JP2003251101A - 晶析装置 - Google Patents
晶析装置Info
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- JP2003251101A JP2003251101A JP2002058556A JP2002058556A JP2003251101A JP 2003251101 A JP2003251101 A JP 2003251101A JP 2002058556 A JP2002058556 A JP 2002058556A JP 2002058556 A JP2002058556 A JP 2002058556A JP 2003251101 A JP2003251101 A JP 2003251101A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 結晶軸方向の一致する結晶が容易に得られる
晶析装置を提供する。 【解決手段】 蒸発部１からの導入管３を晶析部２の容
器２ａの中心部の下方部へ導入連通すると共に、該容器
２ａの側壁から前記蒸発部１へリターン管４により連結
し、該リターン管４の中間に原料液の供給管５を連通接
続し、前記容器２ａの側壁の外方に電磁石からなる磁力
発生手段６を設け、原料液は、前記供給管５とリターン
管４を経て前記蒸発部１に流入して蒸発されながら前記
導入管３を経て前記晶析部２に流入し、該晶析部２にお
いて過飽和状態になり、前記磁力発生手段６による磁場
力作用により結晶軸方向が一致するように成長形成した
結晶が得られる。
晶析装置を提供する。 【解決手段】 蒸発部１からの導入管３を晶析部２の容
器２ａの中心部の下方部へ導入連通すると共に、該容器
２ａの側壁から前記蒸発部１へリターン管４により連結
し、該リターン管４の中間に原料液の供給管５を連通接
続し、前記容器２ａの側壁の外方に電磁石からなる磁力
発生手段６を設け、原料液は、前記供給管５とリターン
管４を経て前記蒸発部１に流入して蒸発されながら前記
導入管３を経て前記晶析部２に流入し、該晶析部２にお
いて過飽和状態になり、前記磁力発生手段６による磁場
力作用により結晶軸方向が一致するように成長形成した
結晶が得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は医療品関係、食品関
係、光学品関係、電気デバイス素材、テープフィラー素
材等の材料関係等において適用される晶析装置に関す
る。
係、光学品関係、電気デバイス素材、テープフィラー素
材等の材料関係等において適用される晶析装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の従来の晶析装置として、図６の
如く上方に配設した蒸発部ａとその下方に配設した晶析
部ｂとからなり、該蒸発部ａから該晶析部ｂ内へ導入管
ｃにより連結されていると共に、該晶析部ｂから該蒸発
部ａへリターン管ｄにより連結されており、かつ該晶析
部ｂから分級脚ｅが垂下し、前記リターン管ｄへ供給管
ｆより供給された原料液は前記蒸発部ａにおいて一部蒸
発し、濃縮された原料液は前記導入管ｃを経て前記晶析
部ｂにおいて過飽和状態となって結晶化されていき、残
った原料液はリターン管ｄを経て前記蒸発部ａへ戻ると
共に供給管ｆより原料液が補充され、晶析部ｂにおいて
形成された結晶は前記分級脚ｅより得ることができる装
置が知られている。
如く上方に配設した蒸発部ａとその下方に配設した晶析
部ｂとからなり、該蒸発部ａから該晶析部ｂ内へ導入管
ｃにより連結されていると共に、該晶析部ｂから該蒸発
部ａへリターン管ｄにより連結されており、かつ該晶析
部ｂから分級脚ｅが垂下し、前記リターン管ｄへ供給管
ｆより供給された原料液は前記蒸発部ａにおいて一部蒸
発し、濃縮された原料液は前記導入管ｃを経て前記晶析
部ｂにおいて過飽和状態となって結晶化されていき、残
った原料液はリターン管ｄを経て前記蒸発部ａへ戻ると
共に供給管ｆより原料液が補充され、晶析部ｂにおいて
形成された結晶は前記分級脚ｅより得ることができる装
置が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の晶析装置に
よれば、晶析部ｂにおいて単に過飽和状態の原料液から
結晶を成長形成させているので、得られた成長結晶の配
向は図７の如く種々にわたり、薬理効果の高い均一な薬
品等が得られない問題点があった。
よれば、晶析部ｂにおいて単に過飽和状態の原料液から
結晶を成長形成させているので、得られた成長結晶の配
向は図７の如く種々にわたり、薬理効果の高い均一な薬
品等が得られない問題点があった。
【０００４】本発明はこのような問題点を解消し配向性
即ち結晶軸方向が一致した結晶が得られる晶析装置を提
供することを目的とする。
即ち結晶軸方向が一致した結晶が得られる晶析装置を提
供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成すべく本
発明は晶析部に磁力発生手段を設けたことを特徴とす
る。
発明は晶析部に磁力発生手段を設けたことを特徴とす
る。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施の形態を図１
により説明する。
により説明する。
【０００７】１は蒸発部、２は晶析部を示し、該蒸発部
１は容器にヒータ等の加熱手段を具備して形成され、該
蒸発部１からその下方に位置する前記晶析部２の容器２
ａ内の中心部の下方部に垂下する導入管３を設けて該導
入管３により前記蒸発部１と前記晶析部２との間を連結
した。
１は容器にヒータ等の加熱手段を具備して形成され、該
蒸発部１からその下方に位置する前記晶析部２の容器２
ａ内の中心部の下方部に垂下する導入管３を設けて該導
入管３により前記蒸発部１と前記晶析部２との間を連結
した。
【０００８】又、前記晶析部２の容器２ａの側壁の上方
部から前記蒸発部１に至るリターン管４を連通連結し、
該リターン管４の途中に原料液の供給管５を連通接続し
た。
部から前記蒸発部１に至るリターン管４を連通連結し、
該リターン管４の途中に原料液の供給管５を連通接続し
た。
【０００９】６は磁力発生手段を示し、該磁力発生手段
６は円筒状の電磁石からなり、前記晶析部２の容器２ａ
の側壁の外方にこれを囲繞するように設けられている。
６は円筒状の電磁石からなり、前記晶析部２の容器２ａ
の側壁の外方にこれを囲繞するように設けられている。
【００１０】７は結晶を流下させる管状の分級脚を示
し、該分級脚７は該晶析部２の容器２ａの底面から垂下
するように設けられている。
し、該分級脚７は該晶析部２の容器２ａの底面から垂下
するように設けられている。
【００１１】次に前記第１の実施の形態の作用を説明す
る。
る。
【００１２】供給管５から原料液を供給すると、該原料
液は、リターン管４を経て蒸発部１に至り、該蒸発部１
において一部が蒸発して濃縮される。
液は、リターン管４を経て蒸発部１に至り、該蒸発部１
において一部が蒸発して濃縮される。
【００１３】そして濃縮された原料液は導入管３より晶
析部２の容器２ａの中心部の下方部に流出する。
析部２の容器２ａの中心部の下方部に流出する。
【００１４】該容器２ａ内において、濃縮された原料液
は周囲の溶液によって冷却され過飽和状態となって徐々
に上方へ流動し、この上方への流動中に晶析化しながら
結晶が成長形成する。このときに、容器２ａが外方の電
磁石６により発生する該容器２ａ内の磁場力作用により
結晶は図２の如く結晶軸方向が一致して成長形成する。
即ち磁場力による磁化率が最小となる磁場方向に結晶は
その結晶軸方向が平行となって成長する。
は周囲の溶液によって冷却され過飽和状態となって徐々
に上方へ流動し、この上方への流動中に晶析化しながら
結晶が成長形成する。このときに、容器２ａが外方の電
磁石６により発生する該容器２ａ内の磁場力作用により
結晶は図２の如く結晶軸方向が一致して成長形成する。
即ち磁場力による磁化率が最小となる磁場方向に結晶は
その結晶軸方向が平行となって成長する。
【００１５】このように結晶化された後の残りの原料液
はリターン管４により帰還されて蒸発部１に戻される。
このとき該リターン管４へ供給管５より原料液が補充さ
れ、又、容器２ａ内で形成された結晶軸方向が一致した
結晶は分級脚７より外部へ取り出される。
はリターン管４により帰還されて蒸発部１に戻される。
このとき該リターン管４へ供給管５より原料液が補充さ
れ、又、容器２ａ内で形成された結晶軸方向が一致した
結晶は分級脚７より外部へ取り出される。
【００１６】ここで、発明者はＬ−アラニンの液を晶析
部の容器内に入れて過飽和の状態にし、電磁石による磁
場の強さを種々変更して配向率Ｒを求めた結果が図３の
グラフである。
部の容器内に入れて過飽和の状態にし、電磁石による磁
場の強さを種々変更して配向率Ｒを求めた結果が図３の
グラフである。
【００１７】同グラフにおいて横軸を磁場の強さテラス
（Ｔ）とし、縦軸を配向率（Ｒ）とすると、配向率Ｒは となり、それぞれの結晶の配向即ち結晶軸方向の角度差
θが３°より小である析出結晶の測定全析出結晶に対す
る割合は、磁場の強さが１Ｔ以上になると約１００％と
なることが判明した。
（Ｔ）とし、縦軸を配向率（Ｒ）とすると、配向率Ｒは となり、それぞれの結晶の配向即ち結晶軸方向の角度差
θが３°より小である析出結晶の測定全析出結晶に対す
る割合は、磁場の強さが１Ｔ以上になると約１００％と
なることが判明した。
【００１８】尚、このグラフの曲線は他の原料液につい
ても同様の傾向がみられた。又、この実施の形態では、
磁力発生手段６を容器２ａの外側に設けたが、該磁力発
生手段６を該容器２ａの内側に設けてもよい。
ても同様の傾向がみられた。又、この実施の形態では、
磁力発生手段６を容器２ａの外側に設けたが、該磁力発
生手段６を該容器２ａの内側に設けてもよい。
【００１９】図４は本発明の第２の実施の形態を示し、
この実施の形態においては、蒸発部１と晶析部２とを共
通の容器８とすると共に該晶析部２の個所の容器８ｂが
前記蒸発部１の個所の容器８ａより大径に形成して該蒸
発部１の個所の容器８ａの側壁の下方部が前記晶析部２
の個所の容器８ｂ内の途中まで下方に延長して仕切壁９
に形成し、該仕切壁９によりその内方の結晶形成部２ａ
と外方の微小結晶除去部２ｂとに仕切り、該仕切壁９内
の中央部にドラフトチューブ１０を設けた。又、リター
ン管４ａは前記容器８ｂの側壁の下方部より該容器８ｂ
の底面のドラフトチューブ１０の下方位置に連結すると
共に該リターン管４ａの途中に原料液の供給管５を連通
接続した。
この実施の形態においては、蒸発部１と晶析部２とを共
通の容器８とすると共に該晶析部２の個所の容器８ｂが
前記蒸発部１の個所の容器８ａより大径に形成して該蒸
発部１の個所の容器８ａの側壁の下方部が前記晶析部２
の個所の容器８ｂ内の途中まで下方に延長して仕切壁９
に形成し、該仕切壁９によりその内方の結晶形成部２ａ
と外方の微小結晶除去部２ｂとに仕切り、該仕切壁９内
の中央部にドラフトチューブ１０を設けた。又、リター
ン管４ａは前記容器８ｂの側壁の下方部より該容器８ｂ
の底面のドラフトチューブ１０の下方位置に連結すると
共に該リターン管４ａの途中に原料液の供給管５を連通
接続した。
【００２０】かくて、供給管５からの原料液はリターン
管４ａからの戻り液と共に加熱されて晶析部２の容器８
ｂ内へ、その底面から流入し、ドラフトチューブ１０内
を上昇してから該ドラフトチューブ１０の外側を流下
し、その流下した原料液の一部が該ドラフトチューブ１
０内を上昇すると共に残りの原料液は仕切壁９の外方の
微小結晶除去部２ｂを上昇してリターン管４ａに至り、
該リターン管４ａの途中で供給管５より原料液が補充さ
れて前記容器８ｂ内へ流入する。
管４ａからの戻り液と共に加熱されて晶析部２の容器８
ｂ内へ、その底面から流入し、ドラフトチューブ１０内
を上昇してから該ドラフトチューブ１０の外側を流下
し、その流下した原料液の一部が該ドラフトチューブ１
０内を上昇すると共に残りの原料液は仕切壁９の外方の
微小結晶除去部２ｂを上昇してリターン管４ａに至り、
該リターン管４ａの途中で供給管５より原料液が補充さ
れて前記容器８ｂ内へ流入する。
【００２１】容器８内における原料液の前述の流動中、
蒸発部１の容器８ａ内において原料液の液面が蒸発して
該原料液が過飽和状態となって結晶化され、この結晶の
結晶化過程に電磁石６の磁場力作用によって結晶軸方向
が一致してくる。
蒸発部１の容器８ａ内において原料液の液面が蒸発して
該原料液が過飽和状態となって結晶化され、この結晶の
結晶化過程に電磁石６の磁場力作用によって結晶軸方向
が一致してくる。
【００２２】そしてこの第２の実施の形態においては前
記ドラフトチューブ１０によりその内外で原料液の流れ
が整流分化されて磁場力の作用を受けて晶析化されるの
で、効率よく結晶軸方向が一致した結晶が得られる。
尚、本実施の形態の図４では円筒状の磁力発生手段６を
容器８ｂの外側に設けたが、これは容器８ｂの内側に設
けるようにしてもよい。
記ドラフトチューブ１０によりその内外で原料液の流れ
が整流分化されて磁場力の作用を受けて晶析化されるの
で、効率よく結晶軸方向が一致した結晶が得られる。
尚、本実施の形態の図４では円筒状の磁力発生手段６を
容器８ｂの外側に設けたが、これは容器８ｂの内側に設
けるようにしてもよい。
【００２３】図５は本発明の第３の実施の形態を示し、
この実施の形態においては磁力発生手段６が容器８内の
仕切壁９に設けられ、第２の実施の形態と比べて磁場の
強さが効率的に大となる。ここで前記磁力発生手段６
は、前記仕切壁９の内側に設けても又は外側に設けるよ
うにしてもよい。
この実施の形態においては磁力発生手段６が容器８内の
仕切壁９に設けられ、第２の実施の形態と比べて磁場の
強さが効率的に大となる。ここで前記磁力発生手段６
は、前記仕切壁９の内側に設けても又は外側に設けるよ
うにしてもよい。
【００２４】尚、磁力発生手段６として、電磁石以外に
永久磁石或いは超電導磁石を用いてもよい。又、これら
磁力発生手段６にはコーティングを施して液封に形成す
るとよい。
永久磁石或いは超電導磁石を用いてもよい。又、これら
磁力発生手段６にはコーティングを施して液封に形成す
るとよい。
【００２５】又前記実施の形態では、本発明を蒸発式晶
析装置に適用した例を示したが、本発明を冷却式晶析装
置等の他の方式の晶析装置に適用してもよい。
析装置に適用した例を示したが、本発明を冷却式晶析装
置等の他の方式の晶析装置に適用してもよい。
【００２６】
【発明の効果】このように本発明によると、晶析部に磁
力発生手段を設けたので、結晶軸方向が一致した結晶が
得られ、かくて薬理効果の向上した医療材料素材や光透
過性や光信号伝達などの特性が向上した光学的材料素材
等がろ過性もよく容易に得られる効果を有する。
力発生手段を設けたので、結晶軸方向が一致した結晶が
得られ、かくて薬理効果の向上した医療材料素材や光透
過性や光信号伝達などの特性が向上した光学的材料素材
等がろ過性もよく容易に得られる効果を有する。
【図１】本発明の第１の実施の形態の説明図である。
【図２】本発明の結晶の成長形成状態を示す説明図であ
る。
る。
【図３】磁場の強さと結晶の配向率の関係を示すグラフ
である。
である。
【図４】本発明の第２の実施の形態の説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態の説明図である。
【図６】従来の晶析装置の説明図である。
【図７】従来の晶析装置による結晶の成長形成状態を示
す説明図である。
す説明図である。
１ 蒸発部
２ 晶析部
２ａ 容器
６ 磁力発生手段
９ 仕切壁
１０ ドラフトチューブ
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｂ０１Ｄ 9/02 ６０５ Ｂ０１Ｄ 9/02 ６０５
６０９ ６０９Ｂ
６１１ ６１１Ｚ
６２１ ６２１
(72)発明者 小川 薫
岩手県盛岡市高松四丁目17−19−102
Claims (6)
- 【請求項１】 晶析部に磁力発生手段を設けた晶析装
置。 - 【請求項２】 蒸発部と該蒸発部に連通する晶析部とか
らなる晶析装置の該晶析部に磁力発生手段を設けた晶析
装置。 - 【請求項３】 前記晶析部の容器の壁面に前記磁力発生
手段を設けた請求項１又は請求項２に記載の晶析装置。 - 【請求項４】 前記晶析部の容器内に円筒状の仕切壁を
介して中央部の結晶形成部と周辺部の微小結晶除去部を
形成し、前記仕切壁に前記磁力発生手段を設けた請求項
２に記載の晶析装置。 - 【請求項５】 前記仕切壁内に略円筒形状のドラフトチ
ューブを設けた請求項３又は請求項４に記載の晶析装
置。 - 【請求項６】 前記磁力発生手段は電磁石又は永久磁石
からなる請求項１乃至請求項５のいずれか１に記載の晶
析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058556A JP4187446B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 晶析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002058556A JP4187446B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 晶析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003251101A true JP2003251101A (ja) | 2003-09-09 |
| JP4187446B2 JP4187446B2 (ja) | 2008-11-26 |
Family
ID=28668497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002058556A Expired - Fee Related JP4187446B2 (ja) | 2002-03-05 | 2002-03-05 | 晶析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4187446B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105727584A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-06 | 武汉艾力拓科技有限公司 | 一种结晶干扰仪 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104046508B (zh) * | 2014-06-17 | 2017-05-17 | 李传印 | 花生中不饱和脂肪酸提纯装置及其提纯工艺 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998037938A1 (fr) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Ajinomoto Co., Inc. | Appareil et procede de cristallisation |
| JP2000516527A (ja) * | 1996-08-13 | 2000-12-12 | リーラ，ミシェル | 理化学反応に対し触媒として作用する磁界を発生するための磁界発生装置 |
-
2002
- 2002-03-05 JP JP2002058556A patent/JP4187446B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000516527A (ja) * | 1996-08-13 | 2000-12-12 | リーラ，ミシェル | 理化学反応に対し触媒として作用する磁界を発生するための磁界発生装置 |
| WO1998037938A1 (fr) * | 1997-02-27 | 1998-09-03 | Ajinomoto Co., Inc. | Appareil et procede de cristallisation |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 清水健司: "機能性結晶材料の取り組みについて", 化学工学会第６６年会（２００１）研究発表講演要旨集, JPN7008004505, 2 March 2001 (2001-03-02), JP, pages 106 - 107, ISSN: 0001053347 * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105727584A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-07-06 | 武汉艾力拓科技有限公司 | 一种结晶干扰仪 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4187446B2 (ja) | 2008-11-26 |
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