JP2003347400A - 半導体パターンの形成方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 146
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 101
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 83
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 56
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 claims description 5
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 24
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 abstract description 8
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 abstract description 8
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 abstract description 5
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 abstract description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- -1 polyphenylenevinylene Polymers 0.000 description 15
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YFIJJNAKSZUOLT-UHFFFAOYSA-N Anthanthrene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC=C2C=CC3=CC2=CC=CC3=CC=C1C4=C32 YFIJJNAKSZUOLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N Tetrahydroanthracene Natural products C1=CC=C2C=C(CCCC3)C3=CC2=C1 XBDYBAVJXHJMNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Chemical group 0.000 description 2
- GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N picene Chemical compound C1=CC2=C3C=CC=CC3=CC=C2C2=C1C1=CC=CC=C1C=C2 GBROPGWFBFCKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N tetracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C21 IFLREYGFSNHWGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFOGYZYCKRXOKM-UHFFFAOYSA-N 1-phenylpentacene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C12 SFOGYZYCKRXOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFPVYWYEZPMUQL-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-diselenol-2-ylidene)-1,3-diselenole Chemical compound [Se]1C=C[Se]C1=C1[Se]C=C[Se]1 UFPVYWYEZPMUQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFCSVQKCECNEAZ-UHFFFAOYSA-N 6,13-diphenylpentacene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC2=CC=CC=C2C=C11)=C(C=C2C(C=CC=C2)=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 PFCSVQKCECNEAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000607626 Homo sapiens Ubiquilin-1 Proteins 0.000 description 1
- WMRWLICJQJYURV-UHFFFAOYSA-J I[Sn](I)(I)I.N Chemical compound I[Sn](I)(I)I.N WMRWLICJQJYURV-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N Triphenylene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C2=C1 SLGBZMMZGDRARJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100039934 Ubiquilin-1 Human genes 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical group 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- RYQHWGXLBQHJST-UHFFFAOYSA-N bisanthene Chemical compound C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=4C(C=3)=CC=CC=43)=C4C2=C2C3=CC=CC2=CC4=C1 RYQHWGXLBQHJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 238000004871 chemical beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- WEDMWEAVHLDAAH-UHFFFAOYSA-N circumanthracene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3C5=C6C=7C8=C9C%10=C6C(=C3)C=CC%10=CC=C9C=CC8=CC(C=73)=C6)C4=C5C3=C2C6=C1 WEDMWEAVHLDAAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 150000001993 dienes Chemical class 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005251 gamma ray Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N heptacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 KDEZIUOWTXJEJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTWLYSVPYAGZCE-UHFFFAOYSA-N heptacyclo[16.12.0.03,16.04,13.07,12.020,29.022,27]triaconta-1(30),2,4(13),5,7,9,11,14,16,18,20,22,24,26,28-pentadecaene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC5=CC6=CC7=CC=CC=C7C=C6C=C5C=C4C=CC3=C21 LTWLYSVPYAGZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- QRRKXCPLJGPVHN-UHFFFAOYSA-N hexabenzocoronene Chemical compound C12C(C(=C34)C(=C56)C7=C89)=C%10C7=C7C%11=CC=CC7=C8C=CC=C9C5=CC=CC6=C3C=CC=C4C1=CC=CC2=C1C%10=C%11C=CC1 QRRKXCPLJGPVHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N hexacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC6=CC=CC=C6C=C5C=C4C=C3C=C21 QSQIGGCOCHABAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- HKSRHNHDUAHAAT-UHFFFAOYSA-N isoviolanthrene Chemical compound C12=C3C4=CC=C2CC2=CC=CC=C2C1=CC=C3C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C3=CC=C4C1=C32 HKSRHNHDUAHAAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXXBFNWCCIYQO-UHFFFAOYSA-N peropyren Chemical compound C12=C3C4=CC=C2C=CC=C1C=CC3=C1C=CC2=CC=CC3=CC=C4C1=C32 WCXXBFNWCCIYQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 210000001525 retina Anatomy 0.000 description 1
- FMKFBRKHHLWKDB-UHFFFAOYSA-N rubicene Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC3=C2C1=C1C=CC=C2C4=CC=CC=C4C3=C21 FMKFBRKHHLWKDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Chemical group 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- BIGSSBUECAXJBO-UHFFFAOYSA-N terrylene Chemical group C12=C3C4=CC=C2C(C=25)=CC=CC5=CC=CC=2C1=CC=C3C1=CC=CC2=CC=CC4=C21 BIGSSBUECAXJBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIQXSPGGOGYAPV-UHFFFAOYSA-N tetrabenzo(a,c,l,o)pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=C(C=C3C(C=C4C=C5C6=CC=CC=C6C=6C(C5=CC4=C3)=CC=CC=6)=C3)C3=C(C=CC=C3)C3=C21 RIQXSPGGOGYAPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- PGXOVVAJURGPLL-UHFFFAOYSA-N trinaphthylene Chemical group C1=CC=C2C=C3C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C3=CC2=C1 PGXOVVAJURGPLL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005580 triphenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Element Separation (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
導体パターンを形成する方法を提供する。 【解決手段】 ポリカーボネート樹脂製の樹脂フィルム
1上に形成した半導体薄膜2の表面のうち絶縁性に変換
させたい領域に、前記樹脂の変性物質3であるN−メチ
ルピロリドンを接触させ、樹脂フィルム1の表面のうち
前記領域に相対する部分を変性させた。すると、半導体
薄膜2のうち変性部分4に相対する領域は、前記変性の
影響により絶縁性領域5に変換され、半導体薄膜2に半
導体パターンが形成された。
Description
ス,フォトニクス,バイオエレクトロニクス等において
好適な半導体パターンの形成方法に関する。
無機半導体デバイスに比べて成膜条件がマイルドであ
り、各種基板上に半導体薄膜を形成したり、常温で成膜
したりすることが可能であるため、低コスト化や、ポリ
マーフィルム等に薄膜を形成することによるフレキシブ
ル化が期待されている。
ビニレン,ポリピロール,ポリチオフェン,オリゴチオ
フェンとともに、アントラセン,テトラセン,ペンタセ
ン等のポリアセン化合物を中心とする芳香族化合物が研
究されている。特に、ポリアセン化合物は分子間凝集力
が強いため高い結晶性を有していて、これによって高い
キャリア移動度と、それによる優れた半導体デバイス特
性とを発現することが報告されている。
としては蒸着膜又は単結晶があげられ、トランジスタ,
太陽電池,レーザー等への応用が検討されている(ショ
ーンら,サイエンス,289巻,559頁(2000
年)、サイエンス,287巻,1022頁(2000
年)、ジミトラコポウラスら,ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジクス,80巻,2501頁(1996
年)、ショーンら,ネイチャー,403巻,408頁
(2000年)、クロークら,IEEE・トランザクシ
ョン・オン・エレクトロン・デバイシス,46巻,12
58頁(1999年))。
は、シャドーマスクを用いた方法(クロークら,IEE
E・トランザクション・オン・エレクトロン・デバイシ
ス,46巻,1258頁(1999年))や、二重構造
のフォトレジストによる方法(シェローら,42nd
エレクトロニックマテリアルズカンファレンス,24頁
(2000年))が提案されている。
薄膜のパターニング方法としては、従来のシリコン系半
導体薄膜におけるプロセスで提案されているフォトレジ
ストによるパターニングや、エッチング又はレーザー照
射で半導体薄膜を変性させる方法等があげられる。
有機半導体薄膜のパターニング方法のうちシャドーマス
クを用いた方法は、パターンごとにマスクを作製しなけ
ればならないという問題点を有していた。また、二重構
造のフォトレジストによる方法は、工程数が多いだけで
なく、レジストのパターンを形成した後の半導体薄膜の
エッチング工程やレジスト層の除去工程等が必要である
など、工程が極めて煩雑であるという問題点を有してい
た。
ーニング方法としては、フォトレジスト,マスク等で部
分的に遮蔽した後に、ウェット又はドライのエッチング
やリフトオフ等の方法で半導体薄膜をパターニングする
方法がある。このような方法は、無機半導体においては
加工技術が確立されているものの、有機半導体薄膜や樹
脂基板上に形成された半導体薄膜に適用する場合は、プ
ロセスや加工条件が限定されるという問題や、加工プロ
セスが煩雑で加工時間が長いなどの問題点を有してい
た。
させるとペンタセン薄膜のキャリア移動度が変化するこ
とが報告されているが(グンドラッハら,アプライドフ
ィジクスレター,74巻,3302頁(1999
年))、このような現象を用いた半導体のパターニング
方法は報告されていない。そこで、本発明は、上記のよ
うな従来技術が有する問題点を解決し、基板の表面上の
半導体薄膜に極めて簡便に半導体パターンを形成する方
法を提供することを課題とする。
め、本発明は次のような構成からなる。すなわち、本発
明の半導体パターンの形成方法は、基板の表面上に形成
された半導体薄膜の所定領域を絶縁性に変換することに
より半導体パターンを形成する方法であって、前記基板
の表面の少なくとも一部を樹脂で構成し、溶解,膨潤,
及び反応のうち少なくとも一つによって前記樹脂を変性
させる変性物質を、前記樹脂で構成された部分のうち所
定部分に接触させて、該所定部分を変性させ、前記半導
体薄膜のうち前記所定部分に相対する領域を、前記所定
部分の変性によって絶縁性領域に変換することを特徴と
する。
形成された半導体薄膜に極めて簡便に半導体パターンを
形成することが可能である。また、前記変性によって、
絶縁性領域の表面平滑性を半導体領域に対して変化させ
ることもできるので、パターン部分の識別や素子加工に
応用することが可能である。前記樹脂を溶解により変性
した場合は、基板と半導体薄膜との界面に存在する樹脂
が変性物質に溶解するが、この溶解に伴って半導体薄膜
のうち溶解した樹脂部分に相対する領域に下記のような
現象が生じるため、半導体薄膜の前記領域の導電性が遮
断されて絶縁性領域に変換される。すなわち、前記現象
とは、半導体薄膜の変形、溶解により発生した応力によ
る半導体薄膜の変形、半導体薄膜の破壊、半導体薄膜の
表面(基板と相対する面の反対側の面)への樹脂溶液の
浸出、樹脂溶液からの樹脂の析出等である。
は、基板と半導体薄膜との界面に存在する樹脂が変性物
質により膨潤するが、この膨潤に伴って半導体薄膜のう
ち膨潤した樹脂部分に相対する領域に下記のような現象
が生じるため、半導体薄膜の前記領域の導電性が遮断さ
れて絶縁性領域に変換される。すなわち、前記現象と
は、膨潤に伴う膨張による半導体薄膜の変形及び破壊で
ある。
合は、基板と半導体薄膜との界面に存在する樹脂が変性
物質と反応するが、この反応に伴って半導体薄膜のうち
反応した樹脂部分に相対する領域に下記のような現象が
生じるため、半導体薄膜の前記領域の導電性が遮断され
て絶縁性領域に変換される。すなわち、前記現象とは、
反応に伴う応力の発生による半導体薄膜の変形及び破壊
である。
もよい。変性物質が液体である場合は、グラビア印刷,
スクリーン印刷,インクジェット式印刷,スタンプ式,
スプレー式,スピンコート法,ディップコート法等の慣
用の方法を用いて、前記樹脂で構成された部分のうちの
所定部分に変性物質を接触させ、該所定部分を変性させ
ることができる。ただし、前記樹脂で構成された部分の
全面に変性物質を接触させた後、所定部分に赤外線,可
視光,紫外線,マイクロ波等の輻射エネルギーを照射す
る方法によっても、該所定部分を変性させることができ
る。
用マスクを利用する方法やノズルから噴射する方法等を
用いて、前記樹脂で構成された部分のうちの所定部分に
変性物質を接触させ、該所定部分を変性させることがで
きる。ただし、液体の場合と同様に、前記樹脂で構成さ
れた部分の全面に変性物質を接触させた後、所定部分に
前述のような輻射エネルギーを照射する方法によって
も、該所定部分を変性させることができる。
末の散布又は吹き付け,変性物質を含むスラリーの塗
布,ロール接触,積層,ラミネーション等の方法を用い
て、前記樹脂で構成された部分のうちの所定部分に変性
物質を接触させ、該所定部分を変性させることができ
る。上記のような方法によって半導体薄膜の所定領域を
絶縁性に変換した後には、変性物質の少なくとも一部を
除去してもよい。そうすれば、変性に伴う樹脂の変形が
緩和され、変性物質の二次拡散が防止される。
ば、半導体パターンの形成に伴う半導体薄膜及び基板の
体積変化を抑制することが可能である。前記体積変化が
ほとんどなければ、半導体領域と絶縁性領域との間の表
面段差がほとんど生じず、積層構造を形成した場合に凹
凸の発生を低減又は回避できるため好ましい。従来の半
導体薄膜のパターニング方法では、半導体領域と絶縁性
領域との間に表面段差が発生することが多く、積層構造
を形成する際の該段差の解消が課題となっていた。
理,減圧処理,加熱処理,液体浸漬処理等があげられ
る。これらは単独又は2種以上組み合わせて用いること
ができる。本発明において使用される樹脂の種類は特に
限定されるものではないが、変性物質に溶解又は膨潤し
やすい樹脂としては、例えば、ポリメチルメタクリレー
ト,アクリル樹脂,ポリスチレン,ポリカーボネート,
ポリエチレンテレフタレート,ポリブチレンテレフタレ
ート,環状ポリオレフィン樹脂,ポリエチレンオキシ
ド,ポリプロピレンオキシド,ポリテトラメチレンオキ
シド,ポリフェニレンオキシド,ポリフェニレンスルフ
ィド,ポリウレタン,エポキシ樹脂,シロキサン樹脂,
ポリイミド,ポリアミド,ポリ塩化ビニル,ポリ塩化ビ
ニリデン,ポリフッ化ビニリデン,フッ素樹脂,ポリビ
ニルアルコール,セルロース等があげられる。これらは
単独又は2種以上を組み合わせて(ブレンド又は積層)
用いることができる。
は、例えば、ビニル基,ジエン,水酸基,エステル基,
カルボニル基,カルボン酸基,スルホン酸基,イミド
基,酸無水物基,ハロゲン基等の反応性基を一部に有す
る樹脂があげられる。また、本発明において使用される
変性物質の種類は、使用される樹脂を変性させることが
可能であれば特に限定されるものではない。
物質としては、例えば、樹脂がポリカーボネート樹脂の
場合は、トルエン,キシレン,メシチレン,メチルエチ
ルケトン,アセトン,ハロゲン系炭化水素(ジクロロメ
タン,クロロホルム,クロロベンゼン等),N−メチル
ピロリドン等があげられ、樹脂がポリメチルメタクリレ
ート樹脂の場合は、トルエン,キシレン,メチルエチル
ケトン等があげられる。つまり、使用される樹脂の材質
に応じて、適した溶解性や膨潤性を有する物質を選択す
ればよい。なお、これの変性物質は、単独又は2種以上
を組み合わせて用いることができる。
質としては、例えば、樹脂に浸透可能なモノマーがあげ
られる。モノマーを樹脂の所定部分に接触させ、拡散さ
せた後に、加熱,輻射エネルギーの照射,共存させた重
合開始剤等によりモノマーを重合させれば、樹脂の所定
部分を変性させることができる。この具体例としては、
樹脂としてポリカーボネート樹脂、変性物質としてメチ
ルメタクリレートを用いた例があげられ、ポリカーボネ
ート樹脂にメチルメタクリレートを接触させ、拡散させ
た後に、加熱又は輻射エネルギー(電子線,γ線等)の
照射によりメチルメタクリレートを重合させて、ポリカ
ーボネート樹脂を変性させることができる。
等の重合開始剤を変性物質に混合しておけば、重合効率
を調整することもできる。さらに、加熱又は輻射エネル
ギーの照射の程度を部分的に変化させることにより、樹
脂の変性の程度が異なる部分を生じさせたり、変性の程
度を段階的に変化させたりすることもできる。樹脂の変
性の程度が異なると、半導体薄膜の絶縁性への変換の程
度が変化するので、半導体薄膜に導電性の程度の異なる
部分を形成することが可能である。
を形成することが可能であれば、基板は、その表面の少
なくとも一部が樹脂で構成されていれば問題ない。すな
わち、半導体薄膜の絶縁性領域に相対する部分のみを変
性物質で変性させればよいから、基板の表面のうち絶縁
性領域に相対する部分のみが樹脂で構成されていれば十
分である。この場合には、基板の表面(半導体薄膜と相
対する面)のみが樹脂で構成されていてもよいし(すな
わち、樹脂部分は層状である)、表面から裏面(半導体
薄膜と相対する面の反対側の面)に至るまで樹脂で構成
されていてもよい。もちろん、基板の表面の全面が樹脂
で構成されていてもよいし(すなわち、樹脂部分は層状
である)、基板の全体が樹脂で構成されていてもよい。
合には、半導体薄膜のうち絶縁性に変換させたい領域に
変性物質を接触させれば、変性物質が半導体薄膜を透過
して基板の表面の樹脂部分に至って、該樹脂部分が変性
する。ただし、基板の全体が樹脂で構成されている場合
などのように、基板が変性物質を透過させやすい場合
は、基板の裏面(半導体薄膜と相対する面の反対側の
面)に変性物質を接触させてもよい。そうすれば、変性
物質が基板を透過して表面の樹脂部分に至って、該樹脂
部分が変性する。もちろん、基板の表面及び裏面の両方
に変性物質を接触させてもよく、そうすれば樹脂部分を
変性させる効果が高くなる。
が透過しにくい場合も、上記の基板の裏面に変性物質を
接触させる方法が有効である。しかし、半導体パターン
の形成の容易さを考えると、半導体薄膜に変性物質を接
触させる方法の方が好ましいので、半導体薄膜は変性物
質を透過しやすい方が好ましい。さらに、半導体薄膜上
に非半導体層(電極等としての金属や保護層等としての
絶縁体)が積層されていても、この非半導体層が変性物
質を透過可能な場合や非半導体層がパターン形成される
場合等であれば、半導体薄膜へのパターン形成は可能で
あるので差し支えない。一方、変性物質を遮蔽する非半
導体層を設けて、パターン形成用のマスクとすることも
できる。
半導体薄膜を形成した後に、変性物質による樹脂の変性
を行って半導体パターンを形成することが好ましいが、
変性物質による樹脂の変性を行った後に、変性された樹
脂を表面に有する基板に半導体薄膜を形成することによ
っても、半導体薄膜に半導体パターンを形成することが
できる。もちろん、その両方を行ってもよい。
に限定されるものではなく、有機半導体薄膜,無機半導
体薄膜,及び有機無機ハイブリッド半導体薄膜のいずれ
にも適用可能である。有機半導体の例としては、アント
ラセン,テトラセン,ペンタセン,ヘキサセン,へプタ
セン,ナフトペンタセン,テトラベンゾペンタセン,ジ
フェニルペンタセン,フェニルペンタセン等のポリアセ
ン化合物や、フェナントレン,クリセン,ピセン,フル
ミネン,ピレン,アンタンスレン,ペロピレン,ペリレ
ン,テリレン,クオテリレン,コロネン,ベンゾジコロ
ネン,ヘキサベンゾコロネン,ヘプタフェン,トリナフ
チレン,オバレン,サーカムアントラセン,ビスアンテ
ン,ゼトレン,ヘプタゼトレン,ビフェニル,トリフェ
ニレン,ターフェニル,クォーターフェニル,ヴィオラ
ントレン,イソヴィオラントレン,サーコビフェニル,
ケクレン,ビニルコロネン,ルビセン等の縮合又は非縮
合多環芳香族化合物があげられる。
アルキル基,アルケン基,アルキン基,芳香族基等で置
換した誘導体、同じく炭素原子の一部を窒素,リン,ホ
ウ素,硫黄等のヘテロ原子で置換した誘導体があげられ
る。さらに、ポリチオフェン,ポリフェニレンビニレ
ン,ポリチエニレンビニレン,ポリアニリン等の共役系
高分子及びこれらの誘導体、テトラシアノキノジメタン
及びこの誘導体、テトラチアフルバレン,テトラセレナ
フルバレン及びこの誘導体、電荷移動錯体、フタロシア
ニン、ポルフィリン及びこの誘導体があげられる。
ジウム錫,酸化亜鉛,酸化チタン,チタン酸バリウム等
の酸化物、窒化ガリウム,窒化インジウム,窒化珪素,
ボロンナイトライド等の窒化物、インジウム燐,ガリウ
ム燐等の燐化物、炭化珪素等の炭化物、アモルファスシ
リコン、多結晶シリコン、ゲルマニウム、炭素(フラー
レン,カーボンナノチューブ,グラファイト,ダイヤモ
ンド,不定形炭素等)があげられる。
ーレンやカーボンナノチューブが付加した付加物も、本
発明において使用することができる。さらに、有機無機
ハイブリッド半導体の例としては、ヨウ化錫有機アンモ
ニウム層状化合物があげられる。これらの半導体の薄膜
を形成する方法は、用いる材料及びその特性、さらに利
用する形態などによって適するものが用いられるが、例
えば、真空蒸着法,分子線エピタキシー法(MBE
法),ケミカルビームエピタキシー法(CBE法),化
学蒸着法(CVD法),スパッタリング法,電子線蒸着
法,レーザーアブレージョン法,塗布法,印刷法,電解
析出法等があげられる。
領域と半導体領域との抵抗値の比([絶縁性領域の抵抗
値]/[半導体領域の抵抗値])は、半導体の種類,構
成材料,構造によっても異なるが、素子間のリーク電流
を抑制できるため大きい方が好ましい。好ましくは10
以上、より好ましくは100以上である。本発明の方法
により得られた半導体パターンを有する半導体薄膜を用
いることにより、エレクトロニクス,フォトニクス,バ
イオエレクトロニクス等において有益な半導体素子を製
造することができる。
オード,トランジスタ,薄膜トランジスタ,メモリ,フ
ォトダイオード,発光ダイオード,発光トランジスタ,
ガスセンサー,バイオセンサー,血液センサー,免疫セ
ンサー,人工網膜,味覚センサー等があげられる。そし
て、これらの半導体素子は単独又は複合化,アレイ化し
て用いることができる。複合化又はアレイ化した場合
は、隣接する素子からの電流リークを抑制することがで
きるので好ましい。
成方法の実施の形態を、図1の工程図を参照しながら詳
細に説明する。なお、本実施形態は本発明の一例を示し
たものであって、本発明は本実施形態に限定されるもの
ではない。 〔実施例1〕まず、ポリカーボネート樹脂(アルドリッ
チ社製のビスフェノールAタイプのポリカーボネート樹
脂)の塩化メチレン溶液をガラス板等に塗布した後乾燥
して、基板となる樹脂フィルム1(膜厚80μm)を作
製した。
厚0.05μm)を蒸着させた。その際には、シャドー
マスクを使用することによってパターンを形成して、図
示しない電極(電極パッドのサイズは500μm×20
0μm、電極幅は50μm)を設けた。さらに、その上
に有機半導体であるペンタセンを蒸着することにより、
樹脂フィルム1の表面の全面にペンタセン薄膜(膜厚
0.1μm)を形成して半導体薄膜2とした(図1の
(a)を参照)。
せたい領域に、前記樹脂の変性物質3であるN−メチル
ピロリドン(NMP)を接触させると(図1の(b)を
参照)、変性物質3が半導体薄膜2を透過して樹脂フィ
ルム1の表面に至り、樹脂フィルム1の表面のうち前記
領域に相対する部分が変性(溶解)した(図1の(c)
を参照)。なお、図1の(c)の符号4で示した部分
が、変性物質3による変性部分である。
相対する領域は、前記変性の影響により絶縁性領域5に
変換された(図1の(d)を参照)。このような操作に
より、半導体薄膜2に半導体パターンを形成することが
できる。なお、半導体薄膜2の表面に接触させたNMP
は、接触させてしばらく時間をおいた後に乾燥させても
よい。
(絶縁性領域5)と接触させていない領域との電導度を
測定した結果、前者の電導度は検出限界(3×10-9S
/cm)以下であり、後者の電導度は7×10-7S/c
mであった。また、NMPを接触させた領域及び接触さ
せていない領域の外観はほとんど差がなく、前者の反射
率がわずかに低かった。
させていない領域の境界部分を表面粗さ計(テンコール
社製、アルファステップ)で評価したところ、境界部分
の段差は0.01μm以下であった。また、表面粗さR
aについては、前者が50nmで、後者が10nmであ
った。なお、樹脂フィルム1の裏面に変性物質3を接触
させても、上記と同様に半導体薄膜2に半導体パターン
を形成することができる。すなわち、図2に示すよう
に、裏面に接触させた変性物質3が樹脂フィルム1を変
性させつつ透過して表面に至る(図2の(c)を参
照)。そして、半導体薄膜2のうち変性部分4に相対す
る領域が、前記変性の影響により絶縁性領域5に変換さ
れた(図2の(d)を参照)。
る樹脂フィルム1の変性を行った後に、変性された樹脂
フィルム1の表面に半導体薄膜2を形成することによっ
ても(図3の(c)を参照)、上記と同様に半導体薄膜
2に半導体パターンを形成することができる。 〔実施例2〕まず、ポリ[ オクタヒドロ−5−(メトキ
シカルボニル) −5−メチル−4,7−メタノ−1Hイ
ンデン−1,3−ジイル)−1,2−エタンジイル]
(アルドリッチ社製)のトルエン溶液をガラス板等に塗
布した後乾燥して、基板となる樹脂フィルム1(膜厚1
20μm)を作製した。そして、実施例1と同様に金の
蒸着及びペンタセンの蒸着を行い、半導体薄膜2を形成
した。
変換させたい領域に、前記樹脂の変性物質3であるトル
エンを接触させると、実施例1と同様に、絶縁性領域5
が生じて半導体薄膜2に半導体パターンが形成された。
半導体薄膜2のトルエンを接触させた領域(絶縁性領域
5)と接触させていない領域との電導度を測定した結
果、前者の電導度は検出限界(3×10-9S/cm)以
下で、後者の電導度は2×10-6S/cmであり、トル
エンの接触によりペンタセン薄膜の電導度が低下してい
た。
物質3)のトルエン溶液(濃度は0.1モル/リット
ル)に重合開始剤であるアゾビスイソブチロニトリル
(量はメチルメタクリレートの1モル%)を溶解させ、
さらに窒素バブリングを施した。そして、実施例2にお
いて作製したものと同様の半導体薄膜2を形成した樹脂
フィルム1に対して、以下のようの操作を行った。
性に変換させたい領域に、アルゴンドライボックス中に
おいて、変性物質3を含む前記トルエン溶液を接触させ
ると(図1の(b)を参照)、前記トルエン溶液が半導
体薄膜2を透過して樹脂フィルム1の表面に至る。次
に、ホットプレート上で10分間100℃に加熱すると
メチルメタクリレートが重合して、樹脂フィルム1の表
面のうち前記領域に相対する部分が変性した(図1の
(c)を参照)。そして、半導体薄膜2のうち変性部分
4に相対する領域は、前記変性の影響により絶縁性領域
5に変換された。このような操作により、半導体薄膜2
に半導体パターンが形成された。
せた領域(絶縁性領域5)と接触させていない領域との
電導度を測定した結果、前者の電導度は検出限界(3×
10 -9S/cm)以下で、後者の電導度は2×10-6S
/cmであり、変性物質3の接触によりペンタセン薄膜
の電導度が低下していた。 〔実施例4〕実施例1において作製したものと同様の半
導体薄膜2を形成した樹脂フィルム1に対して、以下の
ようの操作を行った。
性に変換させたい領域に、マイクロシリンジを用いてト
ルエンの液滴(5μリットルの液滴)を滴下した。その
際には、マイクロシリンジを移動させながら滴下し、半
導体薄膜2に線状のトルエン接触領域を形成した。この
ような操作により、実施例1と同様に、絶縁性領域5が
生じて半導体薄膜2に半導体パターンが形成された。
(絶縁性領域5)と接触させていない領域との電導度を
測定した結果、前者の電導度は検出限界(3×10-9S
/cm)以下で、後者の電導度は3×10-6S/cmで
あり、トルエンの接触によりペンタセン薄膜の電導度が
低下していた。 〔実施例5〕実施例1において作製したものと同様のポ
リカーボネート樹脂製の樹脂フィルム1の表面に、スパ
ッタリングにより酸化インジウム錫薄膜(膜厚140n
m)を形成して半導体薄膜2とした。なお、スパッタリ
ングは、圧力0.4Paのアルゴン雰囲気下でのRFス
パッタであり、ターゲットとして酸化錫10質量%を含
有する酸化インジウム焼結体を用いた。
換させたい領域に、前記樹脂の変性物質3であるオルト
ジクロロベンゼンを塗布した後、100℃で乾燥処理す
ると、変性物質3が半導体薄膜2を透過して樹脂フィル
ム1の表面に至り、樹脂フィルム1の表面のうち前記領
域に相対する部分が変性(溶解)した(図1の(c)を
参照)。
相対する領域は、前記変性の影響により絶縁性領域5に
変換された。このような操作により、半導体薄膜2に半
導体パターンが形成された。半導体薄膜2のオルトジク
ロロベンゼンを接触させた領域(絶縁性領域5)と接触
させていない領域との表面抵抗を測定した結果、前者の
表面抵抗値は1.5Mオーム/□であり、後者の表面抵
抗値は60オーム/□であった。すなわち、抵抗値が4
桁以上変化していた。
せた領域とオルトジクロロベンゼンを接触させていない
領域の一部とに、トルエンを塗布し120℃で乾燥し
た。そして表面抵抗を測定した結果、オルトジクロロベ
ンゼンとトルエンの両方を接触させた領域の表面抵抗値
は約2Mオーム/□で、トルエンのみを接触させた領域
の表面抵抗値は120オーム/□であった。また、オル
トジクロロベンゼンとトルエンのいずれも接触させてい
ない領域の表面抵抗値は、65オーム/□であった。
の形成方法によれば、基板の表面上の半導体薄膜に極め
て簡便に半導体パターンを形成することができる。
ある。
図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 基板の表面上に形成された半導体薄膜の
所定領域を絶縁性に変換することにより半導体パターン
を形成する方法であって、 前記基板の表面の少なくとも一部を樹脂で構成し、 溶解,膨潤,及び反応のうち少なくとも一つによって前
記樹脂を変性させる変性物質を、前記樹脂で構成された
部分のうち所定部分に接触させて、該所定部分を変性さ
せ、 前記半導体薄膜のうち前記所定部分に相対する領域を、
前記所定部分の変性によって絶縁性領域に変換すること
を特徴とする半導体パターンの形成方法。 - 【請求項2】 前記半導体薄膜の所定領域を絶縁性に変
換した後に、前記変性物質の少なくとも一部を除去する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体パターンの形
成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002157495A JP2003347400A (ja) | 2002-05-30 | 2002-05-30 | 半導体パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003347400A true JP2003347400A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29773335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2003347400A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005321326A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機無機ハイブリッドガスセンサ材料及びその製造方法 |
JP2007096055A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2007142195A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
JP2014013912A (ja) * | 2004-11-03 | 2014-01-23 | Merck Patent Gmbh | 有機電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2017005269A (ja) * | 2009-03-06 | 2017-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-05-30 JP JP2002157495A patent/JP2003347400A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005321326A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機無機ハイブリッドガスセンサ材料及びその製造方法 |
JP4691687B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2011-06-01 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 有機無機ハイブリッドガスセンサ材料及びその製造方法 |
JP2014013912A (ja) * | 2004-11-03 | 2014-01-23 | Merck Patent Gmbh | 有機電界効果トランジスタの製造方法 |
JP2007096055A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2007142195A (ja) * | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体薄膜、及びその製造方法、並びに薄膜トランジスタ、アクティブマトリックス駆動表示パネル |
JP2017005269A (ja) * | 2009-03-06 | 2017-01-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
US9991396B2 (en) | 2009-03-06 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10236391B2 (en) | 2009-03-06 | 2019-03-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10700213B2 (en) | 2009-03-06 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11309430B2 (en) | 2009-03-06 | 2022-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US11715801B2 (en) | 2009-03-06 | 2023-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
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