JP2002093777A

JP2002093777A - ドライエッチング装置

Info

Publication number: JP2002093777A
Application number: JP2001189065A
Authority: JP
Inventors: Akira Yamaguchi; 彰山口; Fumitsugu Nakayama; 文嗣中山
Original assignee: Nisshinbo Industries Inc; Nisshin Spinning Co Ltd
Current assignee: Nisshinbo Holdings Inc
Priority date: 2000-07-11
Filing date: 2001-06-22
Publication date: 2002-03-29
Also published as: US20020043335A1; US6491784B2; TW507288B; KR20020005965A

Abstract

(57)【要約】【課題】不純物汚染の恐れがなく、下部電極との間で
高精度の平行度が得られるだけでなく、電極板と台座と
の良好な熱伝導により、結果として、エッチング特性が
向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるという
上部電極及びそれを装着したドライエッチング装置の提
供。【解決手段】シリコン製電極板と、該電極板を支持す
る台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電
極において、（ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ（ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１
０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接
着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッ
チング装置用上部電極を提供。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスを
製造する際に用いられるドライエッチング装置用上部電
極及びそれを装着したドライエッチング装置に関し、さ
らに詳しくは、不純物汚染の恐れがないばかりでなく、
台座とシリコン製電極板との間で十分な接着強度があ
り、しかも下部電極との間で高精度の平行度が得られ、
結果として、エッチング特性が向上してシリコンウェハ
ーの歩留まりがよくなるという上部電極及びそれを装着
したドライエッチング装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピューターに代表される情報機器の
発展に伴い、それら機器の主要構成デバイスとなる半導
体集積回路には、集積度の向上が一層強く要求されるよ
うになっている。半導体デバイスの製造時には、性能確
保の面から原料はもとより製造工程段階においても不純
物の混入を極度に嫌うため、クリーンルームのような清
浄環境下で作業が進められる。いうまでもなく製造装置
を構成する各部材についても、不純物の発生がないこと
が必要とされている。イオン注入、ドライエッチング、
スパッタリングに代表されるウェハーの処理は、チャン
バーと呼ばれる高真空に減圧可能な反応室内で行われる
が、半導体集積回路の集積度が向上するにつれ、より高
レベルの純度基準を満たす必要に迫られており、チャン
バーやそれを構成する各部材についても不純物汚染の少
ない材料特性が求められている。

【０００３】ドライエッチングの場合を例に挙げ、チャ
ンバー内部の各部材を図３により説明すると、通常、チ
ャンバーには、対向する形で、上部電極と下部電極とか
らなる一対の電極が設置され、その下部電極を高周波電
源に接続することにより対向する電極間にプラズマが発
生する。シリコンウェハーは、下部電極の真上に搭載用
部材を介して取り付けられ、プラズマ雰囲気の下でエッ
チングガスによりエッチング処理される。従来、ドライ
エッチング装置における上部電極では、金属又は金属酸
化物製台座（又は支持リング）にシリコン製の電極板が
接合されて用いられ、その接合には、インジウム等によ
る金属ろう付けされていた。

【０００４】しかし、こうした金属又は金属酸化物製の
台座の場合には、不純物汚染が起こる恐れが強いので、
これに替わる材料としてグラファイト製からなる台座の
検討が行われてきたが、その際、従来から用いられてき
たインジウム等の金属ろう付けによる接合では、接着強
度はあるものの製造工程での前処理や高温作業での煩雑
さがあるばかりでなく、接合後の接合層厚さにバラツキ
があり、その結果、均一なエッチング処理を得る上で必
要とされる上部電極と下部電極との間の平行度がなかな
か得られず、高精度の平行度が要求される部材の接合と
しては不適当であった。また、ろう材そのものがシリコ
ンウェハーへの汚染原因となることもあった。そのた
め、ドライエッチングにおける良好なエッチング特性が
得られず、半導体デバイス、すなわちシリコンウェハー
の歩留まりを悪化させるという問題があった。

【０００５】そこで、上記のような問題点を解決するた
めに、米国特許第５，０７４，４５６号には、金属含有
エポキシ樹脂で接合された上部電極や、米国特許第６，
０７３，５７７号には、金属粒子を含有する弾性材料で
接合された上部電極が提案されている。これらの発明に
よれば、金属粒子の径まで接着層の厚みが薄く均一にな
るので、電極板と台座とを高精度に接合でき、上部電極
と下部電極との間の平行度を良好に保つことができると
ともに不純物汚染も解消できる。

【０００６】しかしながら、これらの発明は、金属フィ
ラーを接着層に含むものの、電極板と台座との間の熱伝
導率は、ろう材で接合した場合よりも低くなるので、電
極板の周辺部と中央部で温度が不均一になることがあ
り、エッチング特性が低下する恐れがあった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来のドライエッチング装置の上部電極などが持つ問題
点を解消し、不純物汚染の恐れがなく、下部電極との間
で高精度の平行度が得られるだけでなく、電極板と台座
との良好な熱伝導により、結果として、エッチング特性
が向上してシリコンウェハーの歩留まりがよくなるとい
う上部電極及びそれを装着したドライエッチング装置を
提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点を解決するため、最適なドライエッチング装置の上部
電極の開発について鋭意検討を行った結果、台座として
不純物汚染のおそれのないグラファイト部材を採用し、
しかも、それとシリコン製電極板との接合を、特定のフ
ィラーを含む有機系接着剤により行ったところ、電極板
と台座との間に良好な熱伝導が得られることを見出し
た。本発明は、これらの知見に基づいて完成に至ったも
のである。

【０００９】すなわち、本発明の第１の発明によれば、
シリコン製電極板と、該電極板を支持する台座とから構
成されるドライエッチング装置用上部電極において、（ａ）台座は、グラファイトから構成され、かつ（ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率が６×１
０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む有機系接
着剤により接合されてなることを特徴とするドライエッ
チング装置用上部電極が提供される。

【００１０】また、本発明の第２の発明によれば、第１
の発明において、台座は、シリコン製電極板と接合され
る部分を除き、その表面がガラス状カーボンでコーティ
ングされることを特徴とするドライエッチング装置の上
部電極が提供される。

【００１１】さらに、本発明の第３の発明によれば、第
１の発明において、有機系接着剤中に予め熱伝導性・電
気伝導性でかつ粒径の揃ったフィラーを含有させた後、
接合時に、接着圧力とフィラー粒径との相関式に応じた
圧力で圧着し、接合層の厚さを制御、均一にすることを
特徴とするドライエッチング装置用上部電極が提供され
る。

【００１２】さらにまた、本発明の第４の発明によれ
ば、第１〜３のいずれかの発明において、フィラーは、
グラファイトであり、有機系接着剤に対して５〜３０重
量％であることを特徴とするドライエッチング装置用上
部電極が提供される。

【００１３】また、本発明の第５の発明によれば、第１
〜４のいずれかの発明において、有機系接着剤は、シリ
コーン系接着剤であることを特徴とするドライエッチン
グ装置用上部電極が提供される。

【００１４】さらに、本発明の第６の発明によれば、第
１〜５の発明に係わるドライエッチング装置用上部電極
を装着したドライエッチング装置が提供される。

【００１５】本発明は、上記した如く、不純物汚染の恐
れがなく、下部電極との間で高精度の平行度が得られる
だけでなく、電極板と台座との良好な熱伝導により、エ
ッチング特性が向上してシリコンウェハーの歩留まりが
よくなるという上部電極及びそれを装着したドライエッ
チング装置に係わるものであるが、その好ましい態様と
しては、次のものが包含される。

【００１６】（１）第１〜５の発明において、有機系接
着剤は、エポキシ系或いはシリコーン系接着剤であるこ
とを特徴とするドライエッチング装置用上部電極。（２）上記の有機系接着剤は、エポキシ系或いはシリコ
ーン系接着剤に、ヤング率が６×１０^９〜６８×１０^９
Ｎ／ｍ^２のフィラーを１種以上配合するものであること
を特徴とする、上記のドライエッチング装置用上部電
極。（３）前記のシリコーン系接着剤は、１液性のシリコー
ン接着剤であることを特徴とする、上記のドライエッチ
ング装置用上部電極。（４）第２の発明において、ガラス状カーボンコート層
の厚さが少なくとも１〜３μｍであることを特徴とする
ドライエッチング装置用上部電極。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。１．電極板本発明のドライエッチング装置用上部電極には、通常、
シリコン製の電極板が用いられ、そのシリコン製の電極
板は、板面に多数のエッチングガス噴出孔を有する円板
体である。そして、エッチングを行う際には、エッチン
グガスが上部電極板のガス噴出孔を通過する際にプラズ
マ化され、このうちの反応性イオンが下部電極上に置か
れたシリコンウェハーに引き込まれエッチングが行われ
る。

【００１８】電極板として、基体をなすシリコンは、特
に限定されないが、単結晶シリコンの高純度で高密度の
ものを使用することが望ましい。そのようなシリコンと
しては、ドーパント（ドープ剤）が硼素（Ｂ）であるＰ
型単結晶シリコンなどが挙げられ、その結晶方位は、＜
１００＞である。また、電気抵抗率は、一般的には、１
μΩ・ｃｍ〜３０Ω・ｃｍの範囲である。

【００１９】２．台座本発明のドライエッチング装置用上部電極には、上記シ
リコン製の電極板の裏面と接合する台座（又は支持リン
グ）として、グラファイト製のものが用いられる。グラ
ファイト製の台座は、エッチング工程でシリコンウェハ
ーの不純物汚染の恐れがなく、上部電極に発生した熱の
冷却効率（熱伝導効率）を上げるために、用いられる。

【００２０】グラファイト製の台座は、冷却用リングと
しても用いられるために、熱伝導性がよく（すなわち熱
伝導率が高く）、シリコン製の電極板と熱膨張率の差が
小さいものが望ましく、必要である。熱伝導性が悪く、
熱膨張率の差が大きいと、電極上では、円板の中心付近
と周辺部とで温度勾配が生じてしまい、これがエッチン
グ特性を不均一にする一因にもなる。また、シリコンウ
ェハーの大口径化、処理温度の高温化、急熱・急冷処理
の要求等に対処できなくなる恐れもある。

【００２１】グラファイト製の台座として、基体をなす
グラファイトは、特に限定されないが、シリコンウェハ
ーエッチング時の不純物汚染の恐れがなく、熱伝導率が
高く、シリコン電極板と熱膨張率の差が小さいものであ
るために、高純度のものを使用することが望ましい。そ
のようなグラファイトとしては、半導体グレードのもの
が挙げられ、例えば、市販されているものでは、ルカー
ボン社製のＣＸ−２１２３、ＣＸ−２１１４、ＣＸ−２
２０６、Ｅ＋２５や、日本カーボン社製のＥＧＦ−２６
２、ＥＧＦ−２６４などがある。また、グラファイト製
の台座は、グラファイトとガラス状カーボン製との複合
体であっても良い。

【００２２】さらに、グラファイトの表面に、ガラス状
カーボンがコーティングされていることが望ましい。コ
ーティングされる箇所は、少なくともドライエッチング
時にエッチングガスに曝されるところ、すなわち、シリ
コン製電極板と接合される部分を除くところであり、例
えば台座の側面と裏面である。

【００２３】コーティングされるガラス状カーボンは、
厚さが通常１〜３μｍであり、コーティング方法には、
特に制限はなく、従来用いられてきた方法の中から、適
宜、選択することができ、特に、グラファイトに、ある
種の樹脂、例えばポリカルボジイミド、フェノール樹脂
等をスプレーでコーティング或いは含浸し、これを焼成
することでガラス状のカーボン被覆を形成する方法が好
ましい。含浸処理の場合、ガラス状カーボン層は、台座
表面から内部へも形成することができ、ガラス状カーボ
ン層全体の厚みを３μｍ以上にすることができる。

【００２４】このガラス状カーボンは、グラファイトの
保護層として働くものであり、グラファイトのダストの
発生を抑え、耐食性などに寄与するものである。特に、
ドライエッチング時に、プラズマ雰囲気におけるグラフ
ァイトからのガスの発生を抑え、また、グラファイトの
表面の酸化層をなす物質が剥離して、ウェハー上にパー
ティクルが付着する恐れ等を防止するものである。

【００２５】ガラス状カーボンとしては、難黒鉛化性炭
素又はハードカーボンとも称されるものであり、有機物
質の固相炭化により生成したものであれば、どのような
原料及び製法のものでもよく、特に限定されない。原料
としては、セルロースや、フルフリルアルコールなどの
熱硬化性樹脂、及び熱可塑性樹脂などが挙げられ、ま
た、製法としては、これらの原料をもとに各種のものが
提案されている。

【００２６】３．接合部本発明のドライエッチング装置用上部電極は、上記のシ
リコン製の電極板と、その裏面に、グラファイト製の台
座（又は支持リング）とを接合して用いるものである。

【００２７】接合層は、有機系接着剤に、熱伝導性・電
気伝導性かつ粒径の揃ったフィラーを含有し、接着圧力
とフィラー粒径の関係により、接合層厚さを制御し、接
合層厚さを均一にする。

【００２８】有機系接着剤としては、通常、熱硬化エポ
キシ系やシリコーン系のものを使用する。シリコーン系
接着剤は、電極板が熱膨張しても接着力が低下しないの
で好ましい。有機系接着剤に配合するフィラーは、熱伝
導性・電気伝導性であり、ヤング率が６×１０^９〜６８
×１０^９Ｎ／ｍ^２のものである。このようなフィラーを
有機系接着剤に配合することにより、エポキシ樹脂やシ
リコーン樹脂の約１０倍程度の熱伝導率にできるととも
に、電極板と台座とを接合すると、フィラーがつぶれ、
上部電極が高温になり接着剤が膨張しても電極板や台座
と、或いはフィラー同士が面で接触できるので、電極板
と台座間の熱伝導性を向上させることができる。

【００２９】本発明で使用できるフィラーの具体的な材
質としては、グラファイト、インジウム、錫、鉛、ハン
ダなどを挙げることができる。一般に、金属ロウによる
接合は、不純物汚染の原因になり得るが、粒子状で接着
剤層中取り込まれた状態になるので、不純物汚染の大き
な原因にはならない。中でもグラファイト製の台座と同
等ないしは低いヤング率（すなわち２０×１０^９Ｎ／ｍ
^２以下）のインジウム、グラファイトが好ましく、接着
剤になじみやすく接着剤の接着強度を大きく損なわない
グラファイト（カーボン）が特に好ましい。フィラーの
粒径は、１〜１００μｍであり、好ましくは１０〜５０
μｍであり、粒径分布としては、比較的揃ったものが望
ましい。フィラーの充填量としては、接着剤に対して、
グラファイトの場合は５〜３０重量％、金属の場合は１
７〜７０重量％の範囲で用いられる。

【００３０】ここで、台座にはプライマーで前処理を施
すことも有用である。プライマーとしてはグラファイト
製台座への接着力を高めるものであれば使用できるが、
特にシリコン化合物の溶液からなるプライマーを使用す
ると、シリコーン系接着剤が台座のグラファイト内部に
侵入しやすくなり接着強度が高まるだけでなく、電極板
と台座との熱伝導率を向上させることができる。有機系
接着剤に粒径の揃ったフィラーを含有させ、接着後圧力
を加えて硬化させると、圧力とフィラー粒径の関係か
ら、接合層の厚さが粒径と同じになり、接合層厚さを均
一にでき、もとの平行度が保つことができる。

【００３１】圧力とフィラー粒径（半径）、フィラー個
数の関係としては、接合部の弾性接触理論から、次に示
す関係が得られる。接着する際の接着荷重に対して、ど
の程度の数のフィラーが必要かは、ヘルツの弾性接触理
論から、例えば、フィラーとシリコン板、フィラーとグ
ラファイトの間に発生する最大発生面圧を算出し、それ
がフィラー、シリコン、グラファイトの許容応力を超え
ないようにすればよく、以下にその例を示す。ヘルツの
弾性接触理論によれば、接触するふたつの物体の間に発
生する最大面圧（Ｐ_ｍａｘ）は、下記の式（１）とな
る。Ｐ_ｍａｘ＝１．５×Ｐ_０／（πａ^２）（１）（１）式において、Ｐ_０は、フィラー１個当たりに発生
する接着荷重であり、ａは、接触面の半径であり、次の
式（２）で示される。ａ＝０．８８×（４Ｐ_０Ｒ^＊／Ｅ^＊）^１／３（２）（２）式において、Ｅ^＊は、相当ヤング率であり、Ｒ^＊
は、相対曲率半径であり、それぞれ次の関係がある。１／Ｅ^＊＝（１／Ｅ_１）＋（１／Ｅ_２）（３）１／Ｒ^＊＝（１／Ｒ_１）＋（１／Ｒ_２）（４）ここで、Ｅ_１、Ｅ_２は、物体１、２のヤング率であり、
Ｒ_１、Ｒ_２は、物体１、２の曲率半径である。また、接
着荷重（Ｐ）とフィラーの個数（Ｎ）の関係は、（５）
式である。Ｐ＝Ｐ_０×Ｎ（５）これらの（１）〜（５）式の関係式から、接合層の厚さ
をフィラー粒径と同じにするために、接着する際の接着
荷重に対して、どの程度の数のフィラーが必要かが、算
出できる。

【００３２】算出例を示せば、例えば、上方より１０ｋ
ｇの押付け荷重で、シリコン板とグラファイト台座の間
に、数平均粒径５０μｍのグラファイトをフィラーとし
て用い、接合層厚さを同じく５０μｍにする場合を想定
すると、１０ｋｇの接着（押付け）荷重に対して粒径５
０μｍを超えるグラファイトはつぶされ、結局、グラフ
ァイトのフィラー個数の必要数は、約９．７×１０^５個
となり、その数で支えればよいことになる。すなわち、
接着剤中に、約９．７×１０^５個のグラファイトのフィ
ラーを分散させればよいことになる。

【００３３】このように、グラファイト製の台座を用い
ることと、接合層の厚さを均一にすることにより、不純
物汚染の恐れがなく、下部電極との高精度な平行度が得
られ、エッチング特性が向上し、シリコンウェハーの歩
留まりをも向上させることができるものである。

【００３４】

【実施例】以下、本発明について、図面を用いた実施
例、及び比較例によりさらに詳細に説明するが、本発明
は、これらの実施例に特に限定されるものではない。

【００３５】［実施例１］［上部電極の概要と接着方
法］本発明の上部電極は、シリコンウェハーのドライエッチ
ング装置における部材であり、そのドライエッチング装
置の概要は、図３に示され、上部電極の概要は、図１及
び図２に示される。

【００３６】図１、２において、シリコン製の電極板８
としては、径が２２３．５ｍｍ、厚さが６．３ｍｍの寸
法で、ガス噴出孔（径０．８４ｍｍ）が３２４９個、平
行度０．０１のものを用いた。また、グラファイトリン
グ（台座）９としては、外径が２２３．５ｍｍ、内径が
２０３．２ｍｍ、接着面積が６８ｃｍ^２、厚さが１９ｍ
ｍ、下端部の外径が２４５ｍｍ、厚さが８．９ｍｍの寸
法で平行度０．０２のものを用いた。これらのシリコン
製の電極板８と、グラファイトリング９とを接合部１０
を介して、上部電極とした。接合部１０は、有機系接着
剤として、シリコーン系接着剤で、１液タイプの室温硬
化性（ＲＴＶ）で湿気硬化形（空気中の水分と反応して
硬化する）、高熱伝導のもの（信越化学工業社製、商品
名：ＫＥ３４９０）を用い、フィラーとして、ＡＳＢＵ
ＲＹＧＲＡＰＨＩＴＥＭＩＬＬＳ社製の黒鉛粒子
（商品名：＃４４２４、平均粒径：４０μｍ、比重：
１．８）を用い、接合した。尚、フィラーの混合は、シ
リコーン系接着剤５００ｇと黒鉛１５０ｇをビーカーに
入れ、できる限り空気に触れないようにして１０分間攪
拌した。台座グラファイトの、電極板との接合面に信越
化学工業社製プライマー（商品名：プライマーＣ）を用
いて前処理を施し、前記グラファイト２５重量％の混合
接着剤０．６ｇを用いて、上記のシリコン製の電極板８
とグラファイトリング９とを接合し、上から１０ｋｇの
重りをのせ、２日間静置した。接着層の厚みは７０μ
ｍ、接着後の部品の平行度は、０．０２であった。この
ようにして、上部電極を作製し、シリコンウェハーのド
ライエッチング装置の上部電極部材として供した。

【００３７】［比較例１］実施例１において、グラファ
イトのかわりにシリコン１５％含有アルミ合金（比重
２．７）のフィラーを２７重量％含有する混合接着剤
（フィラーの容積比は実施例１の混合接着剤と同等）を
用いた以外は、同様に、上部電極を作製した。

【００３８】［実施例２〜３］実施例２、３は、実施例
１において、混合接着剤のグラファイト配合量を各２
０、１０重量％にした以外は、同様に、上部電極を作製
した。

【００３９】［実施例４〜６］実施例４〜６は、実施例
１〜３において、プライマーの前処理を施さなかった以
外は、同様に、上部電極を作製した。

【００４０】［実施例７］実施例１において、グラファ
イトのかわりにインジウム（比重７．３）のフィラーを
５０重量％含有する混合接着剤（フィラーの容積比は実
施例１の混合接着剤と同等）を用いた以外は、同様に、
上部電極を作製した。

【００４１】［実施例８］実施例１において、シリコー
ン系接着剤のかわりにエポキシ系接着剤を用いた以外
は、同様に、上部電極を作製した。

【００４２】表１に、実施例と比較例の上部電極の熱伝
導率、引張強度、及びエッチング特性を示す。評価項目
は、以下のように測定、評価した。

【００４３】［熱伝導率］得られた上部電極から、電極
シリコンと台座グラファイトそれぞれの厚みが２ｍｍに
なるように接合部を切り出し、真空理工社製熱定数測定
装置（ＴＣ−３０００型）を用いて、レーザーフラッシ
ュ法（測定温度１００℃）にてシリコンとグラファイト
間の熱伝導率を測定した。

【００４４】［引張強度］島津製作所製オートグラフ
（ＡＧ−Ｉ）を用いて、引張強度を測定した。

【００４５】［エッチング特性］ラムリサーチ社製プラ
ズマエッチング装置（４５２０ＸＬＥ）を用い、実施例
１の上部電極でシリコンウェハーの中央部が７５２０Å
／ｍｉｎのエッチングレートでエッチングされる条件
下、各々の上部電極を使用した際のシリコンウェハー面
内５点のエッチングレートの最大（Ｍａｘ．）、最小
（Ｍｉｎ．）、平均（Ａｖｅ．）から、式、Ｕｎｉｆ＝
［（Ｍａｘ．−Ｍｉｎ．）／（２×Ａｖｅ．）］×１０
０によりエッチングの均一性（Ｕｎｉｆ）を評価した。
数値が低いほど均一性が高いことを示す。

【００４６】

【表１】

【００４７】本発明の上部電極は、アルミニウム合金フ
ィラーを含有する接着剤を用いた上部電極よりも熱伝導
率が高く、また接着強度も高いものであった。実際のシ
リコーンウェハーのドライエッチングでも、エッチング
特性に優れていることがわかり、本発明の上部電極は、
得られるチップの歩留まりを向上させることができる、
優れたものである。

【００４８】

【発明の効果】本発明のドライエッチング装置用上部電
極は、不純物汚染の恐れがなく、高精度の下部電極との
平行度が得られ、エッチング特性が向上することができ
るという効果を有する。そのため、半導体デバイスの歩
留まりを向上させることができ、製造コストの低減に貢
献する。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、上部電極の模式図である。

【図２】図２は、上部電極の斜視図である。

【図３】図３は、ドライエッチング装置の模式図であ
る。

【符号の説明】

１エッチングガス導入管２排気管３上部電極４下部電極５シリコンウェハー６プラズマ７高周波電源８シリコン製電極板９グラファイト製台座（リング）１０接合部（面）１１エッチングガス噴出孔

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン製電極板と、該電極板を支持す
る台座とから構成されるドライエッチング装置用上部電
極において、（ａ）台座は、グラファイトから構成さ
れ、かつ（ｂ）シリコン製電極板と台座とは、ヤング率
が６×１０^９〜６８×１０^９Ｎ／ｍ^２のフィラーを含む
有機系接着剤により接合されてなることを特徴とするド
ライエッチング装置用上部電極。
【請求項２】台座は、シリコン製電極板と接合される
部分を除き、その表面がガラス状カーボンでコーティン
グされることを特徴とする請求項１に記載のドライエッ
チング装置用上部電極。
【請求項３】有機系接着剤中に予め熱伝導性・電気伝
導性でかつ粒径の揃ったフィラーを含有させた後、接合
時に、接着圧力とフィラー粒径との相関式に応じた圧力
で圧着し、接合層の厚さを制御、均一にすることを特徴
とする請求項１に記載のドライエッチング装置用上部電
極。
【請求項４】フィラーは、グラファイトであり、有機
系接着剤に対して５〜３０重量％であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載のドライエッチング装
置用上部電極。
【請求項５】有機系接着剤は、シリコーン系接着剤で
あることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
ドライエッチング装置用上部電極。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載のドライ
エッチング装置用上部電極を装着したドライエッチング
装置。