JP2004047548A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】コレクタ抵抗を下げようとすると、素子面積が大となってしまう。良好な特性かつ小さい素子面積のバイポーラトランジスタ集積回路装置を提供する。
【解決手段】シンカーと呼ばれる領域形成においてトレンチ構造を利用することで、コレクタ抵抗の小さく、素子面積の小さいバイポーラトランジスタを形成できる。これは、同一基板に縦形電界効果トランジスタが存在するBiCMOSにおいて有効である。これらのプロセスは従来のプロセスに多くのステップを付加することなく実現できる。
【選択図】 図1
【解決手段】シンカーと呼ばれる領域形成においてトレンチ構造を利用することで、コレクタ抵抗の小さく、素子面積の小さいバイポーラトランジスタを形成できる。これは、同一基板に縦形電界効果トランジスタが存在するBiCMOSにおいて有効である。これらのプロセスは従来のプロセスに多くのステップを付加することなく実現できる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、バイポ−ラ型半導体装置およびバイポ−ラ型とMIS型半導体装置を同一基板に形成した半導体集積回路装置の製造方法に関わり、定電圧出力機能や定電流出力機能を有する電源用半導体集積回路装置を含む半導体集積回路装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図2に、従来の技術を用いたバイポーラトランジスタの工程順の断面図を示す。まず図2(a)のように、P基板11に部分的なイオン注入によって、N型の不純物イオンを導入する。そして、熱工程を経た後、エピタキシャル成長膜13を堆積させる。これらの工程中の熱拡散によって、N型の不純物イオンを導入された領域は埋込み層12となる。
【0003】
埋込み層12は、埋込み層12上に形成されるデバイスのオン抵抗の低抵抗化とともに、寄生素子の抑制、ソフトエラー及びラッチアップ耐性向上の為に用いられる。埋込み層12形成のための不純物打ち込み量は、後の熱工程によって不純物が上方まで拡散したときに、デバイスの耐圧を阻害しないように考慮し、エピタキシャル層13厚とともに制御される。
【0004】
その後更に、図2(b)のように、エピタキシャル成長膜13表面の特定の領域にイオン注入を行うことにより、高濃度不純物領域14が形成される。
【0005】
その後、図2(c)のように、熱工程により、エピタキシャル成長膜13表面から、埋込み層12まで高濃度不純物領域14が拡散し、シンカー領域15が形成される。その後さらに、ベース領域16、エミッタ領域17、コレクタ電極領域18を形成する。埋込み層12とデバイス表面にあるコレクタ電極18の間を、シンカー領域15(コレクタウォールとも呼ばれる)層を形成して接続することにより、埋込み層12が効果的に低抵抗層として機能することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シンカー領域15を形成するとき、エピタキシャル層13の厚みにより、熱工程によってシンカー領域15を埋込み層12に接触させるために、ある程度高い温度で拡散させる必要がある。このとき、縦方向と同時に横方向にもシンカー領域15の不純物が拡散してしまい、素子の耐圧に大きな影響を与える。
【0007】
このため、シンカー領域15をエミッタ領域17・ベース領域16から大きく離すこととなり、面積を増大させるような結果とならざるを得ない。抵抗を下げるために、シンカー領域15を形成するための不純物を多量に導入すれば上記現象がさらに助長される。
【0008】
シンカー領域15を形成しないと、埋込み層12が有効に活用されずコレクタ抵抗の増加あるいは横方向寄生バイポーラ効果の増大となり、デバイスの性能が低下してしまうことは明らかである。これは、NPN型でもPNP型でも縦形のバイポーラにあてはまる。
【0009】
本発明は以上のような点に着目してなされたもので、従来よりも高性能かつ小面積でコスト高とならない、付加価値の高いバイポーラトランジスタを形成することが可能となり、また同一基板上に縦形MOSFETが存在する場合、何ら工程を増やすことなく、BiCMOS集積回路装置にも容易に応用できる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図面においては、簡単のため、様々の層の厚みは誇張して示してある。
【0011】
図1は本発明の一実施例の工程順に示した断面図である。図1(a)のように、第1導電型半導体基板としてP型基板1は、例えばP型の導電型で20〜30Ω・cmの抵抗率のシリコン半導体基板である。P型基板1の表面に、N型の導電型の不純物、例えば砒素を1×1016atoms/cm3〜1×1021atoms/cm3、の濃度となるように不純物導入して形成された、バイポーラトランジスタの埋込み層コレクタ領域2が形成されている。
【0012】
更にその上に、例えばガスソースとしてSiH2Cl2及びPH3を用いたN型の導電型のCVDエピタキシャル成長膜3が抵抗率2Ω・cm、膜厚4μmで形成されている。なお、ここでのガスソース、抵抗率、膜厚は本発明において本質的なものではない。上記したものとは限らない。
【0013】
次に図1(b)のように、N型エピタキシャル成長膜3の表面から、トレンチ(深い溝)4を埋込み層コレクタ領域2に達する深さまで形成する。トレンチ幅は0.4μm〜3.0μm程度で、深さは0.8μm〜4.0μm程度である。ただしトレンチ幅、トレンチ深さは、上記の限りではない。エピタキシャル成長層3の厚み、抵抗率、埋込み層の表面からの深さ、トランジスタの耐圧等によって、様々に設定される。
【0014】
さらに、ここで同一基板上に、縦形MOSFETあるいは、トレンチ構造素子分離等を形成する場合には、酸化工程によりトレンチ4の内壁に熱酸化膜を形成するが、ここでは図示しない。
【0015】
次に図1(c)において、前工程で酸化膜をトレンチ4内壁に形成したときは、トレンチ4底面あるいは側壁すべての酸化膜を異方性、あるいは等方性エッチングにて除去する。
【0016】
さらに、図示しないが、トレンチ4内に多結晶シリコンを埋め込む目的で、シリコンエピタキシャル成長層3表面に、多結晶シリコンを堆積する。多結晶シリコンを堆積した後、プリデポ工程(固体拡散)によって、多結晶シリコン中に不純物を導入する。ここでは、多結晶シリコンにN型の不純物を導入するが、PNPトランジスタのシンカー領域を形成する際には、P型の不純物を導入する。その後、N型エピタキシャル成長膜3の表面まで多結晶シリコンをエッチングして、トレンチ4内に多結晶シリコンを充填することにより、多結晶シリコンのシンカー領域6が形成される。
【0017】
また、シンカー領域6は、埋め込み層2とシリコンのエピタキシャル成長層3の表面に設けられる電極(図示しない)とを電気的に接続する第1の低抵抗領域として機能する。その後、シリコンエピタキシャル成長層3表面に不純物を注入することにより、ベース領域5、エミッタ領域7を形成することにより、縦形NPNバイポーラトランジスタが図1(c)の様に完成する。
【0018】
以上の実施例で説明したように、コレクタ抵抗を小さくするために通常使われることの多いシンカーと呼ばれる層を、トレンチ構造を用いて形成することにより、コレクタ抵抗を減少させ、かつ素子面積の小さいNPN型バイポーラトランジスタを形成できる。コレクタ抵抗を十分に考慮しつつ、トレンチ106の面積、形状、多結晶シリコンの不純物導入を制御、およびレイアウト位置を適宜変化させることにより、所望の特性をもつトランジスタが容易に作れる。
【0019】
以上の実施例は縦形NPNバイポーラトランジスタのシンカー領域を例にとって説明したが、これは、NPN型でもPNP型でも縦形のバイポーラのシンカー形成にあてはまる。また縦形PNP構造においては、P基板〜コレクタ間を分離するN型の埋込み層のシンカー形成に用いることもできる。
【0020】
また、横型PNP構造においては、ベース電位制御のためのシンカーとしても使用できる。さらにまた、同一基板上に形成する縦形MOSFETにおいて、トレンチおよびゲート電極作製と共通化も可能である。また、素子分離として、デバイス間を分離する際にも使うことができる。
【0021】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように、バイポーラトランジスタを作製する際に、マスクを増加させることなく、性能を向上させ、良好な電気特性を持つバイポーラトランジスタおよび、BiCMOS集積回路装置を形成できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるバイポーラトランジスタの製造工程順の断面図である。
【図2】従来のバイポーラトランジスタの製造工程順の断面図である。
【符号の説明】
1 P型基板
2 埋込み層コレクタ領域
3 N型エピタキシャル成長膜
4 トレンチ
6 埋め込み多結晶シリコンであるシンカー領域
7 エミッタ領域
11 P型基板
15 シンカー領域
【発明の属する技術分野】
この発明は、バイポ−ラ型半導体装置およびバイポ−ラ型とMIS型半導体装置を同一基板に形成した半導体集積回路装置の製造方法に関わり、定電圧出力機能や定電流出力機能を有する電源用半導体集積回路装置を含む半導体集積回路装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
図2に、従来の技術を用いたバイポーラトランジスタの工程順の断面図を示す。まず図2(a)のように、P基板11に部分的なイオン注入によって、N型の不純物イオンを導入する。そして、熱工程を経た後、エピタキシャル成長膜13を堆積させる。これらの工程中の熱拡散によって、N型の不純物イオンを導入された領域は埋込み層12となる。
【0003】
埋込み層12は、埋込み層12上に形成されるデバイスのオン抵抗の低抵抗化とともに、寄生素子の抑制、ソフトエラー及びラッチアップ耐性向上の為に用いられる。埋込み層12形成のための不純物打ち込み量は、後の熱工程によって不純物が上方まで拡散したときに、デバイスの耐圧を阻害しないように考慮し、エピタキシャル層13厚とともに制御される。
【0004】
その後更に、図2(b)のように、エピタキシャル成長膜13表面の特定の領域にイオン注入を行うことにより、高濃度不純物領域14が形成される。
【0005】
その後、図2(c)のように、熱工程により、エピタキシャル成長膜13表面から、埋込み層12まで高濃度不純物領域14が拡散し、シンカー領域15が形成される。その後さらに、ベース領域16、エミッタ領域17、コレクタ電極領域18を形成する。埋込み層12とデバイス表面にあるコレクタ電極18の間を、シンカー領域15(コレクタウォールとも呼ばれる)層を形成して接続することにより、埋込み層12が効果的に低抵抗層として機能することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、シンカー領域15を形成するとき、エピタキシャル層13の厚みにより、熱工程によってシンカー領域15を埋込み層12に接触させるために、ある程度高い温度で拡散させる必要がある。このとき、縦方向と同時に横方向にもシンカー領域15の不純物が拡散してしまい、素子の耐圧に大きな影響を与える。
【0007】
このため、シンカー領域15をエミッタ領域17・ベース領域16から大きく離すこととなり、面積を増大させるような結果とならざるを得ない。抵抗を下げるために、シンカー領域15を形成するための不純物を多量に導入すれば上記現象がさらに助長される。
【0008】
シンカー領域15を形成しないと、埋込み層12が有効に活用されずコレクタ抵抗の増加あるいは横方向寄生バイポーラ効果の増大となり、デバイスの性能が低下してしまうことは明らかである。これは、NPN型でもPNP型でも縦形のバイポーラにあてはまる。
【0009】
本発明は以上のような点に着目してなされたもので、従来よりも高性能かつ小面積でコスト高とならない、付加価値の高いバイポーラトランジスタを形成することが可能となり、また同一基板上に縦形MOSFETが存在する場合、何ら工程を増やすことなく、BiCMOS集積回路装置にも容易に応用できる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。図面においては、簡単のため、様々の層の厚みは誇張して示してある。
【0011】
図1は本発明の一実施例の工程順に示した断面図である。図1(a)のように、第1導電型半導体基板としてP型基板1は、例えばP型の導電型で20〜30Ω・cmの抵抗率のシリコン半導体基板である。P型基板1の表面に、N型の導電型の不純物、例えば砒素を1×1016atoms/cm3〜1×1021atoms/cm3、の濃度となるように不純物導入して形成された、バイポーラトランジスタの埋込み層コレクタ領域2が形成されている。
【0012】
更にその上に、例えばガスソースとしてSiH2Cl2及びPH3を用いたN型の導電型のCVDエピタキシャル成長膜3が抵抗率2Ω・cm、膜厚4μmで形成されている。なお、ここでのガスソース、抵抗率、膜厚は本発明において本質的なものではない。上記したものとは限らない。
【0013】
次に図1(b)のように、N型エピタキシャル成長膜3の表面から、トレンチ(深い溝)4を埋込み層コレクタ領域2に達する深さまで形成する。トレンチ幅は0.4μm〜3.0μm程度で、深さは0.8μm〜4.0μm程度である。ただしトレンチ幅、トレンチ深さは、上記の限りではない。エピタキシャル成長層3の厚み、抵抗率、埋込み層の表面からの深さ、トランジスタの耐圧等によって、様々に設定される。
【0014】
さらに、ここで同一基板上に、縦形MOSFETあるいは、トレンチ構造素子分離等を形成する場合には、酸化工程によりトレンチ4の内壁に熱酸化膜を形成するが、ここでは図示しない。
【0015】
次に図1(c)において、前工程で酸化膜をトレンチ4内壁に形成したときは、トレンチ4底面あるいは側壁すべての酸化膜を異方性、あるいは等方性エッチングにて除去する。
【0016】
さらに、図示しないが、トレンチ4内に多結晶シリコンを埋め込む目的で、シリコンエピタキシャル成長層3表面に、多結晶シリコンを堆積する。多結晶シリコンを堆積した後、プリデポ工程(固体拡散)によって、多結晶シリコン中に不純物を導入する。ここでは、多結晶シリコンにN型の不純物を導入するが、PNPトランジスタのシンカー領域を形成する際には、P型の不純物を導入する。その後、N型エピタキシャル成長膜3の表面まで多結晶シリコンをエッチングして、トレンチ4内に多結晶シリコンを充填することにより、多結晶シリコンのシンカー領域6が形成される。
【0017】
また、シンカー領域6は、埋め込み層2とシリコンのエピタキシャル成長層3の表面に設けられる電極(図示しない)とを電気的に接続する第1の低抵抗領域として機能する。その後、シリコンエピタキシャル成長層3表面に不純物を注入することにより、ベース領域5、エミッタ領域7を形成することにより、縦形NPNバイポーラトランジスタが図1(c)の様に完成する。
【0018】
以上の実施例で説明したように、コレクタ抵抗を小さくするために通常使われることの多いシンカーと呼ばれる層を、トレンチ構造を用いて形成することにより、コレクタ抵抗を減少させ、かつ素子面積の小さいNPN型バイポーラトランジスタを形成できる。コレクタ抵抗を十分に考慮しつつ、トレンチ106の面積、形状、多結晶シリコンの不純物導入を制御、およびレイアウト位置を適宜変化させることにより、所望の特性をもつトランジスタが容易に作れる。
【0019】
以上の実施例は縦形NPNバイポーラトランジスタのシンカー領域を例にとって説明したが、これは、NPN型でもPNP型でも縦形のバイポーラのシンカー形成にあてはまる。また縦形PNP構造においては、P基板〜コレクタ間を分離するN型の埋込み層のシンカー形成に用いることもできる。
【0020】
また、横型PNP構造においては、ベース電位制御のためのシンカーとしても使用できる。さらにまた、同一基板上に形成する縦形MOSFETにおいて、トレンチおよびゲート電極作製と共通化も可能である。また、素子分離として、デバイス間を分離する際にも使うことができる。
【0021】
【発明の効果】
この発明は、以上説明したように、バイポーラトランジスタを作製する際に、マスクを増加させることなく、性能を向上させ、良好な電気特性を持つバイポーラトランジスタおよび、BiCMOS集積回路装置を形成できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるバイポーラトランジスタの製造工程順の断面図である。
【図2】従来のバイポーラトランジスタの製造工程順の断面図である。
【符号の説明】
1 P型基板
2 埋込み層コレクタ領域
3 N型エピタキシャル成長膜
4 トレンチ
6 埋め込み多結晶シリコンであるシンカー領域
7 エミッタ領域
11 P型基板
15 シンカー領域
Claims (3)
- 第1導電型の半導体材料からなる基板上に、第2導電型のシリコンエピタキシャル成長層が形成されており、前記第1導電型の基板と、第2導電型のシリコンエピタキシャル層の境界近傍に第2導電型の埋込み層を有する、バイポーラトランジスタを形成する半導体集積回路装置の製造方法において、前記シリコンエピタキシャル成長層の上側表面上の一部領域から、前記埋込み層領域にまで達するようにトレンチを形成し、前記トレンチに多結晶シリコンを充填し、前記多結晶シリコンに、前記多結晶シリコンを第2導電型にするための不純物を導入することによって、前記埋込み層と前記シリコンエピタキシャル成長層表面に設けられる電極とを電気的に接続する第一の低抵抗領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 第1導電型の半導体材料からなる基板上に、第2導電型のシリコンエピタキシャル成長層が形成されており、前記第1導電型の基板と、第2導電型のシリコンエピタキシャル成長層の境界近傍に第1導電型の埋込み層を有する、バイポーラトランジスタを形成する半導体集積回路装置の製造方法において、前記シリコンエピタキシャル成長層中に形成され、前記第1導電型の埋込み層に接続されている、第1導電型のウェル層の上側表面上の特定の領域から、前記第1導電型の埋込み層領域にまで達するように第2のトレンチを形成し、前記第2のトレンチに多結晶シリコンを充填し、前記多結晶シリコンに、前記多結晶シリコンを第1導電型にするための不純物を導入することによって、前記第1導電型の埋込み層と前記第1導電型のウェル層の上側表面上に設けられる電極とを電気的に接続する第2の低抵抗領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記バイポーラトランジスタと同一基板上に縦形MOSFET装置が形成される請求項1乃至2記載の半導体集積回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002200063A JP2004047548A (ja) | 2002-07-09 | 2002-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002200063A JP2004047548A (ja) | 2002-07-09 | 2002-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004047548A true JP2004047548A (ja) | 2004-02-12 |
Family
ID=31707030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002200063A Pending JP2004047548A (ja) | 2002-07-09 | 2002-07-09 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004047548A (ja) |
-
2002
- 2002-07-09 JP JP2002200063A patent/JP2004047548A/ja active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
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