JP2003500818A - 導電マトリクスを有する電界放射型表示装置のアノード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電界放射型表示装置の信頼性ある構造および高い効率を実現する。 【解決手段】 電界放射型表示装置２００はカソードプレート２０２、該カソードプレートに対向する基板１０２、該基板上に配置されかつ複数の蛍光体ビア１０５を画定するビアウォール１０３を有する導電マトリクス１０４、および前記蛍光体ビアの各々の中に配置された蛍光体１０６，１０８，１１０を含む。電界放射型表示装置２００の製造方法は、ガラス、金属および感光性材料から作られる、スクリーニング可能なサスペンションを基板１０２上にシルクスクリーン印刷して膜を形成し、該膜をフォトパターニングして蛍光体ビア１０５を形成し、蛍光体材料を前記蛍光体ビアに被着してアノードプレート１００を形成し、かつカソードプレート２０２を前記アノードプレートに取り付ける段階を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の分野】

本発明は電界放射型表示装置またはディスプレイ（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉ
ｏｎ ｄｉｓｐｌａｙｓ）に関し、かつより特定的には、電界放射型表示装置の
ためのアノードプレートまたは陽極板に関する。

【０００２】

【発明の背景】

電界放射型表示装置のための蛍光体（ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ）が技術的に知られ
ている。それらはガラス基板上に形成されたインジウム−スズ酸化物（ｉｎｄｉ
ｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）の薄膜の上に被着することができる。蛍光
体はまた保護用金属膜によって覆うことができ、該保護用金属膜は光を反射し、
電荷を消散し、かつ前記蛍光体材料に機械的な安定性を与えるために含められる
。前記保護用膜のために幾つかの材料を使用することができ、最も一般的なもの
はアルミニウムである。可視性（ｖｉｅｗａｂｉｌｉｔｙ）を増大するために、
前記蛍光体は典型的には不透明な母材またはマリトクス材料（ｍａｔｒｉｘ ｍ
ａｔｅｒｉａｌ）内に配置される。従来技術の構成は典型的には蛍光体が前記マ
トリクス材料の深さより小さい深さに配置される。このアノードプレート構成は
数多くの山および谷（ｈｉｌｌｓ ａｎｄ ｖａｌｌｅｙｓ）を含み、これは造
作物の間の金属膜の「テント化（ｔｅｎｔｉｎｇ）」により蛍光体上に滑らかな
保護用金属膜を置くのを困難にする。金属膜の「テント化」は前記金属膜がギャ
ップにまたがりまたはかかり（ｓｐａｎｓ）かつ蛍光体と接触しない場合に生じ
る。「テント化」条件の下では一般に２つのことが生じる。第１に、前記金属膜
の付着力（ａｄｈｅｓｉｏｎ）が低下し、かつ前記金属膜が電界放射型表示装置
内に展開される高い電界によりアノードプレートから容易に引き離すことができ
るようになる。第２に、ふくれ（ｂｌｉｓｔｅｒｓ）が形成される可能性があり
、それは処理の間に前記山および谷における有機材料の蓄積によって引き起こさ
れる。さらに、マトリクス材料の下に配置された従来技術の蛍光体は粒子の間に
ギャップが存在しないことを保証するためにより小さな、典型的には効率の悪い
蛍光体粒子寸法を使用することが必要とされる。これは典型的には効率の低い電
界放射型表示装置を生じさせる。

【０００３】 したがって、蛍光体を保護しかつ表示装置の効率を改善するよう設計された金
属膜の「テント化」を低減する改善されたアノードプレートの必要性が存在する
。さらに、より大きな、典型的にはより効率の良い蛍光体粒子を使用できるよう
にする改善されたアノードプレートの必要性が存在する。

【０００４】

【好ましい実施形態の説明】

図面の簡略化および明瞭化のために各図に示された要素は必ずしも比例した尺
度で描かれていないことが理解されるであろう。例えば、幾つかの要素の寸法は
他のものに対して誇張されている。さらに、適切と考えられる場合には、参照数
字は対応する要素を示すために各図にわたり反復されている。

【０００５】 以下図面を参照して本発明の好ましい実施形態につき説明する。 本発明の一実施形態は、カソードルミネセント蛍光体（ｃａｔｈｏｄｏｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｔ ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ）を含む、導電マトリクスまたは導電母
材（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍａｔｒｉｘ）を含むアノード構造を有する電界放
射型表示装置に対するものである。前記蛍光体は前記導電マトリクスによって画
定される蛍光体ビア（ｐｈｏｓｐｈｏｒ ｖｉａｓ）内に配置される。本発明の
構成では、前記蛍光体は周囲の導電マトリクス材料と等しいかまたはより大きな
高さに配置される。これは前記マトリクス材料の下に配置される蛍光体と関連す
る保護用金属膜の「テント化」を除去するという利点を有する。さらに他の利点
はより大きな蛍光体粒子サイズが使用できることである。より大きな蛍光体粒子
サイズからなる蛍光体は典型的にはより小さな粒子サイズからなる蛍光体よりも
効率が良い。前記蛍光体が周囲の導電マトリクスと同じかまたはより大きな高さ
に形成される場合、より大きな粒子サイズを備えた蛍光体を使用することができ
るが、それは粒子の間に電子が下層の基板に直接突き当ることができるようにす
るギャップが存在しないことを保証するのに十分な蛍光体材料があるからである
。前記粒子の間のギャップは表示装置の明るさまたは輝度および効率を低下させ
る。本発明のさらに他の利点は前記導電マトリクスが蛍光体上への電荷の累積を
防止するための導電経路を提供し、これはそうでない場合は接近する電子をはね
返す傾向がある。前記導電マトリクスはまた電界放射型表示装置のアノード電極
を画定または規定することができ、それによって、従来技術において典型的に用
いられていたＩＴＯ層のような、別個のアノード電極の必要性を除去する。

【０００６】 図１は、本発明に係わる電界放射型表示装置のためのアノードプレート１００
の底部平面図である。アノードプレート１００は主面を有する基板１０２を含み
、該基板１０２は、ガラス、石英、サファイアその他のような、固い、透明な材
料から作られる。

【０００７】 導電マトリクスまたは導電母材１０４は前記基板１０２の主面に取り付けられ
または貼り付けられる。導電マトリクス１０４は導電性の厚膜（ｔｈｉｃｋ ｆ
ｉｌｍ）を含む。導電マトリクス１０４はさらに複数の蛍光体ビア（ｐｈｏｓｐ
ｈｏｒ ｖｉａｓ）１０５を規定または画定し、これらは前記カソードルミネセ
ント蛍光体を含む。図１の実施形態は多色表示装置（ｐｏｌｙｃｈｒｏｍａｔｉ
ｃ ｄｉｓｐｌａｙ）を含む。したがって、前記蛍光体材料は赤色の蛍光体１０
６、緑色の蛍光体１０８、および青色の蛍光体１１０を含み、これらは複数の画
素を規定する。一例として、かつ制限的な意味ではなく、蛍光体ビア１０５の寸
法は約５０×１８０マイクロメートル（ｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒｓ）である。

【０００８】 しかしながら、本発明は多色表示装置に限定されず、かつ単色の（ｍｏｎｏｃ
ｈｒｏｍａｔｉｃ）電界放射型表示装置として実施することもできる。図１に描
かれた特定の蛍光体構造は例示的なものでありかつ決して制限的なものではない
。

【０００９】 図２は、本発明の一実施形態に係わる電界放射型表示装置２００の図１の切断
線（ｓｅｃｔｉｏｎ ｌｉｎｅ）２−２に沿って見た断面図である。電界放射型
表示装置２００はアノードプレート１００を含みかつさらに、該アノードプレー
ト１００に対向する、カソードプレート２０２を含んでいる。カソードプレート
２０２はスペーサ（図示せず）によってアノードプレート１００から間隔を空け
ておりそれらの間に中間空間領域（ｉｎｔｅｒｓｐａｃｅ ｒｅｇｉｏｎ）２０
５を画定している。カソードプレート２０２は基板２０３を含み、該基板２０３
の上にはカソード電極２０８および複数の電子放射器または電子エミッタ（ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ ｅｍｉｔｔｅｒｓ）２０６が形成されている。電子エミッタ２０
６は蛍光体ビア１０５と対向している。

【００１０】 導電マトリクス１０４は、蛍光体ビア１０５を画定する、複数のビアウォール
またはビア壁（ｖｉａ ｗａｌｌｓ）１０３を有する。前記蛍光体材料は蛍光体
ビア１０５内に配置される。図２の実施形態においては、蛍光体ビア１０５の各
々の深さはそこに配置された蛍光体１０６，１０８および１１０と同じ深さを有
する。一例として、蛍光体ビア１０５および蛍光体１０６，１０８および１１０
の深さは導電マトリクス１０４の厚さと等しく、およそ１０〜１２マイクロメー
トルである。この構造は多くの利点を与える。例えば、より大きなかつより効率
的な蛍光体粒子サイズが使用でき、それは余分のまたは付加的な蛍光体材料は蛍
光体粒子の間のギャップが満たされ、それによって電子が蛍光体粒子を外れかつ
基板に直接突き当ることを防止できるからである。これはより効率的な蛍光体層
およびそれに応じてより効率的な電界放射型表示装置を生成する。

【００１１】 図２に示されるように、蛍光体材料上には保護用金属膜が形成されていない。
本発明において従来技術の金属膜を省略することは、そうでない場合に従来技術
の金属膜を横断することにより生じる、入射電子のエネルギの減衰を排除する。
この電子エネルギの保存または維持はまた電界放射型表示装置２００の効率を改
善する。

【００１２】 図２に描かれているように、基板１０２上には従来のＩＴＯ膜が形成されてい
ない。蛍光体１０６，１０８および１１０は蛍光体ビア１０５内に配置されかつ
基板１０２の表面に付着されている。

【００１３】 導電マトリクス１０４はさらに図２に示されるようにコントラスト層（ｃｏｎ
ｔｒａｓｔ ｌａｙｅｒ）１０７を含む。コントラスト層１０７は基板１０２の
表面上に配置され、かつ光を吸収するものであり、従ってそれは表示画像のコン
トラストを増強する。図２の実施形態においては、コントラスト層１０７は導電
マトリクス１０４を構成するガラス／金属混合物から形成されかつさらにコント
ラスト増強材料を含み、これは前記膜に対して暗い、光を吸収する色を与える。
このコントラスト増強成分は好ましくは無機酸化物（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｏｘ
ｉｄｅ）を含み、かつ最も好ましくはルテニウム酸化物（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ
ｏｘｉｄｅ）を含み、これはコントラスト層１０７に対し黒色（ｂｌａｃｋ ｃ
ｏｌｏｒ）を与える。

【００１４】 導電マトリクス１０４の残りは無機酸化物を含まない。しかしながら、本発明
の他の実施形態では、導電マトリクス１０４は別個の（ｄｉｓｔｉｎｃｔ）コン
トラスト層１０７を含まないものとすることができる。むしろ、ルテニウム酸化
物、ニッケル酸化物（ｎｉｃｋｅｌ ｏｘｉｄｅ）その他のような、コントラス
ト増強材料が導電マトリクス１０４全体にわたり分散される。さらに別の実施形
態では、コントラスト層１０７はブラッククロム（ｂｌａｃｋ ｃｈｒｏｍｅ）
または他の「黒い（ｂｌａｃｋ）」金属様の（ｍｅｔａｌｉｃ ｌｉｋｅ）材料
を含む。

【００１５】 導電マトリクス１０４はガラスおよび、金属、金属合金または金属酸化物のよ
うな導電材料の混合物から作られる。金属の例は、制限的なものではないが、銀
、銅、金、パラジウム、プラチナ、それらの組み合わせその他を含む。この混合
物の導電材料の組成は容積で約５〜１００パーセントの範囲内にある。前記金属
成分は導電マトリクス１０４に導電性を与える。一般に、前記導電材料の組成は
１００オーム−センチメートル（ｏｈｍ−ｃｍ）より小さい、好ましくは１０オ
ーム−センチメートルより小さい抵抗率（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）を導電マト
リクス１０４に与えるよう予め定められる。導電マトリクス１０４のガラス成分
は基板１０２のひずみ点温度（ｓｔｒａｉｎ ｐｏｉｎｔ ｔｅｍｐｅｒａｔｕ
ｒｅ）より小さい結合（ｂｏｎｄｉｎｇ）（例えば、溶融、焼結）温度を有する
ガラスを含む。

【００１６】 本発明のさらに別の実施形態が図３に示されており、図２に示される同じ電界
放射型表示装置２００であるが、保護用金属膜２２０を付加している。保護用金
属膜２２０は、制限的なものではないが、好ましくはアルミニウムであり、かつ
約３００〜１０００オングストロームの範囲の厚さを有する。図３の実施形態で
は、保護用金属膜２２０は導電マトリクス１０４および蛍光体１０６，１０８お
よび１１０の上に配置されている。この構造は多くの利点を与える。例えば、蛍
光体１０６，１０８および１１０が周囲の導電マトリクスと同じ高さである場合
、保護様金属膜２２０の付加に対して滑らかな表面が生成される。保護用金属膜
２２０が滑らかな面に加えられた時、欠陥のない保護用金属膜２２０が作成され
、これは従来技術のアノードプレートの構成の「テント化」を避けることができ
る。「テント化」のないことは導電マトリクス１０４および蛍光体１０６，１０
８および１１０に付加された時、改善された接着特性および良好な反射率（ｒｅ
ｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）を備えた保護用金属膜２２０を作成することができる。

【００１７】 本発明のさらに別の実施形態では、蛍光体１０６，１０８および１１０の高さ
は導電マトリクス１０４の高さより大きくすることができかつ保護用金属膜２２
０を含まない。本発明のさらに別の実施形態では、蛍光体１０６，１０８および
１１０の高さは導電マトリクス１０４の高さより大きくすることができかつ保護
用金属膜２２０を含むものとすることができる。

【００１８】 本発明のさらに別の実施形態では、図２および図３に示される電界放射型表示
装置２００は基板１０２と導電マトリクス１０４および蛍光体１０６，１０８お
よび１１０の間に配置された導電膜を含むことができる。導電膜は、ＩＴＯのよ
うな、導電性の、透明な材料から作られる。

【００１９】 本発明に係わる電界放射型表示装置を製造するための好ましい方法では、前記
導電マトリクスは始めに前記アノード基板上にガラス／金属混合物を含む膜を形
成することによって形成される。前記膜はさらにパターニングされて蛍光体ビア
を実現する。前記パターニングは前記蛍光体ビアのパターンを画定するスクリー
ンを使用したスクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ ｐｒｉｎｔｉｎｇ）の方法による
ような、被着工程の間に実現できる。あるいは、前記パターニングはシルクスク
リーン捺染法（ｓｉｌｋ−ｓｃｒｅｅｎｉｎｇ）によって被着される膜の光また
はフォトパターニング（ｐｈｏｔｏ−ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）の方法によるよう
な、被着工程に引き続き実現できる。フォトパターニングが使用される場合は、
前記膜はさらに前記膜をフォトパターニング可能にするのに十分な量の感光性材
料を含む。

【００２０】 電界放射型表示装置２００を成形するための好ましい方法につき説明する。導
電マトリクス１０４が導電性のフォトプリントまたは写真印刷可能な（ｐｈｏｔ
ｏ−ｐｒｉｎｔａｂｌｅ）材料を使用して作成され、前記導電性のフォトプリン
ト可能な材料はデラウェア州（Ｄｅｌａｗａｒｅ）のウィルミントン（Ｗｉｌｍ
ｉｎｇｔｏｎ）のウイ・デュポン・ド・ネモール・アンド・カンパニー（Ｅ．Ｉ
．ｄｕ Ｐｏｎｔ ｄｅ Ｎｅｍｏｕｒｓ ａｎｄ Ｃｏｍｐａｎｙ）から入手
可能であり、かつＦＯＤＥＬの商標名で販売されている。コントラスト増強層１
０７はＦＯＤＥＬおよび、ルテニウム酸化物その他のような無機酸化物を含む、
コントラスト増強材を含む。導電マトリクス１０４の残りは標準の白色ＦＯＤＥ
Ｌとしコントラスト増強材を加えないようにすることができる。前記ＦＯＤＥＬ
はガラスおよび金属銀またはシルバーメタル（ｓｉｌｖｅｒ ｍｅｔａｌ）を含
む混合物である。感光性ポリマーが両方のＦＯＤＥＬ混合物に乾燥ＦＯＤＥＬ膜
に感光性を与えるのに十分な濃度で加えられ、それによってそれがフォトパター
ニングできるようにする。コントラスト増強材を備えたかつ備えないＦＯＤＥＬ
は前記ウイ・デュポン・ド・ネモール・アンド・カンパニーから入手可能である
。

【００２１】 導電マトリクス１０４は始めに基板１０２上にコントラスト層１０７を形成す
ることによって作成される。コントラスト層１０７を形成するために、黒色ペー
ストの形態で得られる、コントラスト増強材を有するＦＯＤＥＬが基板１０２の
乾燥した表面上にシルクスクリーン印刷されて黒色膜を形成する。この黒色膜は
約３〜５マイクロメートルの範囲内の厚さを有する。基板１０２は次に低い温度
のオーブン内に置かれ、かつ前記黒色膜がおよそセ氏８０度で約２０分間加熱さ
れる。

【００２２】 その後、白色ＦＯＤＥＬペーストが前記黒色膜の上にシルクスクリーン捺染ま
たは印刷される。基板１０２は次に低い温度のオーブンに入れられて前記白色膜
をおよそセ氏８０度で約２０分間乾燥させる。

【００２３】 乾燥された前記膜は次にマスクを通して平行（ｃｏｌｌｉｍａｔｅｄ）紫外線
光に露光される。前記膜の除去されるべき領域はＵＶ光に露光されない。その後
、前記膜は１１のｐＨを有する重炭酸ナトリウム（ｓｏｄｉｕｍ ｂｉｃａｒｂ
ｏｎａｔｅ）溶液を使用して現像される（ｄｅｖｅｌｏｐｅｄ）。この現像工程
は露光されない領域が除去されるようにし、それによって蛍光体ビア１０５を形
成する。得られた構造は次にセ氏５００度およびセ氏５５０度の温度範囲で空気
中で焼成されて感光性ポリマーを分解しかつガラス成分を結合または接合し、そ
れによって基板１０２に付着された結合力のある（ｃｏｈｅｓｉｖｅ）構造を形
成する。

【００２４】 導電マトリクス１０４の基板１０２に対する付着の後に、蛍光体１０６，１０
８および１１０が、当業者に知られた、いくつかの蛍光体被着方法の一つによっ
て蛍光体ビア１０５内に被着される。蛍光体１０６，１０８および１１０の被着
のための例示的なスクリーン印刷プロセスはパターニングされたスクリーンを使
用して蛍光体材料を直接蛍光体ビア１０５内に被着することを含む。もし細かい
画素ピッチが望まれるならば、感光性ポリマーのバインダーまたは結合剤を前記
蛍光体材料に加えることができる。次に、異なる色の蛍光体材料が順次シルクス
クリーン印刷され、写真またはフォト画像形成され（ｐｈｏｔｏ−ｉｍａｇｅｄ
）、そして現像される。その後、基板１０２はおよそセ氏４５０度で約１時間加
熱されて感光性バインダーを焼き除く（ｂｕｒｎ ｏｆｆ）。有用な感光性ポリ
マーバインダーはポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ
）および重クロム酸アンモニウム（ａｍｍｏｎｉｕｍ ｄｉｃｈｒｏｍａｔｅ）
の混合物である。他の有用な感光性ポリマーバインダーはポリメチレン−ピー−
ジアゾジフェニルアミン（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｐ−ｄｉａｚｏｄｉｐ
ｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）であり、これはニュージャージー州（Ｎｅｗ Ｊｅｒｓ
ｅｙ）のニューアーク（Ｎｅｗａｒｋ）のフェアモント・ケミカル・カンパニー
（Ｆａｉｒｍｏｎｔ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ）から入手できる。

【００２５】 蛍光体１０６，１０８および１１０はいくつかの方法の内の一つによって蛍光
体ビア１０５内に付着することができ、前記方法としてはヴァンデルヴァールス
力（ｖａｎ ｄｅｒ Ｗａａｌｓ ｆｏｒｃｅｓ）、セメントまたは接合剤（ｃ
ｅｍｅｎｔ）の付加、にかわまたは接着剤（ｇｌｕｅ）の付加、その他がある。
例えば、「にかわ」材料は蛍光体ペースト内へそれを蛍光体ビア１０５内に被着
する前に導入することができる。一例として、前記にかわ材料はテトラエチル・
オルソシリケート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ：ＴＥ
ＯＳ）またはケイ酸カリウム（ｐｏｔａｓｓｉｕｍ ｓｉｌｉｃａｔｅ）を含む
ことができる。

【００２６】 図２の好ましい実施形態においては、電界放射型表示装置２００の電極はカソ
ード電極２０８、ゲート抽出電極（ｇａｔｅ ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ ｅｌｅｃ
ｔｒｏｄｅ）２１０、および導電マトリクス（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｍａｔｒ
ｉｘ）１０４を含む。ゲート抽出電極２１０は誘電体層２１２によってカソード
電極２０８から間隔をあけている。各々の電極は電位源（図示せず）からある電
位を受けるよう設計されている。電界放射型表示装置２００の動作の間に、各電
位が印加されて、当業者に知られた方法で、電子エミッタ２０６の内の選択され
たものから電子放射が行なわれる。放射された電子は中間空間領域２０５を横断
し、対向する蛍光体１０６，１０８および１１０によって受けられる。集積され
た電荷は蛍光体１０６，１０８および１１０から導電マトリクス１０８によって
導き出される。本発明のこの動作は、従来技術においてアノード電位を提供しか
つ電荷を蛍光体から導き出す目的で使用されるもののような、ＩＴＯサブレイヤ
の必要性を除去する。

【００２７】 図２の実施形態においては、本発明は３極管またはトライオード型の表示装置
によって実施されている。本発明はまた２極管またはダイオード型の表示装置に
よって実施することもでき、かつ、例えば、集束電極を含む３つより多くの電極
を有する表示装置によって実施することも可能なことが理解されるべきである。

【００２８】 １つの実施形態では、蛍光体１０６，１０８および１１０の被着に引き続き、
保護用金属膜２２０がその上に形成される。保護用金属膜２２０は好ましくはお
よそ３００〜１０００オングストロームの範囲内の厚さを有する、アルミニウム
の薄い層を含む。当業者に知られているように、標準的なアルミニウム処理（ａ
ｌｕｍｉｎｉｚａｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）を使用することができる。

【００２９】 要するに、本発明に係わる電界放射型表示装置は導電マトリクスを有するアノ
ードプレートを含み、前記導電マトリクスは前記導電マトリクスの高さに等しい
かまたはそれより大きな高さで配置された蛍光体を含む。これは従来技術のアノ
ードプレート構成に関連する保護用金属膜の「テント化」を除去するという利点
を与える。さらに別の利点はより大きな、より効率的な蛍光体粒子を使用できる
ことである。これは電界放射型表示装置の効率を増大させる。本発明のアノード
プレートは従来技術のＩＴＯ導電膜および保護用金属膜の使用を除去することが
できる。本発明の導電マトリクスを形成する方法はフォトレジストを使用するこ
とを要求しない。

【００３０】 本発明の特定の実施形態が示されかつ説明されたが、当業者にはさらに他の変
更および改善を行なうことができるであろう。したがって、この発明は示された
特定の形式に制限されるのではなくかつ添付の請求の範囲は本発明の精神および
範囲から離れることのない全ての変更を含むものと考えている。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明に係わる電界放射型表示装置のためのアノードプレートの第１の実施
形態を示す底部平面図である。

【図２】 本発明に係わる電界放射型表示装置の図１の切断線２−２に沿って見た断面図
である。

【図３】 本発明に係わる電界放射型表示装置の図１の切断線２−２に沿って見た他の断
面図である。

【符号の説明】

１００ アノードプレート １０２ 基板 １０４ 導電マトリクス １０５ 蛍光体ビア １０６，１０８，１１０ 蛍光体 ２００ 電界放射型表示装置 ２０２ カソードプレート ２０３ 基板 ２０５ 中間空間領域 ２０６ 電子エミッタ ２０８ カソード電極 １０７ コントラスト層 ２２０ 保護用金属膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カルカーニ・サダカー・エヌ アメリカ合衆国 アリゾナ州 85226 チ ャンドラー ウエスト・ステファンズ・プ レイス3126 (72)発明者 ステイナー・マシュー アメリカ合衆国 アリゾナ州 85048 フ ェニックス サウス・テンス・ストリート 14218 (72)発明者 ピーターセン・ロナルド・オー アメリカ合衆国 オハイオ州 44134 パ ーマ ブロードビュー・ロード5686 ＃2422 Ｆターム(参考） 5C028 CC04 5C036 BB05 EE01 EF01 EF06 EF07 EF09 EG36

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電界放射型表示装置であって、 複数の電子エミッタを有するカソードプレート、 前記カソードプレートの複数の電子エミッタに対向する主面を有する基板、 複数の蛍光体ビアを画定する複数のビアウォールを有する前記基板の主面上に
   配置された導電マトリクスであって、該導電マトリクスは第１の高さを有するも
   の、および 前記複数の蛍光体ビアの各々の中に配置された蛍光体であって、前記蛍光体の
   各々は第２の高さを有し、かつ前記蛍光体の前記第２の高さは前記導電マトリク
   スの前記第１の高さに少なくとも等しいもの、 を具備することを特徴とする電界放射型表示装置。
2. 【請求項２】 電界放射型表示装置を製造する方法であって、 複数の電子エミッタを有するカソードプレートを提供する段階、 主面を有する基板を提供する段階、 容積で５〜１００パーセントの範囲内の金属組成を要する混合物を提供する段
   階、 前記混合物を含むスクリーニング可能なサスペンションを形成する段階、 スクリーンを通して前記スクリーニング可能なサスペンションを前記基板の主
   面上に被着してある膜を提供する段階、 前記膜をパターニングして複数の蛍光体ビアを形成し、それによって導電マト
   リクスを実現する段階であって、前記導電マトリクスは第１の高さを有する、前
   記段階、 前記複数の蛍光体ビアの各々の中に第２の高さを有する蛍光体を取り付ける段
   階であって、前記蛍光体の第２の高さは前記導電マトリクスの前記第１の高さと
   少なくとも等しくすることによって、アノードプレートを実現する、前記段階、
   および 前記カソードプレートを前記アノードプレートに取り付ける段階、 を具備することを特徴とする電界放射型表示装置を製造する方法。