JP2003273687A - ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置 - Google Patents
ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波スイッチ、SAWフィルタなどの高周波
部品を静電サージから保護する静電サージ対策回路を提
供する。また静電サージ対策の施されたアンテナスイッ
チモジュールを提供する。 【解決手段】 入力端子P1とグランドとの間に接続され
たインダクタL1、入力端子P1と出力端子P2との間に接続
された容量C1、出力端子P2に接続されたインダクタL2、
およびこのインダクタL2とグランドに接続された容量C2
からなる直列共振回路を有したハイパスフィルタであ
る。また、この静電サージ対策用ハイパスフィルタを内
蔵したマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバン
ドアンテナスイッチ積層モジュールである。
部品を静電サージから保護する静電サージ対策回路を提
供する。また静電サージ対策の施されたアンテナスイッ
チモジュールを提供する。 【解決手段】 入力端子P1とグランドとの間に接続され
たインダクタL1、入力端子P1と出力端子P2との間に接続
された容量C1、出力端子P2に接続されたインダクタL2、
およびこのインダクタL2とグランドに接続された容量C2
からなる直列共振回路を有したハイパスフィルタであ
る。また、この静電サージ対策用ハイパスフィルタを内
蔵したマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバン
ドアンテナスイッチ積層モジュールである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯など
の高周波帯域で用いられるハイパスフィルタ、マルチバ
ンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイ
ッチ積層モジュール等の高周波複合部品に関し、特に１
つのアンテナで送受信系を取り扱う高周波スイッチ部品
における静電サージ対策に関するものである。
の高周波帯域で用いられるハイパスフィルタ、マルチバ
ンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイ
ッチ積層モジュール等の高周波複合部品に関し、特に１
つのアンテナで送受信系を取り扱う高周波スイッチ部品
における静電サージ対策に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯無線通信システムには、例えば主に
欧州で盛んなEGSM(Extended Global System for Mobile
Communications)方式およびDCS(Digital Cellular S
ystem)方式、米国で盛んなPCS(Personal Communicatio
n Service)方式、日本で採用されているPDC(Personal
Digital Cellular)方式などの様々なシステムがある
が、昨今の携帯電話の急激な普及に伴い、特に先進国の
主要な大都市部においては各システムに割り当てられた
周波数帯域ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困
難であったり、通話途中で接続が切断するなどの問題が
生じている。そこで、利用者が複数のシステムを利用で
きるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図
り、さらにサービス区域の拡充や各システムの通信イン
フラを有効活用することが提唱されている。
欧州で盛んなEGSM(Extended Global System for Mobile
Communications)方式およびDCS(Digital Cellular S
ystem)方式、米国で盛んなPCS(Personal Communicatio
n Service)方式、日本で採用されているPDC(Personal
Digital Cellular)方式などの様々なシステムがある
が、昨今の携帯電話の急激な普及に伴い、特に先進国の
主要な大都市部においては各システムに割り当てられた
周波数帯域ではシステム利用者を賄いきれず、接続が困
難であったり、通話途中で接続が切断するなどの問題が
生じている。そこで、利用者が複数のシステムを利用で
きるようにして、実質的に利用可能な周波数の増加を図
り、さらにサービス区域の拡充や各システムの通信イン
フラを有効活用することが提唱されている。
【０００３】前記利用者が複数のシステムを利用したい
場合には、各システムに対応した携帯通信機を必要な分
だけ持つか、あるいは複数のシステムで通信できる小型
軽量の携帯通信機を持つ必要がある。後者の場合、１台
の携帯通信機で複数のシステムを利用可能とするには、
システム毎の部品を用いて携帯通信機を構成すればよい
が、信号の送信系においては、例えば希望の送信周波数
の送信信号を通過させるフィルタ、送受信回路を切り換
える高周波スイッチや送受信信号を入放射するアンテ
ナ、また信号の受信系では、前記高周波スイッチを通過
した受信信号の希望の周波数を通過させるフィルタ等の
高周波回路部品が各々のシステム毎に必要となる。この
ため、携帯通信機が高価になるとともに、体積および重
量ともに増加してしまい携帯用としては不適であった。
そこで複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路
部品が必要になってきた。例えば、EGSM、DCSに対応し
たデュアルバンド対応のアンテナスイッチモジュールあ
るいはEGSM、DCS、PCSの３つのシステムに対応した携帯
通信機に用いられるトリプルバンド対応のアンテナスイ
ッチモジュールが特開平１１−２２５０８８号公報およ
び特開２０００−１６５２８８号公報、米国特許公報第
５８１５８０４号等にそれぞれ開示されている。
場合には、各システムに対応した携帯通信機を必要な分
だけ持つか、あるいは複数のシステムで通信できる小型
軽量の携帯通信機を持つ必要がある。後者の場合、１台
の携帯通信機で複数のシステムを利用可能とするには、
システム毎の部品を用いて携帯通信機を構成すればよい
が、信号の送信系においては、例えば希望の送信周波数
の送信信号を通過させるフィルタ、送受信回路を切り換
える高周波スイッチや送受信信号を入放射するアンテ
ナ、また信号の受信系では、前記高周波スイッチを通過
した受信信号の希望の周波数を通過させるフィルタ等の
高周波回路部品が各々のシステム毎に必要となる。この
ため、携帯通信機が高価になるとともに、体積および重
量ともに増加してしまい携帯用としては不適であった。
そこで複数のシステムに対応した小型軽量の高周波回路
部品が必要になってきた。例えば、EGSM、DCSに対応し
たデュアルバンド対応のアンテナスイッチモジュールあ
るいはEGSM、DCS、PCSの３つのシステムに対応した携帯
通信機に用いられるトリプルバンド対応のアンテナスイ
ッチモジュールが特開平１１−２２５０８８号公報およ
び特開２０００−１６５２８８号公報、米国特許公報第
５８１５８０４号等にそれぞれ開示されている。
【０００４】一例としてEGSM、DCS、PCSに対応したトリ
プルバンドアンテナスイッチモジュールのブロック図を
図１７に示す。分波器（ダイプレクサ）Dipは0.9GHz帯
のEGSMの信号と1.8GHz帯のDCS/PCSの信号を分波し、ス
イッチSW1はEGSMの送受信を切り換え、SW2はDCS、PCSの
送受信を切り換える。ローパスフィルタLPF1、LPF2は送
信側のパワーアンプで発生する高調波歪発生量を低減す
る。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3は受信信号に含まれ
る受信帯域外のノイズを低減する役割を担う。この場合
SW1、SW2にはPINダイオードを用いたPINダイオードスイ
ッチ、あるいはGaAs FETスイッチなどが用いられる。
プルバンドアンテナスイッチモジュールのブロック図を
図１７に示す。分波器（ダイプレクサ）Dipは0.9GHz帯
のEGSMの信号と1.8GHz帯のDCS/PCSの信号を分波し、ス
イッチSW1はEGSMの送受信を切り換え、SW2はDCS、PCSの
送受信を切り換える。ローパスフィルタLPF1、LPF2は送
信側のパワーアンプで発生する高調波歪発生量を低減す
る。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3は受信信号に含まれ
る受信帯域外のノイズを低減する役割を担う。この場合
SW1、SW2にはPINダイオードを用いたPINダイオードスイ
ッチ、あるいはGaAs FETスイッチなどが用いられる。
【０００５】上述のアンテナスイッチモジュールで使用
されるPINダイオード、GaAs FET、SAWフィルタなどの高
周波部品は静電サージに弱く、特に携帯電話の場合、人
体からの静電サージがアンテナに入力された場合に上記
の高周波部品が破壊されるという問題があった。
されるPINダイオード、GaAs FET、SAWフィルタなどの高
周波部品は静電サージに弱く、特に携帯電話の場合、人
体からの静電サージがアンテナに入力された場合に上記
の高周波部品が破壊されるという問題があった。
【０００６】また、アンテナスイッチモジュールは破壊
までは至らないまでも、送信端子に接続されるパワーア
ンプや、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの
アンテナスイッチモジュールの後段に接続される回路を
破壊する可能性もあり、静電サージに対する対策を講じ
ることが重要であった。
までは至らないまでも、送信端子に接続されるパワーア
ンプや、受信端子に接続されるローノイズアンプなどの
アンテナスイッチモジュールの後段に接続される回路を
破壊する可能性もあり、静電サージに対する対策を講じ
ることが重要であった。
【０００７】静電サージ対策に係る従来技術として、特
開２００１−４４８８３号公報および特開２００１−１
８６０４７号公報が挙げられる。図１４に特開２００１
−４４８８３号公報に開示された静電サージ対策を示
す。この例はアンテナ端子ＡＮＴ、送信端子Ｔｘ、受信
端子Ｒｘの各々の信号ラインにグランドに接続されたイ
ンダクタL1、L2、L3とコンデンサーC1、C2、C3を挿入し
たものであった（点線で囲まれた部分）。しかし、この
ものでは静電サージ対策として、アンテナ端子、送信端
子、受信端子のそれぞれにインダクタおよび容量を必要
とするため、小型化、低コスト化の妨げになることはも
ちろんのこと、挿入損失の劣化の原因にもなっていた。
開２００１−４４８８３号公報および特開２００１−１
８６０４７号公報が挙げられる。図１４に特開２００１
−４４８８３号公報に開示された静電サージ対策を示
す。この例はアンテナ端子ＡＮＴ、送信端子Ｔｘ、受信
端子Ｒｘの各々の信号ラインにグランドに接続されたイ
ンダクタL1、L2、L3とコンデンサーC1、C2、C3を挿入し
たものであった（点線で囲まれた部分）。しかし、この
ものでは静電サージ対策として、アンテナ端子、送信端
子、受信端子のそれぞれにインダクタおよび容量を必要
とするため、小型化、低コスト化の妨げになることはも
ちろんのこと、挿入損失の劣化の原因にもなっていた。
【０００８】次に、図１５に特開２００１−１８６０４
７号公報に開示された静電サージ対策を示す。このもの
は、２つの分波器のうち低周波数帯側の分波器Dip1にグ
ランドに接続したインダクタL3を挿入したものであった
（内側の点線で囲まれた部分）。つまり静電サージ対策
として、分波器の一部にインダクタを追加したものであ
るが、実際には後述する図１１に示すように300MHz付近
での減衰量は５dB以下と僅かなものしか得られず静電サ
ージを対策するには不十分であった。
７号公報に開示された静電サージ対策を示す。このもの
は、２つの分波器のうち低周波数帯側の分波器Dip1にグ
ランドに接続したインダクタL3を挿入したものであった
（内側の点線で囲まれた部分）。つまり静電サージ対策
として、分波器の一部にインダクタを追加したものであ
るが、実際には後述する図１１に示すように300MHz付近
での減衰量は５dB以下と僅かなものしか得られず静電サ
ージを対策するには不十分であった。
【０００９】さらに、図１６に示すように分波器を用い
ずに、複数の周波数の送受信信号をGaAs FETスイッチに
より直接切り換える回路の場合には、アンテナとGaAsス
イッチの間に静電サージ対策回路を取り入れる必要があ
るが、GaAsスイッチを静電サージから保護するためには
グランドに落ちるインダクタを５nH以下に設定する必要
がある。しかしながら、アンテナトップに５nH以下のイ
ンダクタを接続した場合900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの
広帯域での整合を取ることが困難になる。よって、従来
の静電サージ対策回路はアンテナトップに使用すること
が出来なかった。
ずに、複数の周波数の送受信信号をGaAs FETスイッチに
より直接切り換える回路の場合には、アンテナとGaAsス
イッチの間に静電サージ対策回路を取り入れる必要があ
るが、GaAsスイッチを静電サージから保護するためには
グランドに落ちるインダクタを５nH以下に設定する必要
がある。しかしながら、アンテナトップに５nH以下のイ
ンダクタを接続した場合900MHz帯域〜1.8GHz帯域までの
広帯域での整合を取ることが困難になる。よって、従来
の静電サージ対策回路はアンテナトップに使用すること
が出来なかった。
【００１０】また、バリスタやツェナーダイオードを静
電サージ対策部品としても使用できるが、この場合は端
子間容量を大きくとる必要あり、信号ラインで使用する
と挿入損失の劣化が避けられないため、高周波スイッチ
を備える高周波回路における静電サージ対策として使用
することができなかった。
電サージ対策部品としても使用できるが、この場合は端
子間容量を大きくとる必要あり、信号ラインで使用する
と挿入損失の劣化が避けられないため、高周波スイッチ
を備える高周波回路における静電サージ対策として使用
することができなかった。
【００１１】以上のことから、本発明は上述した従来技
術での問題を解決し、広帯域で整合が取れると共にアン
テナトップでの使用を可能とした静電サージ対策用のハ
イパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテ
ナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モ
ジュール並びに通信装置を提供することを目的とする。
術での問題を解決し、広帯域で整合が取れると共にアン
テナトップでの使用を可能とした静電サージ対策用のハ
イパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテ
ナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モ
ジュール並びに通信装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、入力端子およ
び出力端子を有し、前記入力端子とグランドとの間に接
続された第１のインダクタ、前記入力端子と前記出力端
子との間に接続された第１の容量、前記出力端子に接続
された第２のインダクタ、およびこの第２のインダクタ
とグランドに接続された第２の容量とからなる直列共振
回路を有するハイパスフィルタ、特に静電サージ対策用
のハイパスフィルタである。また、ここで前記第２のイ
ンダクタと前記出力端子との間に第３のインダクタおよ
び第３の容量からなる並列共振回路を設けても良い。
び出力端子を有し、前記入力端子とグランドとの間に接
続された第１のインダクタ、前記入力端子と前記出力端
子との間に接続された第１の容量、前記出力端子に接続
された第２のインダクタ、およびこの第２のインダクタ
とグランドに接続された第２の容量とからなる直列共振
回路を有するハイパスフィルタ、特に静電サージ対策用
のハイパスフィルタである。また、ここで前記第２のイ
ンダクタと前記出力端子との間に第３のインダクタおよ
び第３の容量からなる並列共振回路を設けても良い。
【００１３】本発明は、請求項１または２記載のハイパ
スフィルタの入力端子にアンテナを、また前記出力端子
に複数の周波数の信号を送受信端子へ切り換えを行うマ
ルチバンドアンテナスイッチ回路のアンテナ端子を接続
したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回
路である。
スフィルタの入力端子にアンテナを、また前記出力端子
に複数の周波数の信号を送受信端子へ切り換えを行うマ
ルチバンドアンテナスイッチ回路のアンテナ端子を接続
したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回
路である。
【００１４】本発明は、請求項１または２記載のハイパ
スフィルタの出力端子にアンテナを、また前記入力端子
に複数の周波数の信号を送受信端子へ切り換えを行うマ
ルチバンドアンテナスイッチ回路のアンテナ端子を接続
したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回
路である。
スフィルタの出力端子にアンテナを、また前記入力端子
に複数の周波数の信号を送受信端子へ切り換えを行うマ
ルチバンドアンテナスイッチ回路のアンテナ端子を接続
したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回
路である。
【００１５】また本発明は、複数の周波数の信号を送受
信端子へ切り換えを行うマルチバンドアンテナスイッチ
回路において、前記スイッチ回路の受信端子と受信のＳ
ＡＷフィルタとの間に請求項１または２記載のハイパス
フィルタを挿入したことを特徴とするマルチバンドアン
テナスイッチ回路である。
信端子へ切り換えを行うマルチバンドアンテナスイッチ
回路において、前記スイッチ回路の受信端子と受信のＳ
ＡＷフィルタとの間に請求項１または２記載のハイパス
フィルタを挿入したことを特徴とするマルチバンドアン
テナスイッチ回路である。
【００１６】本発明は、請求項１または２記載のハイパ
スフィルタ及び請求項３〜５に記載のマルチバンドアン
テナスイッチ回路を構成するインダクタおよび容量の一
部を積層基板に内蔵し、前記アンテナスイッチ回路の一
部を構成するスイッチ素子、抵抗、容量、インダクタお
よびＳＡＷフィルタなどのチップ部品を積層基板上に搭
載したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ
積層モジュールである。
スフィルタ及び請求項３〜５に記載のマルチバンドアン
テナスイッチ回路を構成するインダクタおよび容量の一
部を積層基板に内蔵し、前記アンテナスイッチ回路の一
部を構成するスイッチ素子、抵抗、容量、インダクタお
よびＳＡＷフィルタなどのチップ部品を積層基板上に搭
載したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ
積層モジュールである。
【００１７】また本発明は、前記請求項１〜５のいずれ
かに記載の静電サージ用ハイパスフィルタ及びマルチバ
ンドアンテナスイッチ回路、又は請求項６記載のマルチ
バンドアンテナスイッチ積層モジュールを用いた通信装
置である。
かに記載の静電サージ用ハイパスフィルタ及びマルチバ
ンドアンテナスイッチ回路、又は請求項６記載のマルチ
バンドアンテナスイッチ積層モジュールを用いた通信装
置である。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る静電サージ対
策用のハイパスフィルタ、およびこれを用いたマルチバ
ンドアンテナスイッチ回路の実施形態について図面を参
照して説明する。 （実施例１）図１は本発明にかかる静電サージ対策用の
ハイパスフィルタ回路の一実施例である。図１において
インダクタL1は入力端子P1とグランドとの間に接続さ
れ、容量C1は入力端子P1と出力端子P2との間に挿入さ
れ、インダクタL2と容量C2からなる直列共振回路は出力
端子P2とグランドとの間に接続されている。この場合、
L1とC1の値を適宜選択することによって静電サージはグ
ランドへ逃がし、高周波信号は低損失で伝達するような
ハイパスフィルタが構成される。ここでL1は50nH以下、
C1は10pF以下が望ましい。また、L2およびC2からなる直
列共振回路は、その共振周波数が100MHz〜500MHzの間に
設定されるようにL、Cの値を設定する。この場合C2は10
pF以上、L2は50nH以下が望ましい。これにより静電破壊
で問題となる前記共振周波数帯での静電サージをグラン
ドへ吸収することができ、静電サージ対策をより効率的
に行うことが出来る。
策用のハイパスフィルタ、およびこれを用いたマルチバ
ンドアンテナスイッチ回路の実施形態について図面を参
照して説明する。 （実施例１）図１は本発明にかかる静電サージ対策用の
ハイパスフィルタ回路の一実施例である。図１において
インダクタL1は入力端子P1とグランドとの間に接続さ
れ、容量C1は入力端子P1と出力端子P2との間に挿入さ
れ、インダクタL2と容量C2からなる直列共振回路は出力
端子P2とグランドとの間に接続されている。この場合、
L1とC1の値を適宜選択することによって静電サージはグ
ランドへ逃がし、高周波信号は低損失で伝達するような
ハイパスフィルタが構成される。ここでL1は50nH以下、
C1は10pF以下が望ましい。また、L2およびC2からなる直
列共振回路は、その共振周波数が100MHz〜500MHzの間に
設定されるようにL、Cの値を設定する。この場合C2は10
pF以上、L2は50nH以下が望ましい。これにより静電破壊
で問題となる前記共振周波数帯での静電サージをグラン
ドへ吸収することができ、静電サージ対策をより効率的
に行うことが出来る。
【００１９】実際の携帯端末で起こりうる静電サージに
よる破壊は、人体が帯電した状態で携帯端末のアンテナ
に接触した場合が想定される。この状況を実験的に再現
する方法としてHuman Body Modelが一般的に用いられ
る。具体的には人体の帯電状況を図６に示すような等価
回路で置き換え、容量Cに充電された電荷が、抵抗Rを介
して被試験物に放電する装置を用いる。
よる破壊は、人体が帯電した状態で携帯端末のアンテナ
に接触した場合が想定される。この状況を実験的に再現
する方法としてHuman Body Modelが一般的に用いられ
る。具体的には人体の帯電状況を図６に示すような等価
回路で置き換え、容量Cに充電された電荷が、抵抗Rを介
して被試験物に放電する装置を用いる。
【００２０】Human Body Modelを容量C＝150pF、抵抗R
＝330Ωとした場合の放電サージ波形は図７のようにな
り、この波形をフーリエ変換し、放電サージ波形の周波
数成分を求めると図８のようなスペクトルが得られる。
この周波数スペクトルより人体からのサージ波形はDC〜
300MHzまでの周波数成分が支配的であり、静電サージ対
策部品としてはDC〜300MHzまでを除去でき、なおかつ高
周波信号を低損失で伝送できるハイパスフィルタが理想
的であることが推定できる。
＝330Ωとした場合の放電サージ波形は図７のようにな
り、この波形をフーリエ変換し、放電サージ波形の周波
数成分を求めると図８のようなスペクトルが得られる。
この周波数スペクトルより人体からのサージ波形はDC〜
300MHzまでの周波数成分が支配的であり、静電サージ対
策部品としてはDC〜300MHzまでを除去でき、なおかつ高
周波信号を低損失で伝送できるハイパスフィルタが理想
的であることが推定できる。
【００２１】そこで、図９（特開２００１−１８６０４
７号）および図１０（特開２００１−４４８８３号）に
示す従来技術の静電サージ対策回路と、図１に示した本
発明の静電サージ対策回路についてDC〜2GHzまでの減衰
特性を測定した。図１１に減衰特性を、図１２に反射特
性をそれぞれ示す。特性比較として、通過させる信号は
図中△印で示す900MHz帯域、1800MHz帯域を想定し、図
１２に示すようにそれぞれの帯域での反射特性V.S.W.R
が1.5以下となるように設定した。図１１の減衰特性よ
り静電破壊で問題となる300MHz以下の周波数帯での減衰
量は、従来技術（図９、図１０）の静電サージ対策回路
では5dB以下であるのに対し、本発明の静電サージ対策
回路（図１）では30dB以上であり、本発明の静電サージ
対策回路の方が25dB強の減衰量が確保できている。つま
り静電サージ電圧に対して従来技術と比較すると25dB
（17倍以上）の静電サージ除去効果が得られる。
７号）および図１０（特開２００１−４４８８３号）に
示す従来技術の静電サージ対策回路と、図１に示した本
発明の静電サージ対策回路についてDC〜2GHzまでの減衰
特性を測定した。図１１に減衰特性を、図１２に反射特
性をそれぞれ示す。特性比較として、通過させる信号は
図中△印で示す900MHz帯域、1800MHz帯域を想定し、図
１２に示すようにそれぞれの帯域での反射特性V.S.W.R
が1.5以下となるように設定した。図１１の減衰特性よ
り静電破壊で問題となる300MHz以下の周波数帯での減衰
量は、従来技術（図９、図１０）の静電サージ対策回路
では5dB以下であるのに対し、本発明の静電サージ対策
回路（図１）では30dB以上であり、本発明の静電サージ
対策回路の方が25dB強の減衰量が確保できている。つま
り静電サージ電圧に対して従来技術と比較すると25dB
（17倍以上）の静電サージ除去効果が得られる。
【００２２】（実施例２）次に、図２は本発明にかかる
静電サージ対策用のハイパスフィルタ回路の他の実施例
である。図２においてインダクタL1、L2、容量C1、C2の
役割は実施例１に示したものと同じであるが、容量C1と
出力端子P2の間に容量C3およびインダクタL3から構成さ
れる並列共振回路が挿入されている点が実施例１と異な
る。この並列共振回路は送信信号のN倍の周波数に減衰
極を持つように設定することにより、アンテナから発信
する高調波ノイズ信号を除去する働きをする。また、C
3、L3の値を調整することにより静電サージ回路全体の
整合が調整可能となり、より効果的である。
静電サージ対策用のハイパスフィルタ回路の他の実施例
である。図２においてインダクタL1、L2、容量C1、C2の
役割は実施例１に示したものと同じであるが、容量C1と
出力端子P2の間に容量C3およびインダクタL3から構成さ
れる並列共振回路が挿入されている点が実施例１と異な
る。この並列共振回路は送信信号のN倍の周波数に減衰
極を持つように設定することにより、アンテナから発信
する高調波ノイズ信号を除去する働きをする。また、C
3、L3の値を調整することにより静電サージ回路全体の
整合が調整可能となり、より効果的である。
【００２３】（実施例３）図３は本発明にかかる静電サ
ージ対策用のハイパスフィルタを用いたトリプルバンド
アンテナスイッチ回路の一実施例を示すブロック図であ
る。この場合分波器DipはEGSM帯域（880〜960 MHz）の
信号とDCS/PCS帯域（DCS：1710〜1880MHz、PCS：1850〜
1990MHz）の信号とを分波合成する役割を担う。また、
スイッチ回路SW1はEGSM送信信号および受信信号の切り
換え、SW2はSP3T（Single Pole 3 Throw）スイッチ
を用いてDCS/PCS送信信号、DCS受信信号、およびPCS受
信信号の切り換えをそれぞれ行う。ローパスフィルタLP
F1はEGSM TX端子から入力される送信信号に含まれるN
次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS TX
端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を
減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3は
それぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に含
まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。
ージ対策用のハイパスフィルタを用いたトリプルバンド
アンテナスイッチ回路の一実施例を示すブロック図であ
る。この場合分波器DipはEGSM帯域（880〜960 MHz）の
信号とDCS/PCS帯域（DCS：1710〜1880MHz、PCS：1850〜
1990MHz）の信号とを分波合成する役割を担う。また、
スイッチ回路SW1はEGSM送信信号および受信信号の切り
換え、SW2はSP3T（Single Pole 3 Throw）スイッチ
を用いてDCS/PCS送信信号、DCS受信信号、およびPCS受
信信号の切り換えをそれぞれ行う。ローパスフィルタLP
F1はEGSM TX端子から入力される送信信号に含まれるN
次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS TX
端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪を
減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3は
それぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に含
まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。
【００２４】図３において、本発明の静電サージ対策回
路はアンテナ端子ANTと分波器Dipの間に挿入され、アン
テナ端子ANTから入力された静電サージをグランドへ吸
収する役割を担う。したがって本発明の静電サージ対策
回路により、スイッチ回路を構成するDIPダイオードス
イッチ、あるいはGaAs FETスイッチ、受信のSAWフィル
タ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接
続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから
保護することが出来る。
路はアンテナ端子ANTと分波器Dipの間に挿入され、アン
テナ端子ANTから入力された静電サージをグランドへ吸
収する役割を担う。したがって本発明の静電サージ対策
回路により、スイッチ回路を構成するDIPダイオードス
イッチ、あるいはGaAs FETスイッチ、受信のSAWフィル
タ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子に接
続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージから
保護することが出来る。
【００２５】また、点線枠内に示されるインダクタL3と
コンデンサーC3で構成される並列共振回路はオプション
で付加できる回路として示している（以下の実施例も同
様）。この並列共振回路を設けた場合は、減衰極をDCS/
PCS Txの２倍の周波数（3420MHz〜3820MHz）に調整す
ることにより、EGSM送信の4倍の周波数(3520MHz〜3660M
Hz)も同時に減衰させることができるため、DCS/PCS送信
の２倍減衰量、EGSM送信の４倍減衰量を同時に減衰させ
ることができる。また並列共振回路L3、C3は整合回路と
しての機能も兼ね備えているため、アンテナスイッチ全
体のマッチング調整用として有用である。
コンデンサーC3で構成される並列共振回路はオプション
で付加できる回路として示している（以下の実施例も同
様）。この並列共振回路を設けた場合は、減衰極をDCS/
PCS Txの２倍の周波数（3420MHz〜3820MHz）に調整す
ることにより、EGSM送信の4倍の周波数(3520MHz〜3660M
Hz)も同時に減衰させることができるため、DCS/PCS送信
の２倍減衰量、EGSM送信の４倍減衰量を同時に減衰させ
ることができる。また並列共振回路L3、C3は整合回路と
しての機能も兼ね備えているため、アンテナスイッチ全
体のマッチング調整用として有用である。
【００２６】（実施例４）図４は本発明にかかる静電サ
ージ対策用のハイパスフィルタをアンテナANTとGaAs FE
Tスイッチの間に挿入した、トリプルバンドアンテナス
イッチ回路の一実施例を示すブロック図である。この場
合SP5T（Single Pole 5 Throw）スイッチはアンテナ
端子から入出力された信号のうちEGSM送信信号、EGSM受
信信号、DCS/PCS送信信号、DCS受信信号、およびPCS受
信信号を所定の端子へ切り換えを行う。ローパスフィル
タLPF1はEGSM TX端子から入力される送信信号に含まれ
るN次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS
TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪
を減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3
はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に
含まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。
ージ対策用のハイパスフィルタをアンテナANTとGaAs FE
Tスイッチの間に挿入した、トリプルバンドアンテナス
イッチ回路の一実施例を示すブロック図である。この場
合SP5T（Single Pole 5 Throw）スイッチはアンテナ
端子から入出力された信号のうちEGSM送信信号、EGSM受
信信号、DCS/PCS送信信号、DCS受信信号、およびPCS受
信信号を所定の端子へ切り換えを行う。ローパスフィル
タLPF1はEGSM TX端子から入力される送信信号に含まれ
るN次高調波歪を減衰する役割を担い、LPF2はDCS/PCS
TX端子から入力される送信信号に含まれるN次高調波歪
を減衰する役割を担う。SAWフィルタSAW1、SAW2、SAW3
はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信信号、PCS受信信号に
含まれる受信帯域外のノイズを除去する役割を担う。
【００２７】図４において、本発明の静電サージ対策回
路はアンテナ端子とSP5Tスイッチの間に挿入され、アン
テナから入力された静電サージをグランドへ吸収する。
したがって本発明の静電サージ対策回路により、SP5Tス
イッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続されるパ
ワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプな
どの回路を静電サージから保護することが出来る。
路はアンテナ端子とSP5Tスイッチの間に挿入され、アン
テナから入力された静電サージをグランドへ吸収する。
したがって本発明の静電サージ対策回路により、SP5Tス
イッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続されるパ
ワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアンプな
どの回路を静電サージから保護することが出来る。
【００２８】（実施例５）図５は本発明にかかる静電サ
ージ対策用のハイパスフィルタを用いた、トリプルバン
ドアンテナスイッチ回路の一実施例である。この場合SP
3Tスイッチはアンテナ端子から入出力された信号のうち
EGSM送信信号、DCS受信信号を分波器Dip1へ切り換え、D
CS/PCS送信信号、EGSM受信信号を分波器Dip2へ切り換
え、PCS受信信号をPCS受信のSAWへそれぞれ切り換えを
行う。ローパスフィルタLPF1へはEGSMTX端子から入力さ
れる送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を
担い、LPF2はDCS/PCS TX端子から入力される送信信号に
含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担う。SAWフィル
タSAW1、SAW2、SAW3はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信
信号、PCS受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを除
去する役割を担う。分波器Dip1はLPF1およびSAW2に接続
され、分波器Dip2はLPF2およびSAW1に接続される。
ージ対策用のハイパスフィルタを用いた、トリプルバン
ドアンテナスイッチ回路の一実施例である。この場合SP
3Tスイッチはアンテナ端子から入出力された信号のうち
EGSM送信信号、DCS受信信号を分波器Dip1へ切り換え、D
CS/PCS送信信号、EGSM受信信号を分波器Dip2へ切り換
え、PCS受信信号をPCS受信のSAWへそれぞれ切り換えを
行う。ローパスフィルタLPF1へはEGSMTX端子から入力さ
れる送信信号に含まれるN次高調波歪を減衰する役割を
担い、LPF2はDCS/PCS TX端子から入力される送信信号に
含まれるN次高調波歪を減衰する役割を担う。SAWフィル
タSAW1、SAW2、SAW3はそれぞれEGSM受信信号、DCS受信
信号、PCS受信信号に含まれる受信帯域外のノイズを除
去する役割を担う。分波器Dip1はLPF1およびSAW2に接続
され、分波器Dip2はLPF2およびSAW1に接続される。
【００２９】図５において、本発明の静電サージ対策回
路はアンテナ端子ANTとSP3Tスイッチの間に挿入され、
アンテナから入力された静電サージをグランドへ吸収す
る。したがって本発明の静電サージ対策回路により、SP
3Tスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続され
るパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアン
プなどの回路を静電サージから保護することが出来る。
また本実施例で用いたSP3Tスイッチは回路規模がSP5Tよ
りも小規模であるため、実施例4で示したSP5Tスイッチ
を用いた高周波アンテナスイッチモジュールよりも小型
化、低コスト化が可能であるという特徴がある。
路はアンテナ端子ANTとSP3Tスイッチの間に挿入され、
アンテナから入力された静電サージをグランドへ吸収す
る。したがって本発明の静電サージ対策回路により、SP
3Tスイッチ、受信のSAWフィルタ、送信端子に接続され
るパワーアンプ、受信端子に接続されるローノイズアン
プなどの回路を静電サージから保護することが出来る。
また本実施例で用いたSP3Tスイッチは回路規模がSP5Tよ
りも小規模であるため、実施例4で示したSP5Tスイッチ
を用いた高周波アンテナスイッチモジュールよりも小型
化、低コスト化が可能であるという特徴がある。
【００３０】（実施例６）本発明における静電サージ対
策用のハイパスフィルタおよびアンテナスイッチ回路を
構成インダクタや容量の一部は誘電体積層基板に内蔵可
能であり、他方静電サージ対策回路を構成する一部の容
量、インダクタ、スイッチ回路として用いたPINダイオ
ードスイッチ素子やGaAs FETスイッチ素子、抵抗、容
量、チョークコイルなどのチップ部品を前記誘電体積層
基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバン
ドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られ
る。
策用のハイパスフィルタおよびアンテナスイッチ回路を
構成インダクタや容量の一部は誘電体積層基板に内蔵可
能であり、他方静電サージ対策回路を構成する一部の容
量、インダクタ、スイッチ回路として用いたPINダイオ
ードスイッチ素子やGaAs FETスイッチ素子、抵抗、容
量、チョークコイルなどのチップ部品を前記誘電体積層
基板上に搭載することにより、小型で安価なマルチバン
ドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品が得られ
る。
【００３１】例えば、図５のブロック図で示されるアン
テナスイッチ回路モジュールを積層体で一体構成した複
合部品の斜視図を図１３に示した。図示しないが積層体
の内部にはダイプレクサDip1、Dip2、ローパスフィルタ
LPF1、LPF2および静電サージ対策用ハイパスフィルタ回
路を構成するインダクタおよび容量が複数の層に分けら
れて印刷されて形成されており小型化軽量化が可能とな
る。一方、積層体１の上にはSP3T GaAs FETスイッチ
２、ＳＡＷフィルタ３、チップインダクタ４、チップコ
ンデンサ５がそれぞれ搭載されている。
テナスイッチ回路モジュールを積層体で一体構成した複
合部品の斜視図を図１３に示した。図示しないが積層体
の内部にはダイプレクサDip1、Dip2、ローパスフィルタ
LPF1、LPF2および静電サージ対策用ハイパスフィルタ回
路を構成するインダクタおよび容量が複数の層に分けら
れて印刷されて形成されており小型化軽量化が可能とな
る。一方、積層体１の上にはSP3T GaAs FETスイッチ
２、ＳＡＷフィルタ３、チップインダクタ４、チップコ
ンデンサ５がそれぞれ搭載されている。
【００３２】また、本実施例では積層基板は９５０℃以
下の低温焼成が可能なセラミック誘電材料（ＬＴＣＣ）
を用いており、焼成前のセラミックグリーンシートは伝
送線路、容量を形成しやすいように、シート厚みが４０
〜２００μｍのものを使用した。このセラミックグリー
ンシートを複数積層し、個片にカットし側面電極を印刷
した後に、９５０℃で焼成することにより、アンテナス
イッチ積層モジュール複合部品の積層体が得られる。さ
らに、得られた積層体上にSP3T GaAs FETスイッチ、チ
ップインダクタ、チップコンデンサを実装することによ
り、小型でかつ静電サージ対策の施されたアンテナスイ
ッチ積層モジュール複合部品が得られる。
下の低温焼成が可能なセラミック誘電材料（ＬＴＣＣ）
を用いており、焼成前のセラミックグリーンシートは伝
送線路、容量を形成しやすいように、シート厚みが４０
〜２００μｍのものを使用した。このセラミックグリー
ンシートを複数積層し、個片にカットし側面電極を印刷
した後に、９５０℃で焼成することにより、アンテナス
イッチ積層モジュール複合部品の積層体が得られる。さ
らに、得られた積層体上にSP3T GaAs FETスイッチ、チ
ップインダクタ、チップコンデンサを実装することによ
り、小型でかつ静電サージ対策の施されたアンテナスイ
ッチ積層モジュール複合部品が得られる。
【００３３】（その他の実施例）以上の実施例では静電
サージ対策回路をアンテナトップに接続する場合を想定
しているが、本発明の静電サージ対策回路は900MHz〜2G
Hzまで十分広い帯域で整合がとれると言う特徴があり、
アンテナトップだけでなく複数の場所に挿入することが
可能である。例えば図１７のブロック図を例にとり示す
と、Dip‐SW1間 Dip‐SW2間 SW1‐LPF1間 S
W1‐SAW1間SW2‐LPF2間 SW2‐SAW2間 SW2‐SAW
3間およびこれら〜を組み合わせた位置に設けるこ
とが出来る。
サージ対策回路をアンテナトップに接続する場合を想定
しているが、本発明の静電サージ対策回路は900MHz〜2G
Hzまで十分広い帯域で整合がとれると言う特徴があり、
アンテナトップだけでなく複数の場所に挿入することが
可能である。例えば図１７のブロック図を例にとり示す
と、Dip‐SW1間 Dip‐SW2間 SW1‐LPF1間 S
W1‐SAW1間SW2‐LPF2間 SW2‐SAW2間 SW2‐SAW
3間およびこれら〜を組み合わせた位置に設けるこ
とが出来る。
【００３４】また、以上の実施例ではEGSM、DCS、PCSに
対応した、マルチバンドアンテナスイッチ回路について
述べたが、これ以外にもW-CDMA帯域（1920MHz〜2170MH
z）、PDC800帯域(810〜960MHz)、DAMPS（824〜849MH
z）、GPS帯域(1575.42MHz)、PHS帯域(1895〜1920MHz)、
Bluetooth帯域(2400〜2484MHz)や、米国で普及が見込ま
れるCDMA2000、中国で普及が見込まれるTD-SCDMAなどの
場合も同様の効果が期待できる。したがって、本発明に
よれば高調波発生量を抑制した、デュアルバンド、３バ
ンド、４バンド、５バンド等のマルチモードマルチバン
ドのアンテナスイッチ回路が得られ、これらの機能を積
層体内に集約することが出来る。そして、このような積
層体モジュールを用いた携帯電話などの通信機器は小型
で低消費電力化が可能となる。
対応した、マルチバンドアンテナスイッチ回路について
述べたが、これ以外にもW-CDMA帯域（1920MHz〜2170MH
z）、PDC800帯域(810〜960MHz)、DAMPS（824〜849MH
z）、GPS帯域(1575.42MHz)、PHS帯域(1895〜1920MHz)、
Bluetooth帯域(2400〜2484MHz)や、米国で普及が見込ま
れるCDMA2000、中国で普及が見込まれるTD-SCDMAなどの
場合も同様の効果が期待できる。したがって、本発明に
よれば高調波発生量を抑制した、デュアルバンド、３バ
ンド、４バンド、５バンド等のマルチモードマルチバン
ドのアンテナスイッチ回路が得られ、これらの機能を積
層体内に集約することが出来る。そして、このような積
層体モジュールを用いた携帯電話などの通信機器は小型
で低消費電力化が可能となる。
【００３５】
【発明の効果】本発明の静電サージ対策回路を用いるこ
とにより、アンテナ端子からの静電サージをグランドに
逃がし、かつ広範囲の周波数帯に対して静電サージを吸
収し、より完全に静電破壊対策ができる。そして、マル
チバンドアンテナスイッチ回路を構成するDIPダイオー
ドスイッチ、あるいはGaAs FETスイッチ、受信のSAWフ
ィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子
に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージ
から保護することが可能となり、これら後段の高周波電
子部品を破壊することがない。さらに分波器とスイッチ
回路の伝送線路および容量の一部を積層基板に内蔵し一
体化するため、分波器とスイッチ回路との配線も積層基
板の表面又は内部に形成され、配線による損失を低減
し、また両者間の整合調整が容易となる。一方でスイッ
チ素子、抵抗、容量およびインダクタなどのチップ部品
は積層基板上に搭載するので、静電サージ対策回路を内
蔵一体化した小型で高性能なアンテナスイッチ積層モジ
ュール複合部品が得られる。また、これらのマルチバン
ドアンテナスイッチ回路、又はマルチバンドアンテナス
イッチ積層モジュール複合部品を用いた通信装置は装置
の小型化と低消費電力仕様となる。
とにより、アンテナ端子からの静電サージをグランドに
逃がし、かつ広範囲の周波数帯に対して静電サージを吸
収し、より完全に静電破壊対策ができる。そして、マル
チバンドアンテナスイッチ回路を構成するDIPダイオー
ドスイッチ、あるいはGaAs FETスイッチ、受信のSAWフ
ィルタ、送信端子に接続されるパワーアンプ、受信端子
に接続されるローノイズアンプなどの回路を静電サージ
から保護することが可能となり、これら後段の高周波電
子部品を破壊することがない。さらに分波器とスイッチ
回路の伝送線路および容量の一部を積層基板に内蔵し一
体化するため、分波器とスイッチ回路との配線も積層基
板の表面又は内部に形成され、配線による損失を低減
し、また両者間の整合調整が容易となる。一方でスイッ
チ素子、抵抗、容量およびインダクタなどのチップ部品
は積層基板上に搭載するので、静電サージ対策回路を内
蔵一体化した小型で高性能なアンテナスイッチ積層モジ
ュール複合部品が得られる。また、これらのマルチバン
ドアンテナスイッチ回路、又はマルチバンドアンテナス
イッチ積層モジュール複合部品を用いた通信装置は装置
の小型化と低消費電力仕様となる。
【図１】 本発明の静電サージ対策用のハイパスフィル
タの一実施例を示す図である。
タの一実施例を示す図である。
【図２】 本発明の静電サージ対策用のハイパスフィル
タの他の実施例を示す図である。
タの他の実施例を示す図である。
【図３】 本発明のマルチバンドアンテナスイッチ回路
の一実施例を示すブロック図である。
の一実施例を示すブロック図である。
【図４】 本発明のマルチバンドアンテナスイッチ回路
の他の実施例を示すブロック図である。
の他の実施例を示すブロック図である。
【図５】 本発明のマルチバンドアンテナスイッチ回路
のさらに他の実施例を示すブロック図である。
のさらに他の実施例を示すブロック図である。
【図６】 静電サージを再現するHuman Body Model試験
機の等価回路図である。
機の等価回路図である。
【図７】 静電サージ電圧波形を示す図である。
【図８】 静電サージ波形の周波数スペクトルを示す図
である。
である。
【図９】 従来の静電サージ対策回路の一例を示す図で
ある。
ある。
【図１０】 従来の静電サージ対策回路の他の一例を示
す図である。
す図である。
【図１１】 従来の静電サージ対策回路と本発明の静電
サージ対策回路の減衰特性を示す図である。
サージ対策回路の減衰特性を示す図である。
【図１２】 従来の静電サージ対策回路と本発明の静電
サージ対策回路の反射特性を示す図である。
サージ対策回路の反射特性を示す図である。
【図１３】 本発明の静電サージ対策回路を内蔵したマ
ルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品の
斜視図である。
ルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール複合部品の
斜視図である。
【図１４】 従来技術による静電サージ対策回路を内蔵
したPINダイオードスイッチの等価回路図である。
したPINダイオードスイッチの等価回路図である。
【図１５】 従来技術による静電サージ対策回路を内蔵
したアンテナスイッチ回路モジュールの等価回路図であ
る。
したアンテナスイッチ回路モジュールの等価回路図であ
る。
【図１６】 従来技術によるトリプルバンドアンテナス
イッチ回路のブロック図の一例である。
イッチ回路のブロック図の一例である。
【図１７】 従来技術によるトリプルバンドアンテナス
イッチ回路のブロック図の他の一例である。
イッチ回路のブロック図の他の一例である。
ＡＮＴ：アンテナ端子
Ｐ1：入力端子
Ｐ２：出力端子
ＴＸ、ＴＸ１、ＴＸ２：送信端子
ＲＸ、ＲＸ１、ＲＸ２：受信端子
ＶＣ、ＶＣ１、ＶＣ２：コントロール電源端子
Ｖｓ：静電サージ電圧印加用電源
Ｄｉｐ、Ｄｉｐ１、Ｄｉｐ２：ダイプレクサ
ＬＰＦ１、ＬＰＦ２：ローパスフィルタ
ＳＷ、ＳＷ１、ＳＷ２：スイッチ回路
ＳＡＷ、ＳＡＷ１、ＳＡＷ２、ＳＡＷ３：ＳＡＷフィル
タ Ｌ、Ｌ１〜Ｌ９：伝送線路、インダクタまたはチョーク
コイル Ｃ、Ｃ１〜Ｃ１１：容量 Ｄ、Ｄ１〜Ｄ４：ＰＩＮダイオード Ｒ、Ｒ１、Ｒ２：抵抗 １：積層誘電体 ２：SP3T GaAs FETスイッチ ３：ＳＡＷフィルタ ４：チップインダクタ ５：チップコンデンサ
タ Ｌ、Ｌ１〜Ｌ９：伝送線路、インダクタまたはチョーク
コイル Ｃ、Ｃ１〜Ｃ１１：容量 Ｄ、Ｄ１〜Ｄ４：ＰＩＮダイオード Ｒ、Ｒ１、Ｒ２：抵抗 １：積層誘電体 ２：SP3T GaAs FETスイッチ ３：ＳＡＷフィルタ ４：チップインダクタ ５：チップコンデンサ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 横内 智
鳥取県鳥取市南栄町70番地２号 日立金属
株式会社鳥取工場内
Ｆターム(参考） 5J024 AA01 BA01 BA11 BA19 CA02
CA03 CA10 EA02
5K011 DA02 DA21 DA27 EA01 JA01
KA04
Claims (7)
- 【請求項１】 入力端子および出力端子を有し、前記入
力端子とグランドとの間に接続された第１のインダク
タ、前記入力端子と前記出力端子との間に接続された第
１の容量、前記出力端子に接続された第２のインダク
タ、およびこの第２のインダクタとグランドに接続され
た第２の容量とからなる直列共振回路を有することを特
徴とするハイパスフィルタ。 - 【請求項２】 前記第２のインダクタと前記出力端子と
の間に第３のインダクタおよび第３の容量からなる並列
共振回路を設けたことを特徴とする請求項１記載のハイ
パスフィルタ。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のハイパスフィル
タの入力端子にアンテナを、また前記出力端子に複数の
周波数の信号を送受信端子へ切り換えを行うマルチバン
ドアンテナスイッチ回路のアンテナ端子を接続したこと
を特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回路。 - 【請求項４】 請求項１または２記載のハイパスフィル
タの出力端子にアンテナを、また前記入力端子に複数の
周波数の信号を送受信端子へ切り換えを行うマルチバン
ドアンテナスイッチ回路のアンテナ端子を接続したこと
を特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ回路。 - 【請求項５】 複数の周波数の信号を送受信端子へ切り
換えを行うマルチバンドアンテナスイッチ回路におい
て、前記スイッチ回路の受信端子と受信のＳＡＷフィル
タとの間に請求項１または２記載のハイパスフィルタを
挿入したことを特徴とするマルチバンドアンテナスイッ
チ回路。 - 【請求項６】 請求項１または２記載のハイパスフィル
タ及び請求項３〜５に記載のマルチバンドアンテナスイ
ッチ回路を構成するインダクタおよび容量の一部を積層
基板に内蔵し、前記アンテナスイッチ回路の一部を構成
するスイッチ素子、抵抗、容量、インダクタおよびＳＡ
Ｗフィルタなどのチップ部品を積層基板上に搭載したこ
とを特徴とするマルチバンドアンテナスイッチ積層モジ
ュール。 - 【請求項７】 前記請求項１〜５のいずれかに記載の静
電サージ用ハイパスフィルタ及びマルチバンドアンテナ
スイッチ回路、又は請求項６記載のマルチバンドアンテ
ナスイッチ積層モジュールを用いたことを特徴とする通
信装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073910A JP4224802B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置 |
| PCT/JP2002/008215 WO2003015301A1 (en) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | Bypass filter, multi-band antenna switch circuit, and layered module composite part and communication device using them |
| CNB028157273A CN1309178C (zh) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 高通滤波器和多频带天线开关电路、使用它们的通信仪器 |
| US10/486,326 US7057472B2 (en) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | Bypass filter, multi-band antenna switch circuit, and layered module composite part and communication device using them |
| KR1020087026999A KR100906356B1 (ko) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 하이 패스 필터 |
| KR1020047002040A KR100902296B1 (ko) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | 멀티 밴드 안테나 스위치 회로 및 이들을 사용한 적층 모듈 복합 부품과 통신 기기 |
| EP02758832A EP1418680A4 (en) | 2001-08-10 | 2002-08-12 | DERIVATION FILTER, MUTIBAND ANTENNA SWITCHING CIRCUIT, LAMINATED MODULE COMPOSITE ELEMENT, AND COMMUNICATION DEVICE USING SAME |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002073910A JP4224802B2 (ja) | 2002-03-18 | 2002-03-18 | ハイパスフィルタおよびこれを用いたマルチバンドアンテナスイッチ回路、マルチバンドアンテナスイッチ積層モジュール並びに通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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