JP2003332230A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の冷却処理に要する時間がスループット
の低下に与える影響を極力減らすことができる基板処理
装置及び基板処理方法を提供すること。 【解決手段】 第１の主ウエハ搬送部Ａ１及び第２の主
ウエハ搬送部Ａ２の周囲に１０段の各熱処理ユニット部
Ｇ３〜Ｇ５、５段の各塗布処理ユニット部Ｇ１及びＧ２
を配置し、該熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５においては温
調・搬送装置ＣによりウエハＷを温調しながらウエハＷ
の搬送を行うことにより、基板の冷却処理に要する時間
がスループットの低下に与える影響を極力減らすことが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハ上にレジスト液を塗布し、現像する塗布現像処理装置
等の基板処理装置及び例えばこのような装置に適用され
る基板処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造におけるフ
ォトレジスト処理工程においては、半導体ウェハ（以
下、「ウェハ」という。）等の基板はパターンの露光が
行われた後、加熱処理後に温調処理され、次いで現像処
理される。このような一連の処理には、従来から塗布現
像処理装置が使用されている。

【０００３】この塗布現像処理装置には、ウェハの塗布
現像処理に必要な一連の処理、例えば、レジスト液の塗
布を行うレジスト塗布処理、露光処理後のウェハを加熱
する加熱処理、この加熱処理後のウェハを温調する温調
処理、さらにこの温調処理が終わったウェハに現像処理
を施す現像処理等を個別に行う各種処理装置が備えられ
ている。そして、各処理装置に対するウェハの搬入出及
び各処理装置間のウェハの搬送は主搬送装置により行わ
れている。

【０００４】ところで、このような主搬送装置による各
部に対する搬送だけでは、主搬送装置にかかる負担が大
きくなり、装置全体のスループットの低下を招くおそれ
がある。

【０００５】そこで、例えば特開平８‐１６２５１４号
公報には、連続プロセス処理を行うための処理部のうち
所定の処理部により処理部群が構成され、これらの処理
部群にはそれぞれ基板受渡し位置が設けられ、この基板
受渡し位置と処理部群を構成する処理部との間で副搬送
ロボットが基板を搬送する一方、処理部群を構成する処
理部以外の処理部と、処理部群の基板受渡し位置との間
で主搬送ロボットが基板を搬送する技術が開示されてい
る。これにより搬送装置の負担を軽減し、スループット
の向上を図ることができる。

【０００６】例えば、露光処理と現像処理との間では加
熱処理の後に温調処理が行われるが、温調処理に要する
時間が長くなり、スループットを低下させる傾向にある
が、上記のように開示された技術によれば負担の軽減し
た副搬送ロボットが加熱処理を行う処理部と温調処理を
行う処理部との間で基板を搬送するために加熱処理の終
了から現像処理の開始までの時間を短縮し、温調処理に
要する時間がスループットの低下に与える影響を減らす
ことができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
公報に開示された技術では、温調処理に要する実際の時
間は従来と何ら変わりがないため、温調処理に要する時
間がスループットの低下に与える影響を減らすことには
限界がある。

【０００８】また、上記の公報に開示された技術では、
副搬送ロボットを介して加熱処理を行う処理部や温調処
理を行う処理部に基板が搬入される構成となっているた
め、加熱処理前や温調処理前の基板の熱履歴にばらつき
を生じ、精密な温度での処理が行えない、という問題が
ある。特に、最近では加熱プレートや温調プレートを薄
くして温度変更に迅速に対応する傾向にあり、そのよう
な場合に熱履歴にばらつきがある基板が投入されると加
熱プレートや温調プレートの温度が乱れ、精密な温度で
の基板処理が困難になっている。

【０００９】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、基板の温調処理に要する時間を実質的に低減
することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供
することを目的としている。

【００１０】本発明の別の目的は、基板の熱的処理や温
調処理をより精密に行うことができる基板処理装置及び
基板処理方法を提供することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板処理装置は、基板を搬送するための主
搬送部と、基板に熱的処理を施すための処理部と、基板
を所定の温度に調整し、かつ前記主搬送部と前記処理部
との間で基板を搬送するための温調・搬送部とを具備す
る。

【００１２】本発明の基板処理装置は、前記処理部及び
前記温調・搬送部を囲繞すると共に、前記主搬送部と前
記温調・搬送部との間で基板の受け渡しを行うための開
口部を有する筐体を更に具備する。

【００１３】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
ための主搬送部と、基板に熱的処理を施すための第１の
処理部と、基板に熱的処理を施すための第２の処理部
と、基板を所定の温度に調整し、かつ前記主搬送部と前
記第１の処理部と前記第２の処理部との間で基板を搬送
するための温調・搬送部とを具備し、前記第１の処理部
と前記第２の処理部と前記温調・搬送部が直線状に配置
されている。

【００１４】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
部、前記第２の処理部及び前記温調・搬送部を囲繞する
と共に、前記主搬送部と前記温調・搬送部との間で基板
の受け渡しを行うための開口部を有する筐体を更に具備
することを特徴とする基板処理装置。

【００１５】本発明の基板処理装置は、基板を所定の温
度に調整する温調部と、基板に熱的処理を施すための処
理部と、少なくとも前記温調部との間で基板の受け渡し
を行うための主搬送部と、前記温調部と前記処理部との
間で基板を搬送するための副搬送部とを具備する。

【００１６】本発明の基板処理装置は、前記温調部及び
前記副搬送部を囲繞すると共に、前記主搬送部と前記温
調部との間で基板の受け渡しを行うための開口部を有す
る筐体を更に具備する。

【００１７】本発明の基板処理装置は、基板を所定の温
度に調整する温調部と、基板に熱的処理を施すための第
１の処理部と、基板に熱的処理を施すための第２の処理
部とが直線状に配置され、更に、少なくとも前記温調部
との間で基板の受け渡しを行うための主搬送部と、前記
温調部と前記第１の処理部と前記第２の処理部との間で
基板を搬送するための副搬送部とを具備する。

【００１８】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
部、前記第２の処理部、前記温調部及び前記副搬送部を
囲繞すると共に、前記主搬送部と前記温調部との間で基
板の受け渡しを行うための開口部を有する筐体を更に具
備する。

【００１９】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
ための主搬送部と、基板に熱的処理を施すための処理部
と、基板を所定の温度に調整し、かつ前記処理部との間
で基板を搬送するための温調・搬送部と、昇降可能で、
上昇した状態で前記主搬送部との間で基板の受け渡しを
行い、下降した状態で前記温調・搬送部との間で基板の
受け渡しを行う複数の昇降ピンとを具備する。

【００２０】本発明の基板処理装置は、前記処理部、前
記温調・搬送部及び前記昇降ピンを囲繞すると共に、前
記主搬送部と前記昇降ピンとの間で基板の受け渡しを行
うための開口部を有する筐体を更に具備する。

【００２１】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
ための主搬送部と、基板に熱的処理を施すための第１の
処理部と、基板に熱的処理を施すための第２の処理部
と、基板を所定の温度に調整し、かつ前記第１の処理部
と前記第２の処理部との間で基板を搬送するための温調
・搬送部と、昇降可能で、上昇した状態で前記主搬送部
との間で基板の受け渡しを行い、下降した状態で前記温
調・搬送部との間で基板の受け渡しを行う複数の昇降ピ
ンとを備え、前記第１の処理部と前記第２の処理部と前
記温調・搬送部と前記昇降ピンとが直線状に配置されて
いる。

【００２２】本発明の基板処理装置は、請求項１１に記
載の基板処理装置において、前記第１の処理部、前記第
２の処理部、前記温調・搬送部及び前記昇降ピンを囲繞
すると共に、前記主搬送部と前記昇降ピンとの間で基板
の受け渡しを行うための開口部を有する筐体を更に具備
する。

【００２３】本発明の基板処理装置は、前記開口部を開
閉するためのシャッター機構を更に具備する。

【００２４】本発明の基板処理装置は、前記基板に所定
の液を供給するための液供給部を更に有し、前記主搬送
部は、前記液供給部との間で基板の受け渡しを行う。

【００２５】本発明の基板処理装置は、前記筐体は、上
下方向に多段に配置されている。

【００２６】本発明の基板処理装置は、前記液供給部
は、上下方向に多段に配置されている。

【００２７】本発明の基板処理装置は、前記主搬送部
は、基板を保持するアームと、前記アームを前後に進退
駆動するための進退駆動機構と、前記アームを回転する
ための回転駆動機構と、前記アーム、前記進退駆動機構
及び前記回転駆動機構を一体的に上下方向に駆動する垂
直搬送機構とを具備する。

【００２８】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理
ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開
口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を
行う第１の及び第２の主搬送部とを備え、前記処理ユニ
ットが、基板に熱的処理を施すための処理部と、基板を
所定の温度に調整し、かつ前記各開口部を介して前記第
１及び第２の主搬送部との間で、更に前記処理部との間
で基板を搬送するための温調・搬送部とを具備する。

【００２９】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理
ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開
口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を
行う第１の及び第２の主搬送部とを備え、前記処理ユニ
ットが、基板に熱的処理を施すための第１の処理部と、
基板に熱的処理を施すための第２の処理部と、基板を所
定の温度に調整し、かつ前記開口部を介して前記第１及
び第２の主搬送部と間で、更に前記第１の処理部と前記
第２の処理部との間で基板を搬送するための温調・搬送
部とを具備し、前記第１の処理部と前記第２の処理部と
前記温調・搬送部が直線状に配置されている。

【００３０】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理
ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開
口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を
行う第１の及び第２の主搬送部とを備え、前記処理ユニ
ットが、前記開口部を介して前記第１及び第２の主搬送
装置との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板を所定
の温度に調整する温調部と、基板に熱的処理を施すため
の処理部と、前記温調部と前記処理部との間で基板を搬
送するための副搬送部とを具備する。

【００３１】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理
ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開
口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を
行う第１の及び第２の主搬送部とを備え、前記処理ユニ
ットが、前記開口部を介して前記第１及び第２の主搬送
部との間で基板の受け渡しを行うと共に、基板を所定の
温度に調整する温調部と、基板に熱的処理を施すための
第１の処理部と、基板に熱的処理を施すための第２の処
理部と、前記温調部と前記第１の処理部と前記第２の処
理部との間で基板を搬送するための副搬送部とを備え、
前記温調部、前記第１の処理部及び前記第２の処理部が
直線状に配置されている。

【００３２】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理
ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開
口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を
行う第１の及び第２の主搬送部とを備え、前記処理ユニ
ットが、基板に熱的処理を施すための処理部と、基板を
所定の温度に調整し、かつ前記処理部との間で基板を搬
送するための温調・搬送部と、昇降可能で、上昇した状
態で前記開口部を介して前記第１の及び第２の主搬送部
との間で基板の受け渡しを行い、下降した状態で前記温
調・搬送部との間で基板の受け渡しを行う複数の昇降ピ
ンとを具備する。

【００３３】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための開口部を両側に有する処理ユニットと、前記処理
ユニットの各開口部に対面するように配置され、前記開
口部を介して前記処理ユニットとの間で基板の搬入出を
行う第１の及び第２の主搬送部とを備え、前記処理ユニ
ットが、基板に熱的処理を施すための第１の処理部と、
基板に熱的処理を施すための第２の処理部と、基板を所
定の温度に調整し、かつ前記第１の処理部と前記第２の
処理部との間で基板を搬送するための温調・搬送部と、
昇降可能で、上昇した状態で前記開口部を介して前記第
１の及び第２の主搬送部との間で基板の受け渡しを行
い、下降した状態で前記温調・搬送部との間で基板の受
け渡しを行う複数の昇降ピンとを備え、前記第１の処理
部と前記第２の処理部と前記温調・搬送部と前記昇降ピ
ンとが直線状に配置されている。

【００３４】本発明の基板処理装置は、前記処理ユニッ
トが、上下方向に多段に配置されている。

【００３５】本発明の基板処理装置は、前記第１又は第
２の搬送部との間で基板の受け渡しが可能な位置に配置
され、前記基板に所定の液を供給するための液供給部を
更に有する。

【００３６】本発明の基板処理装置は、請求項２５に記
載の基板処理装置において、前記液供給部が、上下方向
に多段に配置されている。

【００３７】本発明の基板処理装置は、前記第１又は第
２の主搬送部との間で基板の受け渡しが可能な位置に配
置され、前記基板に対して検査を行う検査部を更に有す
る。

【００３８】本発明の基板処理装置は、前記検査部が、
上下方向に多段に配置されている。

【００３９】本発明の基板処理装置は、前記検査部が、
基板に対してミクロ的な検査を行う。

【００４０】本発明の基板処理装置は、前記第１の主搬
送部における前記処理ユニットと対面する面の反対側に
更に前記処理ユニットが配置されている。

【００４１】本発明の基板処理装置は、前記処理ユニッ
トにおける前記第１又は第２の主搬送部と対面する面の
反対側に、処理前後の基板を一旦受け入れて保持する受
け入れ部が更に配置されている。

【００４２】本発明の基板処理装置は、前記受け入れ部
に配置され、前記基板に対して検査を行う検査部を更に
有する。

【００４３】本発明の基板処理装置は、前記検査部が、
基板に対してマクロ的な検査を行うことを特徴とする基
板処理装置。

【００４４】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
ための主搬送部と、前記主搬送部の周囲に配置され、少
なくとも基板に対して熱的処理を施す処理ユニットと、
前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供
給する液供給ユニットと、前記液供給ユニットが前記処
理ユニット及び前記主搬送部よりも陽圧で、且つ、前記
主搬送部と前記処理ユニットとがほぼ等しい気圧となる
ように制御する手段とを具備する。

【００４５】本発明の基板処理装置は、前記主搬送部、
前記処理ユニット及び前記液供給ユニットが、それぞれ
別個の筐体内に配置され、前記各筐体は、それぞれ基板
の受け渡しを行うための開口部を有し、前記各筐体間で
隣接する開口部間を繋ぐ通路は、囲繞部材により囲繞さ
れている。

【００４６】本発明の基板処理装置は、前記囲繞部材と
少なくとも一方の前記筐体との間には微小な隙間が設け
られている。

【００４７】本発明の基板処理装置は、前記気圧制御手
段は、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給
ユニットに対してそれぞれ、気体を供給する気体供給部
と、気体を排気する気体排気部と、気圧を計測する気圧
計測部とを備え、前記計測された気圧に基づき前記気体
供給部により供給される気体の量及び前記気体排気部に
より排気される気体の量のうち少なくとも一方を制御す
る。

【００４８】本発明の基板処理装置は、前記処理ユニッ
トは、上下方向に多段に配置され、各処理ユニット毎
に、前記気体供給部、前記気体排気部及び前記気圧計測
部を備える。

【００４９】本発明の基板処理装置は、前記主搬送部、
前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体のうち
少なくとも１つには、内部保守に用いる開閉可能なドア
ーが設けられ、前記気圧制御手段は、前記ドアーが開か
れたとき、筐体内の気圧を高めるように制御する。

【００５０】本発明の基板処理装置は、前記主搬送部、
前記処理ユニット及び前記液供給ユニットの筐体を全体
的に囲繞すると共に、内部保守に用いる開閉可能なパネ
ルが設けられた外側筐体を更に有し、前記気圧制御手段
は、前記パネルが開かれたとき、外側筐体内の気圧を高
めるように制御する。

【００５１】本発明の基板処理装置は、前記ドアー又は
前記パネルが開かれたときだけ作動する気体供給部が更
に前記筐体内又は前記外部筐体内に設けられている。

【００５２】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
ための主搬送部と、前記主搬送部の周囲に配置され、基
板上に所定の液を供給する液供給ユニットと、前記主搬
送部の周囲に配置された処理ユニットと、前記主搬送
部、前記液供給ユニット及び前記処理ユニットの温調又
は湿度管理をそれぞれ別個に行うユニット温調手段とを
具備し、前記処理ユニットは、前記主搬送部と隣接する
ように配置され、基板を所定の温度に調整する温調部
と、前記主搬送部に対して前記温調部が介在するように
配置され、基板に対して熱的処理を施す処理部とを具備
する。

【００５３】本発明の基板処理装置は、前記処理部は温
調機構により覆われている。

【００５４】本発明の基板処理装置は、前記温調部と前
記処理部との間に開閉可能な熱遮蔽板が配置されてい
る。

【００５５】本発明の基板処理装置は、前記処理ユニッ
トは、上下方向に多段に配置され、前記ユニット温調手
段は、前記各処理ユニット毎に別個に温調又は湿度管理
する。

【００５６】本発明の基板処理装置は、前記液供給ユニ
ットは、上下方向に多段に配置され、前記ユニット温調
手段は、前記各液供給ユニット毎に別個に温調又は湿度
管理する。

【００５７】本発明の基板処理装置は、前記液供給ユニ
ットに対して前記液を供給するための液供給機構を更に
有し、前記ユニット温調手段は、前記液供給機構も温調
又は湿度管理する。

【００５８】本発明の基板処理装置は、前記液供給機構
は、前記液供給ユニットの下方に配置されている。

【００５９】本発明の基板処理装置は、前記液供給ユニ
ットは、前記液供給ユニットに対して前記液を供給する
ための液供給機構に代用可能である。

【００６０】本発明の基板処理装置は、基板に対して熱
的処理を施す処理部及び基板を所定の温度に調整する温
調部とを有する処理ユニットが上下方向に多段に配置さ
れた処理ユニット群と、前記処理ユニット群の一方側に
配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な
垂直搬送型の第１の主搬送装置と、前記第１の主搬送装
置の周囲に配置され、基板上に所定の液を供給する第１
の液供給ユニットと、前記処理ユニット群の他方側に配
置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能な垂
直搬送型であると共に所定の平面方向に移動可能な第２
の主搬送装置と、前記第２の主搬送装置の平面移動方向
に沿って配置され、基板上に所定の液を供給する複数の
第２の液供給ユニットとを具備する。

【００６１】本発明の基板処理装置は、前記第１及び第
２の液供給ユニットが、上下方向に多段に配置されてい
る。

【００６２】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
基板搬送装置と、前記基板搬送装置の両側及び前面に配
置された処理ユニットとを備え、少なくとも一側の前記
処理ユニットは垂直方向に多段に配置され、前記基板搬
送装置は、前記各ユニットに対して基板の受け渡しがで
きる垂直搬送型であり、かつ、前記基板搬送装置を垂直
方向に対して支持する支持部材が前面に配置された前記
処理ユニット側に取り付けられている。

【００６３】本発明の基板処理装置は、基板を受け渡す
ための第１及び第２の開口部を両側に有する第１の処理
ユニットと、前記第１の処理ユニットの各開口部に対面
するように配置され、前記各開口部を介して前記第１の
処理ユニットとの間で基板の搬入出を行う第１の及び第
２の搬送装置と、前記各開口部を開閉する第１及び第２
のシャッター部材と、前記第１の開口部が開いていると
き、前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター
部材の開閉を制御する手段とを具備する。

【００６４】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニットが、基板に熱的処理を施すための熱的処理部
と、基板を所定の温度に調整する温調部と、を具備す
る。

【００６５】本発明の基板処理装置は、前記第１及び及
び第２の搬送装置は、囲繞部材により囲まれて実質的に
外部から遮蔽されている。

【００６６】本発明の基板処理装置は、基板の受け渡し
を行うための搬送装置と、前記搬送装置と隣接するよう
に配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すため
のそれぞれ第１及び第２の開口部を第１及び第２の処理
ユニットと、前記各開口部を開閉する第１及び第２のシ
ャッター部材と、前記第１の開口部が開いているとき、
前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材
の開閉を制御する手段とを具備する。

【００６７】本発明の基板処理装置は、前記第１の処理
ユニットが、基板を温調又は加熱するためのユニットで
あり、前記第２の処理ユニットが、基板に所定の液を供
給するためのユニットである。

【００６８】本発明の基板処理装置は、前記第１及び及
び第２の搬送装置は、囲繞部材により囲まれて実質的に
外部から遮蔽されている。

【００６９】本発明の基板処理装置は、基板の受け渡し
を行うための搬送装置と、前記搬送装置と隣接するよう
に配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すため
のそれぞれ第１及び第２の開口部を第１及び第２の処理
ユニットと、前記各開口部を開閉する第１及び第２のシ
ャッター部材と、前記第１の開口部が開いているとき、
前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッター部材
の開閉を制御する手段とを具備する。

【００７０】本発明の基板処理装置は、基板を搬送する
主搬送装置と、前記主搬送装置の前面側に隣接するよう
に配置され、前記主搬送装置との間で基板の受け渡しを
行うと共に、基板に対して所定の液を供給する第１の処
理ユニットと、前記主搬送装置の一側面側に隣接するよ
うに配置され、前記主搬送装置との間で基板の受け渡し
を行うと共に、基板を所定の温度に調整する温調部及び
基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処理
ユニットとを備え、前記第２の処理ユニットの前記温調
部は前記主搬送装置と隣接するように配置され、前記加
熱部は前記温調部と隣接し、且つ、前記主搬送装置の背
面側に突き出るように配置されている。

【００７１】本発明の基板処理装置は、基板に対して少
なくともレジスト塗布処理及び現像処理を行う処理部
と、前記処理部と露光装置との間に配置され、前記処理
部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うインタ
フェース部とを備え、前記インタフェース部が、前記処
理部と隣接して配置された第１のインタフェース部及び
前記第１のインタフェース部と前記露光装置との間に配
置された第２のインタフェース部を有し、前記第１のイ
ンタフェース部は、前記処理部と前記第２のインタフェ
ース部との間で基板を受け渡すための第１の搬送手段を
有し、前記第２のインタフェース部は、前記第１のイン
タフェース部と前記露光装置との間で基板を受け渡すた
めの第２の搬送手段を有することを特徴とする。

【００７２】本発明の基板処理方法は、基板を処理部で
熱的処理を施す工程と、前記熱的処理の施された基板を
温調・搬送部により所定の温度に調整しながら、基板を
搬送するための主搬送部へ受け渡す工程とを具備する。

【００７３】本発明の基板処理方法は、前記主搬送部か
ら前記温調・搬送部へ基板を受け渡す工程と、前記温調
・搬送部により基板を所定の温度に調整しながら、前記
処理部へ基板を搬送する工程とを更に具備する。

【００７４】本発明の基板処理方法は、基板を搬送する
ための主搬送部から温調・搬送部へ基板を受け渡す工程
と、前記温調・搬送部により基板を所定の温度に調整し
ながら、処理部へ基板を搬送する工程と、前記搬送され
た基板を処理部で熱的処理を施す工程とを具備する。

【００７５】本発明の基板処理方法は、昇降可能で、上
昇した状態で前記主搬送部との間で基板の受け渡しを行
い、下降した状態で前記温調・搬送部との間で基板の受
け渡しを行う複数の昇降ピンを介して、前記主搬送部と
前記温調・搬送部との間で基板の受け渡しを行う工程を
更に具備する。

【００７６】本発明では、基板が温調・搬送部を介して
処理部から主搬送部へ受け渡されるので、この段階で基
板はある程度温調される。従って、その後、主搬送部か
ら温調部に基板が受け渡された場合に、温調部における
温調時間は短縮される。よって、基板の温調処理に要す
る時間を実質的に低減することができる。

【００７７】また、本発明では、基板が温調・搬送部を
介して熱的処理を施すための処理部へ搬送されるまでの
間、基板は温調・搬送部により温調処理を施されて一定
の温度に整えられるので、常に一定の温度の基板が熱的
処理を施すための処理部へ投入される。一方、基板が温
調・搬送部を介して処理部から主搬送部へ搬送されるま
での間も、基板は温調・搬送部により温調処理を施され
て一定の温度に整えられるので、その後、主搬送部から
温調部に基板が受け渡された場合に、常に一定の温度の
基板が温調部へ投入される。従って、基板の熱的処理や
温調処理をより精密に行うことができる。

【００７８】本発明では、前記処理部及び前記温調・搬
送部を囲繞すると共に、前記主搬送部と前記温調・搬送
部との間で基板の受け渡しを行うための開口部を有する
ので、主搬送部が処理部から熱的影響を受けることがな
くなり、主搬送部により基板が所望の温度状態で搬送さ
れる。従って、基板の熱的処理や温調処理をより精密に
行うことができる。また、基板への液供給処理も所望の
温度で行うことができる。

【００７９】本発明では、第１の処理部と第２の処理部
と温調・搬送部が直線状に配置されているので、例えば
温度の異なる熱処理、更には温調処理を効率良く連続的
に行うことができ、スループットの向上を図ることがで
きる。

【００８０】本発明では、前記昇降ピンにより上昇した
状態で前記主搬送部との間で基板の受け渡しを行い、下
降した状態で前記温調・搬送部との間で基板の受け渡し
を行うようにしたので、主搬送部と温調・搬送部との間
での基板の受け渡しをスペースを無駄にすることなく効
率よく行うことができる。

【００８１】本発明では、前記開口部を開閉するための
シャッター機構を更に具備することにより、熱処理系の
ユニットと主搬送部との間でのパーティクルの流入出や
相互の熱的干渉を最小限に抑えることができる。

【００８２】本発明では、前記基板に所定の液を供給す
るための液供給部を更に有し、前記主搬送部は、前記液
供給部との間で基板の受け渡しを行うように構成したの
で、基板に対して熱的処理を行う処理部と前記液供給部
との間に少なくとも主搬送部及び温調・搬送部が介在す
ることになる。従って、処理部が液供給部に与える熱的
影響を極力抑えることができる。

【００８３】本発明では、前記主搬送部が、アーム、進
退駆動機構及び回転駆動機構を一体的に上下方向に駆動
する垂直搬送機構を有するので、回転方向へのイナーシ
ャの低減を図ることができ、また消費電力の低減を図る
ことができる。

【００８４】本発明では、前記第１又は第２の主搬送部
との間で基板の受け渡しが可能な位置又は前記受け入れ
部に配置され、前記基板に対して検査を行う検査部を更
に有することで、基板処理の工程内で基板の検査を効率
良く行うことができる。

【００８５】本発明では、前記液供給ユニットが前記処
理ユニット及び前記主搬送部よりも陽圧で、且つ、前記
主搬送部と前記処理ユニットとがほぼ等しい気圧となる
ように制御しているので、液供給ユニットに対してパー
ティクル等が流入することがなくなり、液供給ユニット
でのパーティクル等に起因する不良を低減することがで
きる。

【００８６】特に、前記主搬送部、前記処理ユニット及
び前記液供給ユニットが、それぞれ別個の筐体内に配置
され、前記各筐体は、それぞれ基板の受け渡しを行うた
めの開口部を有し、前記各筐体間で隣接する開口部間を
繋ぐ通路は、囲繞部材により囲繞されるように構成する
ことで、上記圧力管理を効率よく且つ精密に行うことが
できる。

【００８７】また、特に、前記囲繞部材と少なくとも一
方の前記筐体との間には微小な隙間が設けられているこ
とにより、ユニットの設置等を効率良く行うことができ
る。

【００８８】また、前記気圧制御手段は、前記主搬送
部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニットに対して
それぞれ、気体を供給する気体供給部と、気体を排気す
る気体排気部と、気圧を計測する気圧計測部とを備え、
前記計測された気圧に基づき前記気体供給部により供給
される気体の量及び前記気体排気部により排気される気
体の量のうち少なくとも一方を制御するように構成する
ことで、各ユニット毎に精密に気圧の管理を行うことが
できる。

【００８９】本発明では、前記主搬送部、前記処理ユニ
ット及び前記液供給ユニットの筐体のうち少なくとも１
つには、内部保守に用いる開閉可能なドアーが設けら
れ、前記気圧制御手段は、前記ドアーが開かれたとき、
筐体内の気圧を高めるように制御するように構成するこ
とで、或いは、前記主搬送部、前記処理ユニット及び前
記液供給ユニットの筐体を全体的に囲繞すると共に、内
部保守に用いる開閉可能なパネルが設けられた外側筐体
を更に有し、前記気圧制御手段は、前記パネルが開かれ
たとき、外側筐体内の気圧を高めるように制御するよう
に構成することで、保守の際にパーティクル等が装置内
に流入することを防止することができる。

【００９０】本発明では、前記主搬送部と隣接するよう
に温調部を配置し、前記主搬送部に対して前記温調部が
介在するように処理部を配置し、更に前記主搬送部、前
記液供給ユニット及び前記処理ユニットの温調又は湿度
管理をそれぞれ別個に行うように構成したことで、各ユ
ニット毎に効率良く且つ精密に温調又は湿度管理を行う
ことができる。特に、前記処理部が温調機構により覆わ
れるように構成することで、処理部が他の部位に熱的影
響を与えることを低減することができる。また特に、前
記温調部と前記処理部との間に開閉可能な熱遮蔽板を配
置するように構成することで、処理部が温調部、更には
搬送部や液供給ユニットに熱的影響を与えることが少な
くなる。

【００９１】本発明では、前記温調手段が前記液供給機
構も温調又は湿度管理するように構成することで、液供
給ユニットでの液の温度管理等を正確に行うことができ
る。

【００９２】本発明では、前記液供給ユニットは、前記
液供給ユニットに対して前記液を供給するための液供給
機構に代用可能となるように構成することで、スペース
を有効活用でき、しかも前記液供給ユニットの温調等を
利用できるので、液の温度管理等を効率良く行うことが
できる。

【００９３】本発明では、前記処理ユニット群の他方側
に配置され、前記各処理ユニットに対してアクセス可能
な垂直搬送型であると共に所定の平面方向に移動可能な
第２の主搬送装置を有することで、無駄なスペースをな
くし、フットプリントを最適化することができる。

【００９４】本発明では、前記基板搬送装置が、前記各
ユニットに対して基板の受け渡しができる垂直搬送型で
あり、かつ、前記基板搬送装置を垂直方向に対して支持
する支持部材が前面に配置された前記処理ユニット側に
取り付けられているので、処理ユニット側の反対側から
の基板搬送装置に対するメンテナンスを容易に行うこと
ができる。

【００９５】本発明では、前記第１の処理ユニットの前
記第１の開口部が開いているとき、前記第２の開口部が
閉じるように各開口部に設けられた各シャッター部材の
開閉を制御するように構成したので、第１の処理ユニッ
トがいわばロードロック室的に機能し、第１の処理ユニ
ットの両側に配置された搬送装置間でのパーティクル等
の流入出を極力回避することができる。

【００９６】本発明では、前記第１の処理ユニットの前
記第１の開口部が開いているとき、前記第２の処理ユニ
ットの前記第２の開口部が閉じるように前記各シャッタ
ー部材の開閉を制御するように構成したので、第１の処
理ユニットと第２の処理ユニットとの間でのパーティク
ル等の流入出を極力回避することができる。

【００９７】本発明では、板に対して所定の液を供給す
る第１の処理ユニットが主搬送装置の前面側に隣接する
ように配置され、基板に対して温調処理を行う温調部及
び基板に対して加熱処理を行う加熱部を有する第２の処
理ユニットにおける温調部は主搬送装置と隣接するよう
に配置され、更に加熱部は温調部と隣接し、且つ、前主
搬送装置の背面側に突き出るように配置されているの
で、主搬送装置及び温調部が加熱部と第１の処理ユニッ
トとの間に介在する断熱領域として機能し、加熱部から
第１の処理ユニットに対する熱的影響を極力回避するこ
とができる。

【００９８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。

【００９９】図１〜図３は本発明の一実施例による基板
処理装置の全体構成を示す図であって、図１は平面図、
図２は正面図および図３は背面図である。

【０１００】この基板処理装置１は、被処理基板として
半導体ウエハＷをウエハカセットＣＲで複数枚たとえば
２５枚単位で外部からシステムに搬入し又はシステムか
ら搬出したり、ウエハカセットＣＲに対して半導体ウエ
ハＷを搬入・搬出したりするための受け入れ部としての
カセットステーション１０と、塗布現像工程の中で１枚
ずつ半導体ウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン１２と、この処理ステーション１２と隣接して設け
られる露光装置（図示せず）との間で半導体ウエハＷを
受け渡しするためのインタフェース部１４とを一体に接
続した構成を有している。

【０１０１】カセットステーション１０では、図１に示
すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に
複数個たとえば５個のウエハカセットＣＲがそれぞれの
ウエハ出入口を処理ステーション１２側に向けてＸ方向
一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）およびウ
エハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方
向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２２が各ウエハ
カセットＣＲに選択的にアクセスするようになってい
る。さらに、このウエハ搬送体２２は、θ方向に回転可
能に構成されており、図３に示すように後述する多段構
成とされた第３の処理ユニット部Ｇ３に属する熱処理系
ユニットにもアクセスできるようになっている。

【０１０２】図１に示すように処理ステーション１２
は、装置背面側（図中上方）において、カセットステー
ション１０側から第３の処理ユニット部Ｇ３、第４の処
理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユニット部Ｇ５がそれ
ぞれ配置され、これら第３の処理ユニット部Ｇ３と第４
の処理ユニット部Ｇ４との間には、第１の主搬送部とし
ての第１の主ウエハ搬送部Ａ１が設けられている。この
第１の主ウエハ搬送部Ａ１は、後述するように、この第
１の主ウエハ搬送体１６が第１の処理ユニット部Ｇ１、
第３の処理ユニット部Ｇ３及び第４の処理ユニット部Ｇ
４等に選択的にアクセスできるように設置されている。
また、第４の処理ユニット部Ｇ４と第５の処理ユニット
部Ｇ５との間には第２の主搬送部としての第２の主ウエ
ハ搬送部Ａ２が設けられ、第２の主ウエハ搬送部Ａ２
は、この第２の主ウエハ搬送体１７が第２の処理ユニッ
ト部Ｇ２、第４の処理ユニット部Ｇ４及び第５の処理ユ
ニット部Ｇ５等に選択的にアクセスできるように設置さ
れている。

【０１０３】また、第１の主ウエハ搬送部Ａ１の背面側
には熱処理ユニットが設置されており、例えばウエハＷ
を疎水化処理するためのアドヒージョンユニット（Ａ
Ｄ）１１０、ウエハＷを加熱する加熱ユニット（ＨＰ）
１１３が図３に示すように下方から順に2段ずつ重ねら
れている。アドヒージョンユニット（ＡＤ）はウエハＷ
を温調する機構を更に有する構成としてもよい。第２の
主ウエハ搬送部Ａ２の背面側には、ウエハＷのエッジ部
のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）１２０
及びウエハＷに塗布されたレジスト膜厚を検査する検査
部としての検査装置１１９が設けられている。これら周
辺露光装置（ＷＥＥ）１２０や検査装置１１９は多段に
配置しても構わない。また、第２の主ウエハ搬送部Ａ２
の背面側は、第１の主ウエハ搬送部Ａ１の背面側と同様
に熱処理ユニットが配置構成される場合もある。

【０１０４】図３に示すように、第３の処理ユニット部
Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行う
オーブン型の処理ユニット、例えばウエハＷに所定の加
熱処理を施す第１の熱処理ユニットである高温度熱処理
ユニット（ＢＡＫＥ）、ウエハＷに精度の良い温度管理
化で加熱処理を施す高精度温調ユニット（ＣＰＬ）、ウ
エハ搬送体２２から主ウエハ搬送体１６へのウエハＷの
受け渡し部となるトランジションユニット（ＴＲＳ）、
温調ユニット（ＴＣＰ）が上から順に例えば１０段に重
ねられている。なお、第３の処理ユニット部Ｇ３におい
て、本実施形態では下から３段目はスペアの空間として
設けられている。第４の処理ユニット部Ｇ４でも、例え
ば第４の熱処理ユニットとしてポストベーキングユニッ
ト（ＰＯＳＴ）、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理
を施す第２の熱処理ユニットであるプリベーキングユニ
ット（ＰＡＢ）、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）が上か
ら順に例えば１０段に重ねられている。更に第５の処理
ユニット部Ｇ５でも、例えば露光後のウエハＷに加熱処
理を施す第３の熱処理ユニットとしてポストエクスポー
ジャーベーキングユニット（ＰＥＢ）、高精度温調ユニ
ット（ＣＰＬ）が例えば上から順に１０段に重ねられて
いる。

【０１０５】図１において処理ステーション１２の装置
正面側（図中下方）には、第１の処理ユニット部Ｇ１と
第２の処理ユニット部Ｇ２とがＹ方向に併設されてい
る。この第１の処理ユニット部Ｇ１とカセットステーシ
ョン１０との間、及び第２の処理ユニット部Ｇ２とイン
ターフェース部１４との間には、各処理ユニット部Ｇ１
及びＧ２に供給する処理液の温調に使用される液温調ポ
ンプ２４，２５がそれぞれ設けられており、更に、この
処理システム外に設けられた図示しない空調器からの清
浄な空気を各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５内部に供給する
ためのダクト３１、３２が設けられている。

【０１０６】図２に示すように、第１の処理ユニット部
Ｇ１では、カップＣＰ内で半導体ウエハＷをスピンチャ
ックに載せて所定の処理を行う液供給ユニットとしての
５台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）が３段、及び露光時の光の反射を防止
するために反射防止膜を形成するボトムコーティングユ
ニット（ＢＡＲＣ）が２段、下方から順に５段に重ねら
れている。また第２の処理ユニット部Ｇ２でも同様に、
５台のスピンナ型処理ユニット、例えば現像ユニット
（ＤＥＶ）が下方から順に５段に重ねられている。レジ
スト塗布ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機
構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、こ
のように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に
応じて上段に配置することも可能である。

【０１０７】以上の第１〜第５の処理ユニット部Ｇ１〜
Ｇ５や、アドヒージョンユニット１１０、加熱ユニット
（ＨＰ）１１３、露光処理装置（ＷＥＥ）１２０、検査
装置１１９は各メンテナンスのために取り外しが可能と
なっており、更に処理ステーション１２の背面側のパネ
ル４０（図１）も取り外し又は開閉可能に取り付けられ
ている。

【０１０８】また、第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１
及びＧ２の最下段には、各処理ユニット部Ｇ１及びＧ２
に上述した所定の処理液を供給する液供給機構としての
ケミカル室（ＣＨＭ）２６，２７がそれぞれ設けられて
いる。

【０１０９】なお、カセットステーション１０の下方部
にはこの基板処理装置１のシステム全体を制御する集中
制御部８が設けられている。

【０１１０】インタフェース部１４の正面部には可搬性
のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセッ
トＢＲが２段に配置され、中央部にはウエハ搬送体２７
が設けられている。このウエハ搬送体２７は、Ｘ，Ｚ方
向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲにアクセスするよう
になっている。また、ウエハ搬送体２７は、θ方向に回
転可能に構成され、第５の処理ユニット部Ｇ５にもアク
セスできるようになっている。更に、図３に示すように
インタフェース部１４の背面部には、高精度温調ユニッ
ト（ＣＰＬ）が複数設けられ、例えば上下２段とされて
いる。ウエハ搬送体２７はこの温調ユニット（ＣＰＬ）
にもアクセス可能になっている。

【０１１１】次に図４〜図１０を参照して主搬送部とし
ての第１の主ウエハ搬送部Ａ１の構成について説明す
る。なお、第２の主ウエハ搬送部Ａ２は第１の主ウエハ
搬送部Ａ１と同一であるのでその説明を省略する。

【０１１２】図４において主ウエハ搬送部Ａ１は、筐体
４１及びこの筐体４１の背面側において開閉可能に取り
付けられたドア３８により囲繞されており、図５におい
て説明をわかりやすくするため、筐体４１及びドア３８
の図示を省略している。このドア３８にはアドヒージョ
ンユニット（ＡＤ）１１０にアクセスできるように、ま
た第２の主ウエハ搬送部Ａ２の場合は周辺露光装置１２
０及び検査装置１１９にアクセスできるように窓３８ａ
が形成されている。筐体４１にも外部とアクセスできる
ように、正面と側面に窓４１ｂ及び４１ａがそれぞれ設
けられている。正面の窓４１ｂは、５段に配設された第
１の処理ユニット部Ｇ１との間でウエハＷの受け渡しを
行うために５つ（図５）設けられており、一方、側面の
窓４１ａは図６に示すように、１０段に配設された第３
及び第４の処理ユニット部Ｇ４との間でウエハＷの受け
渡しを行うために１０個設けられている。必要に応じて
これの窓を増やすことも減らすことも可能である。ま
た、筐体４１の両側面には、第３及び第４の処理ユニッ
ト部Ｇ３、Ｇ４との間を繋ぐ囲繞部材４４が、該処理ユ
ニット部Ｇ３及びＧ４に対して微小な隙間ｕをおいてそ
れぞれ取り付けられている。この隙間ｕはパーティクル
の発生及び侵入を抑制できる距離であって、例えば０．
５ｍｍとしている。この囲繞部材４４の処理ユニット部
Ｇ３、Ｇ４側はそれぞれ衝撃吸収性のパッキン３０を有
し、また図６に示すようにこのパッキン３０にもそれぞ
れ対応した窓３０ａがそれぞれ形成されている。また、
囲繞部材内に各々の窓３０ａを仕切るように仕切板３４
が各々設けられている。

【０１１３】また、図４において第１及び第２の処理ユ
ニット部Ｇ１及びＧ２側の筐体４１´に設けられた５つ
の開口部９７に対応する部分にも、囲繞部材４４と同様
な構成の囲繞部材４４´が、主ウエハ搬送部A１（A２）
と微小な隙間u（例えば０．５ｍｍ）をおいて取り付け
られている。

【０１１４】第１の主ウエハ搬送部Ａ１の底部には、こ
の内部の気圧及び温湿度をコントロールするファン３６
が例えば４つ設けられている。これらのファン３６は集
中制御部８（図２）により運転が制御されるようになっ
ている。

【０１１５】図４及び図５を示すように、筐体４４内の
第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２側には鉛直
のポール３３が設置されており、このポール３３の一方
の内部には、その上端部及び下端部に図７に示すように
一対のプーリ５１，５２が取り付けられ、これらのプー
リ５１，５２間に垂直駆動手段である無端ベルト４９が
掛け渡されている。この垂直駆動ベルト４９にベルトク
ランプ４７を介して第１の主ウエハ搬送体１６の支持部
４５が接続されている。また、図４及び図５に示すよう
に支持部４５にはフランジ部４５ａが設けられており、
このフランジ部４５ａは両ポール３３にそれぞれ形成さ
れたスリーブ３３ａに摺動可能に係合している。下部プ
ーリ５２は、ポール３３の底部に固定配置された駆動モ
ータＭの回転軸Ｍａに接続され、駆動プーリを構成して
いる。このような垂直ベルト駆動機構及び垂直摺動機構
により、主ウエハ搬送体１６は駆動モータＭの駆動力で
垂直方向に昇降移動できるようになっている。

【０１１６】以上の昇降機構は他方のポール３３にも同
様に設置されているが、この他方ポール３３においては
駆動モータＭはなくてもよい。

【０１１７】主ウエハ搬送体１６は、その支持部４５に
はモータ５０が内蔵されており、このモータ５０にはθ
方向（図５）に回転可能な回転ロッド４６が連結され、
この回転ロッド４６の上端には３本のアーム７ａ、７ｂ
及び７ｃの基端となるアーム基端部５５が固定されてい
る。

【０１１８】図８は、主ウエハ搬送体１６を図４の状態
において正面側から見た図である。アーム基端部５５の
先端部両側には垂直部材９５が取り付けられ、これら垂
直部材９５には、上段アーム７ａと中段アーム７ｂとの
間に両アームからの放射熱を遮る遮蔽板９が取り付けら
れ、更にこれら垂直部材９５間をかけわたす取付部材９
６が取り付けられている。この取付部材９６の中央及び
アーム基端部５５の先端には一対の光学的センサ９４が
設けられ、これにより各アーム上のウエハＷの有無、及
びウエハＷのはみ出しが確認される。

【０１１９】図９は主ウエハ搬送体１６の基端部５５の
構成を示す断面図、図１０は図９における［１０］−
［１０］線断面図である。各アーム７ａ〜７ｃのアーム
基端部には、アーム支持板５４がそれぞれ固定されてい
る。これらアーム支持板５４は、断面Ｌ字状に形成さ
れ、各アーム支持板５４には、基端部５５のベース５５
ａ上に敷設されたレール６１に沿ってアーム長手方向に
移動可能なアームキャリッジ５６がそれぞれ固着取付さ
れている。

【０１２０】各アームキャリッジ５６の下部には、各レ
ール６１に摺動可能に係合したガイド６２がそれぞれ設
けられている。また、各アームキャリッジ５６の内側面
は、アーム原位置（ベース５５の基端部５５ｂ）付近に
それぞれ配設されたプーリ６３とアーム往動端位置（ベ
ース５５の先端部５５ｃ）付近にそれぞれ設けられたプ
ーリ６４との間にそれぞれ掛け渡された各駆動ベルト６
５に、それぞれベルトクランプ６６を介して固着されて
いる。各プーリ６３はそれぞれ軸受６７を介してプーリ
６８にそれぞれ同軸結合され、これら各プーリ６８はそ
れぞれ駆動ベルト６９を介してそれぞれプーリ７０に連
結され、これら各プーリ７０はそれぞれ駆動モータ６０
の回転軸に固着されている。

【０１２１】各モータ６０の回転軸が回転すると、各プ
ーリ７０、各駆動ベルト６９、各プーリ６８を介して各
プーリ６３が回転し、各プーリ６３の回転駆動によって
各駆動ベルト６５が駆動し、各駆動ベルト６５と一緒に
各アームキャリッジ５６が各レール６１上をそれに沿っ
て移動するようになっており、その移動方向は各モータ
６０の回転方向によって決まる。なお、これら各モータ
は、当然にそれぞれ独立して駆動するようになってお
り、各アーム７ａ〜７ｂはそれぞれ独立して移動可能に
なっている。

【０１２２】以上のような主ウエハ搬送体１６の構成に
より各アーム７ａ〜７ｂはθ方向に回転可能となり、
Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動可能となって上述したように各処
理ユニット部Ｇ１、Ｇ３及びＧ４にアクセス可能とな
る。

【０１２３】次に図１１〜図１３を参照して、第４の処
理ユニット部Ｇ４、第５の処理ユニット部Ｇ５に属する
１０段のうちのプリベーキングユニット（ＰＡＢ）、ポ
ストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）、
ポストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）について説明す
る。これらの各ベーキングユニットは処理温度が相違す
るだけである。

【０１２４】図１１に示すように、このような熱処理ユ
ニットは筐体７５内に、システム正面側に熱処理装置
Ｈ、背面側に温調・搬送装置Ｃを有している。熱処理装
置Ｈには、円筒形の支持体８８内に適当な断熱材を介し
て、電熱線８６ｂにより加熱されるホットプレート８６
が設けられている。支持体８８の下方にはウエハＷの受
け渡しを行うための３本のピン８５が駆動装置８２によ
り昇降可能に設置されており、この３本のピン８５はホ
ットプレート８６に形成された貫通穴８６ａに埋没して
配置されている。

【０１２５】一方、温調・搬送装置Ｃは、Ｘ方向に沿っ
て配設された例えば2本の案内レール７７に沿ってそれ
ぞれ移動可能なスライダ７９ａ、７９ｂが設けられ、こ
れらスライダ７９ａ、７９ｂにそれぞれ取り付けられた
連結部材７８、７８を介して、温調・搬送プレート７１
が固定されている。温調・搬送プレート７１の下方には
ウエハＷの受け渡しを行うための昇降ピン８４が駆動装
置により昇降可能に設置されている。温調・搬送プレー
ト７１には、その下方に埋没している各昇降ピン８４が
上昇可能なように切欠き７１ａが形成されている。この
温調機構としては例えば冷却水等を使用してウエハＷの
温度を所定の温度、例えば４０℃に調整して温度制御が
行われる。一方のスライダ７９ａには図示しない駆動装
置、例えばエアやモータによる駆動装置が設けられてお
り、他方のスライダ７９ｂには動作位置認識のための図
示しないセンサが設けられている。

【０１２６】筐体７５の正面側（図中左方）には、後述
する気圧コントロールのためのエアの流路７５ｃが形成
されており、この流路７５ｃはファン８７ａを介して温
調・搬送装置Ｃ側に連通している。またこの流路７５ｃ
は図示しないが鉛直方向（Ｚ方向）に最上段から最下段
まで通じている。また、熱処理装置Ｈ側における筐体７
５の両側面においてもファン８７ｂがそれぞれ設置され
て、排気口７５ｄが形成され、同じく最上段から最下段
まで通じている。

【０１２７】更にこの筐体７５の温調・搬送装置Ｃ側の
一方の側面部分には、例えば第４の処理ユニット部Ｇ４
に関しては、第１の主ウエハ搬送部Ａ１との間でウエハ
Ｗの受け渡しを行うために、開口部７５ａが設けられて
おり、他方の側面部分には、第２の主ウエハ搬送部Ａ２
の窓４１ａに対向するように開口部７５ｂが設けられて
いる。これら開口部７５ａ、７５ｂにはそれぞれ開閉自
在のシャッタ７６ａ、７６ｂが設けられている。シャッ
タ７６ａ、７６ｂは集中制御部８のもと図示を省略した
駆動部により開閉動作が行われるようになっている。

【０１２８】図１３は第４の処理ユニット部Ｇ４（第５
の処理ユニット部Ｇ５）全体の側断面図であり、熱処理
装置Ｈ側の両側面部分には図示するように、第４の処理
ユニット部Ｇ４（第５の処理ユニット部Ｇ５）外部への
熱拡散を抑制し、装置内雰囲気の温度の上昇を抑えるた
めに、冷却水を流通させる温調パイプ９０が最上段から
最下段まで設けられ、図示しないが処理ユニット部Ｇ４
（Ｇ５）の下方部に設けられたポンプに接続されてい
る。

【０１２９】次に図１４を参照して、すべての熱処理系
のユニット（第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５）
に属する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）について説明す
る。これについては、上記したプリベーキングユニット
（ＰＡＢ）等における温調・搬送装置Ｃが高精度温調装
置Ｃ２に置き代わり、熱処理装置Ｈがない構成となって
いるので、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）等におけ
る構成要素と同一のものについては同一の符号を付すも
のとし、その説明を省略する。

【０１３０】この高精度温調装置Ｃ２は、円筒形の支持
体１３１内に高精度温調プレート１３３が設けられてい
る。この高精度温調プレート１３３では図示しないが、
例えばペルチェ素子を使用し、フィードバック制御によ
りウエハＷの温度を所定の温度、例えば２３℃に調整し
て精密な温度制御が行えるようになっている。支持体１
３３の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための３本の
昇降ピン８５が駆動装置８２により昇降可能に設置され
ており、この昇降ピン８５は高精度温調プレート１３３
に形成された貫通穴１３３ａに埋没して配置されてい
る。

【０１３１】次に図１５を参照して、第３の処理ユニッ
ト部Ｇ３に属する高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）の
構成について説明する。なおプリベーキングユニット
（ＰＡＢ）等における構成要素と同一のものについては
同一の符号を付すものとし、その説明を省略する。

【０１３２】筐体７５内のシステム正面側には温調装置
Ｃ１が配置され、この温調装置Ｃ１は円筒形の支持体１
６１内に温調プレート１６３が設けられている。この温
調プレート１６３の温度制御は上記プリベーキングユニ
ット（ＰＡＢ）等と同様に例えば冷却水等を使用して行
われている。一方、背面側にはプリベーキングユニット
（ＰＡＢ）等における熱処理装置Ｈよりも更に高温度で
加熱処理する熱高温度熱処理装置ＨＨが配置されてい
る。この高温度熱処理装置ＨＨの構成は熱処理装置Ｈと
同様に、円筒形の支持部材８８に適当な断熱材を介し
て、高温度ホットプレート１１２が設けられている。支
持部材８８の下方にはウエハＷの受け渡しを行うための
３本のピン８５が駆動装置８２により昇降可能に設置さ
れており、この３本のピン８５はそれぞれのホットプレ
ート１１２に形成された貫通穴１１２ａに埋没して配置
されている。

【０１３３】これら温調装置Ｃ１と高温度熱処理装置Ｈ
Ｈとの距離を、プリベーキングユニット（ＰＡＢ）等に
おける温調・搬送装置Ｃと熱処理装置Ｈとの距離に比べ
て、大きく設定しているのは、高温度熱処理装置ＨＨの
高温度による熱処理の影響が、温調装置Ｃ１の温調処理
に悪影響を及ぼさないようにするためである。

【０１３４】これら温調装置Ｃ、高温度熱処理装置ＨＨ
の側方には、案内レール１１８がＸ方向に延設されてお
り、この案内レール１１８に沿って図示しない駆動装置
により移動可能なようにウエハＷを搬送する副搬送部と
してのサブアーム１１５が設けられている。このサブア
ーム１１５は、１対のハンド１１５ａ、１１５ａを有し
ている。

【０１３５】第４及び第５の処理ユニット部Ｇ４及びＧ
５の下方２段に属する温調ユニット（ＴＣＰ）の詳細構
成については図示しないが、上述の高精度温調ユニット
（ＣＰＬ）と同様の構成をしており、この温調ユニット
（ＴＣＰ）の温調機構としては冷却水やペルチェ素子等
を使用して温度制御が行われる。例えば、この場合のペ
ルチェ素子の数は高精度温調プレート１３３のペルチェ
素子の数より少ない。

【０１３６】図１６に第３の処理ユニット部Ｇ３に属す
るトランジションユニット（ＴＲＳ）を示す。これは他
の熱処理ユニットと異なり、熱処理系の装置等（例えば
温調装置Ｃ１）がなく、昇降ピン８５とそれを昇降駆動
させる駆動装置があるのみである。このトランジション
ユニット（ＴＲＳ）においてその他の構成要素は高精度
温調ユニット（ＣＰＬ）等と同様である。また、上述し
た第３の処理ユニット部Ｇ３に属するスペアの空間も図
示はしないが、トランジションユニット（ＴＲＳ）と同
様に、他の処理ユニットとのウエハＷの受け渡しのため
に、昇降ピンとそれを昇降駆動させる駆動装置があるの
みである。

【０１３７】なお、図１１〜図１６に示した加熱処理系
の装置Ｈ及びＨＨに関して、これらのホットプレート８
６及び１１２上には、図示を省略しているがウエハＷに
加熱処理を施す際の開閉自在のチャンバーカバーが設け
られている。

【０１３８】次に図１７及び図１８に示すレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）の構成を説明する。

【０１３９】このユニットでは、筐体４１´の上方に後
述するエアコントロールのためのファン・フィルタユニ
ットＦが取り付けられており、下方においては筐体４１
´のＹ方向の幅より小さいユニット底板１５１の中央付
近に環状のカップＣＰが配設され、その内側にスピンチ
ャック１４２が配置されている。このスピンチャック１
４２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態
で、駆動モータ１４３の回転駆動力で回転するように構
成されている。カップＣＰの中には、ウエハＷを受け渡
しする際のピン１４８が駆動装置１４７により昇降可能
に設けられ、また廃液用のドレイン口１４５が設けられ
ている。、このドレイン口に廃液管１４１が接続され、
この廃液管１４１はユニット底板１５１と筐体４１´と
の間の空間Ｎを利用して下方の図示しない廃液口へ通じ
ている。廃液管１４１ａは複数設けられるレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）にそれぞれ接続される。そのため各
廃液管１４１ａはこの処理ユニット部に図示のごとく１
列に配列されている。

【０１４０】一方、反対側（図１７において右方）の、
筐体４１´とユニット底板との間の空間Ｌにより、後述
する気圧コントロールのためのエアの流路が形成されて
おり、このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の下段にあ
る他のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）のファン・フィ
ルタユニットＦが見えている。

【０１４１】ウエハＷのウエハ表面にレジストを供給す
るためのノズル１３５は、供給管１３４を介してケミカ
ル室（ＣＨＭ）２６（図２）内の液供給機構（図示せ
ず）に接続されている。ノズル１３５は、カップＣＰの
外側に配設されたノズル待機部１４６でノズルスキャン
アーム１３６の先端部に着脱可能に取り付けられ、スピ
ンチャック１４２の上方に設定された所定のレジスト吐
出位置まで移送されるようになっている。ノズルスキャ
ンアーム１３６は、ユニット底板１５１の上に一方向
（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール１４４上で水平移
動可能な垂直支持部材１４９の上端部に取り付けられて
おり、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材
１４９と一体にＹ方向で移動するようになっている。

【０１４２】ノズルスキャンアーム１３６は、ノズル待
機部１４６でノズル１３５をレジストの種類により選択
的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移動可
能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方向に
も移動するようになっている。

【０１４３】更にカップＣＰとノズル待機部１４６との
間には、ドレインカップ１３８が設けられており、この
位置においてウエハＷに対するレジストの供給に先立ち
ノズル１３５の洗浄が行われるようになっている。

【０１４４】ガイドレール１４４上には、上記したノズ
ルスキャンアーム１３６を支持する垂直支持部材１４９
だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１３９を支持
しＹ方向に移動可能な垂直支持部材も設けられている。
リンスノズルスキャンアーム１３９の先端部にはサイド
リンス用のリンスノズル１４０が取り付けられている。
Ｙ方向駆動機構（図示せず）によってリンスノズルスキ
ャンアーム１３９及びリンスノズル１４０は、カップＣ
Ｐの側方に設定されたノズル待機位置（実線の位置）と
スピンチャック１４２に載置されているウエハＷの周縁
部の真上に設定されたリンス液吐出位置（点線の位置）
との間で並進または直線移動するようになっている。

【０１４５】次に図１９及び図２０に示す現像ユニット
（ＤＥＶ）の構成を説明する。この現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）において、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）におけ
る構成と同一のものについては同一の符号を付すものと
し、その説明を省略する。

【０１４６】ウエハＷのウエハ表面に現像液を供給する
ためのノズル１５３は、ウエハＷの直径より少し長く、
図示しないが現像液を吐出する孔が複数形成されてい
る。カップＣＰの側方にはノズル待機部１５４が設けら
れ、ここにはウエハＷの表面に現像液を洗い流すための
リンス液を供給するためのリンスノズル１５５を備えて
いる。このリンスノズル１５５は、ノズル１５３と同様
な構成をしている。また、このノズル待機部１５４で
は、ノズル１３５の先端で乾燥劣化した現像液を廃棄す
るために、定期的または必要に応じてダミーディスペン
スが行われるようになっている。

【０１４７】なお、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の
ノズルスキャンアーム１３６はＸ方向にも移動可能であ
ったが、この現像ユニット（ＤＥＶ）のノズルスキャン
アームはガイドレール１４４に沿ってＹ方向の移動のみ
となっている。

【０１４８】また、ボトムコーティングユニット（ＢＡ
ＲＣ）についてはレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）にお
ける塗布液を反射防止膜材料に代えただけなので、ここ
ではその構成の説明を省略する。

【０１４９】次に、以上説明した基板処理装置１の一連
の動作を図２１に示すフロー図を参照しながら説明す
る。

【０１５０】先ず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前
のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスして、
そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出す
（Ｓ１）。ウエハ搬送体２２は、カセットＣＲより半導
体ウエハＷを取り出すと、θ方向に１８０°回動し、第
３の処理ユニット部Ｇ３における温調ユニット（ＴＣ
Ｐ）の開口部７５ａのシャッタ７６ａ（図１１、図１
２）が開き、ウエハ搬送体２２のハンドが開口部７５ａ
より筐体７５内にウエハＷが挿入され、温調プレート上
に載置される。そして所定の温調処理（第１温調）が行
われる（Ｓ２）。

【０１５１】温調ユニット（ＴＣＰ）での温調処理が終
了すると、反対側の開口部７５ｂが開き、そこから第１
の主ウエハ搬送体１６の上段アーム７ａが挿入されてウ
エハＷが該アーム７ａに受け渡される。そして主ウエハ
搬送体１６は図４において反時計回りに９０°回動し、
第１の処理ユニット部Ｇ１に属するボトムコーティング
ユニット（ＢＡＲＣ）のシャッタ４３が開いて、上段ア
ーム７ａが筐体内に挿入され、ウエハＷは所定の位置に
載置されて反射防止膜の形成が行われる（Ｓ３）。この
ように温調系の処理ユニットから塗布系の処理ユニット
（Ｇ１及びＧ２）へのウエハＷの搬送は上段アーム７ａ
のみで行い、後述する加熱処理後の搬送は中段アーム７
ｂ又は下段アーム７ｃで行うことにより、ウエハＷへの
熱影響を最小限に抑えることができる。

【０１５２】ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）
における所定の塗布処理が終了すると、シャッタ４３が
開いて中段アーム７ｂ（又は下段アーム７ｃ）が挿入さ
れてウエハＷが受け渡され、中段アームは元の位置（筐
体４１内）に収まる。そしてウエハＷは加熱ユニット
（ＨＰ）１１３に搬送され、第１の前段階の加熱処理が
施される（Ｓ４）。この加熱温度は例えば１２０℃であ
る。

【０１５３】次に図１５に示す高温度熱処理ユニット
（ＢＡＫＥ）において、シャッタ７６ｂが開き、図１５
に示すシャッタ７６が開き、ウエハＷが載置された第１
の主ウエハ搬送体Ａ１の中段アーム７ｂ（又は下段アー
ム７ｃ）がＹ方向に温調装置Ｃ１の直上位置まで移動
し、温調装置Ｃ１における昇降ピン１２７が上昇し、サ
ブアーム１１５の高さよりも高い位置で該ピン１２７上
にウエハＷが載置された後、中段アーム７ｂは元の位置
に収まるとともに、シャッタ７６が閉じる。このときサ
ブアーム１１５は、主ウエハ搬送体１６の動作の妨げと
ならないようにユニット中央付近に待機している。そし
て待機していたサブアーム１１５が温調装置Ｃ１上に移
動する。そして昇降ピン１２７がウエハＷを載せた状態
で下降してウエハＷはサブアーム１１５に受け渡され
る。

【０１５４】ウエハＷを受け取ったサブアーム１１５
は、Ｘ方向に背面側に移動して、同様に昇降ピンの駆動
により次工程である高温度熱処理装置ＨＨのホットプレ
ート１１２上に載置されて所定の第１の後段階の加熱処
理を行う（Ｓ５）。この加熱処理は例えば２３０゜Ｃで
所定時間だけ加熱される。

【０１５５】そして高温度熱処理装置ＨＨにより所定の
熱処理が終了すると、ウエハＷはサブアーム１１５によ
り温調装置Ｃ１まで移動されて、昇降ピン１２７を介し
温調プレート１６３上に載置されて所定の温度に調整さ
れる（Ｓ６）。

【０１５６】そしてウエハＷは第１の主ウエハ搬送体１
６により、高温度熱処理ユニット（ＢＡＫＥ）から第１
の主ウエハ搬送部Ａ１へ搬送され、ここから第４の処理
ユニット部Ｇ４に属する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）
へ同様の動作で搬送される。そしてここで例えば温度２
３℃で所定の温調処理が行われる（第２温調）（Ｓ
７）。

【０１５７】そして温調処理が終了すると、図１７に示
すシャッタ４３が開き、第１の処理ユニット部Ｇ１に属
するレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ搬送され、レジ
スト液の塗布処理が行われることになる（Ｓ８）。

【０１５８】このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）で
は、ウエハＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されてく
ると、まず、ピン１４８が上昇してウエハＷを受け取っ
た後下降して、ウエハＷはスピンチャック１４２上に載
置されて真空吸着される。そしてノズル待機部に待機し
ていたノズル１３５がノズルスキャンアーム１３６及び
ガイドレール１４４の機構により図１７で示すウエハＷ
の中心位置の上方まで移動する。そしてウエハＷ中心に
所定のレジスト液の塗布が行われた後に、駆動モータ１
４３により例えば１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転
させて、その遠心力でレジスト液をウエハＷ全面に拡散
させることによりレジスト液の塗布が完了する。

【０１５９】続いて第４の処理ユニット部Ｇ４における
プリベーキングユニット（ＰＡＢ）のシャッタ７６ｂが
開き、図２２（a）に示すように、ウエハＷを載せた中
段アーム７ｂがＹ方向に温調・搬送プレート７１の直上
位置まで移動し、続いて同図（ｂ）に示すように昇降ピ
ン８４が上昇し、ピン上にウエハＷが載置された後、中
段アーム７ｂは元の位置に収まるとともに、シャッタ７
６ｂが閉じ、同図（ｃ）に示すように昇降ピン８４が下
降してウエハＷは温調・搬送プレート７１上に載置され
る（Ｓ９）。なお、この図２２(ａ)〜(ｃ)の間は、熱処
理装置Ｈにおけるチャンバーカバー１７０は閉じた状態
にある。

【０１６０】そして図２３（ａ）に示すように、チャン
バーカバー１７０が上方に開とされ、ウエハＷを載せた
温調・搬送プレート７１が背面側へ、ホットプレート８
６の直上位置まで移動し、続いて同図（ｂ）に示すよう
にピン８５が上昇してピン上にウエハＷが載置された
後、温調・搬送プレート７１は元の位置に収まるととも
に、同図（ｃ）に示すようにピン８５が下降してウエハ
Ｗはホットプレート８６上に載置され、チャンバーカバ
ー１７０が下降して閉とされ、所定の第２の加熱処理
（ＰＡＢ）が行われる（Ｓ１０）。これによって、半導
体ウエハＷ上の塗布膜から残存溶剤が蒸発除去される。

【０１６１】この熱処理装置Ｈにより所定の加熱処理が
終了すると、図２３に示した動作と逆の動作を行う。す
なわちホットプレート８６から温調・搬送装置Ｃにより
温調・搬送プレート７１にウエハＷを載置させて正面側
へ戻る。このとき温調・搬送装置Ｃは加熱後のウエハＷ
の温度を例えば４０℃で調整しながら（ウエハＷを温調
しながら）正面側へ移動する（Ｓ１１）。これにより加
熱処理から温調処理までの処理時間を短縮させることが
でき、スループットの向上が図ることができる。

【０１６２】そして図２２で説明した動作と逆の動作
で、ウエハＷは今度は第２の主ウエハ搬送体１７により
温調・搬送装置Ｃ上から取り出され、続いて図４に示す
ドア３８の窓３８ａを通過して膜厚検査部１１９・周辺
露光ユニット部１２０へ搬送される。ここで所定の膜厚
検査、基板周辺露光処理が行われた後（Ｓ１２）、再び
第２の主ウエハ搬送体１７により第５の処理ユニット部
Ｇ５の温調・搬送装置Ｃの昇降ピン８４を介して、ウエ
ハ搬送体２７によりインターフェース部１４（Ｓ１３）
から図示しない露光装置へ搬送される（Ｓ１５）。この
場合ウエハＷは、露光装置へ渡される前に、バッファカ
セットＢＲに一時的に格納されることもある。そしてそ
の後インターフェース部１４の高精度温調ユニット（Ｃ
ＰＬ）１３０により所定の温調処理が行われる（Ｓ１
４）。また、上記膜厚検査では、直接肉眼で見る検査で
はなく検査機器によりミクロ的な検査を行うユニットで
あり、膜厚検査の他にも例えばパーティクル等の異物検
査や表面検査等をも行う。これに関しては例えば全ての
ウエハＷを検査するのではなく適宜行うようにしてもよ
い。

【０１６３】そして露光処理が終了すると、ウエハＷは
再びインターフェース部１４を介して、ウエハ搬送体２
７により第５の処理ユニット部Ｇ５に属するポストエク
スポージャーベーキングユニット（ＰＥＢ）へ搬送され
るわけであるが、この場合もＳ９〜Ｓ１１で説明した動
作と同様の動作により、ウエハ搬送体２７から温調・搬
送装置Ｃへ搬送され（Ｓ１６）、温調・搬送装置Ｃから
熱処理装置Ｈへ搬送され、熱処理装置Ｈにより加熱処理
が行われ（第３加熱）（Ｓ１７）、温調・搬送装置Ｃに
より例えば約４０℃で所定の温度に調整しながら搬送さ
れ（Ｓ１８）、第２の主ウエハ搬送部Ａ２における第２
の主ウエハ搬送体１７によりウエハＷが取り出される。

【０１６４】次に第５の処理ユニット部Ｇ５に属する高
精度温調ユニット（ＣＰＬ）により例えば２３℃で温調
処理が行われ（第４温調）（Ｓ１９）、その後、主ウエ
ハ搬送体１７により第２の処理ユニット部Ｇ２に属する
現像ユニット（ＤＥＶ）へ搬送され、現像液の塗布処理
が行われることになる（Ｓ２０）。

【０１６５】この現像ユニット（ＤＥＶ）では、ウエハ
ＷがカップＣＰの直上位置まで搬送されてくると、ま
ず、ピン１４８が上昇してウエハＷを受け取った後下降
して、ウエハＷはスピンチャック１４２上に載置されて
真空吸着される。そしてノズル待機部に待機していたノ
ズル１３５がノズルスキャンアーム１３６及びガイドレ
ール１４４の機構により、ウエハＷの周辺位置の上方ま
で移動する。続いて駆動モータ１４３によりウエハＷが
例えば１０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍで回転し、そしてノズ
ル１３５はウエハＷ周辺からＹ方向に移動しながら、回
転の遠心力により所定の現像液の塗布が行われる。

【０１６６】次に第４の処理ユニット部Ｇ４に属するポ
ストベーキングユニット（ＰＯＳＴ）へ搬送されるわけ
であるが、この場合もＳ９〜Ｓ１１、Ｓ１６〜Ｓ１８で
説明した動作と同様の動作により、主ウエハ搬送体１７
から温調・搬送装置Ｃへ搬送され（Ｓ２１）、温調・搬
送装置Ｃから熱処理装置Ｈへ搬送され、熱処理装置Ｈに
より加熱処理が行われ（第４加熱）（Ｓ２２）、温調・
搬送装置ＣによりウエハＷの温度を調整しながら搬送さ
れ（Ｓ２３）、今度は第１の主ウエハ搬送部Ａ１におけ
る第１の主ウエハ搬送体１６によりウエハＷが取り出さ
れる。この加熱処理は例えば１００゜Ｃで所定時間だけ
加熱される。これにより現像で膨潤したレジストが硬化
し、耐薬品性が向上する。

【０１６７】そしてウエハＷは、主ウエハ搬送体１６に
より第３の処理ユニット部Ｇ３におけるスペアの空間及
びウエハ搬送２２を介してカセットステーション１０の
カセットＣＲに戻される（Ｓ２４）。ここで、カセット
ステーション１０のカセットＣＲに戻される前に、カセ
ットステーション１０の背面側に設けられた図示しない
マクロ検査器により、肉眼でウエハ基板Ｗ上の処理むら
等をマクロ的に検査する場合もある。また、上記マクロ
検査の他にも例えば、現像後のパターンの欠陥、線幅、
重ね合わせ／オーバーレイ精度等の検査をも行うように
してもよい。このようなマクロ検査器はカセットステー
ション１０の背面側に突き出るように外付けしてもよい
し、カセットステーション１０内に配置するように構成
しても構わない。

【０１６８】以上説明したように、第１加熱（Ｓ５）、
第２加熱（Ｓ１０）、第３加熱（Ｓ１７）、第４加熱
（Ｓ２２）の直後は全て、温調・搬送装置Ｃにより搬送
しながら温調・温調しているので、それぞれのその後の
工程である第２温調（Ｓ７）、第３温調（Ｓ１４）及び
第４温調（Ｓ１９）による温調処理時間が短縮でき、ス
ループットが向上する。

【０１６９】更に、各熱処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５は１
０段、各塗布処理ユニット部Ｇ１及びＧ２は５段で構成
されており、しかもこれら各処理ユニット部Ｇ１〜Ｇ５
は第１の主ウエハ搬送部Ａ１、２１の主ウエハ搬送部Ａ
２を取り囲むようにして配置されているので、大量の基
板を迅速に処理することができ、また各主ウエハ搬送体
１６及び１７は効率良く各処理ユニットにアクセスで
き、スループットの向上に寄与する。

【０１７０】また、主ウエハ搬送体１６及び１７から温
調・搬送装置Ｃを介して熱処理装置Ｈにより加熱処理を
行うことにより、すなわち加熱処理を行う前には、必ず
温調・搬送装置ＣによりウエハＷの温度が所定の温度に
保たれるため、加熱処理時間を一定にしても処理状態に
差が出ることはなく、かつ基板処理全体におけるウエハ
Ｗの熱履歴を一定とすることができる。

【０１７１】また、図１に示すように、各熱処理系の処
理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における加熱装置Ｈ、ＨＨ等と
各塗布系処理ユニットＧ１及びＧ２との間に、温調系の
装置Ｃ１、Ｃ２、Ｃがそれぞれ配置されているため、各
加熱装置Ｈ、ＨＨ等が塗布系の処理ユニットＧ１及びＧ
２に与える熱影響を最小限に抑えることができる。

【０１７２】一方、主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２と、各
処理ユニットＧ１〜Ｇ５との間を各囲繞部材４４、４４
´により囲繞している構造となっているので、各処理ユ
ニット及び各搬送部へのパーティクルの侵入を防止でき
る。

【０１７３】また、これら囲繞部材４４、４４´は、そ
れぞれ図４に示すように、第１及び第２の主ウエハ搬送
部Ａ１及びＡ２の囲繞部材４４と、各処理ユニットとの
間で隙間ｕを設けることにより、主搬送ウエハ搬送部Ａ
１及びＡ２の搬送による振動が各処理ユニットに伝わる
ことはなく、各熱処理及び各塗布処理を確実に行うこと
ができる。

【０１７４】次に図２４〜図２６を参照して、この基板
処理装置１の気圧及び温度・湿度コントロールについて
説明する。

【０１７５】図２４において、カセットステーション１
０，処理ステーション１２およびインタフェース部１４
の上方にはエア供給室１０ａ，１２ａ，１４ａが設けら
れており、エア供給室１０ａ，１２ａ，１４ａの下面に
防塵機能付きフィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１０
１，１０２，１０３が取り付けられている。各エア供給
室のＵＬＰＡフィルタ１０１，１０２，１０３より清浄
な空気が、ダウンフローで各部１０，１２，１４に供給
され、これらエア供給室から各処理ユニットへ図２４及
び図２５に示すようにダウンフローされるようになって
いる。このダウンフローの空気は上述したダクト３１及
び３２から矢印方向（上向き）に供給されるわけである
が、第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２におい
てはその背面側に設けられた各ファン１０６を介して排
気ダクト１００（図２４参照）から下方の排気口１２５
へ排気され、また、第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜
Ｇ５においては流路７５ｂ及び各ファン８７ａ、８７ｂ
（図１１）を介して、排気口７５ｄから下方の排気口１
２５へ排気されるようになっている。また、図２６に示
すように第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２に
おいては各ファン３６を介して下方の排気口１２５から
排気され、更にドア３８の窓３８ａより周辺露光装置１
２０及び検査ユニット部１１９へ通気され、排気口１２
５へ排気されるようになっている。以上の各ファン１０
６、８７ａ、８７ｂ、３６は全て制御部８により、各ユ
ニット個別にその回転数が制御される。

【０１７６】また、塗布系ユニット部（Ｇ１、Ｇ２）の
それぞれ各ユニット全てにおいてこれらの上方にそれぞ
れファン・フィルタユニットＦが取り付けられ、それぞ
れ気圧、温度及び湿度を計測するセンサＳが設けられて
いる。このファン・フィルタユニットＦは、例えばＵＬ
ＰＡフィルタと小型のファンとを有している。一方、第
３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５、各ユニットに同
様のセンサＳが設けられ、第１及び第２の主ウエハ搬送
部Ａ１及びＡ２においても同様にセンサＳが設けられて
いる。以上の各センサＳは制御部８に検出結果が取り込
まれるようになっている。

【０１７７】以上の構成により、気圧コントロールにつ
いては第１及び第２の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２内の
気圧を、第１及び第２の主ウエハ搬送部Ａ１及びＡ２、
第３〜第５の処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５内の気圧よりも
例えば０．３（Ｐａ）〜０．４（Ｐａ）だけ高く制御す
る。このように、塗布系のユニットＧ１及びＧ２内の気
圧を、熱処理系及び搬送系の気圧よりも高く制御する、
すなわち陽圧コントロールをすることにより、最もパー
ティクルの制限が必要とされる塗布系のユニットにおけ
る塗布処理を確実かつ高精度に行うことができる。

【０１７８】また、以上の構成により第１〜第５の処理
ユニット部Ｇ１〜Ｇ５、第１及び第２の主ウエハ搬送部
Ａ１及びＡ２における各ユニット内の気圧・温度・湿度
は各々個別にＰＩＤ制御されるので、各ユニットの処理
に適合した最適な環境で各処理を行うことができる。

【０１７９】また、図４において第１又は第２の主ウエ
ハ搬送部Ａ１又はＡ２のメンテナンスの際に、ドア３８
を開いたときに制御部８の指令に基づき、全ユニットＧ
１〜Ｇ５及び全主搬送部Ａ１及びＡ２内に供給される清
浄空気の量を増加させて気圧を更に高めるようにする。
これによりメンテナンス時に発生するパーティクルを抑
制することができる。更にこの気圧コントロールに加え
て、図１において背面側のパネル４０を取り外し又は開
閉したときに、システム全体（基板処理装置１）内の気
圧を高めるようにしてもい。なお、そのような場合、メ
ンテナンス時のみ作動するファンを別途設けて、システ
ム全体（基板処理装置１）内の気圧を高めるようにして
もい。

【０１８０】また、図１に示すように、各熱処理系の処
理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における加熱装置Ｈ、ＨＨ等と
各塗布系処理ユニットＧ１及びＧ２との間に、温調系の
装置Ｃ１、Ｃ２、Ｃがそれぞれ配置されているため、各
加熱装置Ｈ、ＨＨ等が塗布系の処理ユニットＧ１及びＧ
２に与える熱影響を最小限に抑えることができる。従っ
て、各塗布系処理ユニットＧ１及びＧ２における温度制
御を精密に行うことができる。

【０１８１】また、基板処理装置１では、図２７に示す
ように、熱処理系の各ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における各
ユニットでは、一方の窓７５ａがシャッタ７６ａにより
開かれているときには、他方の窓７５ｂがシャッタ７６
ｂにより閉じられるように開閉制御が行われている。こ
れにより、各ユニットがいわばロードロック室的に機能
し、各ユニットを跨ぐ両側の環境を効果的に遮断し、そ
れぞれにおいて処理環境を良好に維持することができる
ようになる。

【０１８２】更に、基板処理装置１では、図２８に示す
ように、液供給系の各ユニット部Ｇ１、Ｇ２における各
ユニットの開口部９７がシャッタ４３により開かれてい
るときには、このユニット部の両側にある熱処理系の各
ユニット部Ｇ３〜Ｇ５における各ユニットの窓７５ａ、
７５ｂがシャッタ７６ａ、７６ｂにより閉じられるよう
に開閉制御が行われている。これにより、液供給系のユ
ニットから熱処理系のユニットに処理に悪影響を及ぼす
雰囲気が流入しないようになる。

【０１８３】更に、このシステムはケミカル室（ＣＨ
Ｍ）２６及び２７内の液供給装置５８及び５９をも温調
可能としている。これにより塗布系の処理ユニットＧ１
及びＧ２に供給される処理液の温度が好適な状態に維持
される。なお、塗布系の処理ユニットとして使っていた
室をケミカル室に代用することも可能である。

【０１８４】図２９は本発明の第２の実施形態による熱
処理ユニットを示しており、図１１及び図１２における
要素と同一のものについてはその説明を省略する。

【０１８５】この熱処理ユニットＧ３´では、筐体７５
内に正面側（図中左方）から順に温調装置Ｃ１´と、低
温度熱処理装置LＨと、高温度熱処理装置ＨＨとが例え
ば直線状に配置されている。これら熱処理装置LＨ、Ｈ
Ｈは加熱温度の違いだけであり、これらの構成は第１の
実施形態の熱処理装置Ｈと同様に、円筒形の支持部材８
８に適当な断熱材を介して、低温度熱処理装置LＨには
低温度ホットプレート１１１が設けられ、高温度熱処理
装置ＨＨには高温度ホットプレート１１２が設けられて
いる。支持部材８８の下方にはウエハＷの受け渡しを行
うための３本のピン８５が駆動装置８２により昇降可能
に設置されており、この３本のピン８５はそれぞれのホ
ットプレート１１１及び１１２に形成された貫通穴１１
１ａ及び１１２ａに埋没して配置されている。一方、温
調装置Ｃ１´は例えば第１実施形態の温調ユニット（CO
L）における温調装置と同様であり、温調機構としては
ペルチェ素子や冷却水を使用している。

【０１８６】これら温調装置Ｃ１´、低温度熱処理装置
ＬＨ、高温度熱処理装置ＨＨの側方には、案内レール１
１８がＸ方向に延設されており、この案内レール１１８
に沿って図示しない駆動装置により移動可能なようにサ
ブアーム１１５が設けられている。このサブアーム１１
５は、１対のハンド１１５ａ、１１５ａを有している。

【０１８７】この熱処理ユニットＧ３´は、第１実施形
態における各処理ユニット部Ｇ３〜Ｇ５の配置と同様に
配置される。この場合、図１において処理ステーション
１２背面側のパネル４０を背面側に移動させて、熱処理
ユニットＧ３´の寸法に合わせて配置する。

【０１８８】この熱処理ユニットＧ３´の作用について
は、シャッタ７６が開き、第１又は第２の主ウエハ搬送
体Ａ１又はＡ２の中段アーム７ｂ（又は下段アーム７
ｃ）がＹ方向に温調装置Ｃ１´の直上位置まで移動し、
温調装置Ｃ１´における昇降ピン１２７が上昇し、サブ
アーム１１５の高さよりも高い位置で該ピン１２７上に
ウエハＷが載置された後、中段アーム７ｂは元の位置に
収まるとともに、シャッタ７６が閉じる。このときサブ
アーム１１５は、主ウエハ搬送体１６の動作の妨げとな
らないように低温度熱処理装置ＬＨ側に位置している。
そして低温度熱処理装置ＬＨ側に位置していたサブアー
ム１１５が温調装置Ｃ１´上に移動する。そして昇降ピ
ン１２７がウエハＷを載せた状態で下降してウエハＷは
サブアーム１１５に受け渡される。

【０１８９】そして、ウエハＷを受け取ったサブアーム
１１５は、Ｘ方向に背面側に移動して、同様に昇降ピン
の駆動により次工程である低温度熱処理装置LＨ、その
次の工程である高温度熱処理装置ＨＨのホットプレート
１１１、１１２上に順次載置されて所定の加熱処理を行
う。

【０１９０】そして高温度熱処理装置ＨＨにより所定の
熱処理が終了すると、ウエハＷはサブアーム１１５によ
り温調装置Ｃ１´まで移動されて、温調プレート１２２
上に載置されて所定の温調処理を行なう。

【０１９１】本実施形態では、特に、温度の異なる熱処
理、更には温調処理を連続的に行うことができ、スルー
プットの向上を図ることができる。

【０１９２】なお、温調装置Ｃ１´と低温度熱処理装置
LＨと高温度熱処理装置ＨＨとを適宜遮蔽板で仕切るよ
うにすれば、各装置における温度制御をより精密に行う
ことができる。

【０１９３】図３０は本発明の第３の実施形態による基
板処理装置を示しており、この基板処理装置１５０は、
第１の実施形態における第２の主ウエハ搬送部A２が変
形して、更に塗布系の処理ユニット部Ｇ２´が増設され
たものであり、それ以外の構成については第１実施形態
と同様である。この処理ユニット部Ｇ２´はレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（ＤＥＶ）を有
している。

【０１９４】第１の実施形態による主ウエハ搬送部Ａ１
（Ａ２）は主ウエハ搬送体１６（１７）自体がY方向に
は移動することはなかったが、この第３実施形態による
第３の主ウエハ搬送部Ａ３は、Y方向にも移動可能なよ
うにY軸ポール１２８が設けられている。このY軸ポール
１２８は鉛直方向のポール３３に沿って移動可能とされ
ており、このY軸ポールに沿って移動可能に主ウエハ搬
送体１７が取り付けられている。

【０１９５】これにより、第４及び第５の熱処理ユニッ
ト部Ｇ４及びＧ５で基板が処理された後、第１及び第２
の塗布系の処理ユニット部Ｇ１及びＧ２で処理しきれな
かった基板を第３の第３の主ウエハ搬送部A３による主
ウエハ搬送体１７により、処理ユニットＧ２´へ搬送し
て所定の塗布処理を行なうことができる。これによりス
ループットは向上する。

【０１９６】次に、本発明の第４の実施形態について説
明する。

【０１９７】図３１はこの実施形態に係る基板処理装置
の構成を示す平面図、図３２はその一部斜視図である。

【０１９８】これらの図に示すように、この実施形態に
係る基板処理装置２０１は、インタフェース部２０２の
構成が上述した実施形態と異なる。この実施形態に係る
インタフェース部２０２では、露光装置２０３との間に
２段の第１及び第２のインタフェース部２０２ａ、２０
２ｂが設けられている。

【０１９９】第１のインタフェース部２０２ａでは、第
５の熱処理ユニット部Ｇ５の開口部と対面するようにウ
エハ搬送体２０４が配置されている。

【０２００】このウエハ搬送体２０４の背面側には、当
該ウエハ搬送体２０４と対面するように、上から順番に
周辺露光装置ＷＥＥ、イン用バッファカセットＩＮＢ
Ｒ、アウト用バッファカセットＯＵＴＢＲが多段配置さ
れている。イン用バッファカセットＩＮＢＲは、露光装
置２０３に搬入されるウエハＷを一旦収容するもので、
例えばそのようなウエハＷを２５枚程収容する。アウト
用バッファカセットＯＵＴＢＲは、露光装置２０３から
搬出されたウエハＷを一旦収容するもので、例えばその
ようなウエハＷを２５枚程収容する。

【０２０１】ウエハ搬送体２０４の正面側には、当該ウ
エハ搬送体２０４と対面するように、上から順番に受け
渡しユニットＴＲＳ、２段の高精度温調ユニットＣＰＬ
が多段に配置されている。受け渡しユニットＴＲＳは、
図示を省略するが例えば基台上にウエハＷを支持する３
本の支持ピンを設けて構成され、第１のインタフェース
部２０２ａにおけるウエハ搬送体２０４及び後述する第
２のインタフェース部２０２ｂにおけるウエハ搬送体２
０６の両方からアクセスができるように開口部が設けら
れている。高精度温調ユニットＣＰＬは、上述した実施
形態のものとほぼ同様の構成であり、第１のインタフェ
ース部２０２ａにおけるウエハ搬送体２０４及び後述す
る第２のインタフェース部２０２ｂにおけるウエハ搬送
体２０６の両方からアクセスができるように開口部が設
けられている。

【０２０２】ウエハ搬送体２０４は、Ｚ方向に移動可能
で、かつθ方向に回転可能に構成されており、かつ、ウ
エハ搬送体２０４における受け渡し用のフォーク２０４
ａが上下２本それぞれ進退自在に構成され、ウエハ搬送
体２０４における受け渡し用のフォーク２０４ａが第５
の熱処理ユニット部Ｇ５の各開口部、周辺露光装置ＷＥ
Ｅ、イン用バッファカセットＩＮＢＲ、アウト用バッフ
ァカセットＯＵＴＢＲ、受け渡しユニットＴＲＳ、２段
の各高精度温調ユニットＣＰＬに対してアクセスしてこ
れら各部との間で別々のフォーク２０４でウエハＷの受
け渡しを行い、ウエハＷの搬送を行うようになってい
る。

【０２０３】第２のインタフェース部２０２ｂには、
Ｙ，Ｚ方向に移動可能で、θ方向に回転可能に構成なウ
エハ搬送体２０６が配置されている。このウエハ搬送体
２０６は、進退自在な受け渡し用のピン２０６ａが受け
渡しユニットＴＲＳ、２段の各高精度温調ユニットＣＰ
Ｌ、露光装置２０３におけるインステージ２０３ａ、ア
ウトステージ２０３ｂに対してアクセスしてこれら各部
との間でウエハＷの受け渡しを行い、ウエハＷの搬送を
行うようになっている。

【０２０４】次に、このように構成されたインタフェー
ス部２０２におけるウエハＷの搬送動作を説明する。

【０２０５】第５の熱処理ユニット部Ｇ５から搬入され
たウエハＷは、ウエハ搬送体２０４→イン用バッファカ
セットＩＮＢＲ→ウエハ搬送体２０４→周辺露光装置Ｗ
ＥＥ→ウエハ搬送体２０４→高精度温調ユニットＣＰＬ
→ウエハ搬送体２０６を介して露光装置２０３における
インステージ２０３ａに搬送される。

【０２０６】一方、露光装置２０３におけるアウトステ
ージ２０３ｂから搬出されたウエハＷは、ウエハ搬送体
２０６→受け渡しユニットＴＲＳ→ウエハ搬送体２０４
→アウト用バッファカセットＯＵＴＢＲ→ウエハ搬送体
２０４を介して第５の熱処理ユニット部Ｇ５へ搬出され
る。

【０２０７】本実施形態によれば、特にウエハ搬送体２
０６の負荷が低減されているので、露光装置２０３の要
求に応じて直ぐにアウトステージ２０３ｂからウエハＷ
を搬出することが可能である。従って、露光装置２０３
側で搬出要求のあったウエハＷを露光装置２０３内に待
たせるようなことが非常に少なくなる。また、これに加
えてウエハ搬送体２０４の負荷も低減されるので、露光
装置２０３から搬出されたウエハＷを一定の時間で第５
の熱処理ユニット部Ｇ５側に受け渡すことができる。従
って、本実施形態の基板処理装置２０１によれば、線幅
をより均一に形成することが可能となる。更に、この実
施形態によれば、第２のインタフェース部２０２ｂの背
面側にウエハ搬送体２０５、２０６に対して直接作業者
がアクセスできるメンテナンス領域２０７を確保するこ
とができる。

【０２０８】なお、第１のインタフェース部２０２ａ正
面の空き領域２０８は、この基板処理装置２０１に必要
な薬液を貯留するタンク等を配置するため領域としても
よい。

【０２０９】また、受け渡しユニットＴＲＳ及び２段の
高精度温調ユニットＣＰＬの上方に周辺露光装置を配置
するようにしても構わない。

【０２１０】なお、本発明は以上説明した実施形態には
限定されない。

【０２１１】上記実施形態においては、熱処理系ユニッ
ト部を３つ（Ｇ３〜Ｇ５）、主ウエハ搬送部を２つ（Ａ
１，Ａ２）、塗布系ユニット部を２つ（Ｇ１，Ｇ２）そ
れぞれ設ける構成としたが、例えば熱処理系ユニット部
を４つ、主ウエハ搬送部を３つ、塗布系ユニット部を３
つとして、その配置を保ったまま図１において左右方向
に増設してもよい。また、必要に応じて更に増設をする
ことも可能である。

【０２１２】また、図に示す熱処理ユニット部Ｇ３（Ｇ
４、Ｇ５）において、温調・搬送装置Cと熱処理装置Ｈ
との間に互いの熱干渉を抑制するための一点鎖線で示す
遮蔽板９３をもうける構造とし、温調・搬送装置Cによ
る搬送の際にはこの遮蔽板９３をスライドさせて開閉す
るようにしてもよい。

【０２１３】更に、本発明は半導体ウエハばかりでな
く、例えば液晶表示装置に使われるガラス基板等につい
ても適用が可能である。

【０２１４】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、基
板の温調処理に要する時間を実質的に低減することがで
き、また基板の温調処理に要する時間がスループットの
低下に与える影響を極力減らすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による基板処理装置の
全体構成を示す平面図である。

【図２】同基板処理装置の全体構成を示す正面図であ
る。

【図３】同基板処理装置の全体構成を示す背面図であ
る。

【図４】本発明の第１の実施形態による主ウエハ搬送部
の断面図である。

【図５】同主ウエハ搬送部の要部を示す斜視図である。

【図６】同主ウエハ搬送部の側面図である。

【図７】同主ウエハ搬送部における主ウエハ搬送体の駆
動機構を示す側面図である。

【図８】同主ウエハ搬送体の正面図である。

【図９】同主ウエハ搬送体の断面図である。

【図１０】図９における［１０］−［１０］線方向断面
図である。

【図１１】本発明の第１の実施形態によるプリベーキン
グユニット（ＰＡＢ）、ポストエクスポージャーベーキ
ングユニット（ＰＥＢ）、ポストベーキングユニット
（ＰＯＳＴ）の横断面図である。

【図１２】同熱処理ユニットの縦断面図である。

【図１３】同熱処理ユニットにおける筐体の温調機構を
示すための模式図である。

【図１４】本発明の第１の実施形態による高精度温調ユ
ニット（ＣＰＬ）の横断面図である。

【図１５】本発明の第１の実施形態による高温度熱処理
ユニット（ＢＡＫＥ）の横断面図である。

【図１６】本発明の第１の実施形態によるトランジショ
ンユニット（ＴＲＳ）の横断面図である。

【図１７】本発明の第１の実施形態によるレジスト塗布
ユニットを示す平面図である。

【図１８】同縦断面図である。

【図１９】本発明の第１の実施形態による現像ユニット
を示す平面図である。

【図２０】同縦断面図である。

【図２１】本発明の第１の実施形態による基板処理装置
の一連の動作を示すフロー図である。

【図２２】熱処理ユニットにおける基板受け渡しの作用
を説明するための図である。

【図２３】同熱処理ユニットの作用図である。

【図２４】本発明の第１の実施形態による基板処理装置
の清浄空気の流れを示す略正面図である。

【図２５】同清浄空気の流れを示す略側面図である。

【図２６】同清浄空気の流れを示す略側面図である。

【図２７】本発明に係るシャッターの開閉動作（その
１）を説明するための図である。

【図２８】本発明に係るシャッターの開閉動作（その
１）を説明するための図である。

【図２９】本発明の第２の実施形態による熱処理ユニッ
トの横断面図である。

【図３０】本発明の第３の実施形態による基板処理装置
の部分平面図である。

【図３１】本発明の第４の実施形態による基板処理装置
の平面図である。

【図３２】図３１に示した基板処理装置におけるインタ
フェース部の斜視図である。

【符号の説明】

Ｗ…半導体ウエハ Ｇ１〜Ｇ５…第１〜第５の処理ユニット部 ｕ…隙間 Ａ１…第１の主ウエハ搬送部 Ａ２…第２の主ウエハ搬送部 Ｆ…フィルタ Ｓ…センサ C…温調・搬送装置 Ｈ…熱処理装置 LＨ…低温度熱処理装置 ＨＨ…高温度熱処理装置 １…基板処理装置 ７ａ…上段アーム ７ｂ…中段アーム ７ｃ…下段アーム ８…制御部 ９…遮蔽板 １６…主ウエハ搬送体 １７…第２の主ウエハ搬送体 ３６…ファン ３８…ドア ４０…パネル ４１…筐体 ４４…囲繞部材 ５８…液供給装置 ７５…筐体 ７５ｂ…流路 ７５ｃ…開口 ７５ａ…開口部 ７６…シャッタ ８４…昇降ピン ９３…遮蔽板 １１５…サブアーム １５０…基板処理装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 飯田 成昭 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 松山 雄二 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 出口 洋一 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 松永 正隆 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 (72)発明者 宮田 亮 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA25 FA01 GA26 4F042 AA02 AA07 BA06 BA11 BA19 CB26 DA09 DC01 DD38 5F031 CA02 DA01 FA01 FA07 FA11 FA12 FA15 GA47 GA48 GA49 HA33 HA37 LA13 MA02 MA03 MA24 MA26 MA27 MA30 NA02 NA07 NA15 NA18 5F046 AA28 CD01 CD05 JA24 KA04 LA13

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を搬送するための主搬送部と、 前記主搬送部の周囲に配置され、少なくとも基板に対し
   て熱的処理を施す処理ユニットと、 前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供
   給する液供給ユニットと、 前記液供給ユニットが前記処理ユニット及び前記主搬送
   部よりも陽圧で、且つ、前記主搬送部と前記処理ユニッ
   トとがほぼ等しい気圧となるように制御する手段とを具
   備することを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
   て、 前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニッ
   トが、それぞれ別個の筐体内に配置され、 前記各筐体は、それぞれ基板の受け渡しを行うための開
   口部を有し、 前記各筐体間で隣接する開口部間を繋ぐ通路は、囲繞部
   材により囲繞されていることを特徴とする基板処理装
   置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置におい
   て、 前記囲繞部材と少なくとも一方の前記筐体との間には微
   小な隙間が設けられていることを特徴とする基板処理装
   置。
4. 【請求項４】 請求項１から請求項３のちいずれか１項
   に記載の基板処理装置において、 前記気圧制御手段は、前記主搬送部、前記処理ユニット
   及び前記液供給ユニットに対してそれぞれ、 気体を供給する気体供給部と、 気体を排気する気体排気部と、 気圧を計測する気圧計測部とを備え、 前記計測された気圧に基づき前記気体供給部により供給
   される気体の量及び前記気体排気部により排気される気
   体の量のうち少なくとも一方を制御することを特徴とす
   る基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、 前記処理ユニットは、上下方向に多段に配置され、 各処理ユニット毎に、前記気体供給部、前記気体排気部
   及び前記気圧計測部を備えることを特徴とする基板処理
   装置。
6. 【請求項６】 請求項２から請求項５のうちいずれか１
   項に記載の基板処理装置において、 前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニッ
   トの筐体のうち少なくとも１つには、内部保守に用いる
   開閉可能なドアーが設けられ、 前記気圧制御手段は、前記ドアーが開かれたとき、筐体
   内の気圧を高めるように制御することを特徴とする基板
   処理装置。
7. 【請求項７】 請求項２から請求項６のうちいずれか１
   項に記載の基板処理装置において、 前記主搬送部、前記処理ユニット及び前記液供給ユニッ
   トの筐体を全体的に囲繞すると共に、内部保守に用いる
   開閉可能なパネルが設けられた外側筐体を更に有し、 前記気圧制御手段は、前記パネルが開かれたとき、外側
   筐体内の気圧を高めるように制御することを特徴とする
   基板処理装置。
8. 【請求項８】 請求項６又は請求項７に記載の基板処理
   装置において、 前記ドアー又は前記パネルが開かれたときだけ作動する
   気体供給部が更に前記筐体内又は前記外部筐体内に設け
   られていることを特徴とする基板処理装置。
9. 【請求項９】 基板を搬送するための主搬送部と、 前記主搬送部の周囲に配置され、基板上に所定の液を供
   給する液供給ユニットと、 前記主搬送部の周囲に配置された処理ユニットと、 前記主搬送部、前記液供給ユニット及び前記処理ユニッ
   トの温調又は湿度管理をそれぞれ別個に行うユニット温
   調手段とを具備し、 前記処理ユニットは、 前記主搬送部と隣接するように配置され、基板を所定の
   温度に調整する温調部と、 前記主搬送部に対して前記温調部が介在するように配置
   され、基板に対して熱的処理を施す処理部とを具備する
   ことを特徴とする基板処理装置。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の基板処理装置におい
    て、 前記処理部は温調機構により覆われていることを特徴と
    する基板処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項９又は請求項１０に記載の基板
    処理装置において、 前記温調部と前記処理部との間に開閉可能な熱遮蔽板が
    配置されていることを特徴とする基板処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項９から請求項１１のうちいずれ
    か１項に記載の基板処理装置において、 前記処理ユニットは、上下方向に多段に配置され、 前記ユニット温調手段は、前記各処理ユニット毎に別個
    に温調又は湿度管理することを特徴とする基板処理装
    置。
13. 【請求項１３】 請求項９から請求項１２のうちいずれ
    か１項に記載の基板処理装置において、 前記液供給ユニットは、上下方向に多段に配置され、 前記ユニット温調手段は、前記各液供給ユニット毎に別
    個に温調又は湿度管理することを特徴とする基板処理装
    置。
14. 【請求項１４】 請求項９から請求項１３のうちいずれ
    か１項に記載の基板処理装置において、 前記液供給ユニットに対して前記液を供給するための液
    供給機構を更に有し、 前記ユニット温調手段は、前記液供給機構も温調又は湿
    度管理することを特徴とする基板処理装置。
15. 【請求項１５】 請求項１４に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記液供給機構は、前記液供給ユニットの下方に配置さ
    れていることを特徴とする基板処理装置。
16. 【請求項１６】 請求項９から請求項１５のうちいずれ
    か１項に記載の基板処理装置において、 前記液供給ユニットは、前記液供給ユニットに対して前
    記液を供給するための液供給機構に代用可能であること
    を特徴とする基板処理装置。
17. 【請求項１７】 基板に対して熱的処理を施す処理部及
    び基板を所定の温度に調整する温調部とを有する処理ユ
    ニットが上下方向に多段に配置された処理ユニット群
    と、 前記処理ユニット群の一方側に配置され、前記各処理ユ
    ニットに対してアクセス可能な垂直搬送型の第１の主搬
    送装置と、 前記第１の主搬送装置の周囲に配置され、基板上に所定
    の液を供給する第１の液供給ユニットと、 前記処理ユニット群の他方側に配置され、前記各処理ユ
    ニットに対してアクセス可能な垂直搬送型であると共に
    所定の平面方向に移動可能な第２の主搬送装置と、 前記第２の主搬送装置の平面移動方向に沿って配置さ
    れ、基板上に所定の液を供給する複数の第２の液供給ユ
    ニットとを具備することを特徴とする基板処理装置。
18. 【請求項１８】 請求項１７に記載の基板処理装置にお
    いて、 前記第１及び第２の液供給ユニットが、上下方向に多段
    に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
19. 【請求項１９】 基板を搬送する基板搬送装置と、 前記基板搬送装置の両側及び前面に配置された処理ユニ
    ットとを備え、 少なくとも一側の前記処理ユニットは垂直方向に多段に
    配置され、 前記基板搬送装置は、前記各ユニットに対して基板の受
    け渡しができる垂直搬送型であり、かつ、前記基板搬送
    装置を垂直方向に対して支持する支持部材が前面に配置
    された前記処理ユニット側に取り付けられていることを
    特徴とする基板処理装置。