JP2003234323A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
を短時間に完了することが可能な基板処理装置を提供す
ることを目的とする。 【解決手段】 基板処理装置の洗浄媒体供給機構50
は、基板Wに向けて洗浄媒体としての温水を吐出するた
めの吐出ノズル51を備える。この吐出ノズル51は、
スピンチャック70に保持されて回転する基板Wの回転
中心と対向する位置と、この基板Wの端縁と対向する位
置との間を往復移動可能となっている。また、吐出ノズ
ル51は、電磁弁56およびヒータ42を介して純水の
供給部41と接続されている。純水の供給部41から供
給された純水はヒータにより加熱されて温水となり、吐
出ノズル51から基板W上に供給される。
Description
反応生成物等の有機物を、有機物の除去液で除去する基
板処理装置に関する。
ば半導体ウエハ等の基板の表面に形成されたアルミニウ
ムや銅などの金属の薄膜を、レジスト膜をマスクとして
エッチングすることによりパターン化するエッチング工
程が実行される。そして、このエッチング工程におい
て、微細な回路パターンを形成する場合には、RIE
(Reactive Ion Etching/反応性
イオンエッチング)等の、ドライエッチングが採用され
る。
反応性イオンのパワーは極めて強いことから、金属膜の
エッチングが完了する時点においてはレジスト膜も一定
の割合で消滅し、その一部がポリマー等の反応生成物に
変質して金属膜の側壁に堆積する。この反応生成物は後
続するレジスト除去工程では除去されないことから、レ
ジスト除去工程を実行する前に、この反応生成物を除去
する必要がある。
後には、反応生成物を除去する作用を有する除去液を基
板に対して供給することにより、金属膜の側壁に堆積し
た反応生成物を除去した後、この基板を純水で洗浄し、
さらにこの純水を振り切り乾燥する反応生成物の除去処
理を行っている。
化や前工程の変化等に伴い、上述した反応生成物をはじ
めとする基板に付着している有機物の性質が多様化し、
従来の有機物の除去工程では有機物を除去するために長
い時間を要するという問題が生じてきた。このため、こ
のような基板処理装置においては、純水による洗浄以外
に、ブラシや超音波振動を利用した物理的な洗浄機構を
付加して洗浄を行うようにしている。
的な洗浄機構を付加した場合においては、洗浄機構を余
分に付加することにより、装置の大型化およびコストア
ップが生ずる。また、純水による洗浄工程とは別に物理
的な洗浄工程を付加する必要があることから、基板の処
理に要する時間が長くなるという問題も生ずる。
れたものであり、簡易な構成でありながら、有機物の除
去処理を短時間に完了することが可能な基板処理装置を
提供することを目的とする。
は、基板の表面に存在する有機物を除去液により除去す
る基板処理装置であって、基板を回転可能に保持する回
転保持手段と、前記回転保持手段に保持された基板の表
面に向けて除去液を供給する除去液供給機構と、前記回
転保持手段に保持され、前記除去液供給機構により除去
液が供給された基板の表面に向けてを温水供給する温水
供給機構と、を備えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて水蒸気を供給する水蒸気供給機構と、を
備えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて気体を供給する気体供給機構と、を備え
たことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて氷の小片を供給する氷供給機構と、を備
えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けてドライアイスの小片を供給するドライア
イス供給機構と、を備えたことを特徴とする。
在する有機物を除去液により除去する基板処理装置であ
って、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、前記
回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去液を
供給する除去液供給機構と、前記回転保持手段に保持さ
れ、前記除去液供給機構により除去液が供給された基板
の表面に向けて水素水を供給する水素水供給機構と、を
備えたことを特徴とする。
求項6のいずれかにに記載の発明において、前記有機物
はレジストが変質して生じた反応生成物である。
る基板処理装置の構成について説明する。なお、この基
板処理装置は、その表面に薄膜が形成された基板として
のシリコン製半導体ウエハの表面から、反応生成物とし
てのポリマーを除去処理するためのものである。
ニウム、チタン、タングステンおよび、これらの混合物
などの金属膜、またはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
有機絶縁膜、低誘電体層間絶縁膜などの絶縁膜から構成
される。なお、ここでいう薄膜とは、薄膜が形成された
基板の主面に対して垂直方向の断面において高さ寸法が
底部の長さ寸法より短いものはもちろん、高さ寸法が底
部の長さ寸法より長いものも含む。従って、基板上で部
分的に形成されている膜や配線など、基板主面に向った
とき線状や島状に存在するものも薄膜に含まれる。
としては、DMF(ジメチルホルムアミド)、DMSO
(ジメチルスルホキシド)、ヒドロキシルアミンなどの
有機アルカリ液を含む液体、有機アミンを含む液体、フ
ッ酸、燐酸などの無機酸を含む液体、フッ化アンモン系
物質を含む液体等を使用することができる。また、その
他の除去液として、1−メチル−2ピロリドン、テトラ
ヒドロチオフェン1.1−ジオキシド、イソプロパノー
ルアミン、モノエタノールアミン、2−(2アミノエト
キシ)エタノール、カテコール、N−メチルピロリド
ン、アロマテイックジオール、パークレン、フェノール
を含む液体などがあり、より具体的には、1−メチル−
2ピロリドンとテトラヒドロチオフェン1.1−ジオキ
シドとイソプロパノールアミンとの混合液、ジメチルス
ルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液、2−
(2アミノエトキシ)エタノールとヒドロキシアミンと
カテコールとの混合液、2−(2アミノエトキシ)エタ
ノールとN−メチルピロリドンとの混合液、モノエタノ
ールアミンと水とアロマテイックジオールとの混合液、
パークレンとフェノールとの混合液等を使用するように
してもよい。
系除去液という。)にはモノエタノールアミンと水とア
ロマティックトリオールとの混合溶液、2−(2−アミ
ノエトキシ)エタノールとヒドロキシアミンとカテコー
ルとの混合溶液、アルカノールアミンと水とジアルキル
スルホキシドとヒドロキシアミンとアミン系防食剤の混
合溶液、アルカノールアミンとグライコールエーテルと
水との混合溶液、ジメチルスルホキシドとヒドロキシア
ミンとトリエチレンテトラミンとピロカテコールと水の
混合溶液、水とヒドロキシアミンとピロガロールとの混
合溶液、2−アミノエタノールとエーテル類と糖アルコ
ール類との混合溶液、2−(2−アミノエトキシ)エタ
ノールとNとN−ジメチルアセトアセトアミドと水とト
リエタノールアミンとの混合溶液がある。
(フッ化アンモン系除去液という。)には、有機アルカ
リと糖アルコールと水との混合溶液、フッ素化合物と有
機カルボン酸と酸・アミド系溶剤との混合溶液、アルキ
ルアミドと水と弗化アンモンとの混合溶液、ジメチルス
ルホキシドと2−アミノエタノールと有機アルカリ水溶
液と芳香族炭化水素との混合溶液、ジメチルスルホキシ
ドと弗化アンモンと水との混合溶液、弗化アンモンとト
リエタノールアミンとペンタメチルジエチレントリアミ
ンとイミノジ酢酸と水の混合溶液、グリコールと硫酸ア
ルキルと有機塩と有機酸と無機塩の混合溶液、アミドと
有機塩と有機酸と無機塩との混合溶液、アミドと有機塩
と有機酸と無機塩との混合溶液がある。
水と燐酸誘導体との混合溶液がある。
概要図である。また、図2および図3は、各々、この発
明に係る基板処理装置を側方から見た概要図である。な
お、図2は除去液供給機構30とスピンチャック70と
飛散防止用カップ73との関係を、また、図3は洗浄媒
体供給機構50とスピンチャック70と飛散防止用カッ
プ73との関係を示しており、また、これらの図におい
ては飛散防止用カップ73および裏面洗浄ノズル74を
断面で示している。
保持するスピンチャック70と、スピンチャック70に
保持された基板Wの表面に向けて除去液を供給する除去
液供給機構30と、スピンチャック70に保持された基
板Wの表面に向けて洗浄媒体としての温水を供給する洗
浄媒体供給機構50とを備える。
示すように、その上面に基板Wを吸着保持した状態で、
モータ71の駆動により鉛直方向を向く支軸72を中心
に回転する。このため、基板Wは、スピンチャック70
と共に、その主面と平行な面内において回転する。
散防止用カップ73が配設されている。飛散防止用カッ
プ73は、断面が略コの字状で、平面視では中央部分に
開口を有する略リング状の形状を有する。そして、この
飛散防止用カップ73の底面には、図示しないドレイン
と連結する開口部75が形成されている。
基板Wの裏面と対向する位置には、基板Wの裏面に対し
て温水や純水等の裏面洗浄液を供給することにより基板
Wの裏面を洗浄するための裏面洗浄ノズル74が配設さ
れている。この裏面洗浄ノズル74は、電磁弁76を介
して裏面洗浄液の供給部57と接続されている。この裏
面洗浄液の供給部57は、温水や純水等の裏面洗浄液を
圧送可能な構成となっている。
に、基板Wに向けて除去液を吐出するための吐出ノズル
31を備える。この吐出ノズル31は、ノズル移動機構
32の駆動により鉛直方向を向く軸33を中心として揺
動するアーム34の先端に配設されている。このため、
吐出ノズル31は、スピンチャック70に保持されて回
転する基板Wの回転中心と対向する位置と、この基板W
の端縁と対向する位置との間を往復移動可能となってい
る。なお、ノズル移動機構32は、アーム34を上下方
向にも移動させ得る構成となっている。
して除去液の供給部37と接続されている。この除去液
の供給部37は、所定温度まで加熱された除去液を圧送
可能な構成となっている。なお、符号35は除去液供給
用のチューブを示している。
に、基板Wに向けて洗浄媒体としての温水を吐出するた
めの吐出ノズル51を備える。この吐出ノズル51は、
ノズル移動機構52の駆動により鉛直方向を向く軸53
を中心として揺動するアーム54の先端に配設されてい
る。このため、吐出ノズル51は、スピンチャック70
に保持されて回転する基板Wの回転中心と対向する位置
と、この基板Wの端縁と対向する位置との間を往復移動
可能となっている。なお、ノズル移動機構52は、アー
ム54を上下方向にも移動させ得る構成となっている。
びヒータ42を介して純水の供給部41と接続されてい
る。純水の供給部41から供給された純水はヒータによ
り加熱されて温水となり、吐出ノズル51から基板W上
に供給される。なお、符号55は温水供給用のチューブ
を示している。
から反応生成物を除去するための処理動作について説明
する。図4は、この発明に係る基板処理装置による基板
Wの処理動作を示すフローチャートである。
をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成
された薄膜をパターン化した基板Wに対し、その表面に
生成された反応生成物を除去する場合には、最初に除去
液供給工程(ステップS1)が実行される。この除去液
供給工程においては、基板Wをスピンチャック70によ
り保持して低速で回転させる。そして、除去液供給機構
30におけるノズル移動機構32の駆動により、吐出ノ
ズル31を、スピンチャック70に保持されて回転する
基板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの端縁
と対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁
弁36を開放して吐出ノズル31から除去液を吐出させ
る。これにより、スピンチャック70に保持されて回転
する基板Wの表面全域に除去液が供給される。この除去
液供給工程により、基板Wの表面に生成された反応生成
物が除去される。
り、基板Wに付着した除去液を振り切り除去する除去液
振り切り工程が実行される(ステップS2)。この除去
液振り切り工程においては、スピンチャック70によ
り、基板Wを500rpm以上、好ましくは1000r
pm〜4000rpmの回転速度で回転させる。
切り工程を実行するのは、次のような理由による。すな
わち、除去液として特に有機アルカリ液を含んだものを
使用した場合等においては、基板W上に残存した除去液
が温水(純水)と混合されると、強アルカリが生成され
る「ペーハーショック」と呼称される現象が生じ、金属
配線に損傷を与える。従って、上述した除去液供給工程
と後述する純水を使用した洗浄媒体供給工程とを連続し
て実行することは不可能であり、除去液供給工程完了後
に大量の中間リンス液を使用して基板W上から一旦除去
液を除去し、その上で基板Wに純水を供給して洗浄媒体
供給工程を実行する必要がある。このため、中間リンス
液供給工程に時間がかかり、また、多くの中間リンス液
を使用することからコストがかさむという問題を生ず
る。
除去液供給工程に引き続いて除去液振り切り工程を実行
することから、上述した中間リンス工程を省略すること
が可能となり、また、中間リンス工程を実行する場合に
おいても、この中間リンス液供給工程を少量の中間リン
ス液のみを使用して短時間に完了させることが可能とな
る。
体供給工程が実行される(ステップS3)。この洗浄媒
体供給工程においては、基板Wをスピンチャック70に
より保持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給
機構50におけるノズル移動機構52の駆動により、吐
出ノズル51を、スピンチャック70に保持されて回転
する基板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの
端縁と対向する位置との間で往復移動させるとともに、
電磁弁56を開放して吐出ノズル51から洗浄媒体とし
ての温水を吐出させる。これにより、スピンチャック7
0に保持されて回転する基板Wの表面全域に温水が供給
され、基板Wの表面が洗浄される。
体として活性能力の高い温水を利用することから、有機
物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応
生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可
能となる。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得
ることから、装置の低コスト化と処理の迅速化を図るこ
とが可能となる。なお、このときの温水の温度は、摂氏
60度乃至摂氏80度とすることが好ましい。
S1)および洗浄媒体供給工程(ステップS3)におい
ては、電磁弁76が開放され、裏面洗浄ノズル74より
スピンチャック70に保持されて回転する基板Wの裏面
に温水や純水等の裏面洗浄液が供給される。これによ
り、基板Wの裏面側に、基板Wの表面から除去された反
応生成物等が回り込むことを防止することが可能とな
る。
り、基板Wに付着した温水等を振り切り除去する洗浄媒
体振り切り工程が実行される(ステップS4)。この洗
浄媒体振り切り工程においては、スピンチャック70に
より、基板Wを500rpm以上、好ましくは1000
rpm〜4000rpmの回転速度で回転させる。
終了する。
明する。図5は、この発明の第2実施形態に係る基板処
理装置を側方から見た概要図である。なお、図5は、上
述した図3と同様、洗浄媒体供給機構50とスピンチャ
ック70と飛散防止用カップ73との関係を示してい
る。図1および図2に示す除去液供給機構30等の構成
は第1実施形態の場合と同様である。
いては、上述した第1実施形態に係る温水の代わりに、
基板Wに対して水蒸気を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第1実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
50は、図5に示すように、基板Wに向けて洗浄媒体と
しての水蒸気を吐出するための吐出ノズル51を備え
る。この吐出ノズル51は、第1実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構52の駆動により鉛直方向を向く軸
53を中心として揺動するアーム54の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル51は、スピンチャック
70に保持されて回転する基板Wの回転中心と対向する
位置と、この基板Wの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構52は、
アーム54を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
びスチーマー43を介して純水の供給部41と接続され
ている。純水の供給部41から供給された純水はスチー
マーにより急速に加熱されて水蒸気となり、吐出ノズル
51から基板W上に噴出される。なお、符号55は水蒸
気供給用のチューブを示している。
り、図4における洗浄媒体供給工程(ステップS4)を
実行する際には、基板Wをスピンチャック70により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構5
0におけるノズル移動機構52の駆動により、吐出ノズ
ル51を、スピンチャック70に保持されて回転する基
板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
56を開放して吐出ノズル51から洗浄媒体としての水
蒸気を噴出させる。これにより、スピンチャック70に
保持されて回転する基板Wの表面全域に水蒸気が供給さ
れ、基板Wの表面が洗浄される。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
活性能力の高い水蒸気を利用することから、有機物の洗
浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応生成物
の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可能とな
る。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得ること
から、装置の低コスト化と処理の迅速化を図ることが可
能となる。
られた、気体の状態になっている水であるが、前記水蒸
気には水の細かい液滴も含む。該水の細かい液滴は気体
の状態になっている水が凝結したものや液体の純水に超
音波を付与して発生させたものが含まれる。
いて説明する。図6は、この発明の第3実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図6
は、上述した図3と同様、洗浄媒体供給機構50とスピ
ンチャック70と飛散防止用カップ73との関係を示し
ている。図1および図2に示す除去液供給機構30等の
構成は第1実施形態の場合と同様である。
いては、上述した第1実施形態に係る温水の代わりに、
基板Wに対して高圧の二酸化炭素を供給するようにして
いる。なお、以下の説明においては、上述した第1実施
形態と同一の部材については同一の符号を付して、詳細
な説明を省略する。
50は、図6に示すように、基板Wに向けて洗浄媒体と
しての高圧の二酸化炭素を吐出するための吐出ノズル5
1を備える。この吐出ノズル51は、第1実施形態の場
合と同様、ノズル移動機構52の駆動により鉛直方向を
向く軸53を中心として揺動するアーム54の先端に配
設されている。このため、吐出ノズル51は、スピンチ
ャック70に保持されて回転する基板Wの回転中心と対
向する位置と、この基板Wの端縁と対向する位置との間
を往復移動可能となっている。なお、ノズル移動機構5
2は、アーム54を上下方向にも移動させ得る構成とな
っている。
して二酸化炭素の供給部44と接続されている。二酸化
炭素の供給部44から供給された二酸化炭素は、吐出ノ
ズル51から基板W上に噴出される。なお、符号55は
二酸化炭素供給用のチューブを示している。
り、図4における洗浄媒体供給工程(ステップS4)を
実行する際には、基板Wをスピンチャック70により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構5
0におけるノズル移動機構52の駆動により、吐出ノズ
ル51を、スピンチャック70に保持されて回転する基
板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
56を開放して吐出ノズル51から洗浄媒体としての高
圧の二酸化炭素を噴出させる。これにより、スピンチャ
ック70に保持されて回転する基板Wの表面全域に高圧
の二酸化炭素が供給され、基板Wの表面が洗浄される。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
基板Wにダメージを与えることなく基板Wの洗浄能力を
向上させることか可能な高圧の二酸化炭素を利用するこ
とから、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で
膨潤した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄
することが可能となる。また、従来の純水による洗浄行
程を省略し得ることから、装置の低コスト化と処理の迅
速化を図ることが可能となる。
他の気体を使用するようにしてもよい。
いて説明する。図7は、この発明の第4実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図7
は、上述した図3と同様、洗浄媒体供給機構50とスピ
ンチャック70と飛散防止用カップ73との関係を示し
ている。図1および図2に示す除去液供給機構30等の
構成は第1実施形態の場合と同様である。
いては、上述した第1実施形態に係る温水の代わりに、
基板Wに対して氷の小片を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第1実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
50は、図7に示すように、基板Wに向けて洗浄媒体と
しての氷の小片を吐出するための吐出ノズル51を備え
る。この吐出ノズル51は、第1実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構52の駆動により鉛直方向を向く軸
53を中心として揺動するアーム54の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル51は、スピンチャック
70に保持されて回転する基板Wの回転中心と対向する
位置と、この基板Wの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構52は、
アーム54を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
び粉砕混合部45を介して氷の供給部46と接続されて
いる。氷の供給部46から供給された氷は、粉砕混合部
45により小片状に粉砕される。そして、粉砕後の氷の
小片は、粉砕混合部45からそこに供給された窒素ガス
をキャリアガスとして搬送され、吐出ノズル51から基
板W上に噴出される。なお、符号55は氷の小片供給用
のチューブを示している。
り、図4における洗浄媒体供給工程(ステップS4)を
実行する際には、基板Wをスピンチャック70により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構5
0におけるノズル移動機構52の駆動により、吐出ノズ
ル51を、スピンチャック70に保持されて回転する基
板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
56を開放して吐出ノズル51から洗浄媒体としての氷
の小片を窒素ガスをキャリアガスとして噴出させる。こ
れにより、スピンチャック70に保持されて回転する基
板Wの表面全域に氷の小片が供給され、基板Wの表面が
洗浄される。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
物理的な力で基板を洗浄する氷の小片を利用することか
ら、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤
した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄する
ことが可能となる。また、従来の純水による洗浄行程を
省略し得ることから、装置の低コスト化と処理の迅速化
を図ることが可能となる。なお、このときの氷の小片の
大きさは、数十ミクロン程度とすることが好ましい。
いて説明する。図8は、この発明の第5実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図8
は、上述した図3と同様、洗浄媒体供給機構50とスピ
ンチャック70と飛散防止用カップ73との関係を示し
ている。図1および図2に示す除去液供給機構30等の
構成は第1実施形態の場合と同様である。
いては、上述した第1実施形態に係る温水の代わりに、
基板Wに対してドライアイス(固形状二酸化炭素)の小
片を供給するようにしている。なお、以下の説明におい
ては、上述した第1実施形態と同一の部材については同
一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
50は、図8に示すように、基板Wに向けて洗浄媒体と
してのドライアイスの小片を吐出するための吐出ノズル
51を備える。この吐出ノズル51は、第1実施形態の
場合と同様、ノズル移動機構52の駆動により鉛直方向
を向く軸53を中心として揺動するアーム54の先端に
配設されている。このため、吐出ノズル51は、スピン
チャック70に保持されて回転する基板Wの回転中心と
対向する位置と、この基板Wの端縁と対向する位置との
間を往復移動可能となっている。なお、ノズル移動機構
52は、アーム54を上下方向にも移動させ得る構成と
なっている。
び第4実施形態と同様の粉砕混合部45を介してドライ
アイスの供給部47と接続されている。ドライアイスの
供給部47から供給されたドライアイスは、粉砕混合部
45により小片状に粉砕される。そして、粉砕後のドラ
イアイスの小片は、粉砕混合部45からそこに供給され
た窒素ガスをキャリアガスとして搬送され、吐出ノズル
51から基板W上に噴出される。なお、符号55はドラ
イアイスの小片供給用のチューブを示している。
り、図4における洗浄媒体供給工程(ステップS4)を
実行する際には、基板Wをスピンチャック70により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構5
0におけるノズル移動機構52の駆動により、吐出ノズ
ル51を、スピンチャック70に保持されて回転する基
板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
56を開放して吐出ノズル51から洗浄媒体としてのド
ライアイスの小片を窒素ガスをキャリアガスとして噴出
させる。これにより、スピンチャック70に保持されて
回転する基板Wの表面全域にドライアイスの小片が供給
され、基板Wの表面が洗浄される。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
物理的な力で基板を洗浄するドライアイスの小片を利用
することから、有機物の洗浄能力が向上し、除去液供給
工程で膨潤した反応生成物の残滓を効率よく短時間で剥
離洗浄することが可能となる。また、従来の純水による
洗浄行程を省略し得ることから、装置の低コスト化と処
理の迅速化を図ることが可能となる。なお、このときの
ドライアイスの小片の大きさは、数十ミクロン程度とす
ることが好ましい。
いて説明する。図9は、この発明の第6実施形態に係る
基板処理装置を側方から見た概要図である。なお、図9
は、上述した図3と同様、洗浄媒体供給機構50とスピ
ンチャック70と飛散防止用カップ73との関係を示し
ている。図1および図2に示す除去液供給機構30等の
構成は第1実施形態の場合と同様である。
いては、上述した第1実施形態に係る温水の代わりに、
基板Wに対して水素水を供給するようにしている。な
お、以下の説明においては、上述した第1実施形態と同
一の部材については同一の符号を付して、詳細な説明を
省略する。
50は、図9に示すように、基板Wに向けて洗浄媒体と
しての水素水を吐出するための吐出ノズル51を備え
る。この吐出ノズル51は、第1実施形態の場合と同
様、ノズル移動機構52の駆動により鉛直方向を向く軸
53を中心として揺動するアーム54の先端に配設され
ている。このため、吐出ノズル51は、スピンチャック
70に保持されて回転する基板Wの回転中心と対向する
位置と、この基板Wの端縁と対向する位置との間を往復
移動可能となっている。なお、ノズル移動機構52は、
アーム54を上下方向にも移動させ得る構成となってい
る。
して水素水の供給部48と接続されている。水素水の供
給部48から供給された水素水は、吐出ノズル51から
基板W上に噴出される。なお、符号55は水素水供給用
のチューブを示している。
り、図4における洗浄媒体供給工程(ステップS4)を
実行する際には、基板Wをスピンチャック70により保
持して低速で回転させる。そして、洗浄媒体供給機構5
0におけるノズル移動機構52の駆動により、吐出ノズ
ル51を、スピンチャック70に保持されて回転する基
板Wの回転中心と対向する位置と、この基板Wの端縁と
対向する位置との間で往復移動させるとともに、電磁弁
56を開放して吐出ノズル51から洗浄媒体としての水
素水を噴出させる。これにより、スピンチャック70に
保持されて回転する基板Wの表面全域に水素水が供給さ
れ、基板Wの表面が洗浄される。
用しての洗浄媒体供給工程においては、洗浄媒体として
活性能力の高い水素水を利用することから、有機物の洗
浄能力が向上し、除去液供給工程で膨潤した反応生成物
の残滓を効率よく短時間で剥離洗浄することが可能とな
る。また、従来の純水による洗浄行程を省略し得ること
から、装置の低コスト化と処理の迅速化を図ることが可
能となる。
(純水)中に水素が溶解された液体をいう。
は、ドライエッチング工程を経た基板Wに対して、ドラ
イエッチング時に生成されたポリマーを除去する基板処
理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、
この発明はドライエッチング時に生成されたポリマーが
存在する基板Wからポリマーを除去することに限定され
るものではない。
の際に生成されたポリマーを基板から除去する場合にも
適用可能である。すなわち、この発明は、ドライエッチ
ング以外の各種処理において、レジストに起因して生成
されたポリマーを基板から除去する基板処理装置に適用
することも可能である。
プラズマアッシングによる処理で生成されるポリマーを
除去することに限定されるものではなく、レジストに由
来する各種反応生成物を基板から除去する場合も含む。
スト膜で覆われていない部分の前記薄膜に不純物拡散処
理を行った基板を処理する場合にこの発明を適用しても
よい。すなわち、このような不純物拡散処理には、例え
ば、イオンインプランテーションがあるが、このような
処理を経た基板ではレジスト膜の下方に存在しレジスト
膜で覆われていない部分の薄膜にはもちろん、レジスト
膜にもイオンが入り込む。これにより、レジストの一部
もしくは全部が変質し、この明細書で述べる「レジスト
が変質して生じた反応生成物」となっている。このよう
な反応生成物も有機物であり、この発明に係る基板処理
装置の除去対象となっている。
応生成物を基板から除去することに限らず、レジストそ
のものを基板から除去する場合も含む。
に模様(配線パターン等)が露光され、該レジスト膜が
現像され、該レジストの下方に存在する下層に対して下
層処理が施された基板を対象とし、下層処理が終了して
不要になったレジスト膜を除去する場合も含まれる。
れた後、下層としての薄膜に対して例えばエッチング処
理を行った場合が含まれる。このときのエッチング処理
が、エッチング液を供給して行うウエットエッチングで
あるか、RIEなどのドライエッチングであるかを問わ
ず、エッチング処理後においてはレジスト膜は不要にな
るので、これを除去する必要がある。このようなエッチ
ング処理後のレジスト除去処理も、この発明に係る基板
処理装置の対象となる。
た後、下層としての薄膜に下層処理として不純物拡散を
行った場合、不純物拡散処理後はレジスト膜は不要にな
るのでこれを除去する必要があるが、このときのレジス
ト除去処理も、この発明に係る基板処理装置の対象とな
る。
ト膜を除去するのと同時に、レジスト膜が変質して生じ
た反応生成物があればこれも同時に除去できるので、ス
ループットが向上するとともに、コストを削減できる。
層である薄膜に対してドライエッチングを施した場合は
レジストに由来する反応生成物も生成される。よって、
ドライエッチング時に下層である薄膜をマスクすること
に供されたレジスト膜そのもの、および、レジスト膜が
変質して生じた反応生成物も同時に除去できる。また、
下層である薄膜に対して不純物拡散処理(特にイオンイ
ンプランテーション)を行った場合にもレジストに由来
する反応生成物が生成される。よって、不純物拡散処理
時に下層をマスクすることに供されたレジスト膜そのも
の、および、レジスト膜が変質して生じた反応生成物も
同時に除去できる。
よれば、レジストに由来する反応生成物やレジストその
ものを基板から除去することに限らず、レジストに由来
しない有機物、例えば人体から発塵した微細な汚染物質
などを基板から除去することも可能となる。
いては、除去液供給機構30を使用して基板Wに除去液
を供給した後、洗浄媒体供給機構50を利用して基板W
に各種の洗浄媒体を供給することで有機物の除去処理を
完了させているが、洗浄媒体供給機構50を利用して基
板Wにさらに純水を供給して、基板Wを再度純水により
洗浄するようにしてもよい。
れば、簡易な構成でありながら、有機物の除去処理を短
時間に完了することが可能となる。
る。
要図である。
要図である。
理動作を示すフローチャートである。
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
側方から見た概要図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて温水を供給す
る温水供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて水蒸気を供給
する水蒸気供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項3】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて気体を供給す
る気体供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項4】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて氷の小片を供
給する氷供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項5】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けてドライアイス
の小片を供給するドライアイス供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項6】 基板の表面に存在する有機物を除去液に
より除去する基板処理装置であって、 基板を回転可能に保持する回転保持手段と、 前記回転保持手段に保持された基板の表面に向けて除去
液を供給する除去液供給機構と、 前記回転保持手段に保持され、前記除去液供給機構によ
り除去液が供給された基板の表面に向けて水素水を供給
する水素水供給機構と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項7】 請求項1乃至請求項6のいずれかにに記
載の基板処理装置において、 前記有機物はレジストが変質して生じた反応生成物であ
る基板処理装置。
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