JP2003532290A - シリコン/金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置 - Google Patents
シリコン/金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 title claims abstract description 22
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 title description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 51
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 18
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 52
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 52
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 41
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 25
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 19
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010010144 Completed suicide Diseases 0.000 description 1
- 241000293849 Cordylanthus Species 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000650817 Homo sapiens Semaphorin-4D Proteins 0.000 description 1
- 102100027744 Semaphorin-4D Human genes 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000012809 cooling fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000009730 filament winding Methods 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002341 toxic gas Substances 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02164—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon oxide, e.g. SiO2
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
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- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28026—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor
- H01L21/28035—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities
- H01L21/28044—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer
- H01L21/28061—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon characterised by the conductor the final conductor layer next to the insulator being silicon, e.g. polysilicon, with or without impurities the conductor comprising at least another non-silicon conductive layer the conductor comprising a metal or metal silicide formed by deposition, e.g. sputter deposition, i.e. without a silicidation reaction
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
- H01L21/28247—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon passivation or protection of the electrode, e.g. using re-oxidation
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- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
- H01L21/3165—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation
- H01L21/31683—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass formed by oxidation of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures
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Abstract
Description
のための方法及び装置に関する。
ン膜上に含まれる金属膜を酸化することなくシリコン膜を表面安定化処理する即
ち酸化するために、選択的酸化プロセスが使用される。例えば、複合シリコン/
バリア層/金属膜によって電極及び及び相互接続を形成することができる。バリ
ア層の目的は、高抵抗金属シリサイド膜を形成する可能性があるシリコン膜と金
属膜との間での拡散及び相互作用を防止することである。残念ながら、金属上で
はなくシリコン膜上に酸化物を形成するために使用される水素濃度が高い(H2
が80%を越える)H2/H2O環境といった何らかの選択的酸化プロセス中にお
いては、バリア層がH2によって攻撃されることにより一体性が損なわれ、望ま
しくない金属シリサイドが形成されるため、複合膜が高抵抗となる可能性がある
。
リア層と、バリア層上の上側金属膜とを備えた複合膜を有する基板が反応チャン
バ内に配置される。その後、反応チャンバ内に不活性ガスが供給されて、反応チ
ャンバ内に不活性環境が形成される。その後、不活性環境で、基板の温度が第1
の温度から第2の温度まで高められ、即ち、上昇される。基板の温度が第2の温
度まで上昇された後、シリコンを酸化するが金属を酸化しない環境に基板が晒さ
れる。
せるための新規な方法及び装置について説明する。以下の説明では、本発明を十
分に理解できるように、装置構成等の特定の内容及び時間や温度等のプロセスの
詳細を述べる。当業者であれば、本発明の範囲から逸脱することなく、開示され
た内容に代わる他の構成やプロセスを使用することができる。なお、本発明が不
必要にあいまいにならないように、良く知られた半導体処理装置及び技術につい
ては詳しく説明していない。
説明する。本発明において、複合電極を有する基板は、反応チャンバ内に配置さ
れる。本発明の実施例において、複合電極は、下側ポリシリコン膜と、ポリシリ
コン膜上に形成されたタングステンナイトライドバリア層と、タングステンナイ
トライドバリア上に配置されたタングステン膜とを有している。その後、N2等
の不活性ガスが反応チャンバ内に供給され、反応チャンバ内に不活性環境が形成
される。その後、基板の温度が100℃を下回る温度から800℃を越える第2
の高い酸化温度まで上昇される。温度上昇中に不活性ガスが流入することにより
、バリア層の質及び性能を向上させる昇温中にタングステンナイトライドバリア
層が改質される。酸化温度に達すると、不活性ガスに代えて、水素(H2)と酸
素(O2)との混合ガスである選択的酸化プロセスガスが流入される。水素ガス
及び酸素ガスが反応チャンバ内に流入すると、加熱された基板によって、水素と
酸素とが反応し、反応チャンバ内に蒸気(H2O)相が形成される。H2ガス及び
O2ガスは、タングステン膜又はタングステンナイトライドバリアを酸化するこ
となく電極の下側シリコン部分を選択的に酸化することができるH2/H2O環境
を形成するような割合で反応チャンバ内に供給される。タングステンナイトライ
ドバリア層が昇温中に改質されるため、選択的酸化プロセスでは、H2濃度が高
い環境(H2の割合が80%以上)を含む任意のH2/H2O環境を使用すること
ができる。また、800℃以上の適当な高い酸化温度に達するまでH2及びO2が
反応チャンバ内に供給されないため、任意のH2/H2O環境を形成しても選択的
酸化を行なうことができる。
るRTPセンタラに限定されないが、そのような急速熱加熱装置内で実行される
ことが好ましい。他の適した急速熱加熱装置及びその動作方法は、本出願の譲受
人に譲渡された米国特許第5,155,336号に記載されている。また、本発
明の選択的酸化プロセスは急速熱加熱装置内で実行されることが好ましいが、エ
ピタキシャルシリコン、ポリシリコン酸化物及び窒化物等の高温膜(HTF)を
形成するために使用されるアプライドマテリアル社のエピ又はポリセンタラシン
グルウェーハ“コールド・ウォール”反応装置等の他のタイプの熱反応装置を使
用しても良い。
速熱加熱装置100を示している。図1に示される急速熱加熱装置100は、側
壁14及び底壁15によって囲まれた真空処理チャンバ13を有している。側壁
14及び底壁15は、ステンレススチールによって形成されていることが好まし
い。真空処理チャンバ13の側壁14の上部は、“O”リング16によりウィン
ド・アセンブリ17に対してシールされている。ウィンド・アセンブリ17上に
は放射エネルギ光パイプアセンブリ18が連結して配置されている。放射エネル
ギアセンブリ18は、例えばシルバニアEYTランプ等の複数のタングステンハ
ロゲンランプ19を有している。これらの各ランプは、ステンレススチール、真
鍮、アルミニウム、他の金属であっても良い光パイプ21内に挿入して装着され
ている。
ドから成る支持リング62により支持されている。支持リング62は、回転可能
な石英シリンダ63上に装着されている。石英シリンダ63を回転させることに
より、支持リング62及びウェーハ61を回転させることができる。別のシリコ
ンカーバイドアダプタリングを使用して、様々な直径(例えば、150mm、2
00mm)のウェーハを処理できるようにしても良い。支持リング62の外縁は
、ウェーハ61の外径から2インチに満たない距離で延びていることが好ましい
。真空処理チャンバ13の容積は約2リットルである。
めの金メッキされた上面11を有している。また、急速熱加熱装置100は複数
の光ファイバプローブ70を有している。これらの光ファイバプローブ70は、
装置100の底壁15を貫通して位置しており、底面にわたる複数の場所でウェ
ーハ61の温度を検出する。シリコンウェーハ61の裏面と反射面11との間で
の反射は、温度測定をウェーハの裏面での放射率に依存させないようにすること
により正確な温度測定能を与える黒体キャビティを形成する。
は、側壁14を貫通して形成され且つプロセスガスをチャンバ13内に導入する
ためのガス吸入口69を有している。ガス吸入口69には、O2等の酸素含有ガ
スタンク等のガス源と、N2等の窒素含有ガスタンク等のガス源とが連結されて
いる。ガス吸入口69の反対側には、ガス排気口68が側壁14に位置されてい
る。チャンバ13からプロセスガスを排気してチャンバ13内を減圧するために
、ガス排気口68はポンプ等の真空源に連結されている。真空源は、処理中にプ
ロセスガスがチャンバ内に連続的に供給されている間、所望の圧力を維持する。
ント巻線を有している。大部分の光は、周囲の光パイプの壁に向って軸に対して
垂直に放射される。光パイプの長さは、対応するランプの長さと少なくとも同じ
長さに選択される。ウェーハに達するパワーが反射の増大によって実質的に減じ
られない場合には、光パイプが更に長くても良い。光アセンブリ18は、六角形
の配列又は図2に示されるような“ハニカム形状”で位置された187個のラン
プを有していることが好ましい。ランプ19は、ウェーハ61及び支持リング6
2の表面領域の全体を十分に覆うように配置される。ランプ19は、ウェーハ6
1を極めて均一に加熱するべく個別に制御可能な複数の領域にグループ化されて
いる。加熱パイプ21は、様々な加熱パイプ間に水等の冷却剤を流すことによっ
て冷却することができる。複数の光パイプ21及び対応するランプ19を備えた
放射エネルギ源18により、石英ウィンドを使用すると、真空処理チャンバ内で
基板を加熱するための光ポートを形成することができる。
光パイプ41は上/下のフランジプレートに蝋付けされており、上/下のフラン
ジプレートの外縁は外壁44に対してシールされている。光パイプ41及びフラ
ンジを冷却できるように、光パイプ41間の空間内に水等の冷却剤を導入しても
良い。光パイプ41は、発光体の光パイプ21と位置合わせされている。ランプ
ハウジングと位置合わせされる光パイプパターンを有する水冷却フランジは、2
つの石英プレート47,48間に挟まれている。これらのプレートは、フランジ
の外周近傍で、“O”リング49,51を用いてフランジに対してシールされて
いる。上下のフランジプレートは、光パイプ同士を繋ぐ溝を有している。光パイ
プ41のうちの1つに接続されたチューブ53を通じて吸引することにより、複
数の光パイプ41内に真空を形成することができる。この場合、チューブ53に
接続された1つの光パイプ41は、フランジの表面に形成された非常に小さな凹
部即ち溝により、残りの光パイプ41に接続される。このように、真空チャンバ
13上にサンドイッチ構造が配置されると、一般にステンレススチールから成り
且つ優れた機械的強度を有する金属フランジは、十分な構造的支持を与える。実
際に真空チャンバをシールする下側の石英ウィンド48は、両側で真空引きされ
るため、圧力差が殆ど無く或は全く無く、そのため、非常に薄く形成することが
できる。ウィンド・アセンブリ17におけるアダプタプレートの概念により、石
英ウィンドをクリーニング又は解析のために簡単に交換することができる。また
、ウィンド・アセンブリの石英ウィンド47,48間の真空度により、反応チャ
ンバから逃げる有毒ガスに対する保護が更に与えられる。
の割合で上昇させることができる枚葉式の反応チャンバである。急速熱加熱装置
100は、酸化プロセス中におけるウェーハの温度がチャンバの側壁14の温度
を上回る少なくとも400℃となることから、“コールド・ウォール”反応チャ
ンバと呼ばれている。側壁14や底壁15を通じて加熱/冷却流体を循環させて
、これらの壁を所望の温度に維持することができる。蒸気形成を利用する選択的
蒸気酸化プロセスの場合、凝結を防止するため、チャンバ壁14,15は、室温
(23℃)を上回る温度に維持される。急速熱加熱装置100は、ロボットアー
ムを有するロードロック搬送チャンバを含む“クラスターツール”の一部として
構成されることが好ましい。
ローチャート300に示されている。図1及び図2に示される急速熱加熱装置で
の選択的酸化について、本発明の方法を説明する。また、図4Aに示されるシリ
コンウェーハ61の複合シリコン/タングステンタイトライド/タングステンゲ
ート電極402及びシリコン基板406の選択的蒸気酸化又は表面安定化処理に
ついて、本発明の酸化プロセスを説明する。
テップは、シリコン/バリア層/金属複合膜堆積物を有する基板ウェーハを装置
100の真空チャンバ13内に移動させることである。図4Aは、シリコン酸化
物又は酸窒化物等のゲート絶縁層404上に形成された複合ゲート電極402を
示している。この場合、ゲート絶縁層404はドープシリコン基板406上に形
成されている。図4Aに示されるように、複合ゲート堆積物402は、ゲート絶
縁層404上に形成された下側の多結晶シリコン膜408と、下側ポリシリコン
層408上に配置されたタングステンナイトライド(WNx)バリア層410と
、タングステンナイトライドバリア層410上に配置されたタングステン金属層
412とを有している。タングステン金属層412の目的は、低抵抗膜を形成し
て複合ゲート電極402の全抵抗を低減することである。タングステンナイトラ
イド(WNx)バリア層410の目的は、高温処理中にシリコン膜404とタン
グステン膜410との間の相互作用を防止し、タングステン膜がシリコン膜と反
応して望ましくない高抵抗(WSix)膜を形成しないようにすることである。
長(PVD)法等の良く知られた技術によって、アモルファス又は多結晶シリコ
ン膜をゲート絶縁層404上に200〜800Åの厚さで全面的に堆積させるこ
とにより形成することができる。シリコン膜は、ドーピングされなくても良いが
、1×1019atom/cm3よりも高い濃度レベルでドープされることが好ましい。シ
リコン膜は、その場で(即ち、シリコン膜の堆積中に)ドーピングされても良く
、或は、堆積後に例えばイオン注入によってドーピングされても良い。次に、P
VDやCVD等の良く知られた技術により、タングステンナイトライドバリア層
をシリコン膜408上に全面的に堆積させることができる。タングステンナイト
ライドバリア層は、複合電極402の抵抗に悪影響を与えないように100Åを
下回るできる限り薄い厚さで形成されることが好ましいが、シリコン膜408と
その後に堆積されるタングステン膜412との間の相互作用を十分に防止できる
厚さで形成される。厚さが25〜75Å、好ましくは50Åであるタングステン
ナイトライドバリアが適していることが分かった。次に、PVDやCVD等の任
意の良く知られた技術により、タングステン膜がタングステンナイトライドバリ
ア410上にわたって全面的に200〜700Åの厚さで堆積される。全面的に
堆積されたシリコン膜、タングステンナイトライド膜、タングステン膜は、その
後、良く知られたフォトリソグラフィと、反応性イオンエッチング又はプラズマ
エッチングに限定されないがこれらのエッチングを含むエッチング技術とを使用
して、ゲート電極を形成するべくパターン化される。
ンナイトライド/タングステンゲート電極堆積物402を選択的に酸化するのに
理想的には適しているが、本発明は、他の複合シリコン/バリアメタル/金属膜
堆積物を選択的に酸化する場合にも等しく使用することができることは言うまで
もない。例えば、バリアメタル410はタングステンナイトライド(WNx)で
あることが好ましいが、窒化チタン(TiN)(これに限定されない)等の他の
適当なバリアメタルを使用しても良い。同様に、金属層410はタングステン(
W)であることが好ましいが、コバルト(Co)やチタン(Ti)(これらに限
定されない)等の他の金属層を使用しても良い。更にまた、複合膜は、ゲート電
極を形成するために必ずしも使用する必要はないが、コンデンサ電極及び相互接
続(これらに限定されない)等の他のデバイス形態を形成するために使用するこ
とができる。
3が不活性環境で満たされ、基板の温度が室温に略等しい搬送温度から800〜
1100℃の選択的酸化温度まで上昇される。昇温中、窒素(N2)、ヘリウム
(He)、アルゴン(Ar)、キセノン(Xe)等の不活性ガスだけがチャンバ
13内に供給され、不活性環境のみが昇温中に形成される。不活性ガスは、昇温
中に金属層412と反応しないガスである。本発明において、昇温速度、不活性
ガス流量、チャンバ圧のプロセスパラメータは、不活性ガス昇温中にバリア層4
10が十分に改質されて図4Bに示されるような改質バリア層414が形成され
るように制御される。改質バリア層414は、金属膜412とシリコン膜408
との間での拡散及び反応を防止できるバリア特性が向上したバリアである。
度、好ましくは室温〜100℃の温度でチャンバ13内に搬送される。その後、
ランプ19に電力を供給してウェーハ61及びシリコンカーバイドリング62を
照射することにより、ウェーハ61(及びシリコンカーバイド62)の温度は、
少なくとも800℃、好ましくは950℃〜1100℃の選択的酸化温度まで上
昇される。ウェーハの温度は25〜75℃/秒の速度で上昇される。昇温中、チ
ャンバ13内の全圧が50〜250torr、好ましくは100torrに維持された状
態で、2〜10SLM(標準リットル/分)の流量で窒素ガス(N2)がチャン
バ13内に供給される。チャンバ13内への不活性ガスの流入は、選択的酸化が
生じる温度に達するまで続けられる。このようなプロセスによって、バリア層4
10が十分に改質し、タングステンナイトライド(WN)バリアの場合、このバ
リアがタングステンナイトライドシリコン膜414に変化する。
的酸化温度に達した時点で、図4Cに示されるような複合ゲート電極を選択的に
酸化する(即ち、金属膜412及び改質バリア層414を酸化することなくシリ
コン膜408及び基板406を酸化する)ことができる環境を形成するべく、直
ちに不活性ガス流が切換えられる。本発明の実施例において、選択的酸化は、チ
ャンバ13内にH2/H2O環境を形成又は供給することにより生じる。本発明の
実施例において、選択的酸化は、水素濃度が濃くH2Oが低い環境で生じる。好
ましい実施例において、選択的酸化環境は、H2Oが20%以下(理想的には、
5〜20%H2O)で且つ残りがH2(理想的には、80〜95%H2)である。
本発明の実施例において、選択的酸化環境は、H2及びH2Oのみから成る。
eam generation)”(ISSG)プロセスによって形成される。現位置蒸気形成
プロセスにおいては、H2に限定されないがH2等の水素含有ガスとO2に限定さ
れないがO2等の酸素含有ガスとを含む酸化プロセス混合ガスが、チャンバ13
内に供給される。この場合、ウェーハ61及びシリコンカーバイドリング62か
らの熱によって、水素含有ガスと酸素含有ガスとが反応して、湿気即ち蒸気(H2 O)が形成される。水素(H2)が好ましい水素含有ガスであるが、NH3等の
他の水素含有ガスを使用することができる。同様に、酸素(O2)が好ましい酸
素含有ガスであるが、N2O等の他の酸素含有ガスを必要に応じて使用しても良
い。
バ13内において反応を開始する十分熱い表面は、ウェーハ61及び支持リング
62だけである。従って、本発明において、蒸気形成反応は、ウェーハ61の表
面から約1cmの場所で生じる。装置100内で、蒸気形成反応は、ウェーハの
約2インチ内即ち支持リング62がウェーハ61の外縁を通り過ぎて延びる範囲
にほぼ制限される。蒸気形成反応を開始する又はONするのはウェーハ(及び支
持リング)の温度であるため、蒸気形成反応は、ウェーハ61(及び支持リング
62)の温度によって熱的に制御されると言える。また、本発明の蒸気形成反応
は、ウェーハの加熱された表面が反応を生じさせるために必要であるが水蒸気形
成反応において消耗されないことから、“表面触媒作用”と言われる。
パーセントで且つ残りがH2(即ち、97.5〜90分子パーセントH2)となる
濃度比率の酸化プロセス混合ガスを供給することによりISSGで形成すること
ができる。チャンバ13内の全圧を50〜250torr、好ましくは100torrに
維持しながら、所望の濃度のH2及びO2から成る酸化プロセス混合ガスを5〜2
0SLMの流量でチャンバ13内に供給することにより、適した環境を形成する
ことができる。選択的酸化中、ウェーハ61の温度は、800℃を上回る温度、
好ましくは950〜1100℃に維持される。
僅かな量のH2がチャンバ13内に流出し、これにより、O2とH2との初期反応
中において、H2と共に存在するO2は殆どなくなる。初期反応中においてH2中
におけるO2の初期の濃度を非常に低く維持することにより、チャンバ13内で
酸化プロセスガス全体が自然発火することを防止することができる。反応が開始
され、既存の酸化プロセスガスが使い果されると、濃度比率を所望のレベルまで
増大させることができる。このようにして、反応の開始に利用できる燃料の量が
少なく維持され、安全な作動状態が確保される。
おいては、外位置(ex-situ)プロセスを使用することができる。外位置プロセ
スにおいては、例えばpryogenicトーチによって、所望の濃度のH2/H2O環境
がチャンバ13の外側で形成される。その後、外側で形成されたH2/H2O環境
をチャンバ13内に供給することができる。燃焼性が高い蒸気(H2O)形成反
応がチャンバ13の外側で生じるため、チャンバ13内での選択的酸化プロセス
が大気圧で生じ得る。大気圧での選択的酸化プロセスは、酸化速度が減圧時より
も高いため、望ましい。また、選択的酸化プロセスが外位置形成された湿気環境
を大気圧で使用する場合、不活性昇温も大気圧で生じることが好ましい。選択的
酸化が起きる圧力と同じ圧力で不活性昇温を行なうことが望ましいことは言うま
でもない。
湿気環境によって選択的に酸化することができる十分な時間の間、一定に保たれ
る。プロセス時間、温度、プロセスガスの濃度は、一般に、形成される酸化膜4
16の厚さに影響を与える。ウェーハ61は、一般に、30〜120秒間、選択
的酸化温度に保持される。図4Cに示されるように、H2/H2O環境は、シリコ
ン電極408の側壁及びシリコン基板406の表面を酸化して、その上にシリコ
ン酸化膜416を成長させる。しかしながら、この環境は、タングステン金属膜
412及び改質タングステン金属ナイトライドバリア層414を酸化しない。シ
リコン膜408及び基板406の酸化の目的は、バードビーク418(即ち、ゲ
ート電極の縁部の僅かに厚いゲート酸化層)を形成して、エッジ効果を取り除き
、その後に形成されるMOSトランジスタの電気的特性を向上させることである
。また、選択的酸化は、シリコン基板406の欠点を矯正する。基板406の矯
正が難しくなるソース/ドレンイオン注入工程の前にシリコン基板406の欠点
を矯正することは有益である。選択的酸化は、金属膜412及びバリア層414
の酸化を防止するために必要である。仮に金属膜412及びバリア層414が酸
化されると、形成されたゲート電極の抵抗が大きくなり、形成されるトランジス
タの性能に悪影響が及ぶ。厚さが20〜100Åのシリコン酸化膜416を成長
させることが望ましいことが分かった。
に不活性環境で改質されるため、水素濃度が高い(即ち、80%を越えるH2濃
度)H2/H2O環境に晒されてもそれに耐えることができ、破壊されることがな
い。バリア層は、改質されない場合、水素濃度が高い環境に晒されると、破壊さ
れて、シリコン膜408とタングステン膜412との間の望ましくない反応を引
き起こし、望ましくないタングステンシリサイドを形成して、抵抗を増大させる
とともに、性能を低下させる。本発明のように昇温中にバリア層を改質すること
により、バリア層を破壊することなく、H2だけのアニールを含む任意のH2/H2 O環境を使用することができる。また、選択的酸化プロセスのため、昇温中に
タングステンナイトライド膜を改質することにより、バリア膜の別個のアニール
が不要となり、これにより、最小限の熱量で選択的酸化プロセスを行なうことが
できる。
、チャンバ13内への酸化プロセスガスの流入を停止して、ウェーハ61の温度
を下げることにより、選択的酸化プロセスが停止される。この時点で、本発明の
選択的酸化プロセスが完了する。良く知られた半導体製造プロセスを使用して、
MOSトランジスタの形成を完了することができる。例えば、良く知られたイオ
ン注入及びスペーサ技術を使用して、図4Dに示されるようなソース/ドレン領
域420を形成することができる。
した。
る。
基板を示す断面図である。
Claims (20)
- 【請求項1】 複合膜を選択的に酸化するための方法であって、 下側シリコン膜と、バリア層と、バリア層上の上側金属膜とを備えた複合膜を
有する基板を配置し、 チャンバ内に不活性ガスを流して、前記チャンバ内に不活性環境を形成し、 前記不活性環境で、前記基板の温度を、第1の温度から第2の温度まで上昇さ
せ、 前記基板の温度を前記第2の温度まで上昇させた後、前記シリコン膜を酸化し
且つ前記金属膜を酸化しない環境に前記基板を晒す方法。 - 【請求項2】 前記酸化環境がH2Oを含む請求項1に記載の方法。
- 【請求項3】 前記H2Oは、前記チャンバ内でH2とO2とを反応させるこ
とによって形成される請求項2に記載の方法。 - 【請求項4】 前記第1の温度が100℃よりも低い請求項1に記載の方法
。 - 【請求項5】 前記第2の温度が800℃よりも高い請求項1に記載の方法
。 - 【請求項6】 前記不活性ガスが窒素(N2)である請求項1に記載の方法
。 - 【請求項7】 複合電極を選択的酸化する方法であって、 下側ポリシリコン膜と、ポリシリコン膜上のタングステンナイトライドバリア
層と、タングステンナイトライドバリア層上のタングステン膜とを備えた電極を
有する基板を反応チャンバ内に配置し、 前記チャンバ内に不活性ガスを供給して、前記チャンバ内に不活性環境を形成
し、 前記不活性環境で、前記基板の温度を、第1の温度から第2の温度まで上昇さ
せ、 前記基板の温度を前記第2の温度まで上昇させた後、前記複合電極を選択的に
酸化する環境を前記チャンバ内に形成する方法。 - 【請求項8】 前記第2の温度が800℃以上である請求項7に記載の方法
。 - 【請求項9】 前記第2の温度が950℃〜1100℃である請求項8に記
載の方法。 - 【請求項10】 前記第1の温度が100℃よりも低い請求項7に記載の方
法。 - 【請求項11】 前記第1の温度が室温〜100℃である請求項10に記載
の方法。 - 【請求項12】 前記不活性ガスが窒素(N2)である請求項7に記載の方
法。 - 【請求項13】 前記不活性ガスがアルゴン(Ar)である請求項7に記載
の方法。 - 【請求項14】 前記不活性ガスがヘリウム(He)である請求項7に記載
の方法。 - 【請求項15】 前記不活性ガスがキセノン(Xe)である請求項7に記載
の方法。 - 【請求項16】 前記選択的酸化がH2/H2O環境で生じる請求項7に記載
の方法。 - 【請求項17】 前記H2/H2O環境は、前記酸化中において20%以下の
H2Oを含む請求項16に記載の方法。 - 【請求項18】 前記H2/H2O環境は、分子パーセントが2.5〜10%
のO2及び97.5〜90%のH2を前記チャンバ内に流して、前記H2/H2O環
境を形成するべく前記H2とO2とを前記チャンバ内で反応させることによって形
成される請求項16に記載の方法。 - 【請求項19】 前記H2/H2O環境が前記チャンバの外側で形成される請
求項16に記載の方法。 - 【請求項20】 電極を選択的に酸化する方法であって、 下側ポリシリコン膜と、ポリシリコン膜上のタングステンナイトライドバリア
層と、タングステンナイトライドバリア層上のタングステン膜とを備えた電極を
有する基板を反応チャンバ内に配置し、 前記チャンバ内に窒素(N2)ガスを供給しながら、前記基板の温度を、10
0℃よりも低い第1の温度から800℃よりも高い第2の温度まで上昇させ、 前記基板の温度を前記第2の温度まで上昇させた後、H2及びO2を前記チャン
バ内に供給して、前記H2及びO2を前記チャンバ内で反応させることにより、H2 及びO2から成る酸化環境であって5〜20%のH2Oと95〜80%のH2とか
ら成る酸化環境を形成する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/561,195 | 2000-04-27 | ||
US09/561,195 US6534401B2 (en) | 2000-04-27 | 2000-04-27 | Method for selectively oxidizing a silicon/metal composite film stack |
PCT/US2001/013727 WO2001082350A1 (en) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | A method and apparatus for selectively oxidizing a silicon/metal composite film stack |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011264777A Division JP2012094879A (ja) | 2000-04-27 | 2011-12-02 | シリコン/金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003532290A true JP2003532290A (ja) | 2003-10-28 |
JP4953542B2 JP4953542B2 (ja) | 2012-06-13 |
Family
ID=24241020
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001579344A Expired - Fee Related JP4953542B2 (ja) | 2000-04-27 | 2001-04-26 | シリコン/金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法 |
JP2011264777A Pending JP2012094879A (ja) | 2000-04-27 | 2011-12-02 | シリコン/金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011264777A Pending JP2012094879A (ja) | 2000-04-27 | 2011-12-02 | シリコン/金属複合膜堆積物を選択的に酸化するための方法及び装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6534401B2 (ja) |
EP (1) | EP1277231A1 (ja) |
JP (2) | JP4953542B2 (ja) |
KR (1) | KR20020093993A (ja) |
WO (1) | WO2001082350A1 (ja) |
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A621 | Written request for application examination |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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|
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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