JP2004031906A - フリップチップボンディング構造及びそのボンディング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板31、下部クラッド層32、コア33、上部クラッド層34で構成されたPLCの一部分に光素子を結合するためのフリップチップボンディング構造は、半導体基板と、光素子を実装する実装領域を有し半導体基板上に形成された下部クラッド層と、下部クラッド層における実装領域上面の一部分に形成されて光素子の垂直整列位置を決定する少なくとも二以上の垂直整列構造物32と、下部クラッド層における実装領域上面の他の部分に形成された少なくとも二以上の電極35と、電極の上面に形成されたソルダーバンプ36と、からなることを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は光素子と平面光波回路(PLC:Planar Lightwave Circuit)などの結合のためのフリップチップボンディングに関するもので、特に、ボンディング時、相対的なPLCへの光素子の垂直整列度を向上させるフリップチップボンディング構造及びボンディング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般的に、フリップチップボンディングは既存のワイヤーボンディングやソルダリング方式とは異なり、基板とボンディングされる半導体素子の表面に金属パッドを形成し、いずれか一方の金属パッドまたは両方の金属パッド上にソルダー(solder)バンプを予め形成した後、基板とボンディングされる半導体素子の互いに相応するソルダーバンプを対向させて接した状態にして、ソルダー物質を加熱、溶融することで基板と半導体素子を互いに物理的にボンディングする方式である。
【0003】
一方、光素子の光特性は、相対的な基板への光素子の垂直整列に非常に敏感であるので、垂直整列における若干の誤差によっても大幅な光特性低下をもたらす。従って、光素子をPLC形態の光導波路に結合させるためには、ウェーブガイド(waveguide)間の精密な整列が必要になるが、通常、光導波路にレーザダーオドのような光素子を整列させるためには±1μm以内の許容誤差精密度が要求される。
【0004】
図1は従来技術の光素子とPLCの結合のためのフリップチップボンディング構造を示す図であり、シリコン基板11、下部クラッド層12、コア13、上部クラッド層14で構成されたPLC10に、ディープエッチ(deep etch)で形成した光素子20を実装するためのエッチング表面に金属電極15、ソルダーバンプ16を蒸着した後、ソルダーパッドが形成された光素子20をソルダーバンプの表面張力を利用するフリップチップボンディング方法で接合している。即ち、ソルダーバンプ上にソルダーパッドを相対的に整列させ、その後、加熱すると、ソルダーバンプがリフロー(re−flow)され一番安定した形状に姿を変えながら光素子を正確に位置付けるようになる。
【0005】
しかし、このような従来技術はディープエッチ時にPLC10の上部クラッド層14から下部クラッド層12までエッチングされるエッチ領域の深さがおおよそ30μm程度になるので、光素子20が要求する誤差範囲内に、そのエッチング深さを精密に調節するのは困難である。
【0006】
また、金属蒸着により形成されるソルダーバンプの厚さもある程度の誤差を有しているので、光特性が低下する場合もある。さらに、フリップチップボンディング方式では、ソルダーバンプを高温にリフローさせた後に素子を接合するので、接合圧力やリフロー温度特性によって光素子の垂直整列に誤差が発生し、これによって光素子特性が大幅に低下する問題もある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の目的は、十分な接合力を有しながら、接合時に垂直整列誤差を除去することができるフリップチップボンディング構造及びボンディング方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するための本発明のフリップチップボンディング構造は、半導体基板と、光素子を実装する実装領域を有し半導体基板上の上面に形成された下部クラッド層と、下部クラッド層における実装領域上面の一部分に形成されて光素子の垂直整列位置を決定する少なくとも二以上の垂直整列構造物と、下部クラッド層における実装領域上面の他の部分に形成された少なくとも二以上の電極と、電極の上面に形成されたソルダーバンプと、からなることを特徴とする。
【0009】
この構造で光素子は、ソルダーバンプを利用したフリップチップボンディングにより基板にボンディングされるとよい。
【0010】
垂直整列構造物の厚さは電極とソルダーバンプの総厚さである0.5μm以上よりも小さいと望ましい。
【0011】
垂直整列構造物は、下部クラッド層と同一物質で構成さるとなお望ましい。垂直整列構造物はシリカで構成されるとさらに望ましい。
【0012】
垂直整列構造物は光素子の垂直移動を制限するとよく、垂直整列構造物の厚さは電極の厚さより少なくとも厚く形成されるとなおよい。
【0013】
また、本発明では前述の目的を達成するためにフリップチップボンディング方法も提供する。この方法は、半導体基板に下部クラッド層、コアを順に形成する段階と、光素子を実装する指定領域上のコア、下部クラッド層をエッチングし、半導体基板上に垂直に光素子を整列するのに必要な厚さだけ下部クラッド層を残留させるよう部分的にエッチングする段階と、構造全体の上面に上部クラッド層を形成する段階と、光素子を実装する指定領域上の上部クラッド層及び下部クラッド層をエッチングして、下部クラッド層に段差(垂直整列構造物に作用)を形成する段階と、段差を形成した領域以外の下部クラッド層の上面に電極を形成する段階と、電極の上面の一部分にソルダーバンプを蒸着する段階と、ソルダーバンプと相応するボンディングパッドを有する光素子をフリップチップボンディングする段階と、からなることを特徴とする。
【0014】
光素子を実装する指定領域上のコア、下部クラッド層をエッチングする段階と上部クラッド層を形成する段階との間に、下部クラッド層の上面の一部分にエッチング停止膜を形成する段階をさらに備えると好ましい。
【0015】
段差を形成する段階はエッチング停止膜をマスクとして利用しディープドライエッチングにより光素子を実装する指定領域上の上部クラッド層及び下部クラッド層をエッチングすることで実行されるとよい。
【0016】
エッチング停止膜は下部クラッド層とのエッチング選択比が10以上である物質で構成されると望ましい。
【0017】
下部クラッド層はシリカで構成されるとなお望ましい。
【0018】
エッチング停止膜はセラミック材で構成されると好ましい。また、エッチング停止膜はアルミニウムで構成されてもよい。
【0019】
ソルダーバンプを蒸着する段階は、電極及びソルダーバンプの総厚さが段差形成された下部クラッド層の厚さよりも0.5μm以上厚く形成されるように実行されるとなお望ましい。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の望ましい一実施形態について添付図を参照しつつ詳細に説明する。下記の説明において、本発明の要旨のみを明瞭にする目的で、関連した公知機能又は構成に関する具体的な説明は省略する。また、各図では可能な限り同一の符号を付している。
【0021】
先ず、本発明による望ましい一実施形態を図2A及び図2B、図3、図4A乃至4D及び図5を参照して詳細に説明する。
【0022】
図2Aは本発明の一実施形態によるフリップチップボンディングのための垂直整列構造物がPLCに形成された状態を示す斜視図であり、図2Bは図2Aの平面図である。また、図3は本発明の一実施形態による光素子とPLCのフリップチップボンディング後の状態を示す断面図である。
【0023】
図示したように、垂直整列構造物32’はPLC10の下部クラッド層32の一部に形成される。垂直整列構造物32’は、光素子に圧力を加えてPLC10と接合する場合に、垂直方向の動きを制限して垂直位置を決定する。つまり、垂直整列構造物32’の厚さAにより、以後接合される光素子の位置が決定される。従って、垂直整列構造物32’の厚さAは少なくとも金属電極35の厚さよりも厚くなければならない。また、垂直整列構造物32’は金属電極35及びソルダーバンプ36から離されて形成される。このよう構造に従いソルダーバンプ36をリフローさせると、光素子は垂直整列構造物32’に支持されてPLC10に接合するようになる。すなわち、この構造によれば、フリップチップボンディング工程における接合圧力またはリフロー温度によりソルダーバンプ36の厚さが変化しても光素子の垂直位置に影響を与えないようになる。
【0024】
図4A乃至図4Dは本発明の一実施形態によるフリップチップボンディング工程を示す工程断面図である。これらを参照して本発明の一実施形態による垂直整列構造物32’の形成方法を詳細に説明すると、次の通りである。
【0025】
先ず、図4Aに示したように、シリコン基板31の上面に下部クラッド層32とコア33を連続して蒸着及びパターニングする。下部クラッド層32はシリカ材質で構成される。以後、光素子を実装する実装領域上の下部クラッド層32とコア33をエッチングする。この時、エッチングされる領域の厚さは、後に光素子とPLC10とのウェーブガイド(waveguide)整列時に必要な厚さだけ下部クラッド層32を残留させるように決定される。
【0026】
次に、図4Bに示したように、エッチングされた下部クラッド層32の上面にエッチング停止膜40をパターニングする。この場合、エッチング停止膜40は、上部クラッド層形成のための蒸着時に物性の変化がなく、下部クラッド層32であるシリカとのエッチング選択比(selectivity)が10以上であるアルミニウムなどのセラミック材が適当であり、0.5μm程度の厚さに形成する。
【0027】
一方、図5は図4Bの平面図であり、エッチング停止膜40が形成される位置を示し、このエッチング停止膜40の位置が以後の垂直整列構造物の位置になる。
【0028】
次に、図4Cに示したように、図4Bの構造全体の上面(シリコン基板31に形成されたコア33の上面、エッチングされた下部クラッド層32の上面及びエッチング停止膜40の上面)に上部クラッド層34を蒸着した後、ディープドライエッチング(deep dry etching)工程により、光素子を実装する実装領域から上部クラッド層34及び下部クラッド層32を取り除く。この場合、エッチング停止膜40がエッチングマスクの役割を果たすので、エッチング停止膜40がある部分の下部クラッド層32はエッチングされない。従って、エッチング停止膜40の上面とエッチングされた下部クラッド層32の上面とに段差が生じるようになる。この段差の厚さAは10μm以内であるので、ディープドライエッチング工程による誤差を防止するエッチングが可能となる。望ましくは、段差の厚さAは、金属電極とソルダーバンプを総合して形成された0.5μm以上の厚さよりも小さくなるようにエッチングするとよい。このように形成された下部クラッド層32における段差の厚さ部分が、以後の光素子結合のためのフリップチップボンディング時に光素子の垂直方向の移動を制限する垂直整列構造物32’になる。なお、図4Bと図4Cとでエッチング停止膜40の厚さが異なっているが、これは、上部クラッド層34及び下部クラッド層32のエッチング工程で、エッチング停止膜40がある程度エッチングされたことを示している。
【0029】
最後に、図4Dに示したように、垂直整列構造物32’が形成されてない領域の下部クラッド層32上面に金属電極35及びソルダーバンプ36を蒸着する。この場合、金属電極35及びソルダーバンプ36の総厚さが垂直整列構造物32’の厚さよりも厚くなるように、金属電極35の上面位置に蒸着されるソルダーバンプ36の厚さを調節する。図示してないが、ソルダーバンプ36と相応するボンディングパッドを有する光素子20を相対的にPLC10に整列させた後、ソルダーバンプ36を加熱及びリフローさせ、光素子に圧力を加えてフリップチップボンディングする。これにより、ソルダーバンプ36の厚さが垂直整列構造物32’の高さまで変化して、光素子の垂直位置が決定される。なお、エッチング停止膜40は、金属電極35及びソルダーバンプ36を蒸着する前にウェットエッチング工程により除去される。また、除去されない場合であっても0.2〜0.3μm程度の厚さであるので、以後の金属電極35及びソルダーバンプ36の蒸着工程に影響を与えることはない。
【0030】
【発明の効果】
上述したように本発明は、光素子の垂直位置を決定する構造物を実装上面に形成するようにしたので、実装時に垂直方向の整列誤差を除去することができ、整列不良による光素子の特性低下を防止することができるようになる。
【0031】
以上、具体的な一実施形態を参照して説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、各種の変形が本発明の特許請求の範囲を逸脱しない限り、該当技術分野における通常の知識をもつ者により可能なのは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術によるフリップチップボンディング構造を示す断面図。
【図2】Aは本発明の一実施形態によるフリップチップボンディングのための垂直整列構造物がPLCに形成された状態を示す斜視図。BはAの平面図。
【図3】本発明の一実施形態によるフリップチップボンディング構造を示す断面図。
【図4】A〜Dは本発明の一実施形態によるフリップチップボンディング工程を示す工程断面図。
【図5】図4Bの平面図。
【符号の説明】
10 平面光波回路(PLC)
31 シリコン基板
32 下部クラッド層
32’ 垂直整列構造物
33 コア
34 上部クラッド層
35 金属電極
36 ソルダーバンプ
40 エッチング停止膜
A 垂直整列構造物32’の厚さ
Claims (15)
- 半導体基板と、
光素子を実装する実装領域を有し前記半導体基板の上面に形成された下部クラッド層と、
前記下部クラッド層における実装領域上面の一部分に形成されて光素子の垂直整列位置を決定する少なくとも二以上の垂直整列構造物と、
前記下部クラッド層における実装領域上面の他の部分に形成された少なくとも二以上の電極と、
前記電極の上面に形成されたソルダーバンプと、からなることを特徴とするフリップチップボンディング構造。 - 前記光素子は、前記ソルダーバンプを利用したフリップチップボンディングにより前記基板にボンディングされる請求項1記載のフリップチップボンディング構造。
- 前記垂直整列構造物の厚さは、前記電極とソルダーバンプの総厚さである0.5μm以上よりも小さく形成される請求項1記載のフリップチップボンディング構造。
- 前記垂直整列構造物は、前記下部クラッド層と同一物質で構成される請求項1記載のフリップチップボンディング構造。
- 前記垂直整列構造物は、シリカで構成される請求項4記載のフリップチップボンディング構造。
- 前記垂直整列構造物は、前記光素子の垂直移動を制限する請求項1記載のフリップチップボンディング構造。
- 前記垂直整列構造物の厚さは、前記電極の厚さより少なくとも厚く形成される請求項1記載のフリップチップボンディング構造。
- 半導体基板に下部クラッド層、コアを順に形成する段階と、光素子を実装する指定領域上の前記コア及び下部クラッド層をエッチングして、半導体基板上に垂直に光素子を整列するのに必要な厚さだけ前記下部クラッド層を残留させるよう部分的にエッチングする段階と、
前記構造全体の上面に上部クラッド層を形成する段階と、
光素子を実装する指定領域上の前記上部クラッド層及び前記下部クラッド層をエッチングして、前記下部クラッド層に段差を形成する段階と、
前記段差を形成した領域以外の前記下部クラッド層の上面に電極を形成する段階と、
前記電極の上面の一部分にソルダーバンプを蒸着する段階と、
前記ソルダーバンプと相応するボンディングパッドを有する光素子をフリップチップボンディングする段階と、からなることを特徴とするフリップチップボンディング方法。 - 光素子を実装する指定領域上の前記コア及び下部クラッド層をエッチングする段階と前記上部クラッド層を形成する段階との間に、前記下部クラッド層の上面の一部分にエッチング停止膜を形成する段階をさらに含む請求項8記載のフリップチップボンディング方法。
- 前記段差を形成する段階は、前記エッチング停止膜をマスクとして利用しディープドライエッチングにより光素子を実装する指定領域上の前記上部クラッド層及び前記下部クラッド層をエッチングすることで実行される請求項9記載のフリップチップボンディング方法。
- 前記エッチング停止膜は、前記下部クラッド層とのエッチング選択比が10以上である物質で構成される請求項9記載のフリップチップボンディング方法。
- 前記下部クラッド層は、シリカで構成される請求項11記載のフリップチップボンディング方法。
- 前記エッチング停止膜は、セラミック材で構成される請求項12記載のフリップチップボンディング方法。
- 前記エッチング停止膜は、アルミニウムで構成される請求項12記載のフリップチップボンディング方法。
- 前記ソルダーバンプを蒸着する段階は、前記電極及びソルダーバンプの総厚さが前記段差形成された下部クラッド層の厚さよりも0.5μm以上厚く形成されるように実行される請求項8記載のフリップチップボンディング方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101199302B1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-11-09 | 한국전자통신연구원 | 광 소자 및 그 제조 방법 |
CN103154798A (zh) * | 2010-10-07 | 2013-06-12 | 阿尔卡特朗讯 | 用于线卡的光电子组合件 |
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Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US7039273B2 (en) * | 2003-08-12 | 2006-05-02 | Tyler Sims | Solder seals within a switching system |
US20060177173A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Sioptical, Inc. | Vertical stacking of multiple integrated circuits including SOI-based optical components |
JP4796884B2 (ja) * | 2006-04-17 | 2011-10-19 | 日本電気株式会社 | 光導波路デバイスの製造方法 |
JP2007298770A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-11-15 | Nec Corp | 光導波路デバイス及びその製造方法 |
WO2012047687A2 (en) * | 2010-10-07 | 2012-04-12 | Alcatel Lucent | Optical transmitter with flip-chip mounted laser or integrated arrayed waveguide grating wavelenth division multiplexer |
US8798409B2 (en) | 2010-10-07 | 2014-08-05 | Alcatel Lucent | Optical transmitter with flip-chip mounted laser or integrated arrayed waveguide grating wavelenth division multiplexer |
JP5834461B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2015-12-24 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザモジュール及びその製造方法 |
US9217836B2 (en) * | 2012-10-23 | 2015-12-22 | Kotura, Inc. | Edge coupling of optical devices |
US9477134B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-10-25 | Futurewei Technologies, Inc. | Hybrid integration using folded Mach-Zehnder modulator array block |
US9323012B1 (en) | 2014-10-27 | 2016-04-26 | Laxense Inc. | Hybrid integrated optical device with high alignment tolerance |
US10852492B1 (en) * | 2014-10-29 | 2020-12-01 | Acacia Communications, Inc. | Techniques to combine two integrated photonic substrates |
US9323011B1 (en) | 2015-06-09 | 2016-04-26 | Laxense Inc. | Hybrid integrated optical device with passively aligned laser chips having submicrometer alignment accuracy |
TWI566918B (zh) * | 2015-07-29 | 2017-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 立體列印系統 |
US9513435B1 (en) | 2015-10-19 | 2016-12-06 | Laxense Inc. | Hybrid integrated optical device enabling high tolerance optical chip bonding and the method to make the same |
JP6933794B2 (ja) * | 2016-12-01 | 2021-09-08 | 富士通株式会社 | 光モジュール及び光モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2367295A1 (fr) * | 1976-10-05 | 1978-05-05 | Cables De Lyon Geoffroy Delore | Procede et disposit |
US5369529A (en) * | 1993-07-19 | 1994-11-29 | Motorola, Inc. | Reflective optoelectronic interface device and method of making |
JP3060896B2 (ja) * | 1995-05-26 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | バンプ電極の構造 |
KR100197001B1 (ko) * | 1996-05-02 | 1999-07-01 | 구본준 | 바이폴라소자 및 그 제조방법 |
EP2264794B1 (en) * | 1997-01-09 | 2014-11-19 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
US6054716A (en) * | 1997-01-10 | 2000-04-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having a protecting device |
JP2000022279A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Kyocera Corp | 光素子の実装構造 |
TW451535B (en) * | 1998-09-04 | 2001-08-21 | Sony Corp | Semiconductor device and package, and fabrication method thereof |
US6127716A (en) * | 1998-10-09 | 2000-10-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof |
JP2000137148A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Kyocera Corp | 光モジュール及びその製造方法 |
KR100283075B1 (ko) * | 1998-11-05 | 2001-03-02 | 이계철 | 수동정렬법을 이용한 광소자-플라나 광파회로-광섬유의 광축 정렬방법 |
US6331450B1 (en) * | 1998-12-22 | 2001-12-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device using group III nitride compound |
JP3458944B2 (ja) * | 1999-01-06 | 2003-10-20 | 日本電信電話株式会社 | ハイブリッド集積素子およびその製造方法 |
KR20000065884A (ko) * | 1999-04-10 | 2000-11-15 | 이계철 | 광송수신 모듈 및 그 제조방법 |
KR100296382B1 (ko) * | 1999-04-26 | 2001-07-12 | 윤종용 | 평면도파로형 광모듈 제작방법 |
JP4897133B2 (ja) * | 1999-12-09 | 2012-03-14 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子、その製造方法および配設基板 |
JP2001308265A (ja) * | 2000-04-21 | 2001-11-02 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
US6570186B1 (en) * | 2000-05-10 | 2003-05-27 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting device using group III nitride compound semiconductor |
JP3803596B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2006-08-02 | 日本電気株式会社 | パッケージ型半導体装置 |
-
2002
- 2002-03-05 KR KR10-2002-0011511A patent/KR100442609B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-09-16 US US10/244,196 patent/US6841860B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-27 JP JP2003051000A patent/JP3660340B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-03 US US10/654,111 patent/US6799713B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101199302B1 (ko) | 2009-10-13 | 2012-11-09 | 한국전자통신연구원 | 광 소자 및 그 제조 방법 |
US8805129B2 (en) | 2009-10-13 | 2014-08-12 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical devices and methods of fabricating the same |
US9335474B2 (en) | 2009-10-13 | 2016-05-10 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Optical devices and methods of fabricating the same |
CN103154798A (zh) * | 2010-10-07 | 2013-06-12 | 阿尔卡特朗讯 | 用于线卡的光电子组合件 |
CN112558244A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种光芯片倒装耦合的方法和装置 |
CN112558244B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-06-17 | 武汉光迅科技股份有限公司 | 一种光芯片倒装耦合的方法和装置 |
Also Published As
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