JP4658770B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施の形態1にかかる半導体装置について説明する。本実施形態にかかる半導体装置は、レベルシフト回路に電源が供給されていない場合、OUT端子に印加された電圧を利用することにより、OUT端子に流れ込む電流を低減し、接続されている負荷の誤動作を防止することを特徴としている。
次に、本発明の実施の形態2にかかる半導体装置について説明する。本実施形態にかかる半導体装置は、実施の形態1と比べて、ゲートプルダウン回路の動作電圧の設定を可能とするものである。
2 L負荷
3 電源
4a,4b 電源スイッチ
5 マイコン
11 保護回路
12 レベルシフト回路
13 ゲートプルダウン回路
M0 出力MOSトランジスタ
N1,N2,N3,N4 MOSトランジスタ
R1,R2,R3 抵抗
Claims (8)
- 制御端子に入力される制御信号に応じて、負荷に流れる電流を制御するスイッチング素子と、
電源電圧に基づいて、入力信号のレベルをシフトし前記制御信号を生成するレベルシフト回路と、
前記電源電圧が印加されている状態において、前記レベルシフト回路が出力する前記制御信号を前記スイッチング素子の制御端子に入力し、前記電源電圧が印加されていない状態において、出力端子の電圧に応じて、前記スイッチング素子の制御端子をプルダウンするか否かを切り替える制御信号調整回路と、を備える、
半導体装置。 - 前記制御信号調整回路は、前記電源電圧が第1のレベル以下の場合に、前記出力電圧の検出動作を行う、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記制御信号調整回路は、前記電源電圧を分圧した分圧電圧が第1のレベル以下の場合に、前記出力電圧の検出動作を行う、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記制御信号調整回路は、前記出力電圧が第2のレベル以上の場合に、前記制御信号のレベルを調整する、
請求項2又は3に記載の半導体装置。 - 前記制御信号調整回路は、前記スイッチング素子の閾値以下となるように前記制御信号を調整する、
請求項1乃至4のいずれか一つに記載の半導体装置。 - 負荷を接続する出力端子と低電位端子との間に接続された出力トランジスタと、
高電位端子と前記低電位端子との間に接続され、入力信号をレベルシフトした制御信号を前記出力トランジスタの制御端子に入力するレベルシフト回路と、
前記出力端子と前記低電位端子との間に接続され、制御端子は前記高電位端子に接続され、前記高電位端子の電圧に応じて導通制御する第1の電圧検出トランジスタと、
前記出力トランジスタの制御端子と前記低電位端子との間に接続され、制御端子は前記出力端子に接続され、前記出力端子の電圧に応じて導通制御する第2の電圧検出トランジスタと、を備える、
半導体装置。 - 前記高電位端子の電圧を分圧する分圧抵抗を有し、
前記第1の電圧検出トランジスタの制御端子は、前記分圧抵抗に接続されている、
請求項6に記載の半導体装置。 - 前記第1の電圧検出トランジスタと前記出力端子との間に挿入された抵抗素子を有し、
前記第2の電圧検出トランジスタの制御端子は、前記第1の電圧検出トランジスタと前記抵抗素子との間に接続されている、
請求項6又は7に記載の半導体装置。
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