JP2003273042A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003273042A JP2003273042A JP2002068492A JP2002068492A JP2003273042A JP 2003273042 A JP2003273042 A JP 2003273042A JP 2002068492 A JP2002068492 A JP 2002068492A JP 2002068492 A JP2002068492 A JP 2002068492A JP 2003273042 A JP2003273042 A JP 2003273042A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- protective
- adhesive tape
- semiconductor wafer
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造工程の簡易な変更により、
高価なエネルギー線硬化型の粘着テープの使用を最小限
に押さえ、コスト削減の可能な半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
個片化された半導体ウエハのチップ集合体の回路面側に
保護用粘着テープが貼着され、さらに該保護用粘着テー
プの背面に固定用粘着シートが貼着され、該固定用粘着
シートを介してチップ集合体がリングフレームに固定さ
れた個片化ウエハ組み立て体を形成し、各半導体チップ
を保護用粘着テープからピックアップする工程を含むこ
とを特徴としている。
高価なエネルギー線硬化型の粘着テープの使用を最小限
に押さえ、コスト削減の可能な半導体装置の製造方法を
提供することを目的としている。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
個片化された半導体ウエハのチップ集合体の回路面側に
保護用粘着テープが貼着され、さらに該保護用粘着テー
プの背面に固定用粘着シートが貼着され、該固定用粘着
シートを介してチップ集合体がリングフレームに固定さ
れた個片化ウエハ組み立て体を形成し、各半導体チップ
を保護用粘着テープからピックアップする工程を含むこ
とを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップのピ
ックアップ工程に特徴を有する半導体装置の製造方法に
関し、特に、従来の製造方法よりも廉価な半導体装置の
製造方法に関する。
ックアップ工程に特徴を有する半導体装置の製造方法に
関し、特に、従来の製造方法よりも廉価な半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置は、前工程において半導体ウ
エハの表面に回路を形成した後、後工程において裏面研
磨、ダイシング、ピックアップ、ダイボンディング等の
各工程を経て製造されている。裏面研磨工程において
は、半導体ウエハの表面（回路面）側には保護テープが
貼付される。また、ダイシング工程からピックアップ工
程の間には、裏面（研磨面）側にダイシングテープが貼
付される。どちらのテープも、裏面研磨時またはダイシ
ング時において確実に接着していて、剥離またはピック
アップの際には、被着面を清浄に保ったまま小さい力で
剥離できる性能が求められている。多くの場合は、この
性能を達成するために、エネルギー線硬化型粘着剤を使
用した粘着テープが、保護テープにもダイシングテープ
にも使用されている。
エハの表面に回路を形成した後、後工程において裏面研
磨、ダイシング、ピックアップ、ダイボンディング等の
各工程を経て製造されている。裏面研磨工程において
は、半導体ウエハの表面（回路面）側には保護テープが
貼付される。また、ダイシング工程からピックアップ工
程の間には、裏面（研磨面）側にダイシングテープが貼
付される。どちらのテープも、裏面研磨時またはダイシ
ング時において確実に接着していて、剥離またはピック
アップの際には、被着面を清浄に保ったまま小さい力で
剥離できる性能が求められている。多くの場合は、この
性能を達成するために、エネルギー線硬化型粘着剤を使
用した粘着テープが、保護テープにもダイシングテープ
にも使用されている。
【０００３】ところが、これらの工程で使用されるテー
プは、１回の使用で廃棄され再利用されない。このた
め、半導体装置の製造過程でこれらのテープが占めるコ
ストを小さくしたいという要望が多くなってきている。
プは、１回の使用で廃棄され再利用されない。このた
め、半導体装置の製造過程でこれらのテープが占めるコ
ストを小さくしたいという要望が多くなってきている。
【０００４】
【発明の解決しようとする課題】本発明は上述のような
問題に鑑みてなされたものであって、半導体装置の製造
工程の簡易な変更により、高価なエネルギー線硬化型の
粘着テープの使用を最小限に押さえ、コスト削減の可能
な半導体装置の製造方法を提供することを目的としてい
る。
問題に鑑みてなされたものであって、半導体装置の製造
工程の簡易な変更により、高価なエネルギー線硬化型の
粘着テープの使用を最小限に押さえ、コスト削減の可能
な半導体装置の製造方法を提供することを目的としてい
る。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、個片化された半導体ウエハのチップ集合
体の回路面側に保護用粘着テープが貼着され、さらに該
保護用粘着テープの背面に固定用粘着シートが貼着さ
れ、該固定用粘着シートを介してチップ集合体がリング
フレームに固定された個片化ウエハ組み立て体を形成
し、各半導体チップを保護用粘着テープからピックアッ
プする工程を含むことを特徴としている。
の製造方法は、個片化された半導体ウエハのチップ集合
体の回路面側に保護用粘着テープが貼着され、さらに該
保護用粘着テープの背面に固定用粘着シートが貼着さ
れ、該固定用粘着シートを介してチップ集合体がリング
フレームに固定された個片化ウエハ組み立て体を形成
し、各半導体チップを保護用粘着テープからピックアッ
プする工程を含むことを特徴としている。
【０００６】ここで、上記個片化ウエハ組み立て体は、
半導体ウエハの回路面側に保護用粘着シートを貼着し、
該半導体ウエハの裏面側を研削又はエッチングして、半
導体ウエハを所定の厚さに加工し、該保護用粘着テープ
の背面に固定用粘着シートを貼着し、該固定用粘着シー
トを介して半導体ウエハをリングフレームに固定し、フ
ルカットダイシングにより該半導体ウエハを個片化して
得られた個片化ウエハ組み立て体であるか、または、半
導体ウエハの回路面側に、ハーフカットダイシングによ
り所定の厚さを越える深さの溝を形成し、該半導体ウエ
ハの回路面側に保護用粘着テープを貼着し、該半導体ウ
エハの裏面側を所定の厚さまでに研削又はエッチングし
て、半導体ウエハを個片化し、該保護用粘着シートの背
面側に固定用粘着シートを貼着し、該固定用粘着シート
を介して半導体ウエハをリングフレームに固定して得ら
れた個片化ウエハ組み立て体であることが好ましい。
半導体ウエハの回路面側に保護用粘着シートを貼着し、
該半導体ウエハの裏面側を研削又はエッチングして、半
導体ウエハを所定の厚さに加工し、該保護用粘着テープ
の背面に固定用粘着シートを貼着し、該固定用粘着シー
トを介して半導体ウエハをリングフレームに固定し、フ
ルカットダイシングにより該半導体ウエハを個片化して
得られた個片化ウエハ組み立て体であるか、または、半
導体ウエハの回路面側に、ハーフカットダイシングによ
り所定の厚さを越える深さの溝を形成し、該半導体ウエ
ハの回路面側に保護用粘着テープを貼着し、該半導体ウ
エハの裏面側を所定の厚さまでに研削又はエッチングし
て、半導体ウエハを個片化し、該保護用粘着シートの背
面側に固定用粘着シートを貼着し、該固定用粘着シート
を介して半導体ウエハをリングフレームに固定して得ら
れた個片化ウエハ組み立て体であることが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体ウエハ
の加工方法について、具体的に説明する。本発明におい
ては、まず個片化ウエハ組み立て体１０を準備する。こ
の個片化ウエハ組み立て体１０は、図１に示すように、
個片化された半導体ウエハのチップ集合体１の回路面側
に保護用粘着テープ２が貼着され、さらに該保護用粘着
テープ２の背面に固定用粘着シート３が貼着され、該固
定用粘着シート３を介してチップ集合体１がリングフレ
ーム４に固定された構造を有する。
の加工方法について、具体的に説明する。本発明におい
ては、まず個片化ウエハ組み立て体１０を準備する。こ
の個片化ウエハ組み立て体１０は、図１に示すように、
個片化された半導体ウエハのチップ集合体１の回路面側
に保護用粘着テープ２が貼着され、さらに該保護用粘着
テープ２の背面に固定用粘着シート３が貼着され、該固
定用粘着シート３を介してチップ集合体１がリングフレ
ーム４に固定された構造を有する。
【０００８】この個片化ウエハ組み立て体１０は、上記
構造を有する限り、特にその製法は限定されないが、通
常は後述するような２つの方法の何れかにより形成され
る。保護用粘着テープ２としては、従来より半導体ウエ
ハの加工に用いられてきた種々の粘着テープが用いられ
得る。本発明においては、特に、所定の工程終了後に、
半導体チップを保護用粘着テープ２の粘着剤層２１から
剥離する必要があるため、粘着剤層２１は、いわゆる再
剥離型の弱粘着剤からなるか、またはエネルギー線照射
により粘着力を低減できるエネルギー線硬化型粘着剤か
らなることが好ましい。
構造を有する限り、特にその製法は限定されないが、通
常は後述するような２つの方法の何れかにより形成され
る。保護用粘着テープ２としては、従来より半導体ウエ
ハの加工に用いられてきた種々の粘着テープが用いられ
得る。本発明においては、特に、所定の工程終了後に、
半導体チップを保護用粘着テープ２の粘着剤層２１から
剥離する必要があるため、粘着剤層２１は、いわゆる再
剥離型の弱粘着剤からなるか、またはエネルギー線照射
により粘着力を低減できるエネルギー線硬化型粘着剤か
らなることが好ましい。
【０００９】弱粘着剤としては、アクリル系、ポリエス
テル系、天然ゴム系等従来公知の粘着剤が特に制限され
ることなく用いられる。これらの内でも、アクリル系粘
着剤が好ましく、特にアクリル酸エステルを主たる構成
単位とするアクリル系粘着剤が好ましい。このような弱
粘着剤の粘着力は、100〜5000mN/25mm、好ましくは200
〜2000mN/25mm程度であり、ウエハ（チップ）の加工中
にはウエハ（チップ）を十分に固定でき、また所要の工
程終了後には、容易にチップをピックアップできる。
テル系、天然ゴム系等従来公知の粘着剤が特に制限され
ることなく用いられる。これらの内でも、アクリル系粘
着剤が好ましく、特にアクリル酸エステルを主たる構成
単位とするアクリル系粘着剤が好ましい。このような弱
粘着剤の粘着力は、100〜5000mN/25mm、好ましくは200
〜2000mN/25mm程度であり、ウエハ（チップ）の加工中
にはウエハ（チップ）を十分に固定でき、また所要の工
程終了後には、容易にチップをピックアップできる。
【００１０】また、エネルギー線硬化型粘着剤として
は、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報、特開
昭６０−２２３，１３９号公報、特開平５−３２９４６
号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載のものが
特に制限されることなく用いられる。このようなエネル
ギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハ
（チップ）に対して充分な接着力を有し、エネルギー線
照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネル
ギー線照射前には、ウエハ（チップ）を充分な接着力で
保持するが、エネルギー線照射後には、得られたチップ
を容易に剥離することができる。このようなエネルギー
線硬化型粘着剤の硬化後の好ましい粘着力は、10〜1000
mN/25mmであり、さらに好ましくは50〜500mN/25mm程度
である。
は、たとえば特開昭６０−１９６，９５６号公報、特開
昭６０−２２３，１３９号公報、特開平５−３２９４６
号公報、特開平８−２７２３９号公報等に記載のものが
特に制限されることなく用いられる。このようなエネル
ギー線硬化型粘着剤は、エネルギー線照射前にはウエハ
（チップ）に対して充分な接着力を有し、エネルギー線
照射後には接着力が著しく減少する。すなわち、エネル
ギー線照射前には、ウエハ（チップ）を充分な接着力で
保持するが、エネルギー線照射後には、得られたチップ
を容易に剥離することができる。このようなエネルギー
線硬化型粘着剤の硬化後の好ましい粘着力は、10〜1000
mN/25mmであり、さらに好ましくは50〜500mN/25mm程度
である。
【００１１】粘着剤層２１の厚さは特に限定はされない
が、好ましくは３〜１００μｍ、特に好ましくは５〜５
０μｍである。保護用粘着テープ２の基材２２として
は、従来より各種の粘着テープの基材に用いられてきた
種々の合成樹脂フィルムが特に制限されることなく用い
られる。このような合成樹脂フィルムとしては、たとえ
ばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン
等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル等
が好ましく用いられる。基材２２としては、これらの合
成樹脂フィルムの単層からなってもよいし、複層からな
る積層体であってよい。
が、好ましくは３〜１００μｍ、特に好ましくは５〜５
０μｍである。保護用粘着テープ２の基材２２として
は、従来より各種の粘着テープの基材に用いられてきた
種々の合成樹脂フィルムが特に制限されることなく用い
られる。このような合成樹脂フィルムとしては、たとえ
ばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン
等のポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエステル等
が好ましく用いられる。基材２２としては、これらの合
成樹脂フィルムの単層からなってもよいし、複層からな
る積層体であってよい。
【００１２】このようなフィルムとしては、従来、種々
のものが知られているが、本発明においては、一般にチ
ップにイオン汚染等の悪影響を与えないものであればい
かなるものでも用いることができる。上記のような基材
２２の厚さは、通常２０〜３００μｍであり、好ましく
は３０〜２００μｍである。
のものが知られているが、本発明においては、一般にチ
ップにイオン汚染等の悪影響を与えないものであればい
かなるものでも用いることができる。上記のような基材
２２の厚さは、通常２０〜３００μｍであり、好ましく
は３０〜２００μｍである。
【００１３】固定用粘着シート３としては、上記保護用
粘着テープ２の基材２２背面を固定できる程度の接着力
を有し、外周部にリングフレーム４を固定できる程度の
面積・形状を有するものであれば、特に制限されること
なく種々の粘着シートが用いられる。したがって、たと
えば汎用の強粘着シートであってもよく、またいわゆる
ダイシングシートと呼ばれるウエハ加工用粘着シートで
あってもよい。
粘着テープ２の基材２２背面を固定できる程度の接着力
を有し、外周部にリングフレーム４を固定できる程度の
面積・形状を有するものであれば、特に制限されること
なく種々の粘着シートが用いられる。したがって、たと
えば汎用の強粘着シートであってもよく、またいわゆる
ダイシングシートと呼ばれるウエハ加工用粘着シートで
あってもよい。
【００１４】従来この種のウエハ固定用途には、エネル
ギー線硬化型粘着剤層を備えたダイシングシートが用い
られてきたが、本発明によれば上述したような保護用粘
着テープ２を介して、固定用粘着シート３に半導体ウエ
ハＷを固定しているため、固定用粘着シート３にはダイ
シングシートに要求されるほどの剥離性能は不要とな
る。このため、固定用粘着シート３の基材や粘着剤を選
定する際に安価な材料の選択が可能になる。
ギー線硬化型粘着剤層を備えたダイシングシートが用い
られてきたが、本発明によれば上述したような保護用粘
着テープ２を介して、固定用粘着シート３に半導体ウエ
ハＷを固定しているため、固定用粘着シート３にはダイ
シングシートに要求されるほどの剥離性能は不要とな
る。このため、固定用粘着シート３の基材や粘着剤を選
定する際に安価な材料の選択が可能になる。
【００１５】また、上記保護用粘着テープ２としてエネ
ルギー線硬化型粘着テープを用いた場合であっても、そ
の使用量はウエハと同面積程度で足り、ダイシングシー
トに用いるほどの面積を必要とはしない。したがって、
高価なエネルギー線硬化型粘着剤の使用量を削減できる
ため、コスト削減に貢献できる。個片化ウエハ組み立て
体１０は、上記したように、個片化された半導体ウエハ
のチップ集合体１、保護用粘着テープ２および固定用粘
着シート３が順次積層してなる構造体が、該該固定用粘
着シート３の周縁部においてリングフレーム４に固定さ
れた構造を有する。
ルギー線硬化型粘着テープを用いた場合であっても、そ
の使用量はウエハと同面積程度で足り、ダイシングシー
トに用いるほどの面積を必要とはしない。したがって、
高価なエネルギー線硬化型粘着剤の使用量を削減できる
ため、コスト削減に貢献できる。個片化ウエハ組み立て
体１０は、上記したように、個片化された半導体ウエハ
のチップ集合体１、保護用粘着テープ２および固定用粘
着シート３が順次積層してなる構造体が、該該固定用粘
着シート３の周縁部においてリングフレーム４に固定さ
れた構造を有する。
【００１６】個片化ウエハ組み立て体１０は、上記構造
を有する限り、特にその製法は限定されないが、一般的
には、次の２つの方法の何れかにより得られる。まず、
表面に回路が形成されたウエハを準備する。回路の形成
は、エッチング法などの公知の手段により行われる。次
いで、第１の方法では、半導体ウエハＷの回路面へ保護
用粘着テープ２を貼付する。この保護用粘着テープ２に
より回路面の保護およびウエハの固定を行う。
を有する限り、特にその製法は限定されないが、一般的
には、次の２つの方法の何れかにより得られる。まず、
表面に回路が形成されたウエハを準備する。回路の形成
は、エッチング法などの公知の手段により行われる。次
いで、第１の方法では、半導体ウエハＷの回路面へ保護
用粘着テープ２を貼付する。この保護用粘着テープ２に
より回路面の保護およびウエハの固定を行う。
【００１７】次に、半導体ウエハの裏面を研磨（エッチ
ング）して、所定の厚さに加工する。この裏面研磨は、
回路形成時に裏面に形成された酸化物被膜を除去した
り、ウエハの厚みを整えるために行われる。続いて、保
護用粘着シート２の背面側（基材側）に固定用粘着テー
プ３を貼付するとともに、該固定用粘着テープ３の外周
部をリングフレーム４に固定する。
ング）して、所定の厚さに加工する。この裏面研磨は、
回路形成時に裏面に形成された酸化物被膜を除去した
り、ウエハの厚みを整えるために行われる。続いて、保
護用粘着シート２の背面側（基材側）に固定用粘着テー
プ３を貼付するとともに、該固定用粘着テープ３の外周
部をリングフレーム４に固定する。
【００１８】その後、図２に示すように、ダイサー５等
を用いて、半導体ウエハＷをフルカットダイシングする
ことでチップ集合体１を得る。この際の切り込み深さ
は、ウエハを完全に切断し、保護用粘着テープ２の粘着
剤層２１を僅かに切り込む程度にしておく。このように
して半導体ウエハＷが個片化され、上記した構成の個片
化ウエハ組み立て体１０が得られる。
を用いて、半導体ウエハＷをフルカットダイシングする
ことでチップ集合体１を得る。この際の切り込み深さ
は、ウエハを完全に切断し、保護用粘着テープ２の粘着
剤層２１を僅かに切り込む程度にしておく。このように
して半導体ウエハＷが個片化され、上記した構成の個片
化ウエハ組み立て体１０が得られる。
【００１９】第２の方法は、いわゆる「先ダイシング
法」と呼ばれるものであり、特に極薄チップを得るのに
好適である。この方法では、まず半導体ウエハの表面
（回路面）側を、回路毎に所定の深さにハーフカットダ
イシングする。すなわち、この状態では、各回路は未だ
個片化されておらず、個々の回路を区画するように所定
の深さの溝が形成されている状態である。この際の「所
定の深さ」とは、下記「所定の厚さ」よりも大きい。
法」と呼ばれるものであり、特に極薄チップを得るのに
好適である。この方法では、まず半導体ウエハの表面
（回路面）側を、回路毎に所定の深さにハーフカットダ
イシングする。すなわち、この状態では、各回路は未だ
個片化されておらず、個々の回路を区画するように所定
の深さの溝が形成されている状態である。この際の「所
定の深さ」とは、下記「所定の厚さ」よりも大きい。
【００２０】次いで、半導体ウエハの回路面へ保護用粘
着テープ２を貼付する。この保護用粘着テープ２により
回路面の保護およびウエハの固定を行う。次に、図３に
示すように、半導体ウエハＷの裏面を、グラインダー６
等を用いて、研削（またはエッチング）して、所定の厚
さに加工する。所定の厚さ（最終的なチップの厚さ）が
１００μｍである場合には、前記ハーフカットダイシン
グにおいて１００μｍにダイシングブレードの摩耗分を
加味した深さにダイシングする。この結果、各回路を区
画する溝の底部が除去され、半導体ウエハＷは回路毎に
個片化される。
着テープ２を貼付する。この保護用粘着テープ２により
回路面の保護およびウエハの固定を行う。次に、図３に
示すように、半導体ウエハＷの裏面を、グラインダー６
等を用いて、研削（またはエッチング）して、所定の厚
さに加工する。所定の厚さ（最終的なチップの厚さ）が
１００μｍである場合には、前記ハーフカットダイシン
グにおいて１００μｍにダイシングブレードの摩耗分を
加味した深さにダイシングする。この結果、各回路を区
画する溝の底部が除去され、半導体ウエハＷは回路毎に
個片化される。
【００２１】その後、個片化されたウエハが保持されて
いる保護用粘着シート２の背面側（基材側）に固定用粘
着テープ３を貼付し、該固定用粘着テープ３の外周部を
リングフレーム４に固定する。このようにして、上記し
た構成の個片化ウエハ組み立て体１０が得られる。個片
化ウエハ組み立て体１０を得た後、必要に応じ、各チッ
プにさらに加工を施してもよく、また各チップの試験を
行っても良い。
いる保護用粘着シート２の背面側（基材側）に固定用粘
着テープ３を貼付し、該固定用粘着テープ３の外周部を
リングフレーム４に固定する。このようにして、上記し
た構成の個片化ウエハ組み立て体１０が得られる。個片
化ウエハ組み立て体１０を得た後、必要に応じ、各チッ
プにさらに加工を施してもよく、また各チップの試験を
行っても良い。
【００２２】その後、個片化された半導体ウエハの各チ
ップをピックアップする。チップのピックアップは、突
き上げピンや、図４に示すようなコレット７を用いたダ
イスピッカーやダイボンダーなど常法により行われる。
ピックアップされたチップは所定のトレイに移載して保
管してもよいし、直接所定の基台にダイボンディング
し、ワイヤーボンディング、モールディングなどの工程
を経て、半導体装置まで製造してもよい。
ップをピックアップする。チップのピックアップは、突
き上げピンや、図４に示すようなコレット７を用いたダ
イスピッカーやダイボンダーなど常法により行われる。
ピックアップされたチップは所定のトレイに移載して保
管してもよいし、直接所定の基台にダイボンディング
し、ワイヤーボンディング、モールディングなどの工程
を経て、半導体装置まで製造してもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体装置の製造工程
の簡易な変更により、高価なエネルギー線硬化型の粘着
テープの使用を最小限に押さえ、コスト削減が可能にな
る。
の簡易な変更により、高価なエネルギー線硬化型の粘着
テープの使用を最小限に押さえ、コスト削減が可能にな
る。
【００２４】
【実施例１】半導体ウエハ（200mm径、厚さ720μm）の
回路面側に対し、紫外線硬化型粘着剤層を有するウエハ
研磨用の保護テープ（リンテック社製、Adwill E8180）
をテープラミネーター（リンテック社製、RAD3500m/1
2）を用いて貼付した。この半導体ウエハの裏面側をウ
エハ研磨装置（ディスコ社製、DFG-840）を用いて厚さ1
00μmまで研磨を行った。
回路面側に対し、紫外線硬化型粘着剤層を有するウエハ
研磨用の保護テープ（リンテック社製、Adwill E8180）
をテープラミネーター（リンテック社製、RAD3500m/1
2）を用いて貼付した。この半導体ウエハの裏面側をウ
エハ研磨装置（ディスコ社製、DFG-840）を用いて厚さ1
00μmまで研磨を行った。
【００２５】固定用粘着テープとして厚さ80μmのポリ
オレフィンフィルムに強粘着力のアクリル系粘着剤層
（リンテック社製、品名PK、厚さ25μm）を設けたもの
を用意した。テープマウンター（リンテック社製、RAD2
500m/8）を用いて、研磨したウエハの保護テープ側に該
固定用粘着テープを貼付するとともに、その外周部をリ
ングフレーム（ディスコ社製、MODTF2-6-1）に貼付固定
した。
オレフィンフィルムに強粘着力のアクリル系粘着剤層
（リンテック社製、品名PK、厚さ25μm）を設けたもの
を用意した。テープマウンター（リンテック社製、RAD2
500m/8）を用いて、研磨したウエハの保護テープ側に該
固定用粘着テープを貼付するとともに、その外周部をリ
ングフレーム（ディスコ社製、MODTF2-6-1）に貼付固定
した。
【００２６】リングフレームに支持されたウエハをダイ
シング装置（東京精密社製、AWD4000B）を用いて、半導
体ウエハを10mmｘ10mmのチップサイズにダイシングし
た。ダイシングの際の切り込み深さは、保護テープの粘
着面に対し、20μmとした。続いて、ダイスピッカーを
用いてピックアップを行い、チップをチップトレイに移
載した。いずれの工程においても問題なく行うことがで
き、チップのダメージも観察されなかった。
シング装置（東京精密社製、AWD4000B）を用いて、半導
体ウエハを10mmｘ10mmのチップサイズにダイシングし
た。ダイシングの際の切り込み深さは、保護テープの粘
着面に対し、20μmとした。続いて、ダイスピッカーを
用いてピックアップを行い、チップをチップトレイに移
載した。いずれの工程においても問題なく行うことがで
き、チップのダメージも観察されなかった。
【００２７】
【実施例２】半導体ウエハ（200mm径、厚さ720μm）の
回路面側に対して、ダイシング装置（ディスコ社製、DF
D641）を用いてチップサイズ10mmｘ10mm、切り込み深さ
120μｍのハーフカットダイシングを行った。次に半導
体ウエハの回路面側に対し、紫外線硬化型粘着剤層を有
するウエハ研磨用の保護テープ（リンテック社製、Adwi
ll E3100）をテープラミネーター（リンテック社製、RA
D3500m/12）を用いて貼付した。この半導体ウエハの裏
面側をウエハ研磨装置（ディスコ社製、DFG850）を用い
て厚さ100μmまで研磨を行い、ウエハの個片化を行っ
た。
回路面側に対して、ダイシング装置（ディスコ社製、DF
D641）を用いてチップサイズ10mmｘ10mm、切り込み深さ
120μｍのハーフカットダイシングを行った。次に半導
体ウエハの回路面側に対し、紫外線硬化型粘着剤層を有
するウエハ研磨用の保護テープ（リンテック社製、Adwi
ll E3100）をテープラミネーター（リンテック社製、RA
D3500m/12）を用いて貼付した。この半導体ウエハの裏
面側をウエハ研磨装置（ディスコ社製、DFG850）を用い
て厚さ100μmまで研磨を行い、ウエハの個片化を行っ
た。
【００２８】固定用粘着テープとして厚さ80μmのポリ
オレフィンフィルムに強粘着力のアクリル系粘着剤層
（リンテック社製、品名PK、厚さ25μm）を設けたもの
を用意した。テープマウンター（リンテック社製、RAD2
500m/8）を用いて、研磨したウエハの保護テープ側に、
該固定用粘着テープを貼付するとともに、その外周部を
リングフレーム（ディスコ社製、MODTF2-6-1）に貼付固
定した。
オレフィンフィルムに強粘着力のアクリル系粘着剤層
（リンテック社製、品名PK、厚さ25μm）を設けたもの
を用意した。テープマウンター（リンテック社製、RAD2
500m/8）を用いて、研磨したウエハの保護テープ側に、
該固定用粘着テープを貼付するとともに、その外周部を
リングフレーム（ディスコ社製、MODTF2-6-1）に貼付固
定した。
【００２９】続いて、ダイスピッカーを用いてピックア
ップを行い、チップをチップトレイに移載した。いずれ
の工程においても問題なく行うことができ、チップのダ
メージも観察されなかった。
ップを行い、チップをチップトレイに移載した。いずれ
の工程においても問題なく行うことができ、チップのダ
メージも観察されなかった。
【図１】個片化ウエハ組み立て体の断面図を示す。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
示す。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
示す。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一工程を
示す。
示す。
１…チップ集合体
２…保護用粘着テープ
２１…粘着剤層
２２…基材
３…固定用粘着シート
４…リングフレーム
５…ダイサー
６…グラインダー
７…コレット
Ｗ…半導体ウエハ
Claims (3)
- 【請求項１】個片化された半導体ウエハのチップ集合体
の回路面側に保護用粘着テープが貼着され、さらに該保
護用粘着テープの背面に固定用粘着シートが貼着され、
該固定用粘着シートを介してチップ集合体がリングフレ
ームに固定された個片化ウエハ組み立て体を形成し、 各半導体チップを保護用粘着テープからピックアップす
る工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】半導体ウエハの回路面側に保護用粘着シー
トを貼着し、 該半導体ウエハの裏面側を研削又はエッチングして、半
導体ウエハを所定の厚さに加工し、 該保護用粘着テープの背面に固定用粘着シートを貼着
し、該固定用粘着シートを介して半導体ウエハをリング
フレームに固定し、 フルカットダイシングにより該半導体ウエハを個片化し
て、 前記個片化ウエハ組み立て体を形成することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】半導体ウエハの回路面側に、ハーフカット
ダイシングにより所定の厚さを越える深さの溝を形成
し、 該半導体ウエハの回路面側に保護用粘着テープを貼着
し、 該半導体ウエハの裏面側を所定の厚さまでに研削又はエ
ッチングして、半導体ウエハを個片化し、 該保護用粘着シートの背面側に固定用粘着シートを貼着
し、該固定用粘着シートを介して半導体ウエハをリング
フレームに固定して、 前記個片化ウエハ組み立て体を形成することを特徴とす
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068492A JP2003273042A (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002068492A JP2003273042A (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003273042A true JP2003273042A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29199578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002068492A Pending JP2003273042A (ja) | 2002-03-13 | 2002-03-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003273042A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005228794A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップ製造方法 |
| JP2010050214A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| EP2680324A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-01 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing a LED |
| EP2680322A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-01 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing an led |
| WO2017150676A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 |
| WO2020158769A1 (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | リンテック株式会社 | エキスパンド方法、半導体装置の製造方法及び積層型粘着シート |
-
2002
- 2002-03-13 JP JP2002068492A patent/JP2003273042A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005228794A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | チップ製造方法 |
| JP4505789B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-07-21 | 株式会社東京精密 | チップ製造方法 |
| JP2010050214A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
| EP2680324A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-01 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing a LED |
| EP2680322A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-01 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing an led |
| US20140004635A1 (en) * | 2012-06-28 | 2014-01-02 | Nitto Denko Corporation | Method of manufacturing an led |
| WO2017150676A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2017-09-08 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 |
| CN108701601A (zh) * | 2016-03-03 | 2018-10-23 | 琳得科株式会社 | 半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法 |
| JPWO2017150676A1 (ja) * | 2016-03-03 | 2018-12-27 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 |
| JP2022009012A (ja) * | 2016-03-03 | 2022-01-14 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7149487B2 (ja) | 2016-03-03 | 2022-10-07 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 |
| JP7207778B2 (ja) | 2016-03-03 | 2023-01-18 | リンテック株式会社 | 半導体加工用粘着テープ、及び半導体装置の製造方法 |
| CN108701601B (zh) * | 2016-03-03 | 2023-06-02 | 琳得科株式会社 | 半导体加工用胶粘带、以及半导体装置的制造方法 |
| WO2020158769A1 (ja) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | リンテック株式会社 | エキスパンド方法、半導体装置の製造方法及び積層型粘着シート |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5196838B2 (ja) | 接着剤付きチップの製造方法 | |
| KR100468748B1 (ko) | 프리컷 다이싱 테이프와 범용 다이싱 테이프를 웨이퍼에 마운팅할 수 있는 다이싱 테이프 부착 장비 및 이를포함하는 인라인 시스템 | |
| JP4879702B2 (ja) | ダイソート用シートおよび接着剤層を有するチップの移送方法 | |
| KR101521727B1 (ko) | 다이싱·다이 본딩 일체형 필름, 다이싱·다이 본딩 일체형 필름의 제조 방법, 및 반도체 칩의 제조 방법 | |
| JP3553551B2 (ja) | 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法 | |
| US7804156B2 (en) | Semiconductor wafer assembly and method of processing semiconductor wafer | |
| JPH08213349A (ja) | ダイシング用リングフレームへの接着剤の付着防止方法、該方法に用いられる粘着シートおよび該粘着シートを備えたウェハ加工用シート | |
| TW201009920A (en) | Method of thinning a semiconductor wafer | |
| CN110858564B (zh) | 加工基板的方法 | |
| JP2001093864A (ja) | 半導体ウェーハ固定治具及び半導体装置の製造方法 | |
| JP5522773B2 (ja) | 半導体ウエハの保持方法、チップ体の製造方法、およびスペーサ | |
| JP2008258412A (ja) | シリコンウエハの個片化方法 | |
| JP2003273042A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100816641B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 가공방법 및 이것에 사용되는 지지기판 | |
| JP2005209940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| EP1458021A2 (en) | Semiconductor device fabrication method | |
| JP2009130333A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2008098428A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003318205A (ja) | ダイシング済みウェハのフィルム状ダイボンディング材貼付け方法 | |
| JP2003324112A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2005243910A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2001156028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003324080A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003124147A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20110294262A1 (en) | Semiconductor package process with improved die attach method for ultrathin chips |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041214 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071115 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080118 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080422 |