JP2003218465A - ストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製造方法 - Google Patents
ストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003218465A JP2003218465A JP2002013021A JP2002013021A JP2003218465A JP 2003218465 A JP2003218465 A JP 2003218465A JP 2002013021 A JP2002013021 A JP 2002013021A JP 2002013021 A JP2002013021 A JP 2002013021A JP 2003218465 A JP2003218465 A JP 2003218465A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- etching
- waveguide structure
- semiconductor laser
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2081—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques
- H01S5/209—Methods of obtaining the confinement using special etching techniques special etch stop layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/3211—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities
- H01S5/3215—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures characterised by special cladding layers, e.g. details on band-discontinuities graded composition cladding layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 チャンネルの側面に凹凸が生じるのを阻止で
きるストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 第２上クラッド層２下にはエッチングス
トップ層１を形成している。このエッチングストップ層
１は、ＧａＡｓ層１ａと、このＧａＡｓ層１ａ下に形成
されたＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１ｂと、このＡｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓ層１ｂ下に形成されたＧａＡｓ層１ｃとからな
っている。これにより、ＧａＡｓ層３と第２上クラッド
層２とで形成するチャンネルの側面の凹凸をコントロー
ルすることができる。
きるストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 第２上クラッド層２下にはエッチングス
トップ層１を形成している。このエッチングストップ層
１は、ＧａＡｓ層１ａと、このＧａＡｓ層１ａ下に形成
されたＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１ｂと、このＡｌ0.5Ｇａ
0.5Ａｓ層１ｂ下に形成されたＧａＡｓ層１ｃとからな
っている。これにより、ＧａＡｓ層３と第２上クラッド
層２とで形成するチャンネルの側面の凹凸をコントロー
ルすることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、光ファイ
バ通信、光計測システム及び光ディスクなどの光情報処
理に必要とされるストライプ導波構造型半導体レーザ素
子及びその製造方法に関するものであり、特に半導体レ
ーザ素子のチャンネル構造の製造方法に関する。
バ通信、光計測システム及び光ディスクなどの光情報処
理に必要とされるストライプ導波構造型半導体レーザ素
子及びその製造方法に関するものであり、特に半導体レ
ーザ素子のチャンネル構造の製造方法に関する。
【０００２】本明細書において、チャンネルとは電流が
流れる経路を意味する。
流れる経路を意味する。
【０００３】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来よ
り、半導体レーザとしては、電流狭窄と光閉じ込めとの
ための構造を基板上に有するものがある。上記構造の１
つにリッジ構造があり、このリッジ構造をウェットエッ
チング法で形成する方法がある。
り、半導体レーザとしては、電流狭窄と光閉じ込めとの
ための構造を基板上に有するものがある。上記構造の１
つにリッジ構造があり、このリッジ構造をウェットエッ
チング法で形成する方法がある。
【０００４】以下、上記ウェットエッチングの一例につ
いて説明する。
いて説明する。
【０００５】まず、図３（ａ）に示すように、レジスト
マスク３４を用いて、例えばＧａＡｓ層３３，ＧａＡｌ
Ａｓ層３２をエッチングする。その後、上記ＧａＡｌＡ
ｓ層３２を選択エッチングして、図３（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓ層３３下にＧａＡｌＡｓ層１３２を形成す
る。このとき、上記ＧａＡｌＡｓ層１３２下のＧａＡｓ
エッチングストップ層３１により、エッチング深さが精
密にコントロールされる。
マスク３４を用いて、例えばＧａＡｓ層３３，ＧａＡｌ
Ａｓ層３２をエッチングする。その後、上記ＧａＡｌＡ
ｓ層３２を選択エッチングして、図３（ｂ）に示すよう
に、ＧａＡｓ層３３下にＧａＡｌＡｓ層１３２を形成す
る。このとき、上記ＧａＡｌＡｓ層１３２下のＧａＡｓ
エッチングストップ層３１により、エッチング深さが精
密にコントロールされる。
【０００６】しかし、上記ウェットエッチング法では等
方エッチング性のため、エッチング側面が凹凸になるこ
とが避けられない。つまり、上記ＧａＡｓ層３３，Ｇａ
ＡｌＡｓ層１３２からなるチャンネルの側面が凸凹にな
る。その結果、上記チャンネルの両側に電流ブロック層
となる層を再成長すると、チャンネルの側面の凹部が穴
として残ったり、結晶性が著しく悪くなるという問題が
ある。
方エッチング性のため、エッチング側面が凹凸になるこ
とが避けられない。つまり、上記ＧａＡｓ層３３，Ｇａ
ＡｌＡｓ層１３２からなるチャンネルの側面が凸凹にな
る。その結果、上記チャンネルの両側に電流ブロック層
となる層を再成長すると、チャンネルの側面の凹部が穴
として残ったり、結晶性が著しく悪くなるという問題が
ある。
【０００７】半導体レーザの結晶内部に穴部として空洞
部分があると、その後のプロセスが制限されたり、複雑
なプロセスとなる。
部分があると、その後のプロセスが制限されたり、複雑
なプロセスとなる。
【０００８】また、半導体レーザの結晶性が悪くなると
レーザ寿命に悪影響を与えたり、諸特性がばらつきを持
ち、生産の歩留や品質に悪影響を及ぼす。
レーザ寿命に悪影響を与えたり、諸特性がばらつきを持
ち、生産の歩留や品質に悪影響を及ぼす。
【０００９】そこで、本発明の課題は、チャンネルの側
面に凹凸が生じるのを阻止できるストライプ導波構造型
半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
面に凹凸が生じるのを阻止できるストライプ導波構造型
半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明のストライプ導波構造型半導体レーザ素子
は、下クラッド層上に、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ（０≦ｘ≦
０．５）活性層、第１上クラッド層、エッチングストッ
プ層、ストライプ状の第２上クラッド層及び保護層が順
次積層されているストライプ導波構造型半導体レーザ素
子において、上記第２上クラッド層は、上下で組成が異
なり、上記エッチングストップ層は、異なる３層からな
っていることを特徴としている。
め、本発明のストライプ導波構造型半導体レーザ素子
は、下クラッド層上に、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ（０≦ｘ≦
０．５）活性層、第１上クラッド層、エッチングストッ
プ層、ストライプ状の第２上クラッド層及び保護層が順
次積層されているストライプ導波構造型半導体レーザ素
子において、上記第２上クラッド層は、上下で組成が異
なり、上記エッチングストップ層は、異なる３層からな
っていることを特徴としている。
【００１１】上記構成のストライプ導波構造型半導体レ
ーザ素子によれば、上記保護層を例えばＧａＡｓ層で形
成し、上記第２上クラッド層を例えばＡｌＧａＡｓ層で
形成する場合、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓの層構造により
チャンネルが形成させる。この場合、上記エッチングス
トップ層は異なる３層からなっているので、ＧａＡｓ，
ＡｌＧａＡの両方をエッチング可能なエッチャント、Ａ
ｌＧａＡｓを選択エッチング可能なエッチャント、Ｇａ
Ａｓを選択エッチング可能なエッチャント及びＡｌＧａ
Ａｓを選択エッチング可能なエッチャントを用いてエッ
チングを行うことができる。したがって、上記チャンネ
ルの側面の凹凸をコントロールでき、チャンネルの側面
に凹凸が生じるのを阻止することができる。すなわち、
理想的なチャンネル形状を得ることができる。
ーザ素子によれば、上記保護層を例えばＧａＡｓ層で形
成し、上記第２上クラッド層を例えばＡｌＧａＡｓ層で
形成する場合、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓの層構造により
チャンネルが形成させる。この場合、上記エッチングス
トップ層は異なる３層からなっているので、ＧａＡｓ，
ＡｌＧａＡの両方をエッチング可能なエッチャント、Ａ
ｌＧａＡｓを選択エッチング可能なエッチャント、Ｇａ
Ａｓを選択エッチング可能なエッチャント及びＡｌＧａ
Ａｓを選択エッチング可能なエッチャントを用いてエッ
チングを行うことができる。したがって、上記チャンネ
ルの側面の凹凸をコントロールでき、チャンネルの側面
に凹凸が生じるのを阻止することができる。すなわち、
理想的なチャンネル形状を得ることができる。
【００１２】また、上記チャンネルの側面において凹凸
の発生を阻止できるので、チャンネルの側方に結晶を成
長させても、空洞として穴が残るのを防止できる他、レ
ーザ特性や寿命に悪影響を与える面方位が判っている場
合には、層構造とエッチング条件の調整により、その面
方位が出ないようにすることができる。
の発生を阻止できるので、チャンネルの側方に結晶を成
長させても、空洞として穴が残るのを防止できる他、レ
ーザ特性や寿命に悪影響を与える面方位が判っている場
合には、層構造とエッチング条件の調整により、その面
方位が出ないようにすることができる。
【００１３】一実施形態のストライプ導波構造型半導体
レーザ素子は、上記保護層がＧａＡｓ層、上記第２上ク
ラッド層がＡｌＧａＡｓ層からなり、上記エッチングス
トップ層が、ＧａＡｓ層、Ｇａ1-yＡｌyＡｓ（０．４≦
ｙ≦０．８）層及びＧａＡｓ層の３層からなる。
レーザ素子は、上記保護層がＧａＡｓ層、上記第２上ク
ラッド層がＡｌＧａＡｓ層からなり、上記エッチングス
トップ層が、ＧａＡｓ層、Ｇａ1-yＡｌyＡｓ（０．４≦
ｙ≦０．８）層及びＧａＡｓ層の３層からなる。
【００１４】一実施形態のストライプ導波構造型半導体
レーザ素子は、上記第２上クラッド層は、上記保護層側
から上記エッチングストップ層側に向かって、段階的に
Ａｌ混晶比が高くなるＧａＡｌＡｓ多層構造を有する。
レーザ素子は、上記第２上クラッド層は、上記保護層側
から上記エッチングストップ層側に向かって、段階的に
Ａｌ混晶比が高くなるＧａＡｌＡｓ多層構造を有する。
【００１５】一実施形態のストライプ導波構造型半導体
レーザ素子は、上記第２上クラッド層は、上記保護層側
から上記エッチングストップ層側に向かって、連続的に
Ａｌ混晶比が高くなるＧａＡｌＡｓを有する。
レーザ素子は、上記第２上クラッド層は、上記保護層側
から上記エッチングストップ層側に向かって、連続的に
Ａｌ混晶比が高くなるＧａＡｌＡｓを有する。
【００１６】一実施形態のストライプ導波構造型半導体
レーザ素子は、上記第２上クラッド層は、ストライプ導
波構造が順メサ方向に形成されている。
レーザ素子は、上記第２上クラッド層は、ストライプ導
波構造が順メサ方向に形成されている。
【００１７】また、本発明のストライプ導波構造型半導
体レーザ素子の製造方法は、上記ストライプ導波構造型
半導体レーザ素子の製造方法であって、上記第２上クラ
ッド層と上記保護層との両方に対してエッチング可能な
第１のエッチング液で、上記第２上クラッド層及び上記
保護層のエッチングを行う第１の工程と、上記第２上ク
ラッド層に対してエッチングレートが大であり、かつ、
上記保護層と上記エッチングストップ層の最上層とに対
してエッチング不可能なあるいはエッチングレートが小
な第２のエッチング液を用いて、上記第２上クラッド層
のエッチングを行う第２の工程と、上記保護層と上記エ
ッチングストップ層の最上層とに対してエッチングレー
トが大であり、かつ、上記第２上クラッド層と上記エッ
チングストップ層の中央の層とに対してエッチング不可
能あるいはエッチングレートが小な第３のエッチング液
を用いて、上記保護層と上記エッチングストップ層の最
上層とのエッチングを行う第３の工程と、上記第２上ク
ラッド層と上記エッチングストップ層の中央の層とに対
してエッチングレートが大であり、かつ、上記保護層と
上記エッチングストップ層の最下層とに対してエッチン
グ不可能あるいはエッチングレートが小な第４のエッチ
ング液を用いて、上記第２上クラッド層と上記エッチン
グストップ層の中央の層とのエッチングを行う第４の工
程とを備えたことを特徴としている。
体レーザ素子の製造方法は、上記ストライプ導波構造型
半導体レーザ素子の製造方法であって、上記第２上クラ
ッド層と上記保護層との両方に対してエッチング可能な
第１のエッチング液で、上記第２上クラッド層及び上記
保護層のエッチングを行う第１の工程と、上記第２上ク
ラッド層に対してエッチングレートが大であり、かつ、
上記保護層と上記エッチングストップ層の最上層とに対
してエッチング不可能なあるいはエッチングレートが小
な第２のエッチング液を用いて、上記第２上クラッド層
のエッチングを行う第２の工程と、上記保護層と上記エ
ッチングストップ層の最上層とに対してエッチングレー
トが大であり、かつ、上記第２上クラッド層と上記エッ
チングストップ層の中央の層とに対してエッチング不可
能あるいはエッチングレートが小な第３のエッチング液
を用いて、上記保護層と上記エッチングストップ層の最
上層とのエッチングを行う第３の工程と、上記第２上ク
ラッド層と上記エッチングストップ層の中央の層とに対
してエッチングレートが大であり、かつ、上記保護層と
上記エッチングストップ層の最下層とに対してエッチン
グ不可能あるいはエッチングレートが小な第４のエッチ
ング液を用いて、上記第２上クラッド層と上記エッチン
グストップ層の中央の層とのエッチングを行う第４の工
程とを備えたことを特徴としている。
【００１８】一実施形態のストライプ導波構造型半導体
レーザ素子の製造方法は、上記第１のエッチング液は、
硫酸、過酸化水素水及び水からなり、上記第２のエッチ
ング液は、弗化水素水と水とからなり、上記第３のエッ
チング液は、アンモニア、過酸化水素水及び水からな
り、上記第４のエッチング液は、弗化水素水と水とから
なる。
レーザ素子の製造方法は、上記第１のエッチング液は、
硫酸、過酸化水素水及び水からなり、上記第２のエッチ
ング液は、弗化水素水と水とからなり、上記第３のエッ
チング液は、アンモニア、過酸化水素水及び水からな
り、上記第４のエッチング液は、弗化水素水と水とから
なる。
【００１９】一実施形態のストライプ導波構造型半導体
レーザ素子の製造方法は、上記第１〜第４のエッチング
液のエッチングレートは１０Å／秒〜５００Å／秒であ
る。
レーザ素子の製造方法は、上記第１〜第４のエッチング
液のエッチングレートは１０Å／秒〜５００Å／秒であ
る。
【００２０】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１（ａ）〜
（ｄ）は、本発明の第１実施形態のストライプ導波構造
型半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
（ｄ）は、本発明の第１実施形態のストライプ導波構造
型半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。
【００２１】上記ストライプ導波構造型半導体レーザ素
子の製造方法では、図１（ａ）に示すようなウェハにチ
ャンネル構造としてのリッジ構造を作り込む。このウェ
ハは、保護層を形成するための例えば膜厚０．２μｍの
ＧａＡｓ層３を最表面層として有している。そして、上
記ＧａＡｓ層３下には第２上クラッド層２が設けられて
いる。この第２上クラッド層２は、図中上側から図中下
側に向かって徐々にＡｌ組成が２０％、３０％、４０％
と増えていく例えば各膜厚０．２μｍのＧａＡｌＡｓ多
層構造としての３層構造２ａと、この３層構造２ａ下に
設けられた例えば膜厚１．３μｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
層２ｂとを有している。また、上記第２上クラッド層２
下にはエッチングストップ層１を設けている。このエッ
チングストップ層１は、例えば膜厚３０ÅのＧａＡｓ層
１ａと、このＧａＡｓ層１ａ下に形成され、Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ層２ｂと同じ混晶比の例えば膜厚０．１μｍ
のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１ｂと、このＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ層１ｂ下に形成された例えば膜厚３０ÅのＧａＡｓ層
１ｃとからなっている。
子の製造方法では、図１（ａ）に示すようなウェハにチ
ャンネル構造としてのリッジ構造を作り込む。このウェ
ハは、保護層を形成するための例えば膜厚０．２μｍの
ＧａＡｓ層３を最表面層として有している。そして、上
記ＧａＡｓ層３下には第２上クラッド層２が設けられて
いる。この第２上クラッド層２は、図中上側から図中下
側に向かって徐々にＡｌ組成が２０％、３０％、４０％
と増えていく例えば各膜厚０．２μｍのＧａＡｌＡｓ多
層構造としての３層構造２ａと、この３層構造２ａ下に
設けられた例えば膜厚１．３μｍのＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ
層２ｂとを有している。また、上記第２上クラッド層２
下にはエッチングストップ層１を設けている。このエッ
チングストップ層１は、例えば膜厚３０ÅのＧａＡｓ層
１ａと、このＧａＡｓ層１ａ下に形成され、Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ層２ｂと同じ混晶比の例えば膜厚０．１μｍ
のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１ｂと、このＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａ
ｓ層１ｂ下に形成された例えば膜厚３０ÅのＧａＡｓ層
１ｃとからなっている。
【００２２】また、図示しないが、上記エッチングスト
ップ層１下には、第１上クラッド層、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ
（０≦ｘ≦０．５）活性層及び下クラッド層を設けてい
る。このＧａ1-xＡｌxＡｓ活性層は第１上クラッド層と
下クラッド層とで挟まれている。そして、上記下クラッ
ド層及び第１上クラッド層のバンドギャップはＧａ1- x
ＡｌxＡｓ活性層のバンドギャップよりも大きくなって
いる。
ップ層１下には、第１上クラッド層、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ
（０≦ｘ≦０．５）活性層及び下クラッド層を設けてい
る。このＧａ1-xＡｌxＡｓ活性層は第１上クラッド層と
下クラッド層とで挟まれている。そして、上記下クラッ
ド層及び第１上クラッド層のバンドギャップはＧａ1- x
ＡｌxＡｓ活性層のバンドギャップよりも大きくなって
いる。
【００２３】以下、上記半導体レーザ素子の製造方法
を、図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
を、図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
【００２４】最初に、図１（ａ）に示すように、ＧａＡ
ｓ層３上に所定形状のレジストマスク４を形成して、第
１のエッチング液でエッチングを例えば１８０秒行う。
上記第１のエッチング液の一例としては、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１０：５０の混合比とした硫酸系の
エッチャントがある。また、上記第１のエッチング液の
液温は例えば１０℃に設定する。そして、上記エッチン
グを行うとき、リッジ方向（紙面に対して垂直な方向）
をウェハの順メサ方向とすれば、ＧａＡｓ部のエッチン
グ面方位性のため、側面の凹凸を小さくすることができ
る。
ｓ層３上に所定形状のレジストマスク４を形成して、第
１のエッチング液でエッチングを例えば１８０秒行う。
上記第１のエッチング液の一例としては、Ｈ2ＳＯ4：Ｈ
2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：１０：５０の混合比とした硫酸系の
エッチャントがある。また、上記第１のエッチング液の
液温は例えば１０℃に設定する。そして、上記エッチン
グを行うとき、リッジ方向（紙面に対して垂直な方向）
をウェハの順メサ方向とすれば、ＧａＡｓ部のエッチン
グ面方位性のため、側面の凹凸を小さくすることができ
る。
【００２５】次に、第２のエッチング液の一例としての
ＨＦを用いて、例えば５０秒のエッチングを行うと、図
１（ｂ）に示すように、３層構造１０２ａ、Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ層１０２ｂがエッチングストップ層１上に形
成される。このとき、ＨＦの液温は例えば１０℃に設定
する。
ＨＦを用いて、例えば５０秒のエッチングを行うと、図
１（ｂ）に示すように、３層構造１０２ａ、Ａｌ0.5Ｇ
ａ0.5Ａｓ層１０２ｂがエッチングストップ層１上に形
成される。このとき、ＨＦの液温は例えば１０℃に設定
する。
【００２６】次に、例えば液温１０℃の第３のエッチン
グ液を用いて、エッチングを例えば３０秒行うと、リッ
ジ構造の両側のＧａＡｓ層１ａが除去され、図１（ｃ）
に示すように、ＧａＡｓ層１０３が３層構造１０２ａ上
に形成される。このとき、上記Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１
０２ｂ下にはＧａＡｓ層１０１ａが形成されている。ま
た、上記第３のエッチング液の一例としては、ＮＨ4Ｏ
Ｈ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：３０：５０の混合比としたア
ンモニア系のエッチャントがある。このエッチャントに
おいて、アンモニア水と過酸化水素水との混合比はアン
モニア水を１とした場合、過酸化水素水を１０以上の割
合で混合することでＧａＡｓの選択エッチングが可能と
なる。
グ液を用いて、エッチングを例えば３０秒行うと、リッ
ジ構造の両側のＧａＡｓ層１ａが除去され、図１（ｃ）
に示すように、ＧａＡｓ層１０３が３層構造１０２ａ上
に形成される。このとき、上記Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１
０２ｂ下にはＧａＡｓ層１０１ａが形成されている。ま
た、上記第３のエッチング液の一例としては、ＮＨ4Ｏ
Ｈ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：３０：５０の混合比としたア
ンモニア系のエッチャントがある。このエッチャントに
おいて、アンモニア水と過酸化水素水との混合比はアン
モニア水を１とした場合、過酸化水素水を１０以上の割
合で混合することでＧａＡｓの選択エッチングが可能と
なる。
【００２７】そして、第４のエッチング液の一例として
のＨＦを用いて、例えば１５秒のエッチングを行うと、
リッジ構造の両側のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１ｂが除去さ
れ、図１（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ層１０３、３層
構造２０２ａ及びＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層２０２ｂからな
るリッジが得られる。このとき、上記ＧａＡｓ層１０１
ａ下にはＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１０１ｂが形成されてい
る。
のＨＦを用いて、例えば１５秒のエッチングを行うと、
リッジ構造の両側のＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１ｂが除去さ
れ、図１（ｄ）に示すように、ＧａＡｓ層１０３、３層
構造２０２ａ及びＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層２０２ｂからな
るリッジが得られる。このとき、上記ＧａＡｓ層１０１
ａ下にはＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層１０１ｂが形成されてい
る。
【００２８】このように、組成比による選択性の少ない
エッチャントと、ＧａＡｓ〜低Ａｌの混晶比の層を選択
的にエッチングするエッチャントと、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａ
ｓよりＡｌ比の高い結晶を選択的にエッチングするエッ
チャントとを用いることにより、リッジ側面の凹凸形状
をコントロールすることができる。したがって、このリ
ッジの側面に凹凸が生じるのを阻止することができる。
エッチャントと、ＧａＡｓ〜低Ａｌの混晶比の層を選択
的にエッチングするエッチャントと、Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａ
ｓよりＡｌ比の高い結晶を選択的にエッチングするエッ
チャントとを用いることにより、リッジ側面の凹凸形状
をコントロールすることができる。したがって、このリ
ッジの側面に凹凸が生じるのを阻止することができる。
【００２９】上記第１実施形態では、下クラッド層及び
第１上クラッド層の材料について記載しなかったが、例
えばＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓを用いて下クラッド層及び第１
上クラッド層を形成してもよい。
第１上クラッド層の材料について記載しなかったが、例
えばＡｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓを用いて下クラッド層及び第１
上クラッド層を形成してもよい。
【００３０】また、上記ＧａＡｓ層１ａとＧａＡｓ層１
ｃとの間に形成する層は、Ａｌ組成が０．４以上の層で
あってもよい。
ｃとの間に形成する層は、Ａｌ組成が０．４以上の層で
あってもよい。
【００３１】上記各エッチング液のエッチングレートは
１０Å／秒〜５００Å／秒とすることが望ましい。これ
は、上記エッチングレートが１０Å／秒をより小さいと
エッチング時間が長くなりすぎるため、生産性が悪くな
る。また、上記エッチングレートが５００Å／秒を越え
ると制御性、再現性のばらつきが大きくなるため、所望
とする形状の再現性が得られ難くなるからである。
１０Å／秒〜５００Å／秒とすることが望ましい。これ
は、上記エッチングレートが１０Å／秒をより小さいと
エッチング時間が長くなりすぎるため、生産性が悪くな
る。また、上記エッチングレートが５００Å／秒を越え
ると制御性、再現性のばらつきが大きくなるため、所望
とする形状の再現性が得られ難くなるからである。
【００３２】上記レジストマスク４の膜厚を６μｍに設
定し、本実施形態の条件でエッチングを行った場合、リ
ッジ底幅２．５μｍ、ＧａＡｓ上部幅０．５μｍ〜１．
０μｍのリッジ形状を作ることができる。
定し、本実施形態の条件でエッチングを行った場合、リ
ッジ底幅２．５μｍ、ＧａＡｓ上部幅０．５μｍ〜１．
０μｍのリッジ形状を作ることができる。
【００３３】（第２実施形態２）図２（ａ）〜（ｄ）
は、本発明の第２実施形態のストライプ導波構造型半導
体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。図２
（ａ）〜（ｄ）において、図１（ａ）〜（ｄ）に示した
構成部と同一構成部は、図１（ａ）〜（ｄ）における構
成部と同一参照番号を付して説明を省略または簡単にす
る。
は、本発明の第２実施形態のストライプ導波構造型半導
体レーザ素子の製造方法の模式工程図である。図２
（ａ）〜（ｄ）において、図１（ａ）〜（ｄ）に示した
構成部と同一構成部は、図１（ａ）〜（ｄ）における構
成部と同一参照番号を付して説明を省略または簡単にす
る。
【００３４】上記ストライプ導波構造型半導体レーザ素
子の製造方法では、図２（ａ）に示すようなウェハにチ
ャンネルとしてのリッジ構造を作り込む。このウェハ
は、保護層を形成するための例えば膜厚０．２μｍのＧ
ａＡｓ層３を最表面層として有している。そして、上記
ＧａＡｓ層３下には第２上クラッド層２２を形成してい
る。この第２上クラッド層２２は、ＧａＡｓ層３から深
さ０．６μｍまでの第１の領域２２ａと、この第１の領
域２２ａからエッチングストップ層１のＧａＡｓ層１ａ
までの深さ１．３μｍの第２の領域２２ｂとからなって
いる。上記第１の領域２２ａは、図中上側から図中下側
に向かって連続的にＡｌ組成が増えている。一方、上記
第２の領域２２ｂは、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなり、Ａ
ｌ混晶比が均一になっている。
子の製造方法では、図２（ａ）に示すようなウェハにチ
ャンネルとしてのリッジ構造を作り込む。このウェハ
は、保護層を形成するための例えば膜厚０．２μｍのＧ
ａＡｓ層３を最表面層として有している。そして、上記
ＧａＡｓ層３下には第２上クラッド層２２を形成してい
る。この第２上クラッド層２２は、ＧａＡｓ層３から深
さ０．６μｍまでの第１の領域２２ａと、この第１の領
域２２ａからエッチングストップ層１のＧａＡｓ層１ａ
までの深さ１．３μｍの第２の領域２２ｂとからなって
いる。上記第１の領域２２ａは、図中上側から図中下側
に向かって連続的にＡｌ組成が増えている。一方、上記
第２の領域２２ｂは、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓからなり、Ａ
ｌ混晶比が均一になっている。
【００３５】このようなウェハを用いて上記第１実施形
態と同じ条件のエッチングを行うと、図２（ａ）に示す
ＧａＡｌＡｓ層２２は、図２（ｂ），（ｃ）に示すＧａ
ＡｌＡｓ層１２２へ変化した後、図２（ｄ）に示すＧａ
ＡｌＡｓ層２２２へと変化する。このとき、図２
（ａ），（ｂ）に示すＧａＡｓ層３は、図２（ｃ），
（ｄ）に示すＧａＡｓ層１０３に変化する。このＧａＡ
ｓ層１０３とＧａＡｌＡｓ層２２２とからなるリッジ
は、上記第１実施形態のリッジの側面よりも滑らかな側
面を有する。すなわち、上記第１実施形態のリッジの側
面よりも滑らかな側面のリッジを形成することができ
る。
態と同じ条件のエッチングを行うと、図２（ａ）に示す
ＧａＡｌＡｓ層２２は、図２（ｂ），（ｃ）に示すＧａ
ＡｌＡｓ層１２２へ変化した後、図２（ｄ）に示すＧａ
ＡｌＡｓ層２２２へと変化する。このとき、図２
（ａ），（ｂ）に示すＧａＡｓ層３は、図２（ｃ），
（ｄ）に示すＧａＡｓ層１０３に変化する。このＧａＡ
ｓ層１０３とＧａＡｌＡｓ層２２２とからなるリッジ
は、上記第１実施形態のリッジの側面よりも滑らかな側
面を有する。すなわち、上記第１実施形態のリッジの側
面よりも滑らかな側面のリッジを形成することができ
る。
【００３６】上記第１，第２実施形態で形成したストラ
イプ導波構造、すなわちリッジ構造は埋め込み成長で形
成してもよい。
イプ導波構造、すなわちリッジ構造は埋め込み成長で形
成してもよい。
【００３７】
【発明の効果】以上より明らかなように、本発明のスト
ライプ導波構造型半導体レーザ素子によれば、エッチン
グストップ層は異なる３層からなっているので、複数の
異なるエッチャントを用いて保護層，第２上クラッド層
のエッチングを行って、保護層と第２上クラッド層とか
らなるチャンネルの側面の凹凸をコントロールでき、チ
ャンネルの側面に凹凸が生じるのを阻止することができ
る。
ライプ導波構造型半導体レーザ素子によれば、エッチン
グストップ層は異なる３層からなっているので、複数の
異なるエッチャントを用いて保護層，第２上クラッド層
のエッチングを行って、保護層と第２上クラッド層とか
らなるチャンネルの側面の凹凸をコントロールでき、チ
ャンネルの側面に凹凸が生じるのを阻止することができ
る。
【図１】 図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施形
態のストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法
の模式工程図である。
態のストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法
の模式工程図である。
【図２】 図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形
態のストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法
の模式工程図である。
態のストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法
の模式工程図である。
【図３】 図３（ａ），（ｂ）は、従来のストライプ導
波構造型半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図であ
る。
波構造型半導体レーザ素子の製造方法の模式工程図であ
る。
１ エッチングストップ層
２，２２，１２２，２２２ 第２上クラッド層
２ａ ３層構造
１ａ，１ｃ，３，１０３ ＧａＡｓ層
１ｂ，２ｂ Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓ層
２２ａ 第１の領域
２２ｂ 第２の領域
Claims (8)
- 【請求項１】 下クラッド層上に、Ｇａ1-xＡｌxＡｓ
（０≦ｘ≦０．５）活性層、第１上クラッド層、エッチ
ングストップ層、ストライプ状の第２上クラッド層及び
保護層が順次積層されているストライプ導波構造型半導
体レーザ素子において、 上記第２上クラッド層は、上下で組成が異なり、 上記エッチングストップ層は、異なる３層からなってい
ることを特徴とするストライプ導波構造型半導体レーザ
素子。 - 【請求項２】 請求項１に記載のストライプ導波構造型
半導体レーザ素子において、 上記保護層がＧａＡｓ層、上記第２上クラッド層がＡｌ
ＧａＡｓ層からなり、 上記エッチングストップ層が、ＧａＡｓ層、Ｇａ1-yＡ
ｌyＡｓ（０．４≦ｙ≦０．８）層及びＧａＡｓ層の３
層からなることを特徴とするストライプ導波構造型半導
体レーザ素子。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のストライプ導
波構造型半導体レーザ素子において、 上記第２上クラッド層は、上記保護層側から上記エッチ
ングストップ層側に向かって、段階的にＡｌ混晶比が高
くなるＧａＡｌＡｓ多層構造を有することを特徴とする
ストライプ導波構造型半導体レーザ素子。 - 【請求項４】 請求項１または２に記載のストライプ導
波構造型半導体レーザ素子において、 上記第２上クラッド層は、上記保護層側から上記エッチ
ングストップ層側に向かって、連続的にＡｌ混晶比が高
くなるＧａＡｌＡｓを有することを特徴とするストライ
プ導波構造型半導体レーザ素子。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１つに記載の
ストライプ導波構造型半導体レーザ素子において、 上記第２上クラッド層は、ストライプ導波構造が順メサ
方向に形成されていることを特徴とするストライプ導波
構造型半導体レーザ素子。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
ストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法であ
って、 上記第２上クラッド層と上記保護層との両方に対してエ
ッチング可能な第１のエッチング液で、上記第２上クラ
ッド層及び上記保護層のエッチングを行う第１の工程
と、 上記第２上クラッド層に対してエッチングレートが大で
あり、かつ、上記保護層と上記エッチングストップ層の
最上層とに対してエッチング不可能なあるいはエッチン
グレートが小な第２のエッチング液を用いて、上記第２
上クラッド層のエッチングを行う第２の工程と、 上記保護層と上記エッチングストップ層の最上層とに対
してエッチングレートが大であり、かつ、上記第２上ク
ラッド層と上記エッチングストップ層の中央の層とに対
してエッチング不可能あるいはエッチングレートが小な
第３のエッチング液を用いて、上記保護層と上記エッチ
ングストップ層の最上層とのエッチングを行う第３の工
程と、 上記第２上クラッド層と上記エッチングストップ層の中
央の層とに対してエッチングレートが大であり、かつ、
上記保護層と上記エッチングストップ層の最下層とに対
してエッチング不可能あるいはエッチングレートが小な
第４のエッチング液を用いて、上記第２上クラッド層と
上記エッチングストップ層の中央の層とのエッチングを
行う第４の工程とを備えたことを特徴とするストライプ
導波構造型半導体レーザ素子の製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載のストライプ導波構造型
半導体レーザ素子の製造方法において、 上記第１のエッチング液は、硫酸、過酸化水素水及び水
からなり、 上記第２のエッチング液は、弗化水素水と水とからな
り、 上記第３のエッチング液は、アンモニア、過酸化水素水
及び水からなり、 上記第４のエッチング液は、弗化水素水と水とからなる
ことを特徴とするストライプ導波構造型半導体レーザ素
子の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６または７に記載のストライプ導
波構造型半導体レーザ素子の製造方法において、 上記第１〜第４のエッチング液のエッチングレートは１
０Å／秒〜５００Å／秒であることを特徴とするストラ
イプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002013021A JP3996778B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | ストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法 |
| US10/348,323 US6711196B2 (en) | 2002-01-22 | 2003-01-22 | Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002013021A JP3996778B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | ストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003218465A true JP2003218465A (ja) | 2003-07-31 |
| JP3996778B2 JP3996778B2 (ja) | 2007-10-24 |
Family
ID=27650074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002013021A Expired - Fee Related JP3996778B2 (ja) | 2002-01-22 | 2002-01-22 | ストライプ導波構造型半導体レーザ素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6711196B2 (ja) |
| JP (1) | JP3996778B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149724A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子の製造方法 |
| JP2018101752A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子およびその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104133268A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-05 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 光波导及其制造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111363A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH08250801A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| JPH09232678A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH10163560A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH11135884A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2000058982A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JP2000332290A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2001223438A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2001345516A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228089A (ja) * | 1989-02-28 | 1990-09-11 | Omron Tateisi Electron Co | リッジ導波路型半導体レーザ |
| JPH06112592A (ja) * | 1992-09-29 | 1994-04-22 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JPH077219A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
| JPH1075012A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置，及びその製造方法 |
| JPH1117269A (ja) | 1997-06-23 | 1999-01-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2001203424A (ja) | 2000-01-18 | 2001-07-27 | Sharp Corp | 半導体素子の製造方法 |
-
2002
- 2002-01-22 JP JP2002013021A patent/JP3996778B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-22 US US10/348,323 patent/US6711196B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07111363A (ja) * | 1993-10-13 | 1995-04-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JPH08250801A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| JPH09232678A (ja) * | 1996-02-20 | 1997-09-05 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法、並びに半導体レーザ及びその製造方法 |
| JPH10163560A (ja) * | 1996-11-28 | 1998-06-19 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH11135884A (ja) * | 1997-10-29 | 1999-05-21 | Nec Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| JP2000058982A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JP2000332290A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP2001223438A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-08-17 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2001345516A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149724A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光集積素子の製造方法 |
| JP2018101752A (ja) * | 2016-12-21 | 2018-06-28 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030152122A1 (en) | 2003-08-14 |
| JP3996778B2 (ja) | 2007-10-24 |
| US6711196B2 (en) | 2004-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08116135A (ja) | 導波路集積素子の製造方法，及び導波路集積素子 | |
| US20070230530A1 (en) | Semiconductor laser device and method for manufacturing the same | |
| JP3734900B2 (ja) | 半導体光導波路構造、光デバイス、及び、それらの製造方法 | |
| US5395792A (en) | Process for fabricating a semiconductor laser device | |
| JPH08307013A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JP4959962B2 (ja) | 光半導体素子の製造方法 | |
| US5786234A (en) | Method of fabricating semiconductor laser | |
| JP2863677B2 (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2003218465A (ja) | ストライプ導波構造型半導体レーザ素子及びその製造方法 | |
| JP2001274510A (ja) | 導波路型光素子及びその製造方法 | |
| JPH09237940A (ja) | 半導体装置，及びその製造方法 | |
| JPH1174609A (ja) | レーザダイオード及びその製造方法 | |
| JPH09232678A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JPH10270786A (ja) | 化合物半導体のエッチング方法および化合物半導体素子の製造方法および半導体レーザ | |
| JP2687495B2 (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH06209143A (ja) | 回折格子の製造方法 | |
| KR100883717B1 (ko) | 리지 웨이브 가이드 구조의 반도체 레이저 다이오드 제조방법 | |
| JPH11274657A (ja) | 半導体レ―ザ及びその製造方法 | |
| JPH10163560A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP3908471B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2525776B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000124553A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| JPH01238085A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH04369886A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2008098362A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040728 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070508 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070704 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070731 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070803 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100810 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110810 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |