JP2003262665A - 磁気センサ - Google Patents
磁気センサInfo
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- JP2003262665A JP2003262665A JP2002064332A JP2002064332A JP2003262665A JP 2003262665 A JP2003262665 A JP 2003262665A JP 2002064332 A JP2002064332 A JP 2002064332A JP 2002064332 A JP2002064332 A JP 2002064332A JP 2003262665 A JP2003262665 A JP 2003262665A
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- magnetic
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- magnetic sensor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来、磁気センサが２個必要であった構成を
１個の磁気センサで構成することを可能にする磁気セン
サを提供する。 【解決手段】 半導体薄膜または磁性薄膜からなるホー
ル素子５０と、ホール素子５０からの検出信号を入力
し、該検出信号のレベルに応じた３値デジタル信号を出
力する信号処理回路（５１，５２，５３，５４，Ｒ１，
Ｒ２）とを備える。出力端子に、検出した磁気信号のレ
ベルに応じて３値デジタル信号を出力する。
１個の磁気センサで構成することを可能にする磁気セン
サを提供する。 【解決手段】 半導体薄膜または磁性薄膜からなるホー
ル素子５０と、ホール素子５０からの検出信号を入力
し、該検出信号のレベルに応じた３値デジタル信号を出
力する信号処理回路（５１，５２，５３，５４，Ｒ１，
Ｒ２）とを備える。出力端子に、検出した磁気信号のレ
ベルに応じて３値デジタル信号を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気センサに関し、
特に、傾斜スイッチ又は磁気エンコーダ等において傾き
又は回転位置を検知するために用いられる磁気センサに
関する。
特に、傾斜スイッチ又は磁気エンコーダ等において傾き
又は回転位置を検知するために用いられる磁気センサに
関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気センサは、ホール素子をセンサに用
いたホールＩＣが良く知られているが、従来のホールＩ
Ｃは、ＳｉあるいはＩｎＳｂ等の化合物半導体からなる
磁気センサ部と、Ｓｉの信号処理ＩＣ部とからなる。
いたホールＩＣが良く知られているが、従来のホールＩ
Ｃは、ＳｉあるいはＩｎＳｂ等の化合物半導体からなる
磁気センサ部と、Ｓｉの信号処理ＩＣ部とからなる。
【０００３】ホール素子はアナログ出力タイプの磁気セ
ンサであるので、ホール素子単体で使用する場合、何ｍ
Ｔの磁束密度雰囲気下にあるかということが出力信号よ
りわかる。しかし、磁気センサ用途としては、何ｍＴの
磁束密度雰囲気下にあるかより、近くに磁石が近づいて
いるかどうかを知りたい場合がよくある。仮に磁石が近
づくと６ｍＴ以上の磁束密度になる場合は、６ｍＴ以上
の磁束密度では出力Ｌｏｗ，６ｍＴ未満の磁束密度では
出力Ｈｉｇｈとなるような、デジタル出力式のセンサを
利用すれば非常に便利である。このようなホールＩＣの
大半は、図１に示す通りホール素子出力を所定のしきい
値で比較し、デジタル出力になるようなシュミットトリ
ガ回路で構成してある。そのデジタル出力の出力形式
は、おおまかには図２に示すように、磁束密度が０を中
心にしたヒステリシスを有する場合と、図３に示すよう
にヒステリシスの中心にオフセットを有する場合の２通
りの方法が用いられている。
ンサであるので、ホール素子単体で使用する場合、何ｍ
Ｔの磁束密度雰囲気下にあるかということが出力信号よ
りわかる。しかし、磁気センサ用途としては、何ｍＴの
磁束密度雰囲気下にあるかより、近くに磁石が近づいて
いるかどうかを知りたい場合がよくある。仮に磁石が近
づくと６ｍＴ以上の磁束密度になる場合は、６ｍＴ以上
の磁束密度では出力Ｌｏｗ，６ｍＴ未満の磁束密度では
出力Ｈｉｇｈとなるような、デジタル出力式のセンサを
利用すれば非常に便利である。このようなホールＩＣの
大半は、図１に示す通りホール素子出力を所定のしきい
値で比較し、デジタル出力になるようなシュミットトリ
ガ回路で構成してある。そのデジタル出力の出力形式
は、おおまかには図２に示すように、磁束密度が０を中
心にしたヒステリシスを有する場合と、図３に示すよう
にヒステリシスの中心にオフセットを有する場合の２通
りの方法が用いられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホールＩＣは、図２及び図３に示す通りＬｏｗとＨｉｇ
ｈの２値デジタル出力タイプのものしか存在しない。図
２と図３の違いは、両側の磁極でＨｉｇｈ，Ｌｏｗの信
号を出力する（図２）か、片側の磁極でＨｉｇｈ，Ｌｏ
ｗの信号を出力する（図３）かである。
ホールＩＣは、図２及び図３に示す通りＬｏｗとＨｉｇ
ｈの２値デジタル出力タイプのものしか存在しない。図
２と図３の違いは、両側の磁極でＨｉｇｈ，Ｌｏｗの信
号を出力する（図２）か、片側の磁極でＨｉｇｈ，Ｌｏ
ｗの信号を出力する（図３）かである。
【０００５】例えば図４の平面図に示すような構成で傾
斜検知スイッチを作成する場合を考える。図４におい
て、１は磁気センサ、２は磁石、３はセンサ筐体、４は
収納室である。磁気センサ１は磁石２の上面側又は底面
側に固定されている。磁石２はセンサ筐体３に設けられ
た収納室４の中を移動自在に保持されている。センサ筐
体３が右に傾き、磁石２が右に動いた場合は、磁気セン
サ１部の磁束はＮ極の磁束になる。センサ筐体３が左に
傾き、磁石２が左に動いた場合は、磁気センサ１部の磁
束はＳ極の磁束になる。しかし、従来のホールＩＣで
は、右に傾いているか、左に傾いているか、いずれにも
傾いていないかを検知することができない。従来のホー
ルＩＣを利用する場合は、左右どちらに傾いているか検
知するには、左右両端にそれぞれホールＩＣを設ける必
要があった。
斜検知スイッチを作成する場合を考える。図４におい
て、１は磁気センサ、２は磁石、３はセンサ筐体、４は
収納室である。磁気センサ１は磁石２の上面側又は底面
側に固定されている。磁石２はセンサ筐体３に設けられ
た収納室４の中を移動自在に保持されている。センサ筐
体３が右に傾き、磁石２が右に動いた場合は、磁気セン
サ１部の磁束はＮ極の磁束になる。センサ筐体３が左に
傾き、磁石２が左に動いた場合は、磁気センサ１部の磁
束はＳ極の磁束になる。しかし、従来のホールＩＣで
は、右に傾いているか、左に傾いているか、いずれにも
傾いていないかを検知することができない。従来のホー
ルＩＣを利用する場合は、左右どちらに傾いているか検
知するには、左右両端にそれぞれホールＩＣを設ける必
要があった。
【０００６】そこで、本発明の目的とするところは、図
４のような傾斜検知スイッチに用いた場合に複数のホー
ルＩＣを設けることなく、１つのホールＩＣだけを使用
して上記の傾き検知を行なうことのできる磁気センサを
提供することである。
４のような傾斜検知スイッチに用いた場合に複数のホー
ルＩＣを設けることなく、１つのホールＩＣだけを使用
して上記の傾き検知を行なうことのできる磁気センサを
提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１の発明では、半導体薄膜または磁性薄膜か
らなる磁気検出手段と、該磁気検出手段からの検出信号
を入力し、該検出信号のレベルに応じた３値デジタル信
号を出力する信号処理回路とを備えた形態の磁気センサ
を実施した。
め、請求項１の発明では、半導体薄膜または磁性薄膜か
らなる磁気検出手段と、該磁気検出手段からの検出信号
を入力し、該検出信号のレベルに応じた３値デジタル信
号を出力する信号処理回路とを備えた形態の磁気センサ
を実施した。
【０００８】請求項２の発明では、請求項１に記載の磁
気センサにおいて、前記信号処理回路は、前記磁気検出
手段からの検出信号が前記検出信号の出力範囲を３分割
したレベルのうちどのレベルにあるかを判別するレベル
判別部と、異なる３つの電圧を発生し、前記レベル判別
部からの信号に応じて前記電圧の一つを出力する電圧発
生部とを備えた形態の磁気センサを実施した。
気センサにおいて、前記信号処理回路は、前記磁気検出
手段からの検出信号が前記検出信号の出力範囲を３分割
したレベルのうちどのレベルにあるかを判別するレベル
判別部と、異なる３つの電圧を発生し、前記レベル判別
部からの信号に応じて前記電圧の一つを出力する電圧発
生部とを備えた形態の磁気センサを実施した。
【０００９】請求項３の発明では、請求項１に記載の磁
気センサにおいて、前記信号処理回路は、前記検出信号
が第１の閾値よりも小さい場合にローレベルとなり他の
場合にハイレベルとなる第１の信号と、前記検出信号が
第２の閾値よりも大きい場合にローレベルとなり他の場
合にハイレベルとなる第２の信号とを出力するレベル判
別部と、互いのコレクタとエミッタを接続された第１お
よび第２のトランジスタであって、所定の抵抗値を有す
る第１の抵抗を介してコレクタが所定のＤＣ電圧に結合
された該第１のトランジスタのベースに前記第１の信号
を入力し、前記所定の抵抗値と略同一の抵抗値を有する
第２の抵抗を介してエミッタが別の所定のＤＣ電圧に結
合された該第２のトランジスタのベースに前記第２の信
号を入力する構成とされたものとを備え、前記第１のト
ランジスタと前記第２のトランジスタの接続点に前記３
値デジタル信号を出力する形態の磁気センサを実施し
た。
気センサにおいて、前記信号処理回路は、前記検出信号
が第１の閾値よりも小さい場合にローレベルとなり他の
場合にハイレベルとなる第１の信号と、前記検出信号が
第２の閾値よりも大きい場合にローレベルとなり他の場
合にハイレベルとなる第２の信号とを出力するレベル判
別部と、互いのコレクタとエミッタを接続された第１お
よび第２のトランジスタであって、所定の抵抗値を有す
る第１の抵抗を介してコレクタが所定のＤＣ電圧に結合
された該第１のトランジスタのベースに前記第１の信号
を入力し、前記所定の抵抗値と略同一の抵抗値を有する
第２の抵抗を介してエミッタが別の所定のＤＣ電圧に結
合された該第２のトランジスタのベースに前記第２の信
号を入力する構成とされたものとを備え、前記第１のト
ランジスタと前記第２のトランジスタの接続点に前記３
値デジタル信号を出力する形態の磁気センサを実施し
た。
【００１０】請求項４の発明では、半導体薄膜または磁
性薄膜からなる磁気検出手段と、該磁気検出手段からの
検出信号を入力し、該検出信号のレベルに応じた複数ビ
ットの２値デジタル信号を出力する信号処理回路とを備
えた形態の磁気センサを実施した。
性薄膜からなる磁気検出手段と、該磁気検出手段からの
検出信号を入力し、該検出信号のレベルに応じた複数ビ
ットの２値デジタル信号を出力する信号処理回路とを備
えた形態の磁気センサを実施した。
【００１１】上記構成を採用した本発明に係る磁気セン
サを使用するとることにより、左右の傾斜を１個のホー
ルＩＣで検知できることとなる。従来磁気センサを２個
使う必要がある場合でも１個の磁気センサで構成でき、
この磁気センサを用いるセンサユニットの部品点数が減
少し、かつ組立性が向上する。さらに、小型化も可能に
なり、多様なアプリケーションに対して好都合に対応す
ることが可能となる。
サを使用するとることにより、左右の傾斜を１個のホー
ルＩＣで検知できることとなる。従来磁気センサを２個
使う必要がある場合でも１個の磁気センサで構成でき、
この磁気センサを用いるセンサユニットの部品点数が減
少し、かつ組立性が向上する。さらに、小型化も可能に
なり、多様なアプリケーションに対して好都合に対応す
ることが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。 （一実施形態）図５は本発明におけるホールＩＣの一実
施形態の構成を示す構成図、図６は本発明の磁気センサ
の出力特性を示した特性図である。
に基づいて説明する。 （一実施形態）図５は本発明におけるホールＩＣの一実
施形態の構成を示す構成図、図６は本発明の磁気センサ
の出力特性を示した特性図である。
【００１３】例えば磁束密度の増大（絶対値での）に対
してＢ０ｐ１以上の状態ではＬｏｗレベル、Ｂ０ｐ
２未満の状態ではＨｉｇｈレベル、他の状態ではＭｉ
ｄｄ１ｅレベルを出力するようになっている。また、こ
の特性はヒステリシスを有しており、磁束密度の減少に
対しては別の閾値（Ｂrｐ１，Ｂrｐ２）で出力電圧レベ
ルが変化する。
してＢ０ｐ１以上の状態ではＬｏｗレベル、Ｂ０ｐ
２未満の状態ではＨｉｇｈレベル、他の状態ではＭｉ
ｄｄ１ｅレベルを出力するようになっている。また、こ
の特性はヒステリシスを有しており、磁束密度の減少に
対しては別の閾値（Ｂrｐ１，Ｂrｐ２）で出力電圧レベ
ルが変化する。
【００１４】図５において、ホール素子５０などを含ん
だ磁気センサ部からの検出信号を増幅器５１により増幅
してレベル判別回路５２に入力する。レベル判別回路５
２は２つのウインドウコンパレータを含んでおり、これ
により検出信号を検出レベルに応じた２つのデジタル信
号に変換し、各信号をトランジスタ５３，５４のベース
に入力する。
だ磁気センサ部からの検出信号を増幅器５１により増幅
してレベル判別回路５２に入力する。レベル判別回路５
２は２つのウインドウコンパレータを含んでおり、これ
により検出信号を検出レベルに応じた２つのデジタル信
号に変換し、各信号をトランジスタ５３，５４のベース
に入力する。
【００１５】２つのデジタル信号の一方（コンパレータ
出力１）は検出信号が第１の閾値よりも小さい場合にロ
ーレベルとなり他の場合にハイレベルとなるもので、他
方（コンパレータ出力２）は検出信号が第２の閾値（＞
第１の閾値）よりも大きい場合にローレベルとなり他の
場合にハイレベルとなるものである。
出力１）は検出信号が第１の閾値よりも小さい場合にロ
ーレベルとなり他の場合にハイレベルとなるもので、他
方（コンパレータ出力２）は検出信号が第２の閾値（＞
第１の閾値）よりも大きい場合にローレベルとなり他の
場合にハイレベルとなるものである。
【００１６】図７に示したようなトランジスタ５３，５
４と２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２からなる出力段回路を用い、
変換されたこのデジタル信号から３値デジタル信号をＶ
ｏｕｔに得ることが可能である。この様子を図８に示
す。なお、図７中の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の値はほぼ同一
にする必要がある。
４と２つの抵抗Ｒ１，Ｒ２からなる出力段回路を用い、
変換されたこのデジタル信号から３値デジタル信号をＶ
ｏｕｔに得ることが可能である。この様子を図８に示
す。なお、図７中の抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の値はほぼ同一
にする必要がある。
【００１７】（他の実施形態）一実施形態で示した上記
３値デジタル信号を出す回路を設けなくても、磁気セン
サ出力端子を２端子とし、ウィンドウコンパレータの出
力をそのまま磁気センサの出力として用いることも可能
である。
３値デジタル信号を出す回路を設けなくても、磁気セン
サ出力端子を２端子とし、ウィンドウコンパレータの出
力をそのまま磁気センサの出力として用いることも可能
である。
【００１８】これとは別に、上記３値デジタル出力の代
わりに、複数の出力端子を設けて、それぞれ二進数表示
のデジタル出力として出力することも可能である。
わりに、複数の出力端子を設けて、それぞれ二進数表示
のデジタル出力として出力することも可能である。
【００１９】図９は本発明におけるホールＩＣの他の実
施形態の構成を示す構成図であり、本実施形態ではレベ
ル判別回路９０に出力端子を２本設け（Ｏｕｔｐｕｔ
１，Ｏｕｔｐｕｔ２）て２ビットの２値信号を出力する
ことにより、２×２の計４値のデジタル出力を得ること
ができる。
施形態の構成を示す構成図であり、本実施形態ではレベ
ル判別回路９０に出力端子を２本設け（Ｏｕｔｐｕｔ
１，Ｏｕｔｐｕｔ２）て２ビットの２値信号を出力する
ことにより、２×２の計４値のデジタル出力を得ること
ができる。
【００２０】レベル判別回路９０の構成は特に限定され
ることはなく、検出信号が第１の閾値よりも小さい場合
にローレベルとなり他の場合にハイレベルとなる上位ビ
ットの２値デジタル信号と、検出信号が第１の閾値より
小さい閾値よりも小さい場合、および、第１の閾値より
大きい閾値よりも小さく第１の閾値よりも大きい場合に
ローレベルとなり、他の場合にハイレベルとなる下位ビ
ットの２値デジタル信号を出力する構成であればよい。
このような構成は、ＣＰＵを用いた場合、基準電圧源、
コンパレータ、ゲート等を用いた場合、その他種々の場
合に容易に構成できる。
ることはなく、検出信号が第１の閾値よりも小さい場合
にローレベルとなり他の場合にハイレベルとなる上位ビ
ットの２値デジタル信号と、検出信号が第１の閾値より
小さい閾値よりも小さい場合、および、第１の閾値より
大きい閾値よりも小さく第１の閾値よりも大きい場合に
ローレベルとなり、他の場合にハイレベルとなる下位ビ
ットの２値デジタル信号を出力する構成であればよい。
このような構成は、ＣＰＵを用いた場合、基準電圧源、
コンパレータ、ゲート等を用いた場合、その他種々の場
合に容易に構成できる。
【００２１】なお、本発明は以上の実施形態に限定され
ることなく、更に種々変形して実施することができる。
ることなく、更に種々変形して実施することができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように請求項１乃至３の発
明に係る磁気センサによれば、１個の磁気検出手段から
の磁気信号を検出レベルに応じた３値デジタル信号とし
て出力するようにし、また請求項４の発明に係る磁気セ
ンサによれば、１個の磁気検出手段からの磁気信号を検
出レベルに応じた２ビットの２値信号として出力するよ
うにしたので、従来磁気センサを２個使う必要がある場
合でも１個の磁気センサ（磁気検出手段）で構成するこ
とができるので、この磁気センサを用いるセンサユニッ
トの部品点数を減少でき、かつ組立性も向上し、さらに
小型化が可能となり、多様なアプリケーションに対して
好都合に対応することができる効果がある。
明に係る磁気センサによれば、１個の磁気検出手段から
の磁気信号を検出レベルに応じた３値デジタル信号とし
て出力するようにし、また請求項４の発明に係る磁気セ
ンサによれば、１個の磁気検出手段からの磁気信号を検
出レベルに応じた２ビットの２値信号として出力するよ
うにしたので、従来磁気センサを２個使う必要がある場
合でも１個の磁気センサ（磁気検出手段）で構成するこ
とができるので、この磁気センサを用いるセンサユニッ
トの部品点数を減少でき、かつ組立性も向上し、さらに
小型化が可能となり、多様なアプリケーションに対して
好都合に対応することができる効果がある。
【図１】従来のホールＩＣの構成の一例を示す図であ
る。
る。
【図２】従来のホールＩＣの出力形式の一例を示す図で
ある。
ある。
【図３】従来のホールＩＣの出力形式の他の例を示す図
である。
である。
【図４】磁気式傾斜検知スイッチの構成の一例を示す図
である。
である。
【図５】本発明におけるホールＩＣの一実施形態の構成
を示す構成図である。
を示す構成図である。
【図６】図５の実施形態における磁気センサの出力特性
を示した特性図である。
を示した特性図である。
【図７】図５の実施形態における、３値デジタル出力を
出力する出力段回路の一例の回路図である。
出力する出力段回路の一例の回路図である。
【図８】図７の出力段回路により３値デジタル信号が得
られることを説明する説明図である。
られることを説明する説明図である。
【図９】本発明におけるホールＩＣの他の実施形態の構
成を示す構成図である。
成を示す構成図である。
１ 磁気センサ
２ 磁石
３ センサ筐体
４ 収納室
５０ ホール素子
５１ 増幅器
５２，９０ レベル判別回路
５３，５４ トランジスタ
５９ レギュレータ
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体薄膜または磁性薄膜からなる磁気
検出手段と、 該磁気検出手段からの検出信号を入力し、該検出信号の
レベルに応じた３値デジタル信号を出力する信号処理回
路とを備えたことを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気センサにおいて、 前記信号処理回路は、 前記磁気検出手段からの検出信号が前記検出信号の出力
範囲を３分割したレベルのうちどのレベルにあるかを判
別するレベル判別部と、 異なる３つの電圧を発生し、前記レベル判別部からの信
号に応じて前記電圧の一つを出力する電圧発生部とを備
えたことを特徴とする磁気センサ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の磁気センサにおいて、 前記信号処理回路は、 前記検出信号が第１の閾値よりも小さい場合にローレベ
ルとなり他の場合にハイレベルとなる第１の信号と、前
記検出信号が第２の閾値よりも大きい場合にローレベル
となり他の場合にハイレベルとなる第２の信号とを出力
するレベル判別部と、 互いのコレクタとエミッタを接続された第１および第２
のトランジスタであって、所定の抵抗値を有する第１の
抵抗を介してコレクタが所定のＤＣ電圧に結合された該
第１のトランジスタのベースに前記第１の信号を入力
し、前記所定の抵抗値と略同一の抵抗値を有する第２の
抵抗を介してエミッタが別の所定のＤＣ電圧に結合され
た該第２のトランジスタのベースに前記第２の信号を入
力する構成とされたものとを備え、 前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタの接
続点に前記３値デジタル信号を出力することを特徴とす
る磁気センサ。 - 【請求項４】 半導体薄膜または磁性薄膜からなる磁気
検出手段と、 該磁気検出手段からの検出信号を入力し、該検出信号の
レベルに応じた複数ビットの２値デジタル信号を出力す
る信号処理回路とを備えたことを特徴とする磁気セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002064332A JP2003262665A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002064332A JP2003262665A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 磁気センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003262665A true JP2003262665A (ja) | 2003-09-19 |
Family
ID=29197174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002064332A Pending JP2003262665A (ja) | 2002-03-08 | 2002-03-08 | 磁気センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003262665A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008029520A1 (fr) * | 2006-09-07 | 2008-03-13 | Alps Electric Co., Ltd. | CAPTEUR de magnétisme |
| WO2008099662A1 (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-21 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気検出装置 |
| WO2008153004A1 (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Alps Electric Co., Ltd. | 磁気検出装置及び電気製品 |
| JP2010148131A (ja) * | 2010-01-20 | 2010-07-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 磁気センサと状態検知方法 |
-
2002
- 2002-03-08 JP JP2002064332A patent/JP2003262665A/ja active Pending
Cited By (10)
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| JPWO2008029520A1 (ja) * | 2006-09-07 | 2010-01-21 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出装置 |
| KR101107668B1 (ko) | 2006-09-07 | 2012-01-25 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 자기검출장치 |
| KR101109712B1 (ko) * | 2006-09-07 | 2012-01-31 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 자기검출장치 |
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