JP2001210254A - 陰極線管 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/96—One or more circuit elements structurally associated with the tube
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
-
- H—ELECTRICITY
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2229/00—Details of cathode ray tubes or electron beam tubes
- H01J2229/48—Electron guns
- H01J2229/4834—Electrical arrangements coupled to electrodes, e.g. potentials
Abstract
(57)【要約】
【課題】分圧用抵抗器を内蔵した陰極線管において、ス
ポットノッキング時に高電圧が印加される分圧用抵抗器
の抵抗体とこれを囲み電子銃に取り付けられた放電抑制
用金属線との間のスパークにより分圧抵抗が破壊される
のを防止してスポットノッキング効果を増大し、陰極線
管の耐電圧特性を向上する。 【解決手段】管内に内蔵される分圧抵抗の抵抗体に、放
電抑制用金属導体に対向する部分を挟んだ管軸方向両側
に、蛇行しながら管軸方向に延在する主たる抵抗形成部
分を設け、放電抑制用金属導体に対向する部分およびそ
の近傍領域では、分圧抵抗のセラミック基板の管軸方向
に延在する各辺と抵抗体の間の最短距離L1,L2を前記主
たる抵抗形成部分におけるそれらの値より大きく形成す
る。
ポットノッキング時に高電圧が印加される分圧用抵抗器
の抵抗体とこれを囲み電子銃に取り付けられた放電抑制
用金属線との間のスパークにより分圧抵抗が破壊される
のを防止してスポットノッキング効果を増大し、陰極線
管の耐電圧特性を向上する。 【解決手段】管内に内蔵される分圧抵抗の抵抗体に、放
電抑制用金属導体に対向する部分を挟んだ管軸方向両側
に、蛇行しながら管軸方向に延在する主たる抵抗形成部
分を設け、放電抑制用金属導体に対向する部分およびそ
の近傍領域では、分圧抵抗のセラミック基板の管軸方向
に延在する各辺と抵抗体の間の最短距離L1,L2を前記主
たる抵抗形成部分におけるそれらの値より大きく形成す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管に係り、
特に管内に抵抗器を内蔵した陰極線管に関する。
特に管内に抵抗器を内蔵した陰極線管に関する。
【0002】
【従来の技術】テレビジョン受像機や情報端末に用いら
れるカラー陰極線管は、真空外囲器の一端に複数(一般
に、3本)の電子ビームを発射する電子銃を内蔵し、他
端内面に複数色(一般に、3色)の蛍光体膜を塗布した
蛍光面と、この蛍光面に近接して設置した色選択電極で
あるシャドウマスクを内蔵し、前記電子銃から出射され
る複数の電子ビームを前記真空外囲器の外部に設置した
偏向ヨークで発生した磁界によりラスター走査すること
によって、画像を表示するようになっている。
れるカラー陰極線管は、真空外囲器の一端に複数(一般
に、3本)の電子ビームを発射する電子銃を内蔵し、他
端内面に複数色(一般に、3色)の蛍光体膜を塗布した
蛍光面と、この蛍光面に近接して設置した色選択電極で
あるシャドウマスクを内蔵し、前記電子銃から出射され
る複数の電子ビームを前記真空外囲器の外部に設置した
偏向ヨークで発生した磁界によりラスター走査すること
によって、画像を表示するようになっている。
【0003】図12はカラー陰極線管の構造例を説明す
る断面図である。このカラー陰極線管は、パネル部1,
ネック部2およびファンネル部3とで真空外囲器を構成
し、ネック部2に収納された電子銃9から発射された電
子ビーム16は偏向ヨーク10で形成される水平および
垂直偏向磁界によって蛍光面4を2次元に走査する。
る断面図である。このカラー陰極線管は、パネル部1,
ネック部2およびファンネル部3とで真空外囲器を構成
し、ネック部2に収納された電子銃9から発射された電
子ビーム16は偏向ヨーク10で形成される水平および
垂直偏向磁界によって蛍光面4を2次元に走査する。
【0004】電子ビーム16はステムピン15から供給
される映像信号で変調され、蛍光面4の直前に設置され
たシャドウマスク5で色選択されて意図する原色蛍光体
に射突してカラー画像を再生する。なお、図12におい
て、符号6はマスクフレーム、7は磁気シールド、8は
マスク懸架機構、11は内部導電膜、12はシールドカ
ップ、13はコンタクトスプリング、14はゲッターで
ある。
される映像信号で変調され、蛍光面4の直前に設置され
たシャドウマスク5で色選択されて意図する原色蛍光体
に射突してカラー画像を再生する。なお、図12におい
て、符号6はマスクフレーム、7は磁気シールド、8は
マスク懸架機構、11は内部導電膜、12はシールドカ
ップ、13はコンタクトスプリング、14はゲッターで
ある。
【0005】この種の陰極線管においては、蛍光面上に
形成される電子ビームスポットを画面の全域にわたって
十分小さくするために、電子銃の集束レンズ系を多段と
したものが採用されている。
形成される電子ビームスポットを画面の全域にわたって
十分小さくするために、電子銃の集束レンズ系を多段と
したものが採用されている。
【0006】例えば、特開平10−255682号公報
(1998年9月25日公開)には、アノード電極とフォーカス
電極との間に中間電極を設け、主レンズを電界拡張型レ
ンズで構成するものが開示されている。
(1998年9月25日公開)には、アノード電極とフォーカス
電極との間に中間電極を設け、主レンズを電界拡張型レ
ンズで構成するものが開示されている。
【0007】図13は、特開平10−255682号公
報に開示されている陰極線管の電子銃を模式的に示す縦
断面図であり、また図14は図13の電子銃の線XIV−X
IVに沿った断面図である。電子銃は、3本のカソード3
09と同心軸上に順次配列された第1電極301、第2
電極302、第3電極303、第4電極304、第5−
1電極(フォーカス電極)305、第5ー2電極(フォ
ーカス電極)306、中間電極310、第6電極(アノ
ード電極)307およびシールドカップ308を配した
電界拡張型の電子銃で、上述の各電極を2本のビーデイ
ングガラス311でもってそれぞれの位置関係を保持し
ている。 また、中間電極310に供給する電圧を陰極
線管内で形成するために、セラミック基板上に形成され
た分圧抵抗312を管内に内蔵しており、この分圧抵抗
312もビーデイングガラス311に固着されている。
金属線314aが、図14に示すように、ビーデイング
ガラス311と分圧抵抗312を囲繞して中間電極31
0に溶着、固定されている。
報に開示されている陰極線管の電子銃を模式的に示す縦
断面図であり、また図14は図13の電子銃の線XIV−X
IVに沿った断面図である。電子銃は、3本のカソード3
09と同心軸上に順次配列された第1電極301、第2
電極302、第3電極303、第4電極304、第5−
1電極(フォーカス電極)305、第5ー2電極(フォ
ーカス電極)306、中間電極310、第6電極(アノ
ード電極)307およびシールドカップ308を配した
電界拡張型の電子銃で、上述の各電極を2本のビーデイ
ングガラス311でもってそれぞれの位置関係を保持し
ている。 また、中間電極310に供給する電圧を陰極
線管内で形成するために、セラミック基板上に形成され
た分圧抵抗312を管内に内蔵しており、この分圧抵抗
312もビーデイングガラス311に固着されている。
金属線314aが、図14に示すように、ビーデイング
ガラス311と分圧抵抗312を囲繞して中間電極31
0に溶着、固定されている。
【0008】カソード309から放射された電子はカソ
ード309、第1電極301、第2電極302、第3電
極303で形成するプリフォーカスレンズと、第3電極
303、第4電極304、第5−1電極305で形成す
る前段レンズと、第5ー2電極306、中間電極31
0、および第6電極307で形成する主レンズにより、
蛍光面上に集束され、陰極線管の管面に映像を形成す
る。
ード309、第1電極301、第2電極302、第3電
極303で形成するプリフォーカスレンズと、第3電極
303、第4電極304、第5−1電極305で形成す
る前段レンズと、第5ー2電極306、中間電極31
0、および第6電極307で形成する主レンズにより、
蛍光面上に集束され、陰極線管の管面に映像を形成す
る。
【0009】中間電極310の電圧は、アノード電圧を
分圧抵抗312により分圧し、アノード電圧より低くフ
ォーカス電極の電圧よりは高く設定している。中間電極
310を設けることにより、アノード電極からフォーカ
ス電極に至る管軸上の電位分布をなだらかにした電界拡
張型レンズを形成し球面収差を低減しビームスポット直
径を小さくしている。
分圧抵抗312により分圧し、アノード電圧より低くフ
ォーカス電極の電圧よりは高く設定している。中間電極
310を設けることにより、アノード電極からフォーカ
ス電極に至る管軸上の電位分布をなだらかにした電界拡
張型レンズを形成し球面収差を低減しビームスポット直
径を小さくしている。
【0010】一方、図14に示したように金属線314
aをビーデイングガラス311と分圧抵抗312を囲繞
して中間電極310に固着することにより、ネックガラ
ス317の内壁に帯電している電荷量を安定化させてい
る。
aをビーデイングガラス311と分圧抵抗312を囲繞
して中間電極310に固着することにより、ネックガラ
ス317の内壁に帯電している電荷量を安定化させてい
る。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】陰極線管の製造工程中
には、排気工程を完了した陰極線管に、使用電圧の約2
倍の高圧をアノードに印加することにより、電子銃の電
極間,電極―ネック内壁間にスパークを強制的に発生さ
せ、電極部品の突起や管内の異物を除去することによ
り、完成した陰極線管の使用中に、管内でスパークが発
生するのを防止する、いわゆるスポットノッキング(高
圧安定化)が陰極線管に施される。
には、排気工程を完了した陰極線管に、使用電圧の約2
倍の高圧をアノードに印加することにより、電子銃の電
極間,電極―ネック内壁間にスパークを強制的に発生さ
せ、電極部品の突起や管内の異物を除去することによ
り、完成した陰極線管の使用中に、管内でスパークが発
生するのを防止する、いわゆるスポットノッキング(高
圧安定化)が陰極線管に施される。
【0012】しかしながら、分圧抵抗を内蔵してアノー
ド電圧を分圧した電圧を中間電極に印加することにより
形成された電界拡張型レンズを備え、かつ上記放電抑制
用金属線を上記中間電極より陰極側の集束電極に隣接配
置しこれに固定した陰極線管について、アノード電極及
び中間電極以外の電極を接地し、アノード電極に例えば
約60kVを印加するスポットノッキング処理を施した
場合、分圧抵抗を囲んでいる放電抑制用金属線が接地さ
れている為この放電抑制用金属線と分圧抵抗の抵抗体と
の間に約30kVの電圧差が生じるため、放電抑制用金
属線と分圧抵抗の抵抗体との間にスパークが発生し、分
圧抵抗の抵抗体を被覆するオーバコートガラス或いは分
圧抵抗のアルミナ基板がしばしば破壊されると言う問題
があった。
ド電圧を分圧した電圧を中間電極に印加することにより
形成された電界拡張型レンズを備え、かつ上記放電抑制
用金属線を上記中間電極より陰極側の集束電極に隣接配
置しこれに固定した陰極線管について、アノード電極及
び中間電極以外の電極を接地し、アノード電極に例えば
約60kVを印加するスポットノッキング処理を施した
場合、分圧抵抗を囲んでいる放電抑制用金属線が接地さ
れている為この放電抑制用金属線と分圧抵抗の抵抗体と
の間に約30kVの電圧差が生じるため、放電抑制用金
属線と分圧抵抗の抵抗体との間にスパークが発生し、分
圧抵抗の抵抗体を被覆するオーバコートガラス或いは分
圧抵抗のアルミナ基板がしばしば破壊されると言う問題
があった。
【0013】本発明の目的は、スポットノッキング時に
分圧抵抗が破壊されるのを防止して、スポットノッキン
グ効果を十分増大させ、耐電圧特性が向上した、管内に
抵抗器を内蔵した陰極線管を提供することにある。
分圧抵抗が破壊されるのを防止して、スポットノッキン
グ効果を十分増大させ、耐電圧特性が向上した、管内に
抵抗器を内蔵した陰極線管を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明のカラー陰極線管
は、以下の典型的な構成により上記目的を達成する。即
ち、本発明の陰極線管は、電子ビームを蛍光面上に集束
するための集束レンズを形成する集束電極に、陽極に印
加される電圧を分圧して印加するための分圧抵抗と、放
電抑制用に前記分圧抵抗を囲むよう配置さ れる金属導
体とを備え、前記分圧抵抗は、少なくともオーバコート
ガラス被膜、抵抗体、セラミック基板が積層されてな
り、前記抵抗体は、前記金属導体に対向する部分を挟ん
だ管軸方向両側に、蛇行しながら管軸方向に延在する主
たる抵抗形成部分を備え、前記金属導体に対向する部分
およびその近傍領域では、前記セラミック基板の管軸方
向に延在する各辺と前記抵抗体の間の最短距離L1,L2が
前記主たる抵抗形成部分におけるそれらの値より大きく
なっている。
は、以下の典型的な構成により上記目的を達成する。即
ち、本発明の陰極線管は、電子ビームを蛍光面上に集束
するための集束レンズを形成する集束電極に、陽極に印
加される電圧を分圧して印加するための分圧抵抗と、放
電抑制用に前記分圧抵抗を囲むよう配置さ れる金属導
体とを備え、前記分圧抵抗は、少なくともオーバコート
ガラス被膜、抵抗体、セラミック基板が積層されてな
り、前記抵抗体は、前記金属導体に対向する部分を挟ん
だ管軸方向両側に、蛇行しながら管軸方向に延在する主
たる抵抗形成部分を備え、前記金属導体に対向する部分
およびその近傍領域では、前記セラミック基板の管軸方
向に延在する各辺と前記抵抗体の間の最短距離L1,L2が
前記主たる抵抗形成部分におけるそれらの値より大きく
なっている。
【0015】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を、図面
を参照し詳細に説明する。なお、全図中、同一部材又は
同一機能を有するものは同一符号で示す。
を参照し詳細に説明する。なお、全図中、同一部材又は
同一機能を有するものは同一符号で示す。
【0016】図1及び2は本発明のカラー陰極線管の第
1の実施の形態を説明する電子銃の要部構成図であっ
て、図1はその一部破断正面図、図2は図1の陰極線管
の、線II-II方向から見た一部破断側面図である。図3
及び図4は、それぞれ分圧抵抗25の一部破断上面図、
線IV-IV方向から見た断面図である。
1の実施の形態を説明する電子銃の要部構成図であっ
て、図1はその一部破断正面図、図2は図1の陰極線管
の、線II-II方向から見た一部破断側面図である。図3
及び図4は、それぞれ分圧抵抗25の一部破断上面図、
線IV-IV方向から見た断面図である。
【0017】インライン3電子ビームタイプ電子銃9
は、カソードK、第1格子電極G1、第2格子電極G
2、第3格子電極G3、第4格子電極G4、第5格子電
極G5、中間電極GM、第6格子電極G6からなり、これ
らの電極は、それらの支持部分が一対のガラスビード
(マルチフォームガラスビード)23に埋設されて所定
の順序で固定されている。シールドカップ12に固定さ
れたバルブスペーサ24は、その先端が内部導電膜11
に接触して電子銃9の軸をネック部2の中心軸に一致さ
せている。電子銃9は、リード線(図示せず)を介して、
あるいは直接ステムピン15に支持されている。ヒータ
HがカソードKに挿入されカソードKを加熱している。
は、カソードK、第1格子電極G1、第2格子電極G
2、第3格子電極G3、第4格子電極G4、第5格子電
極G5、中間電極GM、第6格子電極G6からなり、これ
らの電極は、それらの支持部分が一対のガラスビード
(マルチフォームガラスビード)23に埋設されて所定
の順序で固定されている。シールドカップ12に固定さ
れたバルブスペーサ24は、その先端が内部導電膜11
に接触して電子銃9の軸をネック部2の中心軸に一致さ
せている。電子銃9は、リード線(図示せず)を介して、
あるいは直接ステムピン15に支持されている。ヒータ
HがカソードKに挿入されカソードKを加熱している。
【0018】管内に内蔵される分圧抵抗25がガラスビ
ード23のネック部2側に搭載されている。分圧抵抗2
5のガラスビード23への取り付けは、セラミック基板
31の、抵抗体32が形成されている側の面をガラスビ
ード23側に向けて取り付けられている。即ちオーバコ
ートガラス膜33がガラスビード23に対向している。
分圧抵抗25の高電圧端子26が、第6格子電極G6に
接続されているシールドカップ12に接続され、その中
間電圧端子27が中間電極GMに接続され、その低電圧端
子28がステムピン15の一つに接続されて接地され
る。
ード23のネック部2側に搭載されている。分圧抵抗2
5のガラスビード23への取り付けは、セラミック基板
31の、抵抗体32が形成されている側の面をガラスビ
ード23側に向けて取り付けられている。即ちオーバコ
ートガラス膜33がガラスビード23に対向している。
分圧抵抗25の高電圧端子26が、第6格子電極G6に
接続されているシールドカップ12に接続され、その中
間電圧端子27が中間電極GMに接続され、その低電圧端
子28がステムピン15の一つに接続されて接地され
る。
【0019】放電抑制用シールドワイヤ29が、分圧抵
抗25及びガラスビード23を囲む様配置され、さらに
第5格子電極G5に接続されている。この放電抑制用シ
ールドワイヤ29は、ニッケル又はステンレスなどから
形成することが出来る。
抗25及びガラスビード23を囲む様配置され、さらに
第5格子電極G5に接続されている。この放電抑制用シ
ールドワイヤ29は、ニッケル又はステンレスなどから
形成することが出来る。
【0020】図2に示す、放電抑制用導電膜29Aは、
スポットノッキング工程後に、放電抑制用シールドワイ
ヤ29をネック部2の外部より高周波加熱して放電抑制
用シールドワイヤ29に含有される金属の一部を蒸発さ
せることにより、ネック部2の内壁に形成されている。
スポットノッキング工程後に、放電抑制用シールドワイ
ヤ29をネック部2の外部より高周波加熱して放電抑制
用シールドワイヤ29に含有される金属の一部を蒸発さ
せることにより、ネック部2の内壁に形成されている。
【0021】次に、本発明による分圧抵抗25について
詳細に説明する。図3及び図4は、それぞれ分圧抵抗2
5の一部破断上面図、線IV-IV方向から見た断面図であ
る。なお、図3及び図4には、放電抑制用シールドワイ
ヤ29の一部が併せ示されている。
詳細に説明する。図3及び図4は、それぞれ分圧抵抗2
5の一部破断上面図、線IV-IV方向から見た断面図であ
る。なお、図3及び図4には、放電抑制用シールドワイ
ヤ29の一部が併せ示されている。
【0022】分圧抵抗25は、アルミナセラミック基板
31上に、酸化ルテニウムを主成分とする材料からなる
抵抗体32が形成され、抵抗体32の両端に高電圧端子
26及び低電圧端子28が設けられ、その中間に中間電
圧端子27が設けられている。さらに抵抗体32をオー
バコートガラス膜33(例えば、膜厚0.3mmのPbガ
ラス)で被覆し、さらにセラミック基板31の下面をオ
ーバコートガラス膜34(例えば、膜厚0.2mmのPbガラ
ス)で被覆している。
31上に、酸化ルテニウムを主成分とする材料からなる
抵抗体32が形成され、抵抗体32の両端に高電圧端子
26及び低電圧端子28が設けられ、その中間に中間電
圧端子27が設けられている。さらに抵抗体32をオー
バコートガラス膜33(例えば、膜厚0.3mmのPbガ
ラス)で被覆し、さらにセラミック基板31の下面をオ
ーバコートガラス膜34(例えば、膜厚0.2mmのPbガラ
ス)で被覆している。
【0023】通常、分圧抵抗25の全長Mは50〜10
0mm程度、幅Wは5〜10mm程度、セラミック基板
31の厚みSTは0.6〜1.0mm程度である。
0mm程度、幅Wは5〜10mm程度、セラミック基板
31の厚みSTは0.6〜1.0mm程度である。
【0024】本発明においては、図3に示す如く、抵抗
体32が放電抑制用シールドワイヤ29に対向する部分
を含んだ管軸方向長さRLの領域において、管軸方向に延
在する直線形状をなし、管軸に垂直な方向の抵抗体32
の幅RWを他の領域における抵抗体32の蛇行幅MWよ
りも狭くしている。即ち、抵抗体32を、放電抑制用シ
ールドワイヤ29に対向する部分を含んだ管軸方向長さ
RLの領域において蛇行させないで、括れた形状にして、
スポットノッキング時に分圧抵抗25が破壊されるのを防
止している。
体32が放電抑制用シールドワイヤ29に対向する部分
を含んだ管軸方向長さRLの領域において、管軸方向に延
在する直線形状をなし、管軸に垂直な方向の抵抗体32
の幅RWを他の領域における抵抗体32の蛇行幅MWよ
りも狭くしている。即ち、抵抗体32を、放電抑制用シ
ールドワイヤ29に対向する部分を含んだ管軸方向長さ
RLの領域において蛇行させないで、括れた形状にして、
スポットノッキング時に分圧抵抗25が破壊されるのを防
止している。
【0025】今、スポットノッキング時の、抵抗体32
と放電抑制用シールドワイヤ29との間の電圧差が約3
0kVの場合を想定すると、抵抗体32と放電抑制用シー
ルドワイヤ29との間の距離L1, L2は、これらの間に3
0kVで絶縁破壊が生じないような大きさでなければな
らない。なお、上記L1及びL2は、分圧抵抗25の幅W方向
(管軸に垂直な方向)の距離である。
と放電抑制用シールドワイヤ29との間の電圧差が約3
0kVの場合を想定すると、抵抗体32と放電抑制用シー
ルドワイヤ29との間の距離L1, L2は、これらの間に3
0kVで絶縁破壊が生じないような大きさでなければな
らない。なお、上記L1及びL2は、分圧抵抗25の幅W方向
(管軸に垂直な方向)の距離である。
【0026】セラミック基板31の絶縁耐力は15kV/
mm程度と考えられるから、上記距離L1, L2はそれぞれ3
0(kV)/15(kV/mm)=2mm程度必要となる。
mm程度と考えられるから、上記距離L1, L2はそれぞれ3
0(kV)/15(kV/mm)=2mm程度必要となる。
【0027】本発明の一実施例における数値例を次に挙
げる。
げる。
【0028】セラミック基板31の厚みSTを0.6mm、
幅Wは5mmとし、上記L1,L2を採用した場合、抵抗体3
2が放電抑制用シールドワイヤ29に対向する部分及び
その近傍領域における抵抗体32の幅RW(図3及び4参
照)では、RW =W−(L1 + L2)= 5−(2 + 2)=
1mmとなるので、抵抗体32の幅RWを1mm以下にすれ
ば良い。また抵抗体32の放電抑制用シールドワイヤ2
9に対向する部分を含んだ管軸方向長さRLを4mm以上
とすることにより、抵抗体32と放電抑制用シールドワイ
ヤ29との間のスパークをより確実に防止できるという良
好な結果が得られている。
幅Wは5mmとし、上記L1,L2を採用した場合、抵抗体3
2が放電抑制用シールドワイヤ29に対向する部分及び
その近傍領域における抵抗体32の幅RW(図3及び4参
照)では、RW =W−(L1 + L2)= 5−(2 + 2)=
1mmとなるので、抵抗体32の幅RWを1mm以下にすれ
ば良い。また抵抗体32の放電抑制用シールドワイヤ2
9に対向する部分を含んだ管軸方向長さRLを4mm以上
とすることにより、抵抗体32と放電抑制用シールドワイ
ヤ29との間のスパークをより確実に防止できるという良
好な結果が得られている。
【0029】陰極線管に内蔵される分圧抵抗25は、電子
銃電極を保持固定するガラスビード23とネック部2内
壁との間の限られた空間内に収納されるため、小型で且
つ高信頼性であることが要求される。内蔵される抵抗体
32の信頼性を高める為には、抵抗体32の幅を十分確保
せねばならないが、一方十分な大きさの高抵抗を得るた
めには抵抗体32の全長も確保せねばならない。したが
って、抵抗体32は、図3に示す如く、セラミック基板
31上を、その幅一杯に蛇行せざるを得ないが、そうす
ると放電抑制用金属線29と分圧抵抗25の抵抗体32との間
の距離が狭まりスパークが発生し、抵抗体32を被覆す
るオーバコートガラス33或いはアルミナ基板31がし
ばしば破壊されてしまっていた。
銃電極を保持固定するガラスビード23とネック部2内
壁との間の限られた空間内に収納されるため、小型で且
つ高信頼性であることが要求される。内蔵される抵抗体
32の信頼性を高める為には、抵抗体32の幅を十分確保
せねばならないが、一方十分な大きさの高抵抗を得るた
めには抵抗体32の全長も確保せねばならない。したが
って、抵抗体32は、図3に示す如く、セラミック基板
31上を、その幅一杯に蛇行せざるを得ないが、そうす
ると放電抑制用金属線29と分圧抵抗25の抵抗体32との間
の距離が狭まりスパークが発生し、抵抗体32を被覆す
るオーバコートガラス33或いはアルミナ基板31がし
ばしば破壊されてしまっていた。
【0030】しかしながら、本発明においては、抵抗体
32が放電抑制用シールドワイヤ29に対向する部分を
含んだ管軸方向長さRLの領域(図3参照)において、管軸
に垂直な方向の抵抗体32の幅RWを、他の領域におけ
る抵抗体32の蛇行幅MW(図3参照)よりも狭くする
ことにより、セラミック基板31上の、抵抗体32と放
電抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離L1,L
2を十分確保出来、スポットノッキング時に分圧抵抗25
が破壊されるのを防止できる。
32が放電抑制用シールドワイヤ29に対向する部分を
含んだ管軸方向長さRLの領域(図3参照)において、管軸
に垂直な方向の抵抗体32の幅RWを、他の領域におけ
る抵抗体32の蛇行幅MW(図3参照)よりも狭くする
ことにより、セラミック基板31上の、抵抗体32と放
電抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離L1,L
2を十分確保出来、スポットノッキング時に分圧抵抗25
が破壊されるのを防止できる。
【0031】図5及び6は本発明のカラー陰極線管の第
2の実施の形態を説明する分圧抵抗25の要部構成図で
あって、それぞれ分圧抵抗25の一部破断上面図、図5
の線VI-VI方向から見た断面図である。図5及び6に
おいて、図1〜4と同一符号は同一機能部分に対応す
る。
2の実施の形態を説明する分圧抵抗25の要部構成図で
あって、それぞれ分圧抵抗25の一部破断上面図、図5
の線VI-VI方向から見た断面図である。図5及び6に
おいて、図1〜4と同一符号は同一機能部分に対応す
る。
【0032】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、抵抗体32が放電抑制用シールドワイヤ29に対向
する部分を含んだ管軸方向長さRLの領域(図5参照)にお
いても、抵抗体32が、他の領域におけると同様蛇行し
ている点である。本実施の形態においても、抵抗体32
と放電抑制用シールドワイヤ29との間の距離L1, L2
が、上記実施の形態における場合と同様に考えて、これ
らの間で絶縁破壊が生じないような大きさになる様、抵
抗体32の蛇行幅SWを設定すればよい。このような構成
により、分圧抵抗25の抵抗値を増加させることができ
る。
は、抵抗体32が放電抑制用シールドワイヤ29に対向
する部分を含んだ管軸方向長さRLの領域(図5参照)にお
いても、抵抗体32が、他の領域におけると同様蛇行し
ている点である。本実施の形態においても、抵抗体32
と放電抑制用シールドワイヤ29との間の距離L1, L2
が、上記実施の形態における場合と同様に考えて、これ
らの間で絶縁破壊が生じないような大きさになる様、抵
抗体32の蛇行幅SWを設定すればよい。このような構成
により、分圧抵抗25の抵抗値を増加させることができ
る。
【0033】なお、上記実施の形態では、分圧抵抗25
の抵抗体32の形状として、放電抑制用シールドワイヤ
29に対向する部分及びその近傍領域RLに括れた抵抗体
部分を有する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではない。
の抵抗体32の形状として、放電抑制用シールドワイヤ
29に対向する部分及びその近傍領域RLに括れた抵抗体
部分を有する場合について説明したが、本発明はこれに
限定されるものではない。
【0034】図7は本発明による陰極線管の第3の実施
の形態を説明する分圧抵抗25の概略構成図である。放電
抑制用シールドワイヤ29に対向する部分及びその近傍
領域RLにおける抵抗体32の蛇行幅(管軸と直交する方
向の幅)を、他の領域における蛇行幅MWと同様にして、
括れない形状とする。その代わりに、上記領域RLにおけ
るセラミック基板31の管軸と直交する方向の幅を、他
の領域における幅Wより大きくし、セラミック基板31
を上記領域RLにおいて管軸と直交する方向に突出させる
ことにより、上記領域RLにおけるセラミック基板31の
管軸方向に延在する各辺と上記抵抗体32の間の最短距
離L1, L2を、他の領域の抵抗形成部分におけるそれらの
値より大きくする。このような構成により、更に分圧抵
抗25の抵抗値を増加させることができる。
の形態を説明する分圧抵抗25の概略構成図である。放電
抑制用シールドワイヤ29に対向する部分及びその近傍
領域RLにおける抵抗体32の蛇行幅(管軸と直交する方
向の幅)を、他の領域における蛇行幅MWと同様にして、
括れない形状とする。その代わりに、上記領域RLにおけ
るセラミック基板31の管軸と直交する方向の幅を、他
の領域における幅Wより大きくし、セラミック基板31
を上記領域RLにおいて管軸と直交する方向に突出させる
ことにより、上記領域RLにおけるセラミック基板31の
管軸方向に延在する各辺と上記抵抗体32の間の最短距
離L1, L2を、他の領域の抵抗形成部分におけるそれらの
値より大きくする。このような構成により、更に分圧抵
抗25の抵抗値を増加させることができる。
【0035】また、上記実施の形態では、分圧抵抗25の
ガラスビード23側に被覆されたオーバーコートガラス膜
33の膜厚がガラスビード23と反対側に被覆されたオ−バ
ーコートガラス膜34の膜厚より大きい場合について説明
したが、これらの膜厚の大小関係を逆にしたもの、ある
いはこれらの膜厚を同等にしたものにも適用できる。
ガラスビード23側に被覆されたオーバーコートガラス膜
33の膜厚がガラスビード23と反対側に被覆されたオ−バ
ーコートガラス膜34の膜厚より大きい場合について説明
したが、これらの膜厚の大小関係を逆にしたもの、ある
いはこれらの膜厚を同等にしたものにも適用できる。
【0036】セラミック基板31は、ペースト状のアル
ミナ(Al2O3)を所定の大きさに成形した後、焼結する
ことにより製作されている。そして、この完成したセラ
ミック基板31自体は厳密にはポーラス状となってお
り、電界集中が起る可能性がある。そこで、セラミック
基板31の抵抗体32と反対側の面にもオーバコートガ
ラス膜34を被覆することにより、完成した陰極線管の
動作中に電荷が集中した放電抑制用シールドワイヤ29
から抵抗体32へのスパーク放電を抑制し、分圧抵抗2
5の破壊を防止している。
ミナ(Al2O3)を所定の大きさに成形した後、焼結する
ことにより製作されている。そして、この完成したセラ
ミック基板31自体は厳密にはポーラス状となってお
り、電界集中が起る可能性がある。そこで、セラミック
基板31の抵抗体32と反対側の面にもオーバコートガ
ラス膜34を被覆することにより、完成した陰極線管の
動作中に電荷が集中した放電抑制用シールドワイヤ29
から抵抗体32へのスパーク放電を抑制し、分圧抵抗2
5の破壊を防止している。
【0037】ガラスビード23と反対側に被覆されたオー
バーコートガラス膜34の膜厚をガラスビード23側に被覆
されたオーバーコートガラス膜33の膜厚より大きくする
と、セラミック基板31の厚さST方向の、抵抗体32と放電
抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離を確保でき、
分圧抵抗25の信頼性がさらに向上する。また、セラミッ
ク基板の厚みSTを若干薄くでき、その分材料コストが低
減される。
バーコートガラス膜34の膜厚をガラスビード23側に被覆
されたオーバーコートガラス膜33の膜厚より大きくする
と、セラミック基板31の厚さST方向の、抵抗体32と放電
抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離を確保でき、
分圧抵抗25の信頼性がさらに向上する。また、セラミッ
ク基板の厚みSTを若干薄くでき、その分材料コストが低
減される。
【0038】また、セラミック基板31は、オーバーコ
ートガラス膜33及び34と熱膨張率が異なっている。
そして、セラミック基板31の両面に被覆された各オー
バコートガラス膜33と34の膜厚が極端にアンバラン
スであると、陰極線管の製造プロセスで特に高温加熱を
要する排気工程において、分圧抵抗25全体が長手方向
で湾曲して、電子銃の電極の組立て精度に悪影響を及ぼ
す恐れがある。この点からも、セラミック基板31の抵
抗体32と反対側の面にはオーバコートガラス膜34を
所定の厚さに被覆した方が好ましく、セラミック基板3
1の抵抗体32側の面のオーバーコートガラス膜33の
膜厚に近づければ更に好ましい。
ートガラス膜33及び34と熱膨張率が異なっている。
そして、セラミック基板31の両面に被覆された各オー
バコートガラス膜33と34の膜厚が極端にアンバラン
スであると、陰極線管の製造プロセスで特に高温加熱を
要する排気工程において、分圧抵抗25全体が長手方向
で湾曲して、電子銃の電極の組立て精度に悪影響を及ぼ
す恐れがある。この点からも、セラミック基板31の抵
抗体32と反対側の面にはオーバコートガラス膜34を
所定の厚さに被覆した方が好ましく、セラミック基板3
1の抵抗体32側の面のオーバーコートガラス膜33の
膜厚に近づければ更に好ましい。
【0039】図8は、図1の本発明のカラー陰極線管動
作時の電圧印加法を示す模式図である。ヒータHにより
加熱されたカソードKから発生した電子を、第1格子電
極G1(接地)と第2格子電極G2(例えば、650
V)とでビーム状として第3格子電極G3(例えば、7
kV)、第4格子電極G4、第5格子電極G5、中間電
極GM及び第6格子(陽極)電極G6により集束して蛍光
面に射突させる。
作時の電圧印加法を示す模式図である。ヒータHにより
加熱されたカソードKから発生した電子を、第1格子電
極G1(接地)と第2格子電極G2(例えば、650
V)とでビーム状として第3格子電極G3(例えば、7
kV)、第4格子電極G4、第5格子電極G5、中間電
極GM及び第6格子(陽極)電極G6により集束して蛍光
面に射突させる。
【0040】この形式の電子銃9では、第6格子電極G
6に最高電圧である陽極電圧Eb(例えば30kV)を印
加し、中間電極GMには陽極電圧Ebを分圧抵抗25によっ
て分圧した電圧(例えば陽極電圧の55%に相当する16.5
kV)が印加され、第5格子電極G5と第3格子電極G
3は管内で接続されて同一電圧(例えば 7kV)が印加
され、第4格子電極G4と第2格子電極G2は管内で接
続されており直流電圧(例えば650V)が印加され、
第1格子電極G1は接地されている。カソードKには映
像信号が供給される。図中、第5格子電極G5に固定さ
れた放電抑制用シールドワイヤ29は実線で示されてい
る。
6に最高電圧である陽極電圧Eb(例えば30kV)を印
加し、中間電極GMには陽極電圧Ebを分圧抵抗25によっ
て分圧した電圧(例えば陽極電圧の55%に相当する16.5
kV)が印加され、第5格子電極G5と第3格子電極G
3は管内で接続されて同一電圧(例えば 7kV)が印加
され、第4格子電極G4と第2格子電極G2は管内で接
続されており直流電圧(例えば650V)が印加され、
第1格子電極G1は接地されている。カソードKには映
像信号が供給される。図中、第5格子電極G5に固定さ
れた放電抑制用シールドワイヤ29は実線で示されてい
る。
【0041】放電抑制用導電膜29Aは、スポットノッ
キング工程後に、放電抑制用シールドワイヤ29をネッ
ク部2の外部より高周波加熱して放電抑制用シールドワ
イヤ29に含有される金属の一部を蒸発させ、ネック部
2の内壁に形成されている。図中、L1,L2は、図4
及び6に示した、セラミック基板31上での、抵抗体3
2と放電抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離で
ある。
キング工程後に、放電抑制用シールドワイヤ29をネッ
ク部2の外部より高周波加熱して放電抑制用シールドワ
イヤ29に含有される金属の一部を蒸発させ、ネック部
2の内壁に形成されている。図中、L1,L2は、図4
及び6に示した、セラミック基板31上での、抵抗体3
2と放電抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離で
ある。
【0042】次にスポットノッキング処理について説明
する。図9は、図1、2に示した本発明のカラー陰極線
管の製造工程中に施されるスポットノッキング工程中の
電圧印加法を示す模式図である。スポットノッキング工
程時点では、放電抑制用導電膜29Aはネック部2の内
壁にまだ形成されていない。これは放電抑制用導電膜2
9Aはスポットノッキング工程時飛散してしまうからで
ある。
する。図9は、図1、2に示した本発明のカラー陰極線
管の製造工程中に施されるスポットノッキング工程中の
電圧印加法を示す模式図である。スポットノッキング工
程時点では、放電抑制用導電膜29Aはネック部2の内
壁にまだ形成されていない。これは放電抑制用導電膜2
9Aはスポットノッキング工程時飛散してしまうからで
ある。
【0043】図9において、排気工程を完了した陰極線
管に対し、その第6格子電極G6及び中間電極GM以外の
電極を接地し、第6格子電極G6に60kVの高電圧を
印加している。中間電極GMには、この高電圧が分圧抵抗
25で分圧された33kVが印加される。
管に対し、その第6格子電極G6及び中間電極GM以外の
電極を接地し、第6格子電極G6に60kVの高電圧を
印加している。中間電極GMには、この高電圧が分圧抵抗
25で分圧された33kVが印加される。
【0044】従って、第6格子電極G6と中間電極GMの
間には27kV、中間電極GMと第5格子電極G5の間に
は33kVの電位差が生じることにより、第6格子電極
G6と中間電極GMの間、中間電極GMと第5格子電極G5
の間、第6格子電極G6とネック部2の内壁の間、及び
中間電極GMとネック部2の内壁の間に、強制的にスパー
クを発生させ、電極部品の突起や管内の異物を除去する
ことがスポットノッキング工程の目的である。
間には27kV、中間電極GMと第5格子電極G5の間に
は33kVの電位差が生じることにより、第6格子電極
G6と中間電極GMの間、中間電極GMと第5格子電極G5
の間、第6格子電極G6とネック部2の内壁の間、及び
中間電極GMとネック部2の内壁の間に、強制的にスパー
クを発生させ、電極部品の突起や管内の異物を除去する
ことがスポットノッキング工程の目的である。
【0045】しかしながら、スポットノッキング時に
は、放電抑制用シールドワイヤ29が電気的に接続され
ている第5格子電極G5が接地されているため、この放
電抑制用シールドワイヤ29と、この放電抑制用シール
ドワイヤ29によって囲まれている分圧抵抗25の抵抗
体32との間には約30kVの高電圧が印加されること
になり、セラミック基板31上での、抵抗体32と放電
抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離であるL1,L
2(図4、6及び7も参照)の大きさが十分無いとスパ
ークが発生してしまい、分圧抵抗25が破壊されてしま
うことになる。
は、放電抑制用シールドワイヤ29が電気的に接続され
ている第5格子電極G5が接地されているため、この放
電抑制用シールドワイヤ29と、この放電抑制用シール
ドワイヤ29によって囲まれている分圧抵抗25の抵抗
体32との間には約30kVの高電圧が印加されること
になり、セラミック基板31上での、抵抗体32と放電
抑制用シールドワイヤ29との間の沿面距離であるL1,L
2(図4、6及び7も参照)の大きさが十分無いとスパ
ークが発生してしまい、分圧抵抗25が破壊されてしま
うことになる。
【0046】その結果、分圧抵抗25を構成しているオー
バーコートガラス膜33またはセラミック基板31のクラッ
ク現象によって発生したガラス破片等が陰極線管の真空
外囲器内に飛散し、シャドウマスクの電子ビーム通過孔
や電子銃の電極に付着する。そして、シャドウマスクの
目詰まりによる蛍光面画素欠陥が生じたり、陰極線管と
しての耐電圧特性が劣化する。また、分圧抵抗25を構成
している抵抗体32の抵抗値が変動し、所望の電位差が得
られず強制的にスパークが発生しない箇所が生じ、スポ
ットノッキング効果が十分に得られない。
バーコートガラス膜33またはセラミック基板31のクラッ
ク現象によって発生したガラス破片等が陰極線管の真空
外囲器内に飛散し、シャドウマスクの電子ビーム通過孔
や電子銃の電極に付着する。そして、シャドウマスクの
目詰まりによる蛍光面画素欠陥が生じたり、陰極線管と
しての耐電圧特性が劣化する。また、分圧抵抗25を構成
している抵抗体32の抵抗値が変動し、所望の電位差が得
られず強制的にスパークが発生しない箇所が生じ、スポ
ットノッキング効果が十分に得られない。
【0047】本発明による陰極線管においては、図9に
示されているように、抵抗体32が放電抑制用シールド
ワイヤ29に対向する部分を含んだ管軸方向長さRLの領
域において、図3及び5に示す如く、管軸に垂直な方向
の抵抗体32の幅RWあるいは蛇行幅SWを、他の領域に
おける抵抗体32の蛇行幅MWよりも狭くすることによ
り、或いは、図7に示す如く、上記長さRLの領域におい
てセラミック基板31の管軸と直交する方向の幅を、他
の領域における幅Wより大きくすることにより、セラミ
ック基板31上の、抵抗体32と放電抑制用シールドワ
イヤ29との間の沿面距離L1,L2を十分確保出来、
抵抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶
縁耐力が増大しスパークの発生が阻止され、スポットノ
ッキング時に分圧抵抗が破壊されるのを防止できる。
示されているように、抵抗体32が放電抑制用シールド
ワイヤ29に対向する部分を含んだ管軸方向長さRLの領
域において、図3及び5に示す如く、管軸に垂直な方向
の抵抗体32の幅RWあるいは蛇行幅SWを、他の領域に
おける抵抗体32の蛇行幅MWよりも狭くすることによ
り、或いは、図7に示す如く、上記長さRLの領域におい
てセラミック基板31の管軸と直交する方向の幅を、他
の領域における幅Wより大きくすることにより、セラミ
ック基板31上の、抵抗体32と放電抑制用シールドワ
イヤ29との間の沿面距離L1,L2を十分確保出来、
抵抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶
縁耐力が増大しスパークの発生が阻止され、スポットノ
ッキング時に分圧抵抗が破壊されるのを防止できる。
【0048】従って、第6格子電極G6と中間電極GMの間
には27kV、中間電極GMと第5格子電極G5の間には3
3kVが印加されることになり、第6格子電極G6と中間
電極GMの間、中間電極GMと第5格子電極G5の間、第6
格子電極G6とネック部2の内壁の間、及び中間電極GM
とネック部2の内壁の間に、十分な強さのスパークを発
生させる事が出来、電極部品の突起や管内の異物を十分
除去することができる。
には27kV、中間電極GMと第5格子電極G5の間には3
3kVが印加されることになり、第6格子電極G6と中間
電極GMの間、中間電極GMと第5格子電極G5の間、第6
格子電極G6とネック部2の内壁の間、及び中間電極GM
とネック部2の内壁の間に、十分な強さのスパークを発
生させる事が出来、電極部品の突起や管内の異物を十分
除去することができる。
【0049】スポットノッキング工程後に、陰極線管通
常動作時の放電を抑制するための放電抑制用導電膜29
Aを、放電抑制用シールドワイヤ29をネック部2の外
部より高周波加熱して放電抑制用シールドワイヤ29に
含有される金属の一部を蒸発させ、図2に示す如くネッ
ク部2の内壁に形成する。
常動作時の放電を抑制するための放電抑制用導電膜29
Aを、放電抑制用シールドワイヤ29をネック部2の外
部より高周波加熱して放電抑制用シールドワイヤ29に
含有される金属の一部を蒸発させ、図2に示す如くネッ
ク部2の内壁に形成する。
【0050】本発明は、ネック部2の外径を、現在主流
の29.1mmより小さくした場合に、特に顕著な効果
をもたらす。ネック部外径を小さくすると、電子銃の電
極外径はもとより電極を支持する為のガラスビード23
及び分圧抵抗25の幅も小さくなり、放電抑制用シールド
ワイヤ29のガラスビード23及び分圧抵抗25への横
断距離も小さくなる。併し、抵抗体32の蛇行幅MWにつ
いては、信頼性の点からあまり小さく出来ない。
の29.1mmより小さくした場合に、特に顕著な効果
をもたらす。ネック部外径を小さくすると、電子銃の電
極外径はもとより電極を支持する為のガラスビード23
及び分圧抵抗25の幅も小さくなり、放電抑制用シールド
ワイヤ29のガラスビード23及び分圧抵抗25への横
断距離も小さくなる。併し、抵抗体32の蛇行幅MWにつ
いては、信頼性の点からあまり小さく出来ない。
【0051】従って、ネック部外径を小さくしたもの
は、スポットノッキング時に分圧抵抗25が破壊されるポ
テンシャルが大であったものを、本発明により解消する
ことが出来た。そして、偏向電力も大幅に削減でき、低
消費電力の陰極線管を提供できる。
は、スポットノッキング時に分圧抵抗25が破壊されるポ
テンシャルが大であったものを、本発明により解消する
ことが出来た。そして、偏向電力も大幅に削減でき、低
消費電力の陰極線管を提供できる。
【0052】なお、ネック部外径を小さくすると電子銃
の主集束レンズの口径も小さくなり、画像のフォーカス
特性が劣化する方向である。しかし、本発明では、陽極
(第6格子電極G6)と集束電極(第5格子電極G5)の間
に中間電極GMを設けて、管内に内蔵された分圧抵抗25に
より陽極電圧を分圧した中間電圧(第6格子電極G6電
位と第5格子電極G5電位の中間電位)を上記中間電極
GMに印加して電界拡張型の後段主集束レンズを形成して
いるので、上記フォーカス特性の劣化を補っている。
の主集束レンズの口径も小さくなり、画像のフォーカス
特性が劣化する方向である。しかし、本発明では、陽極
(第6格子電極G6)と集束電極(第5格子電極G5)の間
に中間電極GMを設けて、管内に内蔵された分圧抵抗25に
より陽極電圧を分圧した中間電圧(第6格子電極G6電
位と第5格子電極G5電位の中間電位)を上記中間電極
GMに印加して電界拡張型の後段主集束レンズを形成して
いるので、上記フォーカス特性の劣化を補っている。
【0053】また、図10は本発明による陰極線管の他
の実施例を示す電子銃の概略構成図である。上記中間電
極GMと第5格子電極G5の間に第5格子補助電極G5Dを
設ける。そして、この第5格子補助電極G5Dに電子ビー
ムの偏向量増大に伴って増加するダイナミック電圧dVf
を一定値の集束電圧(直流成分)に重畳して構成されるダ
イナミック集束電圧を印加して、上記後段主集束レンズ
と第3格子電極G3〜第5格子電極G5間で形成される前段
主集束レンズの間に電子ビームの偏向に伴って集束作用
が変化する補助レンズを形成すると、さらに画面周辺で
のフォーカス特性が向上する。
の実施例を示す電子銃の概略構成図である。上記中間電
極GMと第5格子電極G5の間に第5格子補助電極G5Dを
設ける。そして、この第5格子補助電極G5Dに電子ビー
ムの偏向量増大に伴って増加するダイナミック電圧dVf
を一定値の集束電圧(直流成分)に重畳して構成されるダ
イナミック集束電圧を印加して、上記後段主集束レンズ
と第3格子電極G3〜第5格子電極G5間で形成される前段
主集束レンズの間に電子ビームの偏向に伴って集束作用
が変化する補助レンズを形成すると、さらに画面周辺で
のフォーカス特性が向上する。
【0054】また、図11は本発明による陰極線管の他
の実施例を示す電子銃の概略構成図である。上記第5格
子電極G5を複数の電極部材に分割し、第5格子電極第1
部材G5a及び第5格子電極第2部材G5bで構成する。そし
て、これら複数の第5格子電極部材G5a及びG5bと交互に
隣接した位置に第5格子補助電極第1部材G5Da及び第5
格子補助電極第2部材G5Dbを設ける。そして、これらの
第5格子補助電極部材G5Da及びG5Dbに電子ビームの偏向
量増大に伴って増加するダイナミック電圧dVfを一定値
の集束電圧(直流成分)に重畳して構成されるダイナミ
ック集束電圧を印加して、上記後段主集束レンズと上記
前段主集束レンズの間に電子ビームの偏向に伴って集束
作用が変化する複数の補助レンズを形成しても、さらに
画面周辺でのフォーカス特性が向上する。
の実施例を示す電子銃の概略構成図である。上記第5格
子電極G5を複数の電極部材に分割し、第5格子電極第1
部材G5a及び第5格子電極第2部材G5bで構成する。そし
て、これら複数の第5格子電極部材G5a及びG5bと交互に
隣接した位置に第5格子補助電極第1部材G5Da及び第5
格子補助電極第2部材G5Dbを設ける。そして、これらの
第5格子補助電極部材G5Da及びG5Dbに電子ビームの偏向
量増大に伴って増加するダイナミック電圧dVfを一定値
の集束電圧(直流成分)に重畳して構成されるダイナミ
ック集束電圧を印加して、上記後段主集束レンズと上記
前段主集束レンズの間に電子ビームの偏向に伴って集束
作用が変化する複数の補助レンズを形成しても、さらに
画面周辺でのフォーカス特性が向上する。
【0055】上記補助レンズとしては、電子ビームの偏
向に伴ってこの電子ビームを水平及び垂直方向の一方に
集束、他方に発散させてビーム形状を効果的に変化させ
る静電4重極レンズ、電子ビームの偏向量増大に伴っ
て、水平及び垂直方向の集束力を弱める軸対称または非
軸対称レンズが好ましい。上記静電4重極レンズにより
非点収差が補正され、上記軸対称または非軸対称レンズ
により像面湾曲収差が補正される。
向に伴ってこの電子ビームを水平及び垂直方向の一方に
集束、他方に発散させてビーム形状を効果的に変化させ
る静電4重極レンズ、電子ビームの偏向量増大に伴っ
て、水平及び垂直方向の集束力を弱める軸対称または非
軸対称レンズが好ましい。上記静電4重極レンズにより
非点収差が補正され、上記軸対称または非軸対称レンズ
により像面湾曲収差が補正される。
【0056】分圧抵抗25の抵抗体32に形成された高電圧
端子26及び中間電圧端子27は露出しているので、放電抑
制用シールドワイヤ29は上記高電圧端子26及び中間電圧
端子27からなるべく離れた位置に配置した方が好まし
い。従って、上記放電抑制用シールドワイヤ29を、上
記第5格子電極G5(或いは第5格子電極部材G5aとG5b
の組合わせ)と第5格子補助電極G5D(或いは第5格子
補助電極部材G5DaとG5Dbの組合わせ)を含む領域におけ
る、中間電極GM側端部より第4格子電極G4側端部に近
い位置に接続すると、上記高電圧端子26及び中間電圧端
子27と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶縁耐力
が増大する。 また、上記第5格子電極G5に隣接して第
5格子補助電極部材を設けて複数の補助レンズを形成し
た場合、上記放電抑制用シールドワイヤ29を上記第5格
子G5及び第5格子補助電極部材のうち中間電圧端子27か
ら最も離れた、第4格子電極G4に隣接する第5格子電極
第1部材G5aに接続すると、上記高電圧端子26及び中間
電圧端子27と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶
縁耐力が増大する。
端子26及び中間電圧端子27は露出しているので、放電抑
制用シールドワイヤ29は上記高電圧端子26及び中間電圧
端子27からなるべく離れた位置に配置した方が好まし
い。従って、上記放電抑制用シールドワイヤ29を、上
記第5格子電極G5(或いは第5格子電極部材G5aとG5b
の組合わせ)と第5格子補助電極G5D(或いは第5格子
補助電極部材G5DaとG5Dbの組合わせ)を含む領域におけ
る、中間電極GM側端部より第4格子電極G4側端部に近
い位置に接続すると、上記高電圧端子26及び中間電圧端
子27と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶縁耐力
が増大する。 また、上記第5格子電極G5に隣接して第
5格子補助電極部材を設けて複数の補助レンズを形成し
た場合、上記放電抑制用シールドワイヤ29を上記第5格
子G5及び第5格子補助電極部材のうち中間電圧端子27か
ら最も離れた、第4格子電極G4に隣接する第5格子電極
第1部材G5aに接続すると、上記高電圧端子26及び中間
電圧端子27と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶
縁耐力が増大する。
【0057】また、上記実施の形態では、放電抑制用シ
ールドワイヤ29を第5格子電極G5に接続した例について
説明したが、第3格子電極G3に接続した構成でも同様の
効果が得られる。この場合、スポットノッキング時の抵
抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の電位差は
上記第5格子電極G5に接続した場合よりも小さくなるの
で、抵抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の沿
面距離L1及びL2を2mmより小さくしても良い。
ールドワイヤ29を第5格子電極G5に接続した例について
説明したが、第3格子電極G3に接続した構成でも同様の
効果が得られる。この場合、スポットノッキング時の抵
抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の電位差は
上記第5格子電極G5に接続した場合よりも小さくなるの
で、抵抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の沿
面距離L1及びL2を2mmより小さくしても良い。
【0058】また、上記実施の形態では、第3格子電極G
3〜第5格子電極G5間で形成される前段主集束レンズ、第
5格子電極G5〜第6格子電極G6間で形成される後段主集束
レンズを含む多段主集束レンズ系を採用した例について
説明したが、第1格子電極G1〜第4格子電極G4からな
り、第3格子電極G3に集束電圧、第4格子電極G4に陽極電
圧を各々印加し、第4格子電極G4と第3格子電極G3の間に
中間電極GMを設けて電界拡張型の主集束レンズを形成す
る単一主集束レンズ系を採用した構成でも同様の効果が
得られる。この場合、放電抑制用シールドワイヤ29を第
3格子電極G3の第2格子電極G2側端部に近い位置に設ける
と、抵抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶
縁耐力が増大する。
3〜第5格子電極G5間で形成される前段主集束レンズ、第
5格子電極G5〜第6格子電極G6間で形成される後段主集束
レンズを含む多段主集束レンズ系を採用した例について
説明したが、第1格子電極G1〜第4格子電極G4からな
り、第3格子電極G3に集束電圧、第4格子電極G4に陽極電
圧を各々印加し、第4格子電極G4と第3格子電極G3の間に
中間電極GMを設けて電界拡張型の主集束レンズを形成す
る単一主集束レンズ系を採用した構成でも同様の効果が
得られる。この場合、放電抑制用シールドワイヤ29を第
3格子電極G3の第2格子電極G2側端部に近い位置に設ける
と、抵抗体32と放電抑制用シールドワイヤ29との間の絶
縁耐力が増大する。
【0059】また、上記中間電極GMと第3格子電極G3の
間に第3格子補助電極を設けて、上記多段主集束レンズ
系を採用した例と同様に補助レンズを形成した構成でも
同様の効果が得られる。
間に第3格子補助電極を設けて、上記多段主集束レンズ
系を採用した例と同様に補助レンズを形成した構成でも
同様の効果が得られる。
【0060】また、上記第3格子電極G3に隣接した位置
に第3格子補助電極部材を設けて、上記多段主集束レン
ズ系を採用した例と同様に複数の補助レンズを形成した
構成でも同様の効果が得られる。
に第3格子補助電極部材を設けて、上記多段主集束レン
ズ系を採用した例と同様に複数の補助レンズを形成した
構成でも同様の効果が得られる。
【0061】なお、以上の説明では、インライン3電子
ビーム電子銃に本発明を適用した例を述べたが、本発明
が1ビーム電子銃にも適用できることは言うまでもな
い。
ビーム電子銃に本発明を適用した例を述べたが、本発明
が1ビーム電子銃にも適用できることは言うまでもな
い。
【0062】又、上記実施例においては、分圧抵抗の抵
抗体が、S字形をつなぎ合わせた形状をしている場合を
蛇行として説明してきたが、本明細書における蛇行と
は、その他、V字形をつなぎ合わせた形状、コの字形を
つなぎ合わせた形状など、種々の曲がりくねった形状を
指すものとする。
抗体が、S字形をつなぎ合わせた形状をしている場合を
蛇行として説明してきたが、本明細書における蛇行と
は、その他、V字形をつなぎ合わせた形状、コの字形を
つなぎ合わせた形状など、種々の曲がりくねった形状を
指すものとする。
【0063】
【発明の効果】本発明は、以上説明したようなものであ
るから、スポットノッキング時に高電圧が印加される分
圧抵抗の抵抗体と放電抑制用金属導体との間のスパーク
を防止しスポットノッキング効果を向上させて、陰極線
管実用時の耐電圧特性を向上させることができる。
るから、スポットノッキング時に高電圧が印加される分
圧抵抗の抵抗体と放電抑制用金属導体との間のスパーク
を防止しスポットノッキング効果を向上させて、陰極線
管実用時の耐電圧特性を向上させることができる。
【図1】本発明のカラー陰極線管の1実施の形態を説明
するための一部破断正面図。
するための一部破断正面図。
【図2】図1のカラー陰極線管を線II−II方向から見た
一部破断側面図。
一部破断側面図。
【図3】本発明のカラー陰極線管に係わる分圧抵抗の一
実施例の一部破断上面図。
実施例の一部破断上面図。
【図4】図3の分圧抵抗を線IV−IV方向から見た断面
図。
図。
【図5】本発明のカラー陰極線管に係わる分圧抵抗の他
の実施例の一部破断上面図。
の実施例の一部破断上面図。
【図6】図5の分圧抵抗を線VI−VI方向から見た断面
図。
図。
【図7】本発明のカラー陰極線管に係わる分圧抵抗の他
の実施例の一部破断上面図。
の実施例の一部破断上面図。
【図8】図1の本発明のカラー陰極線管動作時の電圧印
加法を説明する模式図。
加法を説明する模式図。
【図9】図1の本発明のカラー陰極線管に施されるスポ
ットノッキング工程における電圧印加法を示す模式図で
ある。
ットノッキング工程における電圧印加法を示す模式図で
ある。
【図10】本発明のカラー陰極線管の他の実施の形態を
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図11】本発明のカラー陰極線管の他の実施の形態を
説明するための断面図。
説明するための断面図。
【図12】カラー陰極線管の構造例を説明する断面図。
【図13】従来の陰極線管の電子銃を模式的に示す縦断
面図。
面図。
【図14】図13の電子銃の線XIV-XIVに沿った断面
図。
図。
1…パネル部、2…ネック部、3…ファンネル部、4…
蛍光面、5…シャドウマスク、6…マスクフレーム、7
…磁気シールド、9…インライン型電子銃、10…偏向
ヨーク、11…内部導電膜、12…シールドカップ、1
3…コンタクトスプリング、15…ステムピン、16…
電子ビーム、23…ガラスビード、24…バルブスペ
ーサ、25…分圧抵抗、26…高電圧端子、27…中間
電圧端子、28…低電圧端子、29…放電抑制用シール
ドワイヤ、29A…放電抑制用導電膜、31…アルミナ
セラミック基板、32…抵抗体、33,34…オーバコ
ートガラス膜、301…第1電極、302…第2電極、
303…第3電極、304…第4電極、305…第5−
1電極、306…第5−2電極、307…第6電極、3
08…シールドカップ、309…カソード、310…中
間電極、311…ビーデイングガラス、312…分圧抵
抗、314a…金属線、G1…第1格子電極、G2…第
2格子電極、G3…第3格子電極、G4…第4格子電
極、G5…第5格子電極、G5a,G5b…第5格子電
極部材、G5D…第5格子電極補助電極、G5Da, G
5Db…第5格子電極補助電極部材、G6…第6格子電
極、GM…中間電極、H…ヒータ、K…カソード、dVf
…ダイナミック電圧。
蛍光面、5…シャドウマスク、6…マスクフレーム、7
…磁気シールド、9…インライン型電子銃、10…偏向
ヨーク、11…内部導電膜、12…シールドカップ、1
3…コンタクトスプリング、15…ステムピン、16…
電子ビーム、23…ガラスビード、24…バルブスペ
ーサ、25…分圧抵抗、26…高電圧端子、27…中間
電圧端子、28…低電圧端子、29…放電抑制用シール
ドワイヤ、29A…放電抑制用導電膜、31…アルミナ
セラミック基板、32…抵抗体、33,34…オーバコ
ートガラス膜、301…第1電極、302…第2電極、
303…第3電極、304…第4電極、305…第5−
1電極、306…第5−2電極、307…第6電極、3
08…シールドカップ、309…カソード、310…中
間電極、311…ビーデイングガラス、312…分圧抵
抗、314a…金属線、G1…第1格子電極、G2…第
2格子電極、G3…第3格子電極、G4…第4格子電
極、G5…第5格子電極、G5a,G5b…第5格子電
極部材、G5D…第5格子電極補助電極、G5Da, G
5Db…第5格子電極補助電極部材、G6…第6格子電
極、GM…中間電極、H…ヒータ、K…カソード、dVf
…ダイナミック電圧。
Claims (20)
- 【請求項1】内面に蛍光面が形成されたパネル部、ネッ
ク部、及び前記パネル部と前記ネック部を連結するファ
ンネル部とからなる真空外囲器と、 3極部を形成する、少なくとも1個のカソード、第1格子
電極及び第2格子電極と、該3極部から出射される少なく
とも1個の電子ビームを前記蛍光面上に集束するための
集束レンズを形成する複数の集束電極及び陽極とを、こ
の順序に管軸方向に間隙を介して配列して、少なくとも
2本のガラスビードで固定してなる、前記ネック部内に
収納される電子銃と、 前記陽極のカソード側に隣接配置される、前記複数の集
束電極中の第1の集束電極に、前記陽極に印加される電
圧を分圧して印加するための、前記少なくとも2本のガ
ラスビードの中の1本のガラスビードの、前記ネック部
の内壁側の表面に搭載された分圧抵抗と、 前記3極部及び集束レンズを形成する電極中で、前記第
1の集束電極より前記カソード側に配置される電極に接
続されると共に、該電極の側面に対向する位置で前記1
本のガラスビード及び前記分圧抵抗を囲むよう配置され
る金属導体とを備え、 前記分圧抵抗は、少なくともオーバーコートガラス被
膜、抵抗体、セラミック基板を含み、これらが、前記1
本のガラスビード側からこの順に積層されてなり、 前記抵抗体は、前記金属導体に対向する部分を挟んだ管
軸方向両側に、蛇行しながら管軸方向に延在する第1の
抵抗形成部分を備え、 前記金属導体に対向する部分及びその近傍領域では、前
記セラミック基板の管軸方向に延在する各辺と前記抵抗
体の間の最短距離L1、L2が前記第1の抵抗形成部分に
おけるそれらの値より大きくなる第2の抵抗形成部分を
有することを特徴とする陰極線管。 - 【請求項2】前記金属導体が、前記複数の集束電極中の
第2の集束電極に接続されていることを特徴とする請求
項1に記載の陰極線管。 - 【請求項3】前記金属導体が、前記第2の集束電極の第1
の集束電極側端部よりカソード側端部に近い位置に配置
されていることを特徴とする請求項2に記載の陰極線
管。 - 【請求項4】前記第2の抵抗形成部分が前記第1の抵抗形
成部分より管軸と直交する方向に括れていることを特徴
とする請求項1〜3の何れかに記載の陰極線管。 - 【請求項5】前記第2の抵抗形成部分が、管軸方向に延
在する直線形状をなしていることを特徴とする請求項4
に記載の陰極線管。 - 【請求項6】前記第2の抵抗形成部分が、蛇行しながら
管軸方向に延在していることを特徴とする請求項4に記
載の陰極線管。 - 【請求項7】前記セラミック基板が前記第1の抵抗形成
部分の領域より前記第2の抵抗形成部分の領域で管軸と
直交する方向に突出していることを特徴とする請求項1
〜3の何れかに記載の陰極線管。 - 【請求項8】前記最短距離L1、L2が、2mm以上であ
ることを特徴とする請求項5〜7の何れかに記載の陰極
線管。 - 【請求項9】前記第2の抵抗形成部分の管軸方向長さ
が、4 mm以上であることを特徴とする請求項8に記載の
陰極線管。 - 【請求項10】前記ネック部の外径が、29.1mm未満
であることを特徴とする請求項1〜9の何れかに記載の
陰極線管。 - 【請求項11】内面に蛍光面が形成されたパネル部、ネ
ック部、及び該パネル部と該ネック部を連結するファン
ネル部とからなる真空外囲器と、 3極部を形成する、少なくとも1個のカソード、第1格子
電極及び第2格子電極と、該3極部から出射される少なく
とも1個の電子ビームを前記蛍光面上に集束するための
集束レンズを形成する少なくとも第3格子電極、第4格子
電極、第5格子電極、中間電極及び第6格子電極とを、こ
の順に管軸方向に間隙を介して配列して、少なくとも2
本のガラスビードで固定してなり、該第6格子電極に陽
極電圧が印加され、該第5格子電極と第3格子電極が電気
的に接続されて該陽極電圧より低い集束電圧が印加さ
れ、該第4格子電極と第2格子電極が電気的に接続されて
該集束電圧より低い加速電圧が印加されて、前記ネック
部内に収納される電子銃と、 前記中間電極に、前記陽極電圧を分圧して印加するため
の、前記少なくとも2本のガラスビードの中の1本のガラ
スビードの、前記ネック部の内壁側の表面に搭載された
分圧抵抗と、 前記3極部及び集束レンズを形成する電極中で、前記中
間電極より前記カソード側に配置される電極に接続され
ると共に、該電極の側面に対向する位置で前記1本のガ
ラスビード及び前記分圧抵抗を囲むよう配置される金属
導体とを備え、 前記分圧抵抗は、基板と、該基板上に形成された抵抗体
と、該抵抗体を被覆する被膜とを有し、 前記抵抗体は、前記金属導体に対向する部分を挟んだ管
軸方向両側に、蛇行しながら管軸方向に延在する第1の
抵抗形成部分を備え、 前記金属導体に対向する部分及びその近傍領域では、前
記基板の管軸方向に延在する各辺と前記抵抗体の間の最
短距離L1、L2が前記第1の抵抗形成部分におけるそれ
らの値より大きくなる第2の抵抗形成部分を有すること
を特徴とする陰極線管。 - 【請求項12】前記金属導体が、前記第5格子電極に接
続されていることを特徴とする請求項11に記載の陰極線
管。 - 【請求項13】前記金属導体が、前記第5格子電極の中
間電極側端部よりカソード側端部に近い位置に配置され
ていることを特徴とする請求項12に記載の陰極線管。 - 【請求項14】前記第2の抵抗形成部分が前記第1の抵抗
形成部分より管軸と直交する方向に括れていることを特
徴とする請求項11〜13の何れかに記載の陰極線管。 - 【請求項15】前記第2の抵抗形成部分が、管軸方向に
延在する直線形状をなしていることを特徴とする請求項
14に記載の陰極線管。 - 【請求項16】前記第2の抵抗形成部分が、蛇行しなが
ら管軸方向に延在していることを特徴とする請求項14
に記載の陰極線管。 - 【請求項17】前記基板が前記第1の抵抗形成部分の領
域より前記第2の抵抗形成部分の領域で管軸と直交する
方向に突出していることを特徴とする請求項11〜13
の何れかに記載の陰極線管。 - 【請求項18】前記最短距離L1、L2が、2 mm以上であ
ることを特徴とする請求項15〜17の何れかに記載の
陰極線管。 - 【請求項19】前記括れた抵抗体部分の管軸方向長さ
が、4 mm以上であることを特徴とする請求項18に記載
の陰極線管。 - 【請求項20】前記ネック部の外径が、29.1 mm未満で
あることを特徴とする請求項11〜19の何れかに記載
の陰極線管。
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