JP2003513427A - 抵抗アセンブリ及び陰極線管 - Google Patents
抵抗アセンブリ及び陰極線管Info
- Publication number
- JP2003513427A JP2003513427A JP2001535206A JP2001535206A JP2003513427A JP 2003513427 A JP2003513427 A JP 2003513427A JP 2001535206 A JP2001535206 A JP 2001535206A JP 2001535206 A JP2001535206 A JP 2001535206A JP 2003513427 A JP2003513427 A JP 2003513427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- network
- resistive
- additional
- members
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/96—One or more circuit elements structurally associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/96—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube
- H01J2229/966—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube associated with the gun structure
Abstract
(57)【要約】
本発明は、印加された電圧を、陰極線管におけるアノード印加電圧未満の中間電圧に分圧する抵抗アセンブリに関するものである。この抵抗アセンブリは、絶縁基板と、この絶縁基板上に設けた第1及び第2抵抗層を具えた抵抗型分圧器と、第1回路網端子及び第2回路網端子を有する追加的抵抗回路網とを具えている。この追加的抵抗回路網は、前記第1抵抗層に直列に結合されている。さらに、この追加的抵抗回路網は、ブリッジ接続を介して解放可能なように、前記回路網端子に結合された第1及び第2抵抗部材を具えている。このブリッジ接続は、前記抵抗部材の抵抗よりも実質的に低い抵抗を有して、抵抗型分圧器の所定の比率を調整できるようにする。本発明によれば、これらの第1及び第2抵抗部材が実質的に異なる抵抗値を有して、前記追加的抵抗回路網の可能な抵抗値の範囲から所定の抵抗値を選択して、抵抗アセンブリの追加的抵抗回路網が占める面積を低減する。この低減により、抵抗アセンブリの長さをさらに低減することができる。
Description
【0001】
(技術分野)
本発明は、請求項1の前文に規定する抵抗に関するものである。本発明はさら
に、陰極線管及び電子銃に関するものである。
に、陰極線管及び電子銃に関するものである。
【0002】
(従来技術)
このような抵抗アセンブリは、欧州特許出願EP-A-36901号より既知である。こ
の文献に記載の抵抗アセンブリは、陰極線管(CRT)用の電子銃に用いられる
。既知の抵抗アセンブリは、CRTの首部内の電子銃に装着される。この抵抗ア
センブリの第1端子は陰極線管の電子銃の軸ピンに接続され、抵抗アセンブリの
第2端子は陰極線管のアノードに結合され、抵抗アセンブリの第3端子は陰極線
管の電子銃の中間グリッドに接続されている。この抵抗アセンブリは、この中間
グリッドに中間電圧を供給するために用いられる。この中間電圧は、抵抗型分圧
器によって、前記アノード電圧と接地またはゼロ電圧との差の電圧から分圧した
ものである。通常、アノードとカソードの間の電圧差は約30kVであり、前記中間
グリッドの電位とカソードの電位との電圧差は約15kVである。この中間電圧は、
第1抵抗層と第2抵抗層との抵抗比によって規定される。中間電圧をアノード電
圧の所定比率のものとして得るために、製造プロセス中の較正ステップでは、前
記第1端子と第3端子の抵抗比、及び第2端子と第4端子の抵抗比をそれぞれ、
例えば追加的抵抗回路網内の1つ以上のブリッジ接続を選択的に解放することに
よって調整する。
の文献に記載の抵抗アセンブリは、陰極線管(CRT)用の電子銃に用いられる
。既知の抵抗アセンブリは、CRTの首部内の電子銃に装着される。この抵抗ア
センブリの第1端子は陰極線管の電子銃の軸ピンに接続され、抵抗アセンブリの
第2端子は陰極線管のアノードに結合され、抵抗アセンブリの第3端子は陰極線
管の電子銃の中間グリッドに接続されている。この抵抗アセンブリは、この中間
グリッドに中間電圧を供給するために用いられる。この中間電圧は、抵抗型分圧
器によって、前記アノード電圧と接地またはゼロ電圧との差の電圧から分圧した
ものである。通常、アノードとカソードの間の電圧差は約30kVであり、前記中間
グリッドの電位とカソードの電位との電圧差は約15kVである。この中間電圧は、
第1抵抗層と第2抵抗層との抵抗比によって規定される。中間電圧をアノード電
圧の所定比率のものとして得るために、製造プロセス中の較正ステップでは、前
記第1端子と第3端子の抵抗比、及び第2端子と第4端子の抵抗比をそれぞれ、
例えば追加的抵抗回路網内の1つ以上のブリッジ接続を選択的に解放することに
よって調整する。
【0003】
通常、抵抗層は曲折しているか、あるいはジグザグ形状を有する。抵抗アセン
ブリの製造プロセスのデザインルールには、抵抗層の隣接するブランチ間の最小
距離が規定され、よって抵抗層の単位長当りの電界強度も規定されている。さら
に、抵抗アセンブリがCRTの首部に適合しなければならず、そして前記第3端
子とCRTの中間グリッドの間、及び第2端子とCRTのアノードの間を接続し
なければならない。従って、抵抗アセンブリは通常、細長い形状を有し、その長
さが電子銃の長さを決定する1つの要因である。
ブリの製造プロセスのデザインルールには、抵抗層の隣接するブランチ間の最小
距離が規定され、よって抵抗層の単位長当りの電界強度も規定されている。さら
に、抵抗アセンブリがCRTの首部に適合しなければならず、そして前記第3端
子とCRTの中間グリッドの間、及び第2端子とCRTのアノードの間を接続し
なければならない。従って、抵抗アセンブリは通常、細長い形状を有し、その長
さが電子銃の長さを決定する1つの要因である。
【0004】
さらに、既知の抵抗アセンブリでは、追加的抵抗回路網の複数の抵抗部材がほ
ぼ同等の抵抗を有し、そして追加的回路網の1つ以上の抵抗部材を選択すること
によってアセンブリに所定の抵抗値を与えるために、これらの抵抗部材はブリッ
ジ接続と共に、抵抗アセンブリの大きな面積を占める。製造の許容誤差は、前記
第1抵抗層と第2抵抗層との所定の比率の偏差を含む。較正ステップでは、抵抗
型分圧器の所定の比率を得るために、前記第1抵抗層と第2抵抗層との実際の比
率を測定して、1つ以上のブリッジ接続を解放することによって、追加的抵抗回
路網の所定の抵抗を選択して、追加的抵抗回路網を伴った第1抵抗と第2抵抗と
の直列回路の比率を、抵抗型分圧器の比率に整合させる。この追加的抵抗回路網
は、抵抗アセンブリの相対的に大きい面積を占めて、とりわけ抵抗アセンブリの
長さを決定する要因となる。
ぼ同等の抵抗を有し、そして追加的回路網の1つ以上の抵抗部材を選択すること
によってアセンブリに所定の抵抗値を与えるために、これらの抵抗部材はブリッ
ジ接続と共に、抵抗アセンブリの大きな面積を占める。製造の許容誤差は、前記
第1抵抗層と第2抵抗層との所定の比率の偏差を含む。較正ステップでは、抵抗
型分圧器の所定の比率を得るために、前記第1抵抗層と第2抵抗層との実際の比
率を測定して、1つ以上のブリッジ接続を解放することによって、追加的抵抗回
路網の所定の抵抗を選択して、追加的抵抗回路網を伴った第1抵抗と第2抵抗と
の直列回路の比率を、抵抗型分圧器の比率に整合させる。この追加的抵抗回路網
は、抵抗アセンブリの相対的に大きい面積を占めて、とりわけ抵抗アセンブリの
長さを決定する要因となる。
【0005】
(発明の開示)
本発明の目的は、製造プロセスの現流のデザインルールを変更することなく、
抵抗アセンブリの長さを低減することにある。この目的は、本発明の請求項1に
規定する抵抗アセンブリによって達成される。異なる抵抗値を有する第1及び第
2抵抗部材を用いることによって、第1及び第2抵抗部材の抵抗値の最適な選定
を行うことができる。結果として、最小数の抵抗部材及びブリッジ接続で、追加
的抵抗回路網の所定抵抗値の最大範囲を得ることができる。第1及び第2抵抗部
材の抵抗値を適切に選定することによって、追加的抵抗回路網が基板上に占める
面積を、既知の抵抗アセンブリの抵抗部材が占める面積に比べて実質的に低減す
ることができ、製造プロセスの同じデザインルールを適用した際に、これらの第
1及び第2部材はブリッジ接続と共に等しい大きさを有して、同じ抵抗値の範囲
を規定する。これにより抵抗アセンブリの長さを低減することができる。結果と
して、電子銃の長さ、そして陰極線管全体の長さも、さらに低減することができ
る。市場ではテレビジョン用及びコンピュータモニタ用に、より短いCRTが要
求されるので、このことは重要な利点である。
抵抗アセンブリの長さを低減することにある。この目的は、本発明の請求項1に
規定する抵抗アセンブリによって達成される。異なる抵抗値を有する第1及び第
2抵抗部材を用いることによって、第1及び第2抵抗部材の抵抗値の最適な選定
を行うことができる。結果として、最小数の抵抗部材及びブリッジ接続で、追加
的抵抗回路網の所定抵抗値の最大範囲を得ることができる。第1及び第2抵抗部
材の抵抗値を適切に選定することによって、追加的抵抗回路網が基板上に占める
面積を、既知の抵抗アセンブリの抵抗部材が占める面積に比べて実質的に低減す
ることができ、製造プロセスの同じデザインルールを適用した際に、これらの第
1及び第2部材はブリッジ接続と共に等しい大きさを有して、同じ抵抗値の範囲
を規定する。これにより抵抗アセンブリの長さを低減することができる。結果と
して、電子銃の長さ、そして陰極線管全体の長さも、さらに低減することができ
る。市場ではテレビジョン用及びコンピュータモニタ用に、より短いCRTが要
求されるので、このことは重要な利点である。
【0006】
さらに、より少数の、ブリッジ接続を解放するステップによって、前記追加的
抵抗回路網の所定値を得ることができ、製造プロセス中の時間が節約される。さ
らなる有利な好適例は、従属請求項で規定する。
抵抗回路網の所定値を得ることができ、製造プロセス中の時間が節約される。さ
らなる有利な好適例は、従属請求項で規定する。
【0007】
本発明によるレジスタアセンブリの特定の好適例は、前記第1抵抗部材の抵抗
を前記第2抵抗部材の抵抗の2倍にすることを特徴とする。第1抵抗部材と第2
抵抗部材の間に1:2の比率を用いることによって、これらの抵抗部材の並列回
路については、0、1R、2Rまたは3Rの値の範囲を得ることができる。
を前記第2抵抗部材の抵抗の2倍にすることを特徴とする。第1抵抗部材と第2
抵抗部材の間に1:2の比率を用いることによって、これらの抵抗部材の並列回
路については、0、1R、2Rまたは3Rの値の範囲を得ることができる。
【0008】
本発明の抵抗アセンブリのさらなる好適例は、前記追加的抵抗回路網が、さら
なるブリッジ接続を介して解放可能なように、回路網端子に接続した第3抵抗部
材を具え、前記第1、第2、及び第3抵抗部材の抵抗比を1:2:4に等しくし
たことを特徴とする。この好適例では、抵抗部材の直列回路については、0、1
、2、3..7Rの範囲中から7つの値の範囲を得ることができ、抵抗部材の並列
回路については、0、2/3R、R、5/4R、4/3R、2R、4Rの範囲を得ること
ができる。
なるブリッジ接続を介して解放可能なように、回路網端子に接続した第3抵抗部
材を具え、前記第1、第2、及び第3抵抗部材の抵抗比を1:2:4に等しくし
たことを特徴とする。この好適例では、抵抗部材の直列回路については、0、1
、2、3..7Rの範囲中から7つの値の範囲を得ることができ、抵抗部材の並列
回路については、0、2/3R、R、5/4R、4/3R、2R、4Rの範囲を得ること
ができる。
【0009】
本発明による抵抗アセンブリのさらなる好適例は、各抵抗層、各抵抗領域及び
ブリッジ接続が、それぞれ鉛とルテニウムの比率が異なるルテニウム鉛系で構成
されることを特徴とする。
ブリッジ接続が、それぞれ鉛とルテニウムの比率が異なるルテニウム鉛系で構成
されることを特徴とする。
【0010】
本発明による抵抗アセンブリのさらなる好適例は、前記第1及び第2抵抗及び
前記追加的抵抗回路網を覆う絶縁層を具えていることを特徴とする。例えば600
℃のような比較的低い融点を有する高電圧ガラスを、前記抵抗層及び前記抵抗領
域に当てがうことができる。
前記追加的抵抗回路網を覆う絶縁層を具えていることを特徴とする。例えば600
℃のような比較的低い融点を有する高電圧ガラスを、前記抵抗層及び前記抵抗領
域に当てがうことができる。
【0011】
本発明のさらなる目的は、電子銃の長さを低減することにある。この目的は、
本発明の請求項11に規定する電子銃によって達成される。
本発明の請求項11に規定する電子銃によって達成される。
【0012】
本発明のさらなる目的は、前記首部の長さを低減することにある。この目的は
、本発明の請求項12に規定する陰極線管によって達成される。 本発明のこれら及び他の要点は、以下に説明する実施例より明らかになる。
、本発明の請求項12に規定する陰極線管によって達成される。 本発明のこれら及び他の要点は、以下に説明する実施例より明らかになる。
【0013】
(発明を実施するための最良の形態)
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。なお各図面は図式的
なものであり、原則として一定寸法比で描いたものではない。 図1に示す陰極線管1は、首部5を有する真空排気したガラス管器2、漏斗型
部分4、及び前面パネル3を具え、前面パネル3は曲面でも平面でもよい。異な
る色(赤色、緑色及び青色)に発光する蛍光体の、例えば線または点のパターン
を有する表示スクリーンを、パネル3の内側に配置することができる。枠によっ
て支持される薄型マスク12は、表示スクリーン10から小さい距離に位置する
。マスク12は、円形または細長のアパーチャを有するアパーチャマスク、ある
いはワイヤマスクとすることができる。管の動作中には、管の首部5に配置した
電子銃システム6が電子ビーム7、8、9を、マスク12を通して表示スクリー
ン10に送り、これにより蛍光体が光を放出する。これらの電子ビームは互いに
小さい角度をなして、適切なマスク−スクリーンの距離で、電子ビームが関連す
る色の蛍光体に衝突するようになる。偏向装置11は、電子ビームが表示スクリ
ーン10を規則的に走査することを保証する。
なものであり、原則として一定寸法比で描いたものではない。 図1に示す陰極線管1は、首部5を有する真空排気したガラス管器2、漏斗型
部分4、及び前面パネル3を具え、前面パネル3は曲面でも平面でもよい。異な
る色(赤色、緑色及び青色)に発光する蛍光体の、例えば線または点のパターン
を有する表示スクリーンを、パネル3の内側に配置することができる。枠によっ
て支持される薄型マスク12は、表示スクリーン10から小さい距離に位置する
。マスク12は、円形または細長のアパーチャを有するアパーチャマスク、ある
いはワイヤマスクとすることができる。管の動作中には、管の首部5に配置した
電子銃システム6が電子ビーム7、8、9を、マスク12を通して表示スクリー
ン10に送り、これにより蛍光体が光を放出する。これらの電子ビームは互いに
小さい角度をなして、適切なマスク−スクリーンの距離で、電子ビームが関連す
る色の蛍光体に衝突するようになる。偏向装置11は、電子ビームが表示スクリ
ーン10を規則的に走査することを保証する。
【0014】
本明細書では、電子銃という用語を広義に考える。例えば、図1に示し上述し
たカラー受像管の電子銃を称することもある。他の例はモノクロ管であり、電子
銃が1本の電子ビームのみを発生する。また本発明は、1本以上の電子ビームを
発生する電子銃を具えた他の種類の表示装置にも適用可能である。本願について
は、本発明を説明するために3色の電子銃を用いるが、このことは本発明を限定
するものではない。
たカラー受像管の電子銃を称することもある。他の例はモノクロ管であり、電子
銃が1本の電子ビームのみを発生する。また本発明は、1本以上の電子ビームを
発生する電子銃を具えた他の種類の表示装置にも適用可能である。本願について
は、本発明を説明するために3色の電子銃を用いるが、このことは本発明を限定
するものではない。
【0015】
図2に、慣例の陰極線管の電子銃システム6をより詳細に示す。この銃は一対
の絶縁ガラス帯22、24、ガラス帯22、24に装着した複数のグリッド電極
26、28、30、及びこれらのガラス体に装着したカソード構造34を具えて
いる。このカソード構造は3本の電子ビーム7、8、9を放出し、これらはグリ
ッド電極26、28、30、32によって集束され加速されて、管器2の表示ス
クリーン10の内側に塗布した赤色、緑色、及び青色の蛍光体に当たる。格子電
極26、28、30、32、36は電子ビームの進行方向に沿って配置され、各
電極は3本の電子ビームに対応する3個のアパーチャを有する。第1及び第2電
極26、28は、カソード構造34の付近に位置する平板型の電極である。第3
電極30は電子銃の主電子レンズの中間電極であり、カップ型構造300、30
1を有する。第4電極32も2個のカップ型電極320、321を有する。カッ
プ型集束電極36は、表示スクリーン10に向けてカップ型電極321に装着さ
れている。集束電極36は、それぞれが3本のビームを通過させる3個のアパー
チャを有する。3個のバルブ(管球)スペーサ38が集束電極36に装着されて
いる。各バルブスペーサ38の一端は、首部の内面及び首部内の電子銃アセンブ
リに接触している。電子銃アセンブリのカソード構造側は、カソード構造34と
格子電極26、28を接続するリード線(図示せず)によって、ステム(管芯)
ピン40に対して保持されている。バルブスペーサ38は、管器の内側接触層(
図示せず)と電気的に接触している。この内側導電層はアノードボタン14と電
気的に接触して、アノード電圧を集束電極32及び第4電極36に印加すること
ができる。中間電極30用の中間電圧を得るために、抵抗アセンブリ50を電子
銃アセンブリ6上に装着して、アノードの印加電圧とカソードの印加電圧との間
に抵抗型分圧器が存在するようにする。
の絶縁ガラス帯22、24、ガラス帯22、24に装着した複数のグリッド電極
26、28、30、及びこれらのガラス体に装着したカソード構造34を具えて
いる。このカソード構造は3本の電子ビーム7、8、9を放出し、これらはグリ
ッド電極26、28、30、32によって集束され加速されて、管器2の表示ス
クリーン10の内側に塗布した赤色、緑色、及び青色の蛍光体に当たる。格子電
極26、28、30、32、36は電子ビームの進行方向に沿って配置され、各
電極は3本の電子ビームに対応する3個のアパーチャを有する。第1及び第2電
極26、28は、カソード構造34の付近に位置する平板型の電極である。第3
電極30は電子銃の主電子レンズの中間電極であり、カップ型構造300、30
1を有する。第4電極32も2個のカップ型電極320、321を有する。カッ
プ型集束電極36は、表示スクリーン10に向けてカップ型電極321に装着さ
れている。集束電極36は、それぞれが3本のビームを通過させる3個のアパー
チャを有する。3個のバルブ(管球)スペーサ38が集束電極36に装着されて
いる。各バルブスペーサ38の一端は、首部の内面及び首部内の電子銃アセンブ
リに接触している。電子銃アセンブリのカソード構造側は、カソード構造34と
格子電極26、28を接続するリード線(図示せず)によって、ステム(管芯)
ピン40に対して保持されている。バルブスペーサ38は、管器の内側接触層(
図示せず)と電気的に接触している。この内側導電層はアノードボタン14と電
気的に接触して、アノード電圧を集束電極32及び第4電極36に印加すること
ができる。中間電極30用の中間電圧を得るために、抵抗アセンブリ50を電子
銃アセンブリ6上に装着して、アノードの印加電圧とカソードの印加電圧との間
に抵抗型分圧器が存在するようにする。
【0016】
図3に、慣例の抵抗アセンブリを示す。慣例の抵抗アセンブリ50は、絶縁基
板52と、抵抗アセンブリ50の第1端子58と第2端子60の間に直列に結合
した第1及び第2抵抗層54、56を具えた抵抗型分圧器とを具えている。抵抗
アセンブリの第1端子58はCRTの第1電極26に接続され、抵抗の第2端子
60は、第2電極32を介してCRTのアノードに接続され、第3端子62は、
第1抵抗層54と第2抵抗層56の間の節点に接続されている。第3端子62は
CRTの中間電極30に結合されている。第1及び第2抵抗層54、56は曲折
またはジグザグ形状を有することができる。さらに追加的抵抗回路網64が、第
1抵抗層54及び第3端子62に直列に接続されている。追加的抵抗回路網64
は、直列に接続した抵抗部材66から構成される。さらに、2つの抵抗部材64
、66の間の各節点は、ブリッジ接続68を介して解放可能なように、回路網端
子69、71の一方に接続されている。慣例の抵抗アセンブリでは、複数の抵抗
部材64が等しい抵抗を有する。実際には、第1及び第2抵抗層54、56の抵
抗の総計は例えば2.5±0.3ギガオームである。前記分圧器の所定比率は、例えば
0.6±0.004であるべきものである。
板52と、抵抗アセンブリ50の第1端子58と第2端子60の間に直列に結合
した第1及び第2抵抗層54、56を具えた抵抗型分圧器とを具えている。抵抗
アセンブリの第1端子58はCRTの第1電極26に接続され、抵抗の第2端子
60は、第2電極32を介してCRTのアノードに接続され、第3端子62は、
第1抵抗層54と第2抵抗層56の間の節点に接続されている。第3端子62は
CRTの中間電極30に結合されている。第1及び第2抵抗層54、56は曲折
またはジグザグ形状を有することができる。さらに追加的抵抗回路網64が、第
1抵抗層54及び第3端子62に直列に接続されている。追加的抵抗回路網64
は、直列に接続した抵抗部材66から構成される。さらに、2つの抵抗部材64
、66の間の各節点は、ブリッジ接続68を介して解放可能なように、回路網端
子69、71の一方に接続されている。慣例の抵抗アセンブリでは、複数の抵抗
部材64が等しい抵抗を有する。実際には、第1及び第2抵抗層54、56の抵
抗の総計は例えば2.5±0.3ギガオームである。前記分圧器の所定比率は、例えば
0.6±0.004であるべきものである。
【0017】
第1及び第2抵抗層54、56、及び抵抗部材66は、例えば高抵抗のルテニ
ウム鉛系で構成される。この高抵抗系は例えば56.1%のPbOと6.4%のRuを含む。
ブリッジ接続68は、例えば57.8%のPbOと16.3%のRuを含む低抵抗のルテニウ
ム鉛系で構成される。前記絶縁基板はアルミニウム酸化物製である。さらに絶縁
層90が、第1及び第2抵抗層54、56、及び追加的抵抗回路網64を覆って
いる。
ウム鉛系で構成される。この高抵抗系は例えば56.1%のPbOと6.4%のRuを含む。
ブリッジ接続68は、例えば57.8%のPbOと16.3%のRuを含む低抵抗のルテニウ
ム鉛系で構成される。前記絶縁基板はアルミニウム酸化物製である。さらに絶縁
層90が、第1及び第2抵抗層54、56、及び追加的抵抗回路網64を覆って
いる。
【0018】
製造プロセスの測定ステップでは、抵抗アセンブリ50の第1及び第2抵抗層
54、56によって形成される抵抗型分圧器の所定の分圧比を得るために、第1
及び第2抵抗層の実際の比率を測定する。その後に演算ステップでは、追加的抵
抗回路網64の所定の抵抗を計算して、追加的回路網64の選択した抵抗を伴っ
た第1抵抗層54と、第2抵抗層56との比率を、第1抵抗層54と第2抵抗層
56の所定比率に整合させることを行う。さらに、追加的回路網64内の、解放
しなければならないブリッジ接続68の数を特定する。その後に較正ステップで
は、例えばサンドブラスティング(砂状粒子の吹き付け研削)またはレーザーア
ブレーション(レーザー研削)によって、前記特定したブリッジ接続68を解放
する。この例ではブリッジ接続を7つまで解放して、7つの所定抵抗値の範囲の
うちの1つを選択することができる。分圧比の範囲を増加させるために、第2の
追加的回路網70を、第2抵抗層56と第3端子62の間に結合する。第2の追
加的回路網70も、抵抗部材66及びブリッジ接続68を具えている。2つの追
加的回路網64、70が第3端子62と共に占める面積を、矩形72で示す。慣
例の抵抗アセンブリの長さL1は例えば50mmである。慣例の抵抗アセンブリの幅
W1は例えば5.7mmである。本発明による抵抗アセンブリでは、この面積、従って
抵抗アセンブリの長さも実質的に低減され、従ってCRTの長さが実質的に低減
される。
54、56によって形成される抵抗型分圧器の所定の分圧比を得るために、第1
及び第2抵抗層の実際の比率を測定する。その後に演算ステップでは、追加的抵
抗回路網64の所定の抵抗を計算して、追加的回路網64の選択した抵抗を伴っ
た第1抵抗層54と、第2抵抗層56との比率を、第1抵抗層54と第2抵抗層
56の所定比率に整合させることを行う。さらに、追加的回路網64内の、解放
しなければならないブリッジ接続68の数を特定する。その後に較正ステップで
は、例えばサンドブラスティング(砂状粒子の吹き付け研削)またはレーザーア
ブレーション(レーザー研削)によって、前記特定したブリッジ接続68を解放
する。この例ではブリッジ接続を7つまで解放して、7つの所定抵抗値の範囲の
うちの1つを選択することができる。分圧比の範囲を増加させるために、第2の
追加的回路網70を、第2抵抗層56と第3端子62の間に結合する。第2の追
加的回路網70も、抵抗部材66及びブリッジ接続68を具えている。2つの追
加的回路網64、70が第3端子62と共に占める面積を、矩形72で示す。慣
例の抵抗アセンブリの長さL1は例えば50mmである。慣例の抵抗アセンブリの幅
W1は例えば5.7mmである。本発明による抵抗アセンブリでは、この面積、従って
抵抗アセンブリの長さも実質的に低減され、従ってCRTの長さが実質的に低減
される。
【0019】
図4に、本発明による抵抗アセンブリ80を示す。抵抗アセンブリ80は、絶
縁基板52と、第1端子58と第2端子60の間に直列に結合した第1及び第2
抵抗層54、56を具えた抵抗型分圧器とを具えている。抵抗アセンブリ80の
第1端子58はCRTの第1電極32に接続され、抵抗アセンブリ80の第2端
子60はCRTのアノードに結合され、第3端子62は、前記第1抵抗層54と
第2抵抗層56の間の節点に接続されている。第3端子62はCRTの集束グリ
ッド34に結合されている。さらに追加的抵抗回路網84が、第1抵抗層54と
第3端子62の間に直列に結合されている。抵抗回路網84は、第1、第2、及
び第3抵抗部材76、78、79を具え、これらは直列に結合されている。前記
節点と回路網端子69、71の一方との間の接続を行うための、解放可能なブリ
ッジ接続82が、隣接する抵抗部材の各ノード間に存在する。第1及び第2抵抗
部材76、78、及び第3抵抗部材79も異なる抵抗を有する。第1、第2、及
び第3抵抗部材76、78、79の抵抗値の比は1:2:4に等しく、例えば17
Mオーム、34Mオーム、68Mオームであることが好ましい。実際には、第1、第
2、及び第3抵抗部材76、78、79は、例えば56.1%のPbOと6.4%のRuを含
む高抵抗のルテニウム鉛系で構成される。ブリッジ接続82は、例えば57.1%の
PbOと16.3%のRuを含む低抵抗のルテニウム鉛系で構成される。さらに、第1及
び第2抵抗層54、56の抵抗の総計は、例えば2.75±0.25ギガオームである。
さらに、絶縁基板52はアルミニウム酸化物で構成される。
縁基板52と、第1端子58と第2端子60の間に直列に結合した第1及び第2
抵抗層54、56を具えた抵抗型分圧器とを具えている。抵抗アセンブリ80の
第1端子58はCRTの第1電極32に接続され、抵抗アセンブリ80の第2端
子60はCRTのアノードに結合され、第3端子62は、前記第1抵抗層54と
第2抵抗層56の間の節点に接続されている。第3端子62はCRTの集束グリ
ッド34に結合されている。さらに追加的抵抗回路網84が、第1抵抗層54と
第3端子62の間に直列に結合されている。抵抗回路網84は、第1、第2、及
び第3抵抗部材76、78、79を具え、これらは直列に結合されている。前記
節点と回路網端子69、71の一方との間の接続を行うための、解放可能なブリ
ッジ接続82が、隣接する抵抗部材の各ノード間に存在する。第1及び第2抵抗
部材76、78、及び第3抵抗部材79も異なる抵抗を有する。第1、第2、及
び第3抵抗部材76、78、79の抵抗値の比は1:2:4に等しく、例えば17
Mオーム、34Mオーム、68Mオームであることが好ましい。実際には、第1、第
2、及び第3抵抗部材76、78、79は、例えば56.1%のPbOと6.4%のRuを含
む高抵抗のルテニウム鉛系で構成される。ブリッジ接続82は、例えば57.1%の
PbOと16.3%のRuを含む低抵抗のルテニウム鉛系で構成される。さらに、第1及
び第2抵抗層54、56の抵抗の総計は、例えば2.75±0.25ギガオームである。
さらに、絶縁基板52はアルミニウム酸化物で構成される。
【0020】
製造プロセス中の測定ステップでは、第1及び第2抵抗層54、46によって
形成される抵抗型分圧器の所定の分圧比を得るために、第1及び第2抵抗層の分
圧比を測定する。その後に演算ステップでは、追加的回路網74の所定の抵抗を
計算して、追加的回路網74を伴った第1抵抗層54と第2抵抗層56との分圧
比と、所定の分圧比との整合を行う。また、解放しなければならないブリッジ接
続の数及び位置を特定する。その後に較正ステップでは、例えばサンドブラステ
ィングまたはレーザーアブレーションによって、特定したブリッジ接続82を解
放する。この例ではブリッジ接続82を4つまで解放して、追加的抵抗回路網の
7つの所定の抵抗値のうちの1つを選択することができる。第2の追加的抵抗回
路網84を、第2抵抗層56と第3端子62に直列に結合して、分圧比の範囲を
増加させることが好ましい。また第2の追加的回路84は、第1、第2、及び第
3抵抗部材と、ブリッジ接続82から構成される。さらに絶縁層90は、第1及
び第2抵抗層54、56、及び追加的回路網74、84を覆う。
形成される抵抗型分圧器の所定の分圧比を得るために、第1及び第2抵抗層の分
圧比を測定する。その後に演算ステップでは、追加的回路網74の所定の抵抗を
計算して、追加的回路網74を伴った第1抵抗層54と第2抵抗層56との分圧
比と、所定の分圧比との整合を行う。また、解放しなければならないブリッジ接
続の数及び位置を特定する。その後に較正ステップでは、例えばサンドブラステ
ィングまたはレーザーアブレーションによって、特定したブリッジ接続82を解
放する。この例ではブリッジ接続82を4つまで解放して、追加的抵抗回路網の
7つの所定の抵抗値のうちの1つを選択することができる。第2の追加的抵抗回
路網84を、第2抵抗層56と第3端子62に直列に結合して、分圧比の範囲を
増加させることが好ましい。また第2の追加的回路84は、第1、第2、及び第
3抵抗部材と、ブリッジ接続82から構成される。さらに絶縁層90は、第1及
び第2抵抗層54、56、及び追加的回路網74、84を覆う。
【0021】
第1、第2、及び第3抵抗部材76、78、79、及びこれらに関連したブリ
ッジ接続82によって形成される第1及び第2の追加的回路網74、84が占め
る面積を、第2の矩形86で示す。ここで、第2の矩形86の面積は、第1の矩
形72で示す面積に比べて実質的に低減されている。結果として、抵抗アセンブ
リ80の長さL2を4.4mmだけ、即ち慣例の抵抗アセンブリ50の50mmから、本発
明による抵抗アセンブリ80の45.0mmに低減することができる。本発明による抵
抗アセンブリの幅W2は例えば4.7mmである。本発明による抵抗アセンブリ80の
低減された長さL2によって、電子銃アセンブリ、CRTの首部5、及びCRT
の長さをさらに低減できるようになる。
ッジ接続82によって形成される第1及び第2の追加的回路網74、84が占め
る面積を、第2の矩形86で示す。ここで、第2の矩形86の面積は、第1の矩
形72で示す面積に比べて実質的に低減されている。結果として、抵抗アセンブ
リ80の長さL2を4.4mmだけ、即ち慣例の抵抗アセンブリ50の50mmから、本発
明による抵抗アセンブリ80の45.0mmに低減することができる。本発明による抵
抗アセンブリの幅W2は例えば4.7mmである。本発明による抵抗アセンブリ80の
低減された長さL2によって、電子銃アセンブリ、CRTの首部5、及びCRT
の長さをさらに低減できるようになる。
【0022】
追加的抵抗回路網の第1、第2、及び第3抵抗部材の直列回路の代わりに、こ
れら第1、第2、及び第3抵抗部材の並列回路を用いることができる。この場合
には、ブリッジ接続のそれぞれを、第1、第2、及び第3抵抗部材の各々、及び
回路網端子69、71に直列に接続する。
れら第1、第2、及び第3抵抗部材の並列回路を用いることができる。この場合
には、ブリッジ接続のそれぞれを、第1、第2、及び第3抵抗部材の各々、及び
回路網端子69、71に直列に接続する。
【0023】
なお、上述した実施例は例示的なものであり本発明を限定するものではなく、
当業者が請求項の範疇を逸脱せずに、幾多の変形法を設計することが可能である
。
当業者が請求項の範疇を逸脱せずに、幾多の変形法を設計することが可能である
。
【図1】 一部を破除した、慣例のカラー表示管の側面図である。
【図2】 抵抗アセンブリを具えた電子銃アセンブリの側面図である。
【図3】 慣例の抵抗アセンブリを示す図である。
【図4】 本発明による抵抗アセンブリを示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ウィルヘルムス アー エム アールニン
ク
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン 6
(72)発明者 ヨハン セー コンプター
オランダ国 5656 アーアー アインドー
フェン プロフ ホルストラーン 6
Fターム(参考) 5C041 AA02 AA14 AB14 AC14 AC38
AC45 AD10 AE01
Claims (12)
- 【請求項1】 絶縁基板と; 該絶縁基板上に設けた、第1及び第2抵抗層を具えた抵抗型分圧器と; 第1回路網端子及び第2回路網端子を有する追加的抵抗回路網と を具えた抵抗アセンブリであり、 前記追加的抵抗回路網が前記第1抵抗層に直列に結合され、前記追加的抵抗回
路網が、ブリッジ接続を介して解放可能なように、前記第1及び第2回路網端子
に結合された抵抗部材を具え、該ブリッジ接続が、前記抵抗部材の抵抗よりも実
質的に低い抵抗を有して、前記抵抗型分圧器の所定の比率を調整するようにした
抵抗アセンブリにおいて、 前記追加的抵抗回路網が第1及び第2抵抗部材を具えて、該第1及び第2部材
が実質的に異なる抵抗値を有して、前記追加的抵抗回路網の可能な抵抗値の範囲
から所定の抵抗値を選択するようにしたことを特徴とする抵抗アセンブリ。 - 【請求項2】 前記第1抵抗部材の抵抗が、前記第2抵抗部材の2倍であること
を特徴とする請求項1に記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項3】 前記第1及び第2抵抗部材を結合して直列回路にして、前記ブリ
ッジ接続を、前記第1及び第2抵抗部材のそれぞれに並列に結合したことを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項4】 前記第1及び第2抵抗部材を結合して並列回路にして、前記ブリ
ッジ接続を、前記第1及び第2抵抗部材のそれぞれに直列に結合したことを特徴
とする請求項1または請求項2に記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項5】 前記追加的抵抗回路網が、さらなるブリッジ接続を介して解放可
能なように、前記回路網端子に接続した第3抵抗部材を具え、かつ前記第1、第
2、及び第3抵抗部材の抵抗値の比が1:2:4に等しいことを特徴とする請求
項1または請求項2に記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項6】 前記第1及び第2抵抗層がルテニウム鉛系で構成されることを特
徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項7】 前記第1及び第2抵抗部材がルテニウム鉛系で構成されることを
特徴とする請求項1から請求項6までのいずれかに記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項8】 前記ブリッジ接続がルテニウム鉛系で構成されることを特徴とす
る請求項1から請求項7までのいずれかに記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項9】 前記第1及び第2抵抗層がジグザグ形状であることを特徴とする
請求項1から請求項8までのいずれかに記載の抵抗アセンブリ。 - 【請求項10】 前記第1及び第2抵抗層、及び前記追加的抵抗回路網を覆う絶
縁層を具えていることを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれかに記載
の抵抗アセンブリ。 - 【請求項11】 請求項1から請求項10までのいずれかに記載の抵抗アセンブ
リを具えていることを特徴とする陰極線管用の電子銃。 - 【請求項12】 請求項1から請求項10までのいずれかに記載の抵抗アセンブ
リを具えていることを特徴とする陰極線管。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP99203575 | 1999-10-29 | ||
EP99203575.8 | 1999-10-29 | ||
PCT/EP2000/009943 WO2001033602A1 (en) | 1999-10-29 | 2000-10-09 | Resistor assembly and cathode ray tube |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003513427A true JP2003513427A (ja) | 2003-04-08 |
Family
ID=8240797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001535206A Pending JP2003513427A (ja) | 1999-10-29 | 2000-10-09 | 抵抗アセンブリ及び陰極線管 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6593697B1 (ja) |
EP (1) | EP1151463B1 (ja) |
JP (1) | JP2003513427A (ja) |
KR (1) | KR20010099997A (ja) |
DE (1) | DE60016380T2 (ja) |
WO (1) | WO2001033602A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100908429B1 (ko) * | 2003-12-24 | 2009-07-21 | 쿄세라 코포레이션 | 세라믹 히터 및 그 제조 방법 |
EP2678869B1 (en) | 2011-02-25 | 2018-10-17 | Abb Ag | Resistive structure and resistive voltage divider arrangement |
EP2492926B1 (en) | 2011-02-25 | 2013-07-10 | Abb Ag | Resistive voltage divider with high voltage ratio |
EP2492697B1 (en) | 2011-02-25 | 2013-04-03 | Abb Ag | Resistive voltage divider with improved phase accuracy |
EP2492925B1 (en) * | 2011-02-25 | 2013-08-07 | Abb Ag | Resistive voltage divider made of a resistive film material on an insulating substrate |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0036901A1 (de) * | 1980-04-01 | 1981-10-07 | Norddeutsche Mende Rundfunk KG | Anordnung zur Erzeugung von gebündelten Elektronenstrahlen in einem Vakuum-Entladungsgefäss |
JPS60124339A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
JPS60212943A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-25 | Sony Corp | 陰極線管の内蔵抵抗器 |
DE3575495D1 (de) * | 1984-05-24 | 1990-02-22 | Toshiba Kawasaki Kk | In eine elektronenroehre eingebauter widerstand. |
JPH09320482A (ja) * | 1996-05-29 | 1997-12-12 | Sony Corp | 抵抗素子及び陰極線管 |
JPH10255682A (ja) * | 1997-03-14 | 1998-09-25 | Sony Corp | 陰極線管 |
JPH11213910A (ja) * | 1998-01-30 | 1999-08-06 | Sony Corp | 陰極線管用内蔵抵抗器 |
-
2000
- 2000-10-09 EP EP00972717A patent/EP1151463B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-10-09 DE DE60016380T patent/DE60016380T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-09 WO PCT/EP2000/009943 patent/WO2001033602A1/en active IP Right Grant
- 2000-10-09 KR KR1020017008263A patent/KR20010099997A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-10-09 JP JP2001535206A patent/JP2003513427A/ja active Pending
- 2000-10-27 US US09/698,766 patent/US6593697B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE60016380T2 (de) | 2005-10-27 |
WO2001033602A1 (en) | 2001-05-10 |
EP1151463A1 (en) | 2001-11-07 |
EP1151463B1 (en) | 2004-12-01 |
DE60016380D1 (de) | 2005-01-05 |
US6593697B1 (en) | 2003-07-15 |
KR20010099997A (ko) | 2001-11-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0646944A2 (en) | A color cathode ray tube apparatus | |
JP2003513427A (ja) | 抵抗アセンブリ及び陰極線管 | |
JP2004139792A (ja) | 電子銃構体用抵抗器、これを備えた電子銃構体及び陰極線管装置 | |
US6433469B1 (en) | Cathode ray tube having an internal voltage-dividing resistor | |
EP1575077A1 (en) | Resistor for electron gun structure, electron gun structure and cathode ray tube | |
JP2001210254A (ja) | 陰極線管 | |
US6674224B2 (en) | Tension focus mask for a cathode-ray tube (CRT) | |
JPH10321157A (ja) | 陰極線管装置 | |
JPH0525160Y2 (ja) | ||
WO2004019366A1 (ja) | 電子銃構体用抵抗器及び陰極線管 | |
JP2002260553A (ja) | 電子銃構体用抵抗器、この抵抗器の製造方法、この抵抗器を備えた電子銃構体、この抵抗器を備えた陰極線管装置 | |
JPH08222145A (ja) | 電子銃および表示装置 | |
JPH05251013A (ja) | 陰極線管 | |
JP2000012303A (ja) | 抵抗器、その製造方法および電子銃 | |
EP1145270A2 (en) | Electron gun and display device provided with an electron gun | |
EP1354333A2 (en) | Crt having a focus mask with partially conductive insulator | |
JPS6311742B2 (ja) | ||
JP2004139791A (ja) | 電子銃構体用抵抗器 | |
JPH1064444A (ja) | 陰極線管 | |
JP2003016965A (ja) | 管内用抵抗器並びにその製造方法及びカラー陰極線管 | |
JPH11307009A (ja) | カラー陰極線管 | |
JP2001351542A (ja) | 陰極線管 | |
JP2000156177A (ja) | 電子銃装置 | |
JPH04255650A (ja) | 陰極線管 | |
JPH117907A (ja) | 電子銃 |