JP2003249436A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
て除去する際、残されたレジスト膜端にレジストの盛り
上がりが発生するのを防止する。 【解決手段】 半導体基板外周上のレジストを除去する
工程において、前記半導体基板外周上のレジストを除去
する前に、前記半導体基板を所定の回転数にて一定時間
以上回転させ、前記半導体基板上に形成したレジスト膜
中の残存有機溶剤を十分に乾燥させる工程を有する。ま
た、半導体基板外周上のレジストを除去する工程におい
て、除去されたレジストがレジスト膜中の残存有機溶剤
のため前記半導体基板中心方向に引き込まれる力以上の
遠心力を前記半導体基板外周近辺に生じさせる回転数に
て前記半導体基板を回転させる工程を有する。
Description
技術分野のうち、レジスト塗布方法に関するものであ
る。
て、図面を用いて説明する。
(f)、及び図8(g)、(h)は、従来のレジスト塗
布方法および課題について示したものである。
を、前記半導体基板1下面を真空吸着したスピナ−2を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
6(b)に示すように、前記半導体基板1上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル3から、前記半導体基板1上
にレジスト5を所定量滴下する。次に、図6(c)に示
すように、前記レジスト5を滴下後、前記半導体基板1
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板1上
に滴下された前記レジスト5を振り切り、前記半導体基
板1上に所定の膜厚のレジスト膜6を形成する。次に、
図7(d)に示すように、前記半導体基板1外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル4から有機溶剤7を滴下
する。次に、図7(e)に示すように、前記半導体基板
1を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル4から前記有機溶剤7を滴下しながら、前記半導体基
板1外周外側から前記半導体基板1上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル4を移動させ、前記半導体基
板1外周上の前記レジスト膜6を除去する。次に、図7
(f)に示すように、前記半導体基板1を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル4から前記有機
溶剤7を滴下しながら、前記半導体基板1上の所定の位
置から前記半導体基板1外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル4を移動させ、前記半導体基板1外
周上の前記レジスト膜6をより完全に除去する。次に、
図8(g)に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル4
から滴下していた前記有機溶剤7を止め、前記半導体基
板1の回転を止め、前記半導体基板1上に前記レジスト
膜6を形成し、前記半導体基板1外周上の前記レジスト
膜6を除去する工程を完了する。
ト5を滴下してから、前記有機溶剤7にて前記半導体基
板1外周上の前記レジスト膜6を除去し始めるまでの時
間は、前記半導体基板1上に形成された前記レジスト膜
6の膜厚が安定するまでの20秒であり、前記有機溶剤
7にて前記半導体基板1外周上の前記レジスト膜6を除
去する際の前記半導体基板1の回転数は3000rpm
である。
ジスト塗布方法では、前記半導体基板1外周上の前記レ
ジスト膜6を除去する際、図7(e)に示すように、残
された前記レジスト膜6の端にレジスト膜盛り上がり8
が発生するという課題があった。
スト塗布条件にもよるが、前記従来の技術の条件では、
4.4μmとなり、前記レジスト盛り上がり8から前記
半導体基板1中心方向へ5mm内側へ入った部分の前記
レジスト膜6の膜厚2.8μmに対し1.6μm厚くな
る。
8(h)に示すように、次工程での紫外光9を照射しな
がら前記半導体基板1を熱板10にて加熱する工程に
て、前記レジスト盛り上がり8部に前記レジスト膜6中
に気泡が発生し、前記気泡のため前記レジスト膜6の一
部が前記半導体基板1から剥離し、前記半導体基板1上
の他の部分に剥離した前記レジスト膜6の一部がレジス
ト異物11として付着し、前記半導体基板1上に形成さ
れたパターンに欠陥を生じさせ、前記半導体基板1上に
形成された半導体装置の歩留まりを低下させるという課
題が発生する。
じる課題を解決するもので、前記レジスト膜6端の前記
レジスト膜盛り上がり8のないレジスト塗布方法を提供
することを目的とする。
め、本発明の第1のレジスト塗布方法は、半導体基板外
周上のレジスト膜を除去する工程において、前記半導体
基板外周上の前記レジスト膜を除去する前に、前記半導
体基板を所定の回転数で一定時間以上回転させ、半導体
基板上に形成した前記レジスト膜中の残存有機溶剤を十
分に乾燥させる工程を有するものである。
半導体基板外周上のレジスト膜を除去する工程におい
て、除去された前記レジスト膜の一部が前記レジスト膜
中の残存有機溶剤のため前記半導体基板中心方向に引き
込まれる力以上の遠心力により、前記半導体基板外周外
側へ排出される回転数にて前記半導体基板を回転させる
工程を有するものである。
の実施の形態を図に基づいて説明する。
(f)、及び図3(g)、(h)は本発明のレジスト塗
布方法および効果について示したものであり、図4は本
発明のレジスト塗布方法によるレジスト滴下後から有機
溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除去し始める
までの時間とレジスト膜厚の関係を示したものである。
を、前記半導体基板1下面を真空吸着したスピナ−2を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
1(b)に示すように、前記半導体基板1上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル3から、前記半導体基板1上
にレジスト5を所定量滴下する。次に、図1(c)に示
すように、前記レジスト5を滴下後、前記半導体基板1
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板1上
に滴下された前記レジスト5を振り切り、前記半導体基
板1上に所定の膜厚のレジスト膜6を形成する。次に、
図2(d)に示すように、前記半導体基板1外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル4から有機溶剤7を滴下
する。次に、図2(e)に示すように、前記半導体基板
1を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル4から前記有機溶剤7を滴下しながら、前記半導体基
板1外周外側から前記半導体基板1上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル4を移動させ、前記半導体基
板1外周上のレジスト膜6を除去する。次に、図2
(f)に示すように、前記半導体基板1を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル4から前記有機
溶剤7を滴下しながら、前記半導体基板1上の所定の位
置から前記半導体基板1外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル4を移動させ、前記半導体基板1外
周上の前記レジスト膜6をより完全に除去する。次に、
図3(g)に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル4
から滴下していた前記有機溶剤7を止め、前記半導体基
板1の回転を止め、前記半導体基板1上に前記レジスト
膜6を形成し、前記半導体基板1外周上の前記レジスト
膜6を除去する工程を完了する。
は6インチ(直径150mm)のシリコン基板、前記レ
ジスト5および前記レジスト膜6はJSR製PFR−I
X415、前記有機溶剤7は東京応化工業製OK73シ
ンナーである。
下してから、前記有機溶剤7にて前記半導体基板1外周
上の前記レジスト膜6を除去し始めるまでの時間と前記
半導体基板1上に形成された前記レジスト膜6の膜厚と
の関係を図4に示す。ここで、レジスト膜端部の膜厚と
は、前記レジスト膜6が前記有機溶剤7により除去され
た領域と前記レジスト膜6が残された領域の境目にあた
る部分の前記レジスト膜6の膜厚を示し、平坦部の膜厚
とは、前記レジスト膜端部から前記半導体基板1中心方
向へ5mm内側に入った部分の前記レジスト膜6の膜厚
を示す。
上に前記レジスト5を滴下してから、前記有機溶剤7に
て前記半導体基板1外周上の前記レジスト膜6を除去し
始めるまでの時間を20秒とした場合、平坦部の前記レ
ジスト膜6の膜厚2.8μmに対し、前記レジスト膜6
端部の膜厚は4.4μmとなり、図8(g)に示すよう
な1.6μmのレジスト膜盛り上がり8が発生してい
る。これは、前記半導体基板1上に形成された前記レジ
スト膜6中に、前記レジスト5中に含まれる有機溶剤が
残存し、前記残存有機溶剤のため前記レジスト膜6の乾
燥が不十分となり、前記有機溶剤滴下用ノズル4から前
記有機溶剤7を滴下し、前記半導体基板1外周上の前記
レジスト膜6を除去する際、前記レジスト盛り上がり8
が発生したと考えられる。
ジスト5を滴下してから、前記有機溶剤7にて前記半導
体基板1外周上の前記レジスト膜6を除去し始めるまで
の時間を36秒とした場合、平坦部の前記レジスト膜6
の膜厚2.8μmに対し、前記レジスト膜6端部の膜厚
も2.8μmなり、前記レジスト膜盛り上がり8が消失
している。
よびレジスト膜厚の場合、レジスト膜厚2.8μmを得
るためには、前記半導体基板1上に前記レジスト5を滴
下してから前記半導体基板1を一定回転数で回転させる
時間は20秒でよいが、前記レジスト盛り上がり8の発
生を防止するためには、前記レジスト膜6中の前記残存
有機溶剤を乾燥させる工程として、前記半導体基板1を
さらに16秒以上所定の回転数で回転させる工程を追加
する必要があることを示している。
前記半導体基板1上に前記レジスト5を滴下してから、
前記有機溶剤7にて前記半導体基板1外周上の前記レジ
スト膜6を除去し始めるまでの時間を、前記半導体基板
1上に形成された前記レジスト膜6の膜厚が安定するま
での20秒に加え、前記半導体基板1上に形成された前
記レジスト膜6中に残存する前記有機溶剤を乾燥させる
ために16秒以上を加え、合計36秒以上とした。
記レジスト膜6を、前記有機溶剤滴下用ノズル4から滴
下した前記有機溶剤7にて除去する際、前記レジスト膜
6端の前記レジスト盛り上がり8をなくすことができ
る。
より、図3(h)に示すように、次工程での紫外光9を
前記半導体基板1上方より照射しながら前記半導体基板
1を熱板10にて加熱する工程にて、前記レジスト膜6
中の気泡の発生をなくし、前記レジスト膜6の一部が前
記半導体基板1から剥離することを防止することによ
り、前記半導体基板1上に形成されたパターンに欠陥を
生じさせず、前記半導体基板1上に形成された半導体装
置の歩留まりを安定させることができる。
ジストなどのすべてのレジストの塗布方法について適用
することができ、前記半導体基板1上に前記レジスト5
を滴下してから、前記有機溶剤7にて前記半導体基板1
外周上の前記レジスト膜6を除去し始めるまでの時間
は、前記半導体基板1上に形成された前記レジスト膜6
の膜厚が安定するまでの時間に加え、前記半導体基板1
上に形成された前記レジスト膜6中に残存する有機溶剤
を乾燥させるための時間を加えた合計時間となる。
形態を図に基づいて説明する。
(f)、及び図3(g)、(f)は本発明のレジスト塗
布方法および効果について示したものであり、図5は本
発明のレジスト塗布方法による半導体基板外周レジスト
除去時の半導体基板の回転数とレジスト膜厚との関係を
示したものである。
を、前記半導体基板1下面を真空吸着したスピナ−2を
所定の速さで回転させることより回転させる。次に、図
1(b)に示すように、前記半導体基板1上方に設置さ
れたレジスト滴下用ノズル3から、前記半導体基板1上
にレジスト5を所定量滴下する。次に、図1(c)に示
すように、前記レジスト5を滴下後、前記半導体基板1
をさらに所定の回転数で回転させ、前記半導体基板1上
に滴下された前記レジスト5を振り切り、前記半導体基
板1上に所定の膜厚のレジスト膜6を形成する。次に、
図2(d)に示すように、前記半導体基板1外周外側に
位置する有機溶剤滴下用ノズル4から有機溶剤7を滴下
する。次に、図2(e)に示すように、前記半導体基板
1を所定の回転数で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズ
ル4から前記有機溶剤7を滴下しながら、前記半導体基
板1外周外側から前記半導体基板1上の所定の位置まで
前記有機溶剤滴下用ノズル4を移動させ、前記半導体基
板1外周上の前記レジスト膜6を除去する。次に、図2
(f)に示すように、前記半導体基板1を所定の回転数
で回転させ、前記有機溶剤滴下用ノズル4から前記有機
溶剤7を滴下しながら、前記半導体基板1上の所定の位
置から前記半導体基板1外周外側までの位置まで前記有
機溶剤滴下用ノズル4を移動させ、前記半導体基板1外
周上の前記レジスト膜6をより完全に除去する。次に、
図3(g)に示すように、前記有機溶剤滴下用ノズル4
から滴下していた前記有機溶剤7を止め、前記半導体基
板1の回転を止め、前記半導体基板1上に前記レジスト
膜6を形成し、前記半導体基板1外周上の前記レジスト
膜6を除去する工程を完了する。
は6インチ(直径150mm)のシリコン基板、前記レ
ジスト5および前記レジスト膜6はJSR製PFR−I
X415、前記有機溶剤7は東京応化工業製OK73シ
ンナーである。
上の前記レジスト膜6を除去する際の、前記半導体基板
1の回転数と前記半導体基板1上に形成された前記レジ
スト膜6の膜厚の関係を図5に示す。ここで、レジスト
膜端部の膜厚とは、前記レジスト膜6が前記有機溶剤7
により除去された領域と前記レジスト膜6が残された領
域の境目にあたる部分の前記レジスト膜6の膜厚を示
し、平坦部の膜厚とは、前記レジスト膜端部から前記半
導体基板1中心方向へ5mm内側に入った部分の前記レ
ジスト膜6の膜厚を示す。
て前記半導体基板1外周上の前記レジスト膜6を除去す
る際の前記半導体基板1の回転数が3000rpmの
時、平坦部の前記レジスト膜6の膜厚2.8μmに対
し、前記レジスト膜6端部の膜厚は4.4μmとなり、
図8(g)に示すような1.6μmの前記レジスト膜盛
り上がり8が発生している。これは、前記半導体基板1
上に形成された前記レジスト膜6中に、前記レジスト5
中に含まれる有機溶剤が残存している状態で、前記有機
溶剤滴下用ノズル4から前記有機溶剤7を滴下し、前記
半導体基板1外周上の前記レジスト膜6を除去する際、
前記レジスト膜6中の残存有機溶剤のため、除去された
前記レジスト膜6の一部が前記半導体基板1中心方向に
引き込まれ、この現象により前記レジスト盛り上がり8
が発生したと考えられる。
体基板1外周上の前記レジスト膜6を除去する際の前記
半導体基板1の回転数が7000rpmの時には、平坦
部の前記レジスト膜6の膜厚2.8μmに対し、前記レ
ジスト膜6端部の膜厚も2.8μmとなり、前記レジス
ト膜盛り上がり8が消失している。
よび目標レジスト膜厚の場合、前記有機溶剤7にて前記
半導体基板1外周上の前記レジスト膜6を除去する際の
前記半導体基板1の回転数が3000rpmでは前記半
導体基板1外周近辺の遠心力が小さいため、前記レジス
ト膜6中の残存有機溶剤により、除去された前記レジス
ト膜6の一部が前記半導体基板1中心方向に引き込まれ
前記レジスト盛り上がり8が発生するが、前記有機溶剤
7にて前記半導体基板1外周上の前記レジスト膜6を除
去する際の前記半導体基板1の回転数が7000rpm
では前記半導体基板1外周近辺の遠心力が大きくなるた
め、前記レジスト膜6中に残存有機溶剤があっても、除
去された前記レジスト膜6の一部が前記半導体基板1中
心方向に引き込まず、前記レジスト盛り上がり8の発生
を防止できることを示している。
前記有機溶剤7にて前記半導体基板1外周上の前記レジ
スト膜6を除去する際の前記半導体基板1の回転数を7
000rpm以上とした。
記レジスト膜6を、前記有機溶剤滴下用ノズル4から滴
下した前記有機溶剤7にて除去する際、前記レジスト膜
6端の前記レジスト盛り上がり8をなくすことができ
る。
より、図3(h)に示すように、次工程での紫外光9を
前記半導体基板1上方より照射しながら前記半導体基板
1を熱板10にて加熱する工程にて、前記レジスト膜6
中の気泡の発生をなくし、前記レジスト膜6の一部が前
記半導体基板1から剥離することを防止することによ
り、前記半導体基板1上に形成されたパターンに欠陥を
生じさせず、前記半導体基板1上に形成された半導体装
置の歩留まりを安定させることができる。
ジストなどのすべてのレジストの塗布方法について適用
することができ、前記有機溶剤7にて前記半導体基板1
外周上の前記レジスト膜6を除去する際の前記半導体基
板1の回転数は、前記レジスト膜6中の残存有機溶剤に
より除去された前記レジスト膜6の一部が前記半導体基
板1中心部に引き込まれる力より大きな遠心力を前記半
導体基板1外周近辺に発生させる回転数以上となる。
導体基板上にレジストを滴下してから、有機溶剤にて半
導体基板外周上のレジスト膜を除去し始めるまでの時間
を、半導体基板上に形成されたレジスト膜の膜厚が安定
するまでの時間に加え、半導体基板上に形成されたレジ
スト膜中に残存する有機溶剤を十分に乾燥させるための
時間を加えた時間以上に設定することにより、半導体基
板外周上のレジスト膜を、有機溶剤滴下用ノズルから滴
下した有機溶剤にて除去する際、レジスト膜端のレジス
ト盛り上がりをなくすことができる。
に、有機溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除去
する際の半導体基板の回転数を、レジスト膜中の残存有
機溶剤のため除去されたレジスト膜の一部が半導体基板
中心方向に引き込まれる力より大きな遠心力を半導体基
板外周近辺に発生させる回転数以上とすることにより、
半導体基板外周上のレジスト膜を、有機溶剤滴下用ノズ
ルから滴下した有機溶剤にて除去する際、レジスト膜端
のレジスト盛り上がりをなくすことができる。
膜端のレジスト盛り上がりをなくすことにより、次工程
での紫外光を半導体基板上方より照射しながら半導体基
板を熱板にて加熱する工程にて、レジスト膜中の気泡の
発生をなくし、レジスト膜の一部が半導体基板から剥離
することを防止することにより、半導体基板上に形成さ
れたパターンに欠陥を生じさせず、半導体基板上に形成
された半導体装置の歩留まりを安定させることができ
る。
後から有機溶剤にて半導体基板外周上のレジスト膜を除
去し始めるまでの時間とレジスト膜厚の関係を示す図
周レジスト除去時の半導体基板の回転数とレジスト膜厚
の関係を示す図
Claims (3)
- 【請求項1】 一定回転数で回転させている半導体基板
上にレジストを滴下し、前記半導体基板上にレジスト膜
を形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に前記半
導体基板をさらに一定時間回転させる第2の工程と、前
記第2の工程の後に前記半導体基板を一定回転数で回転
させながら、前記半導体基板外周外側から外周の一定距
離内側まで、ノズルから有機溶剤を滴下しながら前記ノ
ズルを動かし、前記半導体基板外周上の前記レジスト膜
を除去する第3の工程とを有することを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項2】 前記記載の第2の工程は、前記レジスト
膜中の残存有機溶剤が乾燥する時間以上保持されること
を特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 前記記載の第3の工程は、除去された前
記レジスト膜の一部が前記半導体基板中心方向に引き込
まれる力以上の遠心力により前記半導体基板外周外側へ
排出される回転数を保持することを特徴とする請求項1
記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002049109A JP2003249436A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
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---|---|---|---|
JP2002049109A JP2003249436A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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2002
- 2002-02-26 JP JP2002049109A patent/JP2003249436A/ja active Pending
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