JP2005197455A - 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 - Google Patents
半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005197455A JP2005197455A JP2004002113A JP2004002113A JP2005197455A JP 2005197455 A JP2005197455 A JP 2005197455A JP 2004002113 A JP2004002113 A JP 2004002113A JP 2004002113 A JP2004002113 A JP 2004002113A JP 2005197455 A JP2005197455 A JP 2005197455A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- pure water
- development processing
- dropping
- rotated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】 半導体基板上のフォトレジストを現像した後、半導体基板を低速と中速の2段階の回転速度で回転させて洗浄工程を実施し、低速回転よりも極めて低い回転速度で半導体基板を回転させることで半導体基板上の純水のパドルを形成し、その後半導体基板を前記の中速回転よりも高速で回転させて乾燥工程を実施する。
【選択図】 図2
Description
前記半導体基板にリンス液として純水を滴下しながら、前記半導体基板を第1の回転数で回転させ、さらに該第1の回転数よりも多い第2の回転数で前記半導体基板を回転させる洗浄工程と、
前記半導体基板の回転数を前記第1の回転数よりも少ない第3の回転数まで減少させ、前記純水の滴下を中止することで前記半導体基板上に前記純水のパドルを形成する工程と、
前記第3の回転数で前記半導体基板を回転させている状態から、前記第2の回転数よりも多い第4の回転数で前記半導体基板を回転させることで前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程と、を含むことを特徴とする。
図1は本発明の第1の実施の形態による現像処理装置の概略構成を示す図である。
次に、第2の実施の形態について説明する。本実施形態の現像処理装置は第1の実施の形態と同一の装置を用いており、ここでは装置構成の説明は割愛する。
2 半導体基板
3 フォトレジスト膜
4 回転軸
5 スピンチャック
6 現像液
7 現像液供給ノズル
8 リンス液供給ノズル
9 現像カップ
Claims (6)
- 現像処理されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させながら、該半導体基板の洗浄および乾燥を行う、半導体製造プロセスにおける現像処理方法において、
前記半導体基板にリンス液として純水を滴下しながら、前記半導体基板を回転させて前記半導体基板上にある現像液を洗浄する洗浄工程と、
前記半導体基板の回転数を減少させ、前記純水の滴下を中止することで前記半導体基板上に前記純水のパドルを形成する工程と、
前記純水のパドルが形成された前記半導体基板の回転数を増加させることで前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程と、を含むことを特徴とする半導体製造プロセスにおける現像処理方法。 - 前記純水のパドルを形成する工程で、前記純水の滴下を行うノズルを前記半導体基板の上方から退避させる、請求項1に記載の現像処理方法。
- 現像処理されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を回転させながら、該半導体基板の洗浄および乾燥を行う、半導体製造プロセスにおける現像処理方法において、
前記半導体基板にリンス液として純水を滴下しながら、前記半導体基板を第1の回転数で回転させ、さらに該第1の回転数よりも多い第2の回転数で前記半導体基板を回転させる洗浄工程と、
前記半導体基板の回転数を前記第1の回転数よりも少ない第3の回転数まで減少させ、前記純水の滴下を中止することで前記半導体基板上に前記純水のパドルを形成する工程と、
前記第3の回転数で前記半導体基板を回転させている状態から、前記第2の回転数よりも多い第4の回転数で前記半導体基板を回転させることで前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程と、を含むことを特徴とする、半導体製造プロセスにおける現像処理方法。 - 前記第3の回転数で前記半導体基板を回転させている間に、前記純水の滴下を行うノズルを前記半導体基板の上方から退避させる、請求項3に記載の現像処理方法。
- 前記乾燥工程において、前記半導体基板の回転数が前記第3の回転数から前記第4の回転数に達するまでの時間が長い請求項3または4に記載の現像処理方法。
- 請求項1から5のいずれかの現像処理方法を実施する現像処理装置であって、
現像処理されたフォトレジスト膜を有する半導体基板を保持する保持手段と、前記半導体基板の前記フォトレジスト膜を上方に向けた状態で前記保持手段を回転する回転手段とを容器内に備え、前記純水の滴下を行うノズルが前記半導体基板の上方と前記容器の外との間を移動自在である現像処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004002113A JP4342957B2 (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004002113A JP4342957B2 (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005197455A true JP2005197455A (ja) | 2005-07-21 |
JP4342957B2 JP4342957B2 (ja) | 2009-10-14 |
Family
ID=34817436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004002113A Expired - Fee Related JP4342957B2 (ja) | 2004-01-07 | 2004-01-07 | 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4342957B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009071027A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009231619A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
WO2011118600A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置 |
TWI559101B (zh) * | 2008-03-24 | 2016-11-21 | 斯克林半導體科技股份有限公司 | 顯影裝置及顯影方法 |
CN113341661A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-03 | 无锡职业技术学院 | 一种新型的光刻显影工艺 |
-
2004
- 2004-01-07 JP JP2004002113A patent/JP4342957B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009071027A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
US10134610B2 (en) | 2007-09-13 | 2018-11-20 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate processing method for drying a substrate by discharging gas to liquid layer on the substrate while rotating the substrate |
JP2009231619A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Sokudo Co Ltd | 現像装置および現像方法 |
TWI559101B (zh) * | 2008-03-24 | 2016-11-21 | 斯克林半導體科技股份有限公司 | 顯影裝置及顯影方法 |
WO2011118600A1 (ja) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体ウエハー接合体の製造方法、半導体ウエハー接合体および半導体装置 |
CN113341661A (zh) * | 2021-06-23 | 2021-09-03 | 无锡职业技术学院 | 一种新型的光刻显影工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4342957B2 (ja) | 2009-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4947711B2 (ja) | 現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
JP2007019161A (ja) | パターン形成方法及び被膜形成装置 | |
JP6654534B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2008060104A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP4342957B2 (ja) | 半導体デバイス製造プロセスにおける現像処理方法およびこれを実施する現像処理装置 | |
JP2009004597A (ja) | 基板現像方法および現像装置 | |
JP3899854B2 (ja) | 現像方法 | |
JP5262829B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP3708433B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005101497A (ja) | 現像方法 | |
JP3719843B2 (ja) | 基板処理方法 | |
TWI588624B (zh) | 負顯影處理方法及負顯影處理裝置 | |
KR20120060374A (ko) | 웨이퍼 트랙 장치 및 이를 이용한 포토 레지스트 도포 방법 | |
JP2010278204A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JPH0246464A (ja) | 現像方法 | |
JP2008182018A (ja) | 半導体装置製造方法 | |
JP4492931B2 (ja) | フォトレジストパターンの形成方法 | |
JP2006073854A (ja) | フォトレジスト液の塗布方法、フォトレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法 | |
TWI578115B (zh) | 負型顯影處理方法及負型顯影處理裝置 | |
JP2004063796A (ja) | 平板状角型基板の裏面洗浄装置 | |
JPH0855781A (ja) | 現像方法 | |
JPH10199791A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
TW201037759A (en) | Semiconductor cleaning method and apparatus and controlling method of the same | |
JP2001118778A (ja) | 薬液処理方法及び装置 | |
JP2000223457A (ja) | 半導体装置の洗浄方法及び洗浄装置、及び半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Effective date: 20060203 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20090325 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Effective date: 20090521 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090610 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20090708 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120717 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130717 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |