JP2003243584A - 半導体装置 - Google Patents
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、ベース板と放熱フィンとの間に
熱伝導性グリースを介在させて両者を結合した半導体装
置において、ベース板と放熱フィンとをボルトで結合す
る際に、ベース板と放熱フィンとの接合面のシリコング
リースの膜厚を均一にでき、絶縁基板に加わる応力が抑
制され、信頼性を向上できる半導体装置を得る。 【解決手段】 ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対
向面側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴
又は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位
置よりも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は
上記複数の第２の取付け穴に近接した複数の凹部を備
え、上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、
上記複数の第１の取付け穴及び上記複数の第２の取付け
穴の位置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数
の凹部に逃がすようにしたものである。
熱伝導性グリースを介在させて両者を結合した半導体装
置において、ベース板と放熱フィンとをボルトで結合す
る際に、ベース板と放熱フィンとの接合面のシリコング
リースの膜厚を均一にでき、絶縁基板に加わる応力が抑
制され、信頼性を向上できる半導体装置を得る。 【解決手段】 ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対
向面側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴
又は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位
置よりも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は
上記複数の第２の取付け穴に近接した複数の凹部を備
え、上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、
上記複数の第１の取付け穴及び上記複数の第２の取付け
穴の位置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数
の凹部に逃がすようにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ベース板と放熱
フィンとの間に熱伝導性グリースを介在させて両者を結
合した半導体装置に関するものである。
フィンとの間に熱伝導性グリースを介在させて両者を結
合した半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３１は、例えば特開２０００−２２８
４９０号公報に示された従来の半導体装置を示す断面図
であり、図において、１は表面側１ａにチップ２が搭載
された絶縁基板、３はこの絶縁基板１を収納するケー
ス、４は上記絶縁基板１の裏面側１ｂに表面側４ａが接
合されると共に、上記ケース３の一端３ａに接着材（図
示せず）とネジ（図示せず）で接合され、外周側に上記
複数の取付け穴４ｂが形成されたベース板、６はこのベ
ース板４の裏面側４ｃに接合され、上記複数の取付け穴
４ｂに対向する複数の取付けねじ穴６ａが形成された放
熱フィン、７は上記複数の取付け穴４ｂを貫通して上記
複数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース板４と
上記放熱フィン６とを結合するネジ部材を構成する複数
のボルトである。
４９０号公報に示された従来の半導体装置を示す断面図
であり、図において、１は表面側１ａにチップ２が搭載
された絶縁基板、３はこの絶縁基板１を収納するケー
ス、４は上記絶縁基板１の裏面側１ｂに表面側４ａが接
合されると共に、上記ケース３の一端３ａに接着材（図
示せず）とネジ（図示せず）で接合され、外周側に上記
複数の取付け穴４ｂが形成されたベース板、６はこのベ
ース板４の裏面側４ｃに接合され、上記複数の取付け穴
４ｂに対向する複数の取付けねじ穴６ａが形成された放
熱フィン、７は上記複数の取付け穴４ｂを貫通して上記
複数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース板４と
上記放熱フィン６とを結合するネジ部材を構成する複数
のボルトである。
【０００３】この構成においては、上記表面側４ａに上
記絶縁基板１が接合された上記ベース板４に、上記ケー
ス３の一端３ａが接着材（図示せず）とネジ（図示せ
ず）で結合される。更に、上記ベース板４の裏面側４ｃ
に、上記放熱フィン６が接合される。次いで、上記複数
のボルト７が上記複数の取付け穴４ｂを貫通して上記複
数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース板４が上
記放熱フィン６に結合される。このように、上記ベース
板４と上記放熱フィン６が接合され、上記ベース板４の
熱は上記放熱フィン６へと放熱される。ところで、上記
ベース板４の裏面側４ｃと、この裏面側４ｃに対向する
上記放熱フィン６の対向面側６ｂには、通常の加工方法
では凹凸が存在するため、放熱効果が低下しようとす
る。そこで、図３２のように、ベース板４の裏面側４ｃ
には全面に熱伝導性グリースとしてシリコングリース５
が塗布され、このシリコングリース５を介して放熱フィ
ン６が結合される。従って、上記ベース板４の熱は効果
的に放熱フィン６に放熱される。
記絶縁基板１が接合された上記ベース板４に、上記ケー
ス３の一端３ａが接着材（図示せず）とネジ（図示せ
ず）で結合される。更に、上記ベース板４の裏面側４ｃ
に、上記放熱フィン６が接合される。次いで、上記複数
のボルト７が上記複数の取付け穴４ｂを貫通して上記複
数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース板４が上
記放熱フィン６に結合される。このように、上記ベース
板４と上記放熱フィン６が接合され、上記ベース板４の
熱は上記放熱フィン６へと放熱される。ところで、上記
ベース板４の裏面側４ｃと、この裏面側４ｃに対向する
上記放熱フィン６の対向面側６ｂには、通常の加工方法
では凹凸が存在するため、放熱効果が低下しようとす
る。そこで、図３２のように、ベース板４の裏面側４ｃ
には全面に熱伝導性グリースとしてシリコングリース５
が塗布され、このシリコングリース５を介して放熱フィ
ン６が結合される。従って、上記ベース板４の熱は効果
的に放熱フィン６に放熱される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置は、
上記ベース板４の裏面側４ｃの全面に上記シリコングリ
ース５を塗布して上記放熱フィン６を合せ、上記複数の
ボルト７を介して上記ベース板４と上記放熱フィン６と
が結合されるが、上記ボルト７を螺合する際に、上記ベ
ース板４と上記放熱フィン６との接合面の内側の上記シ
リコングリース５は周囲に押し出されることになる。と
ころが、ベース板４の裏面側４ｃにおいて、図３３に示
すように、上記複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側位
置に存在する上記シリコングリース５ａは周囲に押し出
される際に、上記ボルト７で塞き止められ、上記複数の
取付け穴４ｂの位置よりも内側に滞留し、その部分の上
記シリコングリース５ａは他の部分よりも膜厚が厚くな
る。このような状態で上記ボルト７を螺合すると上記ベ
ース板４に反りが生じ、上記ベース板４に接合されてい
る上記絶縁基板１に応力が加わり、その応力に起因し、
長期間を経ると上記絶縁基板１にクラックが発生する恐
れがあるという問題を有していた。
上記ベース板４の裏面側４ｃの全面に上記シリコングリ
ース５を塗布して上記放熱フィン６を合せ、上記複数の
ボルト７を介して上記ベース板４と上記放熱フィン６と
が結合されるが、上記ボルト７を螺合する際に、上記ベ
ース板４と上記放熱フィン６との接合面の内側の上記シ
リコングリース５は周囲に押し出されることになる。と
ころが、ベース板４の裏面側４ｃにおいて、図３３に示
すように、上記複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側位
置に存在する上記シリコングリース５ａは周囲に押し出
される際に、上記ボルト７で塞き止められ、上記複数の
取付け穴４ｂの位置よりも内側に滞留し、その部分の上
記シリコングリース５ａは他の部分よりも膜厚が厚くな
る。このような状態で上記ボルト７を螺合すると上記ベ
ース板４に反りが生じ、上記ベース板４に接合されてい
る上記絶縁基板１に応力が加わり、その応力に起因し、
長期間を経ると上記絶縁基板１にクラックが発生する恐
れがあるという問題を有していた。
【０００５】本発明は、上記のような問題点を解消する
ためになされたものであり、ボルト７を螺合する際に、
ベース板４と放熱フィン６との接合面のシリコングリー
ス５の膜厚を均一にでき、絶縁基板１に加わる応力が抑
制され、信頼性を向上できる半導体装置を提供すること
を目的とする。
ためになされたものであり、ボルト７を螺合する際に、
ベース板４と放熱フィン６との接合面のシリコングリー
ス５の膜厚を均一にでき、絶縁基板１に加わる応力が抑
制され、信頼性を向上できる半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明に係わる半導
体装置は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面
側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又は
上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置よ
りも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上記
複数の第２の取付け穴に近接した複数の凹部を備え、上
記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複
数の第１の取付け穴及び上記複数の第２の取付け穴の位
置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数の凹部
に逃がすようにしたものである。
体装置は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面
側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又は
上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置よ
りも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上記
複数の第２の取付け穴に近接した複数の凹部を備え、上
記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複
数の第１の取付け穴及び上記複数の第２の取付け穴の位
置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数の凹部
に逃がすようにしたものである。
【０００７】さらに、第２の発明に係わる半導体装置
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部を外方に連通さ
せる連通部で構成されているものである。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部を外方に連通さ
せる連通部で構成されているものである。
【０００８】さらに、第３の発明に係わる半導体装置
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部で構成され、この窪み部の端部
は外方に開口されているものである。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部で構成され、この窪み部の端部
は外方に開口されているものである。
【０００９】さらに、第４の発明に係わる半導体装置
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部に連続して形成
されて外方に貫通した貫通部とで構成されているもので
ある。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部に連続して形成
されて外方に貫通した貫通部とで構成されているもので
ある。
【００１０】さらに、第５の発明に係わる半導体装置
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部に対向して上記
放熱フィンの上記対向面側、又は上記ベース板の裏面側
に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部で構成
されているものである。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部に対向して上記
放熱フィンの上記対向面側、又は上記ベース板の裏面側
に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部で構成
されているものである。
【００１１】さらに、第６の発明に係わる半導体装置
は、凹部は、放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々
に、その延在方向に連続して連通し、複数のネジ部材の
先端位置よりも深い位置まで併設されているものであ
る。
は、凹部は、放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々
に、その延在方向に連続して連通し、複数のネジ部材の
先端位置よりも深い位置まで併設されているものであ
る。
【００１２】さらに、第７の発明に係わる半導体装置
は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面側に於
いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又は上記放
熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置よりも内
側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の
第２の取付け穴に近接して夫々形成され、上記ベース板
の裏面側と上記放熱フィンの対向面側との接合面を外方
に連通させる複数の貫通部を備え、上記ベース板と上記
放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の取付け
穴及び上記複数の第２の取付け穴の位置よりも内側位置
近傍の熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に逃がすよ
うにしたものである。
は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面側に於
いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又は上記放
熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置よりも内
側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の
第２の取付け穴に近接して夫々形成され、上記ベース板
の裏面側と上記放熱フィンの対向面側との接合面を外方
に連通させる複数の貫通部を備え、上記ベース板と上記
放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の取付け
穴及び上記複数の第２の取付け穴の位置よりも内側位置
近傍の熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に逃がすよ
うにしたものである。
【００１３】さらに、第８の発明に係わる半導体装置
は、ベース板の裏面側における複数の第１の取付け穴の
夫々の位置よりも内側位置に近接して夫々形成され、上
記ベース板を上記裏面側から表面側に貫通する複数の貫
通部を形成すると共に、ケースには上記複数の貫通部を
外方に連通する連通部を形成し、上記ベース板と上記放
熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の取付け穴
の位置よりも内側位置近傍の熱伝導性グリースを上記複
数の貫通部に逃がすようにしたものである。
は、ベース板の裏面側における複数の第１の取付け穴の
夫々の位置よりも内側位置に近接して夫々形成され、上
記ベース板を上記裏面側から表面側に貫通する複数の貫
通部を形成すると共に、ケースには上記複数の貫通部を
外方に連通する連通部を形成し、上記ベース板と上記放
熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の取付け穴
の位置よりも内側位置近傍の熱伝導性グリースを上記複
数の貫通部に逃がすようにしたものである。
【００１４】さらに、第９の発明に係わる半導体装置
は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面側に設
けられて上記ベース板の複数の第１の取付け穴又は上記
放熱フィンの複数の第２の取付け穴に略同心で連設さ
れ、上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の第２の取
付け穴よりも大口径の複数の凹部を備え、上記ベース板
と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の
取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グリース
を上記複数の凹部に逃がすようにしたものである。
は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面側に設
けられて上記ベース板の複数の第１の取付け穴又は上記
放熱フィンの複数の第２の取付け穴に略同心で連設さ
れ、上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の第２の取
付け穴よりも大口径の複数の凹部を備え、上記ベース板
と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の
取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グリース
を上記複数の凹部に逃がすようにしたものである。
【００１５】さらに、第１０の発明に係わる半導体装置
は、熱伝導性グリースとして、シリコングリースを１０
０μｍから２００μｍの厚みの範囲で塗布すると共に、
ベース板の裏面側と放熱フィンの対向面側との接合部
は、平面度が−１００μｍ〜＋１５０μｍの範囲、又は
表面仕上げが１２ｓ以内に形成したものである。
は、熱伝導性グリースとして、シリコングリースを１０
０μｍから２００μｍの厚みの範囲で塗布すると共に、
ベース板の裏面側と放熱フィンの対向面側との接合部
は、平面度が−１００μｍ〜＋１５０μｍの範囲、又は
表面仕上げが１２ｓ以内に形成したものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】実施の形態１．この発明の実施の
形態１を図１ないし図３により説明する。なお、図１は
半導体装置の断面図、図２はその部分拡大断面図、図３
は図１のベース板の底面図である。図において、１は表
面側１ａにチップ２が搭載された絶縁基板、３はこの絶
縁基板１を収納するケース、４は上記絶縁基板１の裏面
側１ｂに表面側４ａが接合されると共に、上記ケース３
の一端３ａに接着材（図示せず）とネジ（図示せず）で
接合され、外周側に上記複数の取付け穴４ｂが形成され
たベース板であり、裏面側４ｃの全面に熱伝導性グリー
スとしてシリコングリース５が塗布されている。４ｄは
上記複数の取付け穴４ｂの内側位置に形成された溝から
なる凹部である。６はこのベース板４の裏面側４ｃがシ
リコングリース５を介して接合され、上記複数の取付け
穴４ｂに対向する複数の取付けねじ穴６ａが形成された
放熱フィン、７は上記複数の取付け穴４ｂを貫通して上
記複数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース板４
と上記放熱フィン６とを結合するネジ部材を構成する複
数のボルトである。８は上記ケース３内に注入されたゲ
ル、９はこのゲル８の上に注入された樹脂、１０は上記
ケース３内を封止するフタである。
形態１を図１ないし図３により説明する。なお、図１は
半導体装置の断面図、図２はその部分拡大断面図、図３
は図１のベース板の底面図である。図において、１は表
面側１ａにチップ２が搭載された絶縁基板、３はこの絶
縁基板１を収納するケース、４は上記絶縁基板１の裏面
側１ｂに表面側４ａが接合されると共に、上記ケース３
の一端３ａに接着材（図示せず）とネジ（図示せず）で
接合され、外周側に上記複数の取付け穴４ｂが形成され
たベース板であり、裏面側４ｃの全面に熱伝導性グリー
スとしてシリコングリース５が塗布されている。４ｄは
上記複数の取付け穴４ｂの内側位置に形成された溝から
なる凹部である。６はこのベース板４の裏面側４ｃがシ
リコングリース５を介して接合され、上記複数の取付け
穴４ｂに対向する複数の取付けねじ穴６ａが形成された
放熱フィン、７は上記複数の取付け穴４ｂを貫通して上
記複数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース板４
と上記放熱フィン６とを結合するネジ部材を構成する複
数のボルトである。８は上記ケース３内に注入されたゲ
ル、９はこのゲル８の上に注入された樹脂、１０は上記
ケース３内を封止するフタである。
【００１７】この構成においては、上記一面側４ａに上
記絶縁基板１が接合された上記ベース板４に、上記ケー
ス３の一端３ａが接着材（図示せず）とネジ（図示せ
ず）で結合される。更に、図３に示すように、上記ベー
ス板４の裏面側４ｃの全面に、上記シリコングリース５
が塗布され、上記放熱フィン６が接合される。次いで、
上記複数のボルト７が上記複数の取付け穴４ｂを貫通し
て上記複数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース
板４が上記放熱フィン６に結合される。ところで、上記
ベース板４の裏面側４ｃの全面に上記シリコングリース
５を塗布して上記放熱フィン６を合せ、上記複数のボル
ト７を介して上記ベース板４と上記放熱フィン６とが結
合されるが、上記ボルト７を螺合する際に、上記ベース
板４と上記放熱フィン６との接合面の内側の上記シリコ
ングリース５ａは周囲に押し出されることになる。ここ
で、図３に示すように、上記複数の取付け穴４ｂの内側
位置には上記凹部４ｄが形成されているので、上記複数
の取付け穴４ｂの位置よりも内側位置に存在する上記シ
リコングリース５ａは上記凹部４ｄに流れ込むことにな
る。従って、上記シリコングリース５ａは上記ボルト７
で塞き止められることがなくなり、上記シリコングリー
ス５の膜厚は全面が均一になる。このため、上記ボルト
７を螺合した際には、上記ベース板４の反りが防止さ
れ、上記ベース板４に接合されている上記絶縁基板１へ
の応力が抑制され、上記絶縁基板１はクラックの発生が
防止される。また、一方では、上記ベース板４と上記放
熱フィン６は上記シリコングリース５を介して全面が均
一に接合されるので、上記ベース板４の熱は上記放熱フ
ィン６へと効果的に放熱される。
記絶縁基板１が接合された上記ベース板４に、上記ケー
ス３の一端３ａが接着材（図示せず）とネジ（図示せ
ず）で結合される。更に、図３に示すように、上記ベー
ス板４の裏面側４ｃの全面に、上記シリコングリース５
が塗布され、上記放熱フィン６が接合される。次いで、
上記複数のボルト７が上記複数の取付け穴４ｂを貫通し
て上記複数の取付けねじ穴６ａに螺合され、上記ベース
板４が上記放熱フィン６に結合される。ところで、上記
ベース板４の裏面側４ｃの全面に上記シリコングリース
５を塗布して上記放熱フィン６を合せ、上記複数のボル
ト７を介して上記ベース板４と上記放熱フィン６とが結
合されるが、上記ボルト７を螺合する際に、上記ベース
板４と上記放熱フィン６との接合面の内側の上記シリコ
ングリース５ａは周囲に押し出されることになる。ここ
で、図３に示すように、上記複数の取付け穴４ｂの内側
位置には上記凹部４ｄが形成されているので、上記複数
の取付け穴４ｂの位置よりも内側位置に存在する上記シ
リコングリース５ａは上記凹部４ｄに流れ込むことにな
る。従って、上記シリコングリース５ａは上記ボルト７
で塞き止められることがなくなり、上記シリコングリー
ス５の膜厚は全面が均一になる。このため、上記ボルト
７を螺合した際には、上記ベース板４の反りが防止さ
れ、上記ベース板４に接合されている上記絶縁基板１へ
の応力が抑制され、上記絶縁基板１はクラックの発生が
防止される。また、一方では、上記ベース板４と上記放
熱フィン６は上記シリコングリース５を介して全面が均
一に接合されるので、上記ベース板４の熱は上記放熱フ
ィン６へと効果的に放熱される。
【００１８】なお、この実施の形態１では、凹部４ｄを
溝で構成したもので説明したが、シリコングリース５ａ
が流れ込む構成であればよく、図４のように複数個の円
状の凹部４ｅでも良く、形状には特に限定するものでは
無い。更に、ベース板４に凹部４ｄを構成したもので説
明したが、図５のように、ベース板４の裏面側４ｃに対
向する放熱フィン６の対向面側６ｂに凹部６ｃを設けて
もよく、また、上記シリコングリース５を上記ベース板
４の裏面側４ｃの全面に塗布した構成で説明したが、上
記ベース板４の裏面側４ｃに対向した上記放熱フィン６
の対向面側６ｂに塗布しても良い。更にまた、上記ベー
ス板４と上記放熱フィン６の双方に設けてもよい。
溝で構成したもので説明したが、シリコングリース５ａ
が流れ込む構成であればよく、図４のように複数個の円
状の凹部４ｅでも良く、形状には特に限定するものでは
無い。更に、ベース板４に凹部４ｄを構成したもので説
明したが、図５のように、ベース板４の裏面側４ｃに対
向する放熱フィン６の対向面側６ｂに凹部６ｃを設けて
もよく、また、上記シリコングリース５を上記ベース板
４の裏面側４ｃの全面に塗布した構成で説明したが、上
記ベース板４の裏面側４ｃに対向した上記放熱フィン６
の対向面側６ｂに塗布しても良い。更にまた、上記ベー
ス板４と上記放熱フィン６の双方に設けてもよい。
【００１９】実施の形態２．この発明の実施の形態２を
図６により説明する。なお、図６は放熱フィンの平面図
である。図において、６ｃは放熱フィン６におけるベー
ス板４との対向面側６ｂにおいて、放熱フィン６の複数
の取付け穴６ａの位置よりも内側位置に設けられた凹部
であり、その端部６ｄは一点鎖線で示すベース板４の位
置よりも外方に開口している。この構成では、ボルト７
を螺合する際に、上記ベース板４と上記放熱フィン６と
の接合面の内側の上記シリコングリース５ａは周囲に押
し出されることになるが、上記複数の取付け穴６ａの内
側位置には上記凹部６ｃが形成されているので、上記複
数の取付け穴６ａの位置よりも内側位置に存在する上記
シリコングリース５ａは上記凹部６ｃに流れ込もうとす
る。ここで、上記凹部６ｃの端部６ｄはベース板４の位
置よりも外方に開口しているので、上記凹部６ｃ内は大
気圧に維持されており、上記シリコングリース５は上記
凹部６ｃへと容易に流れ込むことになる。従って、ベー
ス板４と放熱フィン６の間で上記シリコングリース５の
膜厚は速やかに均一化され、作業性が向上することにな
る。
図６により説明する。なお、図６は放熱フィンの平面図
である。図において、６ｃは放熱フィン６におけるベー
ス板４との対向面側６ｂにおいて、放熱フィン６の複数
の取付け穴６ａの位置よりも内側位置に設けられた凹部
であり、その端部６ｄは一点鎖線で示すベース板４の位
置よりも外方に開口している。この構成では、ボルト７
を螺合する際に、上記ベース板４と上記放熱フィン６と
の接合面の内側の上記シリコングリース５ａは周囲に押
し出されることになるが、上記複数の取付け穴６ａの内
側位置には上記凹部６ｃが形成されているので、上記複
数の取付け穴６ａの位置よりも内側位置に存在する上記
シリコングリース５ａは上記凹部６ｃに流れ込もうとす
る。ここで、上記凹部６ｃの端部６ｄはベース板４の位
置よりも外方に開口しているので、上記凹部６ｃ内は大
気圧に維持されており、上記シリコングリース５は上記
凹部６ｃへと容易に流れ込むことになる。従って、ベー
ス板４と放熱フィン６の間で上記シリコングリース５の
膜厚は速やかに均一化され、作業性が向上することにな
る。
【００２０】実施の形態３．この発明の実施の形態３を
図７と図８により説明する。なお、図７はベース板の側
面図、図８はその底面図である。図において、４ｄはベ
ース板４の複数の取付け穴４ｂの内側位置に形成された
溝からなる凹部であり、その一方の端部４ｆはベース板
４の外周に開口している。この構成では、ベース板４は
上記凹部４ｄの位置の薄肉部分４ｇがベース板４の外周
まで延在しているので、薄肉部分４ｇが弾性を有するこ
とになり、ボルト７を螺合する際に、上記ベース板４の
反りが抑制され、上記ベース板４に接合されている上記
絶縁基板１への応力が一層緩和される。なお、発明の実
施の形態３では、凹部４ｄをベース板４側に設けたもで
説明したが、放熱フィンにおけるベース板４との対向面
側に凹部を設けても同様の効果を奏する。また、更に、
図９に示すように凹部４ｄの両端をベース板４の外周に
開口させた構成では複数の取付け穴４ｂの周囲を薄肉部
分（図示せず）が取り囲むので、薄肉部分の弾性効果が
向上し、この弾性効果と上記シリコングリース５の均一
化との相乗効果で、上記ベース板４に接合されている上
記絶縁基板１への応力の集中を抑制できる。
図７と図８により説明する。なお、図７はベース板の側
面図、図８はその底面図である。図において、４ｄはベ
ース板４の複数の取付け穴４ｂの内側位置に形成された
溝からなる凹部であり、その一方の端部４ｆはベース板
４の外周に開口している。この構成では、ベース板４は
上記凹部４ｄの位置の薄肉部分４ｇがベース板４の外周
まで延在しているので、薄肉部分４ｇが弾性を有するこ
とになり、ボルト７を螺合する際に、上記ベース板４の
反りが抑制され、上記ベース板４に接合されている上記
絶縁基板１への応力が一層緩和される。なお、発明の実
施の形態３では、凹部４ｄをベース板４側に設けたもで
説明したが、放熱フィンにおけるベース板４との対向面
側に凹部を設けても同様の効果を奏する。また、更に、
図９に示すように凹部４ｄの両端をベース板４の外周に
開口させた構成では複数の取付け穴４ｂの周囲を薄肉部
分（図示せず）が取り囲むので、薄肉部分の弾性効果が
向上し、この弾性効果と上記シリコングリース５の均一
化との相乗効果で、上記ベース板４に接合されている上
記絶縁基板１への応力の集中を抑制できる。
【００２１】実施の形態４．この発明の実施の形態４を
図１０と図１１により説明する。なお、図１０はベース
板の底面図、図１１は図１０のＸＩ−ＸＩ線における断
面図である。図において、４ｈは凹部４ｄに連続し、ベ
ース板４を貫通した貫通部である。この構成では、凹部
４ｄに連続する貫通部４ｈは、凹部４ｄの開口面側から
離間するので、複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側位
置に存在する上記シリコングリース５ａが上記凹部４ｄ
全面に流れ込んでも、貫通部４ｈを塞ぐことが無いの
で、凹部４ｄ内を大気圧に維持でき、上記シリコングリ
ース５が凹部４ｄ内に円滑に流入され、シリコングリー
ス５の膜厚を全面で均一にできる。なお、この発明の実
施の形態４では、ベース板４側に凹部４ｄと、この凹部
４ｄに連続する貫通部４ｈを設けたもので説明したが、
放熱フィン側に凹部とこの凹部に連続する貫通部を設け
ても同様の効果を奏する。
図１０と図１１により説明する。なお、図１０はベース
板の底面図、図１１は図１０のＸＩ−ＸＩ線における断
面図である。図において、４ｈは凹部４ｄに連続し、ベ
ース板４を貫通した貫通部である。この構成では、凹部
４ｄに連続する貫通部４ｈは、凹部４ｄの開口面側から
離間するので、複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側位
置に存在する上記シリコングリース５ａが上記凹部４ｄ
全面に流れ込んでも、貫通部４ｈを塞ぐことが無いの
で、凹部４ｄ内を大気圧に維持でき、上記シリコングリ
ース５が凹部４ｄ内に円滑に流入され、シリコングリー
ス５の膜厚を全面で均一にできる。なお、この発明の実
施の形態４では、ベース板４側に凹部４ｄと、この凹部
４ｄに連続する貫通部４ｈを設けたもので説明したが、
放熱フィン側に凹部とこの凹部に連続する貫通部を設け
ても同様の効果を奏する。
【００２２】実施の形態５．この発明の実施の形態５を
図１２と図１３により説明する。なお、図１２はベース
板の底面図、図１３は放熱フィンの平面図である。図に
おいて、４ｄはベース板４の複数の取付け穴４ｂの内側
位置に形成された溝からなる凹部、６ｃはこの凹部４ｄ
に少なくとの一部が対面して放熱フィン６における複数
の取付け穴６ａの位置よりも内側位置に設けられた凹部
であり、上記その端部６ｄは一点鎖線で示すベース板４
の位置よりも外方に開口している。この構成ではベース
板４側の凹部４ｄと放熱フィン６側の凹部６ｃの双方に
複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側位置に存在する上
記シリコングリース５ａが流れ込むので、上記シリコン
グリース５の膜厚を容易に全面に均一化できる。
図１２と図１３により説明する。なお、図１２はベース
板の底面図、図１３は放熱フィンの平面図である。図に
おいて、４ｄはベース板４の複数の取付け穴４ｂの内側
位置に形成された溝からなる凹部、６ｃはこの凹部４ｄ
に少なくとの一部が対面して放熱フィン６における複数
の取付け穴６ａの位置よりも内側位置に設けられた凹部
であり、上記その端部６ｄは一点鎖線で示すベース板４
の位置よりも外方に開口している。この構成ではベース
板４側の凹部４ｄと放熱フィン６側の凹部６ｃの双方に
複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側位置に存在する上
記シリコングリース５ａが流れ込むので、上記シリコン
グリース５の膜厚を容易に全面に均一化できる。
【００２３】この発明の実施の形態５では、ベース板４
側に凹部４ｄを設け、この凹部４ｄに対向する放熱フィ
ン６の凹部６ｃの端部６ｄが外方に開放されたものにつ
いて説明したが、図１４のように、ベース板４の複数の
取付け穴４ｂの内側位置に溝からなる凹部４ｄを設け、
この凹部４ｄの端部４ｆをベース板４の外周に開口させ
ると共に、図１５のように上記凹部４ｄに少なくとの一
部が対面するように放熱フィン６における複数の取付け
穴６ａの位置よりも内側位置に凹部６ｃを設けた構成で
も同様の効果を奏する。
側に凹部４ｄを設け、この凹部４ｄに対向する放熱フィ
ン６の凹部６ｃの端部６ｄが外方に開放されたものにつ
いて説明したが、図１４のように、ベース板４の複数の
取付け穴４ｂの内側位置に溝からなる凹部４ｄを設け、
この凹部４ｄの端部４ｆをベース板４の外周に開口させ
ると共に、図１５のように上記凹部４ｄに少なくとの一
部が対面するように放熱フィン６における複数の取付け
穴６ａの位置よりも内側位置に凹部６ｃを設けた構成で
も同様の効果を奏する。
【００２４】実施の形態６．この発明の実施の形態６を
図１６と図１７により説明する。なお、図１６はベース
板の底面図、図１７は放熱フィンの平面図である。図に
おいて、４ｄはベース板４の複数の取付け穴４ｂの内側
位置に形成された溝からなる凹部、６ｅはこの凹部４ｄ
に少なくとの一部が対面して放熱フィン６における複数
の取付け穴６ａの位置よりも内側位置を貫通する貫通部
である。この構成では一方が凹部４ｄで他方が貫通部６
ｅの組み合わせであり、貫通部６ｅは両者の組立て前に
加工される。従って、シリコングリース５を塗布する構
成では貫通部６ｅを加工して設け、シリコングリース５
を塗布しない構成では貫通部６ｅの加工を省略すればよ
く、これらの２者に対して同一の放熱フィン６を共用で
きることになる。なお、この発明の実施の形態６では、
ベース板４側に凹部４ｄを設け、放熱フィン６側に貫通
部６ｅを設けたものについて説明したが、ベース板４側
に貫通部を設け、放熱フィン６側に凹部を設けた構成で
も同様の効果を奏する。
図１６と図１７により説明する。なお、図１６はベース
板の底面図、図１７は放熱フィンの平面図である。図に
おいて、４ｄはベース板４の複数の取付け穴４ｂの内側
位置に形成された溝からなる凹部、６ｅはこの凹部４ｄ
に少なくとの一部が対面して放熱フィン６における複数
の取付け穴６ａの位置よりも内側位置を貫通する貫通部
である。この構成では一方が凹部４ｄで他方が貫通部６
ｅの組み合わせであり、貫通部６ｅは両者の組立て前に
加工される。従って、シリコングリース５を塗布する構
成では貫通部６ｅを加工して設け、シリコングリース５
を塗布しない構成では貫通部６ｅの加工を省略すればよ
く、これらの２者に対して同一の放熱フィン６を共用で
きることになる。なお、この発明の実施の形態６では、
ベース板４側に凹部４ｄを設け、放熱フィン６側に貫通
部６ｅを設けたものについて説明したが、ベース板４側
に貫通部を設け、放熱フィン６側に凹部を設けた構成で
も同様の効果を奏する。
【００２５】実施の形態７．この発明の実施の形態７を
図１８と図１９により説明する。なお、図１８は半導体
装置の断面図、図１９は放熱フィンの平面図である。図
において、６ｆは放熱フィン６の複数の第２の取付け穴
６ａよりも内側位置において、上記複数の取付け穴６ａ
の延在方向に連続して上記複数の取付け穴６ａに連通し
た凹部であり、複数のボルト７の先端位置Ｈ１よりも深
い位置Ｈ２まで複数の取付け穴６ａに併設されている。
この構成では、凹部６ｆの深さが複数のボルト７の先端
位置Ｈ１よりも深い位置Ｈ２まで併設されているので、
凹部６ｆ内は大気に維持されるので、シリコングリース
５は容易に凹部６ｆ内に流入でき、また、凹部６ｆは複
数の取付け穴６ａに連通しているので、シリコングリー
ス５がボルト７にも付着し、シリコングリース５がボル
ト７の緩み止めとしての効果を奏することになる。
図１８と図１９により説明する。なお、図１８は半導体
装置の断面図、図１９は放熱フィンの平面図である。図
において、６ｆは放熱フィン６の複数の第２の取付け穴
６ａよりも内側位置において、上記複数の取付け穴６ａ
の延在方向に連続して上記複数の取付け穴６ａに連通し
た凹部であり、複数のボルト７の先端位置Ｈ１よりも深
い位置Ｈ２まで複数の取付け穴６ａに併設されている。
この構成では、凹部６ｆの深さが複数のボルト７の先端
位置Ｈ１よりも深い位置Ｈ２まで併設されているので、
凹部６ｆ内は大気に維持されるので、シリコングリース
５は容易に凹部６ｆ内に流入でき、また、凹部６ｆは複
数の取付け穴６ａに連通しているので、シリコングリー
ス５がボルト７にも付着し、シリコングリース５がボル
ト７の緩み止めとしての効果を奏することになる。
【００２６】実施の形態８．この発明の実施の形態８を
図２０により説明する。なお、図２０はベース板の底面
図である。図において、４ｈはベース板４の複数の取付
け穴４ｂの内側位置に形成された複数の貫通部である。
この構成では、例えば、きり加工などで適宜の個数だけ
形成するものであり、加工が容易となる。また、夫々の
貫通部４ｈが個別に大気と連通しているので、シリコン
グリース５を容易に流入させることができ、シリコング
リース５の膜厚を容易に均一化できる。なお、上記構成
ではベース板４に貫通部４ｈを形成したが、図２１のよ
うに放熱フィン６の複数の第２の取付け穴６ａよりも内
側位置に貫通部６ｅを形成しても同様の効果を奏する。
図２０により説明する。なお、図２０はベース板の底面
図である。図において、４ｈはベース板４の複数の取付
け穴４ｂの内側位置に形成された複数の貫通部である。
この構成では、例えば、きり加工などで適宜の個数だけ
形成するものであり、加工が容易となる。また、夫々の
貫通部４ｈが個別に大気と連通しているので、シリコン
グリース５を容易に流入させることができ、シリコング
リース５の膜厚を容易に均一化できる。なお、上記構成
ではベース板４に貫通部４ｈを形成したが、図２１のよ
うに放熱フィン６の複数の第２の取付け穴６ａよりも内
側位置に貫通部６ｅを形成しても同様の効果を奏する。
【００２７】実施の形態９．この発明の実施の形態９を
図２２ないし図２４により説明する。なお、図２２は半
導体装置の部分断面図、図２３はベース板の部分底面
図、図２４はケースの部分底面図である。図において、
３ｂはベース板４の複数の取付け穴４ｂに対応してケー
ス３を貫通する複数の取付け穴、３ｃはこの複数の取付
け穴３ｂの内側位置に形成され、上記ケース３を貫通し
た複数の貫通部、４ｈはベース板４の複数の取付け穴４
ｂの内側位置に形成された複数の貫通部、４ｈは上記ベ
ース板４の複数の取付け穴４ｂの内側位置に形成され、
上記貫通部３ｃに連通した複数の貫通部である。この構
成ではケース３とベース板４と放熱フィン６がボルト７
で結合される構造でもシリコングリース５を貫通部４ｈ
に円滑に流入させることができ、シリコングリース５の
膜厚を容易に均一化できることになる。なお、構成で
は、ケース３に貫通部３ｃを設けてベース４の貫通部４
ｄに連通させているが、図２５と図２６に示すようにケ
ース３には上記ベース４の貫通部４ｈに連通する凹部３
ｄを設け、その端部３ｅを上記ケース３の外周で開口し
た構成でも良い。
図２２ないし図２４により説明する。なお、図２２は半
導体装置の部分断面図、図２３はベース板の部分底面
図、図２４はケースの部分底面図である。図において、
３ｂはベース板４の複数の取付け穴４ｂに対応してケー
ス３を貫通する複数の取付け穴、３ｃはこの複数の取付
け穴３ｂの内側位置に形成され、上記ケース３を貫通し
た複数の貫通部、４ｈはベース板４の複数の取付け穴４
ｂの内側位置に形成された複数の貫通部、４ｈは上記ベ
ース板４の複数の取付け穴４ｂの内側位置に形成され、
上記貫通部３ｃに連通した複数の貫通部である。この構
成ではケース３とベース板４と放熱フィン６がボルト７
で結合される構造でもシリコングリース５を貫通部４ｈ
に円滑に流入させることができ、シリコングリース５の
膜厚を容易に均一化できることになる。なお、構成で
は、ケース３に貫通部３ｃを設けてベース４の貫通部４
ｄに連通させているが、図２５と図２６に示すようにケ
ース３には上記ベース４の貫通部４ｈに連通する凹部３
ｄを設け、その端部３ｅを上記ケース３の外周で開口し
た構成でも良い。
【００２８】実施の形態１０．この発明の実施の形態１
０を図２７と図２８により説明する。なお、図２７は半
導体装置の部分断面図、図２８はベース板の部分裏面図
である。図において、４ｄはベース板４の他面側４ｃに
設けられて上記ベース板４の複数の取付け穴４ｂに略同
心で位置し、上記複数の取付け穴４ｂよりも大口径の複
数の凹部であり、その端部４ｆは上記ベース板４の外周
に開口して上記複数の凹部４ｂを外気に連通させてい
る。この構成では凹部４ｄがボルト７の外周に位置する
ことになり、上記ベース板４と放熱フィン６とを結合す
る際に、上記複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側近傍
のシリコングリース５をボルト７で遮られる前に、上記
複数の凹部４ｂに逃がすことができ、シリコングリース
５の膜厚を極めて容易に均一化できる。
０を図２７と図２８により説明する。なお、図２７は半
導体装置の部分断面図、図２８はベース板の部分裏面図
である。図において、４ｄはベース板４の他面側４ｃに
設けられて上記ベース板４の複数の取付け穴４ｂに略同
心で位置し、上記複数の取付け穴４ｂよりも大口径の複
数の凹部であり、その端部４ｆは上記ベース板４の外周
に開口して上記複数の凹部４ｂを外気に連通させてい
る。この構成では凹部４ｄがボルト７の外周に位置する
ことになり、上記ベース板４と放熱フィン６とを結合す
る際に、上記複数の取付け穴４ｂの位置よりも内側近傍
のシリコングリース５をボルト７で遮られる前に、上記
複数の凹部４ｂに逃がすことができ、シリコングリース
５の膜厚を極めて容易に均一化できる。
【００２９】実施の形態１１．この発明の実施の形態１
１を図２９と図３０で説明する。なお、図２９は半導体
装置の部分断面図、図３０は放熱フィンの部分平面図で
ある。図において、６ｃは放熱フィン６に設けられて上
記放熱フィン６の複数の取付け穴６ａに略同心で位置
し、上記複数の取付け穴６ａよりも大口径の複数の凹部
であり、その端部６ｄは上記ベース板４の外周位置より
も外方に開口して上記複数の凹部６ｃを外気に連通させ
ている。この構成ではベース板４よりも大形の放熱フィ
ン６に凹部６ｃを設けるものであるため、凹部６ｃの寸
法を任意に設定できる。なお、実施の形態１０と実施の
形態１１では複数の凹部４ｂ又は複数の凹部６ｃの端部
４ｆ又は端部６ｄが外気に連通されているが、必ずしも
端部４ｆ又は端部６ｄは外気に開放しなくても良い。
１を図２９と図３０で説明する。なお、図２９は半導体
装置の部分断面図、図３０は放熱フィンの部分平面図で
ある。図において、６ｃは放熱フィン６に設けられて上
記放熱フィン６の複数の取付け穴６ａに略同心で位置
し、上記複数の取付け穴６ａよりも大口径の複数の凹部
であり、その端部６ｄは上記ベース板４の外周位置より
も外方に開口して上記複数の凹部６ｃを外気に連通させ
ている。この構成ではベース板４よりも大形の放熱フィ
ン６に凹部６ｃを設けるものであるため、凹部６ｃの寸
法を任意に設定できる。なお、実施の形態１０と実施の
形態１１では複数の凹部４ｂ又は複数の凹部６ｃの端部
４ｆ又は端部６ｄが外気に連通されているが、必ずしも
端部４ｆ又は端部６ｄは外気に開放しなくても良い。
【００３０】実施の形態１２．この発明の実施の形態１
２では、図１に示されるように、上記ベース板４の裏面
側４ｃ全面又は上記ベース板４の裏面側４ｃに対向した
上記放熱フィン６の対向面側６ｂに塗布する熱伝導性グ
リースとして、シリコングリース５が１００μｍ〜２０
０μｍの厚みの範囲で均一に塗布されている。また、ベ
ース板４の裏面側４ｃと放熱フィン６の対向面側６ｂと
の接合面は、平面度が−１００μｍ〜＋１５０μｍの範
囲、又は表面仕上げが１２ｓ以内で構成されている。こ
の構成では、シリコングリース５を１００μｍ〜２００
μｍの厚みの範囲で設けているので、上記ベース板４と
上記放熱フィン６の接触面の腐食が防止される。また、
ベース板４と放熱フィン６の接合面が、平面度が−１０
０μｍ〜＋１５０μｍの範囲、又は表面仕上げが１２ｓ
以内で構成されているので、接触面積を有効に確保でき
る。
２では、図１に示されるように、上記ベース板４の裏面
側４ｃ全面又は上記ベース板４の裏面側４ｃに対向した
上記放熱フィン６の対向面側６ｂに塗布する熱伝導性グ
リースとして、シリコングリース５が１００μｍ〜２０
０μｍの厚みの範囲で均一に塗布されている。また、ベ
ース板４の裏面側４ｃと放熱フィン６の対向面側６ｂと
の接合面は、平面度が−１００μｍ〜＋１５０μｍの範
囲、又は表面仕上げが１２ｓ以内で構成されている。こ
の構成では、シリコングリース５を１００μｍ〜２００
μｍの厚みの範囲で設けているので、上記ベース板４と
上記放熱フィン６の接触面の腐食が防止される。また、
ベース板４と放熱フィン６の接合面が、平面度が−１０
０μｍ〜＋１５０μｍの範囲、又は表面仕上げが１２ｓ
以内で構成されているので、接触面積を有効に確保でき
る。
【００３１】
【発明の効果】この発明は、以上のように構成されてい
るので、以下に示すような効果を奏する。
るので、以下に示すような効果を奏する。
【００３２】ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又
は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置
よりも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上
記複数の第２の取付け穴に近接した複数の凹部を備え、
上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記
複数の第１の取付け穴及び上記複数の第２の取付け穴の
位置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数の凹
部に逃がすようにしたので、上記熱伝導性グリースはネ
ジ部材で塞き止められることがなくなり、上記熱伝導性
グリースの膜厚は全面を均一にでき、上記ネジ部材を螺
合した際には、上記ベース板の反りが防止され、上記ベ
ース板に接合されている絶縁基板への応力が抑制され、
上記絶縁基板のクラックの発生が防止される。また、更
に、上記ベース板と上記放熱フィンは上記熱伝導性グリ
ースを介して全面が均一に接合されるので、上記ベース
板の接触熱抵抗を最小にでき、上記放熱フィンの放熱効
果を向上できる効果がある。
面側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又
は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置
よりも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上
記複数の第２の取付け穴に近接した複数の凹部を備え、
上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記
複数の第１の取付け穴及び上記複数の第２の取付け穴の
位置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数の凹
部に逃がすようにしたので、上記熱伝導性グリースはネ
ジ部材で塞き止められることがなくなり、上記熱伝導性
グリースの膜厚は全面を均一にでき、上記ネジ部材を螺
合した際には、上記ベース板の反りが防止され、上記ベ
ース板に接合されている絶縁基板への応力が抑制され、
上記絶縁基板のクラックの発生が防止される。また、更
に、上記ベース板と上記放熱フィンは上記熱伝導性グリ
ースを介して全面が均一に接合されるので、上記ベース
板の接触熱抵抗を最小にでき、上記放熱フィンの放熱効
果を向上できる効果がある。
【００３３】凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィ
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部を外方
に連通する連通部で構成されているので、上記凹部内は
大気圧で維持され、熱伝導性グリースは上記凹部へと容
易に流れ込むことになり、上記ベース板と上記放熱フィ
ンの間で上記熱伝導性グリースの膜厚を速やかに均一化
でき、組立時の作業性を向上できる効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部を外方
に連通する連通部で構成されているので、上記凹部内は
大気圧で維持され、熱伝導性グリースは上記凹部へと容
易に流れ込むことになり、上記ベース板と上記放熱フィ
ンの間で上記熱伝導性グリースの膜厚を速やかに均一化
でき、組立時の作業性を向上できる効果がある。
【００３４】凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィ
ンの対向面側に形成された窪み部で構成され、この窪み
部の端部が外方に開口されており、上記ベース板は上記
凹部の位置の薄肉部分が上記ベース板の外周まで形成さ
れるので、薄肉部分が弾性を有することになり、ネジ部
材を螺合する際に、上記ベース板の反りが防止され、上
記ベース板に接合されている絶縁基板への応力が、薄肉
部分の弾性効果と、熱伝導性グリースの膜厚の均一化と
の相乗効果で一層緩和される効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部で構成され、この窪み
部の端部が外方に開口されており、上記ベース板は上記
凹部の位置の薄肉部分が上記ベース板の外周まで形成さ
れるので、薄肉部分が弾性を有することになり、ネジ部
材を螺合する際に、上記ベース板の反りが防止され、上
記ベース板に接合されている絶縁基板への応力が、薄肉
部分の弾性効果と、熱伝導性グリースの膜厚の均一化と
の相乗効果で一層緩和される効果がある。
【００３５】凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィ
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に連続
して形成されて外方に貫通した貫通部とで構成されてい
るので、上記凹部に連続する貫通部は、上記凹部の開口
面側から離間することになり、熱伝導性グリースが上記
凹部全面に流れ込んでも、上記貫通部を塞ぐことが無い
ので、凹部内を大気圧に維持でき、上記熱伝導性グリー
スを上記凹部内に円滑に流入でき、シリコングリースの
膜厚を全面において均一化できる効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に連続
して形成されて外方に貫通した貫通部とで構成されてい
るので、上記凹部に連続する貫通部は、上記凹部の開口
面側から離間することになり、熱伝導性グリースが上記
凹部全面に流れ込んでも、上記貫通部を塞ぐことが無い
ので、凹部内を大気圧に維持でき、上記熱伝導性グリー
スを上記凹部内に円滑に流入でき、シリコングリースの
膜厚を全面において均一化できる効果がある。
【００３６】凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィ
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に対向
して上記放熱フィンの対向面側、又は上記ベース板の裏
面側に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部で
構成されているので、上記ベース板側の凹部と上記放熱
フィン側の凹部の双方に熱伝導性グリースが流れ込むこ
とになり、上記熱伝導性グリースの全面において膜厚を
容易に均一化できる効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に対向
して上記放熱フィンの対向面側、又は上記ベース板の裏
面側に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部で
構成されているので、上記ベース板側の凹部と上記放熱
フィン側の凹部の双方に熱伝導性グリースが流れ込むこ
とになり、上記熱伝導性グリースの全面において膜厚を
容易に均一化できる効果がある。
【００３７】凹部は、放熱フィンの複数の第２の取付け
穴の夫々に、その延在方向に連続して連通し、複数のネ
ジ部材の先端位置よりも深い位置まで併設されているの
で、上記凹部内は大気に維持されるので、熱伝導性グリ
ースは容易に上記凹部内に流入でき、熱伝導性グリース
がネジ部材にも付着して緩み止めとして作用する効果が
ある。
穴の夫々に、その延在方向に連続して連通し、複数のネ
ジ部材の先端位置よりも深い位置まで併設されているの
で、上記凹部内は大気に維持されるので、熱伝導性グリ
ースは容易に上記凹部内に流入でき、熱伝導性グリース
がネジ部材にも付着して緩み止めとして作用する効果が
ある。
【００３８】ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又
は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置
よりも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上
記複数の第２の取付け穴に近接して夫々形成され、上記
ベース板の裏面側と上記放熱フィンの対向面側との接合
面を外方に連通させる複数の貫通部を備え、上記ベース
板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１
の取付け穴及び上記複数の第２の取付け穴の位置よりも
内側位置近傍の熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に
逃がすようにしたので、貫通部はきり加工などで適宜の
個数だけ形成でき、加工が容易となる効果がある。
面側に於いて、上記ベース板の複数の第１の取付け穴又
は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴の夫々の位置
よりも内側に位置し、上記複数の第１の取付け穴又は上
記複数の第２の取付け穴に近接して夫々形成され、上記
ベース板の裏面側と上記放熱フィンの対向面側との接合
面を外方に連通させる複数の貫通部を備え、上記ベース
板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１
の取付け穴及び上記複数の第２の取付け穴の位置よりも
内側位置近傍の熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に
逃がすようにしたので、貫通部はきり加工などで適宜の
個数だけ形成でき、加工が容易となる効果がある。
【００３９】ベース板の裏面側における複数の第１の取
付け穴の夫々の位置よりも内側位置に近接して夫々形成
され、上記ベース板を上記裏面側から表面側に貫通する
複数の貫通部を形成すると共に、ケースには上記複数の
貫通部を外方に連通する連通部を形成し、上記ベース板
と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の
取付け穴の位置よりも内側位置近傍の熱伝導性グリース
を上記複数の貫通部に逃がすようにしたので、上記ケー
スと上記ベース板と上記放熱フィンがネジ部材で結合さ
れる構造でも上記熱伝導性グリースを貫通部に円滑に流
入させることができ、上記熱伝導性グリースの膜厚を容
易に均一化できる効果がある。
付け穴の夫々の位置よりも内側位置に近接して夫々形成
され、上記ベース板を上記裏面側から表面側に貫通する
複数の貫通部を形成すると共に、ケースには上記複数の
貫通部を外方に連通する連通部を形成し、上記ベース板
と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の
取付け穴の位置よりも内側位置近傍の熱伝導性グリース
を上記複数の貫通部に逃がすようにしたので、上記ケー
スと上記ベース板と上記放熱フィンがネジ部材で結合さ
れる構造でも上記熱伝導性グリースを貫通部に円滑に流
入させることができ、上記熱伝導性グリースの膜厚を容
易に均一化できる効果がある。
【００４０】ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に設けられて上記ベース板の複数の第１の取付け穴
又は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴に略同心で
連設され、上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の第
２の取付け穴よりも大口径の複数の凹部を備え、上記ベ
ース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の
第１の取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グ
リースを上記複数の凹部に逃がすようにしたので、凹部
がネジ部材の外周に位置されることになり、上記ベース
板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１
の取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グリー
スがネジ部材で遮られる前に、上記複数の凹部へと逃が
すことができ、膜厚を極めて容易に均一化できる効果が
ある。
面側に設けられて上記ベース板の複数の第１の取付け穴
又は上記放熱フィンの複数の第２の取付け穴に略同心で
連設され、上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の第
２の取付け穴よりも大口径の複数の凹部を備え、上記ベ
ース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の
第１の取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グ
リースを上記複数の凹部に逃がすようにしたので、凹部
がネジ部材の外周に位置されることになり、上記ベース
板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１
の取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グリー
スがネジ部材で遮られる前に、上記複数の凹部へと逃が
すことができ、膜厚を極めて容易に均一化できる効果が
ある。
【００４１】熱伝導性グリースとして、シリコングリー
スが１００μｍ〜２００μｍの膜厚みの範囲で塗布され
ているので、上記シリコングリースによってベース板と
放熱フィンの接触面の腐食が防止されると共に、長期に
亘って経年変化が防止されるので、放熱効果を長期間維
持できる効果があり、更には、ベース板の裏面側と放熱
フィンの対向面側との接合部は、平面度が−１００μｍ
〜＋１５０μｍの範囲、又は表面仕上げが１２ｓ以内に
形成されているので、接触面積を有効に確保でき、接触
熱抵抗を最小にでき、放熱効果を最大限に確保できる効
果がある。
スが１００μｍ〜２００μｍの膜厚みの範囲で塗布され
ているので、上記シリコングリースによってベース板と
放熱フィンの接触面の腐食が防止されると共に、長期に
亘って経年変化が防止されるので、放熱効果を長期間維
持できる効果があり、更には、ベース板の裏面側と放熱
フィンの対向面側との接合部は、平面度が−１００μｍ
〜＋１５０μｍの範囲、又は表面仕上げが１２ｓ以内に
形成されているので、接触面積を有効に確保でき、接触
熱抵抗を最小にでき、放熱効果を最大限に確保できる効
果がある。
【図１】 この発明の実施の形態１を示す半導体装置の
断面図である。
断面図である。
【図２】 この発明の実施の形態１を示す半導体装置の
部分拡大断面図である。
部分拡大断面図である。
【図３】 この発明の実施の形態１を示すベース板の底
面図である。
面図である。
【図４】 この発明の実施の形態１の他の形態を示すベ
ース板の部分底面図である。
ース板の部分底面図である。
【図５】 この発明の実施の形態１の他の形態を示す半
導体装置の部分断面図である。
導体装置の部分断面図である。
【図６】 この発明の実施の形態２を示す放熱フィンの
平面図である。
平面図である。
【図７】 この発明の実施の形態３を示すベース板の側
面図である。
面図である。
【図８】 この発明の実施の形態３を示すベース板の底
面図である。
面図である。
【図９】 この発明の実施の形態３の他の形態を示すベ
ース板の部分底面図である。
ース板の部分底面図である。
【図１０】 この発明の実施の形態４を示すベース板の
部分底面図である。
部分底面図である。
【図１１】 この発明の実施の形態４を示すベース板の
ＸＩ−ＸＩ線における部分断面図である。
ＸＩ−ＸＩ線における部分断面図である。
【図１２】 この発明の実施の形態５を示すベース板の
部分底面図である。
部分底面図である。
【図１３】 この発明の実施の形態５を示す放熱フィン
の部分平面図である。
の部分平面図である。
【図１４】 この発明の実施の形態５の他の形態を示す
ベース板の部分底面図である。
ベース板の部分底面図である。
【図１５】 この発明の実施の形態５の他の形態を示す
放熱フィンの部分平面図である。
放熱フィンの部分平面図である。
【図１６】 この発明の実施の形態６を示すベース板の
部分底面図である。
部分底面図である。
【図１７】 この発明の実施の形態６を示す放熱フィン
の部分平面図である。
の部分平面図である。
【図１８】 この発明の実施の形態７を示す半導体装置
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図１９】 この発明の実施の形態７を示す放熱フィン
の部分平面図である。
の部分平面図である。
【図２０】 この発明の実施の形態８を示すベース板の
部分底面図である。
部分底面図である。
【図２１】 この発明の実施の形態８の他の形態を示す
放熱フィンの部分平面図である。
放熱フィンの部分平面図である。
【図２２】 この発明の実施の形態９を示す半導体装置
の部分断面図である。
の部分断面図である。
【図２３】 この発明の実施の形態９を示すベース板の
部分底面図である。
部分底面図である。
【図２４】 この発明の実施の形態９を示すケースの部
分底面図である。
分底面図である。
【図２５】 この発明の実施の形態９の他の形態を示す
半導体装置の部分断面図である。
半導体装置の部分断面図である。
【図２６】 この発明の実施の形態９の他の形態を示す
ケースの部分底面図である。
ケースの部分底面図である。
【図２７】 この発明の実施の形態１０を示す半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図２８】 この発明の実施の形態１０を示すベース板
の部分底面図である。
の部分底面図である。
【図２９】 この発明の実施の形態１１を示す半導体装
置の部分断面図である。
置の部分断面図である。
【図３０】 この発明の実施の形態１１を示す放熱フィ
ンの部分平面図である。
ンの部分平面図である。
【図３１】 従来の半導体装置の断面図である。
【図３２】 従来の半導体装置の断面図である。
【図３３】 従来の半導体装置のベース板の底面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板、１ａ 表面側、２ チップ、３ ケー
ス、３ｃ，４ｈ，６ｅ 貫通部、３ｄ，４ｄ，６ｃ，６
ｆ 凹部、３ｅ，４ｆ，６ｄ 端部、４ ベース板、４
ｂ 取付け穴、４ｃ 裏面側、５ シリコングリース、
６ 放熱フィン、６ａ 取付けねじ穴、６ｂ 対向面側、７ ボルト。
ス、３ｃ，４ｈ，６ｅ 貫通部、３ｄ，４ｄ，６ｃ，６
ｆ 凹部、３ｅ，４ｆ，６ｄ 端部、４ ベース板、４
ｂ 取付け穴、４ｃ 裏面側、５ シリコングリース、
６ 放熱フィン、６ａ 取付けねじ穴、６ｂ 対向面側、７ ボルト。
Claims (10)
- 【請求項１】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第１の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側に接合され、上記絶
縁基板を内側に収納するケース、上記ベース板の裏面側
に接合され、上記複数の第１の取付け穴に対向する複数
の第２の取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース
板の裏面側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放
熱フィンの対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及
び上記複数の第１の取付け穴と、上記複数の第２の取付
け穴とに挿入され、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する複数のネジ部材を備えた半導体装置において、
上記ベース板の上記裏面側、又は上記放熱フィンの対向
面側に設けられて上記複数の第１の取付け穴又は上記複
数の第２の取付け穴の夫々の位置よりも内側に位置し、
上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の第２の取付け
穴に近接した複数の凹部を備え、上記ベース板と上記放
熱フィンとを結合する際に、上記複数の第１の取付け穴
の位置よりも内側位置近傍の上記熱伝導性グリースを上
記複数の凹部に逃がすようにしたことを特長とする半導
体装置。 - 【請求項２】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部を外
方に連通させる連通部で構成されていることを特徴とす
る請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部で構成され、この窪
み部の端部は外方に開口されていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項４】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に連
続して形成されて外方に貫通した貫通部とで構成されて
いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に対
向して上記放熱フィンの対向面側、又は上記ベース板の
裏面側に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部
で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半
導体装置。 - 【請求項６】 凹部は、放熱フィンの複数の第２の取付
け穴の夫々に、その延在方向に連続して連通し、複数の
ネジ部材の先端位置よりも深い位置まで併設されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項７】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第１の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側に接合され、上記絶
縁基板を内側に収納するケース、上記ベース板の裏面側
に接合され、上記複数の第１の取付け穴に対向する複数
の第２の取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース
板の裏面側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放
熱フィンの対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及
び上記複数の第１の取付け穴と、上記複数の第２の取付
け穴とに挿入され、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する複数のネジ部材を備えた半導体装置において、
上記ベース板の裏面側、又は上記放熱フィンの対向面側
における上記複数の第１の取付け穴、又は上記複数の第
２の取付け穴の夫々の位置よりも内側位置に近接して夫
々形成され、上記ベース板の裏面側と上記放熱フィンの
対向面側との接合面を外方に連通させた複数の貫通部を
備え、上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際
に、上記複数の第１の取付け穴の位置よりも内側位置近
傍の上記熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に逃がす
ようにしたことを特長とする半導体装置。 - 【請求項８】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第１の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側において上記複数の
第１の取付け穴に対向する複数の第３の取付け穴を有し
て上記ベース板の表面側に接合され、上記絶縁基板を内
側に収納するケース、上記ベース板の裏面側に接合さ
れ、上記複数の第１の取付け穴に対向する複数の第２の
取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース板の裏面
側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放熱フィン
の対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及び上記複
数の第１の取付け穴と、上記複数の第２の取付け穴と、
上記複数の第３の取付け穴とに挿入され、上記ベース板
と上記ケースと上記放熱フィンとを結合する複数のネジ
部材を備えた半導体装置において、上記ベース板の裏面
側における上記複数の第１の取付け穴の夫々の位置より
も内側位置に近接して夫々形成され、上記ベース板を上
記裏面側から上記表面側に貫通する複数の貫通部を形成
すると共に、上記ケースには上記複数の貫通部を外方に
連通する連通部を形成し、上記ベース板と上記放熱フィ
ンとを結合する際に、上記複数の第１の取付け穴の位置
よりも内側位置近傍の上記熱伝導性グリースを上記複数
の貫通部に逃がすようにしたことを特長とする半導体装
置。 - 【請求項９】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第１の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側に接合され、上記絶
縁基板を内側に収納するケース、上記ベース板の裏面側
に接合され、上記複数の第１の取付け穴に対向する複数
の第２の取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース
板の裏面側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放
熱フィンの対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及
び上記複数の第１の取付け穴と、上記複数の第２の取付
け穴とに挿入され、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する複数のネジ部材を備えた半導体装置において、
上記ベース板の裏面側、又は上記放熱フィンの対向面側
に設けられて上記複数の第１の取付け穴又は上記複数の
第２の取付け穴に略同心で連設され、上記複数の第１の
取付け穴又は上記複数の第２の取付け穴よりも大口径の
複数の凹部を備え、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する際に、上記複数の第１の取付け穴の位置よりも
内側近傍の上記熱伝導性グリースを上記複数の凹部に逃
がすようにしたことを特長とする半導体装置。 - 【請求項１０】 上記熱伝導性グリースは、シリコング
リースを１００μｍ〜２００μｍの厚みの範囲で塗布す
ると共に、ベース板の裏面側と放熱フィンの対向面側と
の接合面は、平面度が−１００μｍ〜＋１５０μｍの範
囲、又は表面仕上げが１２ｓ以内に形成されていること
を特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002037643A JP2003243584A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002037643A JP2003243584A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243584A true JP2003243584A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27779166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002037643A Pending JP2003243584A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243584A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009064866A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Keihin Corp | 放熱構造を有する電子装置 |
| JP2011134779A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Tdk Corp | 電子機器 |
| JP2013069748A (ja) * | 2011-09-21 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | ベースプレートおよび半導体装置 |
| JP2015505172A (ja) * | 2012-01-25 | 2015-02-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄユニット、及びｌｅｄモジュールを備える照明器具 |
| WO2015097874A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2015126105A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社豊田自動織機 | 電子機器 |
| WO2016005088A1 (de) | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Abb Technology Ag | Halbleitermodul mit federbelasteter basisplatte |
-
2002
- 2002-02-15 JP JP2002037643A patent/JP2003243584A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8896113B2 (en) | 2011-09-21 | 2014-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Base plate and semiconductor device |
| JP2015505172A (ja) * | 2012-01-25 | 2015-02-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Ｌｅｄモジュール、ｌｅｄユニット、及びｌｅｄモジュールを備える照明器具 |
| US9989235B2 (en) | 2012-01-25 | 2018-06-05 | Philips Lighting Holding B.V. | LED module and luminaire comprising said module |
| JP2015126105A (ja) * | 2013-12-26 | 2015-07-06 | 株式会社豊田自動織機 | 電子機器 |
| WO2015097874A1 (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US20160240456A1 (en) * | 2013-12-27 | 2016-08-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| US9543227B2 (en) | 2013-12-27 | 2017-01-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
| WO2016005088A1 (de) | 2014-07-09 | 2016-01-14 | Abb Technology Ag | Halbleitermodul mit federbelasteter basisplatte |
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