JP2002293029A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度かつ高速度で対応でき、繰り返し特
性、記録消去感度及び保存特性に優れた光情報記録媒体
が提供すること。 【解決手段】 光を照射して記録層の複素屈折率を変化
させることにより記録する相変化型光情報記録媒体にお
いて、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰｄか
らなることを特徴とする光情報記録媒体、光を照射して
記録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相
変化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢｒからなることを特徴とする光情
報記録媒体、光を照射して記録層の複素屈折率を変化さ
せることにより記録する相変化型光情報記録媒体におい
て、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＲｂから
なることを特徴とする光情報記録媒体及び光を照射して
記録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相
変化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰからなることを特徴とする光情報
記録媒体。
性、記録消去感度及び保存特性に優れた光情報記録媒体
が提供すること。 【解決手段】 光を照射して記録層の複素屈折率を変化
させることにより記録する相変化型光情報記録媒体にお
いて、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰｄか
らなることを特徴とする光情報記録媒体、光を照射して
記録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相
変化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢｒからなることを特徴とする光情
報記録媒体、光を照射して記録層の複素屈折率を変化さ
せることにより記録する相変化型光情報記録媒体におい
て、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＲｂから
なることを特徴とする光情報記録媒体及び光を照射して
記録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相
変化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰからなることを特徴とする光情報
記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録媒体に
関し、さらに詳しくは、光ビームを照射して相変化材料
からなる記録層に光学的な変化を生じさせることによ
り、情報の記録、再生を行う書替え可能な光情報記録媒
体に関するものである。
関し、さらに詳しくは、光ビームを照射して相変化材料
からなる記録層に光学的な変化を生じさせることによ
り、情報の記録、再生を行う書替え可能な光情報記録媒
体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レーザビーム照射による情報の記録、再
生及び消去が可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶
−非結晶間又は結晶−結晶相間の転移を利用する、いわ
ゆる相変化光ディスクが知られている。これは、単一ビ
ームによるオーバライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であるため、コンピュータ関連や映像、
音響に関する記録媒体として応用されている。
生及び消去が可能な光情報記録媒体の一つとして、結晶
−非結晶間又は結晶−結晶相間の転移を利用する、いわ
ゆる相変化光ディスクが知られている。これは、単一ビ
ームによるオーバライトが可能であり、ドライブ側の光
学系もより単純であるため、コンピュータ関連や映像、
音響に関する記録媒体として応用されている。
【０００３】その記録材料としては、ＧｅＴｅ、ＧｅＴ
ｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅ
Ｓｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等がある。特に、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス部分の輪郭
が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層とし
て開発、応用されている（特開平３−２３１８８９号公
報、特開平４−１９１０８９号公報、特開平４−２３２
７７９号公報、特開平４−２６７１９２号公報、特開平
５−３４５４７８号公報、特開平６−１６６２６６号公
報等）。
ｅＳｅ、ＧｅＴｅＳ、ＧｅＳｅＳ、ＧｅＳｅＳｂ、Ｇｅ
ＡｓＳｅ、ＩｎＴｅ、ＳｅＴｅ、ＳｅＡｓ、Ｇｅ−Ｔｅ
−（Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄ）、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、ＧｅＴｅ
Ｓｂ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等がある。特に、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅは、高感度でアモルファス部分の輪郭
が明確な特徴を有し、マークエッジ記録用の記録層とし
て開発、応用されている（特開平３−２３１８８９号公
報、特開平４−１９１０８９号公報、特開平４−２３２
７７９号公報、特開平４−２６７１９２号公報、特開平
５−３４５４７８号公報、特開平６−１６６２６６号公
報等）。
【０００４】特開平３−２３１８８９号公報によれば、
ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI
族元素として、Ｉ（III1-γＶγ）・VI2型の一般組成式
で表される記録層が開示されている。しかし、この記録
層においては、繰り返し記録特性に課題があった。
ＩをＩ族元素、IIIをIII族元素、ＶをＶ族元素、VIをVI
族元素として、Ｉ（III1-γＶγ）・VI2型の一般組成式
で表される記録層が開示されている。しかし、この記録
層においては、繰り返し記録特性に課題があった。
【０００５】特開平４−１９１０８９号公報に開示され
た情報記録媒体に使用されている記録層による場合、消
去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰返し記
録特性に課題があった。また、特開平１−３０３６４３
号公報に開示された情報記録媒体では、新規な結晶構造
をとることにより、高いＣ／Ｎと優れた繰り返し特性及
び保存信頼性を有するものであるが、記録消去感度に若
干劣るものであった。
た情報記録媒体に使用されている記録層による場合、消
去比の向上と高速記録とは達成されるものの、繰返し記
録特性に課題があった。また、特開平１−３０３６４３
号公報に開示された情報記録媒体では、新規な結晶構造
をとることにより、高いＣ／Ｎと優れた繰り返し特性及
び保存信頼性を有するものであるが、記録消去感度に若
干劣るものであった。
【０００６】特開平４−２３２７７９号公報に開示され
た情報記録媒体に使用されている記録層の未記録部分
（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ2）と
この安定相の周囲に存在するアモルファス相とが混在し
たものとなっている。このため、繰返し記録特性は向上
するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在すること
になり、ノイズ発生の原因となっている。これは、記録
再生波長が７８０μｍ程度のレーザ光を使用するＣＤ−
ＲＷ（Compact Disk Rewritable）等のように比較的低
い記録密度を有する光情報記録媒体の記録特性には重大
な悪影響を与えないが、波長６８０ｎｍ以下のレーザ光
を使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの約４倍であるＤＶＤ
（Digital Versatile Disk）−ＲＡＭや、さらに高密度
なＤＶＤ−ＲＷ等の高密度記録を実現する上では障害と
なるものである。さらに、繰返し記録特性においても問
題を残しているものであった。
た情報記録媒体に使用されている記録層の未記録部分
（結晶化部分）の構造は、安定相（ＡｇＳｂＴｅ2）と
この安定相の周囲に存在するアモルファス相とが混在し
たものとなっている。このため、繰返し記録特性は向上
するものの、結晶化部に微細な結晶粒界が存在すること
になり、ノイズ発生の原因となっている。これは、記録
再生波長が７８０μｍ程度のレーザ光を使用するＣＤ−
ＲＷ（Compact Disk Rewritable）等のように比較的低
い記録密度を有する光情報記録媒体の記録特性には重大
な悪影響を与えないが、波長６８０ｎｍ以下のレーザ光
を使用し、記録密度がＣＤ−ＲＷの約４倍であるＤＶＤ
（Digital Versatile Disk）−ＲＡＭや、さらに高密度
なＤＶＤ−ＲＷ等の高密度記録を実現する上では障害と
なるものである。さらに、繰返し記録特性においても問
題を残しているものであった。
【０００７】特開平４−２６７１９２号公報に使用され
ている記録相の結晶化部分の構造は、一様なアモルファ
ス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ2とその他の相（安定
相又はアモルファス相）との混相状態である。その他の
相がアモルファス相である場合には、上記した特開平４
−２３２７７９号公報に開示された情報記録媒体の場合
と同様な問題点があり、その他の相が安定結晶相である
場合には、後記するように、良好な記録特性が得られな
いという課題がある。
ている記録相の結晶化部分の構造は、一様なアモルファ
ス相から相分離したＡｇＳｂＴｅ2とその他の相（安定
相又はアモルファス相）との混相状態である。その他の
相がアモルファス相である場合には、上記した特開平４
−２３２７７９号公報に開示された情報記録媒体の場合
と同様な問題点があり、その他の相が安定結晶相である
場合には、後記するように、良好な記録特性が得られな
いという課題がある。
【０００８】特開平５−３４５４７８号公報、特開平６
−１６６２６８号公報による場合も上記の場合と同様な
課題がある。すなわち、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系で又
はこれらを拡張したＩｂ族元素、IIIb族元素、Ｖb族元
素、及びVIb族元素を有する相変化記録材料を記録層と
する光情報記録媒体において、これらを構成する元素の
配位数を規定する記録媒体に対する知見はなく、したが
って各構成元素の記録材料としての機能や役割を明確に
した従来技術は、これまでに存在していない。このため
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層の繰り返し特性や記
録及び消去感度等の具体的な改良を、理論的に追求して
達成するということはなかったのである。
−１６６２６８号公報による場合も上記の場合と同様な
課題がある。すなわち、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系で又
はこれらを拡張したＩｂ族元素、IIIb族元素、Ｖb族元
素、及びVIb族元素を有する相変化記録材料を記録層と
する光情報記録媒体において、これらを構成する元素の
配位数を規定する記録媒体に対する知見はなく、したが
って各構成元素の記録材料としての機能や役割を明確に
した従来技術は、これまでに存在していない。このため
に、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ記録層の繰り返し特性や記
録及び消去感度等の具体的な改良を、理論的に追求して
達成するということはなかったのである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の問題を解消し、高密度かつ高速度で対応でき、繰
り返し特性、記録消去感度及び保存特性に優れた光情報
記録媒体を提供することをその課題とするものである。
従来の問題を解消し、高密度かつ高速度で対応でき、繰
り返し特性、記録消去感度及び保存特性に優れた光情報
記録媒体を提供することをその課題とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために、記録層に着目し、その構造解析につ
いて鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに到っ
た。
を解決するために、記録層に着目し、その構造解析につ
いて鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに到っ
た。
【００１１】すなわち、本発明によれば、第１に、光を
照射して記録層の複素屈折率を変化させることにより記
録する相変化型光情報記録媒体において、該記録層が、
Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰｄからなることを特徴と
する光情報記録媒体が提供される。
照射して記録層の複素屈折率を変化させることにより記
録する相変化型光情報記録媒体において、該記録層が、
Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰｄからなることを特徴と
する光情報記録媒体が提供される。
【００１２】この第１の発明には、該記録層を構成する
元素の組成比（原子％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７２ １８≦Ｆｅ≦３２ ０＜Ｐｄ≦７ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐｄ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
元素の組成比（原子％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７２ １８≦Ｆｅ≦３２ ０＜Ｐｄ≦７ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐｄ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
【００１３】本発明によれば、第２に、光を照射して記
録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相変
化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢｒからなることを特徴とする光情
報記録媒体が提供される。
録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相変
化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＢｒからなることを特徴とする光情
報記録媒体が提供される。
【００１４】この第２の発明には、該記録層を構成する
元素の組成比（原子％）が、 ２＜Ｇｅ≦７ ３≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｂｒ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｂｒ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
元素の組成比（原子％）が、 ２＜Ｇｅ≦７ ３≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｂｒ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｂｒ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
【００１５】本発明によれば、第３に、光を照射して記
録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相変
化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＲｂからなることを特徴とする光情
報記録媒体が提供される。
録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相変
化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＲｂからなることを特徴とする光情
報記録媒体が提供される。
【００１６】この第３の発明には、該記録層を構成する
元素の組成比（原子％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ １≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ １８≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｒｂ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｒｂ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
元素の組成比（原子％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ １≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ １８≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｒｂ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｒｂ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
【００１７】本発明によれば、第４に、光を照射して記
録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相変
化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰからなることを特徴とする光情報
記録媒体が提供される。
録層の複素屈折率を変化させることにより記録する相変
化型光情報記録媒体において、該記録層が、Ｇｅ、Ｇ
ａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰからなることを特徴とする光情報
記録媒体が提供される。
【００１８】この第４の発明には、該記録層を構成する
元素の組成比（原子％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３５ ０＜Ｐ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
元素の組成比（原子％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３５ ０＜Ｐ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐ＝１００であ
る。）である光情報記録媒体が含まれる。
【００１９】そして、この第１〜４の発明には、該記録
層が、Ｙ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ及びＥｒから選ばれ
た少なくとも１種の元素を含有するものである光情報記
録媒体が含まれ、その少なくとも１種の元素の含有量
が、２原子％以下である光情報記録媒体が含まれる。
層が、Ｙ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ及びＥｒから選ばれ
た少なくとも１種の元素を含有するものである光情報記
録媒体が含まれ、その少なくとも１種の元素の含有量
が、２原子％以下である光情報記録媒体が含まれる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の目的は、高密度で高速度
に対応でき、記録感度、繰り返し特性及び保存特性の良
好な光情報記録媒体を提供することにある。本発明者ら
は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂからなる記録層の各元素の非晶相
と結晶相の間の結合配位数及び結合距離や結合エネルギ
ー等を広域Ｘ線吸収微細構造により解析し、この結果、
Ａｇ、Ｉｎは添加元素として、Ａｇは結晶化速度を遅く
し、Ｉｎは結晶加速度を速く、又、結晶化温度を高くす
る実験結果を説明することが可能となった。Ｓｂ−Ｔｅ
合金にＧｅとＩｎと同族のＧａとＰｄを添加すると高速
速化に対応でき、しかも保存特性と繰り返し特性が良好
な光情報記録媒体を得ることができた。
に対応でき、記録感度、繰り返し特性及び保存特性の良
好な光情報記録媒体を提供することにある。本発明者ら
は、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂからなる記録層の各元素の非晶相
と結晶相の間の結合配位数及び結合距離や結合エネルギ
ー等を広域Ｘ線吸収微細構造により解析し、この結果、
Ａｇ、Ｉｎは添加元素として、Ａｇは結晶化速度を遅く
し、Ｉｎは結晶加速度を速く、又、結晶化温度を高くす
る実験結果を説明することが可能となった。Ｓｂ−Ｔｅ
合金にＧｅとＩｎと同族のＧａとＰｄを添加すると高速
速化に対応でき、しかも保存特性と繰り返し特性が良好
な光情報記録媒体を得ることができた。
【００２１】その理由は先ず、ＧｅはＴｅに対する結合
エネルギー、結合配位数が大きいために、Ｓｂ−Ｔｅに
対する安定性を向上させる効果を有する。また、Ｇａは
原子半径が大きく、Ｔｅに対する結合エネルギーも大き
いので、結晶化を促進し、構造の安定性に寄与する。一
方、Ｐｄはそれ自身の粘性が低いために、Ｓｂ−Ｔｅに
対し、結晶化を促進する効果があるものと考えられ、Ｓ
ｂ−Ｔｅ用相合金に対し、Ｇｅ、Ｇａ、Ｐｄを添加する
ことにより、各々の元素の効果が相乗されて、結晶化速
度の速い、すなわち、高線速に対応できてしかも構造的
に安定な、繰り返し特性と保存特性の良好な光情報記録
媒体が実現できるものと思われる。
エネルギー、結合配位数が大きいために、Ｓｂ−Ｔｅに
対する安定性を向上させる効果を有する。また、Ｇａは
原子半径が大きく、Ｔｅに対する結合エネルギーも大き
いので、結晶化を促進し、構造の安定性に寄与する。一
方、Ｐｄはそれ自身の粘性が低いために、Ｓｂ−Ｔｅに
対し、結晶化を促進する効果があるものと考えられ、Ｓ
ｂ−Ｔｅ用相合金に対し、Ｇｅ、Ｇａ、Ｐｄを添加する
ことにより、各々の元素の効果が相乗されて、結晶化速
度の速い、すなわち、高線速に対応できてしかも構造的
に安定な、繰り返し特性と保存特性の良好な光情報記録
媒体が実現できるものと思われる。
【００２２】このときの各元素の組成比（原子％）は、
下記のとおりとするのが好ましい。 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７２ １８≦Ｔｅ≦３２ ０＜Ｐｄ≦７ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐｄ＝１００であ
る。）この範囲を逸脱するときは、特性が劣化する。
下記のとおりとするのが好ましい。 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７２ １８≦Ｔｅ≦３２ ０＜Ｐｄ≦７ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐｄ＝１００であ
る。）この範囲を逸脱するときは、特性が劣化する。
【００２３】また、本発明の記録層は、Ｓｂ−Ｔｅ合金
にＧｅとＧａとＢｒを添加し、高速結晶化と構造の安定
性を保持する。
にＧｅとＧａとＢｒを添加し、高速結晶化と構造の安定
性を保持する。
【００２４】また、Ｐｄの代わりにＢｒを添加すること
により高速結晶化を実現してる。Ｂｒは自身の粘性が低
く、しかも７族のために一配位として結合し、ターミネ
ータとして働くため、結晶化がより促進される。
により高速結晶化を実現してる。Ｂｒは自身の粘性が低
く、しかも７族のために一配位として結合し、ターミネ
ータとして働くため、結晶化がより促進される。
【００２５】このときの各元素の組成比（原子％）は、
下記のとおりとするのが好ましい。 ２＜Ｇｅ≦７ ３≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｂｒ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｂｒ＝１００であ
る。）次に、本発明の記録層は、Ｓｂ−Ｔｅ合金にＧｅ
とＧａとＲｂを添加したもので、Ｇｅ、Ｇａの効果は上
記と同じであるかＲｂはきわめて原子半径が大きく、ま
た、粘性も小さいため、結晶化速度がきわめて大きいも
のと考えられ、高線速化を実現する材料に適したものと
考えられる。
下記のとおりとするのが好ましい。 ２＜Ｇｅ≦７ ３≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｂｒ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｂｒ＝１００であ
る。）次に、本発明の記録層は、Ｓｂ−Ｔｅ合金にＧｅ
とＧａとＲｂを添加したもので、Ｇｅ、Ｇａの効果は上
記と同じであるかＲｂはきわめて原子半径が大きく、ま
た、粘性も小さいため、結晶化速度がきわめて大きいも
のと考えられ、高線速化を実現する材料に適したものと
考えられる。
【００２６】このときの各元素の組成比（原子％）は、
下記のとおりとするのが好ましい。 ０＜Ｇｅ≦７ １≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ １８≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｒｂ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｒｂ＝１００であ
る。）
下記のとおりとするのが好ましい。 ０＜Ｇｅ≦７ １≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ １８≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｒｂ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｒｂ＝１００であ
る。）
【００２７】また、本発明の記録層は、Ｓｂ−Ｔｅ合金
にＧｅとＧａとＰを加えたものである。Ｐもきわめて粘
度が小さいために結晶化を促進させると考えられる。こ
のときの組成比（原子％）は、下記のとおりとするのが
好ましい。 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３５ ０＜Ｐ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐ＝１００であ
る。）
にＧｅとＧａとＰを加えたものである。Ｐもきわめて粘
度が小さいために結晶化を促進させると考えられる。こ
のときの組成比（原子％）は、下記のとおりとするのが
好ましい。 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３５ ０＜Ｐ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐ＝１００であ
る。）
【００２８】さらに、本発明の記録層は、上記の記録層
に、Ｙ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ及びＢｒの中から得ら
れた少なくとも一種の元素を添加している。これらの元
素は、大きな原子半径を有するために結晶化速度を促進
させると考えられ、上記のＰｄ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｐに加え
てさらなる高線速化に対応できるものと思われる。
に、Ｙ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ及びＢｒの中から得ら
れた少なくとも一種の元素を添加している。これらの元
素は、大きな原子半径を有するために結晶化速度を促進
させると考えられ、上記のＰｄ、Ｂｒ、Ｒｂ、Ｐに加え
てさらなる高線速化に対応できるものと思われる。
【００２９】このときのＹ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ、
Ｅｒの添加量は、２原子％以下である。これより多い
と、Ｇｅ等を添加しても非晶質の安定性が失われてしま
うので好ましくない。
Ｅｒの添加量は、２原子％以下である。これより多い
と、Ｇｅ等を添加しても非晶質の安定性が失われてしま
うので好ましくない。
【００３０】次に、本発明の光情報記録媒体の構成を図
面に基づいて説明する。図１は、本発明の光情報記録媒
体の構成例を示すもので、基板１上に、下部耐熱保護層
２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設け
られている。耐熱保護層は必ずしも記録層の両側に設け
る必要はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のよう
に耐熱性が低い材料の場合には、下部耐熱層２を設ける
ことが望ましい。
面に基づいて説明する。図１は、本発明の光情報記録媒
体の構成例を示すもので、基板１上に、下部耐熱保護層
２、記録層３、上部耐熱保護層４、反射放熱層５が設け
られている。耐熱保護層は必ずしも記録層の両側に設け
る必要はないが、基板１がポリカーボネート樹脂のよう
に耐熱性が低い材料の場合には、下部耐熱層２を設ける
ことが望ましい。
【００３１】基板１の材料は、通常、ガラス、セラミッ
クス又は樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリ
ロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹
脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工
性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好まし
い。また、基板の形状は、ディスク状、カード状、シー
ト状のいずれであってもよい。
クス又は樹脂であり、樹脂基板が成形性、コストの点で
好適である。樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ア
クリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリ
ロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹
脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂等が挙げられるが、加工
性、光学特性等の点からポリカーボネート樹脂が好まし
い。また、基板の形状は、ディスク状、カード状、シー
ト状のいずれであってもよい。
【００３２】耐熱保護層、すなわち誘電体層は、（Ｚｎ
Ｓ)80・（ＳｉＯ2)20を用いてスパッタ法により膜形成
を行なう。本誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光
干渉層としての機能も有することから、これらの機能を
最大限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚
を２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Å
とする。２００Å未満の場合は、耐熱保護層としての機
能が失われ、また、３０００Åを越えると、界面剥離が
生じやすくなるので望ましくない。
Ｓ)80・（ＳｉＯ2)20を用いてスパッタ法により膜形成
を行なう。本誘電体層は、耐熱保護層としての機能と光
干渉層としての機能も有することから、これらの機能を
最大限に活かすことが必要であり、そのためには、膜厚
を２００〜３０００Å、好ましくは３５０〜２０００Å
とする。２００Å未満の場合は、耐熱保護層としての機
能が失われ、また、３０００Åを越えると、界面剥離が
生じやすくなるので望ましくない。
【００３３】また、本発明の記録層３は、一般的にはス
パッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は１００Å
〜１０００Å、好ましくは２００Å〜３５０Åである。
１００Åより薄いと、光吸収能が低下し記録層としての
機能を失い、１０００Åより厚いと、透過光が少なくな
るため干渉効果を期待できなくなるので望ましくないの
で望ましくない。反射放熱層５は、Ａｌ合金が用いら
れ、膜形成はスパッタ法により行なう。膜厚は５００Å
〜２０００Å、好ましくは７００Å〜１５００Åであ
る。
パッタ法により膜形成が行なわれ、その膜厚は１００Å
〜１０００Å、好ましくは２００Å〜３５０Åである。
１００Åより薄いと、光吸収能が低下し記録層としての
機能を失い、１０００Åより厚いと、透過光が少なくな
るため干渉効果を期待できなくなるので望ましくないの
で望ましくない。反射放熱層５は、Ａｌ合金が用いら
れ、膜形成はスパッタ法により行なう。膜厚は５００Å
〜２０００Å、好ましくは７００Å〜１５００Åであ
る。
【００３４】
【実施例】以下、実施例を挙げて本発明をさらに具体的
に説明するが、これら実施例によって本発明は何ら限定
されるものではない。
に説明するが、これら実施例によって本発明は何ら限定
されるものではない。
【００３５】実施例１〜８及び比較例１〜４ トラックピッチ０．７μｍ、溝深さ４００Å、厚さ０．
６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上に、
表１に示す構成の実施例１〜８及び比較例１〜４の記録
層を、ＺｎＳ、ＳｉＯ2誘電体層をスパッタ法により１
０００Å設けた後に２００Å設け、さらにＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2誘電体とＡｌ合金層を順次スパッタ法により設け
た。このときの膜厚は、３５０Åと１２００Åである。
次に、得られた光情報記録媒体を初期結晶化した後に、
その信号特性と保存特性を評価した。その条件として
は、波長６３５ｎｍの光源を用い、記録線速を１０ｍ／
ｓ、１２ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓ、１６ｍ／ｓとし、ＦＦＭ
ランダムパターンでオーバライトの繰り返し記録を行な
い、そのときの３Ｔ信号のジッタを記録パワー１５ｍｗ
で評価した。また、保存特性は、８０℃、８５％で保存
し２００時間後の特性を評価した。結果を表２、３に示
す。
６ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート基板上に、
表１に示す構成の実施例１〜８及び比較例１〜４の記録
層を、ＺｎＳ、ＳｉＯ2誘電体層をスパッタ法により１
０００Å設けた後に２００Å設け、さらにＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2誘電体とＡｌ合金層を順次スパッタ法により設け
た。このときの膜厚は、３５０Åと１２００Åである。
次に、得られた光情報記録媒体を初期結晶化した後に、
その信号特性と保存特性を評価した。その条件として
は、波長６３５ｎｍの光源を用い、記録線速を１０ｍ／
ｓ、１２ｍ／ｓ、１４ｍ／ｓ、１６ｍ／ｓとし、ＦＦＭ
ランダムパターンでオーバライトの繰り返し記録を行な
い、そのときの３Ｔ信号のジッタを記録パワー１５ｍｗ
で評価した。また、保存特性は、８０℃、８５％で保存
し２００時間後の特性を評価した。結果を表２、３に示
す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】
【表３】
【００３９】表１、２、３から、本発明の記録層のＧｅ
−Ｇａ−Ｐｄ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇａ−Ｂｒ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇａ−Ｒｂ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇａ−Ｐ
−Ｓｂ−Ｔｅ、及びこれらの材料の中のＧｅ−Ｇａ−Ｐ
ｄ−Ｓｂ−ＴｅにＹ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｎｄを添加した記録
層で得られた光情報記録媒体は、高線速において繰り返
し特性や保存特性に良好な特性を示すことが分った。ま
た、実施例では触れていないが、Ｙ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｎｄ
等の添加は、Ｇｅ−Ｇａ−Ｐｄ−Ｓｂ−Ｔｅ以外の記録
層にも効果があることが分った。さらに、Ｇｅの代わり
にＳｉ、Ｇａの代わりにＡｌ−Ｉｎを用いた場合にも同
様な結果が得られた。
−Ｇａ−Ｐｄ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇａ−Ｂｒ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇａ−Ｒｂ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｇａ−Ｐ
−Ｓｂ−Ｔｅ、及びこれらの材料の中のＧｅ−Ｇａ−Ｐ
ｄ−Ｓｂ−ＴｅにＹ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｎｄを添加した記録
層で得られた光情報記録媒体は、高線速において繰り返
し特性や保存特性に良好な特性を示すことが分った。ま
た、実施例では触れていないが、Ｙ、Ｂａ、Ｃｅ、Ｎｄ
等の添加は、Ｇｅ−Ｇａ−Ｐｄ−Ｓｂ−Ｔｅ以外の記録
層にも効果があることが分った。さらに、Ｇｅの代わり
にＳｉ、Ｇａの代わりにＡｌ−Ｉｎを用いた場合にも同
様な結果が得られた。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、高密度かつ高速度で対
応でき、繰り返し特性、記録消去感度及び保存特性に優
れた光情報記録媒体が提供され、光情報記録分野に寄与
するところはきわめて大きいものである。
応でき、繰り返し特性、記録消去感度及び保存特性に優
れた光情報記録媒体が提供され、光情報記録分野に寄与
するところはきわめて大きいものである。
【図１】本発明の光情報記録媒体を示す断面図である。
１ 基板 ２ 下部耐熱保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
フロントページの続き (72)発明者 譲原 肇 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 小名木 伸晃 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 三浦 裕司 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 FB05 FB09 FB12 FB17 FB18 FB20 FB21 FB22 FB26 FB28 FB30 5D029 JA01 JB35 JC17 JC18 JC20
Claims (10)
- 【請求項１】 光を照射して記録層の複素屈折率を変化
させることにより記録する相変化型光情報記録媒体にお
いて、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰｄか
らなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項２】 該記録層を構成する元素の組成比（原子
％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７２ １８≦Ｆｅ≦３２ ０＜Ｐｄ≦７ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐｄ＝１００であ
る。）であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項３】 光を照射することにより記録層の複素屈
折率を変化させて記録する相変化型光情報記録媒体にお
いて、その記録層がＧｅと、Ｇａと、Ｓｂと、ＴｅとＢ
ｒからなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項４】 該記録層を構成する元素の組成比（原子
％）が、 ２＜Ｇｅ≦７ ３≦Ｇａ≦８ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｂｒ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｂｒ＝１００であ
る。）であることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項５】 光を照射して記録層の複素屈折率を変化
させることにより記録する相変化型光情報記録媒体にお
いて、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＲｂか
らなることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項６】 該記録層を構成する元素の組成比（原子
％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ １≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ １８≦Ｔｅ≦３３ ０＜Ｒｂ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｒｂ＝１００であ
る。）である請求項５に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】 光を照射して記録層の複素屈折率を変化
させることにより記録する相変化型光情報記録媒体にお
いて、該記録層が、Ｇｅ、Ｇａ、Ｓｂ、Ｔｅ及びＰから
なることを特徴とする光情報記録媒体。 - 【請求項８】 該記録層を構成する元素の組成比（原子
％）が、 ０＜Ｇｅ≦５ ２≦Ｇａ≦７ ５５≦Ｓｂ≦７５ ２０≦Ｔｅ≦３５ ０＜Ｐ≦５ （ただし、Ｇｅ＋Ｇａ＋Ｓｂ＋Ｔｅ＋Ｐ＝１００であ
る。）である請求項７に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項９】 該記録層が、Ｙ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃ
ｅ及びＥｒから選ばれた少なくとも１種の元素を含有す
るものである請求項１〜８のいずれかに記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項１０】 該Ｙ、Ｂａ、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｃｅ及びＥ
ｒから選ばれた少なくとも１種の元素の含有量が２原子
％以下である請求項９に記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100118A JP2002293029A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001100118A JP2002293029A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002293029A true JP2002293029A (ja) | 2002-10-09 |
Family
ID=18953588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001100118A Pending JP2002293029A (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002293029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085167A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001100118A patent/JP2002293029A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004085167A1 (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 情報記録媒体およびその製造方法 |
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