JP2003204201A - 高周波半導体装置の実装構造及び製造方法 - Google Patents
高周波半導体装置の実装構造及び製造方法Info
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- JP2003204201A JP2003204201A JP2002001296A JP2002001296A JP2003204201A JP 2003204201 A JP2003204201 A JP 2003204201A JP 2002001296 A JP2002001296 A JP 2002001296A JP 2002001296 A JP2002001296 A JP 2002001296A JP 2003204201 A JP2003204201 A JP 2003204201A
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- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/008—Manufacturing resonators
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- H01P7/10—Dielectric resonators
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Transceivers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】大量生産においても、安定して誘電体と高周波
伝送線路との位置合わせを良好にする。 【解決手段】高周波伝送線路を有する基板と、前記高周
波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けられ
た誘電体共振器を有する高周波回路において、前記基板
の一部に穴部または中空部が形成されており、この穴部
または中空部に誘電体共振器を埋設した。また、同様の
目的で、基板に高周波伝送線路を形成する工程と、基板
に部分的に穴部または中空部を形成する工程と、基板表
面に形成された穴部に誘電体共振器を埋設する工程とに
より誘電体共振器を有する高周波回路を製造する。
伝送線路との位置合わせを良好にする。 【解決手段】高周波伝送線路を有する基板と、前記高周
波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けられ
た誘電体共振器を有する高周波回路において、前記基板
の一部に穴部または中空部が形成されており、この穴部
または中空部に誘電体共振器を埋設した。また、同様の
目的で、基板に高周波伝送線路を形成する工程と、基板
に部分的に穴部または中空部を形成する工程と、基板表
面に形成された穴部に誘電体共振器を埋設する工程とに
より誘電体共振器を有する高周波回路を製造する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器を内
蔵する高周波回路と、それを用いた発信器およびそれら
の製造方法に関する。
蔵する高周波回路と、それを用いた発信器およびそれら
の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】マイクロ波やミリ波などの高周波領域の
周波数処理回路においては、発振器の周波数安定化のた
めには位相雑音を低減することが必要である。また、位
相雑音を低減するには共振器の負荷Qを大きくすること
が効果的である。たとえばQの値を10倍にできれば、
位相雑音は1/100になる。
周波数処理回路においては、発振器の周波数安定化のた
めには位相雑音を低減することが必要である。また、位
相雑音を低減するには共振器の負荷Qを大きくすること
が効果的である。たとえばQの値を10倍にできれば、
位相雑音は1/100になる。
【0003】したがって、共振器の材質としては高Qの
誘電体を用い、形状としては所望の共振周波数となるよ
うに精密加工を行い、の発振部と高周波的に接続された
表面上のマイクロストリップ線路もしくは、の発振部と
高周波的に接続された別基板の表面に形成されたマイク
ロストリップ線路に電磁界結合するように低誘電率、低
誘電損失の接着剤をもしくは別基板に塗布し、精度よく
もしくは別基板の表面に高精度マウンタを用いて誘電体
共振器を搭載する。
誘電体を用い、形状としては所望の共振周波数となるよ
うに精密加工を行い、の発振部と高周波的に接続された
表面上のマイクロストリップ線路もしくは、の発振部と
高周波的に接続された別基板の表面に形成されたマイク
ロストリップ線路に電磁界結合するように低誘電率、低
誘電損失の接着剤をもしくは別基板に塗布し、精度よく
もしくは別基板の表面に高精度マウンタを用いて誘電体
共振器を搭載する。
【0004】このような技術は、たとえば、"European
Microwave Conference - Munich 1999"の197頁〜200
頁、"Millimeter - wave DRO with Excellent Temperat
ure Stability of Frequency"や、"1998 Asia - Pacifi
c Microwave Conference"の147頁〜150頁、"A novel mi
llimeter - wave multilayer IC with planer TE010 m
ode dielectric resonator"に記載されている。
Microwave Conference - Munich 1999"の197頁〜200
頁、"Millimeter - wave DRO with Excellent Temperat
ure Stability of Frequency"や、"1998 Asia - Pacifi
c Microwave Conference"の147頁〜150頁、"A novel mi
llimeter - wave multilayer IC with planer TE010 m
ode dielectric resonator"に記載されている。
【0005】また、特開平10−31219号公報に記
載のように、誘電体共振器を内蔵した(Microwave Mono
lithic Integrated Circuit)も知られている。すなわ
ち、高Qの誘電体で形成された共振器を、高周波集積回
路の基板表面に設けた凹部に埋設する方法も知られてい
る。
載のように、誘電体共振器を内蔵した(Microwave Mono
lithic Integrated Circuit)も知られている。すなわ
ち、高Qの誘電体で形成された共振器を、高周波集積回
路の基板表面に設けた凹部に埋設する方法も知られてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記した、発
振部と接続されたマイクロストリップ線路に電磁界結合
するように接着する方式の従来技術では、所望の周波
数、パワー、位相ノイズを得るためには共振器の形状や
マイクロストリップラインとの位置関係が難しいという問
題がある。
振部と接続されたマイクロストリップ線路に電磁界結合
するように接着する方式の従来技術では、所望の周波
数、パワー、位相ノイズを得るためには共振器の形状や
マイクロストリップラインとの位置関係が難しいという問
題がある。
【0007】具体的には、形状寸法ではねらい値の±0.
1%、位置関係では搭載精度が共振器寸法の±5%の精度
が要求されるため、形状については誘電体の研磨作業に
よるあわせ込みが、位置関係については高精度マウンタ
による搭載作業が必要となり大量生産が困難であり、安
価に製造できなかった。
1%、位置関係では搭載精度が共振器寸法の±5%の精度
が要求されるため、形状については誘電体の研磨作業に
よるあわせ込みが、位置関係については高精度マウンタ
による搭載作業が必要となり大量生産が困難であり、安
価に製造できなかった。
【0008】また、前記特開平10−93219号公報
に記載の方法では、集積回路すなわちMMICが共振器を搭
載する構造になるために、MMICは共振器以上の大きさが
必要である。しかし、高周波帯の集積回路基板として通
常採用されるGaAs等の材料は単位面積あたりの価格
が非常に高価であるため、安価なMMICの製造が困難とな
る。さらに、GaAs基板においては、比誘電率が約1
3と高いために、この中に共振器を埋設すると発振器と
しては誘電損が大きくなってしまう。この場合、折角、
高Qの誘電体を共振器として採用しているにもかかわら
ず、誘電損により発振器としてのQは引き下げられるた
めその効果を減少させてしまうので問題である。
に記載の方法では、集積回路すなわちMMICが共振器を搭
載する構造になるために、MMICは共振器以上の大きさが
必要である。しかし、高周波帯の集積回路基板として通
常採用されるGaAs等の材料は単位面積あたりの価格
が非常に高価であるため、安価なMMICの製造が困難とな
る。さらに、GaAs基板においては、比誘電率が約1
3と高いために、この中に共振器を埋設すると発振器と
しては誘電損が大きくなってしまう。この場合、折角、
高Qの誘電体を共振器として採用しているにもかかわら
ず、誘電損により発振器としてのQは引き下げられるた
めその効果を減少させてしまうので問題である。
【0009】本発明の目的は、誘電体の形状の研磨作業
等によるあわせ込みが不要で、誘電体と高周波伝送線路
との位置合わせが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる高周波半導体装置の実装構造及び製造方法
を提供することにある。
等によるあわせ込みが不要で、誘電体と高周波伝送線路
との位置合わせが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる高周波半導体装置の実装構造及び製造方法
を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、高周波伝送線路を有する基板と、前記基
板に設けられた誘電体共振器を有する高周波回路におい
て、前記基板は、前記誘電体共振器と前記高周波伝送線
路が電磁界結合する位置に穴部または中空部が形成され
ており、前記穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋
設されていることを特徴とする。
に、本発明は、高周波伝送線路を有する基板と、前記基
板に設けられた誘電体共振器を有する高周波回路におい
て、前記基板は、前記誘電体共振器と前記高周波伝送線
路が電磁界結合する位置に穴部または中空部が形成され
ており、前記穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋
設されていることを特徴とする。
【0011】本発明の他の特徴は、外部共振器を利用し
た発振器であって、前記外部共振器は、高周波伝送線路
を有する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合する
ように前記基板に設けられた誘電体共振器を有し、前記
基板は、低誘電体からなる第1の誘電体と第2の誘電体
を積層して構成されており、前記誘電体共振器は前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成され
ており、前記第1の誘電体一方の面にGND層が形成さ
れ、他方の面に前記高周波伝送路が形成されており、前
記第2の誘電体には、前記誘電体共振器が前記高周波伝
送線路に電磁界結合するのに適した位置に前記穴部が形
成されていることにある。
た発振器であって、前記外部共振器は、高周波伝送線路
を有する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合する
ように前記基板に設けられた誘電体共振器を有し、前記
基板は、低誘電体からなる第1の誘電体と第2の誘電体
を積層して構成されており、前記誘電体共振器は前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成され
ており、前記第1の誘電体一方の面にGND層が形成さ
れ、他方の面に前記高周波伝送路が形成されており、前
記第2の誘電体には、前記誘電体共振器が前記高周波伝
送線路に電磁界結合するのに適した位置に前記穴部が形
成されていることにある。
【0012】本発明の他の特徴は、外部共振器を利用し
た発振器であって、前記基板は、前記誘電体共振器は前
記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成
されており、前記基板は、低誘電体からなる第1の誘電
体と第2の誘電体を積層して構成されており、前記外部
共振器は、前記第1の誘電体の上に前記第2の誘電体が
積層され、前記第1の誘電体の一部は前記第2の誘電体
よりも側方に突出しており、前記第1の誘電体に設けら
れた第1のマイクロストリップ線路が前記第1の誘電体
の表面に露出しており、該第1のマイクロストリップ線
路が変換部により第1のコプレーナ線路に変換され、前
記発振器を構成するMMICが第2のコプレーナ線路を形成
していることにある。
た発振器であって、前記基板は、前記誘電体共振器は前
記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成
されており、前記基板は、低誘電体からなる第1の誘電
体と第2の誘電体を積層して構成されており、前記外部
共振器は、前記第1の誘電体の上に前記第2の誘電体が
積層され、前記第1の誘電体の一部は前記第2の誘電体
よりも側方に突出しており、前記第1の誘電体に設けら
れた第1のマイクロストリップ線路が前記第1の誘電体
の表面に露出しており、該第1のマイクロストリップ線
路が変換部により第1のコプレーナ線路に変換され、前
記発振器を構成するMMICが第2のコプレーナ線路を形成
していることにある。
【0013】本発明の他の特徴は、高周波伝送線路を有
する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合するよう
に前記基板に設けられた誘電体共振器を有する高周波半
導体装置の製造方法であって、誘電体からなる前記基板
に前記高周波伝送線路を形成する工程と、前記誘電体共
振器が前記高周波伝送線路に電磁界結合するのに適した
前記基板の所定位置に、部分的に穴部または中空部を形
成する工程と、前記穴部または中空部に前記誘電体共振
器を埋設する工程とを含むことにある。
する基板と、前記高周波伝送線路に電磁界結合するよう
に前記基板に設けられた誘電体共振器を有する高周波半
導体装置の製造方法であって、誘電体からなる前記基板
に前記高周波伝送線路を形成する工程と、前記誘電体共
振器が前記高周波伝送線路に電磁界結合するのに適した
前記基板の所定位置に、部分的に穴部または中空部を形
成する工程と、前記穴部または中空部に前記誘電体共振
器を埋設する工程とを含むことにある。
【0014】本発明の他の特徴は、前記基板を印刷法ま
たはラミネーション法により製造し、さらに、前記基板
を構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴
部または中空部を形成し、該穴部または中空部に前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体の固溶体を印刷し
て焼成することにより前記誘電体共振器を形成すること
にある。
たはラミネーション法により製造し、さらに、前記基板
を構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴
部または中空部を形成し、該穴部または中空部に前記基
板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体の固溶体を印刷し
て焼成することにより前記誘電体共振器を形成すること
にある。
【0015】本発明の他の特徴は、前記基板を構成する
誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部または中
空部を形成し、該穴部または中空部に接着剤を塗布し、
前記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体共振器をマ
ウントした後、前記接着剤を硬化させることにより前記
誘電体共振器を形成することにある。
誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部または中
空部を形成し、該穴部または中空部に接着剤を塗布し、
前記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体共振器をマ
ウントした後、前記接着剤を硬化させることにより前記
誘電体共振器を形成することにある。
【0016】本発明によれば、誘電体共振器と高周波伝
送線路との高精度な位置合わせが容易になり、周波数特
性の安定した高性能の発振器を安価に製造することが可
能になる。
送線路との高精度な位置合わせが容易になり、周波数特
性の安定した高性能の発振器を安価に製造することが可
能になる。
【0017】
【発明の実施の形態】まず、本発明の第1実施例になる
外部共振器とそれを利用した発振器の構造およびその実
装方法について説明する。
外部共振器とそれを利用した発振器の構造およびその実
装方法について説明する。
【0018】図1は、本発明の第1実施例になる外部共
振器の外観を示す斜視図である。外部共振器は、第1の
誘電体5およびこの上に積層される第2の誘電体3から
なる2枚の基板と、誘電体共振器1で構成される。第1
の誘電体5及び第2の誘電体3は、共に比誘電率10以
下の低誘電体である。第1の誘電体5の一方の面には、
Ag/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等によりベタGND層6が形成さ
れ、他方の面には同じくAg/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等によ
り伝送路4が形成される。第2の誘電体3には、穴部2
が形成され、この穴部2内には誘電体共振器1が埋設さ
れる。
振器の外観を示す斜視図である。外部共振器は、第1の
誘電体5およびこの上に積層される第2の誘電体3から
なる2枚の基板と、誘電体共振器1で構成される。第1
の誘電体5及び第2の誘電体3は、共に比誘電率10以
下の低誘電体である。第1の誘電体5の一方の面には、
Ag/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等によりベタGND層6が形成さ
れ、他方の面には同じくAg/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等によ
り伝送路4が形成される。第2の誘電体3には、穴部2
が形成され、この穴部2内には誘電体共振器1が埋設さ
れる。
【0019】穴部2は、埋設される誘電体共振器1が高
周波伝送線路4に電磁界結合するのに適した位置に、誘
電体共振器1の外形に対応した形状、例えば平面形状が
矩形の穴部として設けられる。なお、穴部2の代わりに
側面から中空部を設けて、これに誘電体共振器1を埋設
しても良い。あるいは、穴部2の代わりに、底のある凹
部を設けても良い。
周波伝送線路4に電磁界結合するのに適した位置に、誘
電体共振器1の外形に対応した形状、例えば平面形状が
矩形の穴部として設けられる。なお、穴部2の代わりに
側面から中空部を設けて、これに誘電体共振器1を埋設
しても良い。あるいは、穴部2の代わりに、底のある凹
部を設けても良い。
【0020】第1の誘電体5及び第2の誘電体3は、一
体のものとして形成してもよい。
体のものとして形成してもよい。
【0021】誘電体共振器1は、例えば比誘電率が約3
5、材料Qは約30000の誘電体である。誘電体共振
器1の材料としては、比誘電率が20〜100の間の材
料から選ばれる。例えば、Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、Ba(Zn1
/3Ta2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Ta2/3)O3、Ba(Mg1/3Nb2/3)O
3、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Nb2/3)O3、Ba(Sn,
Mg,Ta)O3、Ba(Zr,Zn,Ta)O3、(Zr,Sn)TiO4、BaTi
9O20、BaO-PbO-Na2O3-TiO2等があげられる。あるいは、
これらの材料の固溶体からなる群より選択される少なく
とも1種である。
5、材料Qは約30000の誘電体である。誘電体共振
器1の材料としては、比誘電率が20〜100の間の材
料から選ばれる。例えば、Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、Ba(Zn1
/3Ta2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Ta2/3)O3、Ba(Mg1/3Nb2/3)O
3、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/3Nb2/3)O3、Ba(Sn,
Mg,Ta)O3、Ba(Zr,Zn,Ta)O3、(Zr,Sn)TiO4、BaTi
9O20、BaO-PbO-Na2O3-TiO2等があげられる。あるいは、
これらの材料の固溶体からなる群より選択される少なく
とも1種である。
【0022】基板の製造方法としては、印刷法もしくは
ラミネーション法が採用される。印刷法の方がラミネー
ション法よりも簡便で設備も安くすむ。他方ラミネーシ
ョン法では各層ごとにグリーンシートの抜き型が必要で
設備が高い代わりに積層数を多く取れる。それぞれの利
点を考慮して、製造方法は決定される。
ラミネーション法が採用される。印刷法の方がラミネー
ション法よりも簡便で設備も安くすむ。他方ラミネーシ
ョン法では各層ごとにグリーンシートの抜き型が必要で
設備が高い代わりに積層数を多く取れる。それぞれの利
点を考慮して、製造方法は決定される。
【0023】基板をラミネーション法で製造する場合に
は、グリーンシートと呼ばれるセラミックスの未焼成で
ある生シートをパンチングマシンにより型を抜き、そう
してできた複数のグリーンシートを積層して加圧焼成す
ることによりセラミックス多層基板を作成する。
は、グリーンシートと呼ばれるセラミックスの未焼成で
ある生シートをパンチングマシンにより型を抜き、そう
してできた複数のグリーンシートを積層して加圧焼成す
ることによりセラミックス多層基板を作成する。
【0024】特に、低温同時焼成セラミック:LTCC(Low
Temperature Co-fired Ceramic)は広く普及しているア
ルミナセラミックと比較し、一般的に、高周波特性(低
誘電率、低抵抗導体)や寸法精度が良く、電子部品の高
周波帯域化・軽薄短小化に追従するパッケージ・基板材
料であり、本発明の基板材料として適している。
Temperature Co-fired Ceramic)は広く普及しているア
ルミナセラミックと比較し、一般的に、高周波特性(低
誘電率、低抵抗導体)や寸法精度が良く、電子部品の高
周波帯域化・軽薄短小化に追従するパッケージ・基板材
料であり、本発明の基板材料として適している。
【0025】具体的には、LTCCは、高精度な収縮率制御
を容易に実現し、導体パターンのLINE&SPACE
は、L/S=40/40μmのファインラインを実現
し、高精度加工性を有する。
を容易に実現し、導体パターンのLINE&SPACE
は、L/S=40/40μmのファインラインを実現
し、高精度加工性を有する。
【0026】誘電体共振器1の製造方法としては、第2
の誘電体3の穴部2に誘電体の固溶体を印刷して焼成す
る。このとき、誘電体の焼成時にともなう収縮率公差は
±0.1%なので、第2の誘電体3の穴部2の形状を作成
するマスクもしくは抜き型のみを精密加工すれば、誘電
体共振器1としての形状も設計値の±0.1%に収まり、
かつ誘電体の高周波伝送路4への搭載精度も共振器寸法
の±5%に収まる。従って、本発明によれば、外部共振
器の大量生産が可能となり、非常に生産性にすぐれてい
る。
の誘電体3の穴部2に誘電体の固溶体を印刷して焼成す
る。このとき、誘電体の焼成時にともなう収縮率公差は
±0.1%なので、第2の誘電体3の穴部2の形状を作成
するマスクもしくは抜き型のみを精密加工すれば、誘電
体共振器1としての形状も設計値の±0.1%に収まり、
かつ誘電体の高周波伝送路4への搭載精度も共振器寸法
の±5%に収まる。従って、本発明によれば、外部共振
器の大量生産が可能となり、非常に生産性にすぐれてい
る。
【0027】誘電体共振器1の他の製造方法としては、
第2の誘電体3の穴部2に比誘電率10以下の接着剤を
塗布し、固体の誘電体共振器1をマウントした後、接着
剤を硬化させる。この場合、誘電体共振器1としての形
状については個別に精度を出す必要があるが、誘電体の
高周波伝送路4への搭載精度は共振器寸法の±5%に収
まる。従って、この製造方法でも、外部共振器の大量生
産が可能となり、非常にすぐれている。
第2の誘電体3の穴部2に比誘電率10以下の接着剤を
塗布し、固体の誘電体共振器1をマウントした後、接着
剤を硬化させる。この場合、誘電体共振器1としての形
状については個別に精度を出す必要があるが、誘電体の
高周波伝送路4への搭載精度は共振器寸法の±5%に収
まる。従って、この製造方法でも、外部共振器の大量生
産が可能となり、非常にすぐれている。
【0028】次に、図1の外部共振器を利用した発振器
の実装構造の第一の実施例について、図2を用いて、説
明する。第1の誘電体5の上に第2の誘電体3が積層さ
れる。このとき、第1の誘電体5の一部は第2の誘電体
3よりも側方に突出している。伝送路4の一部がこの積
層部から露出して、第1のマイクロストリップ線路7を
形成している。発振器を構成するMMIC10は、第2のマ
イクロストリップ線路8を形成している。本構成によれ
ば、第1のマイクロストリップ線路7と第2のマイクロ
ストリップ線路8を、Auリボン線9、Au線等で容易に接
続できる。
の実装構造の第一の実施例について、図2を用いて、説
明する。第1の誘電体5の上に第2の誘電体3が積層さ
れる。このとき、第1の誘電体5の一部は第2の誘電体
3よりも側方に突出している。伝送路4の一部がこの積
層部から露出して、第1のマイクロストリップ線路7を
形成している。発振器を構成するMMIC10は、第2のマ
イクロストリップ線路8を形成している。本構成によれ
ば、第1のマイクロストリップ線路7と第2のマイクロ
ストリップ線路8を、Auリボン線9、Au線等で容易に接
続できる。
【0029】次に、図1の外部共振器を利用した発振器
の別の実装構造について、図3を用い説明する。第1の
誘電体5の上に第2の誘電体3が積層される。このと
き、第1の誘電体5の一部は第2の誘電体3よりも側方
に突出して伝送路4が積層部から露出しており、第1の
マイクロストリップ線路7を形成している。第1のマイ
クロストリップ線路7は変換部13により第1のコプレ
ーナ線路11に変換される。発振器を構成するMMIC10
は、第2のコプレーナ線路12を形成している。本構成
の発振器によれば、第1のコプレーナ線路11と第2の
コプレーナ線路12を半田バンプ14やAuピラー等で容
易に接続できる。
の別の実装構造について、図3を用い説明する。第1の
誘電体5の上に第2の誘電体3が積層される。このと
き、第1の誘電体5の一部は第2の誘電体3よりも側方
に突出して伝送路4が積層部から露出しており、第1の
マイクロストリップ線路7を形成している。第1のマイ
クロストリップ線路7は変換部13により第1のコプレ
ーナ線路11に変換される。発振器を構成するMMIC10
は、第2のコプレーナ線路12を形成している。本構成
の発振器によれば、第1のコプレーナ線路11と第2の
コプレーナ線路12を半田バンプ14やAuピラー等で容
易に接続できる。
【0030】本発明の実施例では、誘電体共振器1と高
周波伝送線路4もしくはマイクロストリップ線路7との
相対関係が重要となってくる。そのため、たとえば、予
め高精度なラミネーション法によるプロセスで、生シー
トに誘電体共振器1を埋設するキャビティーをグリーン
シートに形成する。さらに、別のグリーンシートに、誘
電体共振器1と電磁結合させる高周波伝送線路4もしく
はマイクロストリップ線路7を高精度な位置決めのもと
に製造することができる。これらの一対のグリーンシー
トの相対関係は、グリーンシート位置決め部により高精
度に配置されるので、誘電体共振器1と高周波伝送線路
4もしくはマイクロストリップ線路7の相対位置関係を
高精度なものにすることができる。しかも、製法は簡単
であり、非常に生産性にすぐれている。
周波伝送線路4もしくはマイクロストリップ線路7との
相対関係が重要となってくる。そのため、たとえば、予
め高精度なラミネーション法によるプロセスで、生シー
トに誘電体共振器1を埋設するキャビティーをグリーン
シートに形成する。さらに、別のグリーンシートに、誘
電体共振器1と電磁結合させる高周波伝送線路4もしく
はマイクロストリップ線路7を高精度な位置決めのもと
に製造することができる。これらの一対のグリーンシー
トの相対関係は、グリーンシート位置決め部により高精
度に配置されるので、誘電体共振器1と高周波伝送線路
4もしくはマイクロストリップ線路7の相対位置関係を
高精度なものにすることができる。しかも、製法は簡単
であり、非常に生産性にすぐれている。
【0031】高周波モジュールはアンテナと、図2や図
3に示した発振器と、リッドよりなる。以下、本発明の
一実施例になる外部共振器を用いた高周波モジュールの
実施例について説明する。
3に示した発振器と、リッドよりなる。以下、本発明の
一実施例になる外部共振器を用いた高周波モジュールの
実施例について説明する。
【0032】まず、本発明が適用される車両のドップラ
ーレーダ用高周波モジュールの回路構成例を、図4で説
明する。高周波モジュール63は、送信機能部64と受
信機能部68を有している。送信機能部64は、外部共
振器1とMMIC10で構成される発振器64Aを有し、こ
の発振器が出力する高周波信号を増幅器64Bで増幅
し、送信アンテナ15Aを介して車両前方空間に出力す
る。受信機能部68は、受信アンテナ15B、15Cが
受信した対象物からの反射波と、発振器64Aの出力信
号を受信器68のダウンコンバーター68A、68Bに
よりダウンコンバートし、ドップラー信号を取り出す。
なお、増幅器64Bは、MMIC10の一部として構成して
もよい。
ーレーダ用高周波モジュールの回路構成例を、図4で説
明する。高周波モジュール63は、送信機能部64と受
信機能部68を有している。送信機能部64は、外部共
振器1とMMIC10で構成される発振器64Aを有し、こ
の発振器が出力する高周波信号を増幅器64Bで増幅
し、送信アンテナ15Aを介して車両前方空間に出力す
る。受信機能部68は、受信アンテナ15B、15Cが
受信した対象物からの反射波と、発振器64Aの出力信
号を受信器68のダウンコンバーター68A、68Bに
よりダウンコンバートし、ドップラー信号を取り出す。
なお、増幅器64Bは、MMIC10の一部として構成して
もよい。
【0033】次に、図2の実施例の構造の送信機能部を
有する高周波モジュール63の、第一の実装方法につい
て、図5〜図7を用いて説明する。図5〜図7は、本発
明の実施例に基づく高周波モジュールの送信機能部の分
解斜視図である。図5は、送信機能部の下部すなわち第
3の誘電体17部分を示し、図6は、送信機能部の中間
部すなわち第1の誘電体5とその上の第2の誘電体3部
分を示し、図7は、送信機能部の上部すなわち第4の誘
電体25とその上のリッド23の部分を示している。
有する高周波モジュール63の、第一の実装方法につい
て、図5〜図7を用いて説明する。図5〜図7は、本発
明の実施例に基づく高周波モジュールの送信機能部の分
解斜視図である。図5は、送信機能部の下部すなわち第
3の誘電体17部分を示し、図6は、送信機能部の中間
部すなわち第1の誘電体5とその上の第2の誘電体3部
分を示し、図7は、送信機能部の上部すなわち第4の誘
電体25とその上のリッド23の部分を示している。
【0034】高周波モジュールの製造プロセスとして
は、送信機能部の誘電体17部分、第1の誘電体5、第
2の誘電体3部分、第4の誘電体25、リッド23の部
分を個別にラミネーション法によるプロセスで製作し、
さらに、これらを下から順次積層して一体化する。
は、送信機能部の誘電体17部分、第1の誘電体5、第
2の誘電体3部分、第4の誘電体25、リッド23の部
分を個別にラミネーション法によるプロセスで製作し、
さらに、これらを下から順次積層して一体化する。
【0035】図5において、送信機能部の下部には、ア
ンテナパターン15が設けられている。すなわち、第3
の誘電体17の一方の面にベタGND層18が形成され、
他方の面に送信アンテナ15A、受信アンテナ15B、
15Cに相当するアンテナパターン15が形成されてい
る。アンテナパターン15は、Ag/Pd、Ag、Au、Ag/Pt
等の多層の金属で形成され、給電部であるスルービア1
6に接続される。スルービア16は、Ag/Pd、Ag、Au、
Ag/Pt等で形成し、第3の誘電体17及び第1の誘電体
5を貫通して、第1の誘電体5に形成する第1のマイク
ロストリップ線路7に接続される。
ンテナパターン15が設けられている。すなわち、第3
の誘電体17の一方の面にベタGND層18が形成され、
他方の面に送信アンテナ15A、受信アンテナ15B、
15Cに相当するアンテナパターン15が形成されてい
る。アンテナパターン15は、Ag/Pd、Ag、Au、Ag/Pt
等の多層の金属で形成され、給電部であるスルービア1
6に接続される。スルービア16は、Ag/Pd、Ag、Au、
Ag/Pt等で形成し、第3の誘電体17及び第1の誘電体
5を貫通して、第1の誘電体5に形成する第1のマイク
ロストリップ線路7に接続される。
【0036】また、第3の誘電体17のアンテナパター
ン15を形成する面の他方の面において、スルービア1
6の周辺は、特性インピーダンスが50Ωとなるように
調節され、また、スルービア16周辺以外の他の領域に
は、全面がベタでAg/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等によりGND
層18が形成されている。
ン15を形成する面の他方の面において、スルービア1
6の周辺は、特性インピーダンスが50Ωとなるように
調節され、また、スルービア16周辺以外の他の領域に
は、全面がベタでAg/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等によりGND
層18が形成されている。
【0037】次に、図6により送信機能部の中間部、す
なわち発振器部分について説明する。第1の誘電体5に
設けられた穴部50すなわちMMIC10の搭載窓は、第2
の誘電体3に設けられた穴部30すなわちMMIC10の搭
載窓より小さく、その結果、第1の誘電体5に設けられ
た第1のマイクロストリップ線路7の一部が第2の誘電
体3に設けられた穴部30に面して露出している。
なわち発振器部分について説明する。第1の誘電体5に
設けられた穴部50すなわちMMIC10の搭載窓は、第2
の誘電体3に設けられた穴部30すなわちMMIC10の搭
載窓より小さく、その結果、第1の誘電体5に設けられ
た第1のマイクロストリップ線路7の一部が第2の誘電
体3に設けられた穴部30に面して露出している。
【0038】発振器を構成するMMIC10には、第2のマ
イクロストリップ線路8が形成されており、第3の誘電
体17のベタGND層18に導電性の接着剤等でダイボン
ディングされる。この時、MMIC10の下面のGND層と第
3の誘電体17のベタGND層18とは、電気的に接続さ
れる。第1のマイクロストリップ線路7と第2のマイク
ロストリップ線路8は、Auリボン線9やAu線等で接続さ
れている。第2の誘電体3には穴部2が形成され、この
穴部2内には誘電体共振器1が格納される。また、電源
および信号線路19が、第1の誘電体5に形成され、第
2の誘電体3に形成されるスルービア21を介して第2
の誘電体3の側面に電極20が取り出されている。
イクロストリップ線路8が形成されており、第3の誘電
体17のベタGND層18に導電性の接着剤等でダイボン
ディングされる。この時、MMIC10の下面のGND層と第
3の誘電体17のベタGND層18とは、電気的に接続さ
れる。第1のマイクロストリップ線路7と第2のマイク
ロストリップ線路8は、Auリボン線9やAu線等で接続さ
れている。第2の誘電体3には穴部2が形成され、この
穴部2内には誘電体共振器1が格納される。また、電源
および信号線路19が、第1の誘電体5に形成され、第
2の誘電体3に形成されるスルービア21を介して第2
の誘電体3の側面に電極20が取り出されている。
【0039】次に、図7において、送信機能部の上部す
なわち第4の誘電体25は、誘電率10以下の低誘電体
であり、この誘電体に、Ag/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等で、
第2の誘電体3側面の電極20を延長するスルービア2
1と共にリッド接合用パターン24が形成されている。
また、第4の誘電体25には、10の上部に設けられた
開口40と、誘電体共振器1の上部に設けられた開口4
2とがある。
なわち第4の誘電体25は、誘電率10以下の低誘電体
であり、この誘電体に、Ag/Pd、Ag、Au、Ag/Pt等で、
第2の誘電体3側面の電極20を延長するスルービア2
1と共にリッド接合用パターン24が形成されている。
また、第4の誘電体25には、10の上部に設けられた
開口40と、誘電体共振器1の上部に設けられた開口4
2とがある。
【0040】次に、リッド23について説明する。リッ
ド23は、誘電率10以下の低誘電体であり、第2の誘
電体3側面の電極20を延長するスルービア21と、第
4の誘電体25のリッド接合パターン24と相対する接
合パターンが設けられており、リッド接合パターン24
と反対の面には、第2の誘電体3の側面の電極20に接
続する外部取り付け電極22が形成されている。
ド23は、誘電率10以下の低誘電体であり、第2の誘
電体3側面の電極20を延長するスルービア21と、第
4の誘電体25のリッド接合パターン24と相対する接
合パターンが設けられており、リッド接合パターン24
と反対の面には、第2の誘電体3の側面の電極20に接
続する外部取り付け電極22が形成されている。
【0041】この時、誘電率の異なる様々な誘電体を一
つの印刷法やラミネーション法、もしくは組み合わせの
方法で製造できるので、高周波回路を簡便にかつ安価に
でき、非常に優れている。
つの印刷法やラミネーション法、もしくは組み合わせの
方法で製造できるので、高周波回路を簡便にかつ安価に
でき、非常に優れている。
【0042】ラミネーション法を採用した製造プロセス
では、1枚のグリーンシートに高周波モジュール複数台
分を作成することができるので、グリーンシート間の位
置決めプロセスの回数が従来のように高周波モジュール
毎にやる場合よりも少なくなり、非常に生産性にすぐれ
ている。
では、1枚のグリーンシートに高周波モジュール複数台
分を作成することができるので、グリーンシート間の位
置決めプロセスの回数が従来のように高周波モジュール
毎にやる場合よりも少なくなり、非常に生産性にすぐれ
ている。
【0043】なお、発振器として図3の構造を使用し、
外部共振器とで高周波モジュールを構成しても、同様の
効果を得ることができる。
外部共振器とで高周波モジュールを構成しても、同様の
効果を得ることができる。
【0044】次に、上記高周波モジュールを用いた車載
レーダの一実施例について、図8、図9を用いて説明す
る。図8は車載レーダの縦断面図、図9は車載レーダの
回路図である。
レーダの一実施例について、図8、図9を用いて説明す
る。図8は車載レーダの縦断面図、図9は車載レーダの
回路図である。
【0045】車載レーダは、信号処理回路61と、高周
波モジュール63と、アンテナ15で構成される。電源
がコネクタ60より信号処理回路61に供給され、同時
に信号処理回路61は、半田バンプ62を通して高周波
モジュール63に所定の電源を供給する。
波モジュール63と、アンテナ15で構成される。電源
がコネクタ60より信号処理回路61に供給され、同時
に信号処理回路61は、半田バンプ62を通して高周波
モジュール63に所定の電源を供給する。
【0046】高周波モジュール63は、外部共振器1と
MMIC10で構成される発振器64Aを有し、MIC10は
76GHzのミリ波を発生し、このミリ波は増幅器を構成
するMMIC65で増幅され、給電点66を通って、アンテ
ナ15Aに給電される。ミリ波は、アンテナ15Aから
車両前方の空間に送信される。
MMIC10で構成される発振器64Aを有し、MIC10は
76GHzのミリ波を発生し、このミリ波は増幅器を構成
するMMIC65で増幅され、給電点66を通って、アンテ
ナ15Aに給電される。ミリ波は、アンテナ15Aから
車両前方の空間に送信される。
【0047】一方、受信アンテナ15B、15Cは、目
標物に当たった後の反射波を受信する。受信波は受信器
を構成するMMIC68にて送信波とミキシングされ、IF信
号として半田バンプ62を経て信号処理回路61に送ら
れ、信号処理部61A(図9参照)でレーダを搭載する
車両等と目標物との相対速度情報、距離情報、角度情報
等が、各種アルゴリズムに基づいた信号処理により計算
される。これらの結果はコネクタ60を通して出力され
る。また、電源部61Bにより、高周波モジュール63
の各MMICにバイアス電源を供給する。
標物に当たった後の反射波を受信する。受信波は受信器
を構成するMMIC68にて送信波とミキシングされ、IF信
号として半田バンプ62を経て信号処理回路61に送ら
れ、信号処理部61A(図9参照)でレーダを搭載する
車両等と目標物との相対速度情報、距離情報、角度情報
等が、各種アルゴリズムに基づいた信号処理により計算
される。これらの結果はコネクタ60を通して出力され
る。また、電源部61Bにより、高周波モジュール63
の各MMICにバイアス電源を供給する。
【0048】信号処理部61Aで得られる相対速度情
報、距離情報、角度情報等の精度は、発振器のQによる
ところが大きい。このQは、外部共振器の誘電体共振器
1の材料Qと誘電体共振器1と高周波伝送線路4もしく
はマイクロストリップ線路7との位置合わせによる。
報、距離情報、角度情報等の精度は、発振器のQによる
ところが大きい。このQは、外部共振器の誘電体共振器
1の材料Qと誘電体共振器1と高周波伝送線路4もしく
はマイクロストリップ線路7との位置合わせによる。
【0049】本発明によれば、誘電体共振器1と高周波
伝送線路もしくはマイクロストリップ線路との位置合わ
せが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価に製造できる
ので、高精度で安価な車載レーダを提供することができ
る。
伝送線路もしくはマイクロストリップ線路との位置合わ
せが良好な高周波回路を、簡便にかつ安価に製造できる
ので、高精度で安価な車載レーダを提供することができ
る。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、発信機を構成する誘電
体と高周波伝送線路との位置合わせを高精度に行うこと
ができるため、発振器の周波数の安定化が図れる。しか
も、このような高精度の高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる。したがって、これを応用した、高精度で
安価な車載レーダを提供することができる。
体と高周波伝送線路との位置合わせを高精度に行うこと
ができるため、発振器の周波数の安定化が図れる。しか
も、このような高精度の高周波回路を、簡便にかつ安価
に製造できる。したがって、これを応用した、高精度で
安価な車載レーダを提供することができる。
【図1】 本発明の第1実施例になる外部共振器の外観
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図2】 図1の外部共振器を利用した発振器の実装構
造の第一の実施例の外観を示す斜視図である。
造の第一の実施例の外観を示す斜視図である。
【図3】 図1の外部共振器を利用した発振器の実装構
造の他の実施例の外観を示す斜視図である。
造の他の実施例の外観を示す斜視図である。
【図4】 本発明が適用される車両のドップラーレーダ
用高周波モジュールの回路構成例を示す斜視図である。
用高周波モジュールの回路構成例を示す斜視図である。
【図5】 本発明の実施例に基づく高周波モジュールの
送信機能部の、下部の分解斜視図である。
送信機能部の、下部の分解斜視図である。
【図6】 本発明の実施例に基づく高周波モジュールの
送信機能部の、中間部の分解斜視図である。
送信機能部の、中間部の分解斜視図である。
【図7】 本発明の実施例に基づく高周波モジュールの
送信機能部の、上部の分解斜視図である。
送信機能部の、上部の分解斜視図である。
【図8】 図5〜図8に示した高周波モジュールを用い
た車載レーダの一実施例を示す縦断面図である。
た車載レーダの一実施例を示す縦断面図である。
【図9】 図8に示した車載レーダの回路図である。
1…誘電体共振器 2…穴部 3…第2の誘電体 4…
伝送路 5…第1の誘電体 6…GND 7…第1のマイ
クロストリップ線路 8…第2のマイクロストリップ線
路 9…Auリボン線 10…MMIC 11…第1のコプレ
ーナ線路 12…第2のコプレーナ線路 13…変換部
14…半田バンプ 15…アンテナパターン 16…
スルービア 17…第3の誘電体 18…GND 19…
電源・信号線路 20…電極 21…スルービア 22
…外部取り付け電極 23…リッド 24…リッド接合
用パターン 25…第4の誘電体 60…コネクタ 6
1…信号処理回路 62…半田バンプ 63…高周波モ
ジュール 64A…発振器64B…増幅器 65…MMIC
(増幅器) 66…給電点 68…MMIC(受信器)。
伝送路 5…第1の誘電体 6…GND 7…第1のマイ
クロストリップ線路 8…第2のマイクロストリップ線
路 9…Auリボン線 10…MMIC 11…第1のコプレ
ーナ線路 12…第2のコプレーナ線路 13…変換部
14…半田バンプ 15…アンテナパターン 16…
スルービア 17…第3の誘電体 18…GND 19…
電源・信号線路 20…電極 21…スルービア 22
…外部取り付け電極 23…リッド 24…リッド接合
用パターン 25…第4の誘電体 60…コネクタ 6
1…信号処理回路 62…半田バンプ 63…高周波モ
ジュール 64A…発振器64B…増幅器 65…MMIC
(増幅器) 66…給電点 68…MMIC(受信器)。
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Fターム(参考) 4G030 AA03 AA07 AA09 AA10 AA16
AA17 AA20 AA21 AA32 AA34
AA39 AA40 BA09 CA01
5J006 HC03 HC23 HC26
5J081 AA11 BB06 CC05 CC46 EE10
JJ02 JJ12 JJ14 MM07
5K011 DA02 DA03 DA05 JA01 KA18
Claims (13)
- 【請求項1】高周波伝送線路を有する基板と、前記基板
に設けられた誘電体共振器を有する高周波回路におい
て、 前記基板は、前記誘電体共振器と前記高周波伝送線路が
電磁界結合する位置に穴部または中空部が形成されてお
り、前記穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋設さ
れているとともに、前記基板は、比誘電率10以下の低
誘電体からなる第1の誘電体と第2の誘電体を積層して
構成され、前記第1の誘電体には前記高周波伝送路が形
成されており、前記第2の誘電体に前記穴部または前記
中空部が形成されていることを特徴とする高周波半導体
装置。 - 【請求項2】請求項1において、前記誘電体共振器は、
Ba(Mg1/3Ta2/3)O3、Ba(Zn1/3Ta2/3)O3、(Ba,Sr)(Ga1/
3Ta2/3)O3、Ba(Mg1/3Nb2/3)O3、Ba(Zn1/3Nb2/3)O3、(B
a,Sr)(Ga1/3Nb2/3)O3、Ba(Sn,Mg,Ta)O3、Ba(Zr,Zn,T
a)O3、(Zr,Sn)TiO4、BaTi9O20、BaO-PbO-Na2O3-TiO2、
あるいは、これらの材料の固溶体からなる群より選択さ
れる少なくとも1種であることを特徴とする高周波半導
体装置。 - 【請求項3】外部共振器を利用した発振器であって、 前記外部共振器は、高周波伝送線路を有する基板と、前
記高周波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設
けられた誘電体共振器を有し、 前記基板は、低誘電体からなる第1の誘電体と第2の誘
電体を積層して構成されており、前記誘電体共振器は前
記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体を用いて構成
されており、 前記第1の誘電体一方の面にGND層が形成され、他方の
面に前記高周波伝送路が形成されており、 前記第2の誘電体には、前記誘電体共振器が前記高周波
伝送線路に電磁界結合するのに適した位置に前記穴部が
形成されていることを特徴とする発振器。 - 【請求項4】外部共振器を利用した発振器であって、 前記基板は、前記誘電体共振器は前記基板の誘電体より
も高い誘電率の誘電体を用いて構成されており、 前記基板は、低誘電体からなる第1の誘電体と第2の誘
電体を積層して構成されており、 前記外部共振器は、前記第1の誘電体の上に前記第2の
誘電体が積層され、前記第1の誘電体の一部は前記第2
の誘電体よりも側方に突出しており、前記第1の誘電体
に設けられた第1のマイクロストリップ線路が前記第1
の誘電体の表面に露出しており、 該第1のマイクロストリップ線路が変換部により第1の
コプレーナ線路に変換され、 前記発振器を構成するMMICが第2のコプレーナ線路を形
成していることを特徴とする発振器。 - 【請求項5】送信機能部と受信機能部とを備えた高周波
モジュールであって、 前記送信機能部は、第3の誘電体部分、第1の誘電体、
第2の誘電体、第4の誘電体及びリッド部分が積層され
た構造を有しており、前記各誘電体は、比誘電率10以
下の低誘電体からなり、 前記第3の誘電体の一方の面にGND層が形成され、他方
の面にアンテナパターンが形成されており、 前記第1の誘電体に設けられたMMICの搭載窓が、前記第
2の誘電体に設けられた前記MMICの搭載窓より小さく、
前記第1の誘電体に設けられた第1のマイクロストリッ
プ線路の一部が前記第2の誘電体に設けられた搭載窓に
面して露出しており、前記MMICには第2のマイクロスト
リップ線路が形成されており、 前記第2の誘電体には、埋設される誘電体共振器が前記
高周波伝送線路に電磁界結合する位置に穴部が形成され
ており、該穴部内に前記誘電体共振器が格納されてお
り、該誘電体共振器は比誘電率が20〜100の間の誘
電体材料から選ばれたものであり、 前記第4の誘電体に、前記MMICの上部に設けられた開口
と、前記誘電体共振器の上部に設けられた開口とがあ
り、 前記リッドには、リッド接合パターン及び外部取り付け
電極が形成されている、ことを特徴とする高周波モジュ
ール。 - 【請求項6】信号処理回路と、高周波モジュールと、ア
ンテナで構成される車載レーダであって、前記高周波モ
ジュールは、外部共振器とMMICで構成される発振器を有
し、前記MMICはミリ波を発生し、該ミリ波が増幅され、
アンテナから車両前方の空間に送信されるように構成さ
れたものにおいて、 前記発振器は、高周波伝送線路を有する基板と、前記高
周波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けら
れた誘電体共振器を有し、前記基板は誘電体からなり、
前記基板の一部に穴部または中空部が形成されており、
該穴部または中空部に前記誘電体共振器が埋設されてい
ることを特徴とする車載レーダ。 - 【請求項7】高周波伝送線路を有する基板と、前記高周
波伝送線路に電磁界結合するように前記基板に設けられ
た誘電体共振器を有する高周波半導体装置の製造方法で
あって、 誘電体からなる前記基板に前記高周波伝送線路を形成す
る工程と、前記誘電体共振器が前記高周波伝送線路に電
磁界結合するのに適した前記基板の所定位置に、部分的
に穴部または中空部を形成する工程と、前記穴部または
中空部に前記誘電体共振器を埋設する工程とを含むこと
を特徴とする高周波半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】請求項7において、前記基板を印刷法によ
り製造することを特徴とする高周波半導体装置の製造方
法。 - 【請求項9】請求項7において、前記基板をラミネーシ
ョン法により製造することを特徴とする高周波半導体装
置の製造方法。 - 【請求項10】請求項8または9において、前記基板を
構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部
または中空部を形成し、該穴部または中空部に前記基板
の誘電体よりも高い誘電率の誘電体の固溶体を印刷して
焼成することにより、前記誘電体共振器を形成すること
を特徴とする高周波半導体装置の製造方法。 - 【請求項11】請求項8または9において、前記基板を
構成する誘電体にマスクもしくは抜き型により前記穴部
または中空部を形成し、該穴部または中空部に接着剤を
塗布し、前記基板の誘電体よりも高い誘電率の誘電体共
振器をマウントした後、前記接着剤を硬化させることに
より、前記誘電体共振器を形成することを特徴とする高
周波半導体装置の製造方法。 - 【請求項12】送信機能部と受信機能部とを備え、前記
送信機能部が、第3の誘電体部分、第1の誘電体、第2
の誘電体、第4の誘電体及びリッド部分が積層された構
造を有する高周波モジュールの製造方法であって、 前記各誘電体部分もしくは誘電体及び前記リッド部分
を、個別にラミネーション法によるプロセスで製作し、 前記第2の誘電体の、前記誘電体共振器が前記高周波伝
送線路に電磁界結合するのに適した位置に、部分的に穴
部または中空部を形成し、 該穴部に前記誘電体共振器を埋設し、 前記各誘電体及び前記リッド部分を順次積層して一体化
することを特徴とする高周波モジュールの製造方法。 - 【請求項13】請求項12において、 前記第2の誘電体に形成された穴部に、誘電体の固溶体
を印刷して前記誘電体共振器を焼成することを特徴とす
る高周波モジュールの製造方法。
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