JP2003218509A - 加圧装置 - Google Patents

加圧装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 近接した複数のICを最適な姿勢で一括加圧
し、実装可能にすることを目的とする。 【解決手段】 IC加圧部材と、加圧力受け部材及び中
間部材の凹部間に円柱状部材を挟み90度ずらして組み
合わせ、平行度平行度調整を行った後、IC加圧接合す
ることを特徴とする。また、組み合わせた加圧短冊を複
数近接させた機構を有することを特徴とする加圧装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路基板上へ搭載
される電気回路部品の実装方法に関するものであり、電
気回路部品の搭載状態に応じて加圧する際に適用され、
特に狭ピッチで並ぶ複数ICを一括で加熱圧着接合する
実装に好適に使用される。
【0002】
【従来の技術】近年、回路基板に搭載される電気実装部
品等の電気回路装置は電気信号の高速化と共に高密度集
積と小型化が進み、信号配線の微細化(ファインピッ
チ)と多ピン化が著しくなってきている。
【0003】それに伴い、回路基板上での電気回路部品
の実装方法も搭載位置精度と共にファインピッチ及び多
ピン化に対応した接続信頼性を得ることがますます厳し
くなっている。
【0004】現在、微細パターン用セラミック基板やシ
リコン基板、また液晶用ガラス基板など回路基板上への
ベアチップICやセラミックコンデンサなど電気回路部
品の実装方法としては、ベアチップICは、ワイヤーボ
ンディング法やはんだバンプ、スタッドバンプ法、異方
性導電膜(ACF:Anisotropic Cond
uctive Film)、異方性導電ペースト(あC
P:Anisotropic conductive
Paste)、非導電性膜(NCF:Noncondu
ctive Film)、非導電性ペースト(NCP:
Non conductive Paste)等を併用
してCOB(Chip On Borad)装置での実
装を行っている。IC搭載用COB装置において、IC
間が広いワークに対応したタイプで半田バンプを溶融し
IC接合する装置がある。
【0005】従来装置の半田バンプを溶融し接合するタ
イプは、半田バンプ自身にセルフアライメント機構があ
るため、基板とICの平行度の許容範囲が広い。
【0006】主なCOB装置は上下ツールでICと基板
を挟み加熱加圧圧着を行うが、上下ツールの加熱圧着箇
所が1ヶ所固定タイプと上下ツールどちらか一方(たと
えば上ツール)が固定でもう一方(基板搭載側ステー
ジ)が移動する複数箇所移動タイプがある。セラミック
コンデンサ等の表面実装型電気回路部品もリフロー方式
からファインピッチ対応として、たとえば特開2000
−68633号公報に記載されているようにACFによ
る実装が行われつつある。この公報では、高さバラツキ
による圧力不均一を低減するため弾性シートを介在させ
る方法が提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
実装方法には以下のような問題点があった。
【0008】COB装置の場合、図1に示すような圧着
位置が1ヶ所固定タイプと、図2に示すような例えば基
板5のステージ側が移動する複数箇所移動タイプがあ
る。どちらの場合もバンプ4及びIC3を矢印8で示す
方向に均一に加圧するために設けられた、上下ツール
1,2の平行度を調整する機構(図1及び図2の矢印
6,7で示す方向に移動する)が少なくとも上下どちら
か一方に付いている。図3は、圧着位置が1ヶ所固定タ
イプの場合で、下ツール2の圧着面の傾きに対応して、
上ツール1の平行度調整を行った後、IC3の圧着をし
ている状態を示している。
【0009】しかしながら、この平行度調整機構は上下
ツール圧着面同士の平行度を調整するためのものであ
り、各IC及び各基板それぞれに対応しての調整機構は
持っていない。
【0010】従って第1の問題点は、図4に示すよう
に、個々の基板5の厚み及びバンプ4の高さバラツキ
や、IC3の厚み及びバンプ4の高さバラツキに応じた
加圧面の調整機構が無いため、片当たりや加圧力の不均
一が生じることであり、それに伴う接続抵抗値の不均一
や耐久試験時など接続信頼性の不安定が生じることであ
る。
【0011】また、例えば下ツール(基板ステージ側)
が複数箇所移動タイプで上ツールに平行度調整機構を持
つ場合は、下ツールのそれぞれの圧着位置に対応して、
上ツールをあらかじめ入力した調整位置に平行度修正移
動を行うが、この方式でも1ヶ所固定タイプと同様の問
題点の他、ステージの繰り返し位置精度のバラツキや繰
り返し使用による位置ズレなどに起因する平行度修正位
置の誤差が生じていた。
【0012】第2の問題点は、接続ICが狭ピッチで並
んでいる場合、加熱加圧用の上ツールの大きさ形状から
多数のICを一括接続できない点である。
【0013】第3の問題点は、図5に示すようにCOB
装置で一つの回路基板5上に複数個の電気回路部品3を
実装したとき、回路基板の長手方向の反りを生じてしま
う点である。これは厚さ625μm、長さ100mm、
幅7mmほどのシリコン基板上に厚さ175μm、長さ
10mm、幅2.5mmの薄型ベアチップICを8〜9
ヶ実装したときに顕著であり、40〜50μm反ること
が確認されている。
【0014】第4の問題点は、図6に示すように特開2
000−68633号公報に記載されている弾性シート
9を介してIC3を加圧する方法によると、加圧する方
向に対してIC裏面が傾いていた場合、圧縮されるゴム
9が不均一に加圧されるため、不均一な圧力分布が生
じ、ICバンプの潰れ量および接続状態が不均一になっ
てしまうことである。
【0015】また、図7に示すように、弾性シート9が
IC裏面を等分布荷重で加圧するため、IC上のバンプ
配列でバンプの存在しないところが特に凹んでしまい、
IC反りを生じてしまう点である。このIC反りの現象
は薄型ICで特に顕著である。
【0016】反った状態で接合実装されると、その後の
熱が加わる工程や信頼性テストを経たときに、ACF樹
脂が変質や軟化すると同時に、反ったICが戻ろうとす
る。
【0017】すると、図8に示すように、加圧接合時に
大きく潰れたバンプ部4aが基板5から離れ、接合不良
になる問題点が生じる。
【0018】さらに、弾性シートの方法では、近接した
ICごとに高さの違いを吸収し、ならうことが困難とな
る。高さの違いがある場合、高い方のICに弾性シート
がならい、低い方のICに弾性シートが当たらず、なら
わないか荷重がかからないという問題が生じる。
【0019】本発明は、上記の問題点を解決した加圧装
置を以下の構成により提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決し、
目的を達成するために、本発明に関わる加圧方法は、I
Cと回路基板を位置合わせ加圧接合する加圧装置につい
てであり、凹部を有するIC加圧部材と、同じく凹部を
有する加圧力受け部材のそれぞれ該凹部間に円柱状部材
を挟み、該IC加圧部材と該加圧力受け部材をねじ等の
突出量で該各部材間の平行度を調整し、同様にねじ等の
固定部材で姿勢を固定することを特徴とする加圧装置。
【0021】また、本発明に関わる電気回路部品の加圧
方法は、加圧装置の円柱状部材位置を90度回転させ組
み合わせたことを特徴とする加圧装置。
【0022】また、組み合わせた該加圧装置を複数近接
させた機構を有することを特徴とする加圧装置。
【0023】
【発明の実施の形態】(実施形態1)以下、図面に沿っ
て、本発明の実施形態について説明する。
【0024】図9は、ICと回路基板を平行に加圧する
ための平行度調整機構部の主な部材のみを示した模式斜
視図である。
【0025】IC加圧部材11と中間部材12、上方か
らの加圧力受け部材13には、円柱状部材14a、14
bを受ける凹部V溝15が形成されている。
【0026】V溝の両端は、円柱状部材が位置ズレしな
いようにV溝を形成しなくとも良い。
【0027】V溝に円柱状部材がはまることによって、
回転方向が一方向に規制される。
【0028】V溝と円柱状部材の組み合わせが90度ず
れて組み合わせられていることによって、回転方向がα
とβそれぞれ独立して回転可能となる。
【0029】この構造がICと回路基板の平行度α軸β
軸調整を行うための基本的な形である。
【0030】図10は、図9に調整用ピンと固定用ネジ
を追加した平行度調整機構部の模式斜視図である。
【0031】ここで、α軸は上側の円柱状部材が回転す
る軸とし、β軸は下側の円柱状部材が回転する軸とす
る。
【0032】また、図10の矢印32側の辺を下側に表
した平面図が図11である。
【0033】図11でのA−A’断面図を図12に、B
−B’断面図を図13に、C−C’断面図を図14に、
D−D’断面図を図15に示す。
【0034】図12、図13は、β軸、すなわち下側の
円柱状部材を回転及び固定させる構造を示す。
【0035】また、図14、図15は、α軸、すなわち
上側の円柱状部材を回転及び固定させる構造を示す。
【0036】平行度調整方法について、まずα軸につい
て説明をする。加圧力受け部材13と中間部材12の平
行度をα軸調整用押しピン16で調整する。α軸調整用
押しピン16は、M1の細目イモネジを使用し、調整は
調整用ネジ孔17から行う。
【0037】その姿勢は、α軸固定用ネジ18で固定用
ネジ孔19から固定する。α軸固定用ネジ18もM1の
細目イモネジを使用する。
【0038】次にβ軸も同様に平行度調整を行う。β軸
調整用押しピン20とβ軸固定用ネジ22を用いて、調
整用ネジ孔19と固定用ネジ孔23からそれぞれ調整及
び固定を行う。
【0039】図16は、図10の平行度調整機構部24
が組み込まれた加圧装置の模式図である。ベース26上
の回路基板5はACF10が貼り付けられその上に位置
合わせ搭載されたIC3が加圧されている。
【0040】先端に平行度調整機構部24が組み込まれ
た加圧短冊25は、加圧短冊上下動ガイド28に無給油
ベアリング29を介してはめ込まれている。加圧短冊支
持バネ27で加圧前は宙に浮いている。加圧短冊25
は、上方から加圧除圧力30を受けると短冊可動方向3
1の方向に上下動する。また、加圧短冊25の上面には
平行度調整機構部24の各調整用、固定用ネジを調整す
るための貫通穴がそれぞれの穴に対応して開いている。
【0041】ここで、平行度調整作業を行う。
【0042】回路基板5上にACF10を貼り付けずに
又は、一部に貼り付けた状態でICを位置合わせ搭載す
る。その後、図11に示す加圧装置にセットし所望圧力
で加圧する。
【0043】加圧後の回路基板5を取り外し、IC5を
剥がした後、バンプの圧痕を観察し、均一にバンプが潰
れるようにα軸とβ軸を調整する。
【0044】IC3のすべてのバンプが均一に加圧され
る状態に調整が行われた後、再度、回路基板5上のバン
プ接合部にACF10を貼り付ける。そしてIC3を位
置あわせ搭載後、加圧装置に設置し、所望の圧力で加圧
しその状態で固定する。
【0045】その後、回路基板5とIC3間のACF1
0を加熱硬化するために、上記加圧状態の一括加圧装置
をクリーンオーブン内に投入し加熱硬化した。
【0046】室温状態のクリーンオーブンに一括加熱装
置を入れ、室温から170度まで加熱し、回路基板及び
IC、一括加熱装置温度がほぼ170度に達した時点で
電源OFFし、自然冷却した。
【0047】室温に戻ったところで、一括加熱装置を取
り出し、加圧を解除した。
【0048】IC3の接続抵抗値を確認した結果、9ヶ
のICすべての接続チェック部が60mΩの良好な抵抗
値を示した。
【0049】(実施形態2)以下に、本発明の第2実施
形態を説明する。
【0050】本実施形態では、接続するICが隣接し、
なおかつ2列の形態をとっている。
【0051】図17は、平行度調整機構部24が組み込
まれた加圧短冊が隣接した状態で組み合わさった構造の
模式側面図である。
【0052】図18は、図17の組み合わさった構造が
5列並んだ状態を示す模式平面図である。
【0053】図19は、図17の組み合わさった構造
を、加圧短冊のみを図示し、組み合わせ方を表した模式
斜視図である。
【0054】加圧短冊a33と加圧短冊b34は、ぞれ
ぞれ平行度調整機構部24を持ち、隣接した構造で並べ
なければならないため、それぞれが絡み合った構造とな
った。
【0055】加圧力を受ける部分は、平面部35で2つ
の対の短冊はそれぞれが同じ面積で同じ荷重を受けられ
る。
【0056】加圧装置の基本的な構造は、実施形態1に
示す構造と同様である。
【0057】平行度調整用及び固定用ネジの貫通穴36
は、それぞれの短冊部上部から形成されている。
【0058】この構造によって、IC1ヶずつが、独立
の運動を行うことが可能となり、それぞれの高さバラツ
キを吸収した加圧が可能となった。
【0059】平行度調整機構部24を0.77mmおき
に8ヶ並べ、それを2列配置した一括接合装置を用い
た。
【0060】まず、低加圧低温ACFなしでバンプ圧痕
を確認し、ねじの押し引きにより平行度調整を行った。
【0061】次にIC形状2.64mm×10.11m
m×0.175mmをIC間距離0.77mmおきに8
ヶ並べ、その列を2列同時に加圧加熱圧着し実装した。
【0062】その結果良好な接続抵抗値が得られ、16
ヶの一括接合が可能となった。
【0063】本実施形態では、回路基板5は、厚み62
5μmのシリコン基板を使用し、IC3は厚さ175μ
mの薄型で長さ10.11mm、幅2.5mm、バンプ
数446ヶのIC9ヶを用いた。IC間のギャップは
0.77mmの狭ピッチである。
【0064】加圧短冊33、34には、無給油ベアリン
グ29が内蔵されており、加圧短冊上下動ガイド28に
ならい上下動することができる。IC3を加圧していな
いときは、IC3に接触しないように加圧短冊支持バネ
27によって支えている。
【0065】加圧時には、圧縮空気等で加圧し、加圧短
冊33、34を加圧下降させる。
【0066】その後、回路基板5とIC3間のACF1
0を加熱硬化するために、上記加圧状態の一括加圧装置
をクリーンオーブン内で加熱硬化した。
【0067】室温状態のクリーンオーブンに一括加熱装
置を入れ、室温から170度まで加熱し、回路基板及び
IC、一括加熱装置温度がほぼ170度に達した時点で
電源OFFし、自然冷却した。
【0068】室温に戻ったところで、一括加熱装置を取
り出し、加圧を解除した。
【0069】IC3の接続抵抗値を確認した結果、9ヶ
のICすべての接続チェック部が60mΩの良好な抵抗
値を示した。
【0070】また、回路基板5の長手方向反り量は10
μm以下と従来方法による50μmに比較して低減し、
大きな改善が確認できた。
【0071】本実施形態では、ACFを用いたがAC
P、NCF、NCPを用いても良い。
【0072】以上の実施形態より、シリコン基板上にI
Cを狭ピッチで基板の反りを抑えて実装可能となった。
【0073】ACFの加熱硬化は、実施形態1と同様に
行う。
【0074】本実施形態では、オーブンでの加熱硬化を
行ったが、加圧部とステージ部にヒーターを内蔵して、
加熱してもよい。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
シリコン基板上にACFを用いてICを狭ピッチ実装す
る際に、各ICを回路基板に平行に加圧し、加熱硬化す
ることによって、信頼性の高い接続と、基板の反りを抑
えた実装が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】COB装置による、IC実装の従来例。
【図2】COB装置による、IC実装の従来例。
【図3】COB装置による、IC実装の従来例。
【図4】COB装置による、IC実装の従来例。
【図5】COB装置による、IC実装の従来例。
【図6】COB装置による、IC実装の従来例。
【図7】COB装置による、IC実装の従来例。
【図8】COB装置による、IC実装の従来例。
【図9】ICと回路基板を平行に加圧するための平行度
調整機構部の主な部材のみを示した模式斜視図。
【図10】図9に調整用ピンと固定用ネジを追加した平
行度調整機構部の模式斜視図。
【図11】図10の矢印32側の辺を下側に表した平面
図。
【図12】図11でのA−A’断面図。
【図13】図11でのB−B’断面図。
【図14】図11でのC−C’断面図。
【図15】図11でのD−D’断面図。
【図16】本発明の第1実施形態を示す。
【図17】本発明の第2実施形態を示す
【図18】図17の組み合わさった構造が5列並んだ状
態を示す模式平面図。
【図19】図17の組み合わさった構造を、加圧短冊の
みを図示し、組み合わせ方を表した模式斜視図。
【符号の説明】
1 上ツール 2 下ツール 3 IC 4 はんだバンプ 5 回路基板 8 加圧方向 9 弾性シート 10 異方性導電膜 11 IC加圧部材 12 中間部材 13 加圧力受け部材 14a 円柱状部材(α軸) 14b 円柱状部材(β軸) 15 円柱状部材受け用V溝 16 α軸調整用押しピン 17 α軸調整用押しピン調整ネジ穴 18 α軸固定用ネジ 19 α軸固定用ネジ調整用ネジ穴 20 β軸調整用押しピン 21 β軸調整用押しピン調整ネジ穴 22 β軸固定用ネジ 23 β軸固定用ネジ調整用ネジ穴 24 平行度調整機構部 25 加圧短冊 26 ベース 27 加圧短冊指示バネ 28 加圧短冊上下動ガイド 29 無給油ベアリング 30 加圧除圧力 31 加圧短冊可動方向 32 透視図方向 33 加圧短冊a 34 加圧短冊b 35 加圧面 36 調整固定用貫通穴

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ICと回路基板を位置合わせ加圧接合す
    る加圧装置において、凹部を有するIC加圧部材と、同
    じく凹部を有する加圧力受け部材のそれぞれ該凹部間に
    円柱状部材を挟み、該IC加圧部材と該加圧力受け部材
    をねじ等の突出量で該各部材間の平行度を調整し、同様
    にねじ等の固定部材で姿勢を固定することを特徴とする
    加圧装置。
  2. 【請求項2】 該加圧装置の円柱状部材位置を90度回
    転させ組み合わせたことを特徴とする請求項1記載の加
    圧装置。
  3. 【請求項3】 組み合わせた該加圧装置を複数近接させ
    た機構を有することを特徴とする請求項第2記載の加圧
    装置。
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