JP2003297559A - 上面発光型有機発光ダイオード表示装置 - Google Patents

上面発光型有機発光ダイオード表示装置

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JP2003297559A JP2003100414A JP2003100414A JP2003297559A JP 2003297559 A JP2003297559 A JP 2003297559A JP 2003100414 A JP2003100414 A JP 2003100414A JP 2003100414 A JP2003100414 A JP 2003100414A JP 2003297559 A JP2003297559 A JP 2003297559A
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スティーブン コック ロナルド
Michael Louis Boroson
ルイス ボロソン マイケル
Terrence Robert O'toole
ロバート オトゥール テレンス
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 上面発光型OLED表示装置における乾燥手
段を改良すること。 【解決手段】 (a) 基板と、(b) 該基板の片面上に配置
されたアレイ状の有機発光ダイオード要素と、(c) 該基
板の同一面側で該アレイ状の有機発光ダイオード要素の
上に、該有機発光ダイオード要素による発光を妨害しな
いようにパターン配置された乾燥剤とを含んで成る、上
面発光型有機発光ダイオード表示装置。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、有機発光ダイオー
ド(OLED)表示装置に関し、より詳細には、OLE
D発光材料の湿分による劣化を防止することにより当該
表示装置の性能、信頼性及び健全性を高め、かつ、その
コントラストを改良することに関する。 【0002】 【従来の技術】有機発光ダイオード(OLED)表示装
置は、その規定の動作及び/又は保存寿命に至る前に装
置性能が早期に低下することのないよう、約1000p
pm未満の湿度レベルが要求される。包装された装置の
内部環境を上記湿度レベル範囲に制御するため、一般
に、当該装置を封入するか、又は、当該装置と乾燥剤を
カバー内部にシールする。上記湿度レベルを維持するた
め、例えば、金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫
酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸塩のような乾燥剤
が用いられる。例えば、感湿性電子デバイス用乾燥剤に
ついて記載した米国特許第6226890号明細書(20
01年5月8日発行、Borosonら)を参照されたい。Boros
onらの図2に開示された装置は、透明基板を介して発光
する、いわゆる底面発光型OLED装置である。乾燥剤
は、当該基板の裏側にシールされる閉鎖容器の中の有機
発光材料の上に配置されている。 【0003】いわゆる上面発光型OLED装置の場合、
有機材料は同様に基板上に配置されるが、光は、基板表
面から、シールされた閉鎖容器の一部をもなす透明カバ
ープレートを介して、放出される。この配置では、閉鎖
容器内の有機材料の上に乾燥剤を配置すると、当該OL
EDによる発光を妨害することになる。 【0004】 【特許文献1】米国特許第6226890号明細書 【特許文献2】米国特許第6268295号明細書 【特許文献3】米国特許第4768292号明細書 【特許文献4】国際公開第00/36665号パンフレ
ット 【特許文献5】特開2001−126864号公報 【特許文献6】特開平11−162634号公報 【0005】 【発明が解決しようとする課題】したがって、上面発光
型OLED表示装置における乾燥手段を改良する必要が
ある。 【0006】 【課題を解決するための手段】上記課題は、(a) 基板
と、(b) 該基板の片面上に配置されたアレイ状の有機発
光ダイオード要素と、(c) 該基板の同一面側で該アレイ
状の有機発光ダイオード要素の上に、該有機発光ダイオ
ード要素による発光を妨害しないようにパターン配置さ
れた乾燥剤とを含んで成る、上面発光型有機発光ダイオ
ード表示装置によって解決される。本発明の好ましい実
施態様によると、パターン配置された乾燥剤が、当該表
示装置のコントラストを高めるためのブラックマトリッ
クス機能を発揮する。 【0007】本発明による有利な効果は、OLED要素
を乾燥することにより、上面発光型OLED表示装置の
寿命が延びることである。好ましい実施態様において
は、当該表示装置のコントラストが同時に改良される。 【0008】 【発明の実施の形態】図面は、比例配分されていないこ
とを理解されたい。個々の層は極めて薄く、各層の厚さ
の差が非常に大きいため、一定の割合で図示できないか
らである。図1に、基板12と、OLED要素に動力を
提供するTFTのアレイを含む薄膜トランジスタ(TF
T)アクティブマトリックス層14とを含む、従来技術
の上面発光型OLED表示装置10を示す。TFTアク
ティブマトリックス層の上には、パターン化された第1
絶縁層16が設けられ、その上に、アレイ状の第1電極
18が、TFTアクティブマトリックス層と電気的に接
触するように設けられている。アレイ状の第1電極18
の上には、各第1電極18の少なくとも一部が露出され
るように、パターン化された第2絶縁層17が設けられ
ている。 【0009】第1電極と絶縁層の上には、赤色発光性有
機電場発光(EL)要素19R、緑色発光性有機電場発
光(EL)要素19G及び青色発光性有機電場発光(E
L)要素19Bが設けられている。本明細書中、これら
の有機EL要素をまとめて有機EL層と呼ぶ場合もあ
る。発光性画素領域は、一般に、第1電極18の有機E
L要素と接触している領域によって画定される。有機E
L層の上には、発生した赤色光、緑色光及び青色光が透
過し得るに十分な透光性を有する透明な共通第2電極3
0が設けられている。本明細書中、各第1電極、その関
連する有機EL要素、及び第2電極を組み合わせたもの
をOLED要素と称する。典型的な上面発光型OLED
表示装置は、各OLED要素が赤色光、緑色光又は青色
光を発するアレイ状のOLED要素を含んでなる。しか
しながら、アレイ状のOLED要素が同じ色の光、例え
ば、白色光、を発するようなモノクロ表示装置も知られ
ている。 【0010】動作に際しては、TFT層14の薄膜トラ
ンジスタによって、個別選択的にアドレス可能な第1電
極18と共通第2電極30との間に電流を流す。有機E
L要素の内部で正孔と電子が再結合することにより発光
が起こる。 【0011】図2を参照すると、本発明の第1態様によ
る上面発光型OLED装置は、第2電極の上に設けられ
た透明保護層32を含み、さらに、透明保護層32に接
触している吸光性乾燥剤40のパターン化層を含む。O
LED装置の上には、透明カバー36が、該装置と該カ
バーとの間に一定の間隙を維持した状態で設けられてい
る。この部分横断面図には、該カバーが該表示装置の縁
部に取り付けられている様子は図示されていない。 【0012】透明保護層32は任意構成要素である。し
たがって、パターン化された乾燥剤層を直接第2電極3
0に接するように設けることもできる。保護層32を設
ける場合には、例えば、特開2001−126864号
公報に記載されているような無機材料(SiOx又はSi
x)で構成することができる。別法として、保護層3
2を、例えば、テフロン(登録商標)、ポリイミド及び特
開平11−162634号公報に記載されているポリマ
ーをはじめとする高分子のような有機材料で構成しても
よい。保護層32は、多重層状の有機材料もしくは無機
材料又はこれらの組合せを含むことができる。保護層3
2として、例えば、米国特許第6268295号明細書
及び国際公開第00/36665号パンフレットに開示
されているような、無機層と有機層とを交互に配置した
ものが有用である。いずれも場合も、保護層32は、光
学的透明性が高いこと、好ましくは透過率が70%を超
えること、が必要である。本明細書では、便宜上、基板
から任意の保護層にかけての層の組合せをOLED基板
と称する。 【0013】吸光性乾燥剤40は、OLED要素19
R、19G及び19Bによる発光を妨害しないように、
符号24R、24G及び24Bで示した発光性画素領域
の間にパターン配置されている。上述したように、発光
性画素領域は、一般に、第1電極の有機EL要素と接触
している領域によって画定される。その結果の上面図を
図3に示す。 【0014】図3を参照すると、表示装置10は、赤色
光、緑色光及び青色光をそれぞれ発する発光画素領域2
4R、24G及び24Bのパターン化配列を有する。吸
光性乾燥剤40は、画素間又はOLED要素間におい
て、画素からの発光がカバー(図3には図示されていな
い)を通るようにパターン化されている。吸光性乾燥剤
は、利用可能な全領域に配置する必要はなく、発光画素
領域によって使用されない利用可能な装置領域の一部の
みに配置してもよい。吸光性乾燥剤は、平面層状に配置
する必要もなく、当該基板上に付着した材料の表面に適
合させてもよい。吸光性乾燥剤は、当該技術分野で知ら
れているスクリーン印刷法のような厚膜加工法によっ
て、付着及びパターン化を行なうことができる。吸光性
乾燥剤は、OLED層よりもはるかに厚く、かつ、重質
に付着させることができる。一般に、材料の付着量が多
くなるほど、乾燥性及び吸光性は良好となる。 【0015】吸光性乾燥剤40は、当該技術分野で知ら
れているフォトリソグラフィ法によって、パターン付着
させることができる。例えば、吸光性乾燥剤を、液体と
して全面に塗布し、これにマスクを介して輻射線を当て
ることにより、当該塗膜の一部を重合させることができ
る。当該材料の輻射線に晒された部分が硬化し、残部は
洗い流される。また、乾式フィルムフォトリソグラフィ
法を使用してもよい。さらに、例えば、乾燥剤40をド
ナー基板上にコーティングし、そのドナー基板をOLE
D基板に接触するように、又はこれに極めて近づけて、
配置し、そしてそのドナーをレーザーで選択的に加熱す
ることにより乾燥剤をOLED基板へ転写させる、とい
うようなパターン式感熱転写法を使用することもでき
る。吸光性乾燥剤40は、薄い乾燥剤層を順次付着した
複数の薄層として構成してもよい。 【0016】図7に示したように、カバー36はOLE
D画素領域24の上にキャビティを形成する。吸光性乾
燥剤40を、当該装置の周囲に乾燥シール剤40’とし
て使用することにより、さらに乾燥性を高めることがで
きる。当該間隙に水分又は酸素がほとんど又はまったく
含まれないように、例えば、窒素又はアルゴンのような
不活性雰囲気中で封止を行なう。吸光性乾燥剤は、実際
にカバー36に接触しても接触しなくてもよい。接触す
る場合、各画素領域は独立したキャビティとなる。図7
においては、簡略化のため、TFT層、有機EL層、第
2電極及び任意の保護層は、単一の併合層13として図
示されている。 【0017】本発明では多種多様な乾燥剤を使用するこ
とができるが、現在好ましい固体乾燥剤は、アルカリ金
属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、硫酸塩、金属塩化
物及び過塩素酸塩からなる群より選ばれる。バインダー
としては、透湿性であり、かつ、輻射線硬化性である、
すなわち赤外線、可視光線もしくは紫外線のような電磁
線を当てること、又は加熱すること、により硬化し得る
ものが好ましい。好適なバインダーとして、輻射線硬化
性の市販フォトレジスト組成物、又は輻射線硬化性のア
クリレート、メタクリレート、環化ポリイソプレン、ポ
リビニルシンナメート、エポキシ、シリコーン及び接着
剤が挙げられる。当該乾燥剤は、酢酸セルロース、エポ
キシ、フェノキシ、シロキサン、メタクリレート、スル
ホン、フタレート及びアミドからなる群より選ばれる、
吸湿速度を高める、又はこれを維持する、バインダーを
含むことができる。 【0018】本発明においては、乾燥剤40又は乾燥シ
ール剤40’が吸光性を有する必要はなく、その代わり
に透明又は半透明であってもよい。乾燥剤40が吸光性
を具備する場合には、当該装置のコントラストを高める
上で有用となる。本発明において好適な吸光性乾燥剤
は、色が黒い。パターン化された吸光性乾燥剤40は、
周囲光を吸収することによりコントラストを向上させる
ブラックマトリックスとして機能する。用語「黒色」又
は「ブラックマトリックス」は、全波長域の光を完全に
吸収することを意味するものではなく、当該マトリック
スが観察者に暗く見え、そして色相がほとんどないこと
を意味する。本発明は、当該技術分野で知られている円
形偏光子その他の吸光層の使用による光損失を伴わずに
コントラストが高くなるという点で、従来技術よりも有
利である。その上、吸光性乾燥剤は、当該表示装置の他
の層を介して案内される、又は放出された、光をも吸収
する。このため、当該装置における迷走光のレベルが低
下し、その鮮鋭性が向上するという効果が得られる。 【0019】黒色が好適ではあるが、所望の特徴を得る
ため他の乾燥剤色を使用してもよい。吸光剤は、当該乾
燥剤/バインダーマトリックスへの添加剤となることが
でき、色素及び顔料からなる群より選ぶことができる。
顔料として、例えば、カーボンブラック、グラファイ
ト、金属酸化物、金属硫化物及びフタロシアニンのよう
な金属錯体を挙げることができる。別法として、吸光性
を固有に示す乾燥剤又はバインダーを選択することもで
きる。 【0020】第2の実施態様では、OLED基板上の最
上層ではなく、透明カバー36の内側に吸光性乾燥剤を
適用する。図4を参照するが、当該カバーは、OLED
基板とは別個に調製することができる。上述した同様の
マスク技法を使用することにより、カバー36の上にパ
ターン化乾燥剤40を付着させることができる。当該カ
バーを基板に取り付ける際には、当該吸光性乾燥剤が画
素からの光を遮ることのないように、カバー36とOL
ED基板を整合させる。 【0021】別法として、吸光性乾燥剤が当該基板の最
上層と当該カバーとの双方に接触するように、吸光性乾
燥剤を配置することができる(図示なし)。これを表示
装置の全面で行なうと、各画素要素はキャビティ内に別
個独立に閉鎖されることになる。さらに、OLED表示
装置の周辺部においてのみ当該基板と当該カバーの双方
に接触するように吸光性乾燥剤を付着させることによ
り、当該周辺部に物理的湿分障壁が存在するが、画素要
素はすべて共通の間隙に露出されるという構成を採用す
ることも可能である。 【0022】図5を参照する。別の実施態様によると、
パターン化乾燥剤層が画素領域24の間に配置されるよ
うに、有機EL層を構成する1又は2以上の層と一緒
に、吸光性乾燥剤40をパターン化する。当該乾燥剤
は、1又は2以上の層の一部又は全部を構成することが
できる。すなわち、乾燥剤は、当該層を構成すること、
又は複数層の1つに配置されることができる。この場
合、当該装置を製造する方法は従来通りであり、その唯
一の違いは、画素領域間の間隙を埋めるために使用する
材料が、乾燥特性を有するということである。 【0023】別の実施態様によると、第2絶縁層17が
絶縁性吸光性乾燥剤を含む。第2絶縁層が、第1電極の
露出領域を画定することにより画素領域を画定するの
で、当該パターン化乾燥剤層は必然的に画素領域間に配
置されることとなる。第2絶縁層17の目的は、第1電
極18のエッジを平滑にし、かつ、第2電極30に対す
る短絡防止を助長することである。当該乾燥剤は、例え
ば、上述した乾燥剤の一種、又は上述した乾燥剤の一種
をアクリル系バインダーに混合したもの、であることが
できる。当該バインダーとしては、第2絶縁層として使
用されるものであればどのようなポリマーでも使用する
ことができる。当該乾燥剤及びバインダーは、従来のフ
ォトリソグラフィ法により、又は第2絶縁層の付着、パ
ターン化に通常用いられる任意の手法により、付着し、
パターン化することができる。同様に、第1絶縁性16
が乾燥剤を含むことも可能である。 【0024】図6に示したように、本発明の各種実施態
様は相互に排他的ではなく、単一の装置において組み合
わせることも可能である。例えば、吸光性乾燥剤40を
基板の最上層の上と、カバーの上と、その他の層の内部
とにパターン化することができる。各種態様を組み合わ
せることにより、表示装置の乾燥性及びコントラストが
さらに改良される。図6に示したように、有機電場発光
要素19R、19G及び19Bの各要素間に間隙が形成
されており、該間隙内に乾燥剤40が設けられている。 【0025】本発明において、第2絶縁層は必須ではな
い。第2絶縁層を使用する場合、これは一般に有機EL
要素と、第2電極と、任意の保護層との厚さの合計より
もはるかに厚いことを認識すべきである。この場合、発
光性画素領域がくぼみ領域に位置し、そして第2絶縁層
が***領域を構成する三次元レリーフパターンが創出さ
れる。その様子を図9に示す。有機EL要素と、第2電
極と、任意の保護層とをまとめて併合層15として示
す。併合層15は、当該構造体の上に適合するように
(コンフォーマブル様式で)付着されている。このよう
なレリーフパターンが存在する場合、吸光性乾燥剤40
のコンタクトプリントを周知の方法で実施することがで
きる。それによると、乾燥剤のパターン化工程が大幅に
簡略化されるので、有利である。 【0026】例えば、乾燥剤40をドナーシート上に被
覆し、これをOLED基板に物理的に接触するように配
置することができる。乾燥剤は、それが接触している隆
起部分においてのみ転写する。転写を促進するため、O
LED基板の表面を定着剤で処理してもよい。当該ドナ
ーからOLED基板への乾燥剤転写を助長するため、熱
を使用してもよい。別法として、乾燥剤40を、当該乾
燥剤を被覆したローラー表面から当該***領域の上にロ
ーラーコーティングしてもよい。 【0027】透明カバー36は、典型的にはガラス又は
プラスチックのシートであるが、当該基板の上に付着さ
れた材料の表面に、すなわち、乾燥剤40をパターン配
置したOLED基板の上に、適合するように付着される
材料を含むことができる。透明コンフォーマブルカバー
36’としては、保護層32として有用な材料と同一の
ものを使用することができる。この様子を図8に示す。 【0028】本発明は、上面発光型OLEDアクティブ
マトリックス装置について有利に実施される。しかしな
がら、当業者であれば、単純マトリックス装置又はパッ
シブマトリックス装置をはじめとする任意の上面発光型
OLED装置において本発明を使用できることを、容易
に理解することができる。 【0029】各OLED要素において、本発明を成功裏
に実施することができる層構成はいくつかある。典型的
な構造は、図1(B)に示したように、アノード層10
3、正孔注入層105、正孔輸送層107、発光層10
9、電子輸送層111及びカソード層113を含む。こ
れらの層については、以下に詳述する。これら有機層の
全体厚は500nm未満であることが好ましい。第1電極
18はカソードであってもアノードであってもよく、そ
して第2電極30は当然にその反対となる。OLED要
素にエネルギーを付与するため電源250が必要であ
り、そしてアノード及びカソードへ電気接続するため導
電配線260が必要である。TFT層及び付随する配線
がこれらの機能を提供する。 【0030】当該OLED要素は、基板を介して観察さ
れるものではないため、基板12は、透光性又は不透明
のいずれかであってもよい。この場合の用途向け支持体
には、ガラス、プラスチック、半導体材料、セラミック
ス及び回路基板材料が含まれるが、これらに限定はされ
ない。 【0031】アノード層103が第2電極30として働
く場合、当該アノードは当該発光に対して透明又は実質
的に透明であることが必要である。本発明に用いられる
共通の透明アノード材料はインジウム錫酸化物(ITO)、
インジウム亜鉛酸化物(IZO)及び酸化錫であるが、例示
としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜
鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタング
ステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用す
ることができる。これらの酸化物の他、窒化ガリウムの
ような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化
物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を層103に使用
することもできる。アノード層が第1電極18の機能を
提供する場合には、層103の透過性は問題とならず、
透明、不透明又は反射性を問わずいずれの導電性材料で
も使用することができる。このような用途向けの導体の
例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及
び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。典型
的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくて
も、4.1 eV以上の仕事関数を有する。望ましいアノー
ド材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成
長(CVD)法又は電気化学法のような適当な手段のいずれ
かによって付着される。アノードは、周知のフォトリソ
グラフ法によってパターン化することもできる。 【0032】アノード103と正孔輸送層107との間
に正孔注入層105を設けることがしばしば有用とな
る。正孔注入性材料は、後続の有機層のフィルム形成性
を改良し、かつ、正孔輸送層への正孔注入を促進するの
に役立つことができる。正孔注入層に用いるのに好適な
材料として、米国特許第4720432号明細書に記載
されているポルフィリン系化合物や、米国特許第620
8075号明細書に記載されているプラズマ蒸着フルオ
ロカーボンポリマーが挙げられる。有機ELデバイスに
有用であることが報告されている別の代わりの正孔注入
性材料が、欧州特許出願公開第0891121号及び同
第1029909号明細書に記載されている。 【0033】正孔輸送層107は、芳香族第三アミンの
ような正孔輸送性化合物を少なくとも一種含有する。芳
香族第三アミン類は、少なくとも一つが芳香環の員であ
る炭素原子にのみ結合されている3価窒素原子を少なく
とも1個含有する化合物であると理解されている。一態
様として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例え
ば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリ
ールアミン又は高分子アリールアミンであることができ
る。単量体トリアリールアミンの例がKlupfelらの米国
特許第3180730号明細書に記載されている。Bran
tleyらの米国特許第3567450号及び同第3658
520号明細書には、1個以上の活性水素含有基を含
み、かつ/又は、1個以上のビニル基で置換されてい
る、他の適当なトリアリールアミンが開示されている。
より好ましい種類の芳香族第三アミンは、米国特許第4
720432号及び同第5061569号に記載されて
いるような芳香族第三アミン部分を2個以上含有するも
のである。以下、有用な芳香族第三アミンを例示する。 1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン 1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシ
クロヘキサン 4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメ
タン N,N,N-トリ(p-トリル)アミン 4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-ス
チリル]スチルベン N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニ
ル N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニ
ル N,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェ
ニル N,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェ
ニル N-フェニルカルバゾール 4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル(NPB) 4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビ
フェニル 4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ター
フェニル 4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニル 1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレ
ン 4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-タ
ーフェニル 4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]
ビフェニル 4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミ
ノ]ビフェニル 4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェ
ニル 4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビ
フェニル 4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフ
ェニル 2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン 2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン 2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフ
タレン N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-タ
ーフェニル 4,4’-ビス{N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]
アミノ}ビフェニル 4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェ
ニル 2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン 1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレ
ン 【0034】別の種類の有用な正孔輸送性材料として、
欧州特許第1009041号に記載されているような多
環式芳香族化合物が挙げられる。さらに、ポリ(N-ビニ
ルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロー
ル、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ
(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレン
スルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正
孔輸送性材料を使用することもできる。 【0035】米国特許第4769292号及び同第59
35721号に詳述されているように、有機EL要素の
発光層(LEL)109は発光材料又は蛍光材料を含み、そ
の領域において電子-正孔対が再結合する結果として電
場発光が生じる。発光層は、単一材料で構成することも
できるが、より一般的には、ホスト材料に単一又は複数
種のゲスト化合物をドーピングしてなり、そこで主とし
て当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限
はない。発光層に含まれるホスト材料は、後述する電子
輸送性材料、上述した正孔輸送性材料、又は正孔-電子
再結合を支援する別の材料もしくはその組合せ、である
ことができる。ドーパントは、通常は高蛍光性色素の中
から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第
98/55561号、同第00/18851号、同第0
0/57676号及び同第00/70655号に記載さ
れているような遷移金属錯体も有用である。ドーパント
は、ホスト材料中、0.01〜10質量%の範囲内で塗
布されることが典型的である。特に有用な発光性ドーパ
ントとして、フェニルピリジン及びその誘導体のイリジ
ウム錯体が挙げられる。ホスト材料として、ポリフルオ
レンやポリビニルアリーレン(例、ポリ(p-フェニレン
ビニレン)、PPV)のような高分子材料を使用することも
できる。この場合、当該高分子ホスト中に低分子ドーパ
ントを分子レベルで分散させること、或いは、当該ホス
トポリマーに少量成分を共重合させることによりドーパ
ントを添加すること、が可能である。 【0036】ドーパントとしての色素を選定するための
重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道と
の間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポ
テンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へ
のエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパ
ントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さい
ことが必須条件となる。 【0037】有用性が知られているホスト及び発光性分
子として、米国特許第4769292号、同第5141
671号、同第5150006号、同第5151629
号、同第5405709号、同第5484922号、同
第5593788号、同第5645948号、同第56
83823号、同第5755999号、同第59288
02号、同第5935720号、同第5935721号
及び同第6020078号に記載されているものが挙げ
られるが、これらに限定はされない。 【0038】8-ヒドロキシキノリン及び類似のオキシン
誘導体の金属錯体は、電場発光を支援することができる
有用なホスト化合物の一種であり、特に好適なものであ
る。以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例
を示す。 CO-1:アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-
キノリノラト)アルミニウム(III)〕 CO-2:マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノ
リノラト)マグネシウム(II)〕 CO-3:ビス[ベンゾ{f}-8-キノリノラト]亜鉛(II) CO-4:ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(II
I)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニ
ウム(III) CO-5:インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キ
ノリノラト)インジウム〕 CO-6:アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、
トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕 CO-7:リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチ
ウム(I)〕 CO-8:ガリウムオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラ
ト)ガリウム(III)〕 CO-9:ジルコニウムオキシン〔別名、テトラ(8-キノリ
ノラト)ジルコニウム(IV)〕 【0039】その他の有用なホスト材料の種類として、
9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセン及びその誘導体のよ
うなアントラセン誘導体、米国特許第5121029号
に記載されているジスチリルアリーレン誘導体、及び2,
2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベ
ンズイミダゾール]のようなベンズアゾール誘導体が挙
げられるが、これらに限定はされない。 【0040】有用な蛍光性ドーパントとして、アントラ
セン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、
クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレ
ンピラン、チオピラン、ポリメチン、ピリリウム及びチ
アピリリウムの各誘導体、フルオレン誘導体、ペリフラ
ンテン誘導体、並びにカルボスチリル化合物が挙げられ
るが、これらに限定はされない。 【0041】本発明の有機ELデバイスの電子輸送層1
11を形成するのに用いられる好適な薄膜形成性材料
は、オキシン(通称8-キノリノール又は8-ヒドロキシキ
ノリン)自体のキレートをはじめとする、金属キレート
化オキシノイド系化合物である。当該化合物は、電子の
注入・輸送を助長し、高い性能レベルを発揮すると共
に、薄膜加工が容易である。オキシノイド系化合物の例
は、上述した通りである。 【0042】他の電子輸送性材料として、米国特許第4
356429号明細書に記載されている各種ブタジエン
誘導体、及び米国特許第4539507号明細書に記載
されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。ベン
ズアゾール及びトリアジンもまた有用な電子輸送性材料
である。 【0043】場合によっては、必要に応じて、層109
及び層111を、発光と電子輸送の両方を支援する機能
を発揮する単一層にすることが可能である。これらの層
は、低分子型OLEDシステム及び高分子型OLEDシ
ステムのどちらにおいても一体化することが可能であ
る。例えば、高分子型システムの場合、PEDOT-PSSのよ
うな正孔輸送層をPPVのような高分子発光層との組合せ
で採用することが通例である。このシステムにおいて
は、PPVが発光と電子輸送の両方を支援する機能を発揮
する。 【0044】カソード113は、第1電極18として働
く場合には、透明である必要はなく、ほとんどすべての
導電性材料を含んでなることができる。望ましいカソー
ド材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよ
う良好なフィルム形成性を示し、低電圧での電子注入を
促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード
材料は、低仕事関数金属(<4.0eV)又は合金を含む
ことが多い。好適なカソード材料の1種に、米国特許第
4885221号明細書に記載されているMg:Ag合金
(銀含有率1〜20%)を含むものがある。別の好適な
種類のカソード材料として、薄い電子注入層(EIL)と、
これより厚い導電性金属層とを含む二層形が挙げられ
る。EILは、カソードと有機層(例、ETL)との間に配置
される。ここで、EILは、低仕事関数金属又は金属塩を
含むことが好ましく、その場合、これより厚い導電層が
低仕事関数を有する必要はない。このようなカソードの
一つに、米国特許第5677572号明細書に記載され
ている、LiF薄層にこれより厚いAl層を載せてなるもの
がある。その他の有用なカソード材料として、米国特許
第5059861号、同第5059862号及び同第6
140763号明細書に記載されているものが挙げられ
るが、これらに限定はされない。 【0045】カソード層113が第2電極30として働
く場合には、当該カソードは透明又はほぼ透明でなけれ
ばならない。このような用途の場合、金属が薄くなけれ
ばならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材
料の組合せを使用しなければならない。透光性カソード
については、米国特許第4885211号、同第524
7190号、特開平3−234963号、米国特許第5
703436号、同第5608287号、同第5837
391号、同第5677572号、同第5776622
号、同第5776623号、同第5714838号、同
第5969474号、同第5739545号、同第59
81306号、同第6137223号、同第61407
63号、同第6172459号、欧州特許第10763
68号及び米国特許第6278236号に詳細に記載さ
れている。カソード材料は、蒸発法、スパッタ法又は化
学的気相成長法により付着させることが典型的である。
必要な場合には、例えば、マスク介在蒸着法、米国特許
第5276380号及び欧州特許出願公開第07328
68号明細書に記載の一体型シャドーマスク法、レーザ
ーアブレーション法及び選択的化学的気相成長法をはじ
めとする多くの周知の方法により、パターンを形成させ
てもよい。 【0046】上述した有機材料は昇華法のような蒸気相
法により適宜付着されるが、フィルム形成性を高めるた
め、流体から、例えば、任意のバインダーと共に溶剤か
ら、付着させてもよい。当該材料がポリマーである場合
には、溶剤付着法が好適であるが、スパッタ法やドナー
シートからの熱転写法のような他の方法を使用してもよ
い。昇華法により付着すべき材料は、例えば、米国特許
第6237529号明細書に記載されているように、タ
ンタル材料を含むことが多い昇華体「ボート」から気化
させてもよいし、当該材料をまずドナーシート上にコー
ティングし、その後基板に接近させて昇華させてもよ
い。複数材料の混合物を含む層は、独立した複数の昇華
体ボートを利用してもよいし、予め混合した後単一のボ
ート又はドナーシートからコーティングしてもよい。パ
ターン化付着は、シャドーマスク、一体型シャドーマス
ク(米国特許第5294870号明細書)、ドナーシー
トからの空間画定型感熱色素転写(米国特許第5851
709号及び同第6066357号明細書)及びインク
ジェット法(米国特許第6066357号明細書)を利
用して達成することができる。すべての有機層をパター
ン化することができるが、最も一般的には、発光層のみ
をパターン化し、その他の層を装置全体に均一付着させ
ることができる。 【0047】本発明のOLED装置は、所望によりその
特性を高めるため、周知の各種光学効果を採用すること
ができる。これには、透光性を極大化するための層厚の
最適化、誘電体ミラー構造の付与、反射性電極の吸光性
電極への交換、ディスプレイへの遮光又は反射防止コー
ティングの付与、ディスプレイへの偏光媒体の付与、又
はディスプレイへの着色、中性濃度もしくは色変換フィ
ルタの付与が包含される。具体的には、フィルタ、偏光
子及び遮光又は反射防止コーティングを、カバーの上
に、又はカバーの一部として、設けることができる。本
発明の別の実施態様において、OLED要素は、白色光
を発光し、その白色発光型OLED要素の上にRGBフ
ィルタを設けて全色表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】 【図1】(A)は従来技術の上面発光型OLED表示装
置を示す部分横断面図であり、(B)はOLED要素の
構築に使用することができる各種層の一部を例解する当
該技術分野で知られている典型的なOLED要素を示す
横断面図である。 【図2】本発明の第1態様によりOLED基板の最上層
に乾燥剤を適用した表示装置を示す部分横断面図であ
る。 【図3】図2に示した表示装置の上面図である。 【図4】本発明の第2態様により表示装置のカバーの内
側に乾燥剤を適用した表示装置を示す部分横断面図であ
る。 【図5】本発明の第3態様により他の層内に乾燥剤を適
用した表示装置を示す部分横断面図である。 【図6】最上層の上と、カバーの上と、他の層内とに乾
燥剤を適用した表示装置を示す部分横断面図である。 【図7】表示装置の周囲に乾燥剤を適用した表示装置を
示す横断面図である。 【図8】OLED基板の最上層に乾燥剤を適用し、コン
フォーマルなカバーを有する表示装置を示す部分横断面
図である。 【図9】乾燥剤がコンタクトプリントされている表示装
置を示す部分横断面図である。 【符号の説明】 10…上面発光型OLED表示装置 12…基板 13、15…併合層 14…薄膜トランジスタ(TFT)アクティブマトリッ
クス層 16…第1絶縁層 17…第2絶縁層 18…第1電極 19R…赤色発光性有機電場発光(EL)要素 19G…緑色発光性有機電場発光(EL)要素 19B…青色発光性有機電場発光(EL)要素 24…画素領域 24R…赤色発光性画素領域 24G…緑色発光性画素領域 24B…青色発光性画素領域 30…透明第2電極 32…保護層 36…透明カバー 36’…透明コンフォーマブルカバー 40…吸光性乾燥剤 40’…乾燥シール剤 103…アノード層 105…正孔注入層 107…正孔輸送層 109…発光層 111…電子輸送層 113…カソード層 250…電源 260…導電配線
フロントページの続き (72)発明者 マイケル ルイス ボロソン アメリカ合衆国,ニューヨーク 14610, ロチェスター,グローブナー ロード 281 (72)発明者 テレンス ロバート オトゥール アメリカ合衆国,ニューヨーク 14580, ウェブスター,オールド ミル レーン 526 Fターム(参考) 3K007 AB11 AB13 AB17 BA06 BB05 DB03 FA02

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 (a) 基板と、 (b) 該基板の片面上に配置されたアレイ状の有機発光ダ
    イオード要素と、 (c) 該基板の同一面側で該アレイ状の有機発光ダイオー
    ド要素の上に、該有機発光ダイオード要素による発光を
    妨害しないようにパターン配置された乾燥剤とを含んで
    成る、上面発光型有機発光ダイオード表示装置。
JP2003100414A 2002-04-04 2003-04-03 上面発光型有機発光ダイオード表示装置 Withdrawn JP2003297559A (ja)

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