JP2003231354A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高線速高密度化に対応でき、繰り返し特性と
保存特性に優れた光情報記録媒体（以下、単に記録媒体
ということがある）を提供すること。 【解決手段】 基板上に第一耐熱保護層、記録層、第二
耐熱保護層、反射放熱層、そして環境保護層を少なくと
も備えて層構成をなし、電磁波を照射することにより、
情報の記録、再生、消去を行なう相変化型光記録媒体に
おいて、この記録層が、Ｇａと、Ｓｂと、Ｂからなり、
これにＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，
Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選ばれ
た少なくとも一つの元素を添加として得られる合金から
なることを特徴とする光記録媒体。
保存特性に優れた光情報記録媒体（以下、単に記録媒体
ということがある）を提供すること。 【解決手段】 基板上に第一耐熱保護層、記録層、第二
耐熱保護層、反射放熱層、そして環境保護層を少なくと
も備えて層構成をなし、電磁波を照射することにより、
情報の記録、再生、消去を行なう相変化型光記録媒体に
おいて、この記録層が、Ｇａと、Ｓｂと、Ｂからなり、
これにＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，
Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選ばれ
た少なくとも一つの元素を添加として得られる合金から
なることを特徴とする光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、光ビームを照射することによ
り、相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさ
せ、情報の記録、再生又は消去を行なう書換え可能な光
情報記録媒体に関するものである。
関し、さらに詳しくは、光ビームを照射することによ
り、相変化材料からなる記録層に光学的な変化を生じさ
せ、情報の記録、再生又は消去を行なう書換え可能な光
情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ビーム照射による情報の記録、再生又
は消去が可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶−非
結晶相間又は結晶−非結晶相間の転移を利用する、いわ
ゆる相変化型光ディスクが知られている。この光ディス
クは、単一ビームによるオーバライトが可能であり、ド
ライブ側の光学系がより単純で済むため、コンピュータ
関連のハード、映像、音響に関する記録媒体として応用
されている。
は消去が可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶−非
結晶相間又は結晶−非結晶相間の転移を利用する、いわ
ゆる相変化型光ディスクが知られている。この光ディス
クは、単一ビームによるオーバライトが可能であり、ド
ライブ側の光学系がより単純で済むため、コンピュータ
関連のハード、映像、音響に関する記録媒体として応用
されている。
【０００３】この記録材料としては、ＧｅＴｅ，ＧｅＴ
ｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，Ｇｅ
ＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ），ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴｅ
Ｓｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が用いられている。特
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス
部分の輪郭が明確であるという特徴を有し、マークエッ
ジ記録用の記録層材料として使用されている（特開平３
−２３１８８９号公報、特開平４−１９１０８９号公
報、特開平４−２３２７７９号公報、特開平４−２６７
１９２号公報、特開平５−３４５４７８号公報、特開平
６−１６６２６６号公報等参照）。また、Ｓｂ−Ｔｅを
主成分とし、これにＡｇ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｉ等を添加し
た記録材料を用い、単一なγ層を有するものが開示され
ている（特開平１−３０３６４３号公報）。
ｅＳｅ，ＧｅＴｅＳ，ＧｅＳｅＳ，ＧｅＳｅＳｂ，Ｇｅ
ＡｓＳｅ，ＩｎＴｅ，ＳｅＴｅ，ＳｅＡｓ，Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ，Ａｕ，Ｐｄ），ＧｅＴｅＳｅＳｂ，ＧｅＴｅ
Ｓｂ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が用いられている。特
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス
部分の輪郭が明確であるという特徴を有し、マークエッ
ジ記録用の記録層材料として使用されている（特開平３
−２３１８８９号公報、特開平４−１９１０８９号公
報、特開平４−２３２７７９号公報、特開平４−２６７
１９２号公報、特開平５−３４５４７８号公報、特開平
６−１６６２６６号公報等参照）。また、Ｓｂ−Ｔｅを
主成分とし、これにＡｇ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｉ等を添加し
た記録材料を用い、単一なγ層を有するものが開示され
ている（特開平１−３０３６４３号公報）。
【０００４】また、ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、Ｖ
をＶ族元素、VIをVI族元素として、Ｉ・（III１−γＶ
γ）・VI型の一般組成式で表わされる記録層も提案され
ている（特開平３−２３１８８９号公報）。しかしなが
ら、これら記録層では、繰り返し記録特性に問題があっ
た。
をＶ族元素、VIをVI族元素として、Ｉ・（III１−γＶ
γ）・VI型の一般組成式で表わされる記録層も提案され
ている（特開平３−２３１８８９号公報）。しかしなが
ら、これら記録層では、繰り返し記録特性に問題があっ
た。
【０００５】特開平４−１９１０８９号公報に開示され
た光情報記録媒体に使用されている記録層による場合、
消去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰返し
記録特性に問題があった。さらに、特開平４−２３２７
７９号公報に開示された光情報記録媒体に使用されてい
る記録層のみの記録部分（結晶化部分）の構造は、安定
層（ＡｇＳｂＴｅ ２）とこの安定層の周囲に存在するア
モルファス相とが混在したものとなっている。このた
め、繰返し記録特性は向上するものの、結晶化部に微細
な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発生の原因と
なっている。これは、記録再生波長が７８０ｎｍ程度の
レーザ光を使用するＣＤ−ＲＷ（Compact Disk-Rewrita
ble）等のように比較的低い記録密度を有する光情報記
録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長
６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−
ＲＷの約４倍であるＤＶＤ（Digital Versatile Disk）
ＲＡＭや、さらに、高密度なＤＶＤ−ＲＷ等の高密度記
録を実現する上では障害となるものであった。また、繰
返し記録特性においても問題を残しているものであっ
た。
た光情報記録媒体に使用されている記録層による場合、
消去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰返し
記録特性に問題があった。さらに、特開平４−２３２７
７９号公報に開示された光情報記録媒体に使用されてい
る記録層のみの記録部分（結晶化部分）の構造は、安定
層（ＡｇＳｂＴｅ ２）とこの安定層の周囲に存在するア
モルファス相とが混在したものとなっている。このた
め、繰返し記録特性は向上するものの、結晶化部に微細
な結晶粒界が存在することになり、ノイズ発生の原因と
なっている。これは、記録再生波長が７８０ｎｍ程度の
レーザ光を使用するＣＤ−ＲＷ（Compact Disk-Rewrita
ble）等のように比較的低い記録密度を有する光情報記
録媒体の記録特性には重大な悪影響を与えないが、波長
６８０ｎｍ以下のレーザ光を使用し、記録密度がＣＤ−
ＲＷの約４倍であるＤＶＤ（Digital Versatile Disk）
ＲＡＭや、さらに、高密度なＤＶＤ−ＲＷ等の高密度記
録を実現する上では障害となるものであった。また、繰
返し記録特性においても問題を残しているものであっ
た。
【０００６】特開平４−２６７１９２号公報に使用され
ている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファ
ス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相（安定
層又はアモルファス相）との混相状態である。その他の
相がアモルファス相である場合には、上記した特開平４
−２３２７７９号公報に開示された光情報記録媒体の場
合と同様な問題点があり、その他の相が安定結晶相であ
る場合には、後記するように、良好な記録特性が得られ
ないという問題がある。
ている記録層の結晶化部分の構造は、一様なアモルファ
ス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ２とその他の相（安定
層又はアモルファス相）との混相状態である。その他の
相がアモルファス相である場合には、上記した特開平４
−２３２７７９号公報に開示された光情報記録媒体の場
合と同様な問題点があり、その他の相が安定結晶相であ
る場合には、後記するように、良好な記録特性が得られ
ないという問題がある。
【０００７】また、特開平１−３０３６４３号公報で開
示された光情報記録媒体では、単一なγ層が得られ、良
好な繰り返し特性が得られたとしているが、このγ層が
どのような結晶構造を有しているかについては言及して
おらず、今後の高線速、高密度対応の記録媒体を実現す
る上で問題を有するものであった。
示された光情報記録媒体では、単一なγ層が得られ、良
好な繰り返し特性が得られたとしているが、このγ層が
どのような結晶構造を有しているかについては言及して
おらず、今後の高線速、高密度対応の記録媒体を実現す
る上で問題を有するものであった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、このような従来の問題点を解消し、高線速高密度化
に対応でき、繰り返し特性と保存特性に優れた光情報記
録媒体（以下、単に記録媒体ということがある）を提供
することをその課題とする。
は、このような従来の問題点を解消し、高線速高密度化
に対応でき、繰り返し特性と保存特性に優れた光情報記
録媒体（以下、単に記録媒体ということがある）を提供
することをその課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、記録層および反射放熱層を構成する
材料に着目し、鋭意研究を重ねた結果、記録材料がＧａ
と、Ｓｂと、Ｂからなり、これにＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｃｏの中から選ばれた少なくとも一つの元素を添加
したものであり、又、反射放熱層用材料がＡｇを主成分
とし、これにＩｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏ
の中から選ばれた少なくとも一つの元素を添加したもの
であるときに、上記課題が解決できることを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに到った。
を解決するために、記録層および反射放熱層を構成する
材料に着目し、鋭意研究を重ねた結果、記録材料がＧａ
と、Ｓｂと、Ｂからなり、これにＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍ
ｎ，Ｃｏの中から選ばれた少なくとも一つの元素を添加
したものであり、又、反射放熱層用材料がＡｇを主成分
とし、これにＩｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏ
の中から選ばれた少なくとも一つの元素を添加したもの
であるときに、上記課題が解決できることを見出し、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに到った。
【００１０】即ち、上記課題は、本発明の（１）「基板
上に第一耐熱保護層、記録層、第二耐熱保護層、反射放
熱層、そして環境保護層を少なくとも備えて層構成をな
し、電磁波を照射することにより、情報の記録、再生、
消去を行なう相変化型光記録媒体において、この記録層
が、Ｇａと、Ｓｂと、Ｂからなり、これにＡｇ，Ｃｕ，
Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選ばれた少なくとも一つの元
素を添加として得られる合金からなることを特徴とする
光記録媒体」、（２）「前記記録層を構成する合金の組
成式が
上に第一耐熱保護層、記録層、第二耐熱保護層、反射放
熱層、そして環境保護層を少なくとも備えて層構成をな
し、電磁波を照射することにより、情報の記録、再生、
消去を行なう相変化型光記録媒体において、この記録層
が、Ｇａと、Ｓｂと、Ｂからなり、これにＡｇ，Ｃｕ，
Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，
Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選ばれた少なくとも一つの元
素を添加として得られる合金からなることを特徴とする
光記録媒体」、（２）「前記記録層を構成する合金の組
成式が
【００１１】
【数７】ＧａαＳｂβＢγＭδ
（但し、ＭはＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓ
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素でα＋β＋γ＋δ＝１００
原子％である）で表わされ、α、β、γ、δが、７≦α
≦６０、３０≦β≦９０、０＜γ≦１０、０＜δ≦１５
の範囲にあることを特徴とする前記第（１）項に記載の
光記録媒体」、（３）「前記反射放熱層が、Ａｇを主成
分としこれにＩｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏ
の中から選ばれた少なくとも一つの元素を添加して得ら
れる合金から成ることを特徴とする前記第（１）項に記
載の光記録媒体」、（４）「前記反射放熱層の合金がＡ
ｇとＣｕとＮｉから成り、その組成式が
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素でα＋β＋γ＋δ＝１００
原子％である）で表わされ、α、β、γ、δが、７≦α
≦６０、３０≦β≦９０、０＜γ≦１０、０＜δ≦１５
の範囲にあることを特徴とする前記第（１）項に記載の
光記録媒体」、（３）「前記反射放熱層が、Ａｇを主成
分としこれにＩｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏ
の中から選ばれた少なくとも一つの元素を添加して得ら
れる合金から成ることを特徴とする前記第（１）項に記
載の光記録媒体」、（４）「前記反射放熱層の合金がＡ
ｇとＣｕとＮｉから成り、その組成式が
【００１２】
【数８】ＡｇｘＣｕｙＮｉｚ
（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦３、１≦ｚ≦２の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」、（５）「前記反射放熱層の合金がＡｇとＰｄ
とＭｏからなり、その組成式が
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦３、１≦ｚ≦２の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」、（５）「前記反射放熱層の合金がＡｇとＰｄ
とＭｏからなり、その組成式が
【００１３】
【数９】ＡｇｘＰｄｙＭｏｚ
（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９４≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦３、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」、（６）「前記反射放熱層の合金がＡｇとＩｎ
とＭｏから成り、その組成式が
ｙ、ｚが９４≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦３、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」、（６）「前記反射放熱層の合金がＡｇとＩｎ
とＭｏから成り、その組成式が
【００１４】
【数１０】ＡｇｘＩｎｙＭｏｚ
（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦２、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」、（７）「前記反射放熱層の合金がＡｇとＭｇ
とＮｉからなり、その組成式が
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦２、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」、（７）「前記反射放熱層の合金がＡｇとＭｇ
とＮｉからなり、その組成式が
【００１５】
【数１１】ＡｇｘＭｇｙＮｉｚ
（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、０．５≦ｙ≦２、１≦ｚ≦３
の範囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の
光記録媒体」、（８）「前記反射放熱層の合金がＡｇと
ＣとＣｕからなり、その組成式が
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、０．５≦ｙ≦２、１≦ｚ≦３
の範囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の
光記録媒体」、（８）「前記反射放熱層の合金がＡｇと
ＣとＣｕからなり、その組成式が
【００１６】
【数１２】ＡｇｘＣｙＣｕｚ
（但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９６≦ｘ≦９８、０≦ｙ≦１、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」により達成される。
ｙ、ｚが９６≦ｘ≦９８、０≦ｙ≦１、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記
録媒体」により達成される。
【００１７】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、線速が２０ｍ／ｓ以上の高線速において、オーバラ
イトができる繰り返し特性と保存特性に優れた相変化型
光記録媒体を提供することにあり、これを実現するため
に、従来技術に用いられる記録材料よりも高速結晶化が
可能なＧａとＳｂとＢを主成分とした記録材料を用いて
いる。ＧａとＳｂから成る記録材料としては、化合物組
成であるＧａＳｂが高速結晶化が可能な相変化材料とし
て報告（Applied Optics/Vol.26,No.22/15 November 19
87 P4772-4776）されている。この点が何故高速結晶化
が不可能なのか不明であるが、一つの考え方としてＧａ
Ｓｂは共有結合性が弱いためと考えられる。一方、結晶
化速度が速いことは、非晶質としての記録マークの安定
性に問題が生じるために、これを解決するために本発明
では、Ｂを加えている。即ち、Ｂを加えることにより、
ＧａＳｂの結晶化速度を制御し、高速結晶化の機能を保
持しつつ、非晶質の記録マークの安定性を実現した。さ
らに、本発明では、繰り返し特性と再生信号の特性向上
のために、Ａｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓ
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素を添加している。このとき
の組成は、その組成式を
は、線速が２０ｍ／ｓ以上の高線速において、オーバラ
イトができる繰り返し特性と保存特性に優れた相変化型
光記録媒体を提供することにあり、これを実現するため
に、従来技術に用いられる記録材料よりも高速結晶化が
可能なＧａとＳｂとＢを主成分とした記録材料を用いて
いる。ＧａとＳｂから成る記録材料としては、化合物組
成であるＧａＳｂが高速結晶化が可能な相変化材料とし
て報告（Applied Optics/Vol.26,No.22/15 November 19
87 P4772-4776）されている。この点が何故高速結晶化
が不可能なのか不明であるが、一つの考え方としてＧａ
Ｓｂは共有結合性が弱いためと考えられる。一方、結晶
化速度が速いことは、非晶質としての記録マークの安定
性に問題が生じるために、これを解決するために本発明
では、Ｂを加えている。即ち、Ｂを加えることにより、
ＧａＳｂの結晶化速度を制御し、高速結晶化の機能を保
持しつつ、非晶質の記録マークの安定性を実現した。さ
らに、本発明では、繰り返し特性と再生信号の特性向上
のために、Ａｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓ
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素を添加している。このとき
の組成は、その組成式を
【００１８】
【数１３】ＧａαＳｂβＢγＭδ
但し、ＭはＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓ
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素でα＋β＋γ＋δ＝１００
原子％で、α、β、γ、δが、７≦α≦６０、３０≦β
≦９０、０＜γ≦１０、０＜δ≦１５の範囲にあり、α
が７より少ないと結晶化速度が低下し、高線速対応が困
難となる。また、αが６０より少ないと繰り返し特性が
劣下する。βが３０より少ないと結晶化速度が低下し、
高線速対応が困難となり、βが９０より多いと、非晶質
化が困難となり記録することができなくなる。また、γ
の場合はＢが少しでも添加されていれば、記録マークの
安定性が確保され、再生信号の良好なジッターが得られ
るが、１ａｔ％より多いことが望ましいが、より好まし
くは２ａｔ％以上である。しかし、１０より多いと、結
晶化速度が低下し、高線速対応が困難となる。一方、δ
の場合は、これらの元素が少しでも添加されていればオ
ーバライト繰り返し特性及び再生信号特性の向上に効果
があるが、１ａｔ％以上の添加が好ましい。又、１５よ
り多いと結晶化速度が低下し、高線速対応が困難とな
る。
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素でα＋β＋γ＋δ＝１００
原子％で、α、β、γ、δが、７≦α≦６０、３０≦β
≦９０、０＜γ≦１０、０＜δ≦１５の範囲にあり、α
が７より少ないと結晶化速度が低下し、高線速対応が困
難となる。また、αが６０より少ないと繰り返し特性が
劣下する。βが３０より少ないと結晶化速度が低下し、
高線速対応が困難となり、βが９０より多いと、非晶質
化が困難となり記録することができなくなる。また、γ
の場合はＢが少しでも添加されていれば、記録マークの
安定性が確保され、再生信号の良好なジッターが得られ
るが、１ａｔ％より多いことが望ましいが、より好まし
くは２ａｔ％以上である。しかし、１０より多いと、結
晶化速度が低下し、高線速対応が困難となる。一方、δ
の場合は、これらの元素が少しでも添加されていればオ
ーバライト繰り返し特性及び再生信号特性の向上に効果
があるが、１ａｔ％以上の添加が好ましい。又、１５よ
り多いと結晶化速度が低下し、高線速対応が困難とな
る。
【００１９】また、本発明では、反射放熱層にＡｇ合金
を用いている。その理由は、高線速化のもとでもきれい
なマークを記録するために熱伝導率の良好なＡｇを用
い、さらに耐食性の向上のために、Ｉｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素を加えているが、その中でも特に、Ａｇ−Ｃｕ−
Ｎｉ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｍｏ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｍｏ合
金、Ａｇ−Ｍｇ−Ｎｉ合金、Ａｇ−Ｃ−Ｃｕ合金が好ま
しい。上記合金は、その組成が請求項５、６、７、８で
限定されているが、Ｉｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ
の元素の場合、その限定された組成範囲より少ないとＡ
ｇ合金としての耐食性が低下し、大きいと熱伝導率が小
さくなって、記録マークの再生信号特性、特にジッター
が悪くなる。
を用いている。その理由は、高線速化のもとでもきれい
なマークを記録するために熱伝導率の良好なＡｇを用
い、さらに耐食性の向上のために、Ｉｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃ
ｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏの中から選ばれた少なくとも一つ
の元素を加えているが、その中でも特に、Ａｇ−Ｃｕ−
Ｎｉ合金、Ａｇ−Ｐｄ−Ｍｏ合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｍｏ合
金、Ａｇ−Ｍｇ−Ｎｉ合金、Ａｇ−Ｃ−Ｃｕ合金が好ま
しい。上記合金は、その組成が請求項５、６、７、８で
限定されているが、Ｉｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ
の元素の場合、その限定された組成範囲より少ないとＡ
ｇ合金としての耐食性が低下し、大きいと熱伝導率が小
さくなって、記録マークの再生信号特性、特にジッター
が悪くなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の記録媒体の構成を
図面に基づいて説明する。図１は、本発明の記録媒体の
構成例を示すもので、基板（１）上に下部耐熱保護層
（２）、記録層（３）、上部耐熱保護層（４）、反射放
熱層（５）が設けられている。耐熱保護層は、必ずしも
記録層の両側に設ける必要はないが、基板（１）がポリ
カーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合に
は、下部耐熱層を設けることが望ましい。
図面に基づいて説明する。図１は、本発明の記録媒体の
構成例を示すもので、基板（１）上に下部耐熱保護層
（２）、記録層（３）、上部耐熱保護層（４）、反射放
熱層（５）が設けられている。耐熱保護層は、必ずしも
記録層の両側に設ける必要はないが、基板（１）がポリ
カーボネート樹脂のように耐熱性が低い材料の場合に
は、下部耐熱層を設けることが望ましい。
【００２１】基板（１）の材料は、通常、ガラス、セラ
ミック又は樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
から好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フ
ッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる
が、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂
が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カード
状又はシート状のいずれであってもよい。
ミック又は樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点
から好適である。樹脂の代表例としては、ポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合樹脂、ポリス
チレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フ
ッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられる
が、加工性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂
が好ましい。また、基板の形状は、ディスク状、カード
状又はシート状のいずれであってもよい。
【００２２】耐熱保護層、すなわち誘電体層は、（Ｚｎ
Ｓ）・（ＳｉＯ２）を用いてスパッタ法により膜形成を
行なう。この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光
干渉層としての機能を有することから、これらの機能を
最大限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚
を、２００〜３０００Å、好ましくは、３５０〜２００
０Åとする。２００Å未満の場合は、耐熱保護としての
機能が失われ、また、３０００Åを越えると界面剥離が
生じやすくなるので好ましくない。
Ｓ）・（ＳｉＯ２）を用いてスパッタ法により膜形成を
行なう。この誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光
干渉層としての機能を有することから、これらの機能を
最大限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚
を、２００〜３０００Å、好ましくは、３５０〜２００
０Åとする。２００Å未満の場合は、耐熱保護としての
機能が失われ、また、３０００Åを越えると界面剥離が
生じやすくなるので好ましくない。
【００２３】また、本発明の記録層は、一般的にはスパ
ッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は、１００〜
１０００Å、好ましくは、２００〜３５０Åである。１
００Åより薄いと、光吸収能が低下し、記録層としての
機能を失い、１００Åより厚いと、透過光が少なくなる
ため、干渉効果が期待できなくなる。本発明の反射放熱
層はＡｇ合金が用いられ、その膜形成は、スパッタ法に
より行なうことができる。膜厚は、５００〜２０００
Å、好ましくは、７００〜１５００Åである。
ッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は、１００〜
１０００Å、好ましくは、２００〜３５０Åである。１
００Åより薄いと、光吸収能が低下し、記録層としての
機能を失い、１００Åより厚いと、透過光が少なくなる
ため、干渉効果が期待できなくなる。本発明の反射放熱
層はＡｇ合金が用いられ、その膜形成は、スパッタ法に
より行なうことができる。膜厚は、５００〜２０００
Å、好ましくは、７００〜１５００Åである。
【００２４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく
説明するが、これら実施例によって、本発明はなんら限
定されものではない。
説明するが、これら実施例によって、本発明はなんら限
定されものではない。
【００２５】トラックピッチ０．７μｍ、溝深さ４００
Å、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネ
ート基板上に、表１に示す構造の記録媒体を作製するた
めに、下部耐熱保護層、記録層、上部耐熱保護層、反射
放熱層をスパッタ法により順次設けた。さらに反射放熱
層の上には、スピンコート法により環境保護層を設け
た。次に、得られた記録媒体を初期結晶化した後に、記
録線速、記録パワーを２０ｍ／ｓ（１８ｍｗ）、２３ｍ
／ｓ（２０ｍｗ）、２５ｍ／ｓ（２２ｍｗ）とした。こ
のときの記録用レーザの波長は６５０ｎｍとし、ＥＦＭ
ランダムパターンでオーバライトの繰り返しを行ない、
その信号特性の評価は３Ｔ信号のジッター値で行ない、
保存特性は３０００回オーバライト記録した記録媒体を
８０℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の初期記
録（オーバライト１回目）の３Ｔ信号ジッター値で評価
した。その結果を表２、３に示す。
Å、厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍφのポリカーボネ
ート基板上に、表１に示す構造の記録媒体を作製するた
めに、下部耐熱保護層、記録層、上部耐熱保護層、反射
放熱層をスパッタ法により順次設けた。さらに反射放熱
層の上には、スピンコート法により環境保護層を設け
た。次に、得られた記録媒体を初期結晶化した後に、記
録線速、記録パワーを２０ｍ／ｓ（１８ｍｗ）、２３ｍ
／ｓ（２０ｍｗ）、２５ｍ／ｓ（２２ｍｗ）とした。こ
のときの記録用レーザの波長は６５０ｎｍとし、ＥＦＭ
ランダムパターンでオーバライトの繰り返しを行ない、
その信号特性の評価は３Ｔ信号のジッター値で行ない、
保存特性は３０００回オーバライト記録した記録媒体を
８０℃、８５％温湿下で３００時間保持した後の初期記
録（オーバライト１回目）の３Ｔ信号ジッター値で評価
した。その結果を表２、３に示す。
【００２６】
【表１−１】
【００２７】
【表１−２】
【００２８】
【表２−１】
注）３０００回オーバライト後の記録媒体を８０℃、８
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
【００２９】
【表２−２】
注）３０００回オーバライト後の記録媒体を８０℃、８
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
【００３０】
【表３−１】
注）３０００回オーバライト後の記録媒体を８０℃、８
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
【００３１】
【表３−２】
注）３０００回オーバライト後の記録媒体を８０℃、８
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
５％温湿下で３００時間保持した後のオーバーライト１
回目の３Ｔ信号のジッター値で評価した。
【００３２】表２、３から明らかなように、本発明の記
録材料及び反射放熱材料を用いて構成された記録媒体
（実施例１〜１４）は、２０ｍ／ｓ、２３ｍ／ｓ、２５
ｍ／ｓの線速でジッターとオーバライトの繰り返し特性
が良好で保存特性も優れていることがわかる。比較例と
して、記録材料がＧａ１２Ｓｂ８８、Ｇａ５０Ｓｂ５０
を用いた場合、比較例１、２は、高線速下での記録は可
能であるが、オーバライト繰り返し特性と記録マークの
安定性に影響されるジッターが悪い。又、本発明の記録
材料を用いて反射放熱層材料をＡｇとしたときの比較例
３、４は、ジッターとオーバライト繰り返し特性は良好
であるが、Ａｇの耐候性が悪いために保存特性がもたな
いことを示している。
録材料及び反射放熱材料を用いて構成された記録媒体
（実施例１〜１４）は、２０ｍ／ｓ、２３ｍ／ｓ、２５
ｍ／ｓの線速でジッターとオーバライトの繰り返し特性
が良好で保存特性も優れていることがわかる。比較例と
して、記録材料がＧａ１２Ｓｂ８８、Ｇａ５０Ｓｂ５０
を用いた場合、比較例１、２は、高線速下での記録は可
能であるが、オーバライト繰り返し特性と記録マークの
安定性に影響されるジッターが悪い。又、本発明の記録
材料を用いて反射放熱層材料をＡｇとしたときの比較例
３、４は、ジッターとオーバライト繰り返し特性は良好
であるが、Ａｇの耐候性が悪いために保存特性がもたな
いことを示している。
【００３３】
【発明の効果】以上、詳細かつ具体的な説明から明らか
なように、本発明により２０ｍ／ｓ以上の高線速に対応
でき、繰り返し特性と保存特性に優れた相変化型の光情
報記録媒体が提供され、光情報記録分野に寄与できると
いう極めて優れた効果を奏するものである。
なように、本発明により２０ｍ／ｓ以上の高線速に対応
でき、繰り返し特性と保存特性に優れた相変化型の光情
報記録媒体が提供され、光情報記録分野に寄与できると
いう極めて優れた効果を奏するものである。
【図１】本発明の光情報記録媒体の構成を示す断面図で
ある。
ある。
１ 基板
２ 下部耐熱保護層
３ 記録層
４ 下部耐熱保護層
５ 反射放熱層
フロントページの続き
(72)発明者 田代 浩子
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 水谷 未来
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
(72)発明者 出口 浩司
東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式
会社リコー内
Ｆターム(参考） 2H111 EA03 EA04 EA12 EA23 EA32
EA40 EA41 FA12 FA14 FA18
FA23 FB04 FB05 FB06 FB08
FB09 FB15 FB16 FB17 FB19
FB20 FB21 FB23 FB29 FB30
5D029 JA01 MA13
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に第一耐熱保護層、記録層、第二
耐熱保護層、反射放熱層、そして環境保護層を少なくと
も備えて層構成をなし、電磁波を照射することにより、
情報の記録、再生、消去を行なう相変化型光記録媒体に
おいて、この記録層が、Ｇａと、Ｓｂと、Ｂからなり、
これにＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓｅ，
Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選ばれ
た少なくとも一つの元素を添加として得られる合金から
なることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記記録層を構成する合金の組成式が 【数１】ＧａαＳｂβＢγＭδ （但し、ＭはＡｇ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｓ
ｅ，Ｎ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｃｏの中から選
ばれた少なくとも一つの元素でα＋β＋γ＋δ＝１００
原子％である）で表わされ、α、β、γ、δが、７≦α
≦６０、３０≦β≦９０、０＜γ≦１０、０＜δ≦１５
の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の光記録
媒体。 - 【請求項３】 前記反射放熱層が、Ａｇを主成分としこ
れにＩｎ，Ｍｇ，Ｃ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｍｏの中から
選ばれた少なくとも一つの元素を添加して得られる合金
から成ることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒
体。 - 【請求項４】 前記反射放熱層の合金がＡｇとＣｕとＮ
ｉから成り、その組成式が 【数２】ＡｇｘＣｕｙＮｉｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦３、１≦ｚ≦２の範
囲にあることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒
体。 - 【請求項５】 前記反射放熱層の合金がＡｇとＰｄとＭ
ｏからなり、その組成式が 【数３】ＡｇｘＰｄｙＭｏｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９４≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦３、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒
体。 - 【請求項６】 前記反射放熱層の合金がＡｇとＩｎとＭ
ｏから成り、その組成式が 【数４】ＡｇｘＩｎｙＭｏｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、１≦ｙ≦２、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒
体。 - 【請求項７】 前記反射放熱層の合金がＡｇとＭｇとＮ
ｉからなり、その組成式が 【数５】ＡｇｘＭｇｙＮｉｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９５≦ｘ≦９８、０．５≦ｙ≦２、１≦ｚ≦３
の範囲にあることを特徴とする請求項３に記載の光記録
媒体。 - 【請求項８】 前記反射放熱層の合金がＡｇとＣとＣｕ
からなり、その組成式が 【数６】ＡｇｘＣｙＣｕｚ （但し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％）で表わされ、ｘ、
ｙ、ｚが９６≦ｘ≦９８、０≦ｙ≦１、１≦ｚ≦３の範
囲にあることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002027965A JP2003231354A (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002027965A JP2003231354A (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003231354A true JP2003231354A (ja) | 2003-08-19 |
Family
ID=27773412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002027965A Pending JP2003231354A (ja) | 2002-02-05 | 2002-02-05 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003231354A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1434206A2 (en) * | 2002-12-27 | 2004-06-30 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change type optical recording medium and recording method therefor |
| WO2005037566A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Ricoh Company, Ltd. | 相変化型光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2005044576A1 (ja) | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
-
2002
- 2002-02-05 JP JP2002027965A patent/JP2003231354A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7858167B2 (en) | 2002-02-13 | 2010-12-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7166415B2 (en) | 2002-03-05 | 2007-01-23 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| US7659049B2 (en) | 2002-03-05 | 2010-02-09 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material used for information recording medium and information recording medium employing it |
| EP1434206A3 (en) * | 2002-12-27 | 2005-11-23 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change type optical recording medium and recording method therefor |
| EP1434206A2 (en) * | 2002-12-27 | 2004-06-30 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change type optical recording medium and recording method therefor |
| EP1763021A2 (en) * | 2002-12-27 | 2007-03-14 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change type optical recording medium |
| EP1763021A3 (en) * | 2002-12-27 | 2007-05-02 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change type optical recording medium |
| US7242657B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-07-10 | Ricoh Company, Ltd. | Phase change type optical recording medium and recording method therefor |
| US7081289B2 (en) | 2003-03-24 | 2006-07-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Phase-change recording material and information recording medium |
| US7105217B2 (en) | 2003-04-30 | 2006-09-12 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phase-change recording material and information recording medium |
| WO2005037566A1 (ja) * | 2003-10-16 | 2005-04-28 | Ricoh Company, Ltd. | 相変化型光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| WO2005044576A1 (ja) | 2003-11-05 | 2005-05-19 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置 |
| EP1690693A4 (en) * | 2003-11-26 | 2008-09-17 | Ricoh Kk | OPTICAL RECORDING MEDIUM |
| US7485357B2 (en) | 2003-11-26 | 2009-02-03 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
| WO2005051672A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Ricoh Company, Ltd. | 光記録媒体 |
| EP1690693A1 (en) * | 2003-11-26 | 2006-08-16 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium |
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