JP2003249464A - チップ貼設シート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面に錫リッチＡｕ−Ｓｎ系ハンダからなる
ハンダ層を有する基板のような接合面の表面粗さがＲａ
＝０．０３〜０．２μｍである基板を用いて製造される
チップ貼設シートであって、チップのシートに対する接
着力を適度に調節することができるチップ貼設シートを
提供する。 【解決手段】 カルボン酸エステル系粘着材からなる粘
着材層を表面に有する粘着シートであって、接合面の表
面粗さがＲａ＝０．０３〜０．２μｍの基板を貼付した
後に波長３６５ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２以上
照射してから剥がした基材の剥離面をフーリエ変換赤外
分光光度計法により測定した時に１７３０〜１７５０ｃ
ｍ^−１に現れる吸収ピークの吸光度が０．０００１〜
０．０１となるような粘着シートに基材を貼付し、基材
のみをチップ状に切断する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、サブマウントとし
て使用できるチップが多数貼設されたチップ貼設シート
及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】サブマウントとは、半導体レーザー素子
とヒートシンク（銅等の金属製ブロック）の間に位置す
る基板であり、半導体レーザー素子から発生する熱をヒ
ートシンク側へ効率よく伝達する機能を持つものであ
る。

【０００３】一般の半導体レーザー素子用サブマウント
は、特許第３１６５７７９号公報に示されるように、セ
ラミックス等の絶縁基板の両面に回路パターンが設けら
れているものである。そして片面に半導体レーザー素子
を、他の片面にヒートシンクをハンダ付け等の方法によ
りボンディングして使用されている。

【０００４】このセラミックスの中でも窒化アルミニウ
ムは、熱伝導率が高く、熱膨張係数が半導体素子に近い
という理由から特に注目されており、表面に素子を載置
するために電極層が形成され、更に素子をリフローハン
ダ付けするためのハンダ層が該電極層上に形成されたも
のが使用されている。なお、このような窒化アルミニウ
ム系サブマウントにおける電極層の材質としては金が、
また、ハンダ層を構成するハンダ材としては、金の含有
量が約８０重量％の融点が２８０℃であるＡｕ−Ｓｎ系
ハンダ{以下、「金リッチＡｕ−Ｓｎ系ハンダ」ともい
う。ヤング率５９．２ＧＰａ（ａｔ２５℃）}が一般に
使用されており、通常このようなハンダ材を用いたハン
ダ層はその成分が金電極層中に拡散するのを防止するた
めのＰｔ等からなる拡散防止層を介して形成されている
（特開２０００−２８８７７０号公報）。

【０００５】上記窒化アルミニウム系サブマウントの大
きさは、その用途にもよるが、一般に縦１ｍｍ程度、横
１ｍｍ程度、厚さ０．３ｍｍ程度の非常に小さいものが
多く、その製造に当たっては、例えば５０．８ｍｍ角程
度の大きさの基板に多数のサブマウントパターンをマト
リックス状に配置して形成し、ハンダ層の保護を兼ねて
ハンダ層が接着面となるようにして粘着シートに貼付し
た後に（シートを完全に切断せずに）基板のみを格子状
に切断することによって製造されている。このような製
造方法を採用することにより、小さなサブマウントチッ
プをばらばらにすることなく効率よく製造することがで
きるようになっている。そして、このようにして得られ
たサブマウントチップ貼設シートは、流通過程において
はチップが脱落せず、また使用時において一つ一つのチ
ップをシートから簡単に剥がせる（簡単にピックアップ
できる）適度な強度でシートに貼り付いているように紫
外線照射して粘着層の粘着力を低下させて調整する処理
を施してから出荷されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】近年半導体素子におい
ては、記録密度やデータの電送距離を向上させるために
高出力化が計られ、同時に使用時の素子から発生する熱
量も増大している。本発明者は、従来の窒化アルミニウ
ム系サブマウントにおいてはこのような発熱量の増大に
伴う熱応力の増大により素子接合部の破壊が発生する問
題が起こるのに対し、金電極層上にＡｇ等の特定の金属
からなる拡散防止層を介してＡｕ−Ｓｎ系合金又はＡｕ
−Ｉｎ系合金において金の含有量が２０重量％以下であ
りその融点が低い合金からなる柔らかいハンダ材（以
下、Ａｕ−Ｓｎ系合金については「錫リッチＡｕ−Ｓｎ
系ハンダ」ともいう。）の層を形成した場合にはこのよ
うな問題が起こらないことを見出し、このようなハンダ
材からなるハンダ層を表面に有する新規な素子接合用基
板を既に提案している（特願２００１−１８０３６５
号）。

【０００７】しかしながら、該素子接合用基板を用いて
上記と同様にしてサブマウントチップ貼設シートを製造
したところ、紫外線照射を行ってもチップの接合力（接
着力）が低下せず、使用時にチップをシートから剥がし
難い（ピックアップし難い）という問題があることが判
明した。そこで本発明は、表面に錫リッチＡｕ−Ｓｎ系
ハンダからなるハンダ層を有する窒化アルミニウム系セ
ラミックス基板を用いて製造されるサブマウントチップ
貼設シートであって、チップのシートに対する接着力を
適度に調節することができるチップ貼設シートを提供す
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決するために鋭意検討を行った。その結果、錫リッチＡ
ｕ−Ｓｎ系ハンダからなるハンダ層を表面に有する窒化
アルミニウム系セラミックス基板を用いて製造したサブ
マウントチップ貼設シートにおいて、紫外線照射を行っ
ても接着力を低減することができない原因は、上記ハン
ダ層の表面粗さがＲａ＝０．０３μｍ以上と従来の金リ
ッチＡｕ−Ｓｎ系ハンダからなるハンダ層の表面粗さに
比べて粗くなっていることにあることを突き止めた。そ
こで入手可能な多くの粘着シートに接合面が粗い基板を
貼付してチップ貼設シートを作製し、紫外線照射後にお
けるチップの剥離性について種々検討を行ったところ、
工業的に入手可能な粘着シートの中で紫外線を照射する
ことにより硬化するカルボン酸エステル系粘着材からな
る粘着材層を表面に有する粘着シートを用いた場合に、
剥離性が良好になるものがあるという知見を得るに至っ
た。そして、これら剥離性が良好になるものとならない
ものとの粘着材の違いについて検討したが、粘着材の組
成は複雑であるためその違いの原因を粘着材の構成成分
や組成の点で捕らえることはできなかった。しかしなが
ら、剥離したチップの剥離面をフーリエ変換赤外分光光
度計法（ＦＴ−ＩＲ法）で分析したところ、そのときに
粘着材に由来する特定の波数領域に現れる吸収ピーク
（吸光度）の強度が両者で異なっており、この違いによ
り両者を識別することができることを見出し、本発明を
完成するに至った。

【０００９】即ち、第一の本発明は、紫外線を照射する
ことにより硬化するカルボン酸エステル系粘着材からな
る粘着材層を表面に有する粘着シートの当該粘着材層上
に、基板を貼付した後に前記粘着シートを完全に切断す
ることなく、該基板を切断して複数のチップとすること
により得られるチップ貼設シートであって、該チップ貼
設シートに貼設されるチップの接合面の表面粗さがＲａ
＝０．０３〜０．２μｍであり、該チップ貼設シートに
波長３６５ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２以上照射
した後に粘着シートからチップを剥がした時に得られる
当該チップの剥離面に付着する前記粘着材又はその誘導
体の量が、当該チップの剥離面をフーリエ変換赤外分光
光度計法により測定した時に１７３０〜１７５０ｃｍ
^−１に現れる吸収ピークの吸光度で０．０００１〜０．
０１となる量であることを特徴とするチップ貼設シート
である。

【００１０】上記本発明のチップ貼設シートは、表面粗
さがＲａ＝０．０３〜０．２μｍであるという、これま
でのチップ貼設シートにおけるチップのハンダ層には用
いられていない特殊なハンダ層を使用したチップが貼付
されているという点で新規なチップ貼設シートであり、
更に紫外線を照射することにより流通及び使用に好適な
状態、すなわち流通過程においてはチップが脱落せず、
また使用時において一つ一つのチップをシートから簡単
にピックアップできるチップ貼設シート（第二の本発
明）とすることができる。

【００１１】上記第一及び第二の本発明チップ貼設シー
トの中でも、前記粘着シートの粘着材層上に、表面にＳ
ｎ又はＩｎを主成分として含有し且つ金の含有量が２０
重量％未満である金属からなり、表面粗さがＲａ＝０．
０３〜０．２μｍであるハンダ層が形成された基板を該
ハンダ層が接合面となるように貼付した後に前記粘着シ
ートを完全に切断することなく、該基板を切断して複数
のチップとすることにより得られたチップ貼設シート、
特に前記基板が表面に金からなる電極層を有する窒化ア
ルミニウムを主成分とするセラミックス基板の当該電極
層上にＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＰｂよりなる群より選ば
れる少なくとも１種の金属からなる金属層を介してＳｎ
又はＩｎを主成分として含有し且つ金の含有量が２０重
量％未満である金属からなり、表面粗さがＲａ＝０．０
３〜０．２μｍであるハンダ層が形成された基板である
チップ貼設シートは、貼付されているチップがサブマウ
ントとして使用したときに高出力素子を搭載しても素子
の接合部位が破壊され難いという優れた特徴を有する。

【００１２】また、第三の本発明は、上記第一又は第二
の本発明のチップ貼設シートを製造する方法であって、
表面粗さがＲａ＝０．０３〜０．２μｍである表面を有
する基板を当該表面が接合面となるように粘着シートに
貼付した後に上記粘着シートを切断することなく、貼付
された基板を切断して複数のチップとする工程を含み、
且つ粘着シートとして下記Ａ及びＢの条件を満足する粘
着シートを使用することを特徴とするチップ貼設シート
の製造方法である。 Ａ． 紫外線を照射することにより硬化するカルボン酸
エステル系粘着材からなる粘着材層を表面に有する粘着
シートであること。 Ｂ． 粘着シートに接合面となる面の表面粗さがＲａ＝
０．０３〜０．２μｍである試験基板を貼付し、次いで
波長３６５ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２以上照射
した後に粘着シートから試験基板を剥がし、得られた試
験基板の剥離面をフーリエ変換赤外分光光度計法により
測定した時に１７３０〜１７５０ｃｍ^−１に現れる吸収
ピークの吸光度が０．０００１〜０．０１となる粘着シ
ートであること。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明のチップ貼設シートは、紫
外線を照射することにより硬化するカルボン酸エステル
系粘着材からなる粘着材層を表面に有する粘着シートの
当該粘着材層上に、基板を貼付した後に前記粘着シート
を完全に切断することなく、該基板を切断して複数のチ
ップとすることにより得られる。ここで使用する基板
は、シートに貼付するときの接合面の表面粗さがＲａ＝
０．０３〜０．２μｍであるものであれば特に限定され
ない。接合面の表面粗さがＲａ＝０．０３μｍ未満の基
板を使用したチップ貼設シートは広く使用されており、
粘着シートを特に選択しなくとも紫外線照射処理により
チップの剥離性を適度に調整することができる。また、
接合面の表面粗さがＲａ＝０．２μｍを超える基板を用
いた場合には紫外線照射をしても粘着力を適度に調製す
るのが困難である。紫外線照射後の粘着力制御の容易さ
の観点から、基板の接合面の表面粗さは、Ｒａ＝０．０
３５〜０．１μｍであるのが好適である。

【００１４】本発明で使用する基板は上記要求を満足す
るものであれば特に限定されないが、チップのサブマウ
ントとしての用途を考えると、高周波の誘電損失が少な
いばかりでなく、半導体素子を載置して使用した時に発
生する熱を逃がす放熱特性が良好であり、更に使用時に
おける温度差が大きくなっても接合部位が破壊され難く
長期間安定して使用することが可能であるという理由か
ら、本発明者によって提案された（特願２００１−１８
０３６５号）次のような新規な素子接合用基板を用いる
のが好適である。即ち、窒化アルミニウムを主成分とす
るセラミックス基板上に、Ｔｉを主成分とする第一下地
層、Ｐｔを主成分とする第二下地層、及び金からなる電
極層がこの順番で積層されたメタライズ基板の該金電極
層上にＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＰｂよりなる群より選ば
れる少なくとも１種の金属からなるバリヤー層が積層さ
れ、更に該バリヤー層上に、Ｓｎ又はＩｎを主成分とし
て含有し且つ金の含有量が２０重量％未満である金属か
らなるハンダ層が形成された素子接合用基板を用いるの
が好適である。

【００１５】上記ハンダ層を構成するハンダ材はＳｎ又
はＩｎを主成分として含有し且つ金の含有量が２０重量
％未満であれば特に限定されないが、安定性の観点から
金の含有量は１０重量％未満であるのが好適である。こ
のようなハンダを具体的に例示すれば、前記した錫リッ
チＡｕ−Ｓｎ系ハンダ、Ｓｎ１００％ハンダ、Ｓｎ−Ａ
ｇハンダ、Ｓｎ−Ｐｂハンダ、Ｓｎ−Ｂｉハンダ、Ｓｎ
−Ｓｂハンダ、Ｓｎ−Ｉｎハンダ、Ｉｎ１００％ハン
ダ、Ｉｎ−Ａｕハンダ（但し金の含有量が２０重量％未
満のもの）、Ｉｎ−Ａｇハンダ、Ｉｎ−Ｂｉハンダ、Ｉ
ｎ−Ｓｂハンダ、Ｉｎ−Ｚｎハンダ、及びこれらを任意
に組合せたハンダ等が例示される。これらの中でも、素
子と接合した後のダイシェア試験の接合強度が最も高い
という理由から、Ａｕ−Ｓｎ系ハンダが特に好適に使用
できる。また、これらハンダ材の中でも、素子を接合し
て使用した時の温度変化による接合部位の破壊が起り難
いという観点から、融点２８０℃未満、特に２３５℃以
下で且つヤング率が５０ＧＰａ未満（ａｔ２５℃）の金
属からなるハンダを用いるのが最も好適である。

【００１６】このようなハンダ材からなるハンダ層を表
面に有する素子接合用基板においては、接合面となるハ
ンダ層の上面の表面粗さは特に表面処理を行わずに一般
的の方法を用いて形成されたままの状態でＲａ＝０．０
３〜０．２μｍとなっているため、本発明のチップ貼設
シートに用いる基板としては特に好適に使用される。

【００１７】上記の新規な素子接合用基板は、例えば窒
化アルミニウム粉末に焼結助剤を添加して成形した後に
焼結した基板の表面にスパッタリング法等により基本的
に電極パターンと同一形状のチタンを主成分とする金属
層（第一下地層）を形成した後に該第一下地層上に同じ
くスパッタリング法等により白金を主成分とする第二下
地層を形成し、さらにその上にスパッタリング法等によ
り金電極層を形成して得たメタライズ基板の金電極層上
にＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＰｂよりなる群より選ばれる
少なくとも１種の金属からなるバリヤー層をその厚さが
０．２〜５μｍ、好適には１〜３μｍとなるようにスパ
ッタリング法、イオンプレーティング法、蒸着法、ＣＶ
Ｄ法、メッキ法などにより形成し、更にその上に前記ハ
ンダ層を形成することにより得ることができる。

【００１８】ハンダ層の下地に上記バリヤー層を形成す
ることにより、錫リッチＡｕ−Ｓｎ系ハンダ等の低融点
で柔らかいハンダの層を形成してハンダ付けを行なった
場合に、低温で高接合強度のハンダ付けを行なうことが
可能となる。なお、一般にバリヤー層の金属としては白
金が一般に使用されているが、上記のようなハンダ材を
用いる場合にはそのバリヤー層としての効果は十分に得
られず、素子を高強度で接合することができない。

【００１９】また、上記ハンダ層は、単一組成の金属か
らなる１層から成っていてもよく、また、各層が溶融し
て混合した時に前記したような条件を満足するような組
成となるように、異なる組成の金属からなる複数の層の
積層体から成っていてもよい。但し、該ハンダ層全体の
厚さは、１〜１０μｍ、特に２〜６μｍとするのが好適
である。該層の厚さが１μｍ未満ではハンダの絶対量が
少ないために十分な接合強度が得られない傾向があり、
逆に１０μｍを越える厚さとした時はハンダ量が多すぎ
るために接合後にハンダが素子の側面や上面（半導体素
子においては発光面ともなる）を遮る不具合が生じたり
することがある。前記バリヤー層上に上記のようなハン
ダからなる層を形成する方法は特に限定されず、例え
ば、スパッタリング法、イオンプレーティング法、蒸着
法、ＣＶＤ法、メッキ法により好適に行なうことができ
る。

【００２０】また、本発明のチップ貼設シートでは、粘
着シートとして紫外線を照射することにより硬化するカ
ルボン酸エステル系粘着材からなる粘着材層を表面に有
する粘着シートを使用する。このようなシートは市販さ
れており、工業的に入手可能である。これらシートは一
般に、厚み１０〜２００μｍ程度のＰＶＣ（ポリ塩化ビ
ニル）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、ＰＯ
（ポリオレフィン）、又はＥＶＡ（エチレンビニルアル
コール）等の合成樹脂からなる単層または複層の基材シ
ート上に紫外線を照射することで硬化するカルボン酸エ
ステル系粘着材層が５〜５０μｍの厚さで塗布された構
造を有している。なお、粘着材が紫外線を照射すること
により硬化するカルボン酸エステル系粘着材であること
は、紫外線照射後にフーリエ変換赤外分光光度計法によ
り測定した時に１７３０〜１７５０ｃｍ^−１に吸収ピー
クが現れることで確認できる。

【００２１】本発明のチップ貼設シートにおいては、工
業的に入手可能なこれら粘着シートの中から、その接着
層に接合面の表面粗さがＲａ＝０．０３〜０．２μｍの
試験基板（該試験基板はその表面粗さがＲａ＝０．０３
〜０．２μｍであれば特に限定されないが、好適にはチ
ップと同じものを使用するのが好ましい。）を貼付し、
波長３６５ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２以上照射
した後に粘着シートから該試験基板を剥がし、その基板
の剥離面をフーリエ変換赤外分光光度計法により測定し
た時に１７３０〜１７５０ｃｍ^−１に現れる吸収ピーク
の吸光度が０．０００１〜０．０１、好適には０．００
０５〜０．００５となる粘着シートを選んで使用する必
要がある。なお、上記波数領域の吸収は、剥離面に付着
する前記粘着材又はその誘導体に由来するものである。
該強度が０．０００１未満の時には紫外線照射後にチッ
プが剥がれ易くなり過ぎ、０．０１を超えるときには紫
外線照射しても接着力があまり低下せず、密着力が強す
ぎてピックアップし難くなる。このような簡単な判定基
準に基づき、上記した素子接合用基板のような表面粗さ
が従来と比べて粗い接合面を有するこれまでにないチッ
プに適した粘着シートを容易に選択することができる。

【００２２】本発明のチップ貼設シートは、上記のよう
にして選択された粘着シートの粘着層に表面粗さがＲａ
＝０．０３μｍ〜０．２μｍの面を有する基板（例えば
前記素子接合用基板）を当該面が接合面となるように貼
付した後に前記粘着シートを切断することなく、該基板
を切断して複数のチップとすることにより得ることがで
きる。このとき、切断はダイヤモンド粉末を焼結したブ
レードを用いたダイシングマシン等を用いて行うことが
できる。

【００２３】

【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を更
に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定され
るものではない。

【００２４】製造例１ 図１の基板１００と同様な構造の基板を、以下の様にし
て作製した。なお、図１の基板１００は、窒化アルミニ
ウム焼結体基板２０１上に、Ｔｉを主成分とする第１下
地層２０２、白金を主成分とする第２下地層２０３、及
び金電極層２０４がこの順番で積層された基体２００の
金電極層上に、銀等の金属から成るバリヤー層３００、
及びＳｎ系あるいはＩｎ系であってかつ金の含有量が２
０重量％未満である金属からなるハンダ層４００が積層
された構造を有する。

【００２５】先ず、窒化アルミニウム焼結体基板｛５
０．８ｍｍ×５０．８ｍｍ×０．３ｍｍｔ（株）トクヤ
マ製｝の表面にスパッタリング装置を用いてスパッタリ
ング法により厚さ０．０６μmのＴｉを主成分とする第
１下地層、厚さ０．２μｍの白金を主成分とする第２下
地層、及び厚さ０．６μｍの金電極層を順次形成した。
次いで、真空蒸着装置を用いて上記金電極層上に、厚さ
２μｍのＡｇ膜からなるバリヤー層を形成し、引続きタ
ーゲットとしてＡｕ及びＳｎを用いた同時蒸着法によ
り、金含有量が１０重量％のＡｕ−Ｓｎ合金｛融点２１
７℃及びヤング率４５．０ＧＰａ（ａｔ２５℃）｝から
成る厚さ５μｍのハンダ層を形成し、基板を作製した。
この基板のハンダ層の表面粗さを（株）東京精密製社の
表面粗さ計（ｓｕｒｆｃｏｍ５５４Ａ）で測定したとこ
ろ、Ｒａ＝０．０６０μｍであった。

【００２６】次に、このようにして作製した基板のハン
ダ層上にＡｕ電極を有する半導体素子を載置し、ダイボ
ンダー装置を用いて２５０℃で３０秒接合し、素子接合
基板を作製した。同様にして１０個の素子接合基板を作
製し、ダイシェアテスタ（ＩＭＡＤＡ社製）により接合
強度を測定したところ、平均接合強度は２．８ｋｇｆ／
ｍｍ^２であり、剥離モードは全数ハンダ内であった（各
層間での剥離ではなく、ハンダ層が破壊されて剥離して
いた。）。

【００２７】製造比較例１ 製造例１において、バリヤー層を設けない他は同様にし
て、素子接合用基板及び素子接合基板を作製し実施例１
と同様にして接合強度を測定した。その結果、平均接合
強度は０．８ｋｇｆ／ｍｍ^２であった。

【００２８】製造比較例２ 製造例１において、バリヤー層の材質をＡｇから白金に
変える他は同様にして、素子接合用基板及び素子接合基
板を作製し、実施例１と同様にして接合強度を測定し
た。その結果、平均接合強度は１．４ｋｇｆ／ｍｍ^２で
あった。

【００２９】実施例１ 製造例１で得られた基板を用いて図２に示すようなチッ
プ貼設シートを、以下の様にして作製した。なお、図２
は製造例１で製造した基板１００が紫外線硬化型カルボ
ン酸エステル系粘着シート５００にハンダ層表面が接合
面となるように貼付された構造を有する。

【００３０】先ず、製造例１で得た基板を３枚用意し各
基板のハンダ面が接合面となるようにそれぞれ３種類の
カルボン酸ステル系紫外線硬化型粘着シート７００（倉
本産業社Ｘ−３０１４Ｋ、Ｘ−３０１４Ｌ、及びＸ−３
０１４Ｏ）に貼付し、ダイヤモンド粉末を焼結したブレ
ードを用いたダイシングマシンで各基板を５ｍｍ×５ｍ
ｍに切断した後、該チップ貼設シートに波長３６５ｎｍ
の紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２照射した。その後、各粘
着シートからチップを剥がし、当該チップの剥離面につ
いて日本電子株式会社製ＪＩＲ−７０００｛ＦＴ−ＩＲ
（フーリエ変換赤外分光光度計）｝を用いて測定を行っ
た。その結果各チップの１７３０〜１７５０ｃｍ^−１に
現れる吸収ピークの吸光度はそれぞれ０．００１８（Ｘ
−３０１４Ｋ）、０．００１６（Ｘ−３０１４Ｌ）、及
び０．００１４（Ｘ−３０１４Ｏ）であった。

【００３１】また、同様にして各粘着シートに該基板貼
付した後にダイシングマシンで基板を１ｍｍ×１ｍｍに
切断し、更に紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２照射した後に
ピックアップ性（剥がしやすさ）試験を行った。ピック
アップ性試験は、切断された基板にＳｃｏｔｃｈ社メン
ディングテープ（ＣＡＴ．ＮＯ．８１０−３−１８、１
８ｍｍ幅）を切断した該チップ上に５０．８ｍｍの長さ
で貼りつけた後に引き剥がし、このときメンディングテ
ープと共に剥離されたチップ総面積を貼りつけたメンデ
ィングテープの面積で除した値（％）である剥離率で評
価した。その結果、剥離確率はそれぞれ８８％（Ｘ−３
０１４Ｋ）、９０％（Ｘ−３０１４Ｌ）、及び９１％
（Ｘ−３０１４Ｏ）であった。これらの結果を表１にま
とめる。なお、ピックアップ性は剥離確率が６０％以上
の時に良好であり「○」と評価し、６０％未満の時は不
良で「×」と評価した。また表中の吸光度は、上記ＦＴ
−ＩＲ測定の結果得られた１７３０〜１７５０ｃｍ^−１
に現れる吸収ピークの吸光度を意味する。

【００３２】

【表１】

【００３３】実施例２ 製造例１において、ハンダ層を金含有量が２０重量％の
Ａｕ−Ｓｎ合金（Ｒａ＝０．０３７μｍ）にする他は同
様にして作成した基板を用い、実施例１と同様にしてチ
ップ貼設シートを作成し、評価した。その結果を合わせ
て表１に示す。

【００３４】参考例１ 製造例１において、ハンダ層を金含有量が７０重量％の
Ａｕ−Ｓｎ合金（Ｒａ＝０．０２５μｍ）にする他は同
様にして作成した基板を用い、実施例１と同様にしてチ
ップ貼設シートを作成し、評価した。その結果を合わせ
て表１に示す。

【００３５】比較例１ 実施例１、２、及び参考例１で用いた各種表面粗さ基板
（Ｒａ＝０．０６０、０．０３７、及び０．０２５μ
ｍ）を用い、粘着シートとして日本加工製紙社ＴＲ−６
８８ＭＣＭを使用する他は実施例１と同様にして、チッ
プ貼設シートを作成し、評価した。その結果を合わせて
表１に示す。

【００３６】比較例２ 比較例１において、粘着シートをリンテック社Ｄ−６２
６にする他は同様にして、チップ貼設シートを作成し、
評価した。その結果を合わせて表１に示す。

【００３７】比較例３ 比較例１において、粘着シートを日東電工社ＵＥ−２０
９２Ｊにする他は同様にして、チップ貼設シートを作成
し、評価した。その結果を合わせて表１に示す。

【００３８】表１に示されるように、基板接合面の表面
粗さがＲａ＝０．０３μｍ未満のチップ貼設シートにお
いては、どのような粘着シートを用いてもピックアップ
性は良好であるが、基板接合面の表面粗さがＲａ＝０．
０３μｍのチップ貼設シートにおいては、吸光度が０．
０１以下となる粘着シートを用いなければピックアップ
性は良好にならない。

【００３９】

【発明の効果】本発明のチップ貼設シートは、サブマウ
ントとして使用したときに、高周波の誘電損失が少ない
ばかりでなく、半導体素子を載置して使用した時に発生
する熱を放熱する放熱特性が良好であり、更に使用時に
おける温度差が大きくなっても接合部位が破壊され難く
長期間安定して使用することが可能であるという優れた
特徴を有する「表面ハンダ層の表面粗さがＲａ＝０．０
３〜０．２μｍであるチップ」を、輸送時や保管時には
剥がれてバラバラになることが無く、使用時に容易に剥
がせる（ピックアップできる）適度な粘着力でシートに
貼付されているため、上記チップを取り扱う上で非常に
便利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本図は、本発明のチップ貼設シートで好適に
使用される基板の断面図である。

【図２】 本図は、代表的な本発明のチップ貼設シート
の断面図である。

【符号の説明】

１００：基板 ２００：基体 ２０１：窒化アルミニウム焼結体基板 ２０２：Ｔｉを主成分とする第１下地層 ２０３：白金を主成分とする第２下地層 ２０４：金電極層 ３００：バリヤー層 ４００：ハンダ層 ５００：紫外線硬化型カルボン酸エステル系粘着シート

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 紫外線を照射することにより硬化するカ
   ルボン酸エステル系粘着材からなる粘着材層を表面に有
   する粘着シートの当該粘着材層上に、基板を貼付した後
   に前記粘着シートを切断することなく、該基板を切断し
   て複数のチップとすることにより得られるチップ貼設シ
   ートであって、該チップ貼設シートに貼設されるチップ
   の接合面の表面粗さがＲａ＝０．０３〜０．２μｍであ
   り、該チップ貼設シートに波長３６５ｎｍの紫外線を５
   ００ｍＪ／ｃｍ^２以上照射した後に粘着シートからチッ
   プを剥がした時に得られる当該チップの剥離面に付着す
   る前記粘着材又はその誘導体の量が、当該チップの剥離
   面をフーリエ変換赤外分光光度計法により測定した時に
   １７３０〜１７５０ｃｍ^−１に現れる吸収ピークの吸光
   度で０．０００１〜０．０１となる量であることを特徴
   とするチップ貼設シート。
2. 【請求項２】 請求項１に記載のチップ貼設シートに紫
   外線を照射して得られるチップ貼設シート。
3. 【請求項３】 前記粘着シートの粘着材層上に、表面に
   Ｓｎ又はＩｎを主成分として含有し、且つ金の含有量が
   ２０重量％未満である金属からなり、表面粗さがＲａ＝
   ０．０３〜０．２μｍであるハンダ層が形成された基板
   を該ハンダ層が接合面となるように貼付した後に前記粘
   着シートを切断することなく、該基板を切断して複数の
   チップとすることにより得られる請求項１又は２に記載
   のチップ貼設シート。
4. 【請求項４】 前記基板が表面に金からなる電極層を有
   する窒化アルミニウムを主成分とするセラミックス基板
   の当該電極層上にＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、及びＰｂよりなる
   群より選ばれる少なくとも１種の金属からなる金属層を
   介してＳｎ又はＩｎを主成分として含有し且つ金の含有
   量が２０重量％未満である金属からなり、表面粗さがＲ
   ａ＝０．０３〜０．２μｍであるハンダ層が形成された
   基板であることを特徴とする請求項３に記載のチップ貼
   設シート。
5. 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載されたチ
   ップ貼設シートを製造する方法であって、表面粗さがＲ
   ａ＝０．０３〜０．２μｍである表面を有する基板を当
   該表面が接合面となるように粘着シートに貼付した後に
   上記粘着シートを切断することなく、貼付された基板を
   切断して複数のチップとする工程を含み、且つ粘着シー
   トとして下記Ａ及びＢの条件を満足する粘着シートを使
   用することを特徴とするチップ貼設シートの製造方法。 Ａ．紫外線を照射することにより硬化するカルボン酸エ
   ステル系粘着材からなる粘着材層を表面に有する粘着シ
   ートであること。 Ｂ．粘着シートに接合面となる面の表面粗さがＲａ＝
   ０．０３〜０．２μｍである試験基板を貼付し、次いで
   波長３６５ｎｍの紫外線を５００ｍＪ／ｃｍ^２以上照射
   した後に粘着シートから試験基板を剥がし、得られた試
   験基板の剥離面をフーリエ変換赤外分光光度計法により
   測定した時に１７３０〜１７５０ｃｍ^−１に現れる吸収
   ピークの吸光度が０．０００１〜０．０１となる粘着シ
   ートであること。