、トランジスタＴｒｍは、駆動用トランジスタＴｒｄとカレントミラー回路を形成する。又、トランジスタＴｒｍのゲートは、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートに接続されている。
【０１０３】
保持用キャパシタＣｏは、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間に接続されている。第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のソースは、データ線Ｘｍを介してデータ線駆動回路１４に接続されている。
【０１０４】
有機ＥＬ素子２１の陽極は、駆動用トランジスタＴｒｄのドレインに接続され、有機ＥＬ素子２１の陰極は接地されている。
第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートは、第１の走査制御線Ｙｓｓ１に共通して接続されている。又、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートは、第２の走査制御線Ｙｓｓ２に接続されている。そして、前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１と前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２とで第１の副走査線Ｙｓ１を構成している。
【０１０５】
このように構成された画素回路５０において、駆動用トランジスタＴｒｄのソースは、第１及び第２電圧供給用トランジスタＴｒａ，Ｔｒｂのドレインにそれぞれ接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのソースは第１の駆動電圧Ｖｄｄａを供給する第１の電源供給線Ｕａに接続されている。第１電圧供給用トランジスタＴｒａのゲートは第２の副走査線Ｙｓ２に接続されている。又、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのソースは第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを供給する第２の電源供給線Ｕｂに接続されている。第２電圧供給用トランジスタＴｒｂのゲートは第３の副走査線Ｙｓ３に接続されている。
【０１０６】
次に、前記のように構成された画素回路５０の駆動方法について説明する。
前記画素回路５０において、前記走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介してデータ書き込み期間Ｔｒｐに、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオン状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から第１の副走査線Ｙｓ１を構成する前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記データ書き込み期間Ｔｒｐに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオン状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【０１０７】
又、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオン状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオフ状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【０１０８】
すると、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２が前記データ書き込み期間Ｔｒｐでオン状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオン状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオフ状態になる。
【０１０９】
このことによって、保持用キャパシタＣｏには、前記単一ラインドライバ２３にて生成されたデータ電流Ｉｄａｔａに相対した電荷量が充電されて、保持用キャパシタＣｏには、その充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１が生じる。このとき、第１の駆動電圧Ｖｄｄａは十分に高く設定されているので、保持用キャパシタＣｏに大きなレンジを実現することができるデータ電流Ｉｄａｔａを供給することができる。
【０１１０】
次に、データ書き込み期間Ｔｒｐが終了した後、走査線駆動回路１３から前記第１の走査制御線Ｙｓｓ１を介して所定の発光期間Ｔｅｌに、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１をオフ状態にする第１の走査制御信号ＳＣ１１が、第１スイッチング用トランジスタＴｒｓ１のゲートに供給される。このとき、走査線駆動回路１３から前記第２の走査制御線Ｙｓｓ２を介して前記発光期間Ｔｅｌに、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２をオフ状態にする第２の副走査信号ＳＣ１２が、第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ２のゲートに供給される。
【０１１１】
又、このとき、走査線駆動回路１３から第２の副走査線Ｙｓ２を介して、第１電圧供給用トランジスタＴｒａをオフ状態にする第２の走査信号ＳＣ２が供給されているとともに、第３の副走査線Ｙｓ３を介して、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂをオン状態にする第３の走査信号ＳＣ３がそれぞれ供給される。
【０１１２】
すると、第１及び第２スイッチング用トランジスタＴｒｓ１，Ｔｒｓ２が前記発光期間Ｔｅｌでオフ状態になる。又、第１電圧供給用トランジスタＴｒａがオフ状態になるとともに、第２電圧供給用トランジスタＴｒｂがオン状態になる。
【０１１３】
このことによって、駆動用トランジスタＴｒｄのドレイン／ソース間に第２の駆動電圧Ｖｄｄｂが供給される。ここで、駆動用トランジスタＴｒｄのゲート寄生容量の大きさが保持用キャパシタＣｏに比べて無視できる程度に小さいとき、期間Ｔｒｐから期間Ｔｅｌへの移行において保持用キャパシタＣｏの電荷量は維持される。すなわち、駆動用トランジスタＴｒｄのソース／ゲート間電圧は保存されることになる。すると、前記保持用キャパシタＣｏに充電された電荷量に応じた電圧Ｖ１に応じた駆動電流Ｉｅｌが生成されて、前記有機ＥＬ素子２１に供給される。従って、有機ＥＬ素子２１は前記データ電流Ｉｄａｔａに応じた輝度階調で発光することとなる。つまり、発光期間Ｔｅｌにおいては、第１駆動電圧Ｖｄｄａより低い電圧である第２の駆動電圧Ｖｄｄｂを使用して駆動電流Ｉｅｌを有機ＥＬ素子２１に供給することによって、消費電力Ｐを従来の消費電力より小さくすることができる。
【０１１４】
従って、データ信号が電流信号である電流プログラム方式の画素回路５０においても、前記第１実施形態と同様な効果を得ることができる。
（第５実施形態）
次に、第１〜第４実施形態で説明した電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ１０の電子機器の適用について図８及び図９に従って説明する。有機ＥＬディスプレイ１０は、モバイル型のパーソナルコンピュータ、携帯電話、デジタルカメラ等種々の電子機器に適用できる。
【０１１５】
図８は、モバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図を示す。図８において、パーソナルコンピュータ６０は、キーボード６１を備えた本体部６２と、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット６３とを備えている。この場合においても、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット６３は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、低消費電力の画素回路２０、３０、４０及び５０を備えたモバイル型パーソナルコンピュータ６０を提供することができる。
【０１１６】
図９は、携帯電話の構成を示す斜視図を示す。図９において、携帯電話７０は、複数の操作ボタン７１、受話口７２、送話口７３、前記有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット７４を備えている。この場合においても、有機ＥＬディスプレイ１０を用いた表示ユニット７４は前記実施形態と同様な効果を発揮する。この結果、低消費電力の画素回路２０、３０、４０及び５０を備えた携帯電話７０を提供することができる。
【０１１７】
尚、発明の実施形態は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
○上記実施形態では、電流駆動素子として有機ＥＬ素子２１を用いたが、これを他の電流駆動素子に適応してもよい。例えば、ＬＥＤやＦＥＤ等の発光素子のような電流駆動素子に適応してもよい。
【０１１８】
○上記実施形態では、電気光学装置として、有機ＥＬ素子２１を有する画素回路２０、３０、４０及び５０を用いた有機ＥＬディスプレイ１０に適応したが、これを、発光層が無機材料で構成された無機ＥＬ素子を有する画素回路を用いたディスプレイに適応してもよい。
【０１１９】
○前記実施形態では、１色からなる有機ＥＬ素子２１の画素回路２０、３０、４０及び５０を設けた有機ＥＬディスプレイ１０であったが、赤色、緑色及び青色の３色の有機ＥＬ素子２１に対して各色用の画素回路２０、３０、４０及び５０を設けたＥＬディスプレイに応用しても良い。
【０１２０】
【発明の効果】
請求項１〜１８に記載の発明によれば、大きなレンジを実現するための充電電圧を容量素子に供給することができるとともに、電子素子の消費電力を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態の有機ＥＬディスプレイの回路構成を示すブロック回路図である。
【図２】表示パネル部及びデータ線駆動回路の内部回路構成を示すブロック回路図である。
【図３】本実施形態の画素回路の回路図である。
【図４】本実施形態の画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】第２実施形態を説明するための画素回路の回路図である。
【図６】第３実施形態を説明するための画素回路の回路図である。
【図７】第４実施形態を説明するための画素回路の回路図である。
【図８】第５実施形態を説明するためのモバイル型パーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図９】第５実施形態を説明するための携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１０】従来の画素回路の回路図である。
【符号の説明】
Ｃｏ 容量素子としての保持用キャパシタ
Ｔｒａ 第１の手段としての第１電圧供給用トランジスタ
Ｔｒｂ 第２の手段としての第２電圧供給用トランジスタ
Ｔｒｄ 第２のトランジスタとしての駆動用トランジスタ
Ｔｒｓ 第１のトランジスタとしてのスイッチング用トランジスタ
Ｖｄａｔａ 電気信号としてのデータ電圧
１０ 電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ
１２ 電子回路としての表示パネル部
２０ 単位回路としての画素回路
２１ 電気光学素子、電子素子及び電流駆動素子としての有機ＥＬ素子
６０ 電子機器としてのモバイル型パーソナルコンピュータ
７０ 電子機器としての携帯電話
Claims (18)
- 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、
前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子と
を備えた回路部に、
前記回路部に対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、
前記回路部に対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段と
を有することを特徴とする電子回路。 - 請求項１に記載の電子回路において、
前記第１の駆動電圧は、前記第２の駆動電圧より高い電圧であり、
前記第１の手段は、少なくとも前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２の手段は、少なくとも前記第２のトランジスタを介して前記電子素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第２の駆動電圧を供給することを特徴とする電子回路。 - 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、
前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子と
を有した複数の単位回路を備えた電子回路において、
前記単位回路の各々は、
前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、
前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段と
を有することを特徴とする電子回路。 - 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、
前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電子素子と
を有した複数の単位回路を備えた電子回路において、
前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、前記各第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、
前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段と
を有することを特徴とする電子回路。 - 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の電子回路において、
前記電子素子は、電流駆動素子であることを特徴とする電子回路。 - 請求項５に記載の電子回路において、
前記電流駆動素子は、ＥＬ素子であることを特徴とする電子回路。 - 第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電子素子とを備えた電子回路の駆動方法において、
前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記電子回路に第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２のトランジスタを介して前記電子素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第１の駆動電圧より低い電圧の第２の駆動電圧を供給することを特徴とする電子回路の駆動方法。 - 請求項７に記載の電子回路の駆動方法において、
前記電子素子は、電流駆動素子であることを特徴とする電子回路の駆動方法。 - 請求項８に記載の電子回路の駆動方法において、
前記電流駆動素子は、ＥＬ素子であることを特徴とする電子回路の駆動方法。 - 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、
前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子と
を備えた電子回路を有する電気光学装置であって、
前記電子回路には、
前記電子回路に対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、
前記電子回路に対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段と
を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１０に記載の電気光学装置において、
前記第１の駆動電圧は、前記第２の駆動電圧より高い電圧であり、
前記第１の手段は、少なくとも前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２の手段は、少なくとも前記第２のトランジスタを介して前記電気光学素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第２の駆動電圧を供給することを特徴とする電気光学装置。 - 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、
前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電気光学素子とを有した複数の単位回路を備えた電気光学装置において、
前記単位回路の各々は、
前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、
前記第２のトランジスタと接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段と
を有することを特徴とする電気光学装置。 - 第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、
前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、
前記導通状態に相対した電流レベルを有する電流が供給される電気光学素子とを有した複数の単位回路を備えた電気光学装置において、
前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、前記各第２のトランジスタに対して第１の駆動電圧を供給する第１の手段と、
前記単位回路の各々の前記第２のトランジスタと共通して接続され、同第２のトランジスタに対して第２の駆動電圧を供給する第２の手段と
を有することを特徴とする電気光学装置。 - 請求項１０乃至１３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、
前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置。 - 第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタを介して供給される電気信号を電荷量として保持する容量素子と、前記容量素子に保持された電荷量に基づいて導通状態が制御される第２のトランジスタと、前記導通状態に相対した電流量が供給される電気光学素子とを備えた電気光学装置の駆動方法において、
前記第１のトランジスタを介して容量素子に電気信号を供給する期間において、前記電気光学装置に第１の駆動電圧を供給するとともに、前記第２のトランジスタを介して前記電気光学素子に導通状態に相対した電流量を供給する期間において、前記第１の駆動電圧より低い電圧の第２の駆動電圧を供給することを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 請求項１５に記載の電気光学装置の駆動方法において、
前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。 - 請求項１乃至６のいずれか１つに記載の電子回路を実装したことを特徴とする電子機器。
- 請求項１０乃至１４のいずれか１つに記載の電気光学装置を実装したことを特徴とする電子機器。
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