JP2003297822A - 絶縁膜の形成方法 - Google Patents

絶縁膜の形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の熱酸化膜やＣＶＤ法による絶縁膜の形
成方法のみでは、今後の高速、低消費電力デバイスへの
応用は不十分である。また、良好なデバイス特性を得る
ためには様々な形体を持った装置を使用する必要があ
り、操作性やフットプリントの点で問題がある。 【解決手段】 本発明により、大気への暴露を避けて、
洗浄、酸化、窒化、薄膜化などの処理を行うことで、洗
浄度の高い絶縁膜の形成が可能となる。さらに、同一の
動作原理を用いて絶縁膜の形成に関する様々な工程を行
うことで、装置形体の簡略化を実現し、特性の優れた絶
縁膜を効率よく形成することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、様々な特性（例え
ば、極薄膜厚の制御や、高い清浄度等）に優れた絶縁膜
を効率よく（例えば、一つの反応室で様々な工程を行う
ことによる小さいフットプリントや、同一の動作原理の
反応室で様々な工程を行うことによる操作性の簡略化、
装置間のクロスコンタミネーションの抑制等）製造する
方法に関する。本発明の電子デバイス材料の製造方法
は、例えば半導体ないし半導体デバイス（例えば、特性
に優れたゲート絶縁膜を有するＭＯＳ型半導体構造を有
するもの）用の材料を形成するために好適に使用するこ
とが可能である。
【０００２】
【従来の技術】本発明は半導体ないし半導体装置、液晶
デバイス等の電子デバイス材料の製造に一般的に広く適
用可能であるが、ここでは説明の便宜のために、半導体
装置（devices）の背景技術を例にとって説明する。
【０００３】シリコンを始めとする半導体ないし電子デ
バイス材料用基材には、酸化膜を始めとする絶縁膜の形
成、ＣＶＤ等による成膜、エッチング等の種々の処理が
施される。
【０００４】近年の半導体デバイスの高性能化は、トラ
ンジスタを始めとする該デバイスの微細化技術の上に発
展してきたといっても過言ではない。現在も更なる高性
能化を目指してトランジスタの微細化技術の改善がなさ
れている。近年の半導体装置の微細化、および高性能化
の要請に伴い、（例えば、リーク電流の点で）より高性
能な絶縁膜に対するニーズが著しく高まって来ている。
これは、従来の比較的に集積度が低いデバイスにおいて
は事実上問題とならなかったような程度のリーク電流で
あっても、近年の微細化・高集積化および／又は高性能
化したデバイスにおいては、シビアな問題を生ずる可能
性があるためである。特に、近年始まった、いわゆるユ
ビキタス社会（何時でもどこでもネットワークに繋がる
電子デバイスを媒体にした情報化社会）における携帯型
電子機器の発達には低消費電力デバイスが必須であり、
このリーク電流の低減が極めて重要な課題となる。
【０００５】典型的には、例えば、次世代ＭＯＳトラン
ジスタを開発する上で、上述したような微細化技術が進
むにつれてゲート絶縁膜の薄膜化が限界に近づいてきて
おり、克服すべき大きな課題が現れてきた。すなわち、
プロセス技術としては現在ゲート絶縁膜として用いられ
ているシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を極限（１〜２原子
層レベル）まで薄膜化することは可能であるものの、２
ｎｍ以下の膜厚まで薄膜化を行った場合、量子効果によ
るダイレクトトンネルによるリーク電流の指数関数的な
増加が生じ、消費電力が増大してしまうという問題点で
ある。
【０００６】現在、ＩＴ（情報技術）市場はデスクトッ
プ型パーソナルコンピュータや家庭電話等に代表される
固定式電子デバイス（コンセントから電力を供給するデ
バイス）から、インターネット等にいつでもどこでもア
クセスできる「ユビキタス・ネットワーク社会」への変
貌を遂げようとしている。従って、ごく近い将来に、携
帯電話やカーナビゲーションゲーションシステムなどの
携帯端末が主流となると考えられる。このような携帯端
末は、それ自体が高性能デバイスであることが要求され
るが、これと同時に、上記の固定式デバイスではそれほ
ど必要とされない小型、軽量かつ長時間使用に耐えうる
機能を備えていることが前提となる。よって、携帯端末
においては、これらの高性能化を図りつつ、しかも消費
電力の低減化が極めて重要な課題となっている。
【０００７】典型的には、例えば、次世代ＭＯＳトラン
ジスタを開発する上で、高性能のシリコンＬＳＩの微細
化を追求していくとリーク電流が増大して、消費電力も
増大するという問題が生じている。そこで性能を追求し
つつ消費電力を少なくするためには、ＭＯＳトランジス
タのゲートリーク電流を増加させずにトランジスタの特
性を向上させることが必要となる。
【０００８】このような微細化および特性の向上を両立
させるためには、良質で且つ薄い（例えば、膜厚が１５
Ａ；オングストロ−ム以下程度）絶縁膜の形成が不可欠
である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、良質で
且つ薄い絶縁膜の形成は極めて困難である。例えば、従
来の熱酸化法またはＣＶＤ（化学気相堆積法）により、
このような絶縁膜を成膜した場合には、膜質または膜厚
のいずれか一方の特性が不充分であった。
【００１０】本発明の目的は、上記した従来技術の欠点
を解消した電子デバイス用基材上の薄い絶縁膜の形成方
法を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的は、その後の処理（ＣＶ
Ｄ等による成膜、エッチング等）を好適に行うことが可
能な、膜質または膜厚のいずれも優れた絶縁膜を与える
ことができる、電子デバイス用基材表面の薄い絶縁膜の
形成方法を提供することにある。本発明の更に他の目的
は、同一の動作原理を用いて上記絶縁膜の形成に関する
様々な工程を行うことで、装置形体の簡略化を実現し、
特性の優れた絶縁膜を効率よく形成することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究の結
果、従来のような一つの装置で一つの工程を行うだけで
はなく、一つの装置で様々な工程を行うことが可能な方
法を用いて絶縁膜を形成することが上記目的達成の為に
極めて効果的であることを見出した。
【００１３】本発明による電子デバイス用基材表面の絶
縁膜の形成方法は上記知見に基づくものであり、より詳
しくは、電子デバイス用基材上に絶縁膜を形成するプロ
セスにおいて、該工程に含まれる絶縁膜特性を制御する
２以上の工程が、同一の動作原理下で行われることを特
徴とするものである。本発明においては、例えば、電子
デバイス用基材に少なくとも希ガスを含む処理ガスを用
いたプラズマを照射することでクリーニング効果を得る
ものや、同様のプラズマに酸素や窒素を含むことで酸化
や窒化を行うもの、酸化膜を始めとする酸素原子を含む
絶縁膜に同様のプラズマに少なくとも水素を含むことで
絶縁膜の厚さを低減させることができる。
【００１４】上記構成を有する本発明の絶縁膜の形成方
法によれば例えば、膜質に重点を置いて任意の厚さの膜
を形成した後に、特定のプラズマ処理により薄膜化する
ことにより、任意の膜厚の絶縁膜が容易に得ることがで
きる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、必要に応じて図面を参照し
つつ本発明を更に具体的に説明する。以下の記載におい
て量比を表す「部」および「％」は、特に断らない限り
質量基準とする。
【００１６】（絶縁膜の形成方法）
【００１７】本発明においては、電子デバイス用基材に
少なくとも希ガスを含む処理ガスを用いたプラズマを照
射することでクリーニング効果を得るものや、同様のプ
ラズマに酸素や窒素を含むことで酸化や窒化を行うも
の、酸化膜を始めとする酸素原子を含む絶縁膜に同様の
プラズマに少なくとも水素を含むことで絶縁膜の厚さを
低減させるなどの２以上の工程を任意に組み合わせるこ
とで、極めて薄い（１５Ａ以下）絶縁膜を形成すること
ができる。本発明の絶縁膜の形成方法の適用の対象は特
に制限されないが、本発明は、例えば、成膜条件等に敏
感な高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）材料の成膜に特に適した
表面を有する、薄い絶縁膜を与える。
【００１８】（形成される絶縁膜）本発明により形成可
能な絶縁膜の組成、厚さ、形成法、特性は以下の通りで
ある。 組成：酸化膜、酸窒化膜、窒化膜 形成法：少なくとも希ガスを含むプラズマを用いた単一
の容器内において、電子基材上に洗浄、酸化、窒化、薄
膜化の１または２以上の工程が施されたもの。もしく
は、同一の動作原理により形成される少なくとも希ガス
を含むプラズマを複数の容器内に発生させ、電子基材上
に洗浄、酸化、窒化、薄膜化の工程が施されたもの。 厚さ：物理的薄膜 ５Ａ〜２０Ａ
【００１９】（膜質および膜厚の評価）
【００２０】本発明により得られた薄い絶縁膜の膜質お
よび膜厚の程度は、例えば、該表面上に実際にＨｉｇｈ
−ｋ材料を成膜することにより、好適に評価することが
できる。この際に良質なＨｉｇｈ−ｋ材料膜が得られた
か否かは、例えば、例えば、文献（ＶＬＳＩデバイスの
物理 岸野正剛、小柳光正著 丸善Ｐ６２〜Ｐ６３）に
記載されたような標準的なＭＯＳ半導体構造を形成し
て、そのＭＯＳの特性を評価することにより、上記絶縁
膜自体の特性評価に代えることができる。このような標
準的なＭＯＳ構造においては、該構造を構成する絶縁膜
の特性が、ＭＯＳ特性に強い影響を与えるからである。
【００２１】このようなＭＯＳ構造の形成としては、例
えば、後述する実施例１の条件で、そのＨｉｇｈ−ｋ材
料膜を含むＭＯＳキャパシタを形成することができる。
このように実施例１の条件で、Ｈｉｇｈ−ｋ材料膜を含
むＭＯＳキャパシタを形成した場合に、本発明において
は、下記のような（１）フラットバンド特性または
（２）リーク特性（より好ましくは、これらの両方）が
得られることが好ましい。
【００２２】（１）好ましいフラットバンド特性：熱酸
化膜と比較して±５０ｍＶ以内
【００２３】（２）リーク特性：熱酸化膜と比較して１
桁以下の低減
【００２４】（後の処理との組合せ）
【００２５】本発明の絶縁膜の形成方法により得られる
薄い絶縁膜は、種々の続く処理に適したものとなる。こ
のような「後の処理」は、特に制限されず、酸化膜の形
成、ＣＶＤ等による成膜、エッチング等の種々の処理で
あってよい。本発明の絶縁膜の形成方法は、低温で行う
ことが可能であるため、その後の処理も比較的低温（好
ましくは６００℃以下、更には５００℃以下）の温度条
件下の処理と組み合わせた場合に、特に効果的である。
その理由は、本発明を用いることで、デバイス作製工程
においてもっとも高温を必要とする工程の一つである酸
化膜の形成を低温で行うことが可能となっているため、
高い熱履歴を避けたデバイス作製が可能となっているか
らである。
【００２６】（電子デバイス用基材）
【００２７】本発明において使用可能な上記の電子デバ
イス用基材は特に制限されず、公知の電子デバイス用基
材の１種または２種以上の組合せから適宜選択して使用
することが可能である。このような電子デバイス用基材
の例としては、例えば、半導体材料、液晶デバイス材料
等が挙げられる。半導体材料の例としては、例えば、単
結晶シリコンを主成分とする材料、シリコンゲルマニウ
ムを主成分とする材料等が挙げられる。
【００２８】（処理ガス）
【００２９】本発明において使用可能な処理ガスは、少
なくとも希ガスを含む限り特に制限されず、電子デバイ
ス製造に使用可能な公知の処理ガスの１種または２種以
上の組合せから適宜選択して使用することが可能であ
る。このような処理ガス（希ガス）の例としては、例え
ば、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｏ2、Ｎ2、Ｈ2、ＮＨ3が
挙げられる。
【００３０】（処理ガス条件）
【００３１】本発明の絶縁膜の形成においては、得られ
るべき薄い絶縁膜の特性の点からは、下記の条件が好適
に使用できる。
【００３２】希ガス（例えば、Ｋｒ、Ａｒ、Ｈｅまたは
Ｘｅ）：５００〜３０００ｓｃｃｍ、より好ましくは１
０００〜２０００ｓｃｃｍ、
【００３３】洗浄工程では、少なくとも希ガスを含む処
理ガスで、さらに水素ガスを添加することができる。水
素ガスの流量はＨ2：０〜１００ｓｃｃｍ、より好まし
くは０〜５０ｓｃｃｍである。酸化工程では、少なくと
も希ガスと酸素を含む処理ガスで、酸素ガス流量は
Ｏ ２：１０〜５００ｓｃｃｍ、より好ましくは１０〜２
００ｓｃｃｍである。窒化工程では、少なくとも希ガス
と窒素を含む処理ガスで、窒素ガス流量はＮ ２：３〜３
００ｓｃｃｍ、より好ましくは２０〜２００ｓｃｃｍで
ある。エッチング工程では少なくとも希ガスと水素を含
む処理ガスで、水素ガス流量はＨ２：０〜１００ｓｃｃ
ｍ、より好ましくは０〜５０ｓｃｃｍである。
【００３４】温度：室温２５℃〜５００℃、より好まし
くは２５０〜５００℃、特に好ましくは２５０〜４００
℃
【００３５】圧力：３〜５００Ｐａ、より好ましくは７
〜２６０Ｐａ、
【００３６】マイクロ波：１〜５Ｗ／ｃｍ2、より好ま
しくは２〜４Ｗ／ｃｍ2、特に好ましくは２〜３Ｗ／ｃ
ｍ2 本発明において使用可能なプラズマは特に制限されない
が、均一な薄膜化が容易に得られる点からは、電子温度
が比較的に低くかつ高密度なプラズマを用いることが好
ましい。
【００３７】（好適なプラズマ）
【００３８】本発明において好適に使用可能なプラズマ
の特性は、以下の通りである。
【００３９】電子温度：０．５〜２．０ｅＶ
【００４０】密度：１Ｅ１０〜５Ｅ１２／ｃｍ3
【００４１】プラズマ密度の均一性：±１０％
【００４２】（平面アンテナ部材）
【００４３】本発明の絶縁膜の形成方法においては、複
数のスロットを有する平面アンテナ部材を介してマイク
ロ波を照射することにより電子温度が低くかつ高密度な
プラズマを形成することが好ましい。本発明において
は、このような優れた特性を有するプラズマを用いて酸
窒化膜の形成を行うため、プラズマダメージが小さく、
かつ低温で反応性の高いプロセスが可能となる。本発明
においては、更に、（従来のプラズマを用いた場合に比
べ）平面アンテナ部材を介してマイクロ波を照射するこ
とにより、より好適に薄膜化された絶縁膜の形成が容易
であるという利点が得られる。
【００４４】本発明によれば、薄膜化された絶縁膜を形
成することができる。したがって、この薄膜化された絶
縁膜上に他の層（例えば、他の絶縁層）を形成すること
により、特性に優れた半導体装置の構造を形成すること
が容易となる。本発明により薄膜化された絶縁膜は、該
薄膜化絶縁膜の表面上へのＨｉｇｈ−ｋ材料膜の成膜に
特に適している。
【００４５】（Ｈｉ−ｋ材料）
【００４６】本発明において使用可能なＨｉｇｈ−ｋ材
料は特に制限されないが、物理的膜厚を増加させる点か
らは、ｋ（比誘電率）の値が７以上、更には１０以上の
ものが好ましい。
【００４７】このようなＨｉｇｈ−ｋ材料の例として
は、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｔａ2Ｏ5、およびＺ
ｒＳｉＯ、ＨｆＳｉＯ等のシリケート；ＺｒＡｌＯ等の
アルミネートからなる群から選択される１又は２以上の
ものが好適に使用可能である。
【００４８】（同一容器内における処理）
【００４９】以下に述べる「同一の容器内」とは、ある
工程の後に、被処理基材を、該容器の壁を通過させるこ
となく、続く処理に供することをいう。複数の容器を組
み合わせてなる、いわゆる「クラスタ」構造を用いた場
合、該クラスタを構成する異なる容器間の移動があった
場合は、本発明にいう「同一の容器内」ではないものと
する。
【００５０】本発明において、このように「同一の容器
内」で、処理すべき基材（シリコン基板等）を大気へ暴
露することなく、連続的に複数の工程を同一の原理を持
った反応室内で行うことが可能となり、例えば一つの反
応室ですべての工程を行うことでフットプリントの低減
が実現できる。また、各工程を別の反応室で処理する場
合も、動作原理が同じ反応室を並べるため、ガス配管や
操作パネルを同一のものにすることも可能であり、優れ
たメンテナンス、操作性を実現できる。更に、同一の装
置であるために装置間の持ち込み汚染の可能性は低く、
複数の反応室を持つクラスター構成とした場合でも、処
理順番を様々に変えることが可能である。この方法を用
いると様々な特性を持つゲート絶縁膜の作製が可能とな
る。
【００５１】本発明を用いて作製された酸化膜または酸
窒化膜をそのままゲート絶縁膜として使用することも可
能であるが、本発明を用いて極薄（〜１０Ａ；オングス
トロ−ム）の酸化膜または酸窒化膜を形成し、その上に
Ｈｉｇｈ−ｋなどの高誘電率を持つ物質を成膜すること
で、Ｈｉｇｈ−ｋ物質単独でゲート絶縁膜を形成した場
合よりも界面特性、例えばトランジスタのキャリア移動
度の高い積層ゲート絶縁膜構造（ゲートスタック構造）
を作ることも可能となる。
【００５２】（半導体構造の好適な特性）
【００５３】本発明の絶縁膜の形成方法を適用すべき範
囲は特に制限されないが、本発明により形成可能な清浄
化された表面は、その上にＭＯＳ構造のゲート絶縁膜
（例えばＨｉｇｈ−ｋ材料を含むゲート絶縁膜）を形成
する際に、特に好適に利用することができる。
【００５４】（ＭＯＳ半導体構造の好適な特性）
【００５５】本発明により清浄化された基材上に形成可
能な極めて薄く、しかも良質な絶縁膜は、半導体装置の
絶縁膜（特にＭＯＳ半導体構造のゲート絶縁膜）として
特に好適に利用することができる。
【００５６】本発明によれば、下記のように好適な特性
を有するＭＯＳ半導体構造を容易に製造することができ
る。なお、本発明により形成した酸窒化膜の特性を評価
する際には、例えば、文献（ＶＬＳＩデバイスの物理
岸野正剛、小柳光正著 丸善Ｐ６２〜Ｐ６３）に記載さ
れたような標準的なＭＯＳ半導体構造を形成して、その
ＭＯＳの特性を評価することにより、上記酸窒化膜の自
体の特性評価に代えることができる。このような標準的
なＭＯＳ構造においては、該構造を構成する酸窒化膜の
特性が、ＭＯＳ特性に強い影響を与えるからである。
【００５７】（製造装置の一態様）
【００５８】以下、本発明の形成方法の好適な一態様に
ついて説明する。
【００５９】まず本発明の電子デバイス材料の製造方法
によって製造可能な半導体装置の構造の一例について、
絶縁膜としてゲート絶縁膜を備えたＭＯＳ構造を有する
半導体装置を図１を参照しつつ説明する。
【００６０】図１（ａ）を参照して、この図１（ａ）に
おいて参照番号１はシリコン基板、１１はフィールド酸
化膜、２はゲート絶縁膜であり、１３はゲート電極であ
る。上述したように、本発明の形成方法によれば極めて
薄く且つ良質なゲート絶縁膜２を形成することができ
る。このゲート絶縁膜２は、図１（ｂ）に示すように、
シリコン基板１との界面に形成された、品質の高い絶縁
膜からなる。例えば２．５ｎｍ程度の厚さの酸化膜２に
より構成されている。
【００６１】この例では、この品質の高い酸化膜２は、
Ｏ2および希ガスを含む処理ガスの存在下で、Ｓｉを主
成分とする被処理基体に、複数のスロットを有する平面
アンテナ部材を介してマイクロ波を照射することにより
プラズマを形成し、このプラズマを用いて前記被処理基
体表面に形成されたシリコン酸化膜（以下「ＳｉＯ
2膜」という）からなることが好ましい。このようなＳ
ｉＯ2膜を用いた際には、後述するように、相間の界面
特性（例えば、界面準位）が良好で、且つＭＯＳ構造と
した際に良好なゲートリーク特性を得ることが容易とい
う特徴がある。
【００６２】図１に示す態様においては、このシリコン
酸化膜２の窒化処理された表面の上には、更にシリコン
（ポリシリコンまたはアモルファスシリコン）を主成分
とするゲート電極１３が形成されている。
【００６３】（製造方法の一態様）
【００６４】次に、このようなシリコン酸化膜２、更に
その上にゲート電極１３が配設された電子デバイス材料
の製造方法について説明する。
【００６５】図２は本発明の電子デバイス材料の製造方
法を実施するための半導体製造装置３０の全体構成の一
例を示す概略図（模式平面図）である。
【００６６】図２に示すように、この半導体製造装置３
０のほぼ中央には、ウエハＷ（図２）を搬送するための
搬送室３１が配設されており、この搬送室３１の周囲を
取り囲むように、ウエハに種々の処理を行うためのプラ
ズマ処理ユニット３２、３３、各処理室間の連通／遮断
の操作を行うための二機のロードロックユニット３４お
よび３５、種々の加熱操作を行うための加熱ユニット３
６、およびウエハに種々の加熱処理を行うための加熱反
応炉４７が配設されている。なお、加熱反応炉４７は、
上記半導体製造装置３０とは別個に独立して設けてもよ
い。
【００６７】ロードロックユニット３４、３５の横に
は、種々の予備冷却ないし冷却操作を行うための予備冷
却ユニット４５、冷却ユニット４６がそれぞれ配設され
ている。
【００６８】搬送室３１の内部には、搬送アーム３７お
よび３８が配設されており、前記各ユニット３２〜３６
との間でウエハＷ（図２）を搬送することができる。
【００６９】ロードロックユニット３４および３５の図
中手前側には、ローダーアーム４１および４２が配設さ
れている。これらのローダーアーム４１および４２は、
更にその手前側に配設されたカセットステージ４３上に
セットされた４台のカセット４４との間でウエハＷを出
し入れすることができる。
【００７０】なお、図２中のプラズマ処理ユニット３
２、３３としては、同型のプラズマ処理ユニットが二基
並列してセットされている。
【００７１】更に、これらプラズマ処理ユニット３２お
よびユニット３３は、ともにシングルチャンバ型ＣＶＤ
処理ユニットと交換することが可能であり、プラズマ処
理ユニット３２や３３の位置に一基または二基のシング
ルチャンバ型ＣＶＤ処理ユニットをセットすることも可
能である。
【００７２】プラズマ処理が二基の場合、例えば、処理
ユニット３２でＳｉＯ2膜を形成した後、処理ユニット
３３でＳｉＯ2膜を表面窒化する方法を行っても良く、
また処理ユニット３２および３３で並列にＳｉＯ2膜形
成とＳｉＯ2膜の表面窒化を行っても良い。或いは別の
装置でＳｉＯ2膜形成を行った後、処理ユニット３２お
よび３３で並列に表面窒化を行うこともできる。
【００７３】（ゲート絶緑膜成膜の一態様）
【００７４】図３はゲート絶緑膜２の成膜に使用可能な
プラズマ処理ユニット３２（３３）の垂直方向の模式断
面図である。
【００７５】図３を参照して、参照番号５０は、例えば
アルミニウムにより形成された真空容器である。この真
空容器５０の上面には、基板（例えばウエハＷ）よりも
大きい開口部５１が形成されており、この開口部５１を
塞ぐように、例えば石英や酸化アルミニウム等の誘電体
により構成された偏平な円筒形状の天板５４が設けられ
ている。この天板５４の下面である真空容器５０の上部
側の側壁には、例えばその周方向に沿って均等に配置し
た１６箇所の位置にガス供給管７２が設けられており、
このガス供給管７２からＯ2 や希ガス、Ｎ2およびＨ2等
から選ばれた１種以上を含む処理ガスが、真空容器５０
のプラズマ領域Ｐ近傍にムラなく均等に供給されるよう
になっている。
【００７６】天板５４の外側には、複数のスロットを有
する平面アンテナ部材、例えば銅板により形成されたス
ロットプレインアンテナ（Slot Plane Antenna；ＳＰ
Ａ）６０を介して、高周波電源部をなし、例えば２．４
５ＧＨｚのマイクロ波を発生するマイクロ波電源部６１
に接続された導波路６３が設けられている。この導波路
６３は、ＳＰＡ６０に下縁が接続された偏平な平板状導
波路６３Ａと、この平板状導波路６３Ａの上面に一端側
が接続された円筒形導波管６３Ｂと、この円筒形導波管
６３Ｂの上面に接統された同軸導波変換器６３Ｃと、こ
の同軸導波変換器６３Ｃの側面に直角に一端側が接続さ
れ、他端側がマイクロ波電源部６１に接続された矩形導
波管６３Ｄとを組み合わせて構成されている。
【００７７】ここで、本発明においては、ＵＨＦとマイ
クロ波とを含めて高周波領域と呼ぶものとする。すなわ
ち、高周波電源部より供給される高周波電力は３００Ｍ
Ｈｚ以上のＵＨＦや１ＧＨｚ以上のマイクロ波を含む、
３００ＭＨｚ以上２５００ＭＨｚ以下のものとし、これ
らの高周波電力により発生されるプラズマを高周波プラ
ズマと呼ぶものとする。
【００７８】前記円筒形導波管６３Ｂの内部には、導電
性材料からなる軸部６２の、一端側がＳＰＡ６０の上面
のほぼ中央に接続し、他端側が円筒形導波管６３Ｂの上
面に接続するように同軸状に設けられており、これによ
り当該導波管６３Ｂは同軸導波管として構成されてい
る。
【００７９】また真空容器５０内には、天板５４と対向
するようにウエハＷの載置台５２が設けられている。こ
の載置台５２には図示しない温調部が内蔵されており、
これにより当該載置台５２は熱板として機能するように
なっている。更に真空容器５０の底部には排気管５３の
一端側が接続されており、この排気管５３の他端側は真
空ポンプ５５に接続されている。
【００８０】（ＳＰＡの一態様）
【００８１】図４は本発明の電子デバイス材料の製造装
置に使用可能なＳＰＡ６０の一例を示す模式平面図であ
る。
【００８２】この図４に示したように、このＳＰＡ６０
では、表面に複数のスロット６０ａ、６０ａ、…が同心
円状に形成されている。各スロット６０ａは略方形の貫
通した溝であり、隣接するスロットどうしは互いに直交
して略アルファベットの「Ｔ」の文字を形成するように
配設されている。スロット６０ａの長さや配列間隔は、
マイクロ波電源部６１より発生したマイクロ波の波長に
応じて決定されている。
【００８３】（加熱反応炉の一態様）
【００８４】図５は本発明の電子デバイス材料の製造装
置に使用可能な加熱反応炉４７の一例を示す垂直方向の
模式断面図である。
【００８５】図５に示すように、加熱反応炉４７の処理
室８２は、例えばアルミニウム等により気密可能な構造
に形成されている。この図５では省略されているが、処
理室８２内には加熱機構や冷却機構を備えている。
【００８６】図５に示したように、処理室８２には上部
中央にガスを導入するガス導入管８３が接続され、処理
室８２内とガス導入管８３内とが連通されている。ま
た、ガス導入管８３はガス供給源８４に接続されてい
る。そして、ガス供給源８４からガス導入管８３にガス
が供給され、ガス導入管８３を介して処理室８２内にガ
スが導入されている。このガスとしては、ゲート電極形
成の原料となる、例えばシラン等の各種のガス（電極形
成ガス）を用いることができ、必要に応じて、不活性ガ
スをキャリアガスとして用いることもできる。
【００８７】処理室８２の下部には、処理室８２内のガ
スを排気するガス排気管８５が接続され、ガス排気管８
５は真空ポンプ等からなる排気手段（図示せず）に接続
されている。この排気手段により、処理室８２内のガス
がガス排気管８５から排気され、処理室８２内が所望の
圧力に設定されている。
【００８８】また、処理室８２の下部には、ウエハＷを
載置する載置台８７が配置されている。
【００８９】この図５に示した態様においては、ウエハ
Ｗと略同径大の図示しない静電チャックによりウエハＷ
が載置台８７上に載置されている。この載置台８７に
は、図示しない熱源手段が内設されており、載置台８７
上に載置されたウエハＷの処理面を所望の温度に調整で
きる構造に形成されている。
【００９０】この載置台８７は、必要に応じて、載置し
たウエハＷを回転できるような機構になっている。
【００９１】図５中、載置台８７の右側の処理室８２壁
面にはウエハＷを出し入れするための開口部８２ａが設
けられており、この開口部８２ａの開閉はゲートバルブ
９８を図中上下方向に移動することにより行われる。図
５中、ゲートバルブ９８の更に右側にはウエハＷを搬送
する搬送アーム（図示せず）が隣設されており、搬送ア
ームが開口部８２ａを介して処理室８２内に出入りして
載置台８７上にウエハＷを載置したり、処理後のウエハ
Ｗを処理室８２から搬出するようになっている。
【００９２】載置台８７の上方には、シャワー部材とし
てのシャワーヘッド８８が配設されている。このシャワ
ーヘッド８８は載置台８７とガス導入管８３との間の空
間を区画するように形成されており、例えばアルミニウ
ム等から形成されている。
【００９３】シャワーヘッド８８は、その上部中央にガ
ス導入管８３のガス出口８３ａが位置するように形成さ
れ、シャワーヘッド８８下部に設置されたガス供給孔８
９を通し、処理室８２内にガスが導入されている。
【００９４】（絶縁膜形成の態様）
【００９５】次に、上述した装置を用いて、ウエハＷ上
にゲート絶縁膜２からなる絶縁膜を形成する方法の好適
な一例について説明する。
【００９６】図７は本発明の方法における（クリーニン
グ処理後の）各工程の流れの一例を示すフローチャート
である。
【００９７】図７を参照して、まず、前段の工程でウエ
ハＷ表面にフィールド酸化膜１１（図１（ａ））を形成
する。この酸化膜１１は、（例えば、上述したＳＰＡ等
を用いて）プラズマ処理により形成することもできる。
【００９８】次いでプラズマ処理ユニット３２（図２）
内の真空容器５０の側壁に設けたゲートバルブ（図示せ
ず）を開いて、搬送アーム３７、３８により、前記シリ
コン基板１表面にフィールド酸化膜１１が形成されたウ
エハＷを載置台５２（図３）上に載置する。
【００９９】続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉し
た後、真空ポンプ５５により排気管５３を介して内部雰
囲気を排気して所定の真空度まで真空引きし、所定の圧
力に維持する。一方マイクロ波電源部６１より例えば
１．８０ＧＨｚ（２２００Ｗ）のマイクロ波を発生さ
せ、このマイクロ波を導波路により案内してＳＰＡ６０
および天板５４を介して真空容器５０内に導入し、これ
により真空容器５０内の上部側のプラズマ領域Ｐにて高
周波プラズマを発生させる。
【０１００】ここでマイクロ波は矩形導波管６３Ｄ内を
矩形モードで伝送し、同軸導波変換器６３Ｃにて矩形モ
ードから円形モードに変換され、円形モードで円筒形同
軸導波管６３Ｂを伝送し、更に平板状導波路６３Ａを径
方向に伝送していき、ＳＰＡ６０のスロット６０ａより
放射され、天板５４を透過して真空容器５０に導入され
る。この際マイクロ波を用いているため高密度・低電子
程度のプラズマが発生し、またマイクロ波をＳＰＡ６０
の多数のスロット６０ａから放射しているため、このプ
ラズマが均一な分布なものとなる。
【０１０１】次いで、載置台５２の温度を調節してウエ
ハＷを例えば４００℃に加熱しながら、ガス供給管７２
より酸化膜形成用の処理ガスであるクリプトンやアルゴ
ン等の希ガスと、Ｏ2 ガスとを、それぞれ２０００ｓｃ
ｃｍ、２００ｓｃｃｍの流量で導入して第１の工程（酸
化膜の形成）を実施する。
【０１０２】この工程では、導入された処理ガスはプラ
ズマ処理ユニット３２内にて発生したプラズマ流により
活性化（ラジカル化）され、このプラズマにより図８
（ａ）の模式断面図に示すように、シリコン基板１の表
面が酸化されて酸化膜（ＳｉＯ 2膜）２が形成される。
こうしてこの酸化処理を例えば４０秒間行い、２．５ｎ
ｍの厚さのゲート酸化膜またはゲート酸窒化膜用下地酸
化膜（下地ＳｉＯ2膜）２を形成することができる。
【０１０３】次に、ゲートバルブ（図示せず）を開き、
真空容器５０内に搬送アーム３７、３８（図２）を進入
させ、載置台５２上のウエハＷを受け取る。この搬送ア
ーム３７、３８はウエハＷをプラズマ処理ユニット３２
から取り出した後、隣接するプラズマ処理ユニット３３
内の載置台にセットする（ステップ２）。また、用途に
より、ゲート酸化膜を窒化せずに熱反応炉４７に移動す
る場合もある。
【０１０４】（窒化含有層形成の態様）
【０１０５】次いで、必要に応じて、このプラズマ処理
ユニット３３内でウエハＷ上に表面窒化処理が施され、
先に形成された下地酸化膜（下地ＳｉＯ2）２の表面上
に窒化含有層２１（図７（ｂ））が形成される。
【０１０６】この表面窒化処理の際には、例えば、真空
容器５０内にて、ウエハ温度が例えば４００℃、プロセ
ス圧力が例えば６６．７Ｐａ（５００ｍＴｏｒｒ）の状
態で、容器５０内にガス導入管よりアルゴンガスと、Ｎ
2 ガスとを、それぞれ１０００ｓｃｃｍ、４０ｓｃｃｍ
の流量で導入する。
【０１０７】その一方で、マイクロ波電源部６１より例
えば２Ｗ／ｃｍ2のマイクロ波を発生させ、このマイク
ロ波を導波路により案内してＳＰＡ６０ｂおよび天板５
４を介して真空容器５０内に導入し、これにより真空容
器５０内の上部側のプラズマ領域Ｐにて高周波プラズマ
を発生させる。
【０１０８】この工程（表面窒化）では、導入されたガ
スはプラズマ化し、窒素ラジカルが形成される。この窒
素ラジカルがウエハＷ上面上のＳｉＯ2膜上で反応し、
比較的短時間でＳｉＯ2膜表面を窒化する。このように
して図７（ｂ）に示すように、ウエハＷ上の下地酸化膜
（下地ＳｉＯ2膜）２の表面に窒素含有層２１が形成さ
れる。
【０１０９】この窒化処理を例えば２０秒行うことで、
換算膜厚２ｎｍ程度の厚さのゲート酸窒化膜（酸窒化
膜）を形成することができる。
【０１１０】（ゲート電極形成の態様）
【０１１１】次に、ウエハＷ上のＳｉＯ2膜上または下
地ＳｉＯ2膜を窒化処理した酸窒化膜上にゲート電極１
３（図１（ａ））を形成する。このゲート電極１３を形
成するためには、ゲート酸化膜またはゲート酸窒化膜が
形成されたウエハＷをそれぞれプラズマ処理ユニット３
２または３３内から取り出し、搬送室３１（図２）側に
一旦取り出し、しかる後に加熱反応炉４７内に収容する
（ステップ４）。加熱反応炉４７内では所定の処理条件
下でウエハＷを加熱し、ゲート酸化膜またはゲート酸窒
化膜上に所定のゲート電極１３を形成する。
【０１１２】このとき、形成するゲート電極１３の種類
に応じて処理条件を選択することができる。
【０１１３】即ち、ポリシリコンからなるゲート電極１
３を形成する場合には、例えば処理ガス（電極形成ガ
ス）として、ＳｉＨ4を使用し、２０〜３３Ｐａ（１５
０〜２５０ｍＴｏｒｒ）の圧力、５７０〜６９０℃の温
度条件下で処理する。
【０１１４】また、アモルファスシリコンからなるゲー
ト電極１３を形成する場合には、例えば処理ガス（電極
形成ガス）として、ＳｉＨ4を使用し、２０〜６７Ｐａ
（１５０〜５００ｍＴｏｒｒ）の圧力、５２０〜５７０
℃の温度条件下で処理する。
【０１１５】更に、ＳｉＧｅからなるゲート電極１３を
形成する場合には、例えばＧｅＨ4／ＳｉＨ4＝１０／９
０〜６０／４０％の混合ガスを使用し、２０〜６０Ｐａ
の圧力、４６０〜５６０℃の温度条件下で処理する。
【０１１６】（酸化膜の品質）
【０１１７】上述した第１の工程では、ゲート酸化膜ま
たはゲート酸窒化膜用下地酸化膜を形成するに際し、処
理ガスの存在下で、Ｓｉを主成分とするウエハＷに、複
数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介
してマイクロ波を照射することにより酸素（Ｏ2）およ
び希ガスとを含むプラズマを形成し、このプラズマを用
いて前記被処理基体表面に酸化膜を形成しているため、
品質が高く、且つ膜質制御を首尾よく行うことができ
る。
【０１１８】更には、図２に示すようなクラスター化を
行うことで、ゲート酸化膜およびゲート酸窒化膜形成
と、ゲート電極形成との間における大気への暴露を避け
ることが可能となり、界面特性の更なる向上が可能とな
る。
【０１１９】以下、実施例により本発明を更に具体的に
説明する。
【０１２０】
【実施例】実施例１
【０１２１】以下の方法により、種々の評価を行うため
のデバイスを形成した。
【０１２２】（１）：基板 基板にはＰ型のシリコン基板を用い、比抵抗が８〜１２
Ωｃｍ、面方位（１００）のものを用いた。シリコン基
板表面には熱酸化法により５００Ａ（オングストロ−
ム）犠牲酸化膜が成膜されている。
【０１２３】（２）：ゲート酸化前洗浄 ＡＰＭ（アンモニア、過酸化水素水、純水の混合液）と
ＨＰＭ（塩酸、過酸化水素水、純水の混合液）およびＤ
ＨＦ（フッ酸と純水の混合液）を組み合わせたＲＣＡ洗
浄によって犠牲酸化膜と汚染要素（金属や有機物、パー
ティクル）を除去した。
【０１２４】（３）：酸化前プラズマ処理
【０１２５】上記の（２）の処理後に、基板上にＳＰＡ
プラズマ処理を施した。処理条件は以下である。ウェハ
を真空（背圧１×１０-4Ｐａ以下）の反応処理室に搬送
したのち、基板温度４００℃、希ガス（例えばＡｒガ
ス）１０００ｓｃｃｍ、圧力を７Ｐａ〜１３３Ｐａ（５
０ｍＴｏｒｒ〜１Ｔｏｒｒ）に保持した。その雰囲気中
に複数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）
を介して２〜３Ｗ／ｃｍ 2のマイクロ波を照射すること
により希ガスプラズマを発生させ、基板表面上にプラズ
マ処理を施した。また、場合により希ガスに水素５〜３
０ｓｃｃｍを含ませることにより、水素プラズマによる
酸化前処理を施す場合がある。
【０１２６】（４）：プラズマ酸化プロセス
【０１２７】上記（３）の処理が施されたシリコン基板
上に次に示すような方法で酸化膜を形成した。（３）の
処理が施されたシリコン基板に大気への暴露を行わない
まま次のようなプロセスを行う（例えば同じ反応室内で
処理を行う、真空搬送系を用い、大気への暴露を防いで
他の反応室内で処理を行う等）ことで、（３）の処理で
得られた有機物汚染除去や自然酸化膜除去効果を最適に
維持したまま、酸化処理を施すことが出来る。４００℃
に加熱されたシリコン基板上に希ガスと酸素とをそれぞ
れ１０００〜２０００ｓｃｃｍ、５０〜５００ｓｃｃｍ
ずつ流し、圧力を１３Ｐａ〜１３３Ｐａ（１００ｍＴｏ
ｒｒ〜１０００ｍＴｏｒｒ）に保持した。その雰囲気中
に複数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）
を介して２〜３Ｗ／ｃｍ2のマイクロ波を照射すること
により酸素および希ガスとを含むプラズマを形成し、こ
のプラズマを用いて３の基板上にＳｉＯ2膜を成膜し
た。また、処理時間を含む処理条件を変えることで膜厚
を制御した。
【０１２８】（５）：プラズマ窒化プロセス
【０１２９】上記（４）の処理が施された酸化膜上に次
に示すような方法で窒化を施した。（４）の処理が施さ
れた酸化膜上に大気への暴露を行わないまま次のような
プロセスを行う（例えば同じ反応室内で処理を行う、真
空搬送系を用い、大気への暴露を防いで他の反応室内で
処理を行う等）ことで、（４）の処理で得られた酸化膜
上部への有機物汚染や自然酸化膜増加を抑制したまま、
窒化処理を施すことが出来る。４００℃に加熱されたシ
リコン基板上に希ガスと窒素とをそれぞれ５００〜２０
００ｓｃｃｍ、４〜５００ｓｃｃｍずつ流し、圧力を３
Ｐａ〜１３３Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒ
ｒ）に保持した。その雰囲気中に複数のスロットを有す
る平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して３Ｗ／ｃｍ2の
マイクロ波を照射することにより窒素および希ガスとを
含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて基板上に
酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を成膜した。
【０１３０】（６）：水素プラズマによる薄膜化とＶｆ
ｂシフトの回復
【０１３１】（５）の処理が施された酸窒化膜上に次に
示すような方法で水素プラズマによるアニール処理を施
した。（５）の処理が施された酸窒化膜上に大気への暴
露を行わないまま次のようなプロセスを行う（例えば同
じ反応室内で処理を行う、真空搬送系を用い、大気への
暴露を防いで他の反応室内で処理を行う等）ことで、
（５）の処理で得られた酸窒化膜上部への有機物汚染や
自然酸化膜増加を抑制したまま、水素プラズマアニール
処理を施すことが出来る。４００℃に加熱されたシリコ
ン基板上に希ガスと水素とをそれぞれ５００〜２０００
ｓｃｃｍ、４〜５００ｓｃｃｍずつ流し、圧力を３Ｐａ
〜１３３Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒｒ）
に保持した。その雰囲気中に複数のスロットを有する平
面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して２〜３Ｗ／ｃｍ2の
マイクロ波を照射することにより水素および希ガスとを
含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて酸窒化膜
上に水素プラズマアニール処理を施した。図１１におけ
るＳＩＭＳ分析サンプルは本工程で処理を止め、分析を
行ったものである。
【０１３２】（７）：ゲート電極用ポリシリコン成膜
【０１３３】上記した処理（３）〜（６）で形成した酸
窒化膜上にゲート電極としてポリシリコンをＣＶＤ法に
て成膜した。酸窒化膜の成膜されたシリコン基板を６３
０℃で加熱し、基板上にシランガス２５０ｓｃｃｍを３
３Ｐａの圧力下で導入し３０分保持することでＳｉＯ2
膜上に膜厚３０００Ａの電極用ポリシリコンを成膜し
た。
【０１３４】（８）：ポリシリコンへのＰ（リン）ドー
プ
【０１３５】上記（７）で作製されたシリコン基板を８
７５℃に加熱し、基板上にＰＯＣｌ 3ガスと酸素および
窒素をそれぞれ３５０ｓｃｃｍ、２００ｓｃｃｍ、２０
０００ｓｃｃｍずつ常圧下で導入し２４分間保持するこ
とでポリシリコン中にリンをドープした。
【０１３６】（９）：パターニング、ゲートエッチ
【０１３７】上記＊＊（８）＊＊で作製したシリコン基
板上にリソグラフィによりパターニングを施し、ＨＦ：
ＨＮＯ3：Ｈ2Ｏ＝１：６０：６０の比の薬液中にシリコ
ン基板を３分間浸すことでパターニングされていない部
分のポリシリコンを溶かし、ＭＯＳキャパシタを作製し
た。
【０１３８】実施例２
【０１３９】実施例１で得たＭＯＳキャパシタに対する
測定は、次に示すような方法で行った。ゲート電極面積
が１００００μｍ2のキャパシタのＣＶ、ＩＶ特性を評
価した。ＣＶ特性は周波数１００ＫＨｚ、ゲート電圧を
０Ｖから−３Ｖ程度まで掃引し各電圧におけるキャパシ
タンスを評価することで求めた。ＣＶ特性から電気的膜
厚とＶｆｂ（フラットバンド電圧）を計算した。また、
ＩＶ特性はゲート電圧を０Ｖから−５Ｖ程度まで掃引
し、各電圧において流れる電流値（リーク電流値）を評
価することで求めた。ＣＶ測定から求めたＶｆｂから−
０．４Ｖを差し引いたゲート電極電圧におけるリーク電
流値をＩＶ特性から計算した。
【０１４０】図８は前プラズマ処理を施した場合と施さ
なかった場合の酸化膜のリーク特性を比較したものであ
る。前プラズマ処理の効果のみを示すため、ここで用い
られている酸化膜には窒化および後水素処理は施されて
いない。横軸にＣＶ特性から求めた電気的膜厚、縦軸は
ゲート電圧Ｖｆｂ−０．４Ｖ（Ｖｆｂが−０．８Ｖ程度
のため、約−１．２Ｖ）におけるリーク電流値を示し
た。図８から分るように前プラズマ処理を施すことで酸
化膜のリーク電流値を低減することに成功している。
【０１４１】図９は前プラズマ処理を施したＳＰＡプラ
ズマ酸化膜と、現在一般にデバイスに用いられている熱
酸化膜のフラットバンド特性を比較したものである。横
軸にＣＶ特性から求めた電気的膜厚、縦軸にＣＶ特性か
ら求めたフラットバンド電圧を示した。膜や界面にキャ
リアのトラップとなる欠陥等が存在すると、フラットバ
ンド電圧は大きく負方向にシフトすることが知られてい
るが、前プラズマ処理を施した膜は熱酸化膜と同等の値
（約−０．８Ｖ）を示しており、本工程におけるフラッ
トバンド特性の劣化は見られなかった。
【０１４２】図１０ａは本発明における複数工程（マル
チプロセス）を用いたゲート酸窒化膜の電気的膜厚の経
時変化（各工程ごとにおける電気的膜厚の変化）を示
す。横軸は処理時刻、縦軸は電気的膜厚である。窒化処
理を施すことで電気的膜厚を０．８〜１．５Ａ低減する
ことに成功している。また、後水素処理を施すことで更
なる薄膜化にも成功している。
【０１４３】図１０ｂは図９と同様の膜のフラットバン
ド電圧の経時変化（各工程ごとにおけるフラットバンド
電圧の変化）を示す。横軸は処理時刻、縦軸はフラット
バンド電圧である。膜や界面にキャリアのトラップとな
る欠陥等が存在すると、フラットバンド電圧は大きく負
方向にシフトすることが知られているが、後プラズマ水
素処理を施した膜はフラットバンドシフトの回復を示し
ており、窒化によって劣化した膜特性の回復が生じてい
ることが示される。
【０１４４】図１１から分るように水素処理を施すこと
で膜厚（酸素の含まれている層の厚さ）が減少している
ことが分る。これは水素反応種による還元作用によるも
のと考えられる。この工程を有効に利用することで制御
が困難な領域（〜１０Ａ）薄膜化の制御（エッチング）
も可能となる。
【０１４５】図１０ａ、ｂから分るように、本発明を用
いると、シリコン基板を大気へ暴露することなく、連続
的に複数の工程を同一の原理を持った反応室内で行うこ
とが可能となり、例えば一つの反応室ですべての工程を
行うことでフットプリントの低減が実現できる。また、
各工程を別の反応室で処理する場合も、動作原理が同じ
反応室を並べるため、ガス配管や操作パネルを同一のも
のにすることも可能であり、優れたメンテ、操作性を実
現できる。更に、同一の装置であるために装置間の持ち
込み汚染の可能性は低く、複数の反応室を持つクラスタ
ー構成とした場合でも、処理順番を様々に変えることが
可能である。この方法を用いると様々な特性を持つゲー
ト絶縁膜の作製が可能となる。
【０１４６】また、上記の例では本発明を用いて作製さ
れた酸窒化膜をそのままゲート絶縁膜として使用してい
るが、本発明を用いて極薄（〜１０Ａ；オングストロ−
ム）の酸窒化膜を形成し、その上にＨｉｇｈ−ｋなどの
高誘電率を持つ物質を成膜することで、Ｈｉｇｈ−ｋ物
質単独でゲート絶縁膜を形成した場合よりも界面特性、
例えばトランジスタのキャリア移動度の高い積層ゲート
絶縁膜構造（ゲートスタック構造）を作ることも可能と
なる。
【０１４７】実施例３
【０１４８】本態様に関わるロジックデバイスの製造方
法は、大別して「素子分離→ＭＯＳトランジスタ作製→
容量作製→層間絶縁膜成膜および配線」のような流れで
行われる。
【０１４９】以下に本発明工程が含まれるＭＯＳトラン
ジスタ作製前工程の中でも、特に本発明と関連の深いＭ
ＯＳ構造の作製について、一般的な例を挙げて解説を行
う。
【０１５０】（１）：基板 基板にはＰ型もしくはＮ型のシリコン基板を用い、比抵
抗が１〜３０Ωｃｍ、面方位（１００）のものを用い
る。以下にはＰ型のシリコン基板を用いたＮＨＯＳトラ
ンジスタの作製方法について解説を行う。
【０１５１】シリコン基板上には目的に応じ、ＳＴＩや
ＬＯＣＯＳ等の素子分離工程やチャネルインプラが施さ
れており、ゲート酸化膜やゲート絶縁膜が成膜されるシ
リコン基板表面には犠牲酸化膜が成膜されている（図１
２）。
【０１５２】（２）：ゲート酸化膜（ゲート絶縁膜）成
膜前の洗浄
【０１５３】一般にＡＰＭ（アンモニア、過酸化水素
水、純水の混合液）とＨＰＭ（塩酸、過酸化水素水、純
水の混合液）およびＤＨＦ（フッ酸と純水の混合液）を
組み合わせたＲＣＡ洗浄によって犠牲酸化膜と汚染要素
（金属や有機物、パーティクル）を除去する。必要に応
じ、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）、オゾン
水、ＦＰＭ（フッ酸、過酸化水素水、純水の混合液）、
塩酸水（塩酸と純水の混合液）、有機アルカリなどを用
いる時もある。
【０１５４】（３）：下地酸化前プラズマ処理
【０１５５】（２）の処理後に、下地酸化膜形成の前工
程として基板上にＳＰＡプラズマ処理を施す。処理条件
は例えば以下のようなものが考えられる。ウェハを真空
（背圧１×１０-4Ｐａ以下）の反応処理室に搬送したの
ち、基板温度４００℃、希ガス（例えばＡｒガス）１０
００ｓｃｃｍ、圧力を７Ｐａ〜１３３Ｐａ（５０ｍＴｏ
ｒｒ〜１０００ｍＴｏｒｒ）に保持する。その雰囲気中
に複数のスロットを有する平面アンテナ部材（ＳＰＡ）
を介して２〜３Ｗ／ｃｍ2のマイクロ波を照射すること
により希ガスプラズマを発生させ、基板表面上にプラズ
マ処理を施す。また、場合により混合ガスに水素５〜３
０ｓｃｃｍ含ませることにより、水素プラズマによる酸
化前処理を施す場合がある（図１３）。
【０１５６】（４）：下地酸化膜の形成 （３）の処理が施されたシリコン基板上に次に示すよう
な方法で酸化膜を形成する。（３）の処理が施されたシ
リコン基板に大気への暴露を行わないまま次のようなプ
ロセスを行う（例えば同じ反応室内で処理を行う）こと
で、（３）の処理で得られた有機物汚染除去や自然酸化
膜除去効果を最適に維持したまま、酸化処理を施すこと
が出来る。４００℃に加熱されたシリコン基板上に希ガ
スと酸素とをそれぞれ１０００〜２０００ｓｃｃｍ、５
０〜５００ｓｃｃｍずつ流し、圧力を１３Ｐａ〜１３３
Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒｒ）に保持
する。その雰囲気中に複数のスロットを有する平面アン
テナ部材（ＳＰＡ）を介して２〜３Ｗ／ｃｍ2のマイク
ロ波を照射することにより酸素および希ガスとを含むプ
ラズマを形成し、このプラズマを用いて３の基板上にＳ
ｉＯ2膜を成膜する。また、処理時間を含む処理条件を
変えることで膜厚を制御することが可能である（図１
４）。
【０１５７】（５）：プラズマ窒化プロセス
【０１５８】上記（４）の処理が施された酸化膜上に次
に示すような方法で窒化を施す。（４）の処理が施され
た酸化膜上に大気への暴露を行わないまま次のようなプ
ロセスを行う（例えば同じ反応室内で処理を行う、真空
搬送系を用い、大気への暴露を防いで他の反応室内で処
理を行う等）ことで、（４）の処理で得られた酸化膜上
部への有機物汚染や自然酸化膜増加を抑制したまま、窒
化処理を施すことが出来る。４００℃に加熱されたシリ
コン基板上に希ガスと窒素とをそれぞれ５００〜２００
０ｓｃｃｍ、４〜５００ｓｃｃｍずつ流し、圧力を３Ｐ
ａ〜１３３Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒ
ｒ）に保持する。その雰囲気中に複数のスロットを有す
る平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して２〜３Ｗ／ｃｍ
2のマイクロ波を照射することにより窒素および希ガス
とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて基板
上に酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）を成膜する（図１４）。
【０１５９】（６）：水素プラズマによる薄膜化とＶｆ
ｂシフトの回復
【０１６０】上記（５）の処理が施された酸窒化膜上に
次に示すような方法で水素プラズマによるアニール処理
を施す。（５）の処理が施された酸窒化膜上に大気への
暴露を行わないまま次のようなプロセスを行う（例えば
同じ反応室内で処理を行う、真空搬送系を用い、大気へ
の暴露を防いで他の反応室内で処理を行う等）ことで、
（５）の処理で得られた酸窒化膜上部への有機物汚染や
自然酸化膜増加を抑制したまま、水素プラズマアニール
処理処理を施すことが出来る。４００℃に加熱されたシ
リコン基板上に希ガスと水素とをそれぞれ５００〜２０
００ｓｃｃｍ、４〜５００ｓｃｃｍずつ流し、圧力を３
Ｐａ〜１３３Ｐａ（２０ｍＴｏｒｒ〜１０００ｍＴｏｒ
ｒ）に保持する。その雰囲気中に複数のスロットを有す
る平面アンテナ部材（ＳＰＡ）を介して２〜３Ｗ／ｃｍ
2のマイクロ波を照射することにより水素および希ガス
とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いて酸窒
化膜上に水素プラズマアニール処理を施す（図１４）。
【０１６１】（７）：Ｈｉ−ｋゲート絶縁膜の形成
【０１６２】上記（６）で形成された下地酸窒化膜上に
Ｈｉｇｈ−ｋ物質を成膜する。Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁
膜形成方法にはＣＶＤを用いるプロセスとＰＶＤを用い
るプロセスとに大別される。ここでは主にＣＶＤによる
ゲート絶縁膜の形成について述べる。ＣＶＤによるゲー
ト絶縁膜の形成は、原料ガス（例えばＨＴＢ：Ｈｆ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）4とＳｉＨ4）を２００℃から１０００℃の範囲
内で加熱した前述のシリコン基板上に供給し、熱によっ
て形成された反応種（例えばＨｆラジカルとＳｉラジカ
ル、Ｏラジカル）を膜表面にて反応させることで成膜
（例えばＨｆＳｉＯ）を行う。反応種はプラズマにより
生成されることもある。一般にゲート絶縁膜の物理的な
膜厚としては１ｎｍから１０ｎｍの膜厚が用いられる
（図１５）。
【０１６３】（８）：ゲート電極用ポリシリコン成膜
【０１６４】上記（７）で形成したＨｉｇｈ−ｋゲート
絶縁膜（下地ゲート酸化膜を含む）上にＭＯＳトランジ
スタのゲート電極としてポリシリコン（アモルファスシ
リコンを含む）をＣＶＤ法にて成膜する。ゲート絶縁膜
の成膜されたシリコン基板を５００℃から６５０℃の範
囲内で加熱し、基板上にシリコンを含むガス（シラン、
ジシラン等）を１０から１００Ｐａの圧力下で導入する
ことでゲート絶縁膜上に膜厚５０ｎｍから５００ｎｍの
電極用ポリシリコンを成膜する。ゲート電極としてはポ
リシリコンの代替として、シリコンゲルマニウムやメタ
ル（Ｗ、Ｒｕ、ＴｉＮ、Ｔａ、Ｍｏなど）が用いられる
ことがある（図１６）。
【０１６５】その後、ゲートのパターンニング、選択エ
ッチングを行い、ＭＯＳキャパシタを形成し（図１
７）、イオン打ち込み（インプラ）を施してソース、ド
レインを形成する（図１８）。その後アニールによりド
ーパント（チャネル、ソース、ドレインへインプラされ
たリン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、ホウ素（Ｂ）等）の活性
化を行う。続いて後工程となる層間絶縁膜の成膜、パタ
ーンニング、選択エッチング、メタルの成膜を組み合わ
せた配線工程を経て本様態に関わるＭＯＳトランジスタ
が得られる（図１９）。最終的にこのトランジスタ上部
に様々なパターンで配線工程を施し、回路を作ることで
ロジックデバイスが完成する。
【０１６６】なお、本様態では絶縁膜としてＨｆシリケ
イト（ＨｆＳｉＯ膜）を形成したが、それ以外の組成か
らなる絶縁膜を形成することも可能である。ゲート絶縁
膜としては、従来より使われている低誘電率のＳｉ
Ｏ2、ＳｉＯＮ、また誘電率が比較的高いＳｉＮやＨｉ
−ｋ物質と呼ばれる誘電率が高いＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、
ＨｆＯ2、Ｔａ２Ｏ５、およびＺｒＳｉＯ、ＨｆＳｉＯ
等のシリケートやＺｒＡｌＯ等のアルミネートからなる
群から選択される１又は２以上のものが挙げられる。
【０１６７】また、本実施例では、下地のゲート酸窒化
膜形成を目的としているが、Ｈｉｇｈ−ｋ物質の成膜を
行わず、下地ゲート酸窒化膜をそのままゲート絶縁膜と
して用いることも下地酸化膜の膜厚を制御することで可
能である。
【０１６８】また、窒化処理を行わない酸化膜を下地に
用いたり、酸化膜そのものをゲート絶縁膜として用いる
ことも可能である。
【０１６９】さらに、必要に応じて酸化前処理や後水素
処理を省いたり、処理順序を変えることも可能である。
【０１７０】以下に目的に応じた処理順序の例を示す。
【０１７１】１：ゲート酸化膜の形成 酸化前処理→酸化処理→Ｐｏｌｙ成膜
【０１７２】２：ゲート酸窒化膜の形成−１ 酸化前処理→酸化処理→窒化処理→後水素処理→Ｐｏｌ
ｙ成膜
【０１７３】３：ゲート酸窒化膜の形成−２ 酸化前処理→窒化処理→酸化処理→後水素処理→Ｐｏｌ
ｙ成膜
【０１７４】４：Ｈｉ−ｋ下地酸化膜の形成 酸化前処理→酸化処理→後水素処理による薄膜化→Ｈｉ
−ｋ成膜→Ｐｏｌｙ成膜
【０１７５】５：Ｈｉ−ｋ下地窒化膜の形成 窒化前処理（酸化前処理と同様）→窒化処理→後水素処
理→Ｈｉ−ｋ成膜→Ｐｏｌｙ成膜
【０１７６】上記に述べたのは本発明の態様の一例であ
り、それ以外にも様々な処理方法が同一の装置構成で可
能である。
【０１７７】これまで述べたように、本発明を用いる
と、シリコン基板を大気へ暴露することなく、連続的に
複数の工程を同一の原理を持った反応室内で行うことが
可能となり、例えば一つの反応室ですべての工程を行う
ことでフットプリントの低減が実現できる。また、各工
程を別の反応室で処理する場合も、動作原理が同じ反応
室を並べるため、ガス配管や操作パネルを同一のものに
することも可能であり、優れたメンテナンス、操作性を
実現できる。更に、同一の装置であるために装置間の持
ち込み汚染の可能性は低く、複数の反応室を持つクラス
ター構成とした場合でも、処理順番を様々に変えること
が可能である。この方法を用いると様々な特性を持つゲ
ート絶縁膜の作製が可能となる。
【０１７８】
【発明の効果】上述したように本発明に依れば、様々な
特性（例えば、極薄膜厚の制御や、高い清浄度等）に優
れた絶縁膜を効率よく（例えば、一つの反応室で様々な
工程を行うことによる小さいフットプリントや、同一の
動作原理の反応室で様々な工程を行うことによる操作性
の簡略化、装置間のクロスコンタミネーションの抑制
等）製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により形成することが可能なＭＯＳ構造
の一例を示す模式断面図である。
【図２】本発明の絶縁膜の形成方法により製造可能な半
導体装置の一例を示す部分模式断面図である。
【図３】本発明の絶縁膜の形成方法に使用可能なスロッ
トプレインアンテナ（ＳＰＡ）プラズマ処理ユニットの
一例を示す模式的な垂直断面図である。
【図４】本発明の電子デバイス材料の製造装置に使用可
能なＳＰＡの一例を示す模式的な平面図である。
【図５】本発明の絶縁膜の形成方法に使用可能な加熱反
応炉ユニットの一例を示す模式的な垂直断面図である。
【図６】本発明の形成方法における各工程の一例を示す
フローチャートである。
【図７】本発明の形成方法における各工程の一例を示す
フローチャートである。
【図８】酸化前プラズマ処理を施した場合と酸化前プラ
ズマ処理を施さなかった場合の酸化膜のリーク特性を示
すグラフである。横軸は電気的膜厚、縦軸はゲート電圧
Ｖｆｂ−０．４Ｖにおけるゲート酸化膜のリーク電流値
である。
【図９】図９は同様の膜のフラットバンド特性を示す。
横軸は電気的膜厚、縦軸はフラットバンド電圧である。
【図１０】図１０ａは本発明における複数工程（マルチ
プロセス）を用いたゲート酸窒化膜の電気的膜厚の経時
変化（各工程ごとにおける電気的膜厚の変化）を示す。
横軸は処理時刻、縦軸は電気的膜厚である。図１０ｂは
図９と同様の膜のフラットバンド電圧の経時変化（各工
程ごとにおけるフラットバンド電圧の変化）を示す。横
軸は処理時刻、縦軸はフラットバンド電圧である。
【図１１】図９と同様の膜における膜中酸素濃度のＳＩ
ＭＳ分析結果を示す。横軸は分析におけるエッチング時
間、縦軸は酸素強度を示す。
【図１２】ゲート酸化膜やゲート絶縁膜が成膜されるシ
リコン基板表面の一例を示す模式断面図である。
【図１３】基板表面上へのプラズマ処理の一例を示す模
式断面図である。
【図１４】プラズマを用いる基板上へのＳｉＯ2膜の成
膜および窒化処理、水素プラズマ処理の一例を示す模式
断面図である。
【図１５】Ｈｉ−ｋ材料の成膜の一例を示す模式断面図
である。
【図１６】Ｈｉ−ｋ材料膜上へのゲート電極の形成の一
例を示す模式断面図である。
【図１７】ＭＯＳキャパシタの形成の一例を示す模式断
面図である。
【図１８】イオン打ち込み（インプラ）によるソース、
ドレイン形成の一例を示す模式断面図である。
【図１９】本発明により得られるＭＯＳトランジスタ構
造の一例を示す模式断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１５年４月１１日（２００３．４．１
１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１３８】上記（８）で作製したシリコン基板上にリ
ソグラフィによりパターニングを施し、ＨＦ：ＨＮ
Ｏ3：Ｈ2Ｏ＝１：６０：６０の比の薬液中にシリコン基
板を３分間浸すことでパターニングされていない部分の
ポリシリコンを溶かし、ＭＯＳキャパシタを作製した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 源志 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 尾▲崎▼ 成則 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 中西 敏雄 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 佐々木 勝 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 松山 征嗣 東京都港区赤坂五丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F058 BA20 BC02 BC08 BC11 BC20 BE02 BF73 BF74 BJ04 5F140 AA02 AA24 AC39 BA01 BA05 BC06 BD01 BD07 BD09 BD11 BD12 BD13 BE01 BE02 BE05 BE07 BE08 BE10 BE16 BF01 BF04 BF05 BF07 BF10 BF34 BG28 BG31 BG37 BK13 BK21 CB01 CB02 CB04 CE10

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電子デバイス用基材上に絶縁膜を形成す
    るプロセスにおいて、該工程に含まれる絶縁膜特性を制
    御する２以上の工程が、同一の動作原理下で行われるこ
    とを特徴とする基材表面の絶縁膜の形成方法。
  2. 【請求項２】 前記同一の動作原理下で行われる工程
    が、前記基材表面および／又は絶縁膜の洗浄、酸化、窒
    化、およびエッチングからなる群から選ばれる２以上の
    工程である請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
  3. 【請求項３】 前記電子デバイス用基材が、半導体材料
    である請求項１または２に記載の絶縁膜の形成方法。
  4. 【請求項４】 前記電子デバイス用基材が、単結晶シリ
    コンを主成分とする基板である請求項１〜３のいずれか
    に記載の絶縁膜の形成方法。
  5. 【請求項５】 前記動作原理が、少なくとも希ガスを含
    む処理ガスに基づくプラズマを含む請求項１〜４のいず
    れかに記載の絶縁膜の形成方法。
  6. 【請求項６】 前記プラズマが、平面アンテナ部材（ス
    ロットプレインアンテナ）を介するマイクロ波照射に基
    づくプラズマである請求項５に記載の絶縁膜の形成方
    法。
  7. 【請求項７】 前記プロセスが洗浄工程を含み、且つ、
    該洗浄工程が、少なくとも希ガスを含む処理ガスに基づ
    くプラズマに基づく処理を含む請求項１〜６のいずれか
    に記載の絶縁膜の形成方法。
  8. 【請求項８】 前記洗浄工程が、少なくとも希ガスと水
    素ガスを含む処理ガスに基づくプラズマ処理を含む請求
    項７に記載の絶縁膜の形成方法。
  9. 【請求項９】 前記プロセスが酸化工程を含み、且つ、
    該酸化工程が、少なくとも希ガスと酸素とを含む処理ガ
    スに基づくプラズマ処理を含む請求項１〜８のいずれか
    に記載の絶縁膜の形成方法。
  10. 【請求項１０】 前記プロセスが窒化工程を含み、且
    つ、該窒化工程が、少なくとも希ガスと窒素とを含む処
    理ガスに基づくプラズマ処理を含む請求項１〜９のいず
    れかに記載の絶縁膜の形成方法。
  11. 【請求項１１】 前記プロセスがエッチング工程を含
    み、且つ、該エッチング工程が、少なくとも希ガスと水
    素とを含む処理ガスに基づくプラズマ処理を含む請求項
    １〜９のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
  12. 【請求項１２】 前記基材表面および／又は絶縁膜の洗
    浄、酸化、窒化、およびエッチングからなる群から選ば
    れる２以上の工程が、同一容器内で行われる請求項２に
    記載の絶縁膜の形成方法。
  13. 【請求項１３】 前記プロセスにより形成された絶縁膜
    が、ＣＶＤ（化学気相堆積）絶縁膜の下地絶縁膜として
    用いられる請求項１〜１２のいずれかに記載の絶縁膜の
    形成方法。
  14. 【請求項１４】 前記絶縁膜が、Ｈｉｇｈ−ｋ（高誘電
    率）材料を含む絶縁膜である請求項１〜１３のいずれか
    に記載の絶縁膜の形成方法。
  15. 【請求項１５】 前記基材表面および／又は絶縁膜の洗
    浄、酸化、窒化、およびエッチングからなる群から選ば
    れる２以上の工程が、該基材表面および／又は絶縁膜の
    大気への暴露（大気解放）を避けて行われる請求項２に
    記載の絶縁膜の形成方法。
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