JP2003243584A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
熱伝導性グリースを介在させて両者を結合した半導体装
置において、ベース板と放熱フィンとをボルトで結合す
る際に、ベース板と放熱フィンとの接合面のシリコング
リースの膜厚を均一にでき、絶縁基板に加わる応力が抑
制され、信頼性を向上できる半導体装置を得る。 【解決手段】 ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対
向面側に於いて、上記ベース板の複数の第1の取付け穴
又は上記放熱フィンの複数の第2の取付け穴の夫々の位
置よりも内側に位置し、上記複数の第1の取付け穴又は
上記複数の第2の取付け穴に近接した複数の凹部を備
え、上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、
上記複数の第1の取付け穴及び上記複数の第2の取付け
穴の位置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数
の凹部に逃がすようにしたものである。
Description
フィンとの間に熱伝導性グリースを介在させて両者を結
合した半導体装置に関するものである。
490号公報に示された従来の半導体装置を示す断面図
であり、図において、1は表面側1aにチップ2が搭載
された絶縁基板、3はこの絶縁基板1を収納するケー
ス、4は上記絶縁基板1の裏面側1bに表面側4aが接
合されると共に、上記ケース3の一端3aに接着材(図
示せず)とネジ(図示せず)で接合され、外周側に上記
複数の取付け穴4bが形成されたベース板、6はこのベ
ース板4の裏面側4cに接合され、上記複数の取付け穴
4bに対向する複数の取付けねじ穴6aが形成された放
熱フィン、7は上記複数の取付け穴4bを貫通して上記
複数の取付けねじ穴6aに螺合され、上記ベース板4と
上記放熱フィン6とを結合するネジ部材を構成する複数
のボルトである。
記絶縁基板1が接合された上記ベース板4に、上記ケー
ス3の一端3aが接着材(図示せず)とネジ(図示せ
ず)で結合される。更に、上記ベース板4の裏面側4c
に、上記放熱フィン6が接合される。次いで、上記複数
のボルト7が上記複数の取付け穴4bを貫通して上記複
数の取付けねじ穴6aに螺合され、上記ベース板4が上
記放熱フィン6に結合される。このように、上記ベース
板4と上記放熱フィン6が接合され、上記ベース板4の
熱は上記放熱フィン6へと放熱される。ところで、上記
ベース板4の裏面側4cと、この裏面側4cに対向する
上記放熱フィン6の対向面側6bには、通常の加工方法
では凹凸が存在するため、放熱効果が低下しようとす
る。そこで、図32のように、ベース板4の裏面側4c
には全面に熱伝導性グリースとしてシリコングリース5
が塗布され、このシリコングリース5を介して放熱フィ
ン6が結合される。従って、上記ベース板4の熱は効果
的に放熱フィン6に放熱される。
上記ベース板4の裏面側4cの全面に上記シリコングリ
ース5を塗布して上記放熱フィン6を合せ、上記複数の
ボルト7を介して上記ベース板4と上記放熱フィン6と
が結合されるが、上記ボルト7を螺合する際に、上記ベ
ース板4と上記放熱フィン6との接合面の内側の上記シ
リコングリース5は周囲に押し出されることになる。と
ころが、ベース板4の裏面側4cにおいて、図33に示
すように、上記複数の取付け穴4bの位置よりも内側位
置に存在する上記シリコングリース5aは周囲に押し出
される際に、上記ボルト7で塞き止められ、上記複数の
取付け穴4bの位置よりも内側に滞留し、その部分の上
記シリコングリース5aは他の部分よりも膜厚が厚くな
る。このような状態で上記ボルト7を螺合すると上記ベ
ース板4に反りが生じ、上記ベース板4に接合されてい
る上記絶縁基板1に応力が加わり、その応力に起因し、
長期間を経ると上記絶縁基板1にクラックが発生する恐
れがあるという問題を有していた。
ためになされたものであり、ボルト7を螺合する際に、
ベース板4と放熱フィン6との接合面のシリコングリー
ス5の膜厚を均一にでき、絶縁基板1に加わる応力が抑
制され、信頼性を向上できる半導体装置を提供すること
を目的とする。
体装置は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面
側に於いて、上記ベース板の複数の第1の取付け穴又は
上記放熱フィンの複数の第2の取付け穴の夫々の位置よ
りも内側に位置し、上記複数の第1の取付け穴又は上記
複数の第2の取付け穴に近接した複数の凹部を備え、上
記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複
数の第1の取付け穴及び上記複数の第2の取付け穴の位
置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数の凹部
に逃がすようにしたものである。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部を外方に連通さ
せる連通部で構成されているものである。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部で構成され、この窪み部の端部
は外方に開口されているものである。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部に連続して形成
されて外方に貫通した貫通部とで構成されているもので
ある。
は、凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向
面側に形成された窪み部と、この窪み部に対向して上記
放熱フィンの上記対向面側、又は上記ベース板の裏面側
に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部で構成
されているものである。
は、凹部は、放熱フィンの複数の第2の取付け穴の夫々
に、その延在方向に連続して連通し、複数のネジ部材の
先端位置よりも深い位置まで併設されているものであ
る。
は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面側に於
いて、上記ベース板の複数の第1の取付け穴又は上記放
熱フィンの複数の第2の取付け穴の夫々の位置よりも内
側に位置し、上記複数の第1の取付け穴又は上記複数の
第2の取付け穴に近接して夫々形成され、上記ベース板
の裏面側と上記放熱フィンの対向面側との接合面を外方
に連通させる複数の貫通部を備え、上記ベース板と上記
放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1の取付け
穴及び上記複数の第2の取付け穴の位置よりも内側位置
近傍の熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に逃がすよ
うにしたものである。
は、ベース板の裏面側における複数の第1の取付け穴の
夫々の位置よりも内側位置に近接して夫々形成され、上
記ベース板を上記裏面側から表面側に貫通する複数の貫
通部を形成すると共に、ケースには上記複数の貫通部を
外方に連通する連通部を形成し、上記ベース板と上記放
熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1の取付け穴
の位置よりも内側位置近傍の熱伝導性グリースを上記複
数の貫通部に逃がすようにしたものである。
は、ベース板の裏面側、又は放熱フィンの対向面側に設
けられて上記ベース板の複数の第1の取付け穴又は上記
放熱フィンの複数の第2の取付け穴に略同心で連設さ
れ、上記複数の第1の取付け穴又は上記複数の第2の取
付け穴よりも大口径の複数の凹部を備え、上記ベース板
と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1の
取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グリース
を上記複数の凹部に逃がすようにしたものである。
は、熱伝導性グリースとして、シリコングリースを10
0μmから200μmの厚みの範囲で塗布すると共に、
ベース板の裏面側と放熱フィンの対向面側との接合部
は、平面度が−100μm〜+150μmの範囲、又は
表面仕上げが12s以内に形成したものである。
形態1を図1ないし図3により説明する。なお、図1は
半導体装置の断面図、図2はその部分拡大断面図、図3
は図1のベース板の底面図である。図において、1は表
面側1aにチップ2が搭載された絶縁基板、3はこの絶
縁基板1を収納するケース、4は上記絶縁基板1の裏面
側1bに表面側4aが接合されると共に、上記ケース3
の一端3aに接着材(図示せず)とネジ(図示せず)で
接合され、外周側に上記複数の取付け穴4bが形成され
たベース板であり、裏面側4cの全面に熱伝導性グリー
スとしてシリコングリース5が塗布されている。4dは
上記複数の取付け穴4bの内側位置に形成された溝から
なる凹部である。6はこのベース板4の裏面側4cがシ
リコングリース5を介して接合され、上記複数の取付け
穴4bに対向する複数の取付けねじ穴6aが形成された
放熱フィン、7は上記複数の取付け穴4bを貫通して上
記複数の取付けねじ穴6aに螺合され、上記ベース板4
と上記放熱フィン6とを結合するネジ部材を構成する複
数のボルトである。8は上記ケース3内に注入されたゲ
ル、9はこのゲル8の上に注入された樹脂、10は上記
ケース3内を封止するフタである。
記絶縁基板1が接合された上記ベース板4に、上記ケー
ス3の一端3aが接着材(図示せず)とネジ(図示せ
ず)で結合される。更に、図3に示すように、上記ベー
ス板4の裏面側4cの全面に、上記シリコングリース5
が塗布され、上記放熱フィン6が接合される。次いで、
上記複数のボルト7が上記複数の取付け穴4bを貫通し
て上記複数の取付けねじ穴6aに螺合され、上記ベース
板4が上記放熱フィン6に結合される。ところで、上記
ベース板4の裏面側4cの全面に上記シリコングリース
5を塗布して上記放熱フィン6を合せ、上記複数のボル
ト7を介して上記ベース板4と上記放熱フィン6とが結
合されるが、上記ボルト7を螺合する際に、上記ベース
板4と上記放熱フィン6との接合面の内側の上記シリコ
ングリース5aは周囲に押し出されることになる。ここ
で、図3に示すように、上記複数の取付け穴4bの内側
位置には上記凹部4dが形成されているので、上記複数
の取付け穴4bの位置よりも内側位置に存在する上記シ
リコングリース5aは上記凹部4dに流れ込むことにな
る。従って、上記シリコングリース5aは上記ボルト7
で塞き止められることがなくなり、上記シリコングリー
ス5の膜厚は全面が均一になる。このため、上記ボルト
7を螺合した際には、上記ベース板4の反りが防止さ
れ、上記ベース板4に接合されている上記絶縁基板1へ
の応力が抑制され、上記絶縁基板1はクラックの発生が
防止される。また、一方では、上記ベース板4と上記放
熱フィン6は上記シリコングリース5を介して全面が均
一に接合されるので、上記ベース板4の熱は上記放熱フ
ィン6へと効果的に放熱される。
溝で構成したもので説明したが、シリコングリース5a
が流れ込む構成であればよく、図4のように複数個の円
状の凹部4eでも良く、形状には特に限定するものでは
無い。更に、ベース板4に凹部4dを構成したもので説
明したが、図5のように、ベース板4の裏面側4cに対
向する放熱フィン6の対向面側6bに凹部6cを設けて
もよく、また、上記シリコングリース5を上記ベース板
4の裏面側4cの全面に塗布した構成で説明したが、上
記ベース板4の裏面側4cに対向した上記放熱フィン6
の対向面側6bに塗布しても良い。更にまた、上記ベー
ス板4と上記放熱フィン6の双方に設けてもよい。
図6により説明する。なお、図6は放熱フィンの平面図
である。図において、6cは放熱フィン6におけるベー
ス板4との対向面側6bにおいて、放熱フィン6の複数
の取付け穴6aの位置よりも内側位置に設けられた凹部
であり、その端部6dは一点鎖線で示すベース板4の位
置よりも外方に開口している。この構成では、ボルト7
を螺合する際に、上記ベース板4と上記放熱フィン6と
の接合面の内側の上記シリコングリース5aは周囲に押
し出されることになるが、上記複数の取付け穴6aの内
側位置には上記凹部6cが形成されているので、上記複
数の取付け穴6aの位置よりも内側位置に存在する上記
シリコングリース5aは上記凹部6cに流れ込もうとす
る。ここで、上記凹部6cの端部6dはベース板4の位
置よりも外方に開口しているので、上記凹部6c内は大
気圧に維持されており、上記シリコングリース5は上記
凹部6cへと容易に流れ込むことになる。従って、ベー
ス板4と放熱フィン6の間で上記シリコングリース5の
膜厚は速やかに均一化され、作業性が向上することにな
る。
図7と図8により説明する。なお、図7はベース板の側
面図、図8はその底面図である。図において、4dはベ
ース板4の複数の取付け穴4bの内側位置に形成された
溝からなる凹部であり、その一方の端部4fはベース板
4の外周に開口している。この構成では、ベース板4は
上記凹部4dの位置の薄肉部分4gがベース板4の外周
まで延在しているので、薄肉部分4gが弾性を有するこ
とになり、ボルト7を螺合する際に、上記ベース板4の
反りが抑制され、上記ベース板4に接合されている上記
絶縁基板1への応力が一層緩和される。なお、発明の実
施の形態3では、凹部4dをベース板4側に設けたもで
説明したが、放熱フィンにおけるベース板4との対向面
側に凹部を設けても同様の効果を奏する。また、更に、
図9に示すように凹部4dの両端をベース板4の外周に
開口させた構成では複数の取付け穴4bの周囲を薄肉部
分(図示せず)が取り囲むので、薄肉部分の弾性効果が
向上し、この弾性効果と上記シリコングリース5の均一
化との相乗効果で、上記ベース板4に接合されている上
記絶縁基板1への応力の集中を抑制できる。
図10と図11により説明する。なお、図10はベース
板の底面図、図11は図10のXI−XI線における断
面図である。図において、4hは凹部4dに連続し、ベ
ース板4を貫通した貫通部である。この構成では、凹部
4dに連続する貫通部4hは、凹部4dの開口面側から
離間するので、複数の取付け穴4bの位置よりも内側位
置に存在する上記シリコングリース5aが上記凹部4d
全面に流れ込んでも、貫通部4hを塞ぐことが無いの
で、凹部4d内を大気圧に維持でき、上記シリコングリ
ース5が凹部4d内に円滑に流入され、シリコングリー
ス5の膜厚を全面で均一にできる。なお、この発明の実
施の形態4では、ベース板4側に凹部4dと、この凹部
4dに連続する貫通部4hを設けたもので説明したが、
放熱フィン側に凹部とこの凹部に連続する貫通部を設け
ても同様の効果を奏する。
図12と図13により説明する。なお、図12はベース
板の底面図、図13は放熱フィンの平面図である。図に
おいて、4dはベース板4の複数の取付け穴4bの内側
位置に形成された溝からなる凹部、6cはこの凹部4d
に少なくとの一部が対面して放熱フィン6における複数
の取付け穴6aの位置よりも内側位置に設けられた凹部
であり、上記その端部6dは一点鎖線で示すベース板4
の位置よりも外方に開口している。この構成ではベース
板4側の凹部4dと放熱フィン6側の凹部6cの双方に
複数の取付け穴4bの位置よりも内側位置に存在する上
記シリコングリース5aが流れ込むので、上記シリコン
グリース5の膜厚を容易に全面に均一化できる。
側に凹部4dを設け、この凹部4dに対向する放熱フィ
ン6の凹部6cの端部6dが外方に開放されたものにつ
いて説明したが、図14のように、ベース板4の複数の
取付け穴4bの内側位置に溝からなる凹部4dを設け、
この凹部4dの端部4fをベース板4の外周に開口させ
ると共に、図15のように上記凹部4dに少なくとの一
部が対面するように放熱フィン6における複数の取付け
穴6aの位置よりも内側位置に凹部6cを設けた構成で
も同様の効果を奏する。
図16と図17により説明する。なお、図16はベース
板の底面図、図17は放熱フィンの平面図である。図に
おいて、4dはベース板4の複数の取付け穴4bの内側
位置に形成された溝からなる凹部、6eはこの凹部4d
に少なくとの一部が対面して放熱フィン6における複数
の取付け穴6aの位置よりも内側位置を貫通する貫通部
である。この構成では一方が凹部4dで他方が貫通部6
eの組み合わせであり、貫通部6eは両者の組立て前に
加工される。従って、シリコングリース5を塗布する構
成では貫通部6eを加工して設け、シリコングリース5
を塗布しない構成では貫通部6eの加工を省略すればよ
く、これらの2者に対して同一の放熱フィン6を共用で
きることになる。なお、この発明の実施の形態6では、
ベース板4側に凹部4dを設け、放熱フィン6側に貫通
部6eを設けたものについて説明したが、ベース板4側
に貫通部を設け、放熱フィン6側に凹部を設けた構成で
も同様の効果を奏する。
図18と図19により説明する。なお、図18は半導体
装置の断面図、図19は放熱フィンの平面図である。図
において、6fは放熱フィン6の複数の第2の取付け穴
6aよりも内側位置において、上記複数の取付け穴6a
の延在方向に連続して上記複数の取付け穴6aに連通し
た凹部であり、複数のボルト7の先端位置H1よりも深
い位置H2まで複数の取付け穴6aに併設されている。
この構成では、凹部6fの深さが複数のボルト7の先端
位置H1よりも深い位置H2まで併設されているので、
凹部6f内は大気に維持されるので、シリコングリース
5は容易に凹部6f内に流入でき、また、凹部6fは複
数の取付け穴6aに連通しているので、シリコングリー
ス5がボルト7にも付着し、シリコングリース5がボル
ト7の緩み止めとしての効果を奏することになる。
図20により説明する。なお、図20はベース板の底面
図である。図において、4hはベース板4の複数の取付
け穴4bの内側位置に形成された複数の貫通部である。
この構成では、例えば、きり加工などで適宜の個数だけ
形成するものであり、加工が容易となる。また、夫々の
貫通部4hが個別に大気と連通しているので、シリコン
グリース5を容易に流入させることができ、シリコング
リース5の膜厚を容易に均一化できる。なお、上記構成
ではベース板4に貫通部4hを形成したが、図21のよ
うに放熱フィン6の複数の第2の取付け穴6aよりも内
側位置に貫通部6eを形成しても同様の効果を奏する。
図22ないし図24により説明する。なお、図22は半
導体装置の部分断面図、図23はベース板の部分底面
図、図24はケースの部分底面図である。図において、
3bはベース板4の複数の取付け穴4bに対応してケー
ス3を貫通する複数の取付け穴、3cはこの複数の取付
け穴3bの内側位置に形成され、上記ケース3を貫通し
た複数の貫通部、4hはベース板4の複数の取付け穴4
bの内側位置に形成された複数の貫通部、4hは上記ベ
ース板4の複数の取付け穴4bの内側位置に形成され、
上記貫通部3cに連通した複数の貫通部である。この構
成ではケース3とベース板4と放熱フィン6がボルト7
で結合される構造でもシリコングリース5を貫通部4h
に円滑に流入させることができ、シリコングリース5の
膜厚を容易に均一化できることになる。なお、構成で
は、ケース3に貫通部3cを設けてベース4の貫通部4
dに連通させているが、図25と図26に示すようにケ
ース3には上記ベース4の貫通部4hに連通する凹部3
dを設け、その端部3eを上記ケース3の外周で開口し
た構成でも良い。
0を図27と図28により説明する。なお、図27は半
導体装置の部分断面図、図28はベース板の部分裏面図
である。図において、4dはベース板4の他面側4cに
設けられて上記ベース板4の複数の取付け穴4bに略同
心で位置し、上記複数の取付け穴4bよりも大口径の複
数の凹部であり、その端部4fは上記ベース板4の外周
に開口して上記複数の凹部4bを外気に連通させてい
る。この構成では凹部4dがボルト7の外周に位置する
ことになり、上記ベース板4と放熱フィン6とを結合す
る際に、上記複数の取付け穴4bの位置よりも内側近傍
のシリコングリース5をボルト7で遮られる前に、上記
複数の凹部4bに逃がすことができ、シリコングリース
5の膜厚を極めて容易に均一化できる。
1を図29と図30で説明する。なお、図29は半導体
装置の部分断面図、図30は放熱フィンの部分平面図で
ある。図において、6cは放熱フィン6に設けられて上
記放熱フィン6の複数の取付け穴6aに略同心で位置
し、上記複数の取付け穴6aよりも大口径の複数の凹部
であり、その端部6dは上記ベース板4の外周位置より
も外方に開口して上記複数の凹部6cを外気に連通させ
ている。この構成ではベース板4よりも大形の放熱フィ
ン6に凹部6cを設けるものであるため、凹部6cの寸
法を任意に設定できる。なお、実施の形態10と実施の
形態11では複数の凹部4b又は複数の凹部6cの端部
4f又は端部6dが外気に連通されているが、必ずしも
端部4f又は端部6dは外気に開放しなくても良い。
2では、図1に示されるように、上記ベース板4の裏面
側4c全面又は上記ベース板4の裏面側4cに対向した
上記放熱フィン6の対向面側6bに塗布する熱伝導性グ
リースとして、シリコングリース5が100μm〜20
0μmの厚みの範囲で均一に塗布されている。また、ベ
ース板4の裏面側4cと放熱フィン6の対向面側6bと
の接合面は、平面度が−100μm〜+150μmの範
囲、又は表面仕上げが12s以内で構成されている。こ
の構成では、シリコングリース5を100μm〜200
μmの厚みの範囲で設けているので、上記ベース板4と
上記放熱フィン6の接触面の腐食が防止される。また、
ベース板4と放熱フィン6の接合面が、平面度が−10
0μm〜+150μmの範囲、又は表面仕上げが12s
以内で構成されているので、接触面積を有効に確保でき
る。
るので、以下に示すような効果を奏する。
面側に於いて、上記ベース板の複数の第1の取付け穴又
は上記放熱フィンの複数の第2の取付け穴の夫々の位置
よりも内側に位置し、上記複数の第1の取付け穴又は上
記複数の第2の取付け穴に近接した複数の凹部を備え、
上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記
複数の第1の取付け穴及び上記複数の第2の取付け穴の
位置よりも内側近傍の熱伝導性グリースを上記複数の凹
部に逃がすようにしたので、上記熱伝導性グリースはネ
ジ部材で塞き止められることがなくなり、上記熱伝導性
グリースの膜厚は全面を均一にでき、上記ネジ部材を螺
合した際には、上記ベース板の反りが防止され、上記ベ
ース板に接合されている絶縁基板への応力が抑制され、
上記絶縁基板のクラックの発生が防止される。また、更
に、上記ベース板と上記放熱フィンは上記熱伝導性グリ
ースを介して全面が均一に接合されるので、上記ベース
板の接触熱抵抗を最小にでき、上記放熱フィンの放熱効
果を向上できる効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部を外方
に連通する連通部で構成されているので、上記凹部内は
大気圧で維持され、熱伝導性グリースは上記凹部へと容
易に流れ込むことになり、上記ベース板と上記放熱フィ
ンの間で上記熱伝導性グリースの膜厚を速やかに均一化
でき、組立時の作業性を向上できる効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部で構成され、この窪み
部の端部が外方に開口されており、上記ベース板は上記
凹部の位置の薄肉部分が上記ベース板の外周まで形成さ
れるので、薄肉部分が弾性を有することになり、ネジ部
材を螺合する際に、上記ベース板の反りが防止され、上
記ベース板に接合されている絶縁基板への応力が、薄肉
部分の弾性効果と、熱伝導性グリースの膜厚の均一化と
の相乗効果で一層緩和される効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に連続
して形成されて外方に貫通した貫通部とで構成されてい
るので、上記凹部に連続する貫通部は、上記凹部の開口
面側から離間することになり、熱伝導性グリースが上記
凹部全面に流れ込んでも、上記貫通部を塞ぐことが無い
ので、凹部内を大気圧に維持でき、上記熱伝導性グリー
スを上記凹部内に円滑に流入でき、シリコングリースの
膜厚を全面において均一化できる効果がある。
ンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に対向
して上記放熱フィンの対向面側、又は上記ベース板の裏
面側に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部で
構成されているので、上記ベース板側の凹部と上記放熱
フィン側の凹部の双方に熱伝導性グリースが流れ込むこ
とになり、上記熱伝導性グリースの全面において膜厚を
容易に均一化できる効果がある。
穴の夫々に、その延在方向に連続して連通し、複数のネ
ジ部材の先端位置よりも深い位置まで併設されているの
で、上記凹部内は大気に維持されるので、熱伝導性グリ
ースは容易に上記凹部内に流入でき、熱伝導性グリース
がネジ部材にも付着して緩み止めとして作用する効果が
ある。
面側に於いて、上記ベース板の複数の第1の取付け穴又
は上記放熱フィンの複数の第2の取付け穴の夫々の位置
よりも内側に位置し、上記複数の第1の取付け穴又は上
記複数の第2の取付け穴に近接して夫々形成され、上記
ベース板の裏面側と上記放熱フィンの対向面側との接合
面を外方に連通させる複数の貫通部を備え、上記ベース
板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1
の取付け穴及び上記複数の第2の取付け穴の位置よりも
内側位置近傍の熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に
逃がすようにしたので、貫通部はきり加工などで適宜の
個数だけ形成でき、加工が容易となる効果がある。
付け穴の夫々の位置よりも内側位置に近接して夫々形成
され、上記ベース板を上記裏面側から表面側に貫通する
複数の貫通部を形成すると共に、ケースには上記複数の
貫通部を外方に連通する連通部を形成し、上記ベース板
と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1の
取付け穴の位置よりも内側位置近傍の熱伝導性グリース
を上記複数の貫通部に逃がすようにしたので、上記ケー
スと上記ベース板と上記放熱フィンがネジ部材で結合さ
れる構造でも上記熱伝導性グリースを貫通部に円滑に流
入させることができ、上記熱伝導性グリースの膜厚を容
易に均一化できる効果がある。
面側に設けられて上記ベース板の複数の第1の取付け穴
又は上記放熱フィンの複数の第2の取付け穴に略同心で
連設され、上記複数の第1の取付け穴又は上記複数の第
2の取付け穴よりも大口径の複数の凹部を備え、上記ベ
ース板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の
第1の取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グ
リースを上記複数の凹部に逃がすようにしたので、凹部
がネジ部材の外周に位置されることになり、上記ベース
板と上記放熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1
の取付け穴の位置よりも内側近傍の上記熱伝導性グリー
スがネジ部材で遮られる前に、上記複数の凹部へと逃が
すことができ、膜厚を極めて容易に均一化できる効果が
ある。
スが100μm〜200μmの膜厚みの範囲で塗布され
ているので、上記シリコングリースによってベース板と
放熱フィンの接触面の腐食が防止されると共に、長期に
亘って経年変化が防止されるので、放熱効果を長期間維
持できる効果があり、更には、ベース板の裏面側と放熱
フィンの対向面側との接合部は、平面度が−100μm
〜+150μmの範囲、又は表面仕上げが12s以内に
形成されているので、接触面積を有効に確保でき、接触
熱抵抗を最小にでき、放熱効果を最大限に確保できる効
果がある。
断面図である。
部分拡大断面図である。
面図である。
ース板の部分底面図である。
導体装置の部分断面図である。
平面図である。
面図である。
面図である。
ース板の部分底面図である。
部分底面図である。
XI−XI線における部分断面図である。
部分底面図である。
の部分平面図である。
ベース板の部分底面図である。
放熱フィンの部分平面図である。
部分底面図である。
の部分平面図である。
の部分断面図である。
の部分平面図である。
部分底面図である。
放熱フィンの部分平面図である。
の部分断面図である。
部分底面図である。
分底面図である。
半導体装置の部分断面図である。
ケースの部分底面図である。
置の部分断面図である。
の部分底面図である。
置の部分断面図である。
ンの部分平面図である。
る。
ス、3c,4h,6e 貫通部、3d,4d,6c,6
f 凹部、3e,4f,6d 端部、4 ベース板、4
b 取付け穴、4c 裏面側、5 シリコングリース、
6 放熱フィン、6a 取付けねじ穴、6b 対向面側、7 ボルト。
Claims (10)
- 【請求項1】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第1の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側に接合され、上記絶
縁基板を内側に収納するケース、上記ベース板の裏面側
に接合され、上記複数の第1の取付け穴に対向する複数
の第2の取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース
板の裏面側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放
熱フィンの対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及
び上記複数の第1の取付け穴と、上記複数の第2の取付
け穴とに挿入され、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する複数のネジ部材を備えた半導体装置において、
上記ベース板の上記裏面側、又は上記放熱フィンの対向
面側に設けられて上記複数の第1の取付け穴又は上記複
数の第2の取付け穴の夫々の位置よりも内側に位置し、
上記複数の第1の取付け穴又は上記複数の第2の取付け
穴に近接した複数の凹部を備え、上記ベース板と上記放
熱フィンとを結合する際に、上記複数の第1の取付け穴
の位置よりも内側位置近傍の上記熱伝導性グリースを上
記複数の凹部に逃がすようにしたことを特長とする半導
体装置。 - 【請求項2】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部を外
方に連通させる連通部で構成されていることを特徴とす
る請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部で構成され、この窪
み部の端部は外方に開口されていることを特徴とする請
求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項4】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に連
続して形成されて外方に貫通した貫通部とで構成されて
いることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項5】 凹部は、ベース板の裏面側、又は放熱フ
ィンの対向面側に形成された窪み部と、この窪み部に対
向して上記放熱フィンの対向面側、又は上記ベース板の
裏面側に形成されて上記窪み部を外方に連通する連通部
で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の半
導体装置。 - 【請求項6】 凹部は、放熱フィンの複数の第2の取付
け穴の夫々に、その延在方向に連続して連通し、複数の
ネジ部材の先端位置よりも深い位置まで併設されている
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 【請求項7】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第1の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側に接合され、上記絶
縁基板を内側に収納するケース、上記ベース板の裏面側
に接合され、上記複数の第1の取付け穴に対向する複数
の第2の取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース
板の裏面側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放
熱フィンの対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及
び上記複数の第1の取付け穴と、上記複数の第2の取付
け穴とに挿入され、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する複数のネジ部材を備えた半導体装置において、
上記ベース板の裏面側、又は上記放熱フィンの対向面側
における上記複数の第1の取付け穴、又は上記複数の第
2の取付け穴の夫々の位置よりも内側位置に近接して夫
々形成され、上記ベース板の裏面側と上記放熱フィンの
対向面側との接合面を外方に連通させた複数の貫通部を
備え、上記ベース板と上記放熱フィンとを結合する際
に、上記複数の第1の取付け穴の位置よりも内側位置近
傍の上記熱伝導性グリースを上記複数の貫通部に逃がす
ようにしたことを特長とする半導体装置。 - 【請求項8】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第1の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側において上記複数の
第1の取付け穴に対向する複数の第3の取付け穴を有し
て上記ベース板の表面側に接合され、上記絶縁基板を内
側に収納するケース、上記ベース板の裏面側に接合さ
れ、上記複数の第1の取付け穴に対向する複数の第2の
取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース板の裏面
側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放熱フィン
の対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及び上記複
数の第1の取付け穴と、上記複数の第2の取付け穴と、
上記複数の第3の取付け穴とに挿入され、上記ベース板
と上記ケースと上記放熱フィンとを結合する複数のネジ
部材を備えた半導体装置において、上記ベース板の裏面
側における上記複数の第1の取付け穴の夫々の位置より
も内側位置に近接して夫々形成され、上記ベース板を上
記裏面側から上記表面側に貫通する複数の貫通部を形成
すると共に、上記ケースには上記複数の貫通部を外方に
連通する連通部を形成し、上記ベース板と上記放熱フィ
ンとを結合する際に、上記複数の第1の取付け穴の位置
よりも内側位置近傍の上記熱伝導性グリースを上記複数
の貫通部に逃がすようにしたことを特長とする半導体装
置。 - 【請求項9】 チップを搭載した絶縁基板が表面側に接
合されると共に周囲に複数の第1の取付け穴が形成され
たベース板、このベース板の表面側に接合され、上記絶
縁基板を内側に収納するケース、上記ベース板の裏面側
に接合され、上記複数の第1の取付け穴に対向する複数
の第2の取付け穴が形成された放熱フィン、上記ベース
板の裏面側又は上記ベース板の裏面側に対向した上記放
熱フィンの対向面側に塗布された熱伝導性グリース、及
び上記複数の第1の取付け穴と、上記複数の第2の取付
け穴とに挿入され、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する複数のネジ部材を備えた半導体装置において、
上記ベース板の裏面側、又は上記放熱フィンの対向面側
に設けられて上記複数の第1の取付け穴又は上記複数の
第2の取付け穴に略同心で連設され、上記複数の第1の
取付け穴又は上記複数の第2の取付け穴よりも大口径の
複数の凹部を備え、上記ベース板と上記放熱フィンとを
結合する際に、上記複数の第1の取付け穴の位置よりも
内側近傍の上記熱伝導性グリースを上記複数の凹部に逃
がすようにしたことを特長とする半導体装置。 - 【請求項10】 上記熱伝導性グリースは、シリコング
リースを100μm〜200μmの厚みの範囲で塗布す
ると共に、ベース板の裏面側と放熱フィンの対向面側と
の接合面は、平面度が−100μm〜+150μmの範
囲、又は表面仕上げが12s以内に形成されていること
を特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれかに記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002037643A JP2003243584A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002037643A JP2003243584A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003243584A true JP2003243584A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27779166
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002037643A Pending JP2003243584A (ja) | 2002-02-15 | 2002-02-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2003243584A (ja) |
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-
2002
- 2002-02-15 JP JP2002037643A patent/JP2003243584A/ja active Pending
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