JP2003233178A - 光重合性組成物、光重合性画像形成材及びそれを用いた画像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 酸素による重合阻害の影響が抑制され高感度
であると共に、解像性に優れ、且つ、セーフライト性に
も優れる光重合性組成物、並びに、光重合性画像形成材
及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 【構成】 下記の（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分を含有し
てなる光重合性組成物、並びに、基板上に該光重合性組
成物の層が形成されてなる光重合性画像形成材、及び、
該光重合性画像形成材の光重合性組成物層を７５０〜１
２００ｎｍの波長域の近赤外レーザー光により走査露光
した後、アルカリ現像液で現像処理する画像形成方法。 （Ａ）α，β−不飽和モノカルボン酸付加エポキシ樹脂
の多価カルボン酸若しくはその無水物変性体に、エポキ
シ基含有不飽和化合物を付加させた変性エポキシ樹脂か
らなるエチレン性不飽和化合物 （Ｂ）光重合開始剤

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、酸素による重合阻
害の影響が抑制された光重合性組成物、並びに、光重合
性画像形成材及びそれを用いた画像形成方法に関し、プ
リント配線板、液晶表示素子、プラズマディスプレイ、
カラーフィルター、有機エレクトロルミネッセンス、薄
型トランジスタ等における導体回路や電極基板の形成に
有用であり、特に、半導体レーザー等を用いた近赤外レ
ーザー光による直接描画に好適な光重合性組成物、並び
に、光重合性画像形成材及びそれを用いた画像形成方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、例えば、プリント配線板等に
おける導体回路の形成は、感光性組成物からなるレジス
ト材として、液状レジスト材又はドライフィルムレジス
ト材が用いられ、銅張積層板の該銅張面等の基板上に、
液状レジスト材を塗布し乾燥させるか、或いは、支持フ
ィルムと被覆フィルムでサンドイッチしたドライフィル
ムレジスト材の被覆フィルムを剥離してラミネートする
かして形成された感光性レジスト材層を有する銅張積層
板を、回路パターンが描かれたマスクフィルムを通して
露光した後、マスクフィルムを剥離し、現像処理するこ
とによって回路パターンに対応したレジスト画像を形成
し、次いで、エッチング処理等してレジスト材に覆われ
ていない銅張部を除去した後、レジスト材を除去するこ
とにより、マスクフィルムに描かれた回路パターンを基
板上に形成するという方法が採られている。

【０００３】前述のレジスト材の中で、ドライフィルム
レジスト材は基板上への層形成が容易である反面、支持
フィルムを介して画像露光されること、及びレジスト材
層の膜厚が２０〜７０μｍと厚いこと等から高解像度が
得られ難いという欠点を有しているのに対して、液状レ
ジスト材は高解像度が得られるものとして注目されてい
る。しかしながら、液状レジスト材の場合、レジスト材
層を構成する感光性組成物が光重合性組成物であると、
レジスト材層の膜厚を薄くしたとき、酸素による重合阻
害を顕著に受け感度が数十〜数百分の１に低下するとい
う欠点があり、その感度の低下を防止すべく、露光雰囲
気を窒素ガス或いはアルゴンガス等の不活性ガスに置換
する方法、及び、レジスト材層上に酸素遮断層を設ける
方法等が知られているものの、いずれの方法も、装置或
いは工程数の増加等、経済上及び作業上の不利さを免れ
得ないものであった。

【０００４】一方、近年の電子機器における機能向上や
軽薄短小化の流れ等から、回路の高密度化が求められ、
それに伴うレジスト材の解像度の向上が求められている
ことに対して、レーザー光を用いることにより、マスク
フィルムを用いずに、コンピューターのデジタル情報に
基づいて直接描画する方法が、高解像度の回路の形成が
可能な方法として注目されている。しかしながら、レー
ザー光による露光においては、レジスト材としての感光
性組成物の感度、解像度が未だ満足できるには到っては
いないのが現状である。

【０００５】これに対して、例えば、特開２０００−１
４７７６７号公報には、エポキシ基含有エチレン性不飽
和モノマーの重合体に特定量のエチレン性不飽和モノカ
ルボン酸を反応させたカルボキシル基含有不飽和樹脂、
エチレン性不飽和化合物、光重合開始剤、及び４００〜
７００ｎｍの波長域の増感色素とを含有する光重合性組
成物を用いることにより、酸素遮断層を設けずとも高感
度を示すと共に、レーザー光による直接描画が可能とな
ることが開示されているが、高感度を追求するが故に、
露光波長以外の波長領域の光に対しても反応性を示すこ
ととなって、暗室のような作業環境でしか取り扱えない
という欠点を有するものであった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述の従来
技術に鑑みてなされたものであって、従って、本発明
は、酸素による重合阻害の影響が抑制され高感度である
と共に、解像性に優れ、且つ、セーフライト性にも優れ
ており明室での取扱が可能な光重合性組成物、並びに、
光重合性画像形成材及びそれを用いた画像形成方法を提
供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく鋭意検討した結果、エチレン性不飽和化合
物、及び光重合開始剤を含有する光重合性組成物におい
て、赤外感光性の光重合性組成物であって、エチレン性
不飽和化合物として特定のエポキシ樹脂変性体を用いる
ことによって前記目的が達成できることを見い出し本発
明を完成したもので、従って、本発明は、下記の（Ａ）
成分、及び（Ｂ）成分を含有してなる光重合性組成物、
並びに、基板上に該光重合性組成物の層が形成されてな
る光重合性画像形成材、及び、該光重合性画像形成材の
光重合性組成物層を７５０〜１２００ｎｍの波長域の近
赤外レーザー光により走査露光した後、アルカリ現像液
で現像処理する画像形成方法、を要旨とする。

【０００８】（Ａ）α，β−不飽和モノカルボン酸付加
エポキシ樹脂の多価カルボン酸若しくはその無水物変性
体に、エポキシ基含有不飽和化合物を付加させた変性エ
ポキシ樹脂からなるエチレン性不飽和化合物 （Ｂ）光重合開始剤

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の光重合性組成物を構成す
る（Ａ）成分のエチレン性不飽和化合物は、光重合性組
成物が活性光線の照射を受けたときに、後述する（Ｂ）
成分、或いは更に（Ｃ）成分の光重合開始系の作用によ
り高分子量化し、更に架橋、硬化するような、ラジカル
重合性のエチレン性不飽和二重結合を分子内に少なくと
も１個有する化合物である。

【００１０】本発明におけるそのエチレン性不飽和化合
物は、α，β−不飽和モノカルボン酸付加エポキシ樹脂
の多価カルボン酸若しくはその無水物変性体に、エポキ
シ基含有不飽和化合物を付加させた変性エポキシ樹脂、
即ち、エポキシ樹脂のエポキシ基に、α，β−不飽和モ
ノカルボン酸が開環付加されたα，β−不飽和モノカル
ボン酸付加エポキシ樹脂が、多価カルボン酸若しくはそ
の無水物で変性された多価カルボン酸若しくはその無水
物変性体に、更にエポキシ基含有不飽和化合物を付加さ
せたものである。具体的には、エポキシ樹脂のエポキシ
基にα，β−不飽和モノカルボン酸のカルボキシル基が
開環付加されて形成されたエステル結合（−ＣＯＯ−）
を介してエチレン性不飽和結合が付加されていると共
に、その際生じた水酸基に多価カルボン酸若しくはその
無水物のカルボキシル基が反応して形成されたエステル
結合を介して残存するカルボキシル基にエポキシ基含有
不飽和化合物のエポキシ基が開環付加されてエステル結
合が形成され、そのエステル結合を介して不飽和結合が
付加されたものである。

【００１１】ここで、そのエポキシ樹脂としては、具体
的には、例えば、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビス
フェノールＦエポキシ樹脂、ビスフェノールＳエポキシ
樹脂、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾール
ノボラックエポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹
脂等が挙げられ、中で、フェノールノボラックエポキシ
樹脂、又はクレゾールノボラックエポキシ樹脂が特に好
ましい。

【００１２】又、そのα，β−不飽和モノカルボン酸と
しては、具体的には、例えば、（メタ）アクリル酸
〔尚、本発明において、「（メタ）アクリル」とは、
「アクリル」又は／及び「メタクリル」を意味するもの
とする。〕、クロトン酸、桂皮酸等が挙げられ、中で、
（メタ）アクリル酸が特に好ましい。

【００１３】又、その多価カルボン酸若しくはその無水
物としては、具体的には、例えば、琥珀酸、マレイン
酸、イタコン酸、フタル酸、テトラヒドロフタル酸、メ
チルテトラヒドロフタル酸、エンドメチレンテトラヒド
ロフタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロフタル
酸、ヘキサヒドロフタル酸、メチルヘキサヒドロフタル
酸等、及びそれらの無水物が挙げられ、中で、マレイン
酸無水物、テトラヒドロフタル酸無水物、又はヘキサヒ
ドロフタル酸無水物が好ましく、テトラヒドロフタル酸
無水物が特に好ましい。

【００１４】又、そのエポキシ基含有不飽和化合物とし
ては、具体的には、例えば、アリルグリシジルエーテ
ル、グリシジル（メタ）アクリレート、α−エチルグリ
シジル（メタ）アクリレート、グリシジルクロトネー
ト、グリシジルイソクロトネート、クロトニルグリシジ
ルエーテル、イタコン酸モノアルキルモノグリシジルエ
ステル、フマル酸モノアルキルモノグリシジルエステ
ル、マレイン酸モノアルキルモノグリシジルエステル、
２，３−エポキシシクロペンチルメチル（メタ）アクリ
レート、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メ
タ）アクリレート等が挙げられ、中で、（メタ）アクリ
レートが好ましく、グリシジル（メタ）アクリレート、
又は３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）ア
クリレートが特に好ましい。

【００１５】本発明における前記変性エポキシ樹脂は、
従来公知の方法により、具体的には、前記エポキシ樹脂
をジエチレングリコールエチルエーテルアセテート等の
有機溶剤に溶解させ、ベンジルジメチルアミン、トリエ
チルアミン等の第３級アミン類、又は、トリメチルベン
ジルアンモニウムクロライド、メチルトリエチルアンモ
ニウムクロライド、テトラエチルアンモニウムクロライ
ド等の第４級アンミニウム塩類、又は、トリフェニルス
チビン等のスチビン類等の触媒の存在下、ハイドロキノ
ン、ハイドロキノンモノメチルエーテル、メチルハイド
ロキノン等の熱重合禁止剤の共存下に、前記α，β−不
飽和モノカルボン酸を、エポキシ樹脂のエポキシ基の１
化学当量に対して通常０．７〜１．３化学当量、好まし
くは０．９〜１．１化学当量となる量で加え、通常６０
〜１５０℃、好ましくは８０〜１２０℃の温度で付加反
応させ、引き続き、多価カルボン酸若しくはその無水物
を、前記反応で生じた水酸基の１化学当量に対して通常
０．１〜１．２化学当量、好ましくは０．２〜１．１化
学当量となる量で加えて、前記条件下で反応を続け、更
に、エポキシ基含有不飽和化合物を、前記反応で残存す
るカルボキシル基１化学当量に対して通常０．１〜０．
９化学当量、好ましくは０．２〜０．８化学当量となる
量で加えて、前記条件下で反応を続ける等の方法により
製造することができる。

【００１６】本発明における前記変性エポキシ樹脂とし
ては、酸価が２０〜２００ｍｇ・ＫＯＨ／ｇであるのが
好ましく、３０〜１８０ｍｇ・ＫＯＨ／ｇであるのが特
に好ましい。又、ゲルパーミエーションクロマトグラフ
ィーによる重量平均分子量が２，０００〜２００，００
０であるのが好ましく、３，０００〜１５０，０００で
あるのが特に好ましい。

【００１７】以上の変性エポキシ樹脂の中で、本発明に
おいては、光重合性組成物としての感度、解像性、及び
基板に対する密着性等の面から、エポキシ樹脂としての
フェノールノボラックエポキシ樹脂、又はクレゾールノ
ボラックエポキシ樹脂に、α，β−不飽和カルボン酸と
しての（メタ）アクリル酸が付加され、更に、多価カル
ボン酸若しくはその無水物としてのマレイン酸無水物、
又はテトラヒドロフタル酸無水物で変性され、更に、エ
ポキシ基含有不飽和化合物としてのグリシジル（メタ）
アクリレート、又は３，４−エポキシシクロヘキシルメ
チル（メタ）アクリレートが付加されたものが特に好ま
しい。

【００１８】尚、本発明においては、光重合性組成物と
しての感度の向上等の面から、前記（Ａ）成分の変性エ
ポキシ樹脂の外に、エチレン性不飽和化合物として、こ
の種光重合性組成物においてエチレン性不飽和化合物と
して慣用されている低分子量のアクリレート化合物を更
に含有しているのが好ましい。

【００１９】そのアクリレート化合物としては、具体的
には、例えば、エチレングリコールジ（メタ）アクリレ
ート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、
トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テト
ラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピ
レングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレ
ングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラメチレン
グリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリ
コールジ（メタ）アクリレート、ヘキサメチレングリコ
ールジ（メタ）アクリレート、ノナメチレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ
（メタ）アクリレート、テトラメチロールエタントリ
（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパンエチレンオ
キサイド付加トリ（メタ）アクリレート、トリメチロー
ルプロパンプロピレンオキサイド付加トリ（メタ）アク
リレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、グリ
セロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールプロ
ピレンオキサイド付加トリ（メタ）アクリレート、ペン
タエリスリトールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリ
スリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリ
トールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリ
トールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトー
ルトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
テトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトール
ヘキサ（メタ）アクリレート、ソルビトールトリ（メ
タ）アクリレート、ソルビトールテトラ（メタ）アクリ
レート、ソルビトールペンタ（メタ）アクリレート、ソ
ルビトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられ
る。

【００２０】これらの中で、本発明においては、トリメ
チロールエタントリ（メタ）アクリレート、トリメチロ
ールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロー
ルプロパントリ〔（メタ）アクリロイルオキシプロピ
ル〕エーテル、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アク
リレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリ
レート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレ
ート等が好ましい。

【００２１】又、本発明の光重合性組成物を構成する
（Ｂ）成分の光重合開始剤は、後述する（Ｃ）成分の増
感剤等の存在下で光照射されたときに、前記（Ａ）成分
のエチレン性不飽和化合物の高分子量化を誘起する活性
ラジカルを発生するラジカル発生剤であって、例えば、
ハロゲン化炭化水素誘導体類、ヘキサアリールビイミダ
ゾール化合物類、チタノセン化合物類、有機硼素錯体
類、カルボニル化合物類、及び有機過酸化物類等が挙げ
られる。

【００２２】そのハロゲン化炭化水素誘導体類として
は、例えば、特開昭５３−１３３４２８号公報、英国特
許１３８８４９２号明細書、若林等;Bull.Chem.Soc.Jap
an;42,2924(1969)、F.C.Schaefer等;J.Org.Chem.;29,15
27(1964)等に記載されるｓ−トリアジン化合物、具体的
には、例えば、２，４，６−トリス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ｎ−プロピル
−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジ
ン、２−ｎ−ノニル−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（α，α，β−トリクロロ
エチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−ト
リアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメ
チル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メトキシフェニ
ル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−（ｐ−クロロフェニル）−４，６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２’，４’
−ジクロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４−エポキシフェニ
ル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリア
ジン、２−〔１−（ｐ−メトキシフェニル）−２，４−
ブタジエニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−
ｓ−トリアジン、２−スチリル−４，６−ビス（トリク
ロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メチルスチ
リル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−（ｐ−メトキシスチリル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−メ
トキシスチリル）−４−アミノ−６−トリクロロメチル
−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−ｉ−プロピルオキシスチ
リル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−（ｐ−トリル）−４，６−ビス（トリクロ
ロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフ
チル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−（４−エトキシナフチル）−４，６−ビス
（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔４−
（２−エトキシエチル）ナフチル〕−４，６−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４，７−ジ
メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−アセナフチル−４，６−ビ
ス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニ
ルチオ−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−ベンジルチオ−４，６−ビス（トリクロロ
メチル）−ｓ−トリアジン、２−メトキシ−４−メチル
−６−トリクロロメチル−ｓ−トリアジン、２，４，６
−トリス（トリブロモメチル）−ｓ−トリアジン、２−
メチル−４，６−ビス（トリブロモメチル）−ｓ−トリ
アジン、２−メトキシ−４，６−ビス（トリブロモメチ
ル）−ｓ−トリアジン、２−アミノ−４−メチル−６−
トリブロモメチル−ｓ−トリアジン等が挙げられ、中
で、ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン化合物
が好ましい。

【００２３】又、そのヘキサアリールビイミダゾール化
合物類としては、例えば、特公平６−２９２８５号公報
等に記載される化合物、具体的には、例えば、２，２’
−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−
テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−
クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｐ−
クロロフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ
−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ
（ｏ，ｐ−ジクロロフェニル）ビイミダゾール、２，
２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，
５’−テトラ（ｐ−フルオロフェニル）ビイミダゾー
ル、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，
４’，５，５’−テトラ（ｏ，ｐ−ジブロモフェニル）
ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニ
ル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｐ−クロロナフチ
ル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェ
ニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｍ−メトキシフ
ェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｐ−ジ
クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニ
ルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ，ｐ−ジクロロ
フェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｏ，ｐ−ジ
クロロフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ
−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェ
ニルビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ブロモフェ
ニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｏ，ｐ−ジクロ
ロフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−ブ
ロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｐ−ヨ
ードフェニル）ビイミダゾール、２，２’−ビス（ｏ−
ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ（ｏ−
クロロ−ｐ−メトキシフェニル）ビイミダゾール、２，
２’−ビス（ｏ−メチルフェニル）−４，４’，５，
５’−テトラフェニルビイミダゾール、２，２’−ビス
（ｏ−ニトロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラ
フェニルビイミダゾール等が挙げられる。

【００２４】又、そのチタノセン化合物類としては、例
えば、特開昭５９−１５２３９６号、特開昭６１−１５
１１９７号、特開昭６３−４１４８４号、特開平２−２
４９号、特開平２−４７０５号、特開平５−８３５８８
号各公報等に記載される化合物、具体的には、例えば、
ジシクロペンタジエニルチタニウムジクロライド、ジシ
クロペンタジエニルチタニウムビスフェニル、ジシクロ
ペンタジエニルチタニウムビス（２，４−ジフルオロフ
ェニル）、ジシクロペンタジエニルチタニウムビス
（２，６−ジフルオロフェニル）、ジシクロペンタジエ
ニルチタニウムビス（２，４，６−トリフルオロフェニ
ル）、ジシクロペンタジエニルチタニウムビス（２，
３，５，６−テトラフルオロフェニル）、ジシクロペン
タジエニルチタニウムビス（２，３，４，５，６−ペン
タフルオロフェニル）、ジ（メチルシクロペンタジエニ
ル）チタニウムビス（２，６−ジフルオロフェニル）、
ジ（メチルシクロペンタジエニル）チタニウムビス
（２，４，６−トリフルオロフェニル）、ジ（メチルシ
クロペンタジエニル）チタニウムビス（２，３，５，６
−テトラフルオロフェニル）、ジ（メチルシクロペンタ
ジエニル）チタニウムビス（２，３，４，５，６−ペン
タフルオロフェニル）、ジシクロペンタジエニルチタニ
ウムビス〔２，６−ジフルオロ−３−（１−ピロリル）
フェニル〕等が挙げられる。

【００２５】又、その有機硼素錯体類としては、例え
ば、特開平８−２１７８１３号、特開平９−１０６２４
２号、特開平９−１８８６８５号、特開平９−１８８６
８６号、特開平９−１８８７１０号各公報、及び、Kun
z,Martin ”Rad Tech'98.Proceeding April 19-22,199
8,Chicago ”等に記載の有機硼素アンモニウム錯体、特
開平６−１５７６２３２号、特開平６−１７５５６１
号、特開平６−１７５５６４号各公報等に記載の有機硼
素スルホニウム錯体或いは有機硼素オキソスルホニウム
錯体、特開平６−１７５５５３号、特開平６−１７５５
５４号各公報等に記載の有機硼素ヨードニウム錯体、特
開平９−１８８７１０号公報等に記載の有機硼素ホスホ
ニウム錯体、特開平６−３４８０１１号、特開平７−１
２８７８５号、特開平７−１４０５８９号、特開平７−
２９２０１４号、特開平７−３０６５２７号各公報等に
記載の有機硼素遷移金属配位錯体等が挙げられる。

【００２６】又、そのカルボニル化合物類としては、具
体的には、例えば、ベンゾフェノン、２−メチルベンゾ
フェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベン
ゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン、２−クロ
ロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、ミヒラ
ーケトン等のベンゾフェノン誘導体、２，２−ジエトキ
シアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニル
アセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニ
ルケトン、１−ヒドロキシ−１−（ｐ−ドデシルフェニ
ル）ケトン、１−ヒドロキシ−１−メチルエチル−（ｐ
−イソプロピルフェニル）ケトン、１−トリクロロメチ
ル−（ｐ−ブチルフェニル）ケトン、α−ヒドロキシ−
２−メチルフェニルプロパノン、２−メチル−（４’−
（メチルチオ）フェニル）−２−モルホリノ−１−プロ
パノン等のアセトフェノン誘導体、チオキサントン、２
−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサン
トン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエ
チルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサ
ントン、２−クロロチオキサントン等のチオキサントン
誘導体、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジエ
チルアミノ安息香酸エチル等の安息香酸エステル誘導体
等が挙げられる。

【００２７】又、その有機過酸化物類としては、具体的
には、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、ア
セチルアセトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパー
オキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、
３，３，５−トリメチルシクロヘキサノンパーオキサイ
ド等のケトンパーオキサイド、３，５，５−トリメチル
ヘキサノイルパーオキサイド、スクシニックアシッドパ
ーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、２，４−ジ
クロロベンゾイルパーオキサイド、ｍ−トルオイルパー
オキサイド等のジアシルパーオキサイド、ｔ−ブチルハ
イドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイ
ド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、
ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、２，５−ジメチ
ルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキサイド、１，
１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイ
ド等のハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオ
キサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミル
パーオキサイド、１，３（又は１，４）−ビス（ｔ−ブ
チルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、２，５−ジメ
チル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、
２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキ
シ）ヘキシン−３等のジアルキルパーオキサイド、１，
１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチル
パーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール、ｔ−ブチ
ルパーオキシアセテート、ｔ−ブチルパーオキシオクト
エート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔ−ブチル
パーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−
３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパ
ーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエー
ト等のアルキルパーエステル、ジ−２−エチルヘキシル
パーオキシジカーボネート、ジイソプロピルパーオキシ
ジカーボネート、ジメトキシイソプロピルパーオキシジ
カーボネート、ジ−２−エトキシエチルパーオキシジカ
ーボネート、ビス（３−メチル−３−メトキシブチル）
パーオキシジカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシイソ
プロピルカーボネート等のパーオキシカーボネート、及
び、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキ
シカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−
テトラ（ｔ−ヘキシルパーオキシカルボニル）ベンゾフ
ェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−オクチルパ
ーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’，４，
４’−テトラ（クミルパーオキシカルボニル）ベンゾフ
ェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｐ−イソプロピ
ルクミルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，
３’，４，４’−テトラ（アミノパーオキシカルボニ
ル）ベンゾフェノン、カルボニルビス（ｔ−ブチルパー
オキシ２水素２フタレート）、カルボニルビス（ｔ−ヘ
キシルパーオキシ２水素２フタレート）等が挙げられ
る。

【００２８】本発明において、（Ｂ）成分の光重合開始
剤としては、以上の中で、ハロゲン化炭化水素誘導体類
としてのｓ−トリアジン化合物、及び有機硼素錯体類が
好ましく、特に、下記一般式(I) で表される有機硼素錯
体が好ましい。

【００２９】

【化１】

【００３０】〔式(I) 中、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、及びＲ⁴
は各々独立して、置換基を有していてもよいアルキル
基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を
有していてもよいアルキニル基、置換基を有していても
よいアリール基、置換基を有していてもよい脂環式基、
又は置換基を有していてもよい複素環基を示し、これら
はその置換基が互いに連結して環状構造を形成していて
もよく、Ｘ⁺ は対カチオンを示す。〕

【００３１】ここで、式(I) におけるＲ¹ 、Ｒ² 、
Ｒ³ 、及びＲ⁴ が、アルキル基又は脂環式基であるとき
の炭素数は１〜１０程度、アルケニル基又はアルキニル
基又は脂環式基であるときの炭素数は３〜２０程度、ア
リール基であるときの炭素数は６〜３０程度であるの
が、それぞれ好ましく、アリール基としてはフェニル基
が特に好ましい。又、それらの置換基としては、例え
ば、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、カル
ボキシル基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシル
基、アミノ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

【００３２】中で、Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｒ³ 、及びＲ⁴ のうち
の三つが置換基を有していてもよいアリール基で、一つ
が置換基を有していてもよいアルキル基であるトリアリ
ールアルキル硼素錯体が好ましい。

【００３３】これらの有機硼素錯体における好ましいア
ニオンの具体例としては、例えば、ｎ−ブチル−トリフ
ェニル硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス（ｐ−メチル
フェニル）硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス（２，
４，６−トリメチルフェニル）硼素アニオン、ｎ−ブチ
ル−トリス（ｐ−メトキシフェニル）硼素アニオン、ｎ
−ブチル−トリス（ｍ−クロロフェニル）硼素アニオ
ン、ｎ−ブチル−トリス（ｐ−クロロフェニル）硼素ア
ニオン、ｎ−ブチル−トリス（ｍ−フルオロフェニル）
硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス（ｐ−フルオロフェ
ニル）硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス（２，６−ジ
フルオロフェニル）硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス
（２，４，６−トリフルオロフェニル）硼素アニオン、
ｎ−ブチル−トリス（２，３，４，５，６−ペンタフル
オロフェニル）硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス（ｍ
−トリフルオロメチルフェニル）硼素アニオン、ｎ−ブ
チル−トリス（３，５−ジ−トリフルオロメチルフェニ
ル）硼素アニオン、ｎ−ブチル−トリス（２，６−ジフ
ルオロ−３−ピロリルフェニル）−硼素アニオン、ｎ−
ヘキシル−トリス（ｍ−フルオロフェニル）硼素アニオ
ン等が挙げられる。

【００３４】又、その対カチオンＸ⁺ としては、例え
ば、アンモニウムカチオン、ホスホニウムカチオン、ア
ルソニウムカチオン、スチボニウムカチオン、オキソニ
ウムカチオン、スルホニウムカチオン、セレノニウムカ
チオン、スタンノニウムカチオン、ヨードニウムカチオ
ン等のオニウム化合物、及び、遷移金属配位カチオン等
を挙げることができるが、中で、アンモニウムカチオン
が好ましく、テトラアルキル（炭素数１〜１０）アンモ
ニウムカチオンが特に好ましい。

【００３５】以上の前記一般式(I) で表される有機硼素
錯体の中で、本発明において好ましい有機硼素錯体を、
以下に具体的に例示する。尚、以下の例示において、Ｍ
ｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｂｕはブチル基を
それぞれ示す。

【００３６】

【化２】

【００３７】

【化３】

【００３８】

【化４】

【００３９】

【化５】

【００４０】

【化６】

【００４１】又、本発明の光重合性組成物は、前記
（Ａ）成分のエチレン性不飽和化合物、及び（Ｂ）成分
の光重合開始剤の外に、更に、増感剤（Ｃ）成分を含有
しているのが好ましい。その（Ｃ）成分の増感剤は、光
重合性組成物が活性光線の照射を受けたときに、その光
を効率よく吸収し、その光励起エネルギーを前記（Ｂ）
成分の光重合開始剤に伝え、該（Ｂ）成分を分解し、前
記（Ａ）成分のエチレン性不飽和化合物の高分子量化を
誘起する活性ラジカルを発生させる増感機能を有する化
合物であり、本発明においては、赤外吸収色素であっ
て、７５０〜１２００ｎｍの波長域に吸収極大を有する
赤外吸収色素が好ましい。

【００４２】その赤外吸収色素としては、例えば、「機
能性色素の化学」（檜垣編集、１９８１年、（株）シー
エムシー発行）、「特殊機能色素」（池森・柱谷編集、
１９８６年、（株）シーエムシー発行）、「色素ハンド
ブック」（大河・平嶋・松岡・北尾編集、講談社発
行）、Ｅｘｃｉｔｏｎ Ｉｎｃ．が１９８９年に発行し
たレーザー色素カタログ、日本感光色素研究所が１９９
５年に発行したカタログ等に記載されている、７５０〜
１２００ｎｍの波長域に吸収極大を有する色素、及び、
特開平２−２０７４号、同２−２０７５号、同２−２０
７６号、同３−２６５９３号、同３−６３２８５号、同
３−９７５８９号、同３−９７５９０号、同３−９７５
９１号等の各公報に記載されている赤外領域に吸収を有
する色素等が挙げられる。

【００４３】それらの赤外吸収色素として、具体的に
は、例えば、窒素原子、酸素原子、又は硫黄原子等の複
素原子がポリメチン（−ＣＨ＝）_n 鎖で結合された構造
であって、その複素原子が複素環を形成し、ポリメチン
鎖を介して複素環が結合された構造の、キノリン系（所
謂、シアニン系）、インドール系（所謂、インドシアニ
ン系）、ベンゾチアゾール系（所謂、チオシアニン
系）、ピリリウム系、チアピリリウム系、スクアリリウ
ム系、クロコニウム系、アズレニウム系等の広義の所謂
シアニン系色素、及び、ポリメチン鎖を介して非環式複
素原子が結合された構造の所謂ポリメチン系色素、並び
に、メロシアニン系色素、ナフトラクタム系色素、ペン
タセン系色素、オキシインドリジン系色素、キノイド系
色素、アミニウム系色素、ジインモニウム系色素、イン
ドアニリン系色素、アントラキノン系色素、ニッケル−
チオ錯体系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシア
ニン系色素等が挙げられ、中で、シアニン系色素、ポリ
メチン系色素、及びフタロシアニン系色素、ナフタロシ
アニン系色素が好ましく、フタロシアニン系色素が特に
好ましい。

【００４４】そのフタロシアニン系色素としては、下記
一般式(II)で表される構造のフタアニン錯塩のフタロシ
アニン系色素が好ましい。

【００４５】

【化７】

【００４６】〔式(II)中、Ｍはフタロシアニン錯塩を形
成する中心金属を示し、ベンゼン環は置換基を有してい
てもよく、該置換基が互いに連結して縮合環を形成して
いてもよく、その場合、該縮合環は更に置換基を有して
いてもよい。〕

【００４７】ここで、式(II)におけるＭとしては、例え
ば、周期律表のIa族、Ib族、IIa 族、IIb 族、IIIa族、
IIIb族、IVa 族、IVb 族、Va族、Vb族、VIb 族、VIIb
族、VIII族等の種々の金属原子が挙げられ、又、ベンゼ
ン環及び縮合環の置換基としては、例えば、更に置換基
を有していてもよい炭素数１〜１０程度のアルキル基、
同じく炭素数１〜１５程度のアルコキシ基、同じくカル
ボキシル基、同じくビニル基、同じくアクリロイル基、
同じくフェニル基、同じくフェノキシ基、同じくアルキ
ルチオ基、同じくフェニルチオ基、同じくアミノ基、同
じくシリル基、及び、ヒドロキシル基、ニトロ基、シア
ノ基、ハロゲン原子等が挙げられ、複数の置換基を有す
る場合は同一でも異なっていてもよい。

【００４８】このようなフタロシアニン系色素として
は、例えば、特開昭６４−６０６６０号公報、特開平１
−１００１７１号公報、特開平３−３１２４７号公報、
特開平４−１５２６３号公報、特開平４−１５２６４号
公報、特開平４−１５２６５号公報、特開平４−１５２
６６号公報に記載のフタロシアニン化合物、特開平２−
１３８３８２号公報に記載のアルキルフタロシアニン化
合物、特開平３−７７８４０号公報、特開平３−１００
０６６号公報に記載のアシロキシフタロシアニン化合
物、特開平４−３４８１６８号公報に記載のアルコキシ
フタロシアニン化合物、特開昭６０−２３４５１号公
報、特開昭６１−２１５６６２号公報、特開昭６１−２
１５６６３号公報、特開昭６３−２７０７６５号公報、
特開平１−２８７１７５号公報、特開平２−４３２６９
号公報、特開平２−２９６８８５号公報、特開平３−４
３４６１号公報、特開平３−２６５６６４号公報、特開
平３−２６５６６５号公報に記載のナフタロシアニン化
合物、特開平１−１０８２６４号公報、特開平１−１０
８２６５号公報に記載のジナフタロシアニン化合物等が
挙げられる。

【００４９】以上の中で、本発明においては、前記一般
式(II)で表されるＭが銅等のIb族、亜鉛等のIIb 族、ア
ルミニウム等のIIIb族、錫等のIVb 族、バナジウム等の
Va族の金属原子を中心金属とする錯塩であって、４個の
ベンゼン環、又は４個の縮合環としてのナフタレン環の
各々に同一の置換基を有するものが好ましく、それらの
好ましいフタロシアニン系色素を、吸収極大（λ_max ）
及び吸収極大（λ_max）におけるモル吸光係数（ε）と
共に、以下に具体的に例示する。尚、以下の例示におい
て、Ｍｅはメチル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェ
ニル基をそれぞれ示す。

【００５０】

【化８】

【００５１】

【化９】

【００５２】

【化１０】

【００５３】

【化１１】

【００５４】

【化１２】

【００５５】

【化１３】

【００５６】

【化１４】

【００５７】

【化１５】

【００５８】

【化１６】

【００５９】

【化１７】

【００６０】

【化１８】

【００６１】本発明の光重合性組成物は、前記（Ａ）成
分のエチレン性不飽和化合物、及び前記（Ｂ）成分の光
重合開始剤を含有し、好ましくは更に、前記（Ｃ）成分
の増感剤を含有してなるが、それら各成分の含有割合
は、前記（Ａ）成分１００重量部に対して、前記（Ｂ）
成分が１〜４０重量部、前記（Ｃ）成分が１〜３０重量
部であるのが好ましく、前記（Ｂ）成分が５〜３０重量
部、前記（Ｃ）成分が２〜２５重量部であるのが特に好
ましい。（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分が前記範囲未満で
は、光重合性組成物として感度、解像性が不十分となる
傾向となり、一方、それぞれ前記範囲超過では、光重合
性組成物として均一性が損なわれる等の問題が発生し易
い傾向となる。

【００６２】又、エチレン性不飽和化合物として、前記
（Ａ）成分の変性エポキシ樹脂と共に、前記アクリレー
ト化合物を含有する場合には、前者と後者との重量比
が、９：１〜５：５の範囲であるのが好ましい。

【００６３】尚、前記光重合性組成物には、必要に応じ
て、ノニオン性、アニオン性、カチオン性、両性、及び
弗素系等の界面活性剤等の塗布性改良剤、消泡剤、可視
画性付与剤、着色剤、密着性向上剤、現像性改良剤、紫
外線吸収剤、及び重合安定剤等の添加剤が添加されてい
てもよい。

【００６４】本発明の前記光重合性組成物は、通常、前
記各成分を適当な溶剤に溶解或いは分散させた塗布液
を、基板上に塗布した後、加熱、乾燥させて、該基板上
に前記光重合性組成物の層を形成することにより光重合
性画像形成材として用いられるが、中で、絶縁基材表面
に導電層を有する基板の該導電層上に前記光重合性組成
物をレジスト材層として形成することによる導体回路形
成用等の光重合性画像形成材としての使用形態が好適で
ある。

【００６５】ここで、その基板における絶縁基材として
は、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレ
イミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹
脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂、飽和ポリエステル
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ア
クリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
塩化ビニル樹脂、ポリオレフィン樹脂、弗素樹脂等の熱
可塑性樹脂等の樹脂、紙、ガラス、及び、アルミナ、シ
リカ、硫酸バリウム、炭酸カルシウム等の無機物等が挙
げられ、又、ガラス布基材エポキシ樹脂、ガラス不織布
基材エポキシ樹脂、紙基材エポキシ樹脂、紙基材フェノ
ール樹脂等に代表される複合材料であってもよい。これ
らの絶縁基材の厚さは、通常、０．０２〜１０ｍｍ程度
である。

【００６６】これらの絶縁基材表面に形成される導電層
の構成材料としては、例えば、銅、金、銀、クロム、亜
鉛、錫、アルミニウム、鉛、ニッケル、酸化インジウ
ム、酸化錫、酸化インジウムドープ酸化錫（ＩＴＯ）、
半田等の金属が挙げられ、前記絶縁基材表面への導電層
の形成方法としては、例えば、前記金属の箔を加熱、圧
着ラミネートするか、前記金属をスパッタリング、蒸
着、メッキする等の方法が採られる。これら導電層の厚
さは、通常、１〜１００μｍ程度である。

【００６７】又、前記基板上に塗布する際の溶剤として
は、使用成分に対して十分な溶解度を持ち、良好な塗膜
性を与えるものであれば特に制限はないが、例えば、メ
チルセロソルブ、エチルセロソルブ、メチルセロソルブ
アセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソル
ブ系溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレン
グリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール
モノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
モノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコー
ルジメチルエーテル等のプロピレングリコール系溶剤、
酢酸ブチル、酢酸アミル、酪酸エチル、酪酸ブチル、ジ
エチルオキサレート、ピルビン酸エチル、エチル−２−
ヒドロキシブチレート、エチルアセトアセテート、乳酸
メチル、乳酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル
等のエステル系溶剤、ヘプタノール、ヘキサノール、ジ
アセトンアルコール、フルフリルアルコール等のアルコ
ール系溶剤、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン等
のケトン系溶剤、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の高極性溶剤、或い
はこれらの混合溶剤、更にはこれらに芳香族炭化水素を
添加したもの等が挙げられる。溶剤の使用割合は、光重
合性組成物の総量に対して、通常、重量比で１〜２０倍
程度の範囲である。

【００６８】又、その塗布方法としては、従来公知の方
法、例えば、回転塗布、ワイヤーバー塗布、スプレー塗
布、ディップ塗布、エアーナイフ塗布、ロール塗布、ブ
レード塗布、スクリーン塗布、及びカーテン塗布等を用
いることができる。その際の塗布量は、乾燥膜厚として
１〜１５μｍ程度とするのが好ましく、２〜１２μｍ程
度とするのが特に好ましい。尚、その際の乾燥は、例え
ば、熱風循環式オーブン、ホットプレート等を用いて、
４０〜１２０℃程度の温度、１０秒〜１０分間程度の時
間とするのが好ましい。

【００６９】本発明において、前記画像形成材の光重合
性組成物層を画像露光する光源としては、カーボンアー
ク、高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドラン
プ、蛍光ランプ、タングステンランプ、ハロゲンラン
プ、ＨｅＮｅレーザー、アルゴンイオンレーザー、ＹＡ
Ｇレーザー、ＨｅＣｄレーザー、半導体レーザー、ルビ
ーレーザー等のレーザー光源が挙げられるが、７５０〜
１２００ｎｍの波長域、更には７５０〜９００ｎｍの波
長域の近赤外レーザー光を発生する光源が好ましく、例
えば、ルビーレーザー、ＹＡＧレーザー、半導体レーザ
ー等の固体レーザーを挙げることができ、特に、小型で
長寿命な半導体レーザーやＹＡＧレーザーが好ましい。
これらのレーザー光源をビームに絞り、画像データに基
づいて走査露光した後、アルカリ現像液にて現像処理し
画像が形成される。

【００７０】又、その走査露光方法も、特に限定される
ものではないが、例えば、平面走査露光方式、外面ドラ
ム走査露光方式、内面ドラム走査露光方式等が挙げら
れ、光学系によりビームに絞って露光強度を好ましくは
１ＭＷ／ｃｍ² 以上、更に好ましくは１．５ＭＷ／ｃｍ
² 以上とし、ビームスポット径を、好ましくは２〜３０
μｍ、更に好ましくは４〜２０μｍ、走査速度を、好ま
しくは５０〜５００ｍ／秒、更に好ましくは１００〜４
００ｍ／秒、走査密度を、好ましくは２，０００ｄｐｉ
以上、更に好ましくは４，０００ｄｐｉ以上として、走
査露光する。

【００７１】又、現像処理におけるアルカリ現像液とし
ては、例えば、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、珪酸リ
チウム、珪酸アンモニウム、メタ珪酸ナトリウム、メタ
珪酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水
酸化リチウム、炭酸ナトリウム、重炭酸ナトリウム、炭
酸カリウム、第二燐酸ナトリウム、第三燐酸ナトリウ
ム、第二燐酸アンモニウム、第三燐酸アンモニウム、硼
酸ナトリウム、硼酸カリウム、硼酸アンモニウム等の無
機アルカリ塩、モノメチルアミン、ジメチルアミン、ト
リメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、
トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプ
ロピルアミン、モノブチルアミン、モノエタノールアミ
ン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノ
イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン等
の有機アミン化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の４
級アンモニウム塩等の水溶液が用いられる。中で、無機
アルカリ塩である炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のア
ルカリ金属の炭酸塩が好ましい。

【００７２】アルカリ現像液における前記アルカリの濃
度は、好ましくは０．０５〜３重量％程度、更に好まし
くは０．１〜２重量％程度とし、ｐＨは８〜１３程度が
好ましい。尚、現像液には、必要に応じて、アニオン
性、ノニオン性、両性等の界面活性剤や、アルコール等
の有機溶剤を加えることができる。

【００７３】現像処理は、浸漬現像、スプレー現像、ス
ピン現像、ブラシ現像、超音波現像等により、好ましく
は、１５〜３５℃程度の温度、５秒〜３分程度の時間で
なされる。現像後は、乾燥し、更に、その後、必要に応
じて、形成された画像の密着性向上等を目的として、１
００〜２５０℃程度の温度範囲でポストベーク処理がな
される。

【００７４】

【実施例】以下、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。尚、以下の実施例及び
比較例で用いた光重合性組成物のエチレン性不飽和化合
物、増感色素、光重合開始剤、及びその他成分を以下に
示す。

【００７５】＜エチレン性不飽和化合物＞ （Ａ−１）エポキシ当量２０６のクレゾールノボラック
エポキシ樹脂（東都化成社製「エポトートＹＤＣＮ７０
４」）２０６重量部、アクリル酸７２重量部、テトラエ
チルアンモニウムクロライド０．２重量部、及びメチル
ハイドロキノン０．５重量部を、ジエチレングリコール
エチルエーテルアセテート１９２重量部中に加えて１１
０℃で５時間反応させた後、テトラヒドロフタル酸無水
物１２１．６重量部を加えて１００℃で３時間反応さ
せ、引き続いて、グリシジメメタクリレート５６．９重
量部を加えて１００℃で３時間反応させることにより製
造した変性エポキシ樹脂

【００７６】（Ａ−２）エポキシ樹脂として、エポキシ
当量２１３のクレゾールノボラックエポキシ樹脂（大日
本インキ製造社製「エピクロンＮ−６９５」）２１３重
量部を用いた外は、前記（Ａ−１）におけると同様にし
て製造した変性エポキシ樹脂 （Ａ−３）エポキシ樹脂として、エポキシ当量２１５の
クレゾールノボラックエポキシ樹脂（住友化学社製「ス
ミーエポキシＥＳＣＮ２２０ＨＨ」）２１５重量部を用
いた外は、前記（Ａ−１）におけると同様にして製造し
た変性エポキシ樹脂 （Ａ−４）グリシジルメタクリレート５６．９重量部の
代わりに、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルアク
リレート７２．８重量部を用いた外は、前記（Ａ−１）
におけると同様にして製造した変性エポキシ樹脂 （Ａ−５：比較例用）前記（Ａ−１）においてグリシジ
ルメタクリレートによる反応を行わずに製造した変性エ
ポキシ樹脂 （Ａ−６）ペンタエリスリトールトリアクリレート

【００７７】＜光重合開始剤＞ （Ｂ−１）具体例Ｂ１６で示した有機硼素錯体 （Ｂ−２）具体例Ｂ２７で示した有機硼素錯体 ＜増感剤＞ （Ｃ−１）具体例Ｒ１１で示したフタロシアニン系色素

【００７８】＜その他成分＞ （他−１：比較例用）メタクリル酸メチル（７０モル
％）−メタクリル酸（３０モル％）共重合体 （他−２：比較例用）スチレン（６０モル％）−メタク
リル酸（４０モル％）共重合体 （他−３）エチルバイオレット

【００７９】実施例１〜５、比較例１〜３ 厚さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ樹脂絶縁基材の
表面に厚さ１８μｍの電解銅箔の導電層を有する銅張積
層基板（三菱瓦斯化学社製）を用い、その基板銅箔上
に、表１に示す各成分をプロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート３３０重量部に室温で攪拌して調
液した塗布液をワイヤーバーを用いて塗布し、コンベク
ションオーブンにて７０℃で２分間乾燥させることによ
り、膜厚５μｍの光重合性組成物層を有する導体回路形
成用の光重合性画像形成材を作製した。

【００８０】得られた各画像形成材につき、波長８３０
ｎｍの半導体レーザーを光源とする露光装置（Ｃｒｅｏ
社製「Ｔｒｅｎｄ Ｓｅｔｔｅｒ ３２４４Ｔ」）を用
いて、１５μｍのビームスポット径にて５００ｍＪ／ｃ
ｍ² 以下の各種の露光エネルギーで走査露光し、次い
で、０．８重量％の炭酸ナトリウム水溶液の現像液を、
２５℃の温度、１ｋｇ／ｃｍ² の圧力で３０秒間スプレ
ーすることにより現像処理して走査線画像を形成させ
た。その際、以下に示す方法で、光重合性組成物層の感
度、解像性、及び基板に対する密着性を評価し、結果を
表１に示した。

【００８１】＜感度＞画像部における現像前後の反射濃
度を反射濃度計（マクベス社製「ＲＤ−５１４」）を用
いて測定して以下の式に基づいて画像部の残膜率を算出
し、その残膜率が５０％となるに要する露光エネルギー
（ｍＪ／ｃｍ² ）を感度とした。画像部の残膜率（％）
＝〔（現像後の画像部の反射濃度−基板表面の反射濃
度）／（現像前の版面の反射濃度−基板表面の反射濃
度）〕×１００

【００８２】＜解像性＞線幅の異なる走査線及びその間
隔の画像を形成し、その最小の走査線及びその間隔の幅
（μｍ）を解像力とした。 ＜基板に対する密着性＞画像部に碁盤目状の切れ目を入
れ、セロテープ（Ｒ）を貼着し剥離するとき、画像部の
剥がれのないものを「良好」、画像部に剥がれが生じる
ものを「不良」とした。

【００８３】又、別に、前記で得られた各光重合性画像
形成材について、以下に示す方法でセーフライト性を評
価し、結果を表１に示した。 ＜セーフライト性＞画像形成材を、白色蛍光灯（三菱電
機社製「ネオルミスーパーＦＬＲ−４０」）の直下１．
５ｍの位置に光重合性組成物層を上にして１時間放置し
た後、前記と同様に画像露光及び現像処理を行い、放置
前の画像形成材との感度及び非露光部の溶解時間を比較
し、差が認められない場合を「良好」、差が生じる場合
を「不良」とした。

【００８４】

【表１】

【００８５】

【発明の効果】本発明によれば、酸素による重合阻害の
影響が抑制され高感度であると共に、解像性に優れ、且
つ、セーフライト性にも優れており明室での取扱が可能
であり、更に、基板に対する密着性にも優れた光重合性
組成物、並びに、光重合性画像形成材及びそれを用いた
画像形成方法を提供することができる。又、スプレー現
像のような過酷な現像処理条件下においても、これらの
感度、解像性等の性能を発現することができるものであ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA01 AB11 AB15 AC08 AD01 BC13 BC74 BC85 BC86 CA39 CA41 CC11 FA10 FA17 4J027 AE02 AE03 AE07 BA19 BA20 BA21 BA23 BA24 BA25 BA26 BA27 BA28 CB01 CB03 CB08 CB09 CB10 CC07

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記の（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分を含
   有してなることを特徴とする光重合性組成物。 （Ａ）α，β−不飽和モノカルボン酸付加エポキシ樹脂
   の多価カルボン酸若しくはその無水物変性体に、エポキ
   シ基含有不飽和化合物を付加させた変性エポキシ樹脂か
   らなるエチレン性不飽和化合物 （Ｂ）光重合開始剤
2. 【請求項２】 （Ａ）成分におけるエポキシ樹脂が、フ
   ェノールノボラックエポキシ樹脂、又はクレゾールノボ
   ラックエポキシ樹脂であり、α，β−不飽和モノカルボ
   ン酸が、（メタ）アクリル酸である請求項１に記載の光
   重合性組成物。
3. 【請求項３】 （Ａ）成分における多価カルボン酸若し
   くはその無水物が、マレイン酸無水物、又はテトラヒド
   ロフタル酸無水物である請求項１又は２に記載の光重合
   性組成物。
4. 【請求項４】 （Ａ）成分におけるエポキシ基含有不飽
   和化合物が、グリシシル（メタ）アクリレート、又は
   ３，４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリ
   レートである請求項１乃至３のいずれかに記載の光重合
   性組成物。
5. 【請求項５】 （Ｂ）成分が有機硼素錯体である請求項
   １乃至４のいずれかに記載の光重合性組成物。
6. 【請求項６】 更に、増感剤（Ｃ）成分として赤外吸収
   色素を含有する請求項１乃至５のいずれかに記載の光重
   合性組成物。
7. 【請求項７】 赤外吸収色素がフタロシアニン系色素で
   ある請求項６に記載の光重合性組成物。
8. 【請求項８】 基板上に、請求項１乃至７のいずれかに
   記載の光重合性組成物の層が形成されてなることを特徴
   とする光重合性画像形成材。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の光重合性画像形成材の
   光重合性組成物層を７５０〜１２００ｎｍの波長域の近
   赤外レーザー光により走査露光した後、アルカリ現像液
   で現像処理することを特徴とする画像形成方法。