JPH11213910A - 陰極線管用内蔵抵抗器 - Google Patents
陰極線管用内蔵抵抗器Info
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- JPH11213910A JPH11213910A JP10018717A JP1871798A JPH11213910A JP H11213910 A JPH11213910 A JP H11213910A JP 10018717 A JP10018717 A JP 10018717A JP 1871798 A JP1871798 A JP 1871798A JP H11213910 A JPH11213910 A JP H11213910A
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- electrodes
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- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
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- H01J2229/96—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube
- H01J2229/966—Circuit elements other than coils, reactors or the like, associated with the tube associated with the gun structure
Abstract
(57)【要約】
【課題】 陰極線管用内蔵抵抗器では、迷走電子が絶縁
生基板に帯電することで、電極の周端への電界集中によ
るリーク電流が生じ、電極の電位がばらつく。 【解決手段】 絶縁性基板11と、互いに接続された状
態で絶縁性基板11上に設けられた電極12a〜12c
及び抵抗体13と、抵抗体13を覆う状態で絶縁性基板
11上に設けられた絶縁ガラス層14とを備え、電極1
2a〜12cの周縁上から電極12a〜12cの外周縁
上にかけてを覆う状態で電極12a〜12cの周縁に沿
って絶縁ガラスからなる遮蔽材15を設けた。この遮蔽
材15によって、電極15a〜15cの外周縁付近の絶
縁性基板11部分への帯電を防止し、電極15a〜15
cの周縁付近への電界の集中を防止し、リーク電流の発
生を抑制する。
生基板に帯電することで、電極の周端への電界集中によ
るリーク電流が生じ、電極の電位がばらつく。 【解決手段】 絶縁性基板11と、互いに接続された状
態で絶縁性基板11上に設けられた電極12a〜12c
及び抵抗体13と、抵抗体13を覆う状態で絶縁性基板
11上に設けられた絶縁ガラス層14とを備え、電極1
2a〜12cの周縁上から電極12a〜12cの外周縁
上にかけてを覆う状態で電極12a〜12cの周縁に沿
って絶縁ガラスからなる遮蔽材15を設けた。この遮蔽
材15によって、電極15a〜15cの外周縁付近の絶
縁性基板11部分への帯電を防止し、電極15a〜15
cの周縁付近への電界の集中を防止し、リーク電流の発
生を抑制する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管に内蔵さ
れる抵抗器に関し、特にはリーク電流の発生を防止でき
る陰極線管用内蔵抵抗器に関する。
れる抵抗器に関し、特にはリーク電流の発生を防止でき
る陰極線管用内蔵抵抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】陰極線管の電子銃部分には、所定のフォ
ーカス電圧やコンバージェンス補正電圧を供給するため
の陰極線管用内蔵抵抗器(以下、内蔵抵抗器と記す)が
設けられている。図6(1)に示すように、上記内蔵抵
抗器6は、絶縁性基板11と、この絶縁性基板11上に
設けられた電極12a〜12c及び抵抗体13とを備え
ている。上記電極12a〜12cは、抵抗体13の両端
及び所定の中間部分に互いに直列に設けられている。ま
た、図6(2)に示すように、絶縁性基板11上には、
抵抗体13を覆う状態で絶縁ガラス層14が設けられて
いる。この絶縁ガラス層14は、陰極線管内の高電圧環
境から抵抗体13を保護するためのものである。
ーカス電圧やコンバージェンス補正電圧を供給するため
の陰極線管用内蔵抵抗器(以下、内蔵抵抗器と記す)が
設けられている。図6(1)に示すように、上記内蔵抵
抗器6は、絶縁性基板11と、この絶縁性基板11上に
設けられた電極12a〜12c及び抵抗体13とを備え
ている。上記電極12a〜12cは、抵抗体13の両端
及び所定の中間部分に互いに直列に設けられている。ま
た、図6(2)に示すように、絶縁性基板11上には、
抵抗体13を覆う状態で絶縁ガラス層14が設けられて
いる。この絶縁ガラス層14は、陰極線管内の高電圧環
境から抵抗体13を保護するためのものである。
【0003】上記内蔵抵抗器6によれば、抵抗体13の
一端に接続された電極12aをグランド側とし、抵抗体
13の他端に接続された電極12bに高電圧を供給する
ことで、抵抗体13の中間部の所定位置に設けられた電
極12cから所定の中間電圧を得ることが可能になる。
一端に接続された電極12aをグランド側とし、抵抗体
13の他端に接続された電極12bに高電圧を供給する
ことで、抵抗体13の中間部の所定位置に設けられた電
極12cから所定の中間電圧を得ることが可能になる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の内
蔵抵抗には、以下のような課題があった。すなわち、上
記内蔵抵抗器が設けられる陰極線管の内部では、20k
V〜30kV程度の高電圧の供給によって電子ビームが
走査された状態になっている。このため、上記内蔵抵抗
器周辺にも僅かに迷走電子が存在し、この迷走電子によ
って絶縁性基板の表面が帯電する。
蔵抵抗には、以下のような課題があった。すなわち、上
記内蔵抵抗器が設けられる陰極線管の内部では、20k
V〜30kV程度の高電圧の供給によって電子ビームが
走査された状態になっている。このため、上記内蔵抵抗
器周辺にも僅かに迷走電子が存在し、この迷走電子によ
って絶縁性基板の表面が帯電する。
【0005】ところが、図7(1)の要部拡大図及び図
7(2)の要部断面図に示すように、上記内蔵抵抗器6
の各電極12a〜12c(図面においては、代表して電
極12cを示した)は、絶縁性基板上にスクリーン印刷
法によって形成されたものであることから、その周縁部
分は中央側から外側に向かって徐々に膜厚が薄くなるい
わゆる「ナイフエッジ」形状になっている。このため、
図7(3)、すなわち図7(2)のB部拡大図に示すよ
うに、上記絶縁性基板11表面の僅かな帯電によって電
極12cの周端付近に電界が集中し、この付近における
電界強度が高くなる。そして、この電極12cの周端部
から電界放射による電子放射が発生し、リーク電流が生
じる。この結果、各電極12cにおける電位が変化して
しまう。
7(2)の要部断面図に示すように、上記内蔵抵抗器6
の各電極12a〜12c(図面においては、代表して電
極12cを示した)は、絶縁性基板上にスクリーン印刷
法によって形成されたものであることから、その周縁部
分は中央側から外側に向かって徐々に膜厚が薄くなるい
わゆる「ナイフエッジ」形状になっている。このため、
図7(3)、すなわち図7(2)のB部拡大図に示すよ
うに、上記絶縁性基板11表面の僅かな帯電によって電
極12cの周端付近に電界が集中し、この付近における
電界強度が高くなる。そして、この電極12cの周端部
から電界放射による電子放射が発生し、リーク電流が生
じる。この結果、各電極12cにおける電位が変化して
しまう。
【0006】これは、フォーカス電圧のばらつきによる
ミスフォーカスやコンバージェンス補正電圧のばらつき
によるミスコンバージョンの要因になる。
ミスフォーカスやコンバージェンス補正電圧のばらつき
によるミスコンバージョンの要因になる。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の陰極線管用内蔵抵抗器は、絶縁性基板とこの
絶縁性基板上に設けられた電極及び抵抗体とを備えたも
のにおいて、上記電極の周縁上から当該電極の外周縁上
にかけてを覆う状態で、当該電極の周縁に沿って遮蔽材
を設けたことを特徴としている。
の本発明の陰極線管用内蔵抵抗器は、絶縁性基板とこの
絶縁性基板上に設けられた電極及び抵抗体とを備えたも
のにおいて、上記電極の周縁上から当該電極の外周縁上
にかけてを覆う状態で、当該電極の周縁に沿って遮蔽材
を設けたことを特徴としている。
【0008】上記構成の陰極線管用内蔵抵抗器では、電
極の周縁から当該電極の外周縁における絶縁性基板部分
にかけての領域の上方が遮蔽材で覆われた状態になって
いる。このため、陰極線管内の迷走電子に対して、遮蔽
材が上記領域のバリアになり、電極の外周縁付近の絶縁
性基板の帯電が防止される。そして、絶縁性基板の帯電
部分と電極の周端との間隔が広げられ、電極の周端付近
への電界集中が緩和される。したがって、電極の周端付
近における電界強度が低く抑えられ、この電極の周端部
からの電界放射による電子放射が防止される。
極の周縁から当該電極の外周縁における絶縁性基板部分
にかけての領域の上方が遮蔽材で覆われた状態になって
いる。このため、陰極線管内の迷走電子に対して、遮蔽
材が上記領域のバリアになり、電極の外周縁付近の絶縁
性基板の帯電が防止される。そして、絶縁性基板の帯電
部分と電極の周端との間隔が広げられ、電極の周端付近
への電界集中が緩和される。したがって、電極の周端付
近における電界強度が低く抑えられ、この電極の周端部
からの電界放射による電子放射が防止される。
【0009】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した陰極線管
用内蔵抵抗器(以下、内蔵抵抗器と記す)の実施の形態
を図面に基づいて説明する。尚、従来と同様の構成要素
には、従来技術の説明に用いた図6,図7で付したと同
様の符号を用いて説明を行うこととする。
用内蔵抵抗器(以下、内蔵抵抗器と記す)の実施の形態
を図面に基づいて説明する。尚、従来と同様の構成要素
には、従来技術の説明に用いた図6,図7で付したと同
様の符号を用いて説明を行うこととする。
【0010】(第1実施形態)図1(1)は、第1実施
形態の内蔵抵抗器を説明するための平面図であり、図1
(2)は上記平面図のA−A’断面図である。これら図
に示す内蔵抵抗器1は、絶縁性基板11と、この絶縁性
基板11上に設けられた電極12a〜12c及び抵抗体
13とを備えている。また、絶縁性基板11上には、各
電極12a〜12cの周縁に沿って遮蔽材15が設けら
れていると共に、抵抗体13を覆う状態で絶縁ガラス層
14が設けられている。
形態の内蔵抵抗器を説明するための平面図であり、図1
(2)は上記平面図のA−A’断面図である。これら図
に示す内蔵抵抗器1は、絶縁性基板11と、この絶縁性
基板11上に設けられた電極12a〜12c及び抵抗体
13とを備えている。また、絶縁性基板11上には、各
電極12a〜12cの周縁に沿って遮蔽材15が設けら
れていると共に、抵抗体13を覆う状態で絶縁ガラス層
14が設けられている。
【0011】上記絶縁性基板11は、例えばアルミナの
ような絶縁性材料からなる平板状のものである。
ような絶縁性材料からなる平板状のものである。
【0012】また、上記電極12a〜12cは、例え
ば、抵抗体13の両端と、当該抵抗体13における所定
の中間部に単数または複数設けられており、抵抗体13
によって互いに直列に接続された状態になっている。た
だし、図面においては、抵抗体13の中間部に1つの電
極12cを配置した場合を示した。そして、抵抗体13
の一端に接続された電極12aをグランド側とし、抵抗
体13の他端に接続された電極12bを高電圧供給側と
し、所定の中間部に設けられた電極12cを取り出し電
極とする。これらの電極12a〜12cは、金(Au)
を主成分とする金属電極用厚膜材料や、抵抗値の比較的
低い厚膜抵抗材料等からなるものであることとする。
ば、抵抗体13の両端と、当該抵抗体13における所定
の中間部に単数または複数設けられており、抵抗体13
によって互いに直列に接続された状態になっている。た
だし、図面においては、抵抗体13の中間部に1つの電
極12cを配置した場合を示した。そして、抵抗体13
の一端に接続された電極12aをグランド側とし、抵抗
体13の他端に接続された電極12bを高電圧供給側と
し、所定の中間部に設けられた電極12cを取り出し電
極とする。これらの電極12a〜12cは、金(Au)
を主成分とする金属電極用厚膜材料や、抵抗値の比較的
低い厚膜抵抗材料等からなるものであることとする。
【0013】そして、上記抵抗体13は、例えば、酸化
ルテニウムと低融点ガラスとで構成されるような一般的
な厚膜抵抗体材料かなるものであり、電極12a−電極
12c間及び電極12c−電極12b間を接続する状態
で、絶縁性基板11上に設けられている。
ルテニウムと低融点ガラスとで構成されるような一般的
な厚膜抵抗体材料かなるものであり、電極12a−電極
12c間及び電極12c−電極12b間を接続する状態
で、絶縁性基板11上に設けられている。
【0014】そして、上記遮蔽材15は、各電極12a
〜12cの周縁上からその外周縁の絶縁性基板11上に
掛けてを被覆する状態で、各電極12a〜12cの周縁
に沿って設けられている。この遮蔽材15は、例えば絶
縁ガラスのような絶縁性材料で構成されていることとす
る。
〜12cの周縁上からその外周縁の絶縁性基板11上に
掛けてを被覆する状態で、各電極12a〜12cの周縁
に沿って設けられている。この遮蔽材15は、例えば絶
縁ガラスのような絶縁性材料で構成されていることとす
る。
【0015】また、上記絶縁ガラス層14は、抵抗体1
3上を覆う状態で絶縁性基板11上に設けられている。
この絶縁ガラス層14の縁部の一部分は、遮蔽材15の
縁部上に重ね合わされた状態になっている。この絶縁ガ
ラス層14は、陰極線管内の高電圧環境から抵抗体13
を保護するためのものであり、絶縁性が十分に確保でき
る程度に厚い膜厚(例えば500μm)を有しているこ
ととする。
3上を覆う状態で絶縁性基板11上に設けられている。
この絶縁ガラス層14の縁部の一部分は、遮蔽材15の
縁部上に重ね合わされた状態になっている。この絶縁ガ
ラス層14は、陰極線管内の高電圧環境から抵抗体13
を保護するためのものであり、絶縁性が十分に確保でき
る程度に厚い膜厚(例えば500μm)を有しているこ
ととする。
【0016】図2は、上記内蔵抵抗器1の形成手順を説
明するための製造工程図である。内蔵抵抗器1を形成す
る場合には、先ず、図2(1)に示すように、スクリー
ン印刷法によって、絶縁性基板11上にペースト状の電
極材料22を印刷塗布し、乾燥させる。次に、スクリー
ン印刷法によって、絶縁性基板11上にペースト状の抵
抗体材料23を印刷塗布し、乾燥させる。その後、乾燥
させた電極材料22及び抵抗体材料23を所定の温度で
焼成する。これによって、絶縁性基板11上に電極材料
22からなる電極12a〜12c及び抵抗体材料23か
らなる抵抗体13を形成する。これらの電極12a〜1
2c及び抵抗体13は、その周縁部分が「ナイフエッ
ジ」形状になる。
明するための製造工程図である。内蔵抵抗器1を形成す
る場合には、先ず、図2(1)に示すように、スクリー
ン印刷法によって、絶縁性基板11上にペースト状の電
極材料22を印刷塗布し、乾燥させる。次に、スクリー
ン印刷法によって、絶縁性基板11上にペースト状の抵
抗体材料23を印刷塗布し、乾燥させる。その後、乾燥
させた電極材料22及び抵抗体材料23を所定の温度で
焼成する。これによって、絶縁性基板11上に電極材料
22からなる電極12a〜12c及び抵抗体材料23か
らなる抵抗体13を形成する。これらの電極12a〜1
2c及び抵抗体13は、その周縁部分が「ナイフエッ
ジ」形状になる。
【0017】次に、図2(2)に示すように、スクリー
ン印刷法によって、電極12a〜12cの周縁上からそ
の外周縁の絶縁性基板11上にかけてを覆う状態でペー
スト状の絶縁ガラス材料25を印刷塗布する。その後、
この絶縁ガラス材料25を乾燥させる。この絶縁ガラス
材料25は、各電極12a〜12cの周縁部上からその
外周縁の絶縁性基板11上に掛けてを覆う状態で、各電
極12a〜12cの周縁に沿って印刷塗布されることと
する。また、絶縁ガラス材料25の塗布膜厚は、各電極
12a〜12cのパターンに応じて、これらの周縁に沿
って精度良く印刷塗布される程度に設定されることとす
る。
ン印刷法によって、電極12a〜12cの周縁上からそ
の外周縁の絶縁性基板11上にかけてを覆う状態でペー
スト状の絶縁ガラス材料25を印刷塗布する。その後、
この絶縁ガラス材料25を乾燥させる。この絶縁ガラス
材料25は、各電極12a〜12cの周縁部上からその
外周縁の絶縁性基板11上に掛けてを覆う状態で、各電
極12a〜12cの周縁に沿って印刷塗布されることと
する。また、絶縁ガラス材料25の塗布膜厚は、各電極
12a〜12cのパターンに応じて、これらの周縁に沿
って精度良く印刷塗布される程度に設定されることとす
る。
【0018】次いで、図1(1)及び図1(2)に示し
たように、スクリーン印刷法によって、抵抗体13を覆
う状態で絶縁性基板11上にペースト状の絶縁ガラス材
料24を印刷塗布した後、この絶縁ガラス材料24を乾
燥させる。この絶縁ガラス材料24の塗布膜厚は、この
絶縁ガラス材料24によって形成される絶縁ガラス層1
4の設定膜厚に対応させることとする。
たように、スクリーン印刷法によって、抵抗体13を覆
う状態で絶縁性基板11上にペースト状の絶縁ガラス材
料24を印刷塗布した後、この絶縁ガラス材料24を乾
燥させる。この絶縁ガラス材料24の塗布膜厚は、この
絶縁ガラス材料24によって形成される絶縁ガラス層1
4の設定膜厚に対応させることとする。
【0019】以上の後、上記絶縁ガラズ材料24、25
を所定の温度で焼成し、これによって絶縁ガラス材料2
4からなる絶縁ガラス層14及び絶縁ガラス材料25か
らなる遮蔽材15を形成する。尚、上記絶縁ガラス材料
24と絶縁ガラス材料25とは同様のものであっても良
い。
を所定の温度で焼成し、これによって絶縁ガラス材料2
4からなる絶縁ガラス層14及び絶縁ガラス材料25か
らなる遮蔽材15を形成する。尚、上記絶縁ガラス材料
24と絶縁ガラス材料25とは同様のものであっても良
い。
【0020】上記のようにして形成された内蔵抵抗器1
では、電極12a〜12bの周縁から当該電極12a〜
12bの外周縁における絶縁性基板11部分にかけての
領域上が遮蔽材15で覆われた状態になっている。この
ため、図3の要部断面図に示すように、この内蔵抵抗器
1が配置される陰極線管内の迷走電子に対して、遮蔽材
15が上記領域のバリアになり、各電極12a〜12c
(図面においては、代表して電極12cを示した)の周
縁付近の絶縁性基板11の帯電が防止される。そして、
絶縁性基板11の帯電部分と電極12cの周端との間隔
が広げられ、電極12cの周端付近における電界集中が
緩和される。これと共に、電極12cの周縁が絶縁ガラ
スからなる遮蔽材15で被覆されることから、電極12
cの周端部からの電界集中による電子放射が防止され
る。
では、電極12a〜12bの周縁から当該電極12a〜
12bの外周縁における絶縁性基板11部分にかけての
領域上が遮蔽材15で覆われた状態になっている。この
ため、図3の要部断面図に示すように、この内蔵抵抗器
1が配置される陰極線管内の迷走電子に対して、遮蔽材
15が上記領域のバリアになり、各電極12a〜12c
(図面においては、代表して電極12cを示した)の周
縁付近の絶縁性基板11の帯電が防止される。そして、
絶縁性基板11の帯電部分と電極12cの周端との間隔
が広げられ、電極12cの周端付近における電界集中が
緩和される。これと共に、電極12cの周縁が絶縁ガラ
スからなる遮蔽材15で被覆されることから、電極12
cの周端部からの電界集中による電子放射が防止され
る。
【0021】この結果、上記内蔵抵抗器1によれば、電
極12cからのリーク電流の発生を防止することが可能
になる。ここで、従来の遮蔽材が設けられていない構成
の内蔵抵抗器においては、電極からのリーク電流の発生
率が数%であったのに対して、上記第1実施形態の内蔵
抵抗器1においては、上記リーク電流の発生率を0.0
1%程度にまで改善することができた。
極12cからのリーク電流の発生を防止することが可能
になる。ここで、従来の遮蔽材が設けられていない構成
の内蔵抵抗器においては、電極からのリーク電流の発生
率が数%であったのに対して、上記第1実施形態の内蔵
抵抗器1においては、上記リーク電流の発生率を0.0
1%程度にまで改善することができた。
【0022】以上から、電極12cの電位を安定した値
に保つことが可能になり、この内蔵抵抗器1において抵
抗体の中間に配置された電極12cから、安定したフォ
ーカス電圧またはコンバージェンス補正電圧を供給する
ことが可能になる。
に保つことが可能になり、この内蔵抵抗器1において抵
抗体の中間に配置された電極12cから、安定したフォ
ーカス電圧またはコンバージェンス補正電圧を供給する
ことが可能になる。
【0023】また、図2(2)を用いて説明したよう
に、電極12a〜12cの形状に応じて遮蔽材15の膜
厚を設定することで、より面積の小さな電極12a〜1
2cの周縁に沿って精度良く遮蔽材15を設けることが
可能になる。
に、電極12a〜12cの形状に応じて遮蔽材15の膜
厚を設定することで、より面積の小さな電極12a〜1
2cの周縁に沿って精度良く遮蔽材15を設けることが
可能になる。
【0024】(第2実施形態)図4には、第2実施形態
の内蔵抵抗器を説明するための平面図を示した。この図
に示す第2実施形態の内蔵抵抗器4と、図1を用いて説
明した上記第1実施形態の内蔵抵抗器(1)との異なる
ところは、遮蔽材15a及び絶縁性ガラス層14aの構
成にあり、その他の絶縁性基板11、電極12a〜12
c及び抵抗体13の構成は上記第1実施形態の内蔵抵抗
器(1)と同様であることとする。
の内蔵抵抗器を説明するための平面図を示した。この図
に示す第2実施形態の内蔵抵抗器4と、図1を用いて説
明した上記第1実施形態の内蔵抵抗器(1)との異なる
ところは、遮蔽材15a及び絶縁性ガラス層14aの構
成にあり、その他の絶縁性基板11、電極12a〜12
c及び抵抗体13の構成は上記第1実施形態の内蔵抵抗
器(1)と同様であることとする。
【0025】すなわち、内蔵抵抗器4における遮蔽材1
5aは、絶縁性ガラス層14aと一体に形成されたもの
になっている。このため、電極12a〜12cの周縁上
から電極12a〜12cの外周縁上にかけては、絶縁性
ガラス層14aの縁部を延設してなる遮蔽材15aで覆
われた状態になっている。
5aは、絶縁性ガラス層14aと一体に形成されたもの
になっている。このため、電極12a〜12cの周縁上
から電極12a〜12cの外周縁上にかけては、絶縁性
ガラス層14aの縁部を延設してなる遮蔽材15aで覆
われた状態になっている。
【0026】上記構成の内蔵抵抗器4であっても、電極
12a〜12cの周縁から当該電極12a〜12cの外
周縁における絶縁性基板11部分にかけての領域の上方
が絶縁ガラス層14aの一部分で構成された遮蔽材15
aで覆われた状態になっているため、上記第1実施形態
の内蔵抵抗器と同様に電極12a〜12cの外周縁付近
における絶縁性基板11の帯電が防止される。このた
め、上記第1実施形態の内蔵抵抗器と同様に、電極12
a〜12cの周端部からのリーク電流の発生を抑えるこ
とが可能になり、上記第1実施形態の内蔵抵抗器と同様
の効果を得ることができる。尚、このような構成の内蔵
抵抗器4においても、上記第1実施形態の内蔵抵抗器
(1)と同程度にリーク電流の発生率を改善することが
できた。
12a〜12cの周縁から当該電極12a〜12cの外
周縁における絶縁性基板11部分にかけての領域の上方
が絶縁ガラス層14aの一部分で構成された遮蔽材15
aで覆われた状態になっているため、上記第1実施形態
の内蔵抵抗器と同様に電極12a〜12cの外周縁付近
における絶縁性基板11の帯電が防止される。このた
め、上記第1実施形態の内蔵抵抗器と同様に、電極12
a〜12cの周端部からのリーク電流の発生を抑えるこ
とが可能になり、上記第1実施形態の内蔵抵抗器と同様
の効果を得ることができる。尚、このような構成の内蔵
抵抗器4においても、上記第1実施形態の内蔵抵抗器
(1)と同程度にリーク電流の発生率を改善することが
できた。
【0027】また、絶縁ガラス層14aと遮蔽材15a
とが一体物であることから、遮蔽材15aを形成するた
めの製造工程を追加することなく内蔵抵抗器4を得るこ
とができる。
とが一体物であることから、遮蔽材15aを形成するた
めの製造工程を追加することなく内蔵抵抗器4を得るこ
とができる。
【0028】(第3実施形態)図5(1)には第3実施
形態の内蔵抵抗器を説明するための要部平面図を示し、
図5(2)には図5(1)のA−A’断面図を示した。
これらの図に示す第3実施形態の内蔵抵抗器5と、図1
を用いて説明した第1実施形態の内蔵抵抗器(1)との
異なるところは、遮蔽材51の構成にあり、その他の絶
縁性基板11、各電極12a〜12c(図面において
は、代表して電極12cを示した)、抵抗体13及び絶
縁ガラス層14の構成は第1実施形態の内蔵抵抗器と同
様であることとする。
形態の内蔵抵抗器を説明するための要部平面図を示し、
図5(2)には図5(1)のA−A’断面図を示した。
これらの図に示す第3実施形態の内蔵抵抗器5と、図1
を用いて説明した第1実施形態の内蔵抵抗器(1)との
異なるところは、遮蔽材51の構成にあり、その他の絶
縁性基板11、各電極12a〜12c(図面において
は、代表して電極12cを示した)、抵抗体13及び絶
縁ガラス層14の構成は第1実施形態の内蔵抵抗器と同
様であることとする。
【0029】すなわち、内蔵抵抗器5における遮蔽材5
1aは、電極12cの周縁上からその外周縁上に掛けて
設けられた導電性板材であることとする。この遮蔽材5
1aは、例えば電極12cに接続される端子金具51の
周縁を延設してなるものであることとする。この端子金
具51は、各電極12cに対して電圧を供給しまた取り
出すためのものである。この場合、端子金具51の周端
からの電子放射を防止するために、端子金具51の周縁
と絶縁性基板11との間に間隔dが保たれるようにす
る。
1aは、電極12cの周縁上からその外周縁上に掛けて
設けられた導電性板材であることとする。この遮蔽材5
1aは、例えば電極12cに接続される端子金具51の
周縁を延設してなるものであることとする。この端子金
具51は、各電極12cに対して電圧を供給しまた取り
出すためのものである。この場合、端子金具51の周端
からの電子放射を防止するために、端子金具51の周縁
と絶縁性基板11との間に間隔dが保たれるようにす
る。
【0030】上記構成の内蔵抵抗器5では、電極12c
の周縁から当該電極12cの外周縁における絶縁性基板
11部分にかけての領域の上方が端子金具51の周縁を
延設してなる遮蔽材51で覆われた状態になっている。
このため、遮蔽材51aは電界遮蔽効果を有するものに
なり、上記領域がこの遮蔽材51aによてシールドされ
た状態になる。したがって、この内蔵抵抗器1が配置さ
れる陰極線管内の迷走電子に対して、遮蔽材15が上記
領域のバリアになり、電極12cの周端付近における絶
縁性基板11部分の帯電が防止される。
の周縁から当該電極12cの外周縁における絶縁性基板
11部分にかけての領域の上方が端子金具51の周縁を
延設してなる遮蔽材51で覆われた状態になっている。
このため、遮蔽材51aは電界遮蔽効果を有するものに
なり、上記領域がこの遮蔽材51aによてシールドされ
た状態になる。したがって、この内蔵抵抗器1が配置さ
れる陰極線管内の迷走電子に対して、遮蔽材15が上記
領域のバリアになり、電極12cの周端付近における絶
縁性基板11部分の帯電が防止される。
【0031】以上のことから、上記第1実施形態の内蔵
抵抗器と同様に電極12cの周端部からのリーク電流の
発生を抑えることができ、上記第1実施形態の内蔵抵抗
器と同様の効果を得ることができる。尚、このような構
成の内蔵抵抗器5においても、上記第1実施形態の内蔵
抵抗器と同程度にリーク電流の発生率を改善することが
できた。
抵抗器と同様に電極12cの周端部からのリーク電流の
発生を抑えることができ、上記第1実施形態の内蔵抵抗
器と同様の効果を得ることができる。尚、このような構
成の内蔵抵抗器5においても、上記第1実施形態の内蔵
抵抗器と同程度にリーク電流の発生率を改善することが
できた。
【0032】また、遮蔽材51aと端子金具51とを一
体物としたことから、遮蔽材51aを形成するための製
造工程を追加することなく内蔵抵抗器5を得ることがで
きる。
体物としたことから、遮蔽材51aを形成するための製
造工程を追加することなく内蔵抵抗器5を得ることがで
きる。
【0033】尚、上記各実施形態においては、絶縁性基
板上に形成した全ての電極の周縁に沿って遮蔽材を設け
た場合を説明した。しかし、上記遮蔽材は、電界放射に
起因する電位の変動が問題となる電極にのみ設けるよう
にしても良い。
板上に形成した全ての電極の周縁に沿って遮蔽材を設け
た場合を説明した。しかし、上記遮蔽材は、電界放射に
起因する電位の変動が問題となる電極にのみ設けるよう
にしても良い。
【0034】
【発明の効果】以上説明したように本発明の内蔵抵抗器
によれば、電極の周縁から当該電極の外周縁における絶
縁性基板部分にかけての領域の上方を遮蔽材で覆うこと
によって、電極の外周縁付近における絶縁性基板部分に
陰極線管内の迷走電子が帯電することを防止できる。こ
のため、上記電極の周端部からの電界放射による電子放
射の発生を防止し、電極からのリーク電流の発生を抑え
て各電極の電位を安定した値に保つことが可能になる。
したがって、この内蔵抵抗器によって供給される陰極線
管のフォーカス電圧及びコンバージェンス補正電圧を安
定化させることが可能になる。
によれば、電極の周縁から当該電極の外周縁における絶
縁性基板部分にかけての領域の上方を遮蔽材で覆うこと
によって、電極の外周縁付近における絶縁性基板部分に
陰極線管内の迷走電子が帯電することを防止できる。こ
のため、上記電極の周端部からの電界放射による電子放
射の発生を防止し、電極からのリーク電流の発生を抑え
て各電極の電位を安定した値に保つことが可能になる。
したがって、この内蔵抵抗器によって供給される陰極線
管のフォーカス電圧及びコンバージェンス補正電圧を安
定化させることが可能になる。
【図1】(1)は第1実施形態の内蔵抵抗器の構成を説
明するための平面図であり、(2)は(1)のA−A’
断面図である。
明するための平面図であり、(2)は(1)のA−A’
断面図である。
【図2】第1実施形態の内蔵抵抗器の形成を示す概略工
程図である。
程図である。
【図3】第1実施形態の内蔵抵抗器における放電防止効
果を説明する図である。
果を説明する図である。
【図4】第2実施形態の内蔵抵抗器の構成を説明するた
めの平面図である。
めの平面図である。
【図5】(1)は第3実施形態の内蔵抵抗器の構成を説
明するための要部平面図であり、(2)は(1)のA−
A’断面図である。
明するための要部平面図であり、(2)は(1)のA−
A’断面図である。
【図6】従来の内蔵抵抗器の構成を説明するための平面
図である。
図である。
【図7】従来の内蔵抵抗器の課題を説明するための図で
ある。
ある。
1,4,5…内蔵抵抗器(陰極線管用内蔵抵抗器)、1
1…絶縁性基板、12a,12b,12c…電極、13
…抵抗体、15,15a,51a…遮蔽材
1…絶縁性基板、12a,12b,12c…電極、13
…抵抗体、15,15a,51a…遮蔽材
Claims (1)
- 【請求項1】 絶縁性基板と、互いに接続された状態で
前記絶縁性基板上に設けられた電極及び抵抗体とを備え
た陰極線管用内蔵抵抗器において、 前記電極の周縁上から当該電極の外周縁上にかけてを覆
う状態で、当該電極の周縁に沿って遮蔽材を設けたこ
と、を特徴とする陰極線管用内蔵抵抗器。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10018717A JPH11213910A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 陰極線管用内蔵抵抗器 |
US09/237,834 US6005472A (en) | 1998-01-30 | 1999-01-27 | Inner resistor for cathode-ray tube |
EP99300688A EP0933798B1 (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Inner resistor for cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10018717A JPH11213910A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 陰極線管用内蔵抵抗器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11213910A true JPH11213910A (ja) | 1999-08-06 |
Family
ID=11979421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10018717A Withdrawn JPH11213910A (ja) | 1998-01-30 | 1998-01-30 | 陰極線管用内蔵抵抗器 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6005472A (ja) |
EP (1) | EP0933798B1 (ja) |
JP (1) | JPH11213910A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004057641A1 (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 電子銃構体用抵抗器、電子銃構体、及び、陰極線管 |
US8212465B2 (en) | 2008-12-02 | 2012-07-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Field emission device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1151463B1 (en) * | 1999-10-29 | 2004-12-01 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Resistor assembly and cathode ray tube |
JP2001202905A (ja) * | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
JP2001210254A (ja) * | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Hitachi Ltd | 陰極線管 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3962599A (en) * | 1974-11-25 | 1976-06-08 | Gte Sylvania Incorporated | Shielding means for cathode ray tube |
US4349767A (en) * | 1977-01-17 | 1982-09-14 | Sony Corporation | Cathode ray tube resistance of ruthenium oxide and glass containing alumina powder |
US4306217A (en) * | 1977-06-03 | 1981-12-15 | Angstrohm Precision, Inc. | Flat electrical components |
JPS55159548A (en) * | 1979-05-30 | 1980-12-11 | Toshiba Corp | Electron gun structure |
JPS57118351A (en) * | 1981-01-14 | 1982-07-23 | Toshiba Corp | Electron gun |
EP0251137B1 (en) * | 1986-06-27 | 1991-12-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | A resistor and an electron tube incorporating the same |
-
1998
- 1998-01-30 JP JP10018717A patent/JPH11213910A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-01-27 US US09/237,834 patent/US6005472A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-01-29 EP EP99300688A patent/EP0933798B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004057641A1 (ja) * | 2002-12-20 | 2004-07-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 電子銃構体用抵抗器、電子銃構体、及び、陰極線管 |
US6917151B2 (en) | 2002-12-20 | 2005-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resistor for electron gun assembly, electron gun assembly, and cathode-ray tube |
US8212465B2 (en) | 2008-12-02 | 2012-07-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Field emission device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0933798B1 (en) | 2003-07-16 |
US6005472A (en) | 1999-12-21 |
EP0933798A1 (en) | 1999-08-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051122 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060120 |