JP2003243171A - Organic electroluminescent display panel and its manufacturing method - Google Patents
Organic electroluminescent display panel and its manufacturing methodInfo
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Classifications
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Landscapes
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、電流の注入によっ
て発光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス
（以下、ＥＬという）を利用して、有機ＥＬ材料の薄膜
からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子をマトリクス状に
配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention utilizes an electroluminescence (hereinafter, referred to as EL) of an organic compound material that emits light by injecting an electric current to provide an organic EL element having a light emitting layer formed of a thin film of the organic EL material. The present invention relates to an organic EL display panel arranged in a matrix.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、携帯端末、モバイルＰＣ、携帯電
話等の表示デバイスとして有機ＥＬディスプレイパネル
が有望視されている。有機ＥＬディスプレイパネルは画
素自身が自己発光方式のためバックライトが不要で、か
つカラーフィルタを用いずにフルカラー表示が可能なた
め、広視野角、高コントラスト、優れた色再現性といっ
た特長を持ち、加えて高輝度、薄型、応答特性に優れる
などの特性を備えていることから、携帯電話やＰＤＡ
（携帯情報端末）向けに各社で開発が盛んに行われてい
る。2. Description of the Related Art In recent years, organic EL display panels are regarded as promising as display devices for mobile terminals, mobile PCs, mobile phones and the like. The organic EL display panel has a wide viewing angle, high contrast, and excellent color reproducibility because it does not require a backlight because the pixels themselves are self-emissive and does not require a color filter for full-color display. In addition, since it has characteristics such as high brightness, thin shape, and excellent response characteristics, it can be used for mobile phones and PDAs.
Development is being actively carried out by various companies for (mobile information terminals).
【０００３】有機ＥＬディスプレイパネルは例えば特開
平９−１１５６７２号公報や特開平８−２２７２７６号
公報に記載されているように、マトリクス状に配置され
た個々の画素電極上に有機電界発光素子（以下、有機Ｅ
Ｌ素子と称する）を形成し、画素電極に加えた電圧によ
り陰極から電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、
電子とホールの再結合により発光をさせ表示を行うもの
であり、この発光は、有機電界発光材料層を挟んで陰極
と陽極とが重なり合う部分で生じるものである。An organic EL display panel is disclosed in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-115672 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 8-227276, in which an organic electroluminescent device (hereinafter referred to as an organic electroluminescent device) is formed on individual pixel electrodes arranged in a matrix. , Organic E
L element) is formed, and electrons are injected from the cathode by the voltage applied to the pixel electrode and holes are injected from the anode,
Display is made by emitting light by recombination of electrons and holes, and this light emission occurs at a portion where the cathode and the anode overlap with each other with the organic electroluminescent material layer interposed therebetween.
【０００４】図７に従来における有機ＥＬディスプレイ
パネルの構成を示す。透明基板であるガラス基板３０上
にはマトリクス状に並置配列されたインジウム錫酸化物
（ＩＴＯ）から成る複数の島状の透明電極３１と、この
透明電極３１に接続された非線形素子３２、たとえば互
いに接続された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がフォトリ
ソグラフィーや真空蒸着技術などによって形成されてい
る。非線形素子３２上には平坦化のため感光性樹脂によ
る平坦化膜３９が数ミクロン形成され、平坦化膜３９を
フォトリソグラフィーによって開口した開口部から非線
形素子３２と透明電極３１が電気的に接続されている。
平坦化膜３９上には感光性樹脂から成る突起３８が形成
されている。陽極となる透明電極３１上にはホール輸送
層３３、発光層３４及び電子輸送層３５の有機媒体が薄
膜で形成され、最上層には陰極３６である金属薄膜が形
成されている。これらの薄膜は例えば真空蒸着法で順次
成膜されたもので、陽極である透明電極３１と陰極３６
との間に直流電圧を選択的に印加することによって、透
明電極３１から注入されたホールがホール輸送層３３を
経て、また陰極３６から注入された電子が電子輸送層３
５を経て、それぞれ発光層３４に到達して電子とホール
の再結合が生じ、ここから所定波長の発光３７が生じ、
ガラス基板３０の側から発光表示ができるものである。
また、このとき、赤（３７−Ｒ）、緑（３７−Ｇ）、青
（３７−Ｂ）の各色に発光物質が異なる発光層３４をそ
れぞれ個々に透明電極３１上に並置配列形成することに
よりフルカラー表示を行うことが可能となる。FIG. 7 shows the structure of a conventional organic EL display panel. On a glass substrate 30 which is a transparent substrate, a plurality of island-shaped transparent electrodes 31 made of indium tin oxide (ITO) arranged side by side in a matrix and non-linear elements 32 connected to the transparent electrodes 31, for example, Connected thin film transistors (TFTs) are formed by photolithography, vacuum deposition technology, or the like. A flattening film 39 made of a photosensitive resin is formed on the non-linear element 32 for flattening by several microns, and the non-linear element 32 and the transparent electrode 31 are electrically connected to each other through an opening formed in the flattening film 39 by photolithography. ing.
A protrusion 38 made of a photosensitive resin is formed on the flattening film 39. On the transparent electrode 31 serving as an anode, an organic medium of a hole transport layer 33, a light emitting layer 34 and an electron transport layer 35 is formed as a thin film, and a metal thin film which is a cathode 36 is formed as an uppermost layer. These thin films are sequentially formed by, for example, a vacuum vapor deposition method, and the transparent electrode 31 as an anode and the cathode 36 are formed.
By selectively applying a DC voltage between the holes, holes injected from the transparent electrode 31 pass through the hole transport layer 33, and electrons injected from the cathode 36 pass through the electron transport layer 3.
5, the electrons reach the light-emitting layer 34 and recombine with electrons and holes, and light emission 37 having a predetermined wavelength is generated from this.
Light emission display can be performed from the glass substrate 30 side.
Further, at this time, the light emitting layers 34 having different light emitting materials for red (37-R), green (37-G), and blue (37-B) are individually arranged side by side on the transparent electrode 31. It becomes possible to perform full-color display.
【０００５】次に、図８、図９に有機ＥＬディスプレイ
パネルの製造方法を示す。図８（ａ）において、ガラス
基板３０上にはマトリクス状に配置した非線形素子３２
が形成される。非線形素子３２はフォトリソグラフィー
や真空蒸着法により形成する。非線形素子３２上には非
線形素子形成による凹凸を緩和するための平坦化膜３９
を形成し、平坦化膜３９上には非線形素子３２と電気的
に接続するインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明
電極３１を形成する。そのために平坦化膜３９の一部に
は開口部４０が設けられている。Next, FIGS. 8 and 9 show a method of manufacturing an organic EL display panel. In FIG. 8A, nonlinear elements 32 arranged in a matrix on the glass substrate 30.
Is formed. The non-linear element 32 is formed by photolithography or a vacuum evaporation method. On the non-linear element 32, a flattening film 39 for alleviating irregularities due to the non-linear element formation.
Then, a transparent electrode 31 made of indium tin oxide (ITO) that is electrically connected to the nonlinear element 32 is formed on the flattening film 39. Therefore, an opening 40 is provided in a part of the flattening film 39.
【０００６】図８（ｂ）において、平坦化膜３９および
透明電極３１上に感光性樹脂による突起３８をフォトリ
ソグラフィー法により形成する。この突起３８は後のマ
スク蒸着工程で有機ＥＬ層を形成する際に成膜用マスク
が透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層と接触する
ことによる損傷を防止するために形成される。この突起
３８の厚みは０．５〜１０ミクロンである。In FIG. 8B, a projection 38 made of a photosensitive resin is formed on the flattening film 39 and the transparent electrode 31 by a photolithography method. The protrusions 38 are formed to prevent damage due to the film formation mask coming into contact with the transparent electrode 31 and the formed organic EL layer when the organic EL layer is formed in the subsequent mask vapor deposition process. The thickness of the protrusion 38 is 0.5 to 10 μm.
【０００７】図８（ｃ）において、個々の透明電極３１
にホール輸送層３３となる有機媒体を形成し、さらにそ
の上に発光層３４、電子輸送層３５を順次形成する（図
８（ｄ）、図９（ａ））。なお、発光層３４は赤
（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色に発光物質が異なる
個々の発光層３４−Ｒ、３４−Ｇ、３４−Ｂを並置配列
するよう形成する。In FIG. 8C, each transparent electrode 31
Then, an organic medium to be the hole transport layer 33 is formed, and a light emitting layer 34 and an electron transport layer 35 are sequentially formed on the organic medium (FIGS. 8D and 9A). Note that the light emitting layer 34 is formed such that individual light emitting layers 34-R, 34-G, and 34-B having different light emitting materials are arranged side by side for each color of red (R), green (G), and blue (B).
【０００８】次に、図９（ｂ）において、ホール輸送層
３３、発光層３３４、電子輸送層３５を覆うようにＡｌ
からなる陰極３６を形成する。最後に、これら有機ＥＬ
層を、湿度の影響による特性劣化を防ぐため、封止する
というものであった。Next, in FIG. 9B, Al is formed so as to cover the hole transport layer 33, the light emitting layer 334, and the electron transport layer 35.
To form a cathode 36. Finally, these organic EL
The layer was to be sealed in order to prevent deterioration of the characteristics due to the influence of humidity.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】前記したように、有機
ＥＬディスプレイパネルは自己発光のため、高コントラ
スト、広視野角、バックライトレスによる低消費電力、
薄型等の特徴を有している。このため、近年盛んに携帯
電話端末等のモバイル機器に搭載する中小型の有機ＥＬ
ディスプレイパネルの開発が各社で進めらている。一
方、これらの特徴を生かして薄型で壁掛けテレビ等のＡ
Ｖ機器のディスプレイへの適用も検討されている。この
ような場合、パネルサイズはモバイル機器用のディスプ
レイパネルと比較してより大型（大画面化）となり、画
素サイズも大きくなる。ＮＴＳＣ方式テレビモニターの
場合の画面解像度は通常、ＶＧＡクラスが適用され、ピ
クセルのサイズは１６０×５００μｍ程度となり、モバ
イル機器用の中古型ディスプレイパネルのピクセルサイ
ズ（７０×２００μｍ）と比較すると面積で約６倍大き
くなる。このため、有機ＥＬディスプレイパネルをこの
ようなアプリケーションに適用、実現するに際しては製
造上、下記の大きな課題が生じるものである。As described above, since the organic EL display panel is self-luminous, it has high contrast, a wide viewing angle, low power consumption due to no backlight.
It has features such as thinness. For this reason, small and medium-sized organic ELs that have been actively mounted in mobile devices such as mobile phone terminals in recent years.
Display panels are being developed by each company. On the other hand, taking advantage of these features, it is possible to use a thin type A
The application of V devices to displays is also under consideration. In such a case, the panel size becomes larger (larger screen) than the display panel for mobile devices, and the pixel size also becomes large. The screen resolution in the case of an NTSC TV monitor is usually VGA class, and the pixel size is about 160 × 500 μm, which is about an area compared to the pixel size (70 × 200 μm) of a used display panel for mobile devices. 6 times larger. Therefore, when the organic EL display panel is applied to and realized in such an application, the following major problems occur in manufacturing.
【００１０】図１０は従来の有機ＥＬディスプレイパネ
ルの製造工程における課題を示した工程断面図である。
非線形素子３２上には非線形素子形成によって生じた凹
凸を緩和するための平坦化膜３９と平坦化膜３９の開口
部４０を介して非線形素子３２と電気的に接続するイン
ジウム錫酸化物（ＩＴＯ）から成る透明電極３１が形成
されている。その平坦化膜３９および透明電極３１上に
は有機ＥＬ層を蒸着によって形成する際、成膜用マスク
４１と透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層４４と
が接触することによる損傷を防止するための感光性樹脂
による突起３８がフォトリソグラフィー法により形成さ
れている。しかしながら、一般的にはテレビモニターの
画面サイズが大画面化の傾向にあり、個々の画素サイズ
はモバイル機器用のディスプレイパネルと比較して大き
く設計される。これに伴い、有機ＥＬ層を形成する透明
電極の設計サイズも大きくなり、感光性樹脂で形成した
突起３８の間隔幅Ｌも当然ながら長くなる。突起３８の
間隔幅Ｌの長さはモバイル機器用のディスプレイパネル
では２００μｍ程度に対し、ＮＴＳＣ方式のテレビモニ
ターでは５００μｍ程度と極めて長くなる傾向にある。
また、有機ＥＬ層４４の蒸着形成時に用いる成膜用マス
ク４１には厚さが４０〜６０μｍと極めて薄い金属性の
いわゆるシャドウマスクが用いられ、有機ＥＬ層４４を
蒸着形成４２する蒸着装置や成膜用マスク４１に製造時
に振動等の外力が加わると容易にたわみが生じ、成膜用
マスク４１と透明電極３１、および形成した有機ＥＬ層
４４とが接触４３、損傷し、これにより画素の非点灯不
良や輝度低下などの表示不良が生じ、有機ＥＬディスプ
レイパネルの表示品質を著しく低下させてしまう。ま
た、これによって、有機ＥＬディスプレイパネルの製造
歩留まりが低下し、製造コストが著しく高騰するという
問題点を有しているものであった。FIG. 10 is a process sectional view showing a problem in a conventional manufacturing process of an organic EL display panel.
On the non-linear element 32, indium tin oxide (ITO) is electrically connected to the non-linear element 32 through the flattening film 39 and the opening 40 of the flattening film 39 for alleviating the unevenness caused by the non-linear element formation. A transparent electrode 31 composed of is formed. To prevent damage caused by contact between the film formation mask 41 and the transparent electrode 31 and the formed organic EL layer 44 when the organic EL layer is formed on the flattening film 39 and the transparent electrode 31 by vapor deposition. The protrusions 38 made of the photosensitive resin are formed by the photolithography method. However, in general, the screen size of a television monitor tends to be large, and each pixel size is designed to be larger than that of a display panel for mobile devices. Along with this, the design size of the transparent electrode forming the organic EL layer also increases, and the interval width L of the protrusions 38 formed of the photosensitive resin naturally increases. The interval width L of the protrusions 38 tends to be extremely long, which is about 200 μm for a display panel for mobile devices and about 500 μm for an NTSC television monitor.
In addition, a so-called shadow mask made of an extremely thin metal having a thickness of 40 to 60 μm is used as a film forming mask 41 used when forming the organic EL layer 44 by vapor deposition, and a vapor deposition apparatus or a device for forming the organic EL layer 44 by vapor deposition 42 is used. When an external force such as vibration is applied to the film mask 41 at the time of manufacturing, the film mask 41 is easily bent, and the film formation mask 41 and the transparent electrode 31 and the formed organic EL layer 44 are contacted 43 and damaged. Display defects such as poor lighting and reduced brightness occur, and the display quality of the organic EL display panel is significantly degraded. Further, this causes a problem that the manufacturing yield of the organic EL display panel is lowered and the manufacturing cost is significantly increased.
【００１１】本発明の目的は、かかる問題点を解消する
べく簡素な構成で非点灯画素による画素欠陥ならびに輝
度低下等の画素不良を低減し、製造歩留まりが高く、信
頼性に優れた有機ＥＬディスプレイパネルを提供するこ
とにある。An object of the present invention is to reduce the pixel defects due to non-lighted pixels and the pixel defects such as a decrease in brightness with a simple structure in order to solve the above problems, and the organic EL display has a high manufacturing yield and excellent reliability. To provide a panel.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明はマトリクス状に
繰り返し形成された個々の第１の突起の間隔に透明電極
３１上に前記第１の突起と同じ高さで第２の突起を設け
ることにより、透明電極に成膜用マスク４１を用いて有
機ＥＬ層４４を蒸着形成４２する際に生じる、成膜用マ
スクたわみを防ぎ、成膜用マスクと透明電極３１、およ
び形成した有機ＥＬ層４４との接触、損傷を皆無とし、
これにより非点灯画素による画素欠陥、経時的な輝度低
下、表示領域の輝度バラツキを低減させ、製造歩留まり
が高く、信頼性に優れ、大画面で高品質な表示特性を得
ることができる有機ＥＬディスプレイパネルを実現、提
供するものである。According to the present invention, second projections are provided on the transparent electrode 31 at the same height as the first projections at intervals between the individual first projections that are repeatedly formed in a matrix. Thereby, the film formation mask deflection that is caused when the organic EL layer 44 is formed by vapor deposition 42 using the film formation mask 41 on the transparent electrode is prevented, and the film formation mask and the transparent electrode 31 and the formed organic EL layer 44 are formed. No contact with or damage
As a result, a pixel defect due to non-lighted pixels, a decrease in brightness over time, and a brightness variation in a display area are reduced, and the manufacturing yield is high, the reliability is excellent, and a large-screen, high-quality display characteristic can be obtained. It realizes and provides the panel.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下に本発明における実施形態に
ついて図面を用いて説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１４】（第１の実施形態）図１は本発明における
第１の実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの
断面構成を示したものである。また、図２は本発明にお
ける第１の実施形態での有機ＥＬディスプレイパネルの
平面構成を示したものである。(First Embodiment) FIG. 1 shows a sectional structure of an organic EL display panel according to a first embodiment of the present invention. Further, FIG. 2 shows a planar configuration of the organic EL display panel in the first embodiment of the present invention.
【００１５】図１において、透明基板であるガラス基板
１上にはマトリクス状に並置配列された非線形素子であ
る薄膜トランジスタ３がフォトリソグラフィーや真空蒸
着技術などによって形成されている。非線形素子には、
必要に応じてコンデンサや配線が接続されており、これ
らを含めて非線形素子回路と呼ぶ。そして、薄膜トラン
ジスタ３を含む非線形素子回路上には薄膜トランジスタ
３自身の膜厚による凹凸を緩和するため、平坦化膜４が
形成塗布されている。平坦化膜４は感光性樹脂でフォト
リソグラフィーによって形成され、形成膜厚は数ミクロ
ンである。そして、平坦化膜４にはフォトリソグラフィ
ーによって開口された開口部７をを設け、この開口部７
を介して薄膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的
に接続された透明電極２が形成されている。この透明電
極２は薄膜トランジスタ３と一対で形成され、薄膜トラ
ンジスタ３と同様にガラス基板１上にマトリクス状に並
置配列される。また、この透明電極２はインジウム錫酸
化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料を用いて形成
され、後の工程で形成される有機ＥＬ層の陽極（アノー
ド電極）となる。In FIG. 1, on a glass substrate 1 which is a transparent substrate, thin film transistors 3 which are non-linear elements arranged side by side in a matrix are formed by photolithography or a vacuum deposition technique. For non-linear elements,
Capacitors and wiring are connected as necessary, and these are called a non-linear element circuit. A flattening film 4 is formed and applied on the non-linear element circuit including the thin film transistor 3 in order to reduce irregularities due to the film thickness of the thin film transistor 3 itself. The flattening film 4 is formed of a photosensitive resin by photolithography and has a formed film thickness of several microns. The flattening film 4 is provided with an opening 7 opened by photolithography.
The transparent electrode 2 electrically connected to the drain electrode 5 of the thin film transistor 3 via the is formed. The transparent electrodes 2 are formed in pairs with the thin film transistors 3 and are arranged side by side in a matrix on the glass substrate 1 like the thin film transistors 3. The transparent electrode 2 is formed of a material having a small work function such as indium tin oxide (ITO) and serves as an anode (anode electrode) of an organic EL layer formed in a later step.
【００１６】また、マトリクス状に並置配列された透明
電極２の上には個々の透明電極２との隔壁となる絶縁樹
脂による第１の突起６が設けられる。この第１の突起６
は以降のマスク蒸着工程で有機ＥＬ層を蒸着形成する際
に成膜用マスクが透明電極２および形成された有機ＥＬ
層と接触し、これらが損傷するのを防止するために形成
されるものである。なお、この第１の突起６は感光性を
有した絶縁樹脂であり、平坦化膜４と同材料を用いて形
成できるものである。On the transparent electrodes 2 arranged side by side in a matrix, there are provided first protrusions 6 made of an insulating resin, which serve as partition walls for the individual transparent electrodes 2. This first protrusion 6
Is the transparent electrode 2 and the formed organic EL when the organic EL layer is formed by vapor deposition in the subsequent mask vapor deposition step.
It is formed to contact the layers and prevent them from being damaged. The first protrusion 6 is an insulating resin having photosensitivity and can be formed by using the same material as the flattening film 4.
【００１７】さらに、個々の透明電極２上にはこの第１
の突起６の他に第２の突起８が形成されている。この第
２の突起８は後のマスク蒸着工程で有機ＥＬ層を蒸着形
成する際、個々に形成された第１の突起６の間隔幅Ｌが
長くなった際に振動や外力で４０〜６０μｍの金属薄板
で構成された成膜用マスクがたわんで透明電極２および
形成された有機ＥＬ層と接触し、これらが損傷するのを
防止するために形成されるものである。なお、この第２
の突起８は感光性を有した絶縁樹脂であり、平坦化膜４
や第１の突起６と同材料を用いて形成できるものであ
る。Further, the first transparent electrode 2 is formed on each transparent electrode 2.
The second protrusion 8 is formed in addition to the protrusion 6. When the organic EL layer is formed by vapor deposition in the subsequent mask vapor deposition step, the second protrusions 8 have a width of 40 to 60 μm due to vibration or external force when the interval width L of the individually formed first protrusions 6 becomes long. The film forming mask formed of a thin metal plate is formed in order to prevent the film forming mask from bending and coming into contact with the transparent electrode 2 and the formed organic EL layer, and damaging them. In addition, this second
The protrusions 8 are photosensitive insulating resin, and the flattening film 4
The first projection 6 and the first projection 6 can be formed using the same material.
【００１８】なお、第２の突起８の配置については、た
とえば図２に示す配置例がある。図２（ａ）は第２の突
起８の形状が角柱状のもので、図２（ｂ）は第２の突起
８の形状が円柱状のものである。一方、図２（ｃ）は短
手方向の第１の突起６を帯状の第２の突起８でつなげた
構成のものである。なお、第２の突起８の形状は上記に
限られるものではなく、このような種々の形状の第２の
突起はａ−ｂ方向から見た、第１の突起の間隔幅Ｌの中
心に配置されるのが好ましい。Regarding the arrangement of the second protrusions 8, there is an example of arrangement shown in FIG. In FIG. 2A, the shape of the second protrusion 8 is prismatic, and in FIG. 2B, the shape of the second protrusion 8 is cylindrical. On the other hand, FIG. 2C shows a configuration in which the first projections 6 in the lateral direction are connected by the band-shaped second projections 8. The shape of the second protrusions 8 is not limited to the above, and the second protrusions having such various shapes are arranged at the center of the interval width L of the first protrusions as viewed in the ab direction. Preferably.
【００１９】次に、有機ＥＬ層の陽極となる透明電極２
上にはホール輸送層９、発光層１０及び電子輸送層１１
の有機媒体が薄膜で順次形成されている。そして、これ
ら有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送
層１１）を覆うように陰極１２となる金属薄膜が最上層
に形成されている。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を
蒸着法等によって形成する。また、この陰極１２は発光
層１０で発光した光をガラス基板１側に反射させ、発光
効率を増大する目的もある。また、反射をより確実にす
るために、さらに別の反射膜を形成することもできる。
これらの薄膜は例えば真空蒸着法で順次成膜されるもの
で、陽極である透明電極２と陰極１２との間に直流電圧
を選択的に印加することによって、透明電極２から注入
されたホールがホール輸送層９を経て、また陰極１２か
ら注入された電子が電子輸送層１１を経て、それぞれ発
光層１０に到達して電子とホールの再結合が生じ、ここ
から所定波長の発光が生じ、ガラス基板１側から発光表
示ができるものである。Next, the transparent electrode 2 serving as the anode of the organic EL layer
The hole transport layer 9, the light emitting layer 10 and the electron transport layer 11 are provided on the top.
The organic medium is sequentially formed of thin films. Then, a metal thin film serving as the cathode 12 is formed in the uppermost layer so as to cover these organic EL layers (hole transport layer 9, light emitting layer 10, electron transport layer 11). The cathode 12 is formed of a metal material such as Al by a vapor deposition method or the like. The cathode 12 also has the purpose of reflecting the light emitted from the light emitting layer 10 toward the glass substrate 1 side and increasing the light emitting efficiency. Further, in order to make the reflection more reliable, another reflection film can be formed.
These thin films are sequentially formed by, for example, a vacuum evaporation method, and by selectively applying a DC voltage between the transparent electrode 2 which is an anode and the cathode 12, holes injected from the transparent electrode 2 are generated. Electrons injected from the cathode 12 through the hole transport layer 9 and the electron transport layer 11 reach the light emitting layer 10 to recombine the electrons and holes, thereby emitting light of a predetermined wavelength from the glass. Light emission display can be performed from the substrate 1 side.
【００２０】また、発光した光を上方、すなわち陰極１
２側へ取り出す構成も可能で、この場合は陰極１２を透
明電極とする。そして、陽極側へ出る光を反射させるた
めに、陽極の外側（発光層と反対側）に反射膜を設け
る。The emitted light is directed upward, that is, the cathode 1
It is also possible to take out to the 2 side, and in this case, the cathode 12 is a transparent electrode. Then, in order to reflect the light emitted to the anode side, a reflection film is provided outside the anode (on the side opposite to the light emitting layer).
【００２１】なお、上記実施の形態１での非線形素子は
透明電極２上に形成された有機ＥＬ層（ホール輸送層
９、発光層１０、電子輸送層１１）に加わる電流を制御
し、発光層１０を発光させるもので、これに用いられる
非線形素子としてはｐ−Ｓｉ、ａ−Ｓｉ、ＣｄＳｅ、Ｔ
ｅ等の薄膜トランジスタを用いることができ、またＭＯ
Ｓ−ＦＥＴを用いた回路も用いることが可能である。さ
らに、３端子タイプではなく、２端子タイプのＭＩＭな
どを用いた回路構成にすることも可能である。The non-linear element according to the first embodiment controls the current applied to the organic EL layer (hole transport layer 9, light emitting layer 10, electron transport layer 11) formed on the transparent electrode 2 to control the light emitting layer. 10 emits light, and non-linear elements used for this include p-Si, a-Si, CdSe, and T.
A thin film transistor such as e can be used, and MO
A circuit using an S-FET can also be used. Further, a circuit configuration using a 2-terminal type MIM or the like instead of the 3-terminal type is also possible.
【００２２】次に、本発明における第１の実施形態にお
ける有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法を図面を用
いて説明する。Next, a method of manufacturing the organic EL display panel according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００２３】図３（ａ）において、ガラス基板１上に非
線形素子である薄膜トランジスタ３とゲートライン、ゲ
ート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソース、ドレ
インライン、信号線等（図示せず）をマトリクス状に配
置形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４を形成
し、平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介して薄
膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接続した
ＩＴＯから成る透明電極２を５００〜１５００オングス
トロームの膜厚で形成する。この透明電極２は後の有機
ＥＬ層の陽極（アノード）となるもので、インジウム錫
酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用いられ
る。In FIG. 3A, a thin film transistor 3 which is a non-linear element and a gate line, a gate insulating film, a channel layer, a contact layer, a source, a drain line, a signal line and the like (not shown) are arranged in a matrix on a glass substrate 1. From the ITO electrically connected to the drain electrode 5 of the thin film transistor 3 through the opening 7 of the flattening film 4 on the thin film transistor 3. The transparent electrode 2 is formed with a film thickness of 500 to 1500 angstroms. The transparent electrode 2 will be an anode of an organic EL layer later, and a material having a small work function such as indium tin oxide (ITO) is used.
【００２４】図３（ｂ）において、レジストあるいは感
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に各画素に対応す
る透明電極２同士を分離する隔壁となる絶縁性の第１の
突起６をフォトリソグラフィーによって形成する。この
第１の突起６の高さは透明電極２の表面や、後の有機Ｅ
Ｌ層を成膜する際の成膜用マスク（図示せず）が第１の
突起６に突き合わされた際に成膜用マスクで既に成膜さ
れた有機ＥＬ媒体を傷つけない程度の高さ（０．５μｍ
以上）を有していれば良い。一方、この第１の突起６が
高すぎても壊れやすくなるので１０μｍ以下程度、でき
れば１〜２μｍ程度が望ましい。更に、その後の工程で
成膜する陰極が第１の突起６のテーパー角度によって断
線しないように、第１の突起６の断面が略台形の形状に
なることが望ましい。このときのテーパー角度は６０度
以下が望ましい。なお、このようにマトリクス状に並置
された第１の突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また、第１の突起６の平面形状は、長方形底面
の壁となるように形成しているが、正方形、円形等その
形状は如何なるものでも良い。なお、この第１の突起６
は平坦化膜４と同材料で形成することもできる。In FIG. 3B, an insulating first projection 6 which serves as a partition for separating the transparent electrodes 2 corresponding to each pixel is formed on the transparent electrode 2 by photolithography with a resist or a photosensitive polyimide resin. Form. The height of the first protrusion 6 is the surface of the transparent electrode 2 or the organic E
When a film forming mask (not shown) for forming the L layer is abutted against the first protrusion 6, the height is such that the organic EL medium already formed by the film forming mask is not damaged ( 0.5 μm
Above). On the other hand, if the first protrusion 6 is too high, the first protrusion 6 is easily broken. Therefore, it is preferably about 10 μm or less, and preferably about 1 to 2 μm. Further, it is desirable that the cross section of the first protrusion 6 has a substantially trapezoidal shape so that the cathode formed in the subsequent step does not break due to the taper angle of the first protrusion 6. At this time, the taper angle is preferably 60 degrees or less. The first protrusions 6 arranged side by side in a matrix like this can also be formed by a screen printing method in which a light absorbing substance of glass paste is applied. Further, the planar shape of the first protrusion 6 is formed so as to be a wall having a rectangular bottom surface, but any shape such as a square or a circle may be used. In addition, the first protrusion 6
Can also be formed of the same material as the flattening film 4.
【００２５】次に図３（ｃ）において、個々に第１の突
起６が形成されて薄膜トランジスタ３のドレイン電極５
と電気的に接続している透明電極２上に前記第１の突起
６と同じ高さで、かつ絶縁性を有する材料で第２の突起
８を形成する。この第２の突起８は前記平坦化膜４や第
１の突起６と同材料で形成できる。また、フォトリソグ
ラフィーのマスクを共通化することにより第１の突起６
と同時に形成できるものである。さらにはＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。この第
２の突起８を形成することにより、後の工程である透明
電極に成膜用マスク４１を用いて有機ＥＬ層４４を蒸着
形成４２する際に生じる、成膜用マスクたわみを防ぎ、
成膜用マスクと透明電極３１、および形成した有機ＥＬ
層４４との接触、損傷を無くすことができる。Next, referring to FIG. 3C, the drain electrodes 5 of the thin film transistors 3 are formed by individually forming the first protrusions 6.
A second protrusion 8 is formed on the transparent electrode 2 electrically connected to the first protrusion 6 at the same height as the first protrusion 6 and made of an insulating material. The second protrusion 8 can be formed of the same material as the flattening film 4 and the first protrusion 6. In addition, by using a common photolithography mask, the first projections 6 are formed.
It can be formed at the same time. Furthermore, SiO 2 and S
It is also possible to use an inorganic material such as iNx. By forming the second protrusions 8, it is possible to prevent the film forming mask from bending when the organic EL layer 44 is formed by vapor deposition 42 using the film forming mask 41 on the transparent electrode in a later step,
Film forming mask, transparent electrode 31, and formed organic EL
Contact with layer 44 and damage can be eliminated.
【００２６】次に、図３（ｄ）において有機ＥＬ層の陽
極となる透明電極２上にはホール輸送層９を、図４
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
図４（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層１１
を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して薄膜
で順次形成する。Next, in FIG. 3 (d), a hole transport layer 9 is formed on the transparent electrode 2 serving as an anode of the organic EL layer, and as shown in FIG.
As shown in (a), the light emitting layer 10 is formed on the hole transport layer 9,
As shown in FIG. 4B, the electron transport layer 11 is formed on the light emitting layer 10.
Are sequentially formed as a thin film through a film formation mask having an opening for each pixel.
【００２７】そして、図４（ｃ）において、これら有機
ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１
１）を覆うように陰極（カソード）１２となる金属薄膜
を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法
等によって形成するものである。その後、透明電極２上
に形成した有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、
電子輸送層１１）の湿度による特性劣化および物質的劣
化による発光特性低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止
するため、ガラス板等を樹脂接着して封止が行われ（図
示せず）、有機ＥＬディスプレイパネルが実現できるも
のである。Then, in FIG. 4C, these organic EL layers (hole transport layer 9, light emitting layer 10, electron transport layer 1)
A metal thin film to be the cathode 12 is formed so as to cover 1). The cathode 12 is formed of a metal material such as Al by a vapor deposition method or the like. After that, the organic EL layer (hole transport layer 9, light emitting layer 10,
A glass plate or the like is resin-bonded and sealed (not shown) in order to prevent the deterioration of the light-emitting property due to the humidity of the electron transport layer 11) and the deterioration of the material due to the material deterioration and the occurrence of defects in non-lighted pixels. An organic EL display panel can be realized.
【００２８】なお、平坦化膜の開口部の穴埋めには前記
したように感光性を有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。また、
ペースト状のスクリーン印刷法によっても形成が可能で
ある。In addition to the insulating resin having photosensitivity as described above, SiO 2 or S is used to fill the opening of the flattening film.
It is also possible to use an inorganic material such as iNx. Also,
It can also be formed by a paste screen printing method.
【００２９】また、赤、緑、青など発光色の異なる発光
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。Further, when the light emitting layers 10 having different light emitting colors such as red, green and blue are formed, the same opening mask is formed by shifting by one pixel for each color without increasing the kinds of masks. Can be formed into a film.
【００３０】（第２の実施形態）次に、本発明の第２の
実施形態における有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法について図面を用いて説明する。(Second Embodiment) Next, a method for manufacturing an organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００３１】図５、図６は本発明における第２の実施形
態における有機ＥＬディスプレイパネルの工程断面構成
を示したものである。図５（ａ）において、ガラス基板
１上に非線形素子である薄膜トランジスタ３とゲートラ
イン、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソー
ス、ドレインライン、信号線等（図示せず）をマトリク
ス状に配置形成し、薄膜トランジスタ３上に平坦化膜４
を形成し、平坦化膜４上には平坦化膜４の開口部７を介
して薄膜トランジスタ３のドレイン電極５と電気的に接
続したＩＴＯから成る透明電極２を５００〜１５００オ
ングストロームの膜厚で形成する。この透明電極２は後
の有機ＥＬ層の陽極（アノード）となるもので、インジ
ウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数が小さい材料が用
いられる。FIG. 5 and FIG. 6 show a process cross-sectional structure of the organic EL display panel in the second embodiment of the present invention. In FIG. 5A, a thin film transistor 3 which is a non-linear element, a gate line, a gate insulating film, a channel layer, a contact layer, a source, a drain line, a signal line and the like (not shown) are arranged in a matrix on a glass substrate 1. Formed, and the planarization film 4 is formed on the thin film transistor 3.
And a transparent electrode 2 made of ITO electrically connected to the drain electrode 5 of the thin film transistor 3 through the opening 7 of the flattening film 4 is formed on the flattening film 4 with a film thickness of 500 to 1500 angstroms. To do. The transparent electrode 2 will be an anode of an organic EL layer later, and a material having a small work function such as indium tin oxide (ITO) is used.
【００３２】図５（ｂ）において、レジストあるいは感
光性ポリイミド樹脂等で透明電極２上に各画素に対応す
る透明電極２同士を分離する隔壁となる絶縁性の第１の
突起６をフォトリソグラフィーによって形成する。この
第１の突起６の高さは透明電極２の表面や、後の有機Ｅ
Ｌ層を成膜する際の成膜用マスク（図示せず）が第１の
突起６に突き合わされた際に成膜用マスクで既に成膜さ
れた有機ＥＬ媒体を傷つけない程度の高さ（０．５μｍ
以上）を有していれば良い。一方、この第１の突起６が
高すぎても壊れやすくなるので１０μｍ以下程度、でき
れば１〜２μｍ程度が望ましい。更に、その後の工程で
成膜する陰極が第１の突起６のテーパー角度によって断
線しないように、第１の突起６の断面が略台形の形状に
なることが望ましい。このときのテーパー角度は６０度
以下が望ましい。なお、このようにマトリクス状に並置
された第１の突起６は、ガラスペーストの光吸収性物質
を塗布するスクリーン印刷法によっても形成することも
できる。また、第１の突起６の平面形状は、長方形底面
の壁となるように形成しているが、正方形、円形等その
形状は如何なるものでも良い。なお、この第１の突起６
は平坦化膜４と同材料で形成することもできる。In FIG. 5B, an insulating first projection 6 which serves as a partition for separating the transparent electrodes 2 corresponding to each pixel is formed on the transparent electrode 2 by photolithography with a resist or a photosensitive polyimide resin. Form. The height of the first protrusion 6 is the surface of the transparent electrode 2 or the organic E
When a film forming mask (not shown) for forming the L layer is abutted against the first protrusion 6, the height is such that the organic EL medium already formed by the film forming mask is not damaged ( 0.5 μm
Above). On the other hand, if the first protrusion 6 is too high, the first protrusion 6 is easily broken. Therefore, it is preferably about 10 μm or less, and preferably about 1 to 2 μm. Further, it is desirable that the cross section of the first protrusion 6 has a substantially trapezoidal shape so that the cathode formed in the subsequent step does not break due to the taper angle of the first protrusion 6. At this time, the taper angle is preferably 60 degrees or less. The first protrusions 6 arranged side by side in a matrix like this can also be formed by a screen printing method in which a light absorbing substance of glass paste is applied. Further, the planar shape of the first protrusion 6 is formed so as to be a wall having a rectangular bottom surface, but any shape such as a square or a circle may be used. In addition, the first protrusion 6
Can also be formed of the same material as the flattening film 4.
【００３３】次に、図５（ｃ）において、個々に形成さ
れている第１の突起６の透明電極２と薄膜トランジスタ
３のドレイン電極５とを電気的に接続している平坦化膜
４の開口部７を覆うようにして前記第１の突起６と同じ
高さで、かつ絶縁性を有する材料で開口部７上に第２の
突起８を形成する。第２の突起８は前記平坦化膜４や第
１の突起６と同材料で形成できる。また、フォトリソグ
ラフィーのマスクを共通化することにより第１の突起６
と同時に形成できるものである。さらには、ＳｉＯ2や
ＳｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。この
第２の突起８を形成することにより後の工程である透明
電極に成膜用マスク４１を用いて有機ＥＬ層４４を蒸着
形成４２する際に生じる、成膜用マスクたわみを防ぎ、
成膜用マスクと透明電極３１、および形成した有機ＥＬ
層４４との接触、損傷を無くすことができる。Next, in FIG. 5C, an opening of the flattening film 4 electrically connecting the transparent electrode 2 of the first protrusion 6 and the drain electrode 5 of the thin film transistor 3 which are individually formed. A second protrusion 8 is formed on the opening 7 so as to cover the portion 7 and has the same height as the first protrusion 6 and is made of an insulating material. The second protrusion 8 can be formed of the same material as the flattening film 4 and the first protrusion 6. In addition, by using a common photolithography mask, the first projections 6 are formed.
It can be formed at the same time. Furthermore, it is also possible to use an inorganic material such as SiO 2 or SiNx. By forming the second protrusions 8, it is possible to prevent the film forming mask from bending when the organic EL layer 44 is formed by vapor deposition 42 using the film forming mask 41 on the transparent electrode in a later step.
Film forming mask, transparent electrode 31, and formed organic EL
Contact with layer 44 and damage can be eliminated.
【００３４】また、このように平坦化膜４の開口部７を
覆うようにして第２の突起８を形成することで有機ＥＬ
層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１１）が
平坦化膜開口部７のエッジ部分での段切れが生じないた
め、画素単位でのＥＬ発光が伴わない非点灯不良を防止
できる効果も同時に有するものである。また、平坦化膜
開口部７のエッジ部分における有機ＥＬ層（ホール輸送
層９、発光層１０、電子輸送層１１）の成膜膜厚が極端
に薄くなることで生じるリークパスが発生しないため、
時間経過に伴う非点灯領域の拡大や消費電力の増加を防
止するなどのすぐれた効果も併せ持つものである。Further, by forming the second protrusion 8 so as to cover the opening 7 of the flattening film 4 in this manner, the organic EL
Since the layers (the hole transport layer 9, the light emitting layer 10, the electron transport layer 11) do not cause step breaks at the edge portions of the planarization film opening 7, non-lighting defects that do not accompany EL light emission in pixel units can be prevented. It also has an effect. In addition, since the organic EL layer (the hole transport layer 9, the light emitting layer 10, the electron transport layer 11) at the edge portion of the flattening film opening 7 does not have a leak path caused by the extremely thin film thickness,
It also has excellent effects such as preventing the non-lighting area from expanding and the power consumption from increasing with the passage of time.
【００３５】次に、図５（ｄ）において有機ＥＬ層の陽
極となる透明電極２上にはホール輸送層９を、図６
（ａ）に示すようにホール輸送層９上に発光層１０を、
図６（ｂ）に示すように発光層１０上に電子輸送層１１
を、画素毎に開口部を有する成膜用マスクを介して薄膜
で順次形成する。Next, in FIG. 5 (d), the hole transport layer 9 is formed on the transparent electrode 2 which will be the anode of the organic EL layer, as shown in FIG.
As shown in (a), the light emitting layer 10 is formed on the hole transport layer 9,
As shown in FIG. 6B, the electron transport layer 11 is formed on the light emitting layer 10.
Are sequentially formed as a thin film through a film formation mask having an opening for each pixel.
【００３６】そして、図６（ｃ）において、これら有機
ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、電子輸送層１
１）を覆うように陰極（カソード）１２となる金属薄膜
を形成する。この陰極１２はＡｌ等の金属材料を蒸着法
等によって形成するものである。その後、透明電極２上
に形成した有機ＥＬ層（ホール輸送層９、発光層１０、
電子輸送層１１）の湿度による特性劣化および物質的劣
化による発光特性低下や非点灯画素の欠陥の発生を防止
するため、ガラス板等を樹脂接着して封止が行われ（図
示せず）、有機ＥＬディスプレイパネルが実現できるも
のである。Then, in FIG. 6C, these organic EL layers (hole transport layer 9, light emitting layer 10, electron transport layer 1)
A metal thin film to be the cathode 12 is formed so as to cover 1). The cathode 12 is formed of a metal material such as Al by a vapor deposition method or the like. After that, the organic EL layer (hole transport layer 9, light emitting layer 10,
A glass plate or the like is resin-bonded and sealed (not shown) in order to prevent the deterioration of the light-emitting property due to the humidity of the electron transport layer 11) and the deterioration of the material due to the material deterioration and the occurrence of defects in non-lighted pixels. An organic EL display panel can be realized.
【００３７】なお、平坦化膜の開口部の穴埋めには前記
したように感光性を有する絶縁樹脂の他にＳｉＯ2やＳ
ｉＮｘ等の無機材料を用いることも可能である。また、
ペースト状のスクリーン印刷法によっても形成が可能で
ある。Incidentally, in order to fill the opening of the flattening film, in addition to the insulating resin having photosensitivity as described above, SiO 2 or S is used.
It is also possible to use an inorganic material such as iNx. Also,
It can also be formed by a paste screen printing method.
【００３８】また、赤、緑、青など発光色の異なる発光
層１０を形成する際には、同一の開口マスクを色ごとに
１画素ずつずらして成膜することにより、マスクの種類
を増やさずに成膜できる。Further, when forming the light emitting layers 10 having different emission colors such as red, green and blue, the same aperture mask is formed by shifting one pixel for each color without increasing the number of masks. Can be formed into a film.
【００３９】[0039]
【発明の効果】マトリクス状に繰り返し形成された個々
の第１の突起の間隔に前記第１の突起と同じ高さで第２
の突起を透明電極上に設けることにより、透明電極に成
膜用マスクを用いて有機ＥＬ層を蒸着形成する際に生じ
る、成膜用マスクたわみを防ぎ、成膜用マスクと透明電
極および蒸着形成した有機ＥＬ層との接触、損傷が皆無
となり、これによって非点灯画素による画素欠陥、経時
的な輝度低下、非点灯領域の拡大による消費電力の増
加、表示領域の輝度バラツキを低減させることが可能と
なる。また、大画面の有機ＥＬディスプレイパネルの製
造歩留まりを著しく向上でき、表示信頼性に優れた大画
面で高品質な表示特性を得ることができる有機ＥＬディ
スプレイパネルを実現、提供することが可能となる。According to the present invention, the second protrusions are formed at the same height as the first protrusions in the interval between the individual first protrusions that are repeatedly formed in a matrix.
By providing the protrusions on the transparent electrode, it is possible to prevent the film formation mask from bending when the organic EL layer is formed by vapor deposition using the film formation mask on the transparent electrode, and to form the film formation mask, the transparent electrode, and the evaporation formation. Since there is no contact with or damage to the organic EL layer, it is possible to reduce pixel defects due to non-lighted pixels, decrease in brightness over time, increase in power consumption due to expansion of non-lighting areas, and variation in brightness in display areas. Becomes Further, it is possible to significantly improve the manufacturing yield of a large-screen organic EL display panel, and it is possible to realize and provide an organic EL display panel which is excellent in display reliability and can obtain high-quality display characteristics on a large screen. .
【図１】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの構造断面図FIG. 1 is a structural cross-sectional view of an organic EL display panel that is a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルにおける第１および第２の突起の形状、配
置例を示した平面図FIG. 2 is a plan view showing the shapes and arrangement examples of the first and second protrusions in the organic EL display panel which is the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図FIG. 3 is a process cross-sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel which is the first embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第１の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図FIG. 4 is a process sectional view showing a manufacturing process of the organic EL display panel which is the first embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図FIG. 5 is a process sectional view showing a manufacturing process of an organic EL display panel according to a second embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第２の実施形態である有機ＥＬディス
プレイパネルの製造工程を示す工程断面図FIG. 6 is a process sectional view showing a manufacturing process of an organic EL display panel which is a second embodiment of the present invention.
【図７】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの断面構造図FIG. 7 is a sectional structural view of an organic EL display panel which is a conventional example of the present invention.
【図８】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造工程を示す工程断面図FIG. 8 is a process sectional view showing a manufacturing process of an organic EL display panel which is a conventional example of the present invention.
【図９】本発明の従来例である有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造工程を示す工程断面図FIG. 9 is a process sectional view showing a manufacturing process of an organic EL display panel which is a conventional example of the present invention.
【図１０】本発明の従来例の問題点を示した有機ＥＬデ
ィスプレイパネルの断面構造図FIG. 10 is a sectional structural view of an organic EL display panel showing the problems of the conventional example of the present invention.
１ ガラス基板 ２ 透明電極 ３ 薄膜トランジスタ ４ 平坦化膜 ５ ドレイン電極 ６ 第１の突起 ７ 開口部 ８ 第２の突起 ９ ホール輸送層 １０ 発光層 １１ 電子輸送層 １２ 陰極 ３０ ガラス基板 ３１ 透明電極 ３２ 非線形素子 ３３ ホール輸送層 ３４ 発光層 ３５ 電子輸送層 ３６ 陰極 ３７ 発光 ３８ 突起 ３９ 平坦化膜 ４０ 開口部 ４１ 成膜用マスク ４２ 有機ＥＬ層の蒸着形成 ４３ 接触 ４４ 有機ＥＬ層 1 glass substrate 2 transparent electrode 3 thin film transistor 4 Flattening film 5 drain electrode 6 First protrusion 7 openings 8 Second protrusion 9 hole transport layer 10 Light emitting layer 11 Electron transport layer 12 cathode 30 glass substrate 31 transparent electrode 32 Non-linear element 33 hole transport layer 34 Light-emitting layer 35 electron transport layer 36 cathode 37 light emission 38 Protrusion 39 Flattening film 40 opening 41 Mask for film formation 42 Vapor deposition formation of organic EL layer 43 contact 44 Organic EL layer
Claims (31)
素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している有
機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであっ
て、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発光
部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上に
形成された透明基板において、前記非線形素子回路上に
形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記第
１の表示電極上に突出する電気絶縁性を有した第１の突
起と、前記第１の突起より露出する前記第１の表示電極
上に第２の突起が形成され、前記第１の表示電極の各々
上に形成された少なくとも１層の有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体の薄膜と、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜の上に共通に形成された第２の表示電極
とからなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。1. An organic electroluminescence display panel having an image display array comprising a plurality of non-linear element circuits arranged in a matrix and a light emitting portion, wherein the organic electro-luminescence display panel is electrically connected to the non-linear element circuits. In a transparent substrate on the surface of which first display electrodes corresponding to the light emitting portions are formed in a matrix, an insulating film formed on the nonlinear element circuit and having a contact region opened, and on the first display electrode. A first protrusion having an electrically insulating property that protrudes, and a second protrusion formed on the first display electrode exposed from the first protrusion are formed on each of the first display electrodes. And at least one layer of an organic electroluminescent medium thin film, and a second display electrode commonly formed on the thin film of the organic electroluminescent medium. Organic electroluminescence display panel as a characteristic.
薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴と
する請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネル。2. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the non-linear element circuit comprises a thin film transistor and a capacitor connected to each other.
あることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネル。3. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the substrate and the first display electrode are transparent.
を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。4. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, further comprising a reflective film formed on the second display electrode.
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。5. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the second display electrode is transparent.
射膜を有することを特徴とする請求項１記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。6. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, further comprising a reflective film formed outside the first display electrode.
であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネル。7. The organic electroluminescent display panel according to claim 1, wherein the first and second protrusions are made of a photosensitive resin.
であることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネル。8. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the heights of the first and second protrusions are the same.
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。9. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the second protrusion has a prismatic shape.
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。10. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the second protrusion has a columnar shape.
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。11. The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the second protrusion is an insulator.
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。12. The organic electroluminescent display panel according to claim 1, wherein the second protrusion is a conductor.
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであ
って、前記非線形素子回路と電気的に接続された前記発
光部に対応する第１の表示電極がマトリクス状に表面上
に形成された透明基板において、前記非線形素子回路上
に形成され、コンタクト領域を開口した絶縁膜と、前記
第１の表示電極上に突出する電気絶縁性を有した第１の
突起と、前記非線形素子回路と前記第１の表示電極との
コンタクト領域を覆うようにして第２の突起が形成さ
れ、前記第１の表示電極の各々上に形成された少なくと
も１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜と、
前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の上に共
通に形成された第２の表示電極とからなることを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。13. An organic electroluminescence display panel having an image display array comprising a plurality of non-linear element circuits arranged in a matrix and a light emitting section, wherein the organic electroluminescent display panel is electrically connected to the non-linear element circuits. In a transparent substrate on the surface of which first display electrodes corresponding to the light emitting portions are formed in a matrix, an insulating film formed on the nonlinear element circuit and having a contact region opened, and on the first display electrode. A protruding first electrically insulating protrusion and a second protrusion are formed so as to cover the contact region between the nonlinear element circuit and the first display electrode, and each of the first display electrodes is formed. A thin film of at least one layer of organic electroluminescent medium formed thereon;
An organic electroluminescence display panel comprising: a second display electrode commonly formed on the thin film of the organic electroluminescence medium.
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。14. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the non-linear element circuit includes a thin film transistor and a capacitor connected to each other.
であることを特徴とする請求項１３記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。15. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the substrate and the first display electrode are transparent.
膜を有することを特徴とする請求項１３記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。16. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, further comprising a reflective film formed on the second display electrode.
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。17. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the second display electrode is transparent.
反射膜を有することを特徴とする請求項１３記載の有機
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。18. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, further comprising a reflective film formed outside the first display electrode.
脂であることを特徴とする請求項１３記載の有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネル。19. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the first and second protrusions are made of a photosensitive resin.
じであることを特徴とする請求項１３記載の有機エレク
トロルミネッセンスディスプレイパネル。20. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the heights of the first and second protrusions are the same.
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。21. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the second protrusion has a prismatic shape.
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。22. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the second protrusion has a cylindrical shape.
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。23. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the second protrusion is an insulator.
特徴とする請求項１３記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。24. The organic electroluminescence display panel according to claim 13, wherein the second protrusion is a conductor.
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記第１表示電極上に電気絶縁性を有した
第１の突起を形成する工程と、前記第１表示電極上に電
気絶縁性を有した第２の突起を形成する工程と、前記第
１表示電極部を露出せしめる複数の開口を有するマスク
を、前記突起の上面に載置し、有機エレクトロルミネッ
センス媒体を前記開口を介して前記突起内の前記第１表
示電極の各々上に堆積させ、少なくとも１層の有機エレ
クトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成
工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜
の上に第２表示電極を共通に形成する工程とを含むこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法。25. A method of manufacturing an organic electroluminescence display panel having an image display array comprising a plurality of non-linear element circuits arranged in a matrix and a light emitting section, wherein the non-linear element circuits are arranged on a transparent substrate. Forming and arranging in a pattern, forming an insulating film on the non-linear element circuit, and forming an opening in the insulating film and electrically connecting the non-linear element circuit through the opening. Forming a plurality of first display electrodes corresponding to the portion, forming a first protrusion having an electrically insulating property on the first display electrode, and providing an electrically insulating property on the first display electrode. And a mask having a plurality of openings for exposing the first display electrode portion is placed on the upper surface of the protrusion, and the organic electroluminescence medium is opened. A step of forming a thin film of at least one layer of an organic electroluminescent medium by depositing on each of the first display electrodes in the protrusions through a mouth, and a step of forming a light emitting layer on the thin film of the organic electroluminescent medium. And a step of forming two display electrodes in common, the method for manufacturing an organic electroluminescence display panel.
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項２５記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。26. The method of manufacturing an organic electroluminescence display panel according to claim 25, wherein the non-linear element circuit comprises a thin film transistor and a capacitor connected to each other.
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
２５記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。27. A step of forming the light emitting layer having different emission colors by sequentially moving the mask so that one of the openings is arranged on one of the first display electrodes and on the adjacent one of the first display electrodes. 26. The method for manufacturing an organic electroluminescence display panel according to claim 25, wherein the steps are sequentially repeated.
形素子回路と発光部からなる画像表示配列を有している
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製
造方法であって、透明基板上に非線形素子回路をマトリ
クス状に形成配置する工程と、前記非線形素子回路上に
絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成し
てその開口部を介して前記非線形素子回路と電気的に接
続した前記発光部に対応する複数の第１表示電極を形成
する工程と、前記第１の表示電極上に電気絶縁性を有し
た第１の突起を形成する工程と、前記第１表示電極上に
導電性を有した第２の突起を形成する工程と、前記第１
表示電極部を露出せしめる複数の開口を有するマスク
を、前記突起の上面に載置し、有機エレクトロルミネッ
センス媒体を前記開口を介して前記突起内の前記第１表
示電極の各々上に堆積させ、少なくとも１層の有機エレ
クトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成
工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜
の上に第２表示電極を共通に形成する工程とを含むこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレ
イパネルの製造方法。28. A method of manufacturing an organic electroluminescence display panel having an image display array comprising a plurality of non-linear element circuits arranged in a matrix and a light emitting part, wherein the non-linear element circuits are arranged on a transparent substrate. Forming and arranging in a pattern, forming an insulating film on the non-linear element circuit, and forming an opening in the insulating film and electrically connecting the non-linear element circuit through the opening. Forming a plurality of first display electrodes corresponding to the parts, forming a first protrusion having an electrically insulating property on the first display electrode, and forming a conductive film on the first display electrode. Forming a second protrusion having the first protrusion;
A mask having a plurality of openings exposing the display electrode portion is placed on the upper surface of the projection, and an organic electroluminescent medium is deposited on each of the first display electrodes in the projection through the opening, An organic electroluminescent display, comprising: a light emitting layer forming step of forming a thin film of one layer of organic electroluminescent medium; and a step of commonly forming a second display electrode on the thin film of the organic electroluminescent medium. Panel manufacturing method.
ることを特徴とする請求項２８記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。29. The method of manufacturing an organic electroluminescence display panel according to claim 28, wherein the protrusion and the insulator are formed at the same time.
た薄膜トランジスタ及びコンデンサからなることを特徴
とする請求項２８記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。30. The method of manufacturing an organic electroluminescence display panel according to claim 28, wherein the non-linear element circuit comprises a thin film transistor and a capacitor connected to each other.
電極上からその隣接する前記第１表示電極上へ配置され
るように前記マスクを順次移動して発光色の異なる前記
発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求項
２８記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。31. The step of forming the light emitting layer having different emission colors by sequentially moving the mask so that one opening is arranged on one of the first display electrodes and on the adjacent one of the first display electrodes. 29. The method for manufacturing an organic electroluminescence display panel according to claim 28, wherein the steps are sequentially repeated.
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