JP2003173996A - 板状物支持部材及びその使用方法 - Google Patents
板状物支持部材及びその使用方法Info
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Abstract
物であっても、研削装置の構造に変更を加えることな
く、研削装置内における搬送及びカセットへの収納を円
滑に行えるようにする。 【解決手段】 板状物Wを支持し吸引力を伝達する板状
物支持領域11と、板状物支持領域11を囲繞し保護テ
ープ14を固定するテープ固定領域12とから構成され
る板状物支持部材を用いて、保護テープ14に貼着され
た板状物Wを支持し、その状態で研削装置における研
削、搬送等を行う。
Description
の板状物の支持に用いる板状物支持部材及びその使用方
法に関する。
された半導体ウェーハW1は、図11に示すように、表
面に回路保護用の保護テープTが貼着された状態で保護
テープTを下にしてチャックテーブル70に保持され、
回転する研削砥石71の作用を受けて裏面が研削され、
所定の厚さに形成される。特に最近は携帯電話機、ノー
トブック型パーソナルコンピュータ等の小型化、薄型
化、軽量化の要求に応えるべく、厚さが100μm以
下、50μm以下となるように研削することが必要とさ
れている。
ウェーハW1の厚さが200μm〜400μmになるよ
うに研削される場合は研削後においても剛性があるため
研削装置内における搬送やカセットへの収納を比較的円
滑に行うことができるが、厚さが50μm〜100μm
と薄くなっていくと、剛性が低下するために搬送等が困
難となる。
ハW2の表面のストリートに、形成しようとする半導体
チップの厚さに相当する深さの切削溝72を予め形成し
ておき、その後、切削溝が表出するまで裏面を研削する
ことにより個々の半導体チップに分割する、いわゆる先
ダイシングと称される手法においては、研削により個々
の半導体チップに分割された後においては全く剛性がな
く、半導体ウェーハの外形を維持することが不可能とな
る。
導体ウェーハの表面に、例えばポリエチレンテレフタレ
ートのような比較的剛性の高い材質の保護テープを貼着
すれば、研削により薄くなった半導体ウェーハや先ダイ
シングにより分割された半導体ウェーハを安定的に保持
し搬送やカセットへの収納を円滑に行うことができる。
しかし、このように剛性の高い保護テープを用いると半
導体ウェーハまたは半導体チップを剥離することが困難
となる。
切削時のようにリング状のフレームFに貼着された保護
テープTの粘着面に半導体ウェーハWを貼着し、保護テ
ープを介して該フレームと一体となった状態とすれば、
搬送及びカセットへの収納を円滑に行うことができ、薄
くなった半導体ウェーハまたは半導体チップを剥離する
ことができる。しかし、研削装置において半導体ウェー
ハWを保持するチャックテーブルは、フレームを支持す
る機構を備えていないため、チャックテーブルの改造が
必要になるという問題がある。
状物の研削においては、チャックテーブルの改造を伴わ
ずに搬送等を円滑に行うと共に、研削後の保護テープか
らの剥離も容易とすることに課題を有している。
の具体的手段として本発明は、保護テープに貼着された
板状物を支持する板状物支持部材であって、板状物を支
持し吸引力を伝達する板状物支持領域と、板状物支持領
域を囲繞し保護テープを固定するテープ固定領域とから
構成される板状物支持部材を提供する。
領域に環状溝が形成され、環状溝に保護テープを押し込
んで保護テープを固定すること、テープ固定領域にタッ
ク力を有する固定部材が配設され、固定部材で保護テー
プを固定すること、テープ固定領域の表面が外周側に向
けて下降するテーパ状に形成されていることを付加的な
要件とする。
ックテーブルと、チャックテーブルに吸引保持された板
状物を研削する研削手段とを少なくとも備えた研削装置
において、上記の板状物支持部材に支持された板状物を
チャックテーブルに載置する工程と、研削手段によって
板状物支持部材に支持された板状物を研削する工程と、
研削終了後に板状物支持部材に支持された板状物をチャ
ックテーブルから搬出する工程とからなる板状物支持部
材の使用方法を提供する。
護テープに貼着された半導体ウェーハまたは半導体チッ
プを保護テープと共に一体に支持するため、半導体ウェ
ーハまたは半導体チップが薄くなっても安定的に支持す
ることができる。
導体チップであっても保護テープに貼着されているため
に板状物支持部材から容易に取り外すことができ、更に
保護テープには剛性がないため、保護テープから半導体
ウェーハまたは半導体チップを容易に剥離することがで
きる。
第一の実施の形態について説明する。図1に示す板状物
支持部材10は、板状物を吸引保持する板状物支持領域
11と、板状物支持領域11を外周側から囲繞するテー
プ固定領域12とから構成される。
クス等の多孔質の部材により構成され上下方向にエアー
を通す構成となっており、下方から供給される吸引力に
よって載置された板状物を吸引保持する。
ラミックス等により構成され、その表面は外周側に向け
て下降するテーパ状に形成されており、表面には円環状
に環状溝13が形成されている。
域12とをすべてポーラスセラミックス等の多孔質の部
材により構成し、テープ固定領域12を樹脂、酸化チタ
ン等で被覆するようにしてもよい。この場合は、樹脂等
で被覆されていない部分が板状物支持領域11となる。
10に支持される半導体ウェーハWには、回路保護のた
めに表面に保護テープ14が貼着される。この保護テー
プ14は、板状物支持部材10とほぼ同じ大きさに形成
される。
保護テープ14が板状物支持領域11及びテープ固定領
域12を覆うように、かつ保護テープ14に貼着された
半導体ウェーハWが板状物支持領域11の上部に位置す
るように、保護テープ14に貼着された半導体ウェーハ
Wを載置する。
込むことにより、保護テープ14が板状物支持部材10
に固定される。このとき、テープ固定領域12の表面は
外周側に向けて下降するテーパ状に形成されているた
め、半導体ウェーハWの表面は、テープ固定領域12よ
り高い位置にある。
された半導体ウェーハWは、その状態で、たとえば図4
に示す研削装置20においてカセット21に収容され
る。この研削装置20においては、カセット21に収容
された半導体ウェーハWが搬出入手段22によって搬出
されて位置合わせ手段23に搬送され、ここで位置合わ
せがされた後、第一の搬送手段24によって板状物支持
部材10の外周を保持してチャックテーブル25に搬送
され載置される。
5、26、27は、上下方向にエアーを通すポーラスセ
ラミックス等からなる吸引領域25aと、吸引領域25
aを外周側から支持する枠体25bとから構成され、吸
引領域25aの下方には吸引源25cが連結され、吸引
源25cから供給される吸引力によって板状物支持部材
10を吸引保持することができる。更に、吸引源25c
から供給される吸引力によって板状物支持領域11にお
いて保護テープ14を介して半導体ウェーハWが吸引保
持される。チャックテーブル26、27も同様に構成さ
れる。
テーブル25、26、27はそれぞれが回転可能である
と共にターンテーブル28の回転に伴って移動する構成
となっており、半導体ウェーハWを吸引保持したチャッ
クテーブル25については所定角度(図示の例では12
0度)左方向に回転することにより第一の研削手段30
の直下に位置付けられる。
向に配設された一対のガイドレール32にガイドされて
駆動源33の駆動により上下動する支持部34に支持さ
れ、支持部34の上下動に伴って上下動する構成となっ
ている。この第一の研削手段30においては、回転可能
に支持されたスピンドル35の先端にマウンタ36を介
して研削ホイール37が装着されており、研削ホイール
37の下部には粗研削用の研削砥石38が円環状に固着
されている。
直下に位置付けられた半導体ウェーハWの裏面は、第一
の研削手段30がスピンドル35の回転を伴って下方に
研削送りされ、回転する研削砥石38が裏面に接触する
ことにより粗研削される。このとき、テープ固定領域1
2が外周側に向けて下降するテーパ状に形成されている
ため、研削砥石38がテープ固定領域12に接触するこ
とがない。
だけ回転することにより、粗研削された半導体ウェーハ
Wが第二の研削手段40の直下に位置付けられる。
向に配設された一対のガイドレール41にガイドされて
駆動源42の駆動により上下動する支持部43に支持さ
れ、支持部43の上下動に伴って上下動する構成となっ
ている。この第二の研削手段40においては、回転可能
に支持されたスピンドル44の先端にマウンタ45を介
して研削ホイール46が装着されており、研削ホイール
46の下部には仕上げ研削用の研削砥石47が円環状に
固着されており、第一の研削手段30とは、研削砥石の
種類のみが異なる構成となっている。
た半導体ウェーハWの裏面は、図6と同様に第二の研削
手段40がスピンドル44の回転を伴って下方に研削送
りされ、回転する研削砥石47が裏面に接触することに
より仕上げ研削される。
は、第二の搬送手段48によって板状物支持部材10の
外周を保持して洗浄手段49に搬送され、ここで洗浄に
より研削屑が除去された後に、搬出入手段22によって
カセット50に収容される。
状物支持領域11における吸引は解除されているため、
保護テープ14を取り外すことにより半導体ウェーハW
を板状物支持部材10から容易に分離させることができ
る。そして、保護テープ14は剛性を有しないため、薄
くなった半導体ウェーハW(先ダイシングの場合は半導
体チップ)を保護テープ14から破損させることなく容
易に剥離させることができる。
体ウェーハWが搬送されていくが、板状物支持部材10
によって常に安定的に支持されているため、研削により
半導体ウェーハWの厚さが100μm以下や50μm以
下になった場合でも、搬送及びカセット50への収納を
円滑に行うことができる。
ウェーハWを支持することで、研削装置20のチャック
テーブル25、26、27においては板状物支持部材1
0を介して半導体ウェーハWを吸引保持することができ
るため、研削装置20の構造を変更する必要がない。
図7に示す板状物支持部材60について説明する。
域61と、板状物支持領域61を外周側から囲繞するテ
ープ固定領域62とから構成される。板状物支持領域6
1は、図1に示した板状物支持部材10と同様にポーラ
スセラミックス等の多孔質の部材により構成され上下方
向にエアーを通す構成となっており、下方から供給され
る吸引力によって載置された板状物を吸引保持する。
に向けて下降してテーパ状に形成されており、その表面
にはタック力を有する固定部材62aが配設されてい
る。
る半導体ウェーハWは、図7に示すように、回路の保護
のために表面に保護テープ63が貼着される。この保護
テープ63は、テープ固定領域62とほぼ同じ大きさに
形成される。
保護テープ63が板状物支持領域61及びテープ固定領
域62を覆うように載置すると共に、上方から保護テー
プ63を押圧すると、固定部材62aが有するタック力
によって保護テープ63がテープ固定領域62に固定さ
れる。このとき、テープ固定領域62の表面は外周側に
向けて下降するテーパ状に形成されているため、半導体
ウェーハWの表面は、テープ固定領域62より高い位置
にある。
した研削装置20のチャックテーブル25に載置する
と、吸引領域25aにおいて板状物支持領域61を介し
て半導体ウェーハWが吸引保持される。従って、研削装
置20において半導体ウェーハWの裏面を研削する際
に、半導体ウェーハWが安定的に支持される
クテーブル25に半導体ウェーハWの裏面を研削する
と、半導体ウェーハWの表面がテープ固定領域62より
高い位置にあるため、研削砥石38がテープ固定領域1
2に接触することがない。
半導体ウェーハWは、第二の搬送手段48によって洗浄
手段49に搬出され、ここで洗浄により研削屑が除去さ
れた後に、搬出入手段22によってカセット50に収容
される。
体ウェーハWが搬送されていくが、板状物支持部材10
によって常に安定的に支持されているため、研削により
半導体ウェーハWの厚さが100μm以下や50μm以
下になった場合でも、搬送及びカセット50への収納を
円滑に行うことができる。
導体ウェーハWがカセット50に収納されたときは、吸
引が解除されているため、その後、半導体ウェーハWを
板状物支持部材60から簡単に分離させることができ
る。また、保護テープ63は剛性を有しないため、薄く
なった半導体ウェーハ(先ダイシングの場合は半導体チ
ップ)を保護テープ63から容易に剥離させることがで
きる。
ウェーハWを支持することで、研削装置20のチャック
テーブル25、26、27においては板状物支持部材6
0を介して半導体ウェーハWを吸引保持することができ
るため、研削装置20の構造を変更する必要がない。
を挙げたが、板状物はこれには限られない。また、いわ
ゆる先ダイシングの手法による場合は、研削により個々
の半導体チップに分割されるため、個々の半導体チップ
が半導体ウェーハの外形を維持したまま板状物支持部材
10、60に支持されて搬送される。
物支持部材では、保護テープに貼着された半導体ウェー
ハまたは半導体チップを保護テープと共に一体に支持す
るため、半導体ウェーハまたは半導体チップが薄くなっ
ても安定的に支持することができる。従って、搬送及び
カセットへの収納を円滑に行うことができると共に、研
削装置の構造を改造する必要がない。
導体チップであっても保護テープに貼着されているため
に板状物支持部材から容易に取り外すことができ、更に
保護テープには剛性がないため、保護テープから半導体
ウェーハまたは半導体チップを容易に剥離することがで
き、剥離時に破損させることがない。
態を示す斜視図である。
持した状態を示す斜視図である。
持した状態を示す断面図である。
視図である。
材を介して半導体ウェーハを支持した状態を示す略示的
断面図である。
を示す略示的断面図である。
態を示す斜視図である。
持した状態を示す斜視図である。
持した状態を示す断面図である。
材を介して半導体ウェーハを支持して研削する様子を示
す略示的断面図である。
ウェーハの支持状態を示す正面図である。
体ウェーハの支持状態を示す略示的断面図である。
一体となった半導体ウェーハを示す斜視図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 保護テープに貼着された板状物を支持す
る板状物支持部材であって、 板状物を支持し吸引力を伝達する板状物支持領域と、 該板状物支持領域を囲繞し該保護テープを固定するテー
プ固定領域とから構成される板状物支持部材。 - 【請求項2】 テープ固定領域には環状溝が形成され、
該環状溝に保護テープを押し込んで該保護テープを固定
する請求項1に記載の板状物支持部材。 - 【請求項3】 テープ固定領域にはタック力を有する固
定部材が配設され、該固定部材で保護テープを固定する
請求項1に記載の板状物支持部材。 - 【請求項4】 テープ固定領域の表面は、外周側に向け
て下降するテーパ状に形成されている請求項1乃至3に
記載の板状物支持部材。 - 【請求項5】 板状物を吸引保持するチャックテーブル
と、該チャックテーブルに吸引保持された板状物を研削
する研削手段とを少なくとも備えた研削装置において、 請求項1乃至4に記載の板状物支持部材に支持された板
状物を該チャックテーブルに載置する工程と、 該研削手段によって該板状物支持部材に支持された板状
物を研削する工程と、 該研削終了後に該板状物支持部材に支持された板状物を
該チャックテーブルから搬出する工程とからなる板状物
支持部材の使用方法。
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JP2009105127A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Denso Corp | 炭化珪素ウェハの製造方法 |
JP2010272639A (ja) * | 2009-05-20 | 2010-12-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
-
2001
- 2001-12-07 JP JP2001374336A patent/JP4026680B2/ja not_active Expired - Lifetime
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CN100437928C (zh) * | 2004-04-23 | 2008-11-26 | 琳得科株式会社 | 吸附装置 |
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