JP2003216254A - 半導体集積装置 - Google Patents

半導体集積装置

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JP2003216254A
JP2003216254A JP2002018097A JP2002018097A JP2003216254A JP 2003216254 A JP2003216254 A JP 2003216254A JP 2002018097 A JP2002018097 A JP 2002018097A JP 2002018097 A JP2002018097 A JP 2002018097A JP 2003216254 A JP2003216254 A JP 2003216254A
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Haruhiko Nishio
春彦 西尾
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 負荷電流の変動幅や変動時間幅の大きな携帯
機器の直流電源として使用した場合に、簡単な構成で高
い電力効率が実現可能な半導体集積装置を提供する。 【解決手段】 スイッチングレギュレータ10、シリー
ズレギュレータ20とともに、これらを排他的にオンオ
フさせる切替え手段である信号反転用のインバータ30
と、出力端子OUTに接続された負荷の状態を予測する
予測手段であるCPU40とを備えている。負荷として
携帯電話機などのDSPの動作を、その着信から一連の
動作完了に至るまでCPU40によって監視すること
で、スイッチングレギュレータ10とシリーズレギュレ
ータ20とを排他的にオンオフさせるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、直流入力端子と
直流出力端子との間で電源制御用回路を構成する半導体
集積装置に関し、特に、スイッチングトランジスタを含
むスイッチングレギュレータ回路及びシリーズレギュレ
ータ回路が並列接続されてなる半導体集積装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図3は、一般的なパルス幅変調制御(P
WM:Pulse Width Modulation)型のスイッチングレギ
ュレータの構成を示す回路図である。
【0003】図3に示すPWM制御型のスイッチングレ
ギュレータ10は、三角波発振器11、エラーアンプ1
2、PWMコンパレータ13、ドライバ14、及びスイ
ッチングMOSFETQ1,Q2から構成されている。
スイッチングレギュレータ10の入力端子INに供給さ
れる直流電圧Vinは、出力端子OUT1に接続された
インダクタンスL1、キャパシタンスC1からなる平滑
回路によって所定の直流電圧Voutに変換され、出力端子
OUTから負荷に供給するように構成されている。
【0004】出力端子OUTから出力される直流電圧V
outは、電圧検出用の抵抗R1,R2によって検出さ
れ、エラーアンプ12の反転入力端子(−)に入力され
る。エラーアンプ12の非反転入力端子(+)には、基
準電源E1の参照電圧Vrefが供給され、その誤差出力
はPWMコンパレータ13の正側の入力信号となる。R
3は出力抵抗、スイッチングレギュレータ10内の抵抗
R4とキャパシタンスC2は、エラーアンプ12の負帰
還回路を構成するものである。
【0005】このようなスイッチングレギュレータ10
は、例えばコンピュータ機器等の電源回路に使用される
DC−DCコンバータとして、急激な負荷変動に対処す
るうえで好適である。ところが、携帯電話機のように電
池をエネルギー源としているものでは、スイッチングレ
ギュレータ10によって直流電源電圧を一定の直流電圧
に変換する場合に、電池寿命やその軽量化とともに、ス
イッチングレギュレータでの電力変換効率が問題にな
る。
【0006】図4は、図3に示すスイッチングレギュレ
ータの電圧変換効率の一例を示す特性図である。図4に
おいて、横軸には出力端子OUTからの出力電流値(I
out)が対数表示され、縦軸にはスイッチングレギュレ
ータの変換効率(η=Pout/Pin)が示されている。
ここに示されているように、スイッチングレギュレータ
は重負荷時には高効率で動作するけれども、負荷電流の
減少にともなって急激に電圧変換効率が悪化している。
【0007】特開平11−3126公報には、直流入力
端子と直流出力端子との間にPWM型スイッチングレギ
ュレータ回路、及びシリーズレギュレータ回路の並列回
路を設け、この直流出力端子の電圧が所定電圧より高い
ときには、このPWM型スイッチングレギュレータ回路
を動作させるようにするとともに、この直流出力端子の
電圧が所定電圧以下のときは、PWM型スイッチングレ
ギュレータ回路及びシリーズレギュレータ回路を同時に
動作させるようにした先行技術が記載されている。
【0008】この従来技術によれば、負荷電流が減少し
た場合でも、電圧変換効率をそれ程までに落とすことな
しに、レスポンスを改善することができる。また、図3
に示す半導体集積装置の出力端子OUT側に外付けされ
るキャパシタンスC1の容量値を小さくできる利点があ
った。
【0009】また、電圧変換効率を改善する方法とし
て、PWM型スイッチングレギュレータを軽負荷時には
パルス周波数変調(PFM;Pulse Frequency Modulati
on)型の回路に切り替えるようにした半導体集積装置も
考えられている。
【0010】図5は、PWM方式とPFM方式とを切り
替えた場合の、スイッチングレギュレータの電圧変換効
率の一例を示す特性図である。図4の特性図と比較すれ
ば明らかなように、負荷状態を検出することにより、出
力電流Ioutが10mA乃至100mAの範囲でPWM
とPFMとを切り替えて、電圧変換効率をさらに改善す
ることが可能である。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】ところで、携帯電話機
のように動作モードを切り替えて使用するものでは、受
信状態では多くの演算を必要とするために消費電流が大
きくなり、待ち受け状態では殆ど動作しないので、消費
電流が少ない。
【0012】図6は、携帯電話機などに流れる負荷電流
の時間変化の一例を示す図である。一般の携帯機器の動
作モードでは、図6に示すように短時間(t1)で重負
荷、残りの長時間(t2)は軽負荷となるように設定さ
れていることが多い。これは、携帯電話機に限らず、携
帯機器の軽量化を図り、かつ電池寿命を長くするためで
ある。
【0013】特に、携帯電話機においては、t1/t2
の比率は1:10以上となる場合が多く、そのときの消
費電流の比率(i1/i2)に至っては、1:100以
上の差があった。したがって、スイッチングレギュレー
タにPFMへの切り替え機能を付加したとしても、PW
M制御時におけるトータル時間Tでの効率が極めて低く
なるという問題があった。
【0014】また、軽負荷時にパルス周波数変調型(P
FM)方式に切り替えるためには、PWM回路とPFM
回路の両方を備える必要があって、回路構成が複雑にな
るという問題もあった。
【0015】この発明の目的は、負荷電流の変動幅や変
動時間幅の大きな携帯機器の直流電源として使用した場
合に、簡単な構成で高い電力効率が実現可能な半導体集
積装置を提供することにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、スイッチングトランジスタを含むスイッチングレギ
ュレータ回路及びシリーズレギュレータ回路が並列接続
され、直流入力端子と直流出力端子との間で電源制御用
回路を構成する半導体集積装置が提供される。この半導
体集積装置は、前記直流出力端子に接続された負荷の状
態を予測する予測手段と、前記予測手段での予測結果に
応じて前記スイッチングレギュレータ回路と前記シリー
ズレギュレータ回路とを排他的にオンオフさせる切替え
手段とから構成される。
【0017】また、前記直流出力端子に接続された負荷
への出力電流をモニタする監視手段と、前記監視手段に
よりモニタされた電流値を所定の基準電流値と比較する
比較手段と、前記比較手段での比較結果に応じて前記ス
イッチングレギュレータ回路と前記シリーズレギュレー
タ回路とを排他的にオンオフさせる切替え手段とから構
成される半導体集積装置であってもよい。
【0018】この発明では、重負荷時に変換効率の良い
スイッチングレギュレータを用い、軽負荷時には低消費
電流型のシリーズレギュレータを用いることで、電源制
御用回路を構成する半導体集積装置のトータルとしての
電力効率を高めることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて、図面を参照して説明する。 (第一の実施の形態)図1は、この発明の実施形態1で
ある半導体集積装置の構成を示す回路図である。図1に
おいて、INは直流電源から直流電圧、例えばVdd=+
4Vが供給される電源入力端子を示しており、OUTは
一定の直流電圧、例えばVout=3.3Vが出力可能な出
力端子を示している。
【0020】実施形態1において、直流入力端子INと
出力端子OUTとの間には、スイッチングレギュレータ
10及びシリーズレギュレータ20の並列回路が設けら
れている。これらスイッチングレギュレータ10とシリ
ーズレギュレータ20は、3入力2出力1チップ構成の
電源制御用回路であり、以下に説明するように、それぞ
れ電源入力端子IN、及び出力端子OUTを共通とした
半導体集積装置を構成する。
【0021】上記スイッチングレギュレータ10の構成
は、一般的なPWM制御タイプのものとして、すでに図
3において説明した従来装置と同様に、三角波発振器1
1、エラーアンプ12、PWMコンパレータ13、ドラ
イバ14、スイッチングMOSFETQ1,Q2などか
ら構成されている。このスイッチングレギュレータ10
は出力端子OUT1を備えるとともに、この出力端子O
UT1にインダクタンスL1、キャパシタンスC1から
なる平滑回路が接続され、出力端子OUTを構成する。
【0022】また、スイッチングレギュレータ10はイ
ネーブル(ENABLE)端子ET1を備えるととも
に、このイネーブル端子ET1にイネーブル信号が供給
された場合、スイッチングレギュレータ10の出力端子
OUT1からの出力を禁止するように構成されている。
【0023】一方、シリーズレギュレータ20は、エラ
ーアンプ21、制御用MOSFETQ3などから構成さ
れるとともに、出力端子OUT1とは別に、第2の出力
端子OUT2を備えている。このシリーズレギュレータ
20では、制御用MOSFETQ3のソース電極が入力
端子INに接続され、制御用MOSFETQ3のドレイ
ン電極が出力端子OUT2を介して出力端子OUTに接
続されている。また、出力端子OUT2と出力端子OU
Tとの接続点は、抵抗R1及びR2の直列回路を介して
接地され、これらの抵抗R1,R2の接続点がエラーア
ンプ21の反転入力端子(−)に接続されるとともに、
このエラーアンプ21の非反転入力端子(+)は参照電
圧Vrefを有する基準電源E2を介して接地されてい
る。
【0024】さらに、シリーズレギュレータ20はイネ
ーブル(ENABLE)端子ET2を備えるとともに、
このイネーブル端子ET2に供給されるイネーブル信号
に応じて第2の出力端子OUT2からの出力を禁止する
ように構成されている。
【0025】ここでは、シリーズレギュレータ20の電
圧検出用の抵抗R1,R2は、スイッチングレギュレー
タ10との間で共用となっており、また、図1では別構
成として示されている基準電源E2についても、同様の
参照電圧Vrefを供給している基準電源E1と共用可能
である。
【0026】図1には、上記スイッチングレギュレータ
10、シリーズレギュレータ20とともに、これらを排
他的にオンオフさせる切替え手段である信号反転用のイ
ンバータ30と、出力端子OUTに接続された負荷の状
態を予測する予測手段であるCPU40とが示されてい
る。
【0027】スイッチングレギュレータ10のイネーブ
ル端子ET1はCPU40と接続され、このCPU40
から負荷状態の予測に基づいたイネーブル信号が直接に
入力される。また、シリーズレギュレータ20のイネー
ブル端子ET2には、インバータ30を介してCPU4
0と接続され、CPU40からのイネーブル信号がイン
バータ30により反転されて入力されるように構成され
ている。
【0028】つぎに、上記構成の半導体集積装置の動作
を説明する。スイッチングレギュレータ10は、PWM
コンパレータ13の出力側に得られるパルス幅変調され
た所定周期の制御信号が、ドライバ14を介してスイッ
チングMOSFETQ1,Q2の各ゲート電極に供給さ
れ、所定のタイミングで交互にオンオフする。この結
果、スイッチングレギュレータ10の出力端子OUT1
に得られる電圧は、インダクタンスL1、キャパシタン
スC1からなる平滑回路によって所定の直流電圧Voutに
変換され、出力端子OUTに所定電圧、例えば3.3V
の直流電圧を得ることができる。
【0029】シリーズレギュレータ20では、通常は制
御用MOSFETQ3がオフ状態になっている。しか
し、出力端子OUTの電圧が所定電圧以下になったとき
制御用MOSFETQ3が導通して、出力端子OUT2
からバイアス電流が流れ、出力端子OUTに接続された
負荷に所定電圧が印加される。
【0030】CPU40では、出力端子OUTに接続さ
れた負荷の状態を予測し、この負荷状態に応じてイネー
ブル端子ET1,ET2のいずれかに対してイネーブル
信号を入力し、スイッチングレギュレータ10とシリー
ズレギュレータ20のどちらかを選択的に動作させてい
る。
【0031】上記半導体集積装置を、例えば携帯電話機
の直流電源として使用した場合に、負荷としてDSPを
接続することが考えられる。DSPは、受信状態では多
くの演算を実行することになるから消費電流が多くな
り、待ち受け状態では殆ど動作しないから、消費電流が
少なくなることが知られている。したがって、上述した
実施形態1の半導体集積装置では、負荷となるDSPの
動作を着信から一連の動作完了に至るまでCPU40に
よって監視することで、スイッチングレギュレータ10
とシリーズレギュレータ20とを排他的にオンオフさせ
るのである。
【0032】つぎに、上記構成の半導体集積装置の変換
効率について説明する。いま、半導体集積装置のスイッ
チングレギュレータ10における電圧変換効率が図5に
示すような特性を有していて、シリーズレギュレータ2
0における消費電力が0.05mWであったとする。
【0033】図5の場合に示すように、半導体集積装置
の入力電圧Vinが4.0Vのときで比較すると、出力
電流Ioutが10mAのときの効率は70%である。そ
こで、出力電圧Voutとして3.3Vを得るためには、
入力電力は47mW(=3.3V×10mA÷0.7)
となる。したがって、スイッチングレギュレータ10に
おける電力損失は14mW(=47−33)となる。
【0034】一方、シリーズレギュレータ20を動作さ
せたときの効率については、以下のようになる。すなわ
ち、シリーズレギュレータ20のエラーアンプ21での
消費電流が0.05mAであるとした場合、同じ入力電
圧Vin=4.0Vをシリーズレギュレータ20に入力
して、出力電圧Vout=3.3Vを得るためには、そこ
での電力損失は(4V−3.3V)×10mA+4V×
0.05mAと計算できることから、7.2mWとな
る。
【0035】そこで、半導体集積装置のスイッチングレ
ギュレータ10とシリーズレギュレータ20とを、負荷
電流の時間変化に応じて排他的にオンオフさせることが
できれば、軽負荷の場合にシリーズレギュレータ20を
動作させて、重負荷ではスイッチングレギュレータ10
を動作させることによって、14mWと7.2mWとの
差(=6.8mW)に相当する分だけ電力消費を少なく
することができる。したがって、図6のような動作状態
の携帯電話機に利用する半導体集積装置であれば、待ち
受け時間であるt2時間にわたって6.8mWの電力消
費が節約されるのであり、軽負荷時に低消費電流型のシ
リーズレギュレータ20を用いる効果は、極めて大き
い。 (第二の実施の形態)以下に説明する実施形態2では、
負荷のアプリケーションによってはCPUによる負荷電
流の変動が予測できない場合を想定している。
【0036】図2は、実施形態2の半導体集積装置を示
す回路図である。図2において、電流検出/コンパレー
タ31は直流出力端子に流れる出力電流をモニタし、モ
ニタされた電流値を基準値と比較する手段であり、イン
バータ32はスイッチングレギュレータ10とシリーズ
レギュレータ20とを排他的にオンオフさせる切替え手
段である。
【0037】この実施形態2では、出力端子OUTの直
前に負荷状態を検出するための抵抗R3を直列に配置し
て、そこを流れる電流を検出している。電流検出/コン
パレータ31では基準電流値と比較して、イネーブル信
号を出力するようにしている。実施形態2のその他の構
成は実施形態1のものと同じであり、詳細な説明は省略
する。
【0038】実施形態2の半導体集積装置によれば、実
施形態1のようにCPU40によって負荷の状態を予測
することができない場合であっても、スイッチングレギ
ュレータ10とシリーズレギュレータ20とを負荷電流
に応じて排他的に切り替えて動作させようとするもので
ある。したがって、軽負荷時に低消費電流型のシリーズ
レギュレータを用いることが可能であって、高い電力効
率が実現可能な半導体集積装置となる。
【0039】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、直流入力端子と直流出力端子との間で、スイッチン
グトランジスタを含むスイッチングレギュレータ回路及
びシリーズレギュレータ回路が並列接続された電源制御
用回路として、高い電力効率が実現可能な半導体集積装
置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施形態1である半導体集積装置の
構成を示す回路図である。
【図2】実施形態2の半導体集積装置を示す回路図であ
る。
【図3】一般的なパルス幅変調型スイッチングレギュレ
ータの構成を示す回路図である。
【図4】図3に示すスイッチングレギュレータの電圧変
換効率の一例を示す特性図である。
【図5】PWM方式とPFM方式とを切り替えた場合
の、電圧変換効率の一例を示す特性図である。
【図6】携帯電話機における負荷電流の時間変化の一例
を示す図である。
【符号の説明】
10…スイッチングレギュレータ 11…三角波発振器 12…エラーアンプ 13…PWMコンパレータ 14…ドライバ 20…シリーズレギュレータ 21…エラーアンプ 30…インバータ 31…電流検出/コンパレータ 32…インバータ 40…CPU Q1,Q2…スイッチングMOSFET L1…インダクタンス C1…キャパシタンス ET1,ET2…イネーブル端子

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 スイッチングトランジスタを含むスイッ
    チングレギュレータ回路及びシリーズレギュレータ回路
    が並列接続され、直流入力端子と直流出力端子との間で
    電源制御用回路を構成する半導体集積装置において、 前記直流出力端子に接続された負荷の状態を予測する予
    測手段と、 前記予測手段での予測結果に応じて前記スイッチングレ
    ギュレータ回路と前記シリーズレギュレータ回路とを排
    他的にオンオフさせる切替え手段と、 を備えることを特徴とする半導体集積装置。
  2. 【請求項2】 前記スイッチングレギュレータ回路は、
    パルス幅変調型スイッチングレギュレータ回路であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の半導体集積装置。
  3. 【請求項3】 スイッチングトランジスタを含むスイッ
    チングレギュレータ回路及びシリーズレギュレータ回路
    が並列接続され、直流入力端子と直流出力端子との間で
    電源制御用回路を構成する半導体集積装置において、 前記直流出力端子に接続された負荷への出力電流をモニ
    タする監視手段と、前記監視手段によりモニタされた電
    流値を所定の基準電流値と比較する比較手段と、前記比
    較手段での比較結果に応じて前記スイッチングレギュレ
    ータ回路と前記シリーズレギュレータ回路とを排他的に
    オンオフさせる切替え手段と、 を備えることを特徴とする半導体集積装置。
  4. 【請求項4】 前記スイッチングレギュレータ回路は、
    パルス幅変調型スイッチングレギュレータ回路であるこ
    とを特徴とする請求項3記載の半導体集積装置。
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