JP2003197913A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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Abstract
変動しない半導体集積回路を提供する。 【解決手段】半導体基板の一主表面上に形成された出力
MOSトランジスタ(M1)と、トランジスタ(M1)
の過電流を検出する過電流検出回路105と、トランジ
スタ(M1)のゲート電極端子とソース電極端子間に接
続され、過電流検出回路105の検出電流を制御し、ト
ランジスタ(M1)のしきい値電圧の変動に応じて、そ
の出力電圧が変動する過電流制限回路102とを備え、
過電流検出回路105のトランジスタM2と過電流制限
回路102のトランジスタM3を縦接続し、トランジス
タM3のしき値をトランジスタ(M1)のしきい値電圧
の変動に応じて、変動させる。
Description
関し、特に、出力MOSトランジスタのしきい値電圧の
変動に応じてその出力電圧が変動する過電流制限回路を
含むに半導体集積回路に関する。
積回路としては、出力MOSトランジスタのゲート・ソ
ース間電圧にツェナーダイオードを接続し、ツェナー電
圧で制御する第1の過電流制限回路、または、ゲート・
ソース間電圧にダイオードを数個接続し、順方向電圧で
制御する第2の過電流制限回路が周知である。
積回路は、例えば、特公平06−091262号公報に
開示されている。図4は、上述の特公平06−0912
62号公報に開示されている過電流制限回路を含むに半
導体集積回路の回路図である。
を含むに半導体集積回路400は、出力MOSトランジ
スタ(M41)のしきい値に無関係で、ダイオード(D
1、D2、D3)のツェナー電圧又は順方向電圧で定電
圧を出力する構成である。
過電流制限回路を含むに半導体集積回路400は、出力
MOSトランジスタ(M41)が過電流状態になると、
出力MOSトランジスタ(M41)のドレイン電圧が上
昇し、第2のMOSトランジスタ(M42)がオン状態
となる。その後、出力MOSトランジスタ(M41)の
ゲート・ソース間電圧をダイオード3段(D1〜D3)
の順方向電圧で制限して、出力MOSトランジスタ(M
41)の出力電流を制限する。
過電流制限回路を含むに半導体集積回路では、出力MO
SトランジスタM41の電流がバラつく。
値の一番大きなバラツキ要因は、出力MOSトランジス
タM41のしきい値電圧の変動である。特に、出力MO
Sトランジスタの性能が良くなるとこのバラツキは大き
くなる一方である。
に半導体集積回路は、出力MOSトランジスタのしきい
値電圧の変動した場合においても定電圧回路の出力電圧
が変化しないため、電流制限値が大きく変動するという
欠点がある。
は、半導体基板の一主表面上に形成された出力電界効果
トランジスタと、前記出力電界効果トランジスタの過電
流を検出する過電流検出回路と、前記出力電界効果トラ
ンジスタのゲート電極端子とソース電極端子間に接続さ
れ、前記過電流検出回路の検出電流を制御し、前記出力
電界効果トランジスタのしきい値電圧の変動に応じて、
その出力電圧が変動する過電流制限回路とを備える構成
である。
記過電流検出回路は、前記出力電界効果トランジスタの
過電流を検出する直列接続された第3の抵抗および第4
の抵抗と、前記第3の抵抗および第4の抵抗の接続点に
そのゲート電極を接続した第2の電界効果トランジスタ
とを具備する構成である。
記過電流制限回路は、前記出力電界効果トランジスタの
ゲート電極端子とソース電極端子間に接続され、直列接
続された第1の抵抗および第2の抵抗と、前記第1の抵
抗および第2の抵抗の接続点にそのゲート電極を接続
し、前記出力電界効果トランジスタのゲート電極端子と
ソース電極端子間に、前記第2の電界効果トランジスタ
と縦接続された第3の電界効果トランジスタとを具備す
る構成である。
3の電界効果トランジスタは、そのソース領域が前記出
力電界効果トランジスタのしきい値電圧を決定するベー
ス拡散層と同一工程で形成された拡散層を有する構成で
ある。
記出力電界効果トランジスタ、前記第2の電界効果トラ
ンジスタおよび前記第3の電界効果トランジスタのそれ
ぞれは、同一導電型の電界効果トランジスタで形成され
る構成である。
明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の第
1の実施の形態の半導体集積回路のブロック図である。
形態の半導体集積回路100は、シリコン基板上に形成
されたNチャネル出力MOSトランジスタ(M1)と、
Nチャネル出力MOSトランジスタ(M1)の過電流を
検出する過電流検出回路105と、Nチャネル出力MO
Sトランジスタ(M1)のゲート電極端子とソース電極
端子間に接続され、過電流検出回路105の検出電流を
制御し、Nチャネル出力MOSトランジスタ(M1)の
しきい値電圧の変動に応じて、その出力電圧が変動する
過電流制限回路102とを備える。
集積回路100の過電流検出回路105は、出力トラン
ジスタ(M1)のドレイン端子とソース端子間電圧を検
出するため、直列接続された第3、第4の抵抗(R3、
R4)と、第3の抵抗および第4の抵抗の接続点にその
ゲート電極を接続した過電流を検出するトランジスタ
(M2)とから構成される。
体集積回路100の過電制限回路102は、過電流検出
回路105の過電流を制限するよう、出力トランジスタ
(M1)のゲート電圧を決定する第1、第2の抵抗(R
1、R2)と、出力MOSトランジスタ(M1)のしき
い値電圧を決定するベース拡散層と同一工程で形成した
拡散層を有するトランジスタ(M3)とを具備する。
MOSトランジスタ(M1)のゲート電極端子とソース
電極端子間に接続され、直列接続された第1の抵抗およ
び第2の抵抗と、第1の抵抗および第2の抵抗の接続点
にそのゲート電極を接続し、出力MOSトランジスタの
ゲート電極端子とソース電極端子間に、第2のNチャネ
ルMOSトランジスタ(M2)と縦接続された第3のN
チャネルMOSトランジスタ(M3)とを有する。
0の内部で発生する節点4の定電圧VGSは、第3のN
チャネルMOSトランジスタ(M3)のしきい値VTM
3と抵抗(R1、R2)の抵抗値(r1、r2)を用い
て、以下のような式で表される。
圧が出力トランジスタ(M1)のしきい値電圧と連動する
ことで、電流制限値のバラツキは低減できる。
0は、出力MOSトランジスタM1のしきい値(VTM
1)と連動して変化する定電圧出力の過電流制限回路1
02を有している。この過電流制限回路は、出力MOS
トランジスタとしきい値が連動する第3のMOSトラン
ジスタ(M3)と抵抗(R1、R2)で構成されることを特
徴とする。
集積回路の動作を説明する。
路100は、出力MOSトランジスタ(M1)が過電流
状態になると、出力MOSトランジスタ(M1)のドレ
イン電圧が上昇し、第2のトランジスタ(M2)がオン
状態となる。
のゲート・ソース間電圧を第3のMOSトランジスタ
(M3)と抵抗(R1とR2)で構成される定電圧回路であ
る過電流制限回路102で制限し、出力MOSトランジ
スタ(M1)の出力過電流を制限する。
1)の作用は、出力MOSトランジスタのしきい値電圧
を決定するベース拡散層と同一工程で形成した拡散層を
有するため、出力MOSトランジスタのしきい値電圧と
連動させることである。
の半導体基板上の半導体集積回路の模式的な断面構造図
である。
路100は、例えば、シリコン基板202上に形成さ
れ、出力MOSトランジスタM1は、ゲート電極243
とドレイン領域202とソース領域214とを有する。
そして、出力MOSトランジスタM1のしきい値電圧を
決定するベース拡散層(Pbase)221が形成され
る。
−well領域220内に形成される。そして、第3の
MOSトランジスタ(M3)は、ポリシリコン層で形成
されたゲート層240と、ドレイン領域222と、ソー
ス領域224とを有し、そのソース領域224にベース
拡散層(Pbase)223が形成される。さらに、第
3のMOSトランジスタ(M3)には、ドレイン電極2
05とソース電極206が形成される。
は、不純物の一例として、ドーズ量が3.4E13のボ
ロンをイオン注入することにより、形成される。
およびトランジスタM3のしきい値のそれぞれは、1.
8V程度となる。
体集積回路の特性を示す図であり、本発明の実施の形態
の半導体集積回路の出力電流波形図である。
出力MOSトランジスタM1の特性は、実線31、3
2、33のようになるが、第3のMOSトランジスタの
しきい値は、出力MOSトランジスタのしきい値電圧と
連動するので、出力MOSトランジスタM1のゲート電
圧がVGS31、VGS32、VGS33と変動しても
その出力電流ID0は、ほとんど変動しない。
は、Nチャネル出力MOSトランジスタ(M1)の過電
流を検出する過電流検出回路105と、Nチャネル出力
MOSトランジスタ(M1)のゲート電極端子とソース
電極端子間に接続され、過電流検出回路105の検出電
流を制御し、Nチャネル出力MOSトランジスタ(M
1)のしきい値電圧の変動に応じて、その出力電圧が変
動する過電流制限回路104とを備え、出力MOSトラ
ンジスタのしきい値に連動して定電圧を出力する電流制
限回路を構成することで、電流制限値のバラツキを抑え
ることが出来る。
ブロック図である。
半導体基板の断面構造図である。
特性を示す図であり、本発明の実施の形態の半導体集積
回路の出力電流波形図である。
Claims (7)
- 【請求項1】 半導体基板の一主表面上に形成された出
力電界効果トランジスタと、 前記出力電界効果トランジスタの過電流を検出する過電
流検出回路と、 前記出力電界効果トランジスタのゲート電極端子とソー
ス電極端子間に接続され、前記過電流検出回路の検出電
流を制御し、前記出力電界効果トランジスタのしきい値
電圧の変動に応じて、その出力電圧が変動する過電流制
限回路とを備えること特徴とする半導体集積回路。 - 【請求項2】 前記過電流検出回路は、前記出力電界効
果トランジスタの過電流を検出する直列接続された第3
の抵抗および第4の抵抗と、 前記第3の抵抗および第4の抵抗の接続点にそのゲート
電極を接続した第2の電界効果トランジスタとを具備す
る請求項1記載の半導体集積回路。 - 【請求項3】 前記過電流制限回路は、前記出力電界効
果トランジスタのゲート電極端子とソース電極端子間に
接続され、直列接続された第1の抵抗および第2の抵抗
と、 前記第1の抵抗および第2の抵抗の接続点にそのゲート
電極を接続し、前記出力電界効果トランジスタのゲート
電極端子とソース電極端子間に、前記第2の電界効果ト
ランジスタと縦接続された第3の電界効果トランジスタ
とを具備する請求項2記載の半導体集積回路。 - 【請求項4】 前記第3の電界効果トランジスタは、そ
のソース領域が前記出力電界効果トランジスタのしきい
値電圧を決定するベース拡散層と同一工程で形成された
拡散層を有する請求項3記載の半導体集積回路。 - 【請求項5】 前記出力電界効果トランジスタ、前記第
2の電界効果トランジスタおよび前記第3の電界効果ト
ランジスタのそれぞれは、同一導電型の電界効果トラン
ジスタで形成された請求項3または4載の半導体集積回
路。 - 【請求項6】 前記同一導電型の電界効果トランジスタ
はNチャネルMOSトランジスタである請求項5記載の
半導体集積回路。 - 【請求項7】 前記半導体基板は、シリコン基板である
請求項1、2、3、4、5または6記載の半導体集積回
路。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217332A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2007018636A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Elpida Memory Inc | 電流制限回路及び半導体記憶装置 |
JP2007116388A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2009230232A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
WO2010109596A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7230302B2 (en) * | 2004-01-29 | 2007-06-12 | Enpirion, Inc. | Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US8212315B2 (en) * | 2004-01-29 | 2012-07-03 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US8253195B2 (en) * | 2004-01-29 | 2012-08-28 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US8253196B2 (en) | 2004-01-29 | 2012-08-28 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US8212316B2 (en) * | 2004-01-29 | 2012-07-03 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US8253197B2 (en) * | 2004-01-29 | 2012-08-28 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US8212317B2 (en) * | 2004-01-29 | 2012-07-03 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit with a laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same |
US7280335B2 (en) * | 2004-06-22 | 2007-10-09 | Delphi Technologies, Inc. | Protection circuit and method for protecting a switch from a fault |
US7232733B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-06-19 | Enpirion, Inc. | Method of forming an integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein |
US7186606B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-03-06 | Enpirion, Inc. | Method of forming an integrated circuit employable with a power converter |
US7195981B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-03-27 | Enpirion, Inc. | Method of forming an integrated circuit employable with a power converter |
US7214985B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-05-08 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein |
US7190026B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-03-13 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit employable with a power converter |
US7229886B2 (en) * | 2004-08-23 | 2007-06-12 | Enpirion, Inc. | Method of forming an integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein |
US7335948B2 (en) * | 2004-08-23 | 2008-02-26 | Enpirion, Inc. | Integrated circuit incorporating higher voltage devices and low voltage devices therein |
EP1727203A1 (en) * | 2005-05-24 | 2006-11-29 | STMicroelectronics S.r.l. | Monolithically integrated power IGBT device (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
DE102006045312B3 (de) | 2006-09-26 | 2008-05-21 | Siced Electronics Development Gmbh & Co. Kg | Halbleiteranordnung mit gekoppelten Sperrschicht-Feldeffekttransistoren |
WO2009036515A1 (en) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Clipsal Australia Pty Ltd | Improved start-up detection in a dimmer circuit |
JP5129701B2 (ja) * | 2008-09-12 | 2013-01-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 過電流検出回路 |
JP2010118548A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
DE102010000954A1 (de) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | DBK David + Baader GmbH, 76870 | Elektronische Ansteuereinrichtung |
JP2012222715A (ja) * | 2011-04-13 | 2012-11-12 | Toshiba Corp | ドライバ回路 |
CN103839991B (zh) * | 2012-11-23 | 2018-06-15 | 中国科学院微电子研究所 | 一种终端与有源区形成弱电连接的结构及其设计方法 |
US9443839B2 (en) | 2012-11-30 | 2016-09-13 | Enpirion, Inc. | Semiconductor device including gate drivers around a periphery thereof |
US9673192B1 (en) | 2013-11-27 | 2017-06-06 | Altera Corporation | Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same |
US10020739B2 (en) | 2014-03-27 | 2018-07-10 | Altera Corporation | Integrated current replicator and method of operating the same |
US9536938B1 (en) | 2013-11-27 | 2017-01-03 | Altera Corporation | Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same |
JP6520102B2 (ja) * | 2014-12-17 | 2019-05-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および電流制限方法 |
US10103627B2 (en) | 2015-02-26 | 2018-10-16 | Altera Corporation | Packaged integrated circuit including a switch-mode regulator and method of forming the same |
CN105974993A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-09-28 | 南京国电南自美卓控制***有限公司 | 一种数字量输入回路过流保护电路及方法 |
CN115996048B (zh) * | 2023-01-16 | 2023-10-13 | 深圳市思远半导体有限公司 | 场效应管的开关电路、控制方法及芯片 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0107137B1 (en) * | 1982-10-12 | 1986-10-01 | Nissan Motor Co., Ltd. | A semiconductor switching circuit with an overcurrent protection |
US4893158A (en) | 1987-06-22 | 1990-01-09 | Nissan Motor Co., Ltd. | MOSFET device |
JPH0691262B2 (ja) | 1988-05-09 | 1994-11-14 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JPH07146722A (ja) * | 1993-10-01 | 1995-06-06 | Fuji Electric Co Ltd | トランジスタ用過電流保護装置 |
US5444591A (en) * | 1993-04-01 | 1995-08-22 | International Rectifier Corporation | IGBT fault current limiting circuit |
JP3243902B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2002-01-07 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
EP0766395A3 (de) * | 1995-09-27 | 1999-04-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Leistungstransistor mit Kurzschlussschutz |
JP3793012B2 (ja) * | 2000-09-21 | 2006-07-05 | 松下電器産業株式会社 | 負荷駆動装置 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001395360A patent/JP2003197913A/ja active Pending
-
2002
- 2002-12-19 US US10/326,527 patent/US7012792B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-20 DE DE10260279A patent/DE10260279A1/de not_active Withdrawn
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005217332A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2007018636A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Elpida Memory Inc | 電流制限回路及び半導体記憶装置 |
US8354877B2 (en) | 2005-07-11 | 2013-01-15 | Apple Inc. | Current limit circuit and semiconductor memory device |
JP2007116388A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Nec Electronics Corp | 半導体装置 |
JP4658770B2 (ja) * | 2005-10-20 | 2011-03-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP2009230232A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Nec Electronics Corp | 半導体集積回路装置 |
US8004809B2 (en) | 2008-03-19 | 2011-08-23 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor integrated circuit device having overcurrent limitation circuit |
WO2010109596A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US8604514B2 (en) | 2009-03-24 | 2013-12-10 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
JP5447504B2 (ja) * | 2009-03-24 | 2014-03-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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