JPH0737252A - 光情報記録方法 - Google Patents
光情報記録方法Info
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- JPH0737252A JPH0737252A JP5201759A JP20175993A JPH0737252A JP H0737252 A JPH0737252 A JP H0737252A JP 5201759 A JP5201759 A JP 5201759A JP 20175993 A JP20175993 A JP 20175993A JP H0737252 A JPH0737252 A JP H0737252A
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- mark
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 相変化形記録媒体に従来の記録方法で長いマ
ークを記録すると、記録マークの後端部においてマーク
幅が広がり、再生特性を悪化させる現象が生じていた。
このマーク幅の広がりに対する形状補償を感度低下なし
に、複雑な制御機構を必要とせずに、かつ任意の構成の
媒体に対して行うことのできる記録方法を提供する。 【構成】 基板上に相変化記録材料からなる記録層が形
成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照射し、
該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を利用し
て情報の記録を行う光情報記録方法において、記録パル
ス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射
を行うことを特徴とする光情報記録方法。
ークを記録すると、記録マークの後端部においてマーク
幅が広がり、再生特性を悪化させる現象が生じていた。
このマーク幅の広がりに対する形状補償を感度低下なし
に、複雑な制御機構を必要とせずに、かつ任意の構成の
媒体に対して行うことのできる記録方法を提供する。 【構成】 基板上に相変化記録材料からなる記録層が形
成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照射し、
該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を利用し
て情報の記録を行う光情報記録方法において、記録パル
ス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射
を行うことを特徴とする光情報記録方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に相変化形記録
材料からなる記録層が形成された光情報記録媒体にパル
ス状の電磁波を照射し、該電磁波の照射による記録層の
光学定数の変化を利用して情報の記録を行う光情報記録
方法に関する。
材料からなる記録層が形成された光情報記録媒体にパル
ス状の電磁波を照射し、該電磁波の照射による記録層の
光学定数の変化を利用して情報の記録を行う光情報記録
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電磁波、特にレーザービームの照射によ
り情報の記録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知
られている。この相変化形記録媒体は、特に光磁気記録
媒体で困難な単一ビームによるオーバーライトが可能で
あり、ドライブ側の光学系もより単純であることなどか
ら、最近その研究開発が活発になっている。相変化形記
録媒体に使用される代表的な材料例としては、米国特許
第３５３０４４１号明細書に開示されているように、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−
Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコ
ゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶
化などの向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６
１−２１９６９２号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１
−２７０１９０号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９
０号公報）などを添加した材料の提案や、記録／消去の
繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−
７３４３８号公報）の提案などもなされている。しかし
ながら、いずれも、書換可能な相変化形記録媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止及び繰り返し記録回数の向上荷ついてはが解決さ
れるべき最重要課題であるといえる。
り情報の記録、再生及び消去が可能な光情報記録媒体の
一つとして、結晶−非結晶相間あるいは結晶−結晶相間
の転移を利用する、いわゆる相変化形記録媒体がよく知
られている。この相変化形記録媒体は、特に光磁気記録
媒体で困難な単一ビームによるオーバーライトが可能で
あり、ドライブ側の光学系もより単純であることなどか
ら、最近その研究開発が活発になっている。相変化形記
録媒体に使用される代表的な材料例としては、米国特許
第３５３０４４１号明細書に開示されているように、Ｇ
ｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｎ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓ、Ｇｅ−
Ｓｅ−Ｓ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓなどのいわゆるカルコ
ゲン系合金材料が挙げられる。また、安定性、高速結晶
化などの向上を目的に、Ｇｅ−Ｔｅ系にＡｕ（特開昭６
１−２１９６９２号公報）、Ｓｎ及びＡｕ（特開昭６１
−２７０１９０号公報）、Ｐｄ（特開昭６２−１９４９
０号公報）などを添加した材料の提案や、記録／消去の
繰り返し性能向上を目的にＧｅ−Ｔｅ−Ｓｅ−Ｓｂ、Ｇ
ｅ−Ｔｅ−Ｓｂの組成比を特定した材料（特開昭６２−
７３４３８号公報）の提案などもなされている。しかし
ながら、いずれも、書換可能な相変化形記録媒体として
要求される諸特性のすべてを満足しうるものとはいえな
い。特にオーバーライト時の消し残りによる消去比低下
の防止及び繰り返し記録回数の向上荷ついてはが解決さ
れるべき最重要課題であるといえる。
【０００３】特開昭６３−２５１２９０号公報では、実
質的に三元以上の多元化合物単相の結晶構造を持つ記録
層を具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的
に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組
成を持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。この記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるもの
としている。しかしながら、この記録媒体は、消去比が
低いなどの欠点を有している。これらの事情から消去比
が高く、繰り返し特性の優れた光情報記録媒体の開発が
望まれていた。このため、記録層材料に適した保護層材
料の開発が進められて、ＺｎＳＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。
しかし特定の記録層材料とこれらの保護層材料との組み
合わせによっても光情報記録媒体として要求される諸特
性のすべてを満足するものは得られていない。
質的に三元以上の多元化合物単相の結晶構造を持つ記録
層を具備した記録媒体が提案されている。ここで実質的
に三元以上の多元化合物単層とは三元以上の化学量論組
成を持った化合物（たとえばＩｎ3ＳｂＴｅ2）を記録層
中に９０原子％以上含むものとされている。この記録層
を用いることにより記録、消去特性の向上が図れるもの
としている。しかしながら、この記録媒体は、消去比が
低いなどの欠点を有している。これらの事情から消去比
が高く、繰り返し特性の優れた光情報記録媒体の開発が
望まれていた。このため、記録層材料に適した保護層材
料の開発が進められて、ＺｎＳＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの材料が用いられている。
しかし特定の記録層材料とこれらの保護層材料との組み
合わせによっても光情報記録媒体として要求される諸特
性のすべてを満足するものは得られていない。
【０００４】一方、従来の相変化形記録媒体に従来方法
で記録されたマーク部をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で
観察すると、記録マークは理想的には図７のようなマー
ク形状になるべきはずのものが、実際は図８のようなマ
ーク後端部が広がった形状となっている。これは特に長
いマークを記録しようとする場合に顕著で、極端な場合
には涙滴型に近い形状を示すことさえあり、記録再生特
性の向上に対して大きな障害となっている。記録マーク
がこのような形状となる原因の一つとして、長いマーク
を記録しようとするマークの後端部付近では、照射され
ている高出力のレーザービームによる蓄熱効果により記
録層の温度が上昇しすぎてマーク部の幅が広くなりすぎ
ることがあげられる。上記のような現象は反射放熱層の
熱伝導率が不足気味な場合にも生ずる。
で記録されたマーク部をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）で
観察すると、記録マークは理想的には図７のようなマー
ク形状になるべきはずのものが、実際は図８のようなマ
ーク後端部が広がった形状となっている。これは特に長
いマークを記録しようとする場合に顕著で、極端な場合
には涙滴型に近い形状を示すことさえあり、記録再生特
性の向上に対して大きな障害となっている。記録マーク
がこのような形状となる原因の一つとして、長いマーク
を記録しようとするマークの後端部付近では、照射され
ている高出力のレーザービームによる蓄熱効果により記
録層の温度が上昇しすぎてマーク部の幅が広くなりすぎ
ることがあげられる。上記のような現象は反射放熱層の
熱伝導率が不足気味な場合にも生ずる。
【０００５】そこでマーク後端部の広がりを防止するた
めに、反射放熱層に熱伝導率の大きな材料を用いること
が考えられるが、その場合、感度の低下を招き好ましく
なく、その上、逆に長いマークの後端部付近でマーク幅
が狭くなる現象が生じてしまう。また、記録材料として
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系のようにマーク形成に対して
冷却速度が大きく寄与する材料を用いて記録層を構成し
た場合、マークの前側では後端部に比べ冷却速度が小さ
く、マーク幅が挟くなるという問題がある。どちらにし
ても層構成だけではマーク形状の制御は非常に難かしい
というのが実情である。
めに、反射放熱層に熱伝導率の大きな材料を用いること
が考えられるが、その場合、感度の低下を招き好ましく
なく、その上、逆に長いマークの後端部付近でマーク幅
が狭くなる現象が生じてしまう。また、記録材料として
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系のようにマーク形成に対して
冷却速度が大きく寄与する材料を用いて記録層を構成し
た場合、マークの前側では後端部に比べ冷却速度が小さ
く、マーク幅が挟くなるという問題がある。どちらにし
ても層構成だけではマーク形状の制御は非常に難かしい
というのが実情である。
【０００６】これらのことから、記録波形による記録マ
ーク形状の補償の必要性が生じるが、その従来例とし
て、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３１（１９９２）ｐ６５３−６
５８、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３０（１９９１）ｐ６７７−
６８１、第四回相変化記録研究会（１９９２）ｐ７６−
８１及びｐ９９−１０４等の記録波形による記録マーク
形状の補償方法の例がある。しかしこれらの方法は、複
雑な制御機構を必要とする上、あらゆる構成のメディア
に対応し得るものではなかった。
ーク形状の補償の必要性が生じるが、その従来例とし
て、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３１（１９９２）ｐ６５３−６
５８、ＪＪＡＰ Ｖｏｌ．３０（１９９１）ｐ６７７−
６８１、第四回相変化記録研究会（１９９２）ｐ７６−
８１及びｐ９９−１０４等の記録波形による記録マーク
形状の補償方法の例がある。しかしこれらの方法は、複
雑な制御機構を必要とする上、あらゆる構成のメディア
に対応し得るものではなかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の実情に鑑み、複雑な制御機構を必要とせず、記録波形
による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメディア
に対応して行うことのできる光情報記録方法を提供する
ことをその課題とする。
の実情に鑑み、複雑な制御機構を必要とせず、記録波形
による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメディア
に対応して行うことのできる光情報記録方法を提供する
ことをその課題とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、基板上に相変化形記録材料からなる
記録層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波
を照射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変
化を利用して情報の記録を行う光情報記録方法におい
て、記録パルス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の
電磁波の照射を行うことを特徴とする光情報記録方法が
提供される。また、本発明によれば、上記において、記
録パルス波形としてマルチパルス波形を用い、マルチパ
ルス列の各々の波形の立ち下がりを鈍らせることを特徴
とする光情報記録方法が提供される。また、本発明によ
れば、上記において、特に長い記録マークの記録時に該
記録マークの最後部を記録するパルス波形のみの立ち下
がりを鈍らせることを特徴とする光情報記録方法が提供
される。さらに、本発明によれば、上記において、前記
光情報記録媒体として、基板上に記録層と保護層と反射
放熱層が形成され、該記録層が構成元素として少なくと
もＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含み、かつ安定状態にお
いて主として下記一般式（Ｉ）で表される組成及び構造
の相変化形記録材料からなる光情報記録媒体を用いるこ
とを特徴とする光情報記録方法が提供される。
題を解決するため、基板上に相変化形記録材料からなる
記録層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波
を照射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変
化を利用して情報の記録を行う光情報記録方法におい
て、記録パルス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の
電磁波の照射を行うことを特徴とする光情報記録方法が
提供される。また、本発明によれば、上記において、記
録パルス波形としてマルチパルス波形を用い、マルチパ
ルス列の各々の波形の立ち下がりを鈍らせることを特徴
とする光情報記録方法が提供される。また、本発明によ
れば、上記において、特に長い記録マークの記録時に該
記録マークの最後部を記録するパルス波形のみの立ち下
がりを鈍らせることを特徴とする光情報記録方法が提供
される。さらに、本発明によれば、上記において、前記
光情報記録媒体として、基板上に記録層と保護層と反射
放熱層が形成され、該記録層が構成元素として少なくと
もＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含み、かつ安定状態にお
いて主として下記一般式（Ｉ）で表される組成及び構造
の相変化形記録材料からなる光情報記録媒体を用いるこ
とを特徴とする光情報記録方法が提供される。
【化１】 （ＡｇＳｂＴｅ(2+σ/Δ)）x（ＩｎＳｂz）1-x ・・・（Ｉ） （ただし、０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）
【０００９】以下本発明の方法を詳述する。本発明は相
変化形記録媒体にパルス状の電磁波を照射して記録を行
う光情報記録方法において、マーク記録時のパルス波形
を工夫することにより記録マーク形状の歪みを補償しよ
うとするものであり、具体的には図１に示すように、記
録パルス波形の立ち下がりを鈍らせることにより、記録
マーク形状を適正化するものである。このような記録パ
ルス波形を採用することにより、照射電磁波のエネルギ
ーによる蓄熱効果により記録層の温度が過度に上昇する
のを防ぎ、長いマークの後端部でのマーク幅の広がりが
抑制されるため、図７のような適正化された形状のマー
クが得られるようになる。
変化形記録媒体にパルス状の電磁波を照射して記録を行
う光情報記録方法において、マーク記録時のパルス波形
を工夫することにより記録マーク形状の歪みを補償しよ
うとするものであり、具体的には図１に示すように、記
録パルス波形の立ち下がりを鈍らせることにより、記録
マーク形状を適正化するものである。このような記録パ
ルス波形を採用することにより、照射電磁波のエネルギ
ーによる蓄熱効果により記録層の温度が過度に上昇する
のを防ぎ、長いマークの後端部でのマーク幅の広がりが
抑制されるため、図７のような適正化された形状のマー
クが得られるようになる。
【００１０】本発明では、記録レーザパルスの駆動方式
としては、図１に示すような１パルス記録方式或いは図
２に示すようなマルチパルス記録方式を用いることがで
きる。１パルス記録方式を用いる場合、特に長い記録マ
ークの記録時に使用するパルス波形のみその立ち下がり
部分を鈍らせてもよい。マルチパルス記録方式を用いる
場合には、図２のようにマルチパルス列の各々の波形の
立ち下がりを鈍らせてもよいし、特に長い記録マークの
記録時に該記録マークの最後部を記録するパルス波形の
みその立ち下がりを鈍らせてもよい。
としては、図１に示すような１パルス記録方式或いは図
２に示すようなマルチパルス記録方式を用いることがで
きる。１パルス記録方式を用いる場合、特に長い記録マ
ークの記録時に使用するパルス波形のみその立ち下がり
部分を鈍らせてもよい。マルチパルス記録方式を用いる
場合には、図２のようにマルチパルス列の各々の波形の
立ち下がりを鈍らせてもよいし、特に長い記録マークの
記録時に該記録マークの最後部を記録するパルス波形の
みその立ち下がりを鈍らせてもよい。
【００１１】記録パルス波形の立ち下がりを鈍らせるた
めの駆動回路の概念図を図３に示すとともにその動作タ
イミングチャートを図４に示す。また、本発明の方法を
実現するための装置構成を図５にブロック図で示す。こ
の装置は、記録信号発生器１１、駆動パルス発生回路１
２、立ち上がり駆動回路１３、立ち下がり駆動回路１
４、ＬＤ駆動回路１５及びＬＤ（レーザーダイオード）
１６から構成される。
めの駆動回路の概念図を図３に示すとともにその動作タ
イミングチャートを図４に示す。また、本発明の方法を
実現するための装置構成を図５にブロック図で示す。こ
の装置は、記録信号発生器１１、駆動パルス発生回路１
２、立ち上がり駆動回路１３、立ち下がり駆動回路１
４、ＬＤ駆動回路１５及びＬＤ（レーザーダイオード）
１６から構成される。
【００１２】本発明の方法はあらゆる構成の相変化形記
録媒体に対応し得るが、特に他の記録材料と比較して高
感度なＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元系の記録材料を用
いた相変化形記録媒体に対して特に有効である。以下本
発明の方法に好適な光情報記録媒体について図６の構成
例に基づき説明する。
録媒体に対応し得るが、特に他の記録材料と比較して高
感度なＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの４元系の記録材料を用
いた相変化形記録媒体に対して特に有効である。以下本
発明の方法に好適な光情報記録媒体について図６の構成
例に基づき説明する。
【００１３】図６に示す記録媒体は、基板１上に下部耐
熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層４及び反射
放熱層５を設けて構成される。下部耐熱性保護層２は必
ずしも設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート
樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には設けることが
望ましい。
熱性保護層２、記録層３、上部耐熱性保護層４及び反射
放熱層５を設けて構成される。下部耐熱性保護層２は必
ずしも設ける必要はないが、基板１がポリカーボネート
樹脂のように耐熱性が低い材料の場合には設けることが
望ましい。
【００１４】記録層３は、電磁波の照射時に光学定数の
変化を生じるものであり、好ましくは相変化形材料、特
に好ましくは構成元素としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを
含むものであり、さらにその組成及び化学構造が主とし
て下記一般式（Ｉ）で表される相変化形材料が好適であ
る。
変化を生じるものであり、好ましくは相変化形材料、特
に好ましくは構成元素としてＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを
含むものであり、さらにその組成及び化学構造が主とし
て下記一般式（Ｉ）で表される相変化形材料が好適であ
る。
【化１】 （ＡｇＳｂＴｅ(2+σ/Δ)）x（ＩｎＳｂz）1-x ・・・（Ｉ） （ただし、０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）また未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶が
存在することが好ましい。記録層３は各種気相成長法、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。気相成長法以外にゾル
ゲル法のような湿式プロセスも使用可能である。記録層
３の膜厚としては１００〜１００００Å、好ましくは２
００〜２０００Åとするのがよい。膜厚が１００Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を
はたさなくなる。また膜厚が１００００Åより厚いと高
速で均一な相変化が起こりにくくなる。
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）また未記録部及び消去時
に化学量論組成又はそれに近いＡｇＳｂＴｅ2微結晶が
存在することが好ましい。記録層３は各種気相成長法、
例えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。気相成長法以外にゾル
ゲル法のような湿式プロセスも使用可能である。記録層
３の膜厚としては１００〜１００００Å、好ましくは２
００〜２０００Åとするのがよい。膜厚が１００Åより
薄いと光吸収能が著しく低下し、記録層としての役割を
はたさなくなる。また膜厚が１００００Åより厚いと高
速で均一な相変化が起こりにくくなる。
【００１５】上耐熱性保護層４の構成材料としては、Ｓ
ｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3
Ｎ4、ＡｌＮ、ＢＮなどの窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ4など
の硫化物あるいはこれらの混合物が適している。特に媒
体の回転線速度が低い（１．２〜５．６ｍ／ｓ）用途の
場合にはＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣなどの熱伝導率が１Ｗ／
ｃｍ・Ｋ以上の材料が好適である。このような材料は、
急冷条件とすることにより記録層３の状態変化を促進さ
せる。このような耐熱性保護層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚は
１００〜５０００Å、好ましくは２００〜２０００Åで
ある。膜厚が１００Åよりも薄くなると耐熱性保護層と
しての機能をはたさなくなり、逆に５０００Åよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。また必要に応じて該耐熱性保護層を多層化する
こともできる。
ｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3などの酸化物、Ｓｉ3
Ｎ4、ＡｌＮ、ＢＮなどの窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ4など
の硫化物あるいはこれらの混合物が適している。特に媒
体の回転線速度が低い（１．２〜５．６ｍ／ｓ）用途の
場合にはＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣなどの熱伝導率が１Ｗ／
ｃｍ・Ｋ以上の材料が好適である。このような材料は、
急冷条件とすることにより記録層３の状態変化を促進さ
せる。このような耐熱性保護層は各種気相成長法、たと
えば真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ
法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム
蒸着法などによって形成できる。耐熱性保護層の膜厚は
１００〜５０００Å、好ましくは２００〜２０００Åで
ある。膜厚が１００Åよりも薄くなると耐熱性保護層と
しての機能をはたさなくなり、逆に５０００Åよりも厚
くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を生じやす
くなる。また必要に応じて該耐熱性保護層を多層化する
こともできる。
【００１６】反射放熱層５には、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕなど
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほ
うが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラスマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては１００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に２０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
の金属材料、またはそれらの合金などを用いることがで
きる。反射放熱層は必ずしも必要ではないが、過剰な熱
を放出しディスクへの熱負担を軽減するために設けるほ
うが望ましい。このような反射放熱層は各種気相成長
法、たとえば真空蒸着法、スパッタリング法、プラスマ
ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子
ビーム蒸着法などによって形成できる。反射放熱層の膜
厚としては１００〜３０００Å、好適には５００〜２０
００Åとするのがよい。１００Åよりも薄くなると反射
放熱層としての機能をはたさなくなり、逆に２０００Å
よりも厚くなると感度の低下をきたしたり、界面剥離を
生じやすくなる。
【００１７】基板１の材料は、通常はガラス、セラミッ
クス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト
の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板１の形状デ
ィスク状でも、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
クス、あるいは樹脂であり、樹脂基板が成形性、コスト
の点で好適である。樹脂の代表例としてはポリカーボネ
ート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン
樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などがあげら
れるが、加工性、光学特性などの点でポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂が好ましい。また基板１の形状デ
ィスク状でも、カード状あるいはシート状であってもよ
い。
【００１８】上記相変化形記録媒体は、Ａｒレーザー又
は半導体レーザーにより初期化されていることが望まし
い。半導体レーザーを用いる場合、レーザーの媒体面上
パワー密度は５×１０7〜１×１０10Ｗ／ｍ2の範囲、媒
体の線速は１ｍ／ｓ〜３０ｍ／ｓ、レーザーの送り速度
は１μｍ／回転〜１００μｍ／回転の範囲が適してい
る。
は半導体レーザーにより初期化されていることが望まし
い。半導体レーザーを用いる場合、レーザーの媒体面上
パワー密度は５×１０7〜１×１０10Ｗ／ｍ2の範囲、媒
体の線速は１ｍ／ｓ〜３０ｍ／ｓ、レーザーの送り速度
は１μｍ／回転〜１００μｍ／回転の範囲が適してい
る。
【００１９】本発明において、記録、再生及び消去に用
いる電磁波としてはレーザ光、電子線、Ｘ線、紫外線、
可視光線、赤外線、マイクロ波など種々のものが採用可
能であるが、ドライブに取付ける際、小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。
いる電磁波としてはレーザ光、電子線、Ｘ線、紫外線、
可視光線、赤外線、マイクロ波など種々のものが採用可
能であるが、ドライブに取付ける際、小型でコンパクト
な半導体レーザーが最適である。
【００２０】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。 実施例１ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＺｎＳＳｉＯ2保護層２
０００Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（組成比はＡ
ｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：５１：２４）２０
０Å、ＡｌＮ保護層３００Å、Ａｇ反射層７００Åを順
次積層し、光ディスクを作製した。光ディスクの初期化
は半導体レーザーによりパワー１０ｍＷ、線速１．３ｍ
／ｓで行った。上記の方法により作成した光ディスク
へ、図３にその概念を示す駆動回路を用いて図４に示す
ようなタイミングで各スイッチＳＷ１、ＳＷ２をＯＮ／
ＯＦＦすることによって、図１に示すように、立ち下が
りの鈍った１パルス駆動方式の光出力パルス波形を得
た。このパルス波形によるレーザー照射で形成されたマ
ークは後端部の広がりが改善され、第二次高調波歪が３
〜５ｄＢ向上した。
する。 実施例１ ピッチ約１．６μｍ、深さ約７００Åの溝付きで、厚さ
１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上
にＲＦスパッタリング法によりＺｎＳＳｉＯ2保護層２
０００Å、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層（組成比はＡ
ｇ：Ｉｎ：Ｓｂ：Ｔｅ＝１２：１３：５１：２４）２０
０Å、ＡｌＮ保護層３００Å、Ａｇ反射層７００Åを順
次積層し、光ディスクを作製した。光ディスクの初期化
は半導体レーザーによりパワー１０ｍＷ、線速１．３ｍ
／ｓで行った。上記の方法により作成した光ディスク
へ、図３にその概念を示す駆動回路を用いて図４に示す
ようなタイミングで各スイッチＳＷ１、ＳＷ２をＯＮ／
ＯＦＦすることによって、図１に示すように、立ち下が
りの鈍った１パルス駆動方式の光出力パルス波形を得
た。このパルス波形によるレーザー照射で形成されたマ
ークは後端部の広がりが改善され、第二次高調波歪が３
〜５ｄＢ向上した。
【００２１】実施例２ 実施例１と同様な光ディスクを用い、実施例１と同様な
１パルス記録方式であるが、長い記録マークの記録に用
いるパルス波形のみその立ち下がりが鈍ったものとし
た。その結果、全体として、実施例１と同様にマーク形
状を改善することができた。
１パルス記録方式であるが、長い記録マークの記録に用
いるパルス波形のみその立ち下がりが鈍ったものとし
た。その結果、全体として、実施例１と同様にマーク形
状を改善することができた。
【００２２】実施例１と同様な光ディスクを用い、マル
チパルス２段階変調記録方式を用い、実施例１で用いた
のと同じように、図３にその概念を示す駆動回路を用い
て図４に示すようなタイミングで各スイッチＳＷ１、Ｓ
Ｗ２をＯＮ／ＯＦＦすることによってＬＤを駆動するこ
とでマルチパルスの各パルスの立ち下がりを鈍らせるこ
とにより記録を行った。その結果、マーク形状が改善さ
れ、第二次高調波歪が３〜５ｄＢ向上した。
チパルス２段階変調記録方式を用い、実施例１で用いた
のと同じように、図３にその概念を示す駆動回路を用い
て図４に示すようなタイミングで各スイッチＳＷ１、Ｓ
Ｗ２をＯＮ／ＯＦＦすることによってＬＤを駆動するこ
とでマルチパルスの各パルスの立ち下がりを鈍らせるこ
とにより記録を行った。その結果、マーク形状が改善さ
れ、第二次高調波歪が３〜５ｄＢ向上した。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、記録パルス波形の立ち
下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射を行うように
したので、複雑な制御機構を必要とせずに、記録パルス
波形による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメデ
ィアに対応して行うことができるようになり、相変化形
記録媒体の記録再生特性のより一層の向上が計れる。
下がりを鈍らせてパルス状の電磁波の照射を行うように
したので、複雑な制御機構を必要とせずに、記録パルス
波形による記録マーク形状の補償をあらゆる構成のメデ
ィアに対応して行うことができるようになり、相変化形
記録媒体の記録再生特性のより一層の向上が計れる。
【図１】本発明による１パルス記録方式における記録パ
ルス波形の説明図である。
ルス波形の説明図である。
【図２】本発明によるマルチパルス記録方式における記
録パルス波形の説明図である。
録パルス波形の説明図である。
【図３】立ち下がりを鈍らせた記録パルス波形を形成す
るための駆動回路の概念図である。
るための駆動回路の概念図である。
【図４】図３の駆動回路の動作タイミングチャートであ
る。
る。
【図５】本発明の方法を実現するための装置構成を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図６】本発明の方法が好適に適用される記録媒体の層
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図７】理想的な記録マーク形状を示す図である。
【図８】後端部のマーク幅が広がった記録マーク形状を
示す図である。
示す図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱性
保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱性
保護層 ５ 反射放熱層 １１ 記録信号発
生器 １２ 駆動パルス発生回路 １３ 立ち上が
り駆動回路 １４ 立ち下がり駆動回路 １５ ＬＤ駆動
回路 １６ ＬＤ（レーザーダイオード）
保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱性
保護層 ５ 反射放熱層 １１ 記録信号発
生器 １２ 駆動パルス発生回路 １３ 立ち上が
り駆動回路 １４ 立ち下がり駆動回路 １５ ＬＤ駆動
回路 １６ ＬＤ（レーザーダイオード）
フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 岩崎 博子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 山田 勝幸 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 高橋 正悦 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 出口 浩司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に相変化形記録材料からなる記録
層が形成された光情報記録媒体にパルス状の電磁波を照
射し、該電磁波の照射による記録層の光学定数の変化を
利用して情報の記録を行う光情報記録方法において、記
録パルス波形の立ち下がりを鈍らせてパルス状の電磁波
の照射を行うことを特徴とする光情報記録方法。 - 【請求項２】 記録パルス波形としてマルチパルス波形
を用い、マルチパルス列の各々の波形の立ち下がりを鈍
らせることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録方
法。 - 【請求項３】 特に長い記録マークの記録時に該記録マ
ークの最後部を記録するパルス波形のみの立ち下がりを
鈍らせることを特徴とする請求項１又は２に記載の光情
報記録方法。 - 【請求項４】 前記光情報記録媒体として、基板上に記
録層と保護層と反射放熱層が形成され、該記録層が構成
元素として少なくともＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含
み、かつ安定状態において主として下記一般式（Ｉ）で
表される組成及び構造の相変化形記録材料からなる光情
報記録媒体を用いることを特徴とする請求項１〜３のい
ずれか一項に記載の光情報記録方法。 【化１】 （ＡｇＳｂＴｅ(2+σ/Δ)）x（ＩｎＳｂz）1-x ・・・（Ｉ） （ただし、０．４≦ｘ≦０．５５、０．５≦ｚ≦２．
５、−０．１５≦σ≦０．１、Δ＝(１−σ)ｘ／（１＋
３ｘ＋ｚ（１−ｘ））である）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20175993A JP3255204B2 (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 光情報記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20175993A JP3255204B2 (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 光情報記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737252A true JPH0737252A (ja) | 1995-02-07 |
| JP3255204B2 JP3255204B2 (ja) | 2002-02-12 |
Family
ID=16446472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20175993A Expired - Fee Related JP3255204B2 (ja) | 1993-07-22 | 1993-07-22 | 光情報記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3255204B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411579B2 (en) | 1999-05-19 | 2002-06-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US7277376B2 (en) | 2003-07-18 | 2007-10-02 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3159455B1 (en) | 2014-06-20 | 2018-08-22 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Shovel and method for controlling same |
-
1993
- 1993-07-22 JP JP20175993A patent/JP3255204B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6411579B2 (en) | 1999-05-19 | 2002-06-25 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US6661760B2 (en) | 1999-05-19 | 2003-12-09 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US7050377B1 (en) | 1999-05-19 | 2006-05-23 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording method and optical recording medium |
| US7085215B2 (en) | 1999-05-19 | 2006-08-01 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| USRE42786E1 (en) | 1999-05-19 | 2011-10-04 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| USRE45001E1 (en) | 1999-05-19 | 2014-07-08 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method and optical recording medium |
| US7313070B2 (en) | 2002-02-13 | 2007-12-25 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7609603B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-10-27 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7858167B2 (en) | 2002-02-13 | 2010-12-28 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Rewritable optical recording medium and optical recording method |
| US7277376B2 (en) | 2003-07-18 | 2007-10-02 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3255204B2 (ja) | 2002-02-12 |
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