JP2003303698A - Ｅｃｒプラズマ源およびｅｃｒプラズマ装置 - Google Patents
Ｅｃｒプラズマ源およびｅｃｒプラズマ装置Info
- Publication number
- JP2003303698A JP2003303698A JP2002106710A JP2002106710A JP2003303698A JP 2003303698 A JP2003303698 A JP 2003303698A JP 2002106710 A JP2002106710 A JP 2002106710A JP 2002106710 A JP2002106710 A JP 2002106710A JP 2003303698 A JP2003303698 A JP 2003303698A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- microwave
- ecr
- opening
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 101150000715 DA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32229—Waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
- H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
- H01J37/32247—Resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3266—Magnetic control means
- H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/16—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields
- H05H1/18—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields wherein the fields oscillate at very high frequency, e.g. in the microwave range, e.g. using cyclotron resonance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 略矩形断面において一様なプラズマ密度を発
生させ得るＥＣＲプラズマ源およびそれを用いたＥＣＲ
プラズマ装置を提供すること。 【解決手段】 ＥＣＲプラズマ源を、プラズマ流に垂直
な面内で略矩形断面を有するプラズマ生成室と、プラズ
マ流に垂直な面内で略矩形形状に巻き線せられた磁気コ
イルと、端部が終端された直接導入方式または分岐結合
導入方式の導波管またはマイクロ波空洞共振器とで構成
し、この導波管またはマイクロ波空洞共振器内部のマイ
クロ波同相部に相当する側面に設けられた複数の開口部
から、プラズマ生成室内へマイクロ波を伝送することと
した。また、ＥＣＲプラズマ装置に、上述のＥＣＲプラ
ズマ源を備え、さらに、大型試料を移動させるための試
料移動機構を備えることとした。
生させ得るＥＣＲプラズマ源およびそれを用いたＥＣＲ
プラズマ装置を提供すること。 【解決手段】 ＥＣＲプラズマ源を、プラズマ流に垂直
な面内で略矩形断面を有するプラズマ生成室と、プラズ
マ流に垂直な面内で略矩形形状に巻き線せられた磁気コ
イルと、端部が終端された直接導入方式または分岐結合
導入方式の導波管またはマイクロ波空洞共振器とで構成
し、この導波管またはマイクロ波空洞共振器内部のマイ
クロ波同相部に相当する側面に設けられた複数の開口部
から、プラズマ生成室内へマイクロ波を伝送することと
した。また、ＥＣＲプラズマ装置に、上述のＥＣＲプラ
ズマ源を備え、さらに、大型試料を移動させるための試
料移動機構を備えることとした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＣＲプラズマ源
およびＥＣＲプラズマ装置に関し、より詳細には、略矩
形断面において一様なプラズマ密度を発生させ得るＥＣ
Ｒプラズマ源およびそれを用いたＥＣＲプラズマ装置に
関する。
およびＥＣＲプラズマ装置に関し、より詳細には、略矩
形断面において一様なプラズマ密度を発生させ得るＥＣ
Ｒプラズマ源およびそれを用いたＥＣＲプラズマ装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏ
ｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ)プラズマ源は、プラズ
マ生成室中に高密度のプラズマを均一に発生させること
ができるため、半導体レーザ、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイス、ＬＳＩなど
に対するスパッタリング装置やエッチング装置のプラズ
マ源として用いられている。
ｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ)プラズマ源は、プラズ
マ生成室中に高密度のプラズマを均一に発生させること
ができるため、半導体レーザ、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ
Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ）デバイス、ＬＳＩなど
に対するスパッタリング装置やエッチング装置のプラズ
マ源として用いられている。
【０００３】ＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室と、
磁気コイルと、マイクロ波導入部とから構成されている
が、従来のＥＣＲスパッタリング装置やエッチング装置
では、主として静置させたウェハー状の円形試料を処理
対象としていたため、これらの装置に備えられるＥＣＲ
プラズマ源は、プラズマ流に垂直な面内の断面形状が円
形のプラズマ生成室と、プラズマ流に垂直な面内の断面
形状が円形の巻き線せられた磁気コイルと、マイクロ波
をマイクロ波導波管から直接あるいは分岐結合方式によ
り導入する構造のマイクロ波導入部とから構成されてい
た（例えば、特許第１５５３９５９号明細書、あるい
は、天沢ら“ＥＣＲプラズマを用いた高品質薄膜形
成”，精密工学会誌Ｖｏｌ．６６，Ｎｏ．４，５１１
（２００１）参照）。
磁気コイルと、マイクロ波導入部とから構成されている
が、従来のＥＣＲスパッタリング装置やエッチング装置
では、主として静置させたウェハー状の円形試料を処理
対象としていたため、これらの装置に備えられるＥＣＲ
プラズマ源は、プラズマ流に垂直な面内の断面形状が円
形のプラズマ生成室と、プラズマ流に垂直な面内の断面
形状が円形の巻き線せられた磁気コイルと、マイクロ波
をマイクロ波導波管から直接あるいは分岐結合方式によ
り導入する構造のマイクロ波導入部とから構成されてい
た（例えば、特許第１５５３９５９号明細書、あるい
は、天沢ら“ＥＣＲプラズマを用いた高品質薄膜形
成”，精密工学会誌Ｖｏｌ．６６，Ｎｏ．４，５１１
（２００１）参照）。
【０００４】特に、スパッタリング装置の場合は、ター
ゲット粒子がマイクロ波導入窓（通常は石英板が用いら
れる）を汚染するのを防ぐために、分岐結合方式がよく
利用される。
ゲット粒子がマイクロ波導入窓（通常は石英板が用いら
れる）を汚染するのを防ぐために、分岐結合方式がよく
利用される。
【０００５】図５は、円形断面を有する従来のＥＣＲプ
ラズマ源を備えるエッチング装置の構成例を説明するた
めの図で、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＡ−Ａ´における断面図である。
ラズマ源を備えるエッチング装置の構成例を説明するた
めの図で、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は図５
（ａ）のＡ−Ａ´における断面図である。
【０００６】図５に示した構成の従来のＥＣＲプラズマ
源を備えるエッチング装置では、プラズマ生成室７０内
で生成されたプラズマが、プラズマ引出し開口１４を経
由して試料室１１内に配置された試料１００に照射され
る。この場合、プラズマ生成室７０内で生成されたプラ
ズマは、図５（ｂ）に示すように、プラズマ生成室７０
から試料１００へと向かう下向きのプラズマ流を生じ
る。
源を備えるエッチング装置では、プラズマ生成室７０内
で生成されたプラズマが、プラズマ引出し開口１４を経
由して試料室１１内に配置された試料１００に照射され
る。この場合、プラズマ生成室７０内で生成されたプラ
ズマは、図５（ｂ）に示すように、プラズマ生成室７０
から試料１００へと向かう下向きのプラズマ流を生じ
る。
【０００７】プラズマ生成室７０は、処理する試料１０
０の形状を考慮して、このプラズマ流に垂直な面内の断
面形状が円形となる形状とされている。また、磁気コイ
ル８０、８１は、プラズマ流に垂直な面内で円形に巻き
線せられており、プラズマ生成室７０内の所定の位置に
ＥＣＲ条件となる磁場を生成するように設計されてい
る。プラズマ生成室７０内には、マイクロ波導波管９０
からマイクロ波導入窓９１（通常は石英窓が利用され
る）を経由してマイクロ波が導入され、マイクロ波の振
動電界により磁場中の電子を効率的に加速することとさ
れている。
０の形状を考慮して、このプラズマ流に垂直な面内の断
面形状が円形となる形状とされている。また、磁気コイ
ル８０、８１は、プラズマ流に垂直な面内で円形に巻き
線せられており、プラズマ生成室７０内の所定の位置に
ＥＣＲ条件となる磁場を生成するように設計されてい
る。プラズマ生成室７０内には、マイクロ波導波管９０
からマイクロ波導入窓９１（通常は石英窓が利用され
る）を経由してマイクロ波が導入され、マイクロ波の振
動電界により磁場中の電子を効率的に加速することとさ
れている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年開発が進んでいる
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ
(Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｉｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)ディスプ
レイなどの、いわゆるＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ）装置では、例えば５０ｃｍ×６０ｃｍ
程度の大型の試料に対して、スパッタリングやエッチン
グを施すことが要求されている。
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、有機ＥＬ
(Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｉｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ)ディスプ
レイなどの、いわゆるＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ
Ｄｉｓｐｌａｙ）装置では、例えば５０ｃｍ×６０ｃｍ
程度の大型の試料に対して、スパッタリングやエッチン
グを施すことが要求されている。
【０００９】しかしながら、このような処理を、プラズ
マ生成室がプラズマ流に垂直な面内で円形断面を有する
従来のＥＣＲプラズマ源で対応するためには、その直径
を拡大する必要が生じ、その場合、（１）プラズマ生成
室や磁気コイルが大型化してＥＣＲプラズマ源が非常に
高価なものとなってしまうこと、および、（２）円形断
面を有するＥＣＲプラズマ源では、略矩形の大型ＦＰＤ
試料の均一なスパッタリングやエッチングが困難である
こと、などの問題があった。
マ生成室がプラズマ流に垂直な面内で円形断面を有する
従来のＥＣＲプラズマ源で対応するためには、その直径
を拡大する必要が生じ、その場合、（１）プラズマ生成
室や磁気コイルが大型化してＥＣＲプラズマ源が非常に
高価なものとなってしまうこと、および、（２）円形断
面を有するＥＣＲプラズマ源では、略矩形の大型ＦＰＤ
試料の均一なスパッタリングやエッチングが困難である
こと、などの問題があった。
【００１０】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、略矩形断面におい
て一様なプラズマ密度を生じさせることが可能なＥＣＲ
プラズマ源およびそれを用いたＥＣＲプラズマ装置を提
供することにある。
たもので、その目的とするところは、略矩形断面におい
て一様なプラズマ密度を生じさせることが可能なＥＣＲ
プラズマ源およびそれを用いたＥＣＲプラズマ装置を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、マイク
ロ波による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いて
プラズマを生成しその開口部からプラズマ流を取り出す
ためのプラズマ生成室と、当該プラズマ生成室内に静磁
界を発生せしめるための磁気コイルを巻き線せられた少
なくとも１つの磁界発生手段と、マイクロ波発信手段か
ら伝送されたマイクロ波を前記プラズマ生成室内に導入
するためのマイクロ波導入手段とを備えるＥＣＲプラズ
マ源であって、前記プラズマ生成室とその開口部は、当
該プラズマ生成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直
な断面形状が略矩形を有し、前記磁界発生手段の磁気コ
イルは、前記プラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形形
状に巻き線せられており、前記マイクロ波導入手段は、
その内部にマイクロ波の定在波を形成する中空の導波管
を構成するように端部が終端され、当該導波管の内部に
は、少なくとも１つの開口部を有する複数の開口領域
が、マイクロ波の定在波の管内波長λｇに相当する間隔
で設けられ、当該開口部を介して同相のマイクロ波を前
記プラズマ生成室内へ導入させることとしたことを特徴
とする。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、マイク
ロ波による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いて
プラズマを生成しその開口部からプラズマ流を取り出す
ためのプラズマ生成室と、当該プラズマ生成室内に静磁
界を発生せしめるための磁気コイルを巻き線せられた少
なくとも１つの磁界発生手段と、マイクロ波発信手段か
ら伝送されたマイクロ波を前記プラズマ生成室内に導入
するためのマイクロ波導入手段とを備えるＥＣＲプラズ
マ源であって、前記プラズマ生成室とその開口部は、当
該プラズマ生成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直
な断面形状が略矩形を有し、前記磁界発生手段の磁気コ
イルは、前記プラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形形
状に巻き線せられており、前記マイクロ波導入手段は、
その内部にマイクロ波の定在波を形成する中空の導波管
を構成するように端部が終端され、当該導波管の内部に
は、少なくとも１つの開口部を有する複数の開口領域
が、マイクロ波の定在波の管内波長λｇに相当する間隔
で設けられ、当該開口部を介して同相のマイクロ波を前
記プラズマ生成室内へ導入させることとしたことを特徴
とする。
【００１２】また、請求項２に記載の発明は、マイクロ
波による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いてプ
ラズマを生成しその開口部からプラズマ流を取り出すた
めのプラズマ生成室と、当該プラズマ生成室内に静磁界
を発生せしめるための磁気コイルを巻き線せられた少な
くとも１つの磁界発生手段と、マイクロ波発信手段から
伝送されたマイクロ波を前記プラズマ生成室内に導入す
るためのマイクロ波導入手段とを備えるＥＣＲプラズマ
源であって、前記プラズマ生成室とその開口部は、当該
プラズマ生成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な
断面形状が略矩形を有し、前記磁界発生手段の磁気コイ
ルは、前記プラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形形状
に巻き線せられており、前記マイクロ波導入手段は、開
口部を有しない終端部と、当該終端部からｎ・(λｇ／
２)（ｎ：３以上の整数）の距離に設けられた第１の開
口部を有する端部との間でマイクロ波空洞共振器を構成
しており、当該マイクロ波空洞共振器の内部には、少な
くとも１つの第２の開口部を有する複数の開口領域が、
マイクロ波の定在波の管内波長λｇに相当する間隔で設
けられ、当該第２の開口部を介して同相のマイクロ波を
前記プラズマ室内へ導入させることとしたことを特徴と
する。
波による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）を用いてプ
ラズマを生成しその開口部からプラズマ流を取り出すた
めのプラズマ生成室と、当該プラズマ生成室内に静磁界
を発生せしめるための磁気コイルを巻き線せられた少な
くとも１つの磁界発生手段と、マイクロ波発信手段から
伝送されたマイクロ波を前記プラズマ生成室内に導入す
るためのマイクロ波導入手段とを備えるＥＣＲプラズマ
源であって、前記プラズマ生成室とその開口部は、当該
プラズマ生成室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な
断面形状が略矩形を有し、前記磁界発生手段の磁気コイ
ルは、前記プラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形形状
に巻き線せられており、前記マイクロ波導入手段は、開
口部を有しない終端部と、当該終端部からｎ・(λｇ／
２)（ｎ：３以上の整数）の距離に設けられた第１の開
口部を有する端部との間でマイクロ波空洞共振器を構成
しており、当該マイクロ波空洞共振器の内部には、少な
くとも１つの第２の開口部を有する複数の開口領域が、
マイクロ波の定在波の管内波長λｇに相当する間隔で設
けられ、当該第２の開口部を介して同相のマイクロ波を
前記プラズマ室内へ導入させることとしたことを特徴と
する。
【００１３】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載のＥＣＲプラズマ源において、前記マイク
ロ波導入手段は、前記マイクロ波発信手段から伝送され
たマイクロ波を分岐結合するためのマイクロ波分岐手段
を備えることを特徴とする。
又は２に記載のＥＣＲプラズマ源において、前記マイク
ロ波導入手段は、前記マイクロ波発信手段から伝送され
たマイクロ波を分岐結合するためのマイクロ波分岐手段
を備えることを特徴とする。
【００１４】また、請求項４に記載の発明は、ＥＣＲプ
ラズマ装置であって、請求項１乃至３のいずれかに記載
のＥＣＲプラズマ源を備えることを特徴とする。
ラズマ装置であって、請求項１乃至３のいずれかに記載
のＥＣＲプラズマ源を備えることを特徴とする。
【００１５】さらに、請求項５に記載の発明は、請求項
４に記載のＥＣＲプラズマ装置において、試料移動手段
を備え、当該試料移動手段により試料を移動させながら
当該試料表面の略矩形領域にプラズマ照射することを特
徴とする。
４に記載のＥＣＲプラズマ装置において、試料移動手段
を備え、当該試料移動手段により試料を移動させながら
当該試料表面の略矩形領域にプラズマ照射することを特
徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
のＥＣＲプラズマ源およびＥＣＲプラズマ装置について
詳細に説明する。 [第１の実施の形態]図１は、本発明の第１の実施形態に
かかるＥＣＲプラズマ源、およびこのＥＣＲプラズマ源
を備えるＥＣＲプラズマ装置（エッチング装置あるいは
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）装置）の構成を説明するための図で、図１
（ａ）は装置の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）
中のＡ−Ａ´における断面図である。
のＥＣＲプラズマ源およびＥＣＲプラズマ装置について
詳細に説明する。 [第１の実施の形態]図１は、本発明の第１の実施形態に
かかるＥＣＲプラズマ源、およびこのＥＣＲプラズマ源
を備えるＥＣＲプラズマ装置（エッチング装置あるいは
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉ
ｔｉｏｎ）装置）の構成を説明するための図で、図１
（ａ）は装置の上面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）
中のＡ−Ａ´における断面図である。
【００１７】ＥＣＲプラズマ源は、プラズマ生成室１０
と、磁気発生装置の磁気コイル２０、２１と、マイクロ
波導入部３０とから構成されており、プラズマ生成室１
０で生成されたプラズマは、プラズマ生成室１０内で加
速され、プラズマ引出し開口１４を経由して試料室１１
へと向かうプラズマ流が生じ、試料室１１内に配置され
ている試料４０へと照射される。本実施形態では、ＦＰ
Ｄなどの大型試料全面の処理を可能とするために、図示
していない試料移動機構を備え、試料４０は、この試料
移動機構により試料室１１内を所定の速度で矢印方向に
移動しながら処理されることで試料全面の処理が行われ
る。
と、磁気発生装置の磁気コイル２０、２１と、マイクロ
波導入部３０とから構成されており、プラズマ生成室１
０で生成されたプラズマは、プラズマ生成室１０内で加
速され、プラズマ引出し開口１４を経由して試料室１１
へと向かうプラズマ流が生じ、試料室１１内に配置され
ている試料４０へと照射される。本実施形態では、ＦＰ
Ｄなどの大型試料全面の処理を可能とするために、図示
していない試料移動機構を備え、試料４０は、この試料
移動機構により試料室１１内を所定の速度で矢印方向に
移動しながら処理されることで試料全面の処理が行われ
る。
【００１８】プラズマ生成室１０は、ＥＣＲを用いてプ
ラズマを生成しその開口部であるプラズマ引出し開口１
４からプラズマ流を取り出すためのもので、プラズマ生
成室１０とプラズマ引出し開口１４は、共に、プラズマ
生成室１０内で生成するプラズマ流の方向に垂直な断面
形状が略矩形を有し、これにより、試料４０上に略矩形
のプラズマ流照射領域を形成することを可能としてい
る。
ラズマを生成しその開口部であるプラズマ引出し開口１
４からプラズマ流を取り出すためのもので、プラズマ生
成室１０とプラズマ引出し開口１４は、共に、プラズマ
生成室１０内で生成するプラズマ流の方向に垂直な断面
形状が略矩形を有し、これにより、試料４０上に略矩形
のプラズマ流照射領域を形成することを可能としてい
る。
【００１９】なお、本明細書全体を通じて用いられる
「略矩形」という形状は、本来の矩形の他、矩形に類似
する形状を広く意味するものであり、例えば、その４つ
の角が適度な丸みを帯びている形状等であってもよい。
また、この形状の輪郭を構成する長辺と短辺の長さの比
についても特に制限はなく、さらに、４辺の長さを等し
くした形状をも含み得るものである。この形状をいかな
るものとするかは、本発明のＥＣＲプラズマ装置により
処理される試料の大きさや処理内容等から定められる装
置の仕様によって適宜設定可能であることは言うまでも
ない。
「略矩形」という形状は、本来の矩形の他、矩形に類似
する形状を広く意味するものであり、例えば、その４つ
の角が適度な丸みを帯びている形状等であってもよい。
また、この形状の輪郭を構成する長辺と短辺の長さの比
についても特に制限はなく、さらに、４辺の長さを等し
くした形状をも含み得るものである。この形状をいかな
るものとするかは、本発明のＥＣＲプラズマ装置により
処理される試料の大きさや処理内容等から定められる装
置の仕様によって適宜設定可能であることは言うまでも
ない。
【００２０】プラズマ生成室１０内に静磁界を発生せし
めるための磁界発生装置の磁気コイル２０、２１は、プ
ラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形に巻き線せられて
おり、プラズマ生成室１０内の所定の位置にＥＣＲ条件
となる磁場を生成する。
めるための磁界発生装置の磁気コイル２０、２１は、プ
ラズマ流の方向に垂直な面内で略矩形に巻き線せられて
おり、プラズマ生成室１０内の所定の位置にＥＣＲ条件
となる磁場を生成する。
【００２１】プラズマ生成室１０内には、マイクロ波導
入部３０から、石英などの材料からなるマイクロ波導入
窓３６を経由してマイクロ波が導入され、これにより、
マイクロ波の振動電界により磁場中の電子を効率的に加
速することとされている。なお、このマイクロ波導入部
３０へは、図示していないマイクロ波源（マグネトロン
管等を利用）で発生させたマイクロ波が、アイソレータ
や整合器等を介して伝送されている。
入部３０から、石英などの材料からなるマイクロ波導入
窓３６を経由してマイクロ波が導入され、これにより、
マイクロ波の振動電界により磁場中の電子を効率的に加
速することとされている。なお、このマイクロ波導入部
３０へは、図示していないマイクロ波源（マグネトロン
管等を利用）で発生させたマイクロ波が、アイソレータ
や整合器等を介して伝送されている。
【００２２】マイクロ波導入部３０は、その内部にマイ
クロ波の定在波を形成する中空の導波管を構成してお
り、その端面を終端部３１とする導波管の内部には、こ
の導波管の伸長方向に、マイクロ波の定在波の管内波長
λｇに相当する間隔で複数の開口部３４（この図ではス
リット状）が直列に設けられ、この伝送部３５から、プ
ラズマ生成室１０内へと位相の揃った（同相の）マイク
ロ波を伝送する構造となっている。
クロ波の定在波を形成する中空の導波管を構成してお
り、その端面を終端部３１とする導波管の内部には、こ
の導波管の伸長方向に、マイクロ波の定在波の管内波長
λｇに相当する間隔で複数の開口部３４（この図ではス
リット状）が直列に設けられ、この伝送部３５から、プ
ラズマ生成室１０内へと位相の揃った（同相の）マイク
ロ波を伝送する構造となっている。
【００２３】すなわち、このマイクロ波導入部３０の導
波管には、終端部３１から順に、側面に開口部３４の無
い長さλｇ／２の共振ユニット３２、側面に開口部３４
の有る長さλｇ／２の共振ユニット３３、が交互に配置
されており、側面に開口部３４の有る長さλｇ／２の共
振ユニット３３内に形成されている定在波は互いに位相
が揃うこととなるため、この同相のマイクロ波のみが、
開口部３４、マイクロ波伝送部３５、マイクロ波導入窓
３６を経由してプラズマ生成室１０内に導入され、略矩
形のプラズマ生成室１０内の所定の位置に、一様なプラ
ズマ密度をもつＥＣＲプラズマを生成することができ
る。
波管には、終端部３１から順に、側面に開口部３４の無
い長さλｇ／２の共振ユニット３２、側面に開口部３４
の有る長さλｇ／２の共振ユニット３３、が交互に配置
されており、側面に開口部３４の有る長さλｇ／２の共
振ユニット３３内に形成されている定在波は互いに位相
が揃うこととなるため、この同相のマイクロ波のみが、
開口部３４、マイクロ波伝送部３５、マイクロ波導入窓
３６を経由してプラズマ生成室１０内に導入され、略矩
形のプラズマ生成室１０内の所定の位置に、一様なプラ
ズマ密度をもつＥＣＲプラズマを生成することができ
る。
【００２４】ここで示した構成例では、マイクロ波導入
部３０の定在波を形成する導波管の全長はλｇの３．５
倍となっているが、処理する試料の大きさに応じて、導
波管の全長を自由に設定可能であることは言うまでもな
い。また、磁気コイル２０、２１は、プラズマ生成室１
０の所定の位置にＥＣＲ条件となる磁場を形成させるた
めに、巻き数、電流値、を設計すればよく、単数または
複数の磁気コイルを用いることができるのは言うまでも
ない。
部３０の定在波を形成する導波管の全長はλｇの３．５
倍となっているが、処理する試料の大きさに応じて、導
波管の全長を自由に設定可能であることは言うまでもな
い。また、磁気コイル２０、２１は、プラズマ生成室１
０の所定の位置にＥＣＲ条件となる磁場を形成させるた
めに、巻き数、電流値、を設計すればよく、単数または
複数の磁気コイルを用いることができるのは言うまでも
ない。
【００２５】図１に示した構成のＥＣＲプラズマ装置
を、エッチング装置として実施する場合では、図示して
いないガス導入口からＳＦ６、ＣＦ４などのエッチング
ガスをプラズマ生成室１０に導入することにより、Ｓｉ
などの試料のエッチングを容易に行うことができる。ま
た、大型試料を所定の速度で移動させながらエッチング
を行なうことにより、大面積の試料全面を均一にエッチ
ング処理することが可能となる。
を、エッチング装置として実施する場合では、図示して
いないガス導入口からＳＦ６、ＣＦ４などのエッチング
ガスをプラズマ生成室１０に導入することにより、Ｓｉ
などの試料のエッチングを容易に行うことができる。ま
た、大型試料を所定の速度で移動させながらエッチング
を行なうことにより、大面積の試料全面を均一にエッチ
ング処理することが可能となる。
【００２６】また、図１に示した構成のＥＣＲプラズマ
装置を、ＣＶＤ装置として実施する場合では、図示して
いないガス導入口から、例えばＳｉＨ４、Ｏ２、Ｎ２な
どのガスをプラズマ生成室１０に導入することにより、
ＳｉＯ２（酸化珪素）、Ｓｉ ３Ｎ４（窒化珪素）、Ｓｉ
ＯｘＮｙ（酸窒化珪素）などの成膜を均一に行なうこと
が可能となる。
装置を、ＣＶＤ装置として実施する場合では、図示して
いないガス導入口から、例えばＳｉＨ４、Ｏ２、Ｎ２な
どのガスをプラズマ生成室１０に導入することにより、
ＳｉＯ２（酸化珪素）、Ｓｉ ３Ｎ４（窒化珪素）、Ｓｉ
ＯｘＮｙ（酸窒化珪素）などの成膜を均一に行なうこと
が可能となる。
【００２７】なお、図１に示したＥＣＲプラズマ源のマ
イクロ波導入部３０は、端部が終端されその内部にマイ
クロ波の定在波を形成する中空の導波管で構成すること
としているが、マイクロ波導入部３０の構成はこれに限
定されるものではなく、例えば、マイクロ波空洞共振器
を構成すること等としてもよい。
イクロ波導入部３０は、端部が終端されその内部にマイ
クロ波の定在波を形成する中空の導波管で構成すること
としているが、マイクロ波導入部３０の構成はこれに限
定されるものではなく、例えば、マイクロ波空洞共振器
を構成すること等としてもよい。
【００２８】また、開口部３４の形状もスリット状であ
る必要はなく、同相のマイクロ波をプラズマ生成室１０
内へ導入し得る形状であれば良く適宜設計が可能であ
る。
る必要はなく、同相のマイクロ波をプラズマ生成室１０
内へ導入し得る形状であれば良く適宜設計が可能であ
る。
【００２９】さらに、開口部３４をマイクロ波の定在波
の管内波長λｇ毎に設ける配置方法の他、適当な形状の
開口部を複数有する開口領域を、マイクロ波の定在波の
管内波長λｇに相当する間隔毎に設けることとしても良
い。
の管内波長λｇ毎に設ける配置方法の他、適当な形状の
開口部を複数有する開口領域を、マイクロ波の定在波の
管内波長λｇに相当する間隔毎に設けることとしても良
い。
【００３０】図２は、このような構成のＥＣＲプラズマ
源を備えるＥＣＲプラズマ装置（エッチング装置あるい
はＣＶＤ装置）の構成を説明するための図で、図２
（ａ）は装置の上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）
中のＡ−Ａ´における断面図である。基本構成は図１に
示したＥＣＲプラズマ装置と同様であるが、ＥＣＲプラ
ズマ源のマイクロ波導入部３０をマイクロ波空洞共振器
としている。
源を備えるＥＣＲプラズマ装置（エッチング装置あるい
はＣＶＤ装置）の構成を説明するための図で、図２
（ａ）は装置の上面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）
中のＡ−Ａ´における断面図である。基本構成は図１に
示したＥＣＲプラズマ装置と同様であるが、ＥＣＲプラ
ズマ源のマイクロ波導入部３０をマイクロ波空洞共振器
としている。
【００３１】この図に示したマイクロ波導入部３０は、
一方の端面を金属板等で終端した終端部３１とし、この
終端部３１からｎ・(λｇ／２)（ｎ：３以上の整数）の
距離に設けられた他方の端部には金属板スリット等を挿
入等することで空洞共振器の開口部３８が設けられてお
り、これら終端部３１と空洞共振器の開口部３８が設け
られた端部との間に、マイクロ波導入部３０の伸長方向
に、終端部３１からλｇ／２の長さ毎に直列に接続され
た複数の共振ユニット３２、３３（すなわち、側面に開
口部３４の無い共振ユニット３２と側面に開口部３３の
有る共振ユニット３３）を交互に設けることでマイクロ
波空洞共振器が構成されている。
一方の端面を金属板等で終端した終端部３１とし、この
終端部３１からｎ・(λｇ／２)（ｎ：３以上の整数）の
距離に設けられた他方の端部には金属板スリット等を挿
入等することで空洞共振器の開口部３８が設けられてお
り、これら終端部３１と空洞共振器の開口部３８が設け
られた端部との間に、マイクロ波導入部３０の伸長方向
に、終端部３１からλｇ／２の長さ毎に直列に接続され
た複数の共振ユニット３２、３３（すなわち、側面に開
口部３４の無い共振ユニット３２と側面に開口部３３の
有る共振ユニット３３）を交互に設けることでマイクロ
波空洞共振器が構成されている。
【００３２】図２（ａ）において、共振ユニット３２と
共振ユニット３３との境界を示す点線部には、サセプタ
ンスを調整するための窓を設ける場合と、特に窓を設け
ない場合とがあり、その構造は、ＥＣＲプラズマ源ある
いはＥＣＲプラズマ装置としての仕様に応じて適宜設計
すれば良い。なお、図２（ｂ）には、開口部３８を点線
で示した。
共振ユニット３３との境界を示す点線部には、サセプタ
ンスを調整するための窓を設ける場合と、特に窓を設け
ない場合とがあり、その構造は、ＥＣＲプラズマ源ある
いはＥＣＲプラズマ装置としての仕様に応じて適宜設計
すれば良い。なお、図２（ｂ）には、開口部３８を点線
で示した。
【００３３】そして、このマイクロ波空洞共振器の同相
部の側面（図２（ｂ）では下面）に設けられた複数の開
口部３４から、プラズマ生成室１０内へとマイクロ波を
伝送する構造となっている。なお、図２に示した構成例
では、空洞共振器の全長はλｇの３．５倍となってい
る。
部の側面（図２（ｂ）では下面）に設けられた複数の開
口部３４から、プラズマ生成室１０内へとマイクロ波を
伝送する構造となっている。なお、図２に示した構成例
では、空洞共振器の全長はλｇの３．５倍となってい
る。
【００３４】この空洞共振器では、側面に開口部３４の
ある共振ユニット３３が３つ設けられているが、これら
の内部のマイクロ波は同相の定在波となるから、側面の
開口部３４からは同相のマイクロ波がマイクロ波伝送部
３５、マイクロ波導入窓３６を経由してプラズマ生成室
１０に導入される。このような構成により、略矩形のプ
ラズマ生成室１０内の所定の位置に、一様なプラズマ密
度をもつＥＣＲプラズマを生成することができる。
ある共振ユニット３３が３つ設けられているが、これら
の内部のマイクロ波は同相の定在波となるから、側面の
開口部３４からは同相のマイクロ波がマイクロ波伝送部
３５、マイクロ波導入窓３６を経由してプラズマ生成室
１０に導入される。このような構成により、略矩形のプ
ラズマ生成室１０内の所定の位置に、一様なプラズマ密
度をもつＥＣＲプラズマを生成することができる。
【００３５】[第２の実施の形態]図３は、本発明の第２
の実施形態にかかるＥＣＲプラズマ源、およびこのＥＣ
Ｒプラズマ源を備えるスパッタリング装置の構成を説明
するための図で、図３（ａ）はスパッタリング装置の上
面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＡ−Ａ´にお
ける断面図である。
の実施形態にかかるＥＣＲプラズマ源、およびこのＥＣ
Ｒプラズマ源を備えるスパッタリング装置の構成を説明
するための図で、図３（ａ）はスパッタリング装置の上
面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）中のＡ−Ａ´にお
ける断面図である。
【００３６】このＥＣＲプラズマ源の基本構造は図２に
示したものと同様であり、プラズマ生成室１０と、磁気
コイル２０、２１と、マイクロ波導入部３０とから構成
されるが、マイクロ波導入部３０にはマイクロ波発信装
置から伝送されたマイクロ波を分岐結合するためのマイ
クロ波分岐部３７が備えられている。
示したものと同様であり、プラズマ生成室１０と、磁気
コイル２０、２１と、マイクロ波導入部３０とから構成
されるが、マイクロ波導入部３０にはマイクロ波発信装
置から伝送されたマイクロ波を分岐結合するためのマイ
クロ波分岐部３７が備えられている。
【００３７】プラズマ生成室１０で生成されたプラズマ
は、磁力線に沿って加速されプラズマ引出し開口１４を
経由して試料室１１へと向かうプラズマ流となる。プラ
ズマ流の周囲に配置したターゲット５０にＤＣまたはＲ
Ｆ電力を印加することで、ターゲット５０を構成する金
属あるいは半導体などの元素がスパッタされ、試料室１
１内に配置されている試料４０に堆積する。
は、磁力線に沿って加速されプラズマ引出し開口１４を
経由して試料室１１へと向かうプラズマ流となる。プラ
ズマ流の周囲に配置したターゲット５０にＤＣまたはＲ
Ｆ電力を印加することで、ターゲット５０を構成する金
属あるいは半導体などの元素がスパッタされ、試料室１
１内に配置されている試料４０に堆積する。
【００３８】本実施形態では、ＦＰＤなどの大型試料全
面の処理を可能とするために、図示していない試料移動
機構を備え、試料４０は、この試料移動機構により試料
室１１内を所定の速度で矢印方向に移動しながらスパッ
タリング処理されることで試料全面に堆積が行われる。
面の処理を可能とするために、図示していない試料移動
機構を備え、試料４０は、この試料移動機構により試料
室１１内を所定の速度で矢印方向に移動しながらスパッ
タリング処理されることで試料全面に堆積が行われる。
【００３９】プラズマ生成室１０は、プラズマ流に垂直
な面内での断面形状が略矩形となるように設計されてお
り、これにより、試料４０上に略矩形のプラズマ流照射
領域を形成することを可能としている。また、磁気コイ
ル２０、２１は、プラズマ流に垂直な面内で略矩形に巻
き線せられており、プラズマ生成室１０内の所定の位置
にＥＣＲ条件となる磁場を生成する。
な面内での断面形状が略矩形となるように設計されてお
り、これにより、試料４０上に略矩形のプラズマ流照射
領域を形成することを可能としている。また、磁気コイ
ル２０、２１は、プラズマ流に垂直な面内で略矩形に巻
き線せられており、プラズマ生成室１０内の所定の位置
にＥＣＲ条件となる磁場を生成する。
【００４０】プラズマ生成室１０内には、分岐結合方式
を用いたマイクロ波導入部３０から、石英などの材料か
らなるマイクロ波導入窓３６を経由してマイクロ波が導
入され、これにより、マイクロ波の振動電界により磁場
中の電子を効率的に加速することとされている。
を用いたマイクロ波導入部３０から、石英などの材料か
らなるマイクロ波導入窓３６を経由してマイクロ波が導
入され、これにより、マイクロ波の振動電界により磁場
中の電子を効率的に加速することとされている。
【００４１】図３に示した構成例では、図示していない
マイクロ波源（マグネトロン管等を利用）で発生させた
マイクロ波がアイソレータや整合器等を介してマイクロ
波分岐部３７に伝送され、マイクロ波は、マイクロ波分
岐部３７により左右２方向に分岐されて各々の側に配置
された空洞共振器へと導入される。
マイクロ波源（マグネトロン管等を利用）で発生させた
マイクロ波がアイソレータや整合器等を介してマイクロ
波分岐部３７に伝送され、マイクロ波は、マイクロ波分
岐部３７により左右２方向に分岐されて各々の側に配置
された空洞共振器へと導入される。
【００４２】各空洞共振器は、図２でも説明したよう
に、側面の開口部３４から同相のマイクロ波がマイクロ
波伝送部３５、マイクロ波導入窓３６を経由してプラズ
マ生成室１０に導入され、両側からのマイクロ波が合成
されてプラズマ生成室１０内に伝播する。このような構
成により略矩形のプラズマ生成室１０内の所定の位置
に、一様なプラズマ密度をもつＥＣＲプラズマを生成す
ることができる。
に、側面の開口部３４から同相のマイクロ波がマイクロ
波伝送部３５、マイクロ波導入窓３６を経由してプラズ
マ生成室１０に導入され、両側からのマイクロ波が合成
されてプラズマ生成室１０内に伝播する。このような構
成により略矩形のプラズマ生成室１０内の所定の位置
に、一様なプラズマ密度をもつＥＣＲプラズマを生成す
ることができる。
【００４３】すなわち、このマイクロ波導入部３０は、
その端面を終端部３１とし、マイクロ波導入部３０の左
右各々の伸長方向に、終端部３１からλｇ／２（λｇは
管内波長）の長さ毎に直列に接続された複数の共振ユニ
ットによりマイクロ波空洞共振器を構成し、これらのマ
イクロ波空洞共振器の同相部の側面（図３（ｂ）では左
面または右面）に設けられた複数の開口部３４から、プ
ラズマ生成室１０内へとマイクロ波を伝送する構造とな
っている。なお、図３に示した構成例では、左右の空洞
共振器の各々の全長はλｇの３．５倍となっている。
その端面を終端部３１とし、マイクロ波導入部３０の左
右各々の伸長方向に、終端部３１からλｇ／２（λｇは
管内波長）の長さ毎に直列に接続された複数の共振ユニ
ットによりマイクロ波空洞共振器を構成し、これらのマ
イクロ波空洞共振器の同相部の側面（図３（ｂ）では左
面または右面）に設けられた複数の開口部３４から、プ
ラズマ生成室１０内へとマイクロ波を伝送する構造とな
っている。なお、図３に示した構成例では、左右の空洞
共振器の各々の全長はλｇの３．５倍となっている。
【００４４】左右の各々の空洞共振器の端部には金属板
スリット等が挿入されることで開口部３８が設けられて
おり、終端部３１から順に、側面に開口部３４の無い共
振ユニット３２、側面に開口部３４の有る共振ユニット
３３、が交互に配置されている。
スリット等が挿入されることで開口部３８が設けられて
おり、終端部３１から順に、側面に開口部３４の無い共
振ユニット３２、側面に開口部３４の有る共振ユニット
３３、が交互に配置されている。
【００４５】この例では、側面に開口部３４のある共振
ユニット３３が３つずつ設けられており、これらの共振
ユニット３３内部のマイクロ波は同相の定在波となるか
ら、側面の開口部３４からは同相のマイクロ波がマイク
ロ波伝送部３５に伝送される。そして、左右のマイクロ
波伝送部３５を伝送するマイクロ波は、マイクロ波導入
窓３６を経由してプラズマ生成室１０に導入され合成さ
れる。このような構成により、略矩形のプラズマ生成室
１０内の所定の位置に、一様なプラズマ密度をもつＥＣ
Ｒプラズマを生成することができる。
ユニット３３が３つずつ設けられており、これらの共振
ユニット３３内部のマイクロ波は同相の定在波となるか
ら、側面の開口部３４からは同相のマイクロ波がマイク
ロ波伝送部３５に伝送される。そして、左右のマイクロ
波伝送部３５を伝送するマイクロ波は、マイクロ波導入
窓３６を経由してプラズマ生成室１０に導入され合成さ
れる。このような構成により、略矩形のプラズマ生成室
１０内の所定の位置に、一様なプラズマ密度をもつＥＣ
Ｒプラズマを生成することができる。
【００４６】このように、分岐結合方式とすることで、
大型試料のスパッタリングにおいてもマイクロ波導入窓
の汚染を防ぐことが可能となる。また、図３に示した分
岐結合方式のＥＣＲプラズマ源をエッチング装置あるい
はＣＶＤ装置に用いることも可能であるのは言うまでも
ない。
大型試料のスパッタリングにおいてもマイクロ波導入窓
の汚染を防ぐことが可能となる。また、図３に示した分
岐結合方式のＥＣＲプラズマ源をエッチング装置あるい
はＣＶＤ装置に用いることも可能であるのは言うまでも
ない。
【００４７】ここで示した構成例では、左右の空洞共振
器の各々の全長はλｇの３．５倍となっているが、処理
する試料の大きさに応じて、空洞共振器の全長を自由に
設定可能であることは言うまでもない。
器の各々の全長はλｇの３．５倍となっているが、処理
する試料の大きさに応じて、空洞共振器の全長を自由に
設定可能であることは言うまでもない。
【００４８】例えば、図４に示す構成のＥＣＲプラズマ
源は、図３に示したスパッタリング装置に備えるＥＣＲ
プラズマ源と同様の分岐結合方式のプラズマ源であり、
左右各々の共振器長はλｇの５．５倍の長さになってお
り、図３に示したスパッタリング装置に備えるＥＣＲプ
ラズマ源に比較して約１．６倍の幅をもつ略矩形試料の
処理が可能となる。このように、略矩形断面の長辺が変
化してもλｇ／２の長さをもつ共振ユニットの数を加減
することにより、目的に応じた大きさの略矩形断面を形
成することができる。
源は、図３に示したスパッタリング装置に備えるＥＣＲ
プラズマ源と同様の分岐結合方式のプラズマ源であり、
左右各々の共振器長はλｇの５．５倍の長さになってお
り、図３に示したスパッタリング装置に備えるＥＣＲプ
ラズマ源に比較して約１．６倍の幅をもつ略矩形試料の
処理が可能となる。このように、略矩形断面の長辺が変
化してもλｇ／２の長さをもつ共振ユニットの数を加減
することにより、目的に応じた大きさの略矩形断面を形
成することができる。
【００４９】また、磁気コイル２０、２１は、プラズマ
生成室１０の所定の位置にＥＣＲ条件となる磁場を形成
させるために、巻き数、電流値、を設計すればよく、単
数または複数の磁気コイルを用いることができるのは言
うまでもない。
生成室１０の所定の位置にＥＣＲ条件となる磁場を形成
させるために、巻き数、電流値、を設計すればよく、単
数または複数の磁気コイルを用いることができるのは言
うまでもない。
【００５０】このように、図３に示した構成のスパッタ
リング装置では、図示していないガス導入口からＯ２、
Ｎ２などのガスをプラズマ生成室１０に導入し、Ｓｉ、
Ａｌなどのターゲット５０をスパッタすることにより、
ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ ２Ｏ３、ＡｌＮなどの試料
の薄膜形成を容易に行うことができる。また、大型試料
を所定の速度で移動させながらスパッタリングを行なう
ことにより、大面積の試料全面を均一に薄膜形成するこ
とが可能となる。
リング装置では、図示していないガス導入口からＯ２、
Ｎ２などのガスをプラズマ生成室１０に導入し、Ｓｉ、
Ａｌなどのターゲット５０をスパッタすることにより、
ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ ２Ｏ３、ＡｌＮなどの試料
の薄膜形成を容易に行うことができる。また、大型試料
を所定の速度で移動させながらスパッタリングを行なう
ことにより、大面積の試料全面を均一に薄膜形成するこ
とが可能となる。
【００５１】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明によれ
ば、ＥＣＲプラズマ源を、プラズマ流に垂直な面内で略
矩形断面を有するプラズマ生成室と、プラズマ流に垂直
な面内で略矩形形状に巻き線せられた磁気コイルと、端
部が終端された導波管または端部が終端されて直列に接
続された複数の共振ユニットからなるマイクロ波空洞共
振器とで構成し、この導波管またはマイクロ波空洞共振
器の同相部側面に設けられた複数の開口部から、プラズ
マ生成室内へ同相のマイクロ波を伝送することとしたの
で、略矩形断面において一様なプラズマ密度を発生させ
得るＥＣＲプラズマ源を提供することが可能となる。
ば、ＥＣＲプラズマ源を、プラズマ流に垂直な面内で略
矩形断面を有するプラズマ生成室と、プラズマ流に垂直
な面内で略矩形形状に巻き線せられた磁気コイルと、端
部が終端された導波管または端部が終端されて直列に接
続された複数の共振ユニットからなるマイクロ波空洞共
振器とで構成し、この導波管またはマイクロ波空洞共振
器の同相部側面に設けられた複数の開口部から、プラズ
マ生成室内へ同相のマイクロ波を伝送することとしたの
で、略矩形断面において一様なプラズマ密度を発生させ
得るＥＣＲプラズマ源を提供することが可能となる。
【００５２】また、本発明によれば、ＥＣＲプラズマ源
のマイクロ波導入部を、マイクロ波発信管から伝送され
たマイクロ波を分岐結合する構造としたので、マイクロ
波導入窓が汚れることなくスパッタリング等の処理を実
行することが可能となる。
のマイクロ波導入部を、マイクロ波発信管から伝送され
たマイクロ波を分岐結合する構造としたので、マイクロ
波導入窓が汚れることなくスパッタリング等の処理を実
行することが可能となる。
【００５３】また、本発明によれば、ＥＣＲプラズマ装
置に、プラズマ源として上述のＥＣＲプラズマ源を備
え、さらに、大型試料を移動させるための試料移動機構
を備えることとしたので、ＦＰＤのような略矩形形状の
大型試料に対しても容易にスパッタリングやエッチング
等の処理が可能なＲＣＲプラズマ装置を提供することが
可能となる。
置に、プラズマ源として上述のＥＣＲプラズマ源を備
え、さらに、大型試料を移動させるための試料移動機構
を備えることとしたので、ＦＰＤのような略矩形形状の
大型試料に対しても容易にスパッタリングやエッチング
等の処理が可能なＲＣＲプラズマ装置を提供することが
可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態にかかるＥＣＲプラズ
マ源、およびこのＥＣＲプラズマ源を備えるＥＣＲプラ
ズマ装置（エッチング装置あるいはＣＶＤ装置）の構成
を説明するための図で、（ａ）は装置の上面図であり、
（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ´における断面図である。
マ源、およびこのＥＣＲプラズマ源を備えるＥＣＲプラ
ズマ装置（エッチング装置あるいはＣＶＤ装置）の構成
を説明するための図で、（ａ）は装置の上面図であり、
（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ´における断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態にかかるＥＣＲプラズ
マ源、およびこのＥＣＲプラズマ源を備えるＥＣＲプラ
ズマ装置（エッチング装置あるいはＣＶＤ装置）の他の
構成例を説明するための図で、（ａ）は装置の上面図で
あり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ´における断面図であ
る。
マ源、およびこのＥＣＲプラズマ源を備えるＥＣＲプラ
ズマ装置（エッチング装置あるいはＣＶＤ装置）の他の
構成例を説明するための図で、（ａ）は装置の上面図で
あり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ´における断面図であ
る。
【図３】本発明の第２の実施形態にかかるＥＣＲプラズ
マ源、およびこのＥＣＲプラズマ源を備えるスパッタリ
ング装置の構成を説明するための図で、（ａ）はスパッ
タリング装置の上面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−
Ａ´における断面図である。
マ源、およびこのＥＣＲプラズマ源を備えるスパッタリ
ング装置の構成を説明するための図で、（ａ）はスパッ
タリング装置の上面図であり、（ｂ）は（ａ）中のＡ−
Ａ´における断面図である。
【図４】本発明のＥＣＲプラズマ源の第４の構成例を説
明するための上面図である。
明するための上面図である。
【図５】円形断面を有する従来のＥＣＲプラズマ源を備
えるエッチング装置の構成を説明するための図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´における断
面図である。
えるエッチング装置の構成を説明するための図で、
（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´における断
面図である。
１０ 略矩形断面のプラズマ生成室
１１ 試料室
１４ プラズマ引出し開口
２０、２１ 略矩形断面の磁気コイル
３０ マイクロ波導入部
３１ 終端部
３２ 長さλｇ／２の共振ユニット（側面に開口部無
し） ３３ 長さλｇ／２の共振ユニット（側面に開口部有
り） ３４ 共振ユニット側面の開口部 ３５ マイクロ波伝送部 ３６、９１ マイクロ波導入窓 ３７ マイクロ波分岐部 ３８ 空洞共振器の開口部 ４０、１００ 試料 ５０ ターゲット ７０ 円形断面のプラズマ生成室 ８０、８１ 円形断面の磁気コイル ９０ マイクロ波導波管
し） ３３ 長さλｇ／２の共振ユニット（側面に開口部有
り） ３４ 共振ユニット側面の開口部 ３５ マイクロ波伝送部 ３６、９１ マイクロ波導入窓 ３７ マイクロ波分岐部 ３８ 空洞共振器の開口部 ４０、１００ 試料 ５０ ターゲット ７０ 円形断面のプラズマ生成室 ８０、８１ 円形断面の磁気コイル ９０ マイクロ波導波管
フロントページの続き
(72)発明者 田中 富三男
東京都三鷹市下連雀４丁目16番30号 エ
ヌ・ティ・ティ・アフティ株式会社内
Ｆターム(参考） 5F004 AA01 BA16 BB07 BB14 BC06
BD04 DA01 DA18 DB01
5F045 AA10 AB32 AB33 AB34 AC01
AC11 AC15 BB02 DP21 EH03
EH17 EH19
Claims (5)
- 【請求項１】 マイクロ波による電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）を用いてプラズマを生成しその開口部から
プラズマ流を取り出すためのプラズマ生成室と、当該プ
ラズマ生成室内に静磁界を発生せしめるための磁気コイ
ルを巻き線せられた少なくとも１つの磁界発生手段と、
マイクロ波発信手段から伝送されたマイクロ波を前記プ
ラズマ生成室内に導入するためのマイクロ波導入手段と
を備えるＥＣＲプラズマ源であって、 前記プラズマ生成室とその開口部は、当該プラズマ生成
室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な断面形状が略
矩形を有し、 前記磁界発生手段の磁気コイルは、前記プラズマ流の方
向に垂直な面内で略矩形形状に巻き線せられており、 前記マイクロ波導入手段は、その内部にマイクロ波の定
在波を形成する中空の導波管を構成するように端部が終
端され、当該導波管の内部には、少なくとも１つの開口
部を有する複数の開口領域が、マイクロ波の定在波の管
内波長λｇに相当する間隔で設けられ、当該開口部を介
して同相のマイクロ波を前記プラズマ生成室内へ導入さ
せることとしたことを特徴とするＥＣＲプラズマ源。 - 【請求項２】 マイクロ波による電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）を用いてプラズマを生成しその開口部から
プラズマ流を取り出すためのプラズマ生成室と、当該プ
ラズマ生成室内に静磁界を発生せしめるための磁気コイ
ルを巻き線せられた少なくとも１つの磁界発生手段と、
マイクロ波発信手段から伝送されたマイクロ波を前記プ
ラズマ生成室内に導入するためのマイクロ波導入手段と
を備えるＥＣＲプラズマ源であって、 前記プラズマ生成室とその開口部は、当該プラズマ生成
室内で生成するプラズマ流の方向に垂直な断面形状が略
矩形を有し、 前記磁界発生手段の磁気コイルは、前記プラズマ流の方
向に垂直な面内で略矩形形状に巻き線せられており、 前記マイクロ波導入手段は、開口部を有しない終端部
と、当該終端部からｎ・(λｇ／２)（ｎ：３以上の整
数）の距離に設けられた第１の開口部を有する端部との
間でマイクロ波空洞共振器を構成しており、当該マイク
ロ波空洞共振器の内部には、少なくとも１つの第２の開
口部を有する複数の開口領域が、マイクロ波の定在波の
管内波長λｇに相当する間隔で設けられ、当該第２の開
口部を介して同相のマイクロ波を前記プラズマ室内へ導
入させることとしたことを特徴とするＥＣＲプラズマ
源。 - 【請求項３】 前記マイクロ波導入手段は、前記マイク
ロ波発信手段から伝送されたマイクロ波を分岐結合する
ためのマイクロ波分岐手段を備えることを特徴とする請
求項１又は２に記載のＥＣＲプラズマ源。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかに記載のＥＣ
Ｒプラズマ源を備えることを特徴とするＥＣＲプラズマ
装置。 - 【請求項５】 試料移動手段を備え、当該試料移動手段
により試料を移動させながら当該試料表面の略矩形領域
にプラズマ照射することを特徴とする請求項４に記載の
ＥＣＲプラズマ装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002106710A JP4173679B2 (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | Ｅｃｒプラズマ源およびｅｃｒプラズマ装置 |
| DE60330655T DE60330655D1 (de) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | Ecr-plasmaquelle und ecr-plasmaeinrichtung |
| EP03745980A EP1494512B1 (en) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | Ecr plasma source and ecr plasma device |
| PCT/JP2003/004481 WO2003086032A1 (fr) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | Source de plasma ecr et dispositif a plasma ecr |
| CNB038077477A CN100348078C (zh) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | Ecr等离子体源和ecr等离子体装置 |
| AU2003236008A AU2003236008A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | Ecr plasma source and ecr plasma device |
| US10/510,479 US7485204B2 (en) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | ECR plasma source and ECR plasma device |
| KR1020047015840A KR100802201B1 (ko) | 2002-04-09 | 2003-04-09 | Ｅｃｒ 플라즈마 소스 및 ｅｃｒ 플라즈마 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002106710A JP4173679B2 (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | Ｅｃｒプラズマ源およびｅｃｒプラズマ装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003303698A true JP2003303698A (ja) | 2003-10-24 |
| JP2003303698A5 JP2003303698A5 (ja) | 2005-09-15 |
| JP4173679B2 JP4173679B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=28786436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002106710A Expired - Lifetime JP4173679B2 (ja) | 2002-04-09 | 2002-04-09 | Ｅｃｒプラズマ源およびｅｃｒプラズマ装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7485204B2 (ja) |
| EP (1) | EP1494512B1 (ja) |
| JP (1) | JP4173679B2 (ja) |
| KR (1) | KR100802201B1 (ja) |
| CN (1) | CN100348078C (ja) |
| AU (1) | AU2003236008A1 (ja) |
| DE (1) | DE60330655D1 (ja) |
| WO (1) | WO2003086032A1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111076A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| KR100819902B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2008-04-08 | 주식회사 제너럴디스플레이 | 펄스형 마이크로파의 합성을 이용한 대면적 전자싸이클로트론 공진 플라즈마장치 |
| JP2009054996A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0517334D0 (en) * | 2005-08-24 | 2005-10-05 | Dow Corning | Method and apparatus for creating a plasma |
| CN100405878C (zh) * | 2005-12-07 | 2008-07-23 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体刻蚀装置 |
| TW201141316A (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-16 | Ind Tech Res Inst | A linear-type microwave plasma source using rectangular waveguide with a biased slot as the plasma reactor |
| CN102254776A (zh) * | 2010-05-19 | 2011-11-23 | 财团法人工业技术研究院 | 具有偏心开槽可变介质导波管的线型微波等离子体源 |
| US9013191B2 (en) | 2011-09-12 | 2015-04-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Microwave cavity with dielectric region and method thereof |
| CN103114278B (zh) * | 2013-02-06 | 2014-12-24 | 上海君威新能源装备有限公司 | 平面磁控ecr-pecvd等离子源装置 |
| FR3042797B1 (fr) | 2015-10-27 | 2021-01-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif pour la fabrication d'une couche en carbone amorphe par plasma a la resonance cyclotron electronique |
| CN105836165B (zh) * | 2016-05-05 | 2017-11-14 | 哈尔滨工业大学 | 空间环境地面模拟等离子体产生装置及采用该装置实现的等离子体产生方法 |
| CN106561446A (zh) * | 2016-10-27 | 2017-04-19 | 合肥优亿科机电科技有限公司 | 微波源高密度低能离子束生物改性设备 |
| CN108566717A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-09-21 | 合肥中科离子医学技术装备有限公司 | 采用微波垂直注入激励等离子体发生装置 |
| KR102164480B1 (ko) * | 2019-02-14 | 2020-10-13 | 주식회사 쌤빛 | 개선된 ecr 균일 플라즈마 발생 장치 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5947728A (ja) | 1982-09-10 | 1984-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ付着方法および装置 |
| JPS62152127A (ja) * | 1985-12-25 | 1987-07-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置 |
| JPH0770519B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1995-07-31 | 日本電信電話株式会社 | プラズマ処理装置 |
| JPS62229841A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-08 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
| JPH01134926A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | プラズマ生成源およびそれを用いたプラズマ処理装置 |
| US4893584A (en) | 1988-03-29 | 1990-01-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Large area microwave plasma apparatus |
| JP2902009B2 (ja) * | 1989-10-16 | 1999-06-07 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理装置および処理方法 |
| JP2537304B2 (ja) | 1989-12-07 | 1996-09-25 | 新技術事業団 | 大気圧プラズマ反応方法とその装置 |
| JPH0562940A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Sony Corp | 矩形基板のドライエツチング装置 |
| FR2691035B1 (fr) | 1992-05-07 | 1994-06-17 | France Telecom | Dispositif et machine a plasma de traitement chimique et procede utilisant ce dispositif. |
| DE69318480T2 (de) * | 1992-06-23 | 1998-09-17 | Nippon Telegraph & Telephone | Plasmabearbeitungsgerät |
| EP0702393A3 (en) * | 1994-09-16 | 1997-03-26 | Daihen Corp | Plasma processing apparatus for introducing a micrometric wave from a rectangular waveguide, through an elongated sheet into the plasma chamber |
| FR2733384B1 (fr) | 1995-04-21 | 1997-07-04 | Univ Lille Sciences Tech | Dispositif pour creer deux ou plusieurs decharges plasma dans un meme tube guide d'onde |
| KR100197113B1 (ko) | 1995-08-25 | 1999-06-15 | 니시마쓰 다이조 | 장방형 도파관에서 긴 슬롯을 통해 플라즈마실에 마이크로웨이브를 조사하는 플라즈마 처리장치 |
| US5961851A (en) * | 1996-04-02 | 1999-10-05 | Fusion Systems Corporation | Microwave plasma discharge device |
| US5975014A (en) * | 1996-07-08 | 1999-11-02 | Asm Japan K.K. | Coaxial resonant multi-port microwave applicator for an ECR plasma source |
| US5707452A (en) * | 1996-07-08 | 1998-01-13 | Applied Microwave Plasma Concepts, Inc. | Coaxial microwave applicator for an electron cyclotron resonance plasma source |
| JP2000312045A (ja) | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Tadahiro Omi | レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
| US6186090B1 (en) * | 1999-03-04 | 2001-02-13 | Energy Conversion Devices, Inc. | Apparatus for the simultaneous deposition by physical vapor deposition and chemical vapor deposition and method therefor |
| US6169466B1 (en) * | 1999-05-10 | 2001-01-02 | Com Dev Limited | Corrugated waveguide filter having coupled resonator cavities |
| US6246175B1 (en) * | 1999-10-25 | 2001-06-12 | National Science Council | Large area microwave plasma generator |
| JP4441038B2 (ja) * | 2000-02-07 | 2010-03-31 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JP4358076B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2009-11-04 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
-
2002
- 2002-04-09 JP JP2002106710A patent/JP4173679B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-09 EP EP03745980A patent/EP1494512B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-09 AU AU2003236008A patent/AU2003236008A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-09 DE DE60330655T patent/DE60330655D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-09 KR KR1020047015840A patent/KR100802201B1/ko active IP Right Grant
- 2003-04-09 CN CNB038077477A patent/CN100348078C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-09 WO PCT/JP2003/004481 patent/WO2003086032A1/ja active Application Filing
- 2003-04-09 US US10/510,479 patent/US7485204B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111098A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及びその製造方法 |
| WO2007111074A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111092A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111075A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シート及び透明バリア性シートの製造方法 |
| WO2007111076A1 (ja) | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | 透明バリア性シートおよび透明バリア性シートの製造方法 |
| KR100819902B1 (ko) * | 2007-05-25 | 2008-04-08 | 주식회사 제너럴디스플레이 | 펄스형 마이크로파의 합성을 이용한 대면적 전자싸이클로트론 공진 플라즈마장치 |
| JP2009054996A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100348078C (zh) | 2007-11-07 |
| US20050145339A1 (en) | 2005-07-07 |
| EP1494512A1 (en) | 2005-01-05 |
| AU2003236008A1 (en) | 2003-10-20 |
| KR100802201B1 (ko) | 2008-02-11 |
| JP4173679B2 (ja) | 2008-10-29 |
| EP1494512A4 (en) | 2006-09-13 |
| US7485204B2 (en) | 2009-02-03 |
| EP1494512B1 (en) | 2009-12-23 |
| DE60330655D1 (de) | 2010-02-04 |
| WO2003086032A1 (fr) | 2003-10-16 |
| KR20040111486A (ko) | 2004-12-31 |
| CN1647593A (zh) | 2005-07-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003303698A (ja) | Ｅｃｒプラズマ源およびｅｃｒプラズマ装置 | |
| JP3233575B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003109941A (ja) | プラズマ処理装置および表面処理方法 | |
| JPH10335096A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH06251896A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
| JP2631650B2 (ja) | 真空装置 | |
| US6225592B1 (en) | Method and apparatus for launching microwave energy into a plasma processing chamber | |
| JPH0339480A (ja) | Ｅｃｒプラズマ装置 | |
| JPH01134926A (ja) | プラズマ生成源およびそれを用いたプラズマ処理装置 | |
| JPH05290995A (ja) | プラズマ発生装置 | |
| JP2000174009A (ja) | プラズマ処理装置及び半導体製造装置並びに液晶製造装置 | |
| JP2003045698A (ja) | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 | |
| JP2000114240A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ閉じ込め方法 | |
| JP2001244244A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002329716A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法および素子の製造方法 | |
| JPH065549A (ja) | Ｅｃｒプラズマイオン発生装置 | |
| JPH06299357A (ja) | 電子サイクロトロン共鳴プラズマの科学蒸着装置 | |
| JPH0414822A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング方法 | |
| JPH0390577A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH04304630A (ja) | マイクロ波プラズマ生成装置 | |
| JPH0536640A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR20000063003A (ko) | 플라즈마처리장치, 플라즈마처리방법 및 반도체제조방법 | |
| JP2001176698A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH065548A (ja) | Ｅｃｒエッチング装置 | |
| JPH0964018A (ja) | 表面処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050330 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050330 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20050330 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070619 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070619 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080121 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080328 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080527 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080718 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080814 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4173679 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120822 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |