JP2003179117A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを向上し、また、処理室の専有
化を防止する。 【解決手段】 プロセッサロボットにより、プラズマア
ッシング室と第１ないし第３の液相処理室との間で所定
の順序で基板Ｗの搬送を行なう。各液相処理室では、薬
液を薬液吹付ノズル１２２に供給し、超音波振動板１３
６により超音波振動された薬液を薬液吹付ノズル１２２
から基板Ｗの表面に供給する。なお、基板Ｗは、スピン
チャック１２０に保持され回転している。プラズマアッ
シング室と第１ないし第３の液相処理室との間で所定の
順序で基板Ｗの搬送を行なうことから、律速する処理に
スループットが左右されることもない。また、薬液が超
音波振動されて基板Ｗに供給されることから、液相洗浄
の処理速度が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハや
液晶パネル用のガラス基板といった基板に対してプラズ
マアッシング処理と液相処理とを施す基板処理装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体ウェハ等の基板に対する処
理工程におけるクラスタツール化（一貫連続処理化）が
望まれている。クラスタツール化がなされた基板処理装
置としては、図１２に示すものが知られている。この基
板処理装置１では、ロードカセット室２に搬入された基
板を、搬送ロボット３，４で、ロードロック室５，エッ
チング室６，アッシング室７と順に送り、その後、その
基板を、搬送ロボット８，９で、第１ウェット処理室１
０，第２ウェット処理室１１、アンロードカセット室１
２と順に送っており、この構成によりクラスタツール化
を可能としていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の基板処
理装置では、アッシング処理から各ウェット処理までの
工程を考えたとき、アッシング処理、ウェット処理各々
に要する処理時間がアンバランスであり、律速する処理
にスループットが左右されていた。特に、ウェット処理
が律速することが懸念され、この結果、スループットが
悪化するといった問題があった。

【０００４】また、アッシング室および各ウェット処理
室が専有化され、他工程で個別にこれらの処理室を使用
できないといった問題もあった。

【０００５】この発明の基板処理装置は、従来技術にお
ける上述した課題を解決するためになされたもので、ス
ループットを向上し、また、処理室の専有化を防止する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段およびその作用】このよう
な目的を達成するため、前記課題を解決するための手段
として、この発明の基板処理装置は、次の構成をとっ
た。即ち、この発明の基板処理装置は、基板を洗浄する
液相処理室を備えた基板処理装置において、前記液相処
理室における洗浄の前処理を基板に対して行なう前処理
室と、前記基板を保持しながら前記前処理室と液相処理
室との間で基板を搬送して、前記基板を前記前処理室か
ら前記液相処理室に受け渡す基板搬送手段とを有するこ
とを要旨としている。

【０００７】なお、ここでいう液相処理とは、現像、洗
浄、エッチング等のように、純水、薬液等の処理液を使
って、基板を処理することをいう。

【０００８】上記構成によれば、基板搬送手段により、
前処理室と液相処理室との間で所定の順序で基板の搬送
を行なうことから、律速する処理にスループットが左右
される可能性を低下する。

【０００９】さらに、基板搬送手段により、前処理室と
液相処理室との間で所定の順序で基板の搬送を行なうこ
とから、これら処理室の専有化を防止する。

【００１０】上記基板処理装置において、前記液相処理
室は、複数の液相処理室から構成され、前記基板搬送手
段は、前記基板を前記複数の液相処理室との間でも受け
渡し可能な構成とすることができる。この構成におい
て、前記前処理室と複数の液相処理室は、並列に配置さ
れ、前記基板搬送手段は、前記前処理室と複数の液相処
理室との並びに沿って走行する構成とすることができ
る。さらに、前処理室を複数としたこの構成において、
前記基板搬送手段は、基台と、前記基台上に設けられた
回転台と、前記回転台上に設けられた前記基板用の支持
ハンドと、前記基台を、前記前処理室と複数の液相処理
室との並びに沿った方向に走行する機構と、前記回転台
を鉛直軸を中心として回動する機構とを備える構成とす
ることができる。上記種々の態様の基板処理装置におい
て、前記基板を収納するカセットを載置する架台を備え
たインデクサ部と、 前記インデクサ部と前記基板の受
け渡しを行なうインデクサロボットとを備え、前記基板
搬送手段は、前記インデクサロボットから前記基板を受
け取る構成とすることができる。

【００１１】

【発明の実施の形態】以上説明したこの発明の構成・作
用を一層明らかにするために、以下この発明の実施の形
態を実施例に基づき説明する。図１はこの発明の第１実
施例としての基板処理装置２０の概略構成図であり、図
２はその基板処理装置２０の斜視図である。

【００１２】図１に示すように、この基板処理装置２０
は、１つのプラズマアッシング室２１と、３つの液相処
理室２２，２３，２４と、インデクサ部２６と、インデ
クサ部２６と基板Ｗの受け渡しを行なうインデクサロボ
ット２８と、インデクサロボット２８から基板Ｗを受け
取ってプラズマアッシング室２１および第１ないし第３
の液相処理室２２，２３，２４と基板Ｗの受け渡しを行
なうプロセッサロボット（基板搬送手段に相当する）３
０とを備える。

【００１３】図２に示すように、インデクサ部２６は、
複数枚の基板Ｗを収納するカセット３２を載置する架台
３４を備え、この架台３４上にコ字状のカセットセンシ
ング部３６を４個備えている。カセットセンシング部３
６により、カセット３２の有無を検知している。

【００１４】インデクサロボット２８は、インデクサ部
２６に載置されたカセット３２に対して基板Ｗの受け渡
しを行なうロボットで、図１に示すように、インデクサ
部２６に整列配置した複数のカセット３２に沿った方向
（矢印Ａ方向）に移動する。

【００１５】図３は、インデクサロボット２８を示す斜
視図である。図３に示すように、インデクサロボット２
８は、駆動機構（図示せず）により前述したＡ方向に移
動可能な移動台４０と、移動台４０上に設けられ、Ａ方
向に垂直な方向（矢印Ｘ方向）に移動可能な可動台４２
と、可動台４２上に設けられたウェハチャック４４とを
備えている。移動台４０上にはレール４６が設けられて
おり、このレール４６に沿って可動台４２を移動させる
ことで、可動台４２は前述したＸ方向に移動可能とな
る。

【００１６】ウェハチャック４４は、基板Ｗを水平姿勢
で支持する１組の固定側支持部材４４ａと可動支持部材
４４ｂから構成されている。固定側支持部材４４ａは可
動台４２上に支柱４８ａを介して固定され、可動支持部
材４４ｂは支柱４８ｂの上端に固定したアーム４８ｃの
先端部に固定され、支柱４８ｂはレール５０に沿って進
退するスライド部材４８ｄに立設されている。

【００１７】即ち、可動支持部材４４ｂは固定側支持部
材４４ａに対して接離自在に対向配置され、両支持部材
４４ａ，４４ｂの支持面４５ａ，４５ｂに基板Ｗを載置
して、基板Ｗを位置決め支持してカセット３２に基板Ｗ
を出し入れするように構成されている。なお、図３中、
符号５２はレバー５４を介して可動台４２を進退駆動す
るアクチュエータであり、５６はレバー５８を介してス
ライド部材４８ｄをＸ方向に進退するアクチュエータで
ある。

【００１８】ウェハチャック４４でカセット３２から取
り出した基板Ｗは、図４に示すウェハ支持ピン６０に一
時的に載置される。ウェハ支持ピン６０に載置された基
板Ｗは、次段のロボットであるプロセッサロボット３０
により基板Ｗを渡すことが可能となる。

【００１９】プロセッサロボット３０について次に説明
する。図５は、プロセッサロボット３０を示す斜視図で
ある。図５に示すように、プロセッサロボット３０は、
基台６１と、基台６１上に設けられた回転台６２と、回
転台６２に設けられた上下２組のウェハ支持ハンド６
４，６５とを備えている。上記基台６１は、図示しない
駆動機構によりインデクサロボット３０の走行方向に対
して垂直な水平方向（矢印Ｂ方向）と鉛直方向（矢印Ｃ
方向）とに走行可能に設けられ、回転台６２は、図示し
ない駆動機構により基台６１上で鉛直軸線Ｚを中心とし
て回動可能に設けられている。

【００２０】上段のウェハ支持ハンド６４は、図５に示
すように、内径が基板Ｗより若干大きく形成された円弧
部６４ａと、この円弧部６４ａを支えるアーム部６４ｂ
とから成り、円弧部６４ａの内周面には３本の支持ピン
６４ｃが設けられ、この支持ピン６４ｃで基板Ｗを支持
するように構成されている。

【００２１】また、下段のウェハ支持ハンド６５も上段
のウェハ支持ハンド６４と同様に構成され、両者ともに
一対の進退駆動機構７０により矢印Ｙ方向へ別々に進退
可能に構成されている。

【００２２】この一対の進退駆動機構７０は、回転台６
２の長手方向の両側面に対向して配置される。詳しく
は、下段のウェハ支持ハンド６５用の進退駆動機構７０
は、回転台６２内に設けられた図示しない駆動モータ
と、回転台６２の長手方向の一方の側面に設けられ、上
記駆動モータにより駆動回転する駆動ローラ７２と、ス
ライドレール６８の前後両端部近傍に設けられた従動ロ
ーラ７４ａ，７４ｂと、駆動ローラ７２の近傍に設けら
れたテンションローラ７４ｃと、これらのローラ７２，
７４ａ〜７４ｃに巻掛けられたワイヤ７６とから成り、
下段のウェハ支持ハンド６５の基端部６５ｃが上記ワイ
ヤ７６に固定されている。

【００２３】一方、回転台６２の長手方向の他方の側面
には、下段のウェハ支持ハンド６５用の進退駆動機構７
０と同様に構成された、上段のウェハ支持ハンド６４用
の進退駆動機構を備えており、上段のウェハ支持ハンド
６４を進退駆動機構７０と同様にして矢印Ｙ方向に進退
させる。

【００２４】こうした構成の結果、プロセッサロボット
３０は、インデクサロボット３０との間で基板Ｗを受け
渡しするとともに、プラズマアッシング室２１、第１な
いし第３の液相処理室２２，２３，２４に基板Ｗを出し
入れする。

【００２５】インデクサロボット２８とプロセッサロボ
ット３０とによる基板Ｗの移動に関わる一連の動作につ
いて、以下詳細に説明する。

【００２６】上記ウェハチャック４４でカセット３２か
ら基板Ｗを取り出すには、以下のようにする。予め１組
の固定側支持部材４４ａと可動支持部材４４ｂの間隔を
アクチュエータ５６により基板Ｗの直径よりも幾分大き
く設定するとともに、受け取るべき基板Ｗの位置に対応
させて移動台４０の高さを調節することによりウェハチ
ャック４４の高さを設定する。次いでアクチュエータ５
２により可動台４２を前進させて１組の固定側支持部材
４４ａと可動支持部材４４ｂとをカセット３２の正面か
ら内部に挿入し、移動台４０を所定の高さだけ上昇さ
せ、固定側支持部材４４ａと可動支持部材４４ｂの支持
面４５ａ，４５ｂで基板Ｗを受け取る〔図６（ａ）参
照〕。

【００２７】次いで固定側支持部材４４ａと可動支持部
材４４ｂの間隔をアクチュエータ５６により狭めること
により、基板Ｗは多少の遊びをもって、かつ十分の位置
決め精度をもってウェハチャック４４で支持される。次
いでアクチュエータ５２を作動させることにより、ウェ
ハチャック４４をカセット３２の外に搬出し、引き続き
移動台４０を下降させてウェハチャック４４を下降させ
ることにより、基板Ｗを３本のウェハ支持ピン６０に移
載する〔図６（ｂ）参照〕。これにより、基板Ｗはプロ
セッサロボット３０で受け取ることが可能になる。

【００２８】プロセッサロボット３０で未処理の基板Ｗ
を受け取り、ウェハステージ８０上の処理済みの基板Ｗ
と差し替えるには、以下のようにする。受け取るべき基
板Ｗの位置に対応させて基台６１の高さを調節すること
により上下のウェハ支持ハンド６４，６５の高さを設定
する。次いで基台６１をインデクサロボット３０に接近
させ、また、下段のウェハ支持ハンド６５を前記矢印Ｙ
方向に前進させてウェハ支持ピン６０で支持している基
板Ｗの下側に潜らせ、引き続き基台６１を上昇させるこ
とにより下段のウェハ支持ハンド６５を上昇させて基板
Ｗを受け取る〔図６（ｃ）参照〕。

【００２９】次いで下段のウェハ支持ハンド６５を後退
させて上段のウェハ支持ハンド６４の下方位置に復帰さ
せる。引き続き基台６１をプラズマアッシング室２１の
位置まで矢印Ｂ方向に移動させて、また、回転台６２を
９０度回動させ、上段のウェハ支持ハンド６４を前進さ
せて相対的に上下方向にプラズマアッシング室２１と離
間されたウェハステージ８０のウェハ支持ピン８２で支
持している処理済みの基板Ｗの下側に潜らせ、引き続き
基台６１を上昇させることにより上段のウェハ支持ハン
ド６４を上昇させて当該基板Ｗを受け取る〔図６（ｄ）
参照〕。

【００３０】次いで上段のウェハ支持ハンド６４を後退
させて下段のウェハ支持ハンド６５の上方位置に復帰さ
せる。次いで下段のウェハ支持ハンド６５を前進させて
ウェハステージ８０のウェハ支持ピン８２上に位置さ
せ、引き続き基台６１を下降させることにより下段のウ
ェハ支持ハンド６５を下降させて当該基板Ｗをウェハス
テージ８０のウェハ支持ピン８２上に載置する〔図６
（ｅ）参照〕。そして、処理済みの基板Ｗは上記手順の
逆動作によりカセット３２に収納する。こうして、未処
理の基板Ｗは、プラズマアッシング室２１の内部にセッ
トされる。なお、未処理の基板Ｗは、プラズマアッシン
グ室２１に替えて、第１ないし第３の液相処理室２２，
２３，２４のいずれかにセットされる構成としてもよ
い。

【００３１】また、上記実施例では、上段のウェハ支持
ハンド６４で処理済みの基板Ｗを保持し、下段のウェハ
支持ハンド６５で未処理の基板Ｗを保持してカセット３
２とウェハステージ８０との間を受け渡すようにしてい
るが、これとは逆に、上段のウェハ支持ハンド６４で未
処理の基板Ｗを保持し、下段のウェハ支持ハンド６５で
処理済みの基板Ｗを保持してカセット３２とウェハステ
ージ８０との間を受け渡すようにしてもよい。

【００３２】以上説明したインデクサロボット２８とプ
ロセッサロボット３０とによる基板Ｗの移動に関わる一
連の動作は、インデクサロボット２８およびプロセッサ
ロボット３０にそれぞれ設けられる、いわゆるマイクロ
コンピュータからなる電子制御ユニットによる制御を受
けて実行される。図７は、インデクサロボット２８およ
びプロセッサロボット３０の電気的な構成を示すブロッ
ク図である。

【００３３】図７に示すように、インデクサロボット２
８は、インデクサロボット用の電子制御ユニット（以
下、ＩＲ用ＥＣＵと呼ぶ）９０を備える。このＩＲ用Ｅ
ＣＵ９０は、予め設定された制御プログラムに従ってイ
ンデクサロボット２８の動作を制御するための各種演算
処理を実行するＣＰＵ９０ａ、ＣＰＵ９０ａで各種演算
処理を実行するのに必要な制御プログラムや制御データ
等が予め格納されたＲＯＭ９０ｂ、同じくＣＰＵ９０ａ
で各種演算処理を実行するのに必要な各種データが一時
的に読み書きされるＲＡＭ９０ｃ、各種センサからの検
出信号を入力する入力インターフェース９０ｄ、ＣＰＵ
９０ａでの演算結果に応じて、前述した移動台４０の駆
動機構４０Ｍおよびアクチュエータ５２，５６等に電気
信号を出力する出力インターフェース９０ｅ等を備えて
いる。また、このＩＲ用ＥＣＵ９０は、他の入出力イン
ターフェース９０ｆを備えており、後述するプロセッサ
ロボット３０用の電子制御ユニット４５と相互に信号を
やり取りする。

【００３４】一方、プロセッサロボット３０は、プロセ
ッサロボット用の電子制御ユニット（以下、ＰＲ用ＥＣ
Ｕと呼ぶ）９５を備える。このＰＲ用ＥＣＵ９５は、前
述したＩＲ用ＥＣＵ９０と同様に、ＣＰＵ９５ａ，ＲＯ
Ｍ９５ｂ，ＲＡＭ９５ｃ，入力インターフェース９５ｄ
および出力インターフェース９５ｅ等を備えている。こ
の出力インターフェース９５ｅには、プロセッサロボッ
ト３０の基台６１の駆動機構６１Ｍおよび回転台６２の
駆動機構６２Ｍ等に接続されている。また、このＰＲ用
ＥＣＵ９５は、ＩＲ用ＥＣＵ９０と同様に、他の入出力
インターフェース９５ｆを備えており、ＩＲ用ＥＣＵ９
０と相互に信号をやり取りする。

【００３５】こうしたＩＲ用ＥＣＵ９０およびＰＲ用Ｅ
ＣＵ９５を持つインデクサロボット２８とプロセッサロ
ボット３０とは、互いに信号をやり取りして相手方のロ
ボットの動作を知りつつ、上述した基板Ｗの移動に関わ
る一連の動作を制御実行する。

【００３６】なお、インデクサロボット２８から受け取
った未処理の基板Ｗは、前述した説明では、プロセッサ
ロボット３０によりプラズマアッシング室２１内のウェ
ハステージ８０に送られるように構成されていたが、勿
論プラズマアッシング室２１に限らず、第１ないし第３
の液相処理室２２，２３，２４のいずれかに送られるよ
うに構成してもよい。なお、このプロセッサロボット３
０は、インデクサロボット２８から受け取った基板Ｗ
を、プラズマアッシング室２１もしくは、第１ないし第
３の液相処理室２２，２３，２４のいずれかに送るだけ
ではなく、次のような動作も行なう。即ち、インデクサ
ロボット２８から受け取った基板Ｗを、まず、プラズマ
アッシング室２１に搬入し、次いで、第１ないし第３の
液相処理室２２，２３，２４のいずれかに搬入するとい
った動作を行なう。さらに、この順序に限らず、プラズ
マアッシング室２１と各液相処理室２２，２３，２４と
の間で任意の順序で基板Ｗを搬送するといった動作も行
なう。

【００３７】プラズマアッシング室２１の構成について
次に説明する。図８はプラズマアッシング室２１の平面
図であり、図９は図８のＡ−Ａ′線断面図である。両図
に示すように、プラズマアッシング室２１は、ウェハス
テージ８０上に処理室支持部材１０２を介して配置され
る半球形状の処理室側壁１０４と、その処理室側壁１０
４に巻かれ、図示しない高周波電源に接続されたプラズ
マ発生コイル１０６と、処理室側壁１０４内に酸素を導
入するガス導入路１０８と、処理室側壁１０４全体を覆
う袋状導電部材１１０と、袋状導電部材１１０の頂部に
接続される同軸状導電部材１１２とを備える。この構成
により、導入されたガスを減圧し高周波放電によってプ
ラズマ化して、ウェハステージ８０に載置された基板Ｗ
上のレジストを除去する。

【００３８】第１ないし第３の液相処理室２２，２３，
２４の構成について次に説明する。第１ないし第３の液
相処理室２２，２３，２４は同様の構成であることか
ら、ここでは第１液相処理室２２の構成について説明す
る。

【００３９】図１０に示すように、第１液相処理室２２
は、基板Ｗを保持して所定の回転速度で水平回転するス
ピンチャック（基板保持手段に相当する）１２０と、基
板Ｗの上方に配置され薬液供給部１５０から供給される
薬液を基板Ｗに向かって吹き付ける薬液吹付ノズル（処
理液供給ノズルに相当する）１２２と、水平回転する基
板Ｗの周囲を囲み基板Ｗから吹き飛ばされる水滴の飛散
を防止するカップ１２４と、スピンチャック１２０を回
転駆動する駆動モータ１２６とを内部に備える。

【００４０】薬液吹付ノズル１２２は、耐アルカリ性、
耐酸性のフッ素樹脂系材料で構成し、薬液供給部１５０
から供給される薬液を溜めかつ超音波振動を起こす超音
波振動室１３０と、超音波振動室１３０に連通したノズ
ル口１３２とを備える。この超音波振動室１３０には、
超音波発振器１３４に電気的に接続された超音波振動板
（超音波振動手段に相当する）１３６が設けられてい
る。超音波振動板１３６は、所定の周波数の振動を発生
させるもので、この超音波振動板１３６により超音波振
動室１３０に蓄えられた薬液に対して超音波振動を付与
する。

【００４１】薬液供給部１５０は、硫酸（Ｈ₂Ｓ０₄），
塩酸（ＨＣｌ），アンモニア化合物（ＮＨ₄ＯＨ），過
酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂），酢酸（ＣＨ₃Ｃ００Ｈ）等の複数
の薬液を個別に貯留する複数（図１０には２つを示し
た）の薬液槽１５２，１５４と、純水の供給口１５６
と、各薬液槽１５２，１５４および純水の供給口１５６
を薬液吹付ノズル１２２に接続する管路１５８とを備え
る。管路１５８は、各薬液槽１５２，１５４および純水
の供給口１５６に接続される複数の管路を一つの管路に
集合させたもので、その集合部より上流側の各分岐路部
分には、上流側から、流量計１６１、流量調整弁１６２
およびエア弁１６３が配設されている。なお、純水の供
給口１５６に至る分岐路部分には、最も上流側に、調圧
弁１６４も備える。

【００４２】こうした構成の薬液供給部１５０によれ
ば、各エア弁１６３を開閉制御することにより、薬液槽
１５２，１５４に蓄えられた２種類の薬液と純水との調
合液が薬液吹付ノズル１２２に供給される。また、必要
に応じて各エア弁１６３を開閉制御することで純水だけ
が薬液吹付ノズル１２２に供給される。薬液供給部１５
０から薬液と純水との調合液が薬液吹付ノズル１２２に
供給されると、薬液吹付ノズル１２２から超音波振動さ
れた調合液が基板Ｗに噴出される。こうして超音波振動
された調合液による基板Ｗの液相洗浄がなされる。その
後、薬液供給部１５０から純水だけが薬液吹付ノズル１
２２に供給されると、薬液吹付ノズル１２２から超音波
振動された純水が基板Ｗに噴出される。こうして超音波
振動された純水による基板Ｗの後洗浄がなされる。

【００４３】なお、第１ないし第３の液相処理室２２，
２３，２４においては、プロセッサロボット３０による
基板Ｗの搬入先はスピンチャック１２０となる。即ち、
インデクサロボット２８からの基板Ｗは、プロセッサロ
ボット３０により液相処理室２２，２３，２４内のスピ
ンチャック１２０上に載置される。なお、プロセッサロ
ボット３０がスピンチャック１２０上に基板Ｗを直接載
置される構成に換えて、他の搬送手段を設け、その搬送
手段を介してプロセッサロボット３０からスピンチャッ
ク１２０に基板Ｗを送る構成としてもよい。

【００４４】第１ないし第３の液相処理室２２，２３，
２４を用いて液相洗浄処理の具体的な例を次に説明す
る。図１１には、その前処理として、シリコンエッチン
グとレジストアッシングが行なわれた場合（以下、第１
場合と呼ぶ）、酸化膜エッチングとレジストアッシング
が行なわれた場合（第２の場合）、アルミエッチングと
レジストアッシングが行なわれた場合（第３の場合）に
ついてどのような液相洗浄処理を行なうか示した。

【００４５】図１１に示すように、第１の場合には、ま
ず、Ｈ₂Ｓ０₄とＨ₂Ｏ₂と純水とを５：１：１００の割合
で調合し、スピンチャック１２０を５０r.p.m の回転速
度で回転させた上で、薬液吹付ノズル１２２からは温度
８０℃で、吐出時間３０ｓｅｃだけその調合液を吐出す
る。次いで、スピンチャック１２０を５０r.p.m の回転
速度で回転させて、薬液吹付ノズル１２２から純水を温
度８０℃で、吐出時間１０ｓｅｃだけ吐出する。その
後、 ＮＨ₄ＯＨとＨ₂Ｏ₂と純水とを１：１：１００の割
合で調合し、スピンチャック１２０を５０r.p.m の回転
速度で回転させた上で、薬液吹付ノズル１２２からは温
度８０℃で、吐出時間３０ｓｅｃだけその調合液を吐出
する。次いで、スピンチャック１２０を５０r.p.m の回
転速度で回転させ、薬液吹付ノズル１２２から純水を温
度８０℃で、吐出時間７０ｓｅｃだけ吐出する。さらに
その後、スピンチャック１２０を３０００r.p.m で３０
ｓｅｃ回転させてスピンドライを行なう。

【００４６】第２の場合、第３の場合にも、図１１に従
う処理を行なう。こうして、処理済みの基板Ｗは効率よ
く洗浄されることになる。

【００４７】以上詳述したこの実施例の基板処理装置２
０によれば、プロセッサロボット３０により、プラズマ
アッシング室２１と第１ないし第３の液相処理室２２，
２３，２４との間で所定の順序で基板Ｗの搬送を行なう
ことから、例えば第１液相処理室２２で処理速度が遅く
ても、律速する処理にスループットが左右されることも
ない。また、第１ないし第３の各液相処理室２２，２
３，２４では、薬液を薬液吹付ノズル１２２により超音
波振動させて、スピンチャック１２０に保持された基板
の表面に供給することから、第１ないし第３の液相処理
室２２，２３，２４における液相洗浄の処理速度が高ま
る。これらの結果、基板処理装置２０全体のスループッ
トを向上することができるといった効果を奏する。

【００４８】また、プロセッサロボット３０により、プ
ラズマアッシング室２１と第１ないし第３の液相処理室
２２，２３，２４との間で所定の順序で基板Ｗの搬送を
行なうことから、これら処理室２１，２２，２３，２４
の専有化を防止することができるといった効果も奏す
る。

【００４９】さらに、プロセッサロボット３０により、
プラズマアッシング室２１と第１ないし第３の液相処理
室２２，２３，２４との間で所定の順序で基板Ｗの搬送
を行なうことから、ライン構成の自由度が高く、処理シ
ーケンスの変更により様々の行程に対応することができ
るといった効果を奏する。

【００５０】以上、本発明の実施の形態を詳述してきた
が、本発明はこうした実施の形態に何等限定されるもの
ではない。例えば、上記実施の形態では３つの液相処理
室が設けられていたが、これに換えて、液相処理室を１
つとしてもよい。この構成によれば、プロセッサロボッ
ト３０はプラズマアッシング室とその液相処理室との間
で所定の順序で基板の搬送を行なう。このように、本発
明は、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々なる
態様にて実施し得ることは勿論である。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように本発明の基板処理装
置では、前処理と液相処理とを施すに際し、スループッ
トの向上を図ることができる。さらに、プラズマアッシ
ング処理や液相処理の専有化を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例としての基板処理装置２
０の概略構成図である。

【図２】基板処理装置２０の斜視図である。

【図３】インデクサロボット２８を示す斜視図である。

【図４】インデクサロボット２８によるカセット３２へ
の出し入れの様子を示す斜視図である。

【図５】プロセッサロボット３０を示す斜視図である。

【図６】インデクサロボット２８とプロセッサロボット
３０とによる一連の動作を示す説明図である。

【図７】インデクサロボット２８およびプロセッサロボ
ット３０の電気的な構成を示すブロック図である。

【図８】プラズマアッシング室２１の平面図である。

【図９】図８のＡ−Ａ′線断面図である。

【図１０】第１液相処理室２２およびその周辺の概略構
成図である。

【図１１】液相洗浄処理を具体的に示した例の説明図で
ある。

【図１２】従来の基板処理装置の概略構成図である。

【符号の説明】

２０…基板処理装置 ２１…プラズマアッシング室 ２２…第１の液相処理室 ２３…第２の液相処理室 ２４…第３の液相処理室 ２６…インデクサ部 ２８…インデクサロボット ３０…プロセッサロボット ３２…カセット ３４…架台 ３６…カセットセンシング部 ４０…移動台 ４２…可動台 ４４…ウェハチャック ４４ａ…固定側支持部材 ４４ｂ…可動支持部材 ４５…電子制御ユニット ４５ａ，４５ｂ…支持面 ４６…レール ４８ａ…支柱 ４８ｂ…支柱 ４８ｃ…アーム ４８ｄ…スライド部材 ５０…レール ５２，５６…アクチュエータ ５３…ウェハステージ ５４…レバー ５６…アクチュエータ ５８…レバー ６０…ウェハ支持ピン ６１…基台 ６２…回転台 ６４…ウェハ支持ハンド ６４ａ…円弧部 ６４ｂ…アーム部 ６４ｃ…支持ピン ６５…ウェハ支持ハンド ６５ｃ…基端部 ６８…スライドレール ７０…進退駆動機構 ７２…駆動ローラ ７４ａ，７４ｂ…従動ローラ ７４ｃ…テンションローラ ７６…ワイヤ ８０…ウェハステージ ８２…ウェハ支持ピン ９０…ＩＲ用ＥＣＵ ９０ａ…ＣＰＵ ９０ｂ…ＲＯＭ ９０ｃ…ＲＡＭ ９０ｄ…入力インターフェース ９０ｅ…出力インターフェース ９０ｆ…入出力インターフェース ９５…ＰＲ用ＥＣＵ ９５ａ…ＣＰＵ ９５ｂ…ＲＯＭ ９５ｃ…ＲＡＭ ９５ｄ…入力インターフェース ９５ｅ…出力インターフェース ９５ｆ…入出力インターフェース １０２…処理室支持部材 １０４…処理室側壁 １０６…プラズマ発生コイル １０８…ガス導入路 １１０…袋状導電部材 １１２…同軸状導電部材 １２０…スピンチャック １２２…薬液吹付ノズル １２４…カップ １２６…駆動モータ １３０…超音波振動室 １３２…ノズル口 １３４…超音波発振器 １３６…超音波振動板 １５０…薬液供給部 １５２，１５４…薬液槽 １５６…供給口 １５８…管路 １６１…流量計 １６２…流量調整弁 １６３…エア弁 １６４…調圧弁 Ｗ…基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平得 貞雄 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA02 FA07 FA11 FA12 FA15 GA04 GA06 GA13 GA14 GA38 GA47 GA48 GA49 HA48 HA59 KA02 LA13 MA03 MA23 MA24 PA30 5F043 AA01 BB30 DD12 DD30 EE36 GG10 5F046 MA12 MA18

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を洗浄する液相処理室を備えた基板
   処理装置において、 前記液相処理室における洗浄の前処理を基板に対して行
   なう前処理室と、 前記基板を保持しながら前記前処理室と液相処理室との
   間で基板を搬送して、前記基板を前記前処理室から前記
   液相処理室に受け渡す基板搬送手段とを備えたことを特
   徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記液相処理室は、複数の液相処理室から構成され、 前記基板搬送手段は、前記基板を前記複数の液相処理室
   との間でも受け渡し可能な構成である基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記前処理室と複数の液相処理室は、並列に配置され、 前記基板搬送手段は、前記前処理室と複数の液相処理室
   との並びに沿って走行する構成である基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の基板処理装置であっ
   て、 前記基板搬送手段は、 基台と、 前記基台上に設けられた回転台と、 前記回転台上に設けられた前記基板用の支持ハンドと、 前記基台を、前記前処理室と複数の液相処理室との並び
   に沿った方向に走行する機構と、 前記回転台を鉛直軸を中心として回動する機構とを備え
   る基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記基板を収納するカセットを載置する架台を備えたイ
   ンデクサ部と、 前記インデクサ部と前記基板の受け渡しを行なうインデ
   クサロボットとを備え、 前記基板搬送手段は、前記インデクサロボットから前記
   基板を受け取る構成である基板処理装置。