JP2003163572A - 圧電フィルタおよびこれを用いた携帯電話機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 デュアルあるいはトリプルモード携帯電話端
末の小型化に最適な圧電フィルタを提供する。 【解決手段】 圧電フィルタ１は、セラミックパッケー
ジ２内にＳＡＷフィルタ素子３（以下ＳＡＷフィルタと
いう）とＭＣＦ素子４（以下ＭＣＦという）を収容した
構成となっている。パッケージ２は箱型のセラミック製
の容器２ａと、その開口を封止するセラミック製の蓋２
ｂとからなる。容器２ａ内の平坦な底面上にはＳＡＷフ
ィルタ３およびＭＣＦ４を当該パッケージ２の短手方向
（Ｙ方向）に並べて配置する。ＳＡＷフィルタ３は、容
器２ａ内底面に接着剤にて固定され、ＭＣＦ４は容器２
ａ内底面に金属バンプにて固定される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、圧電フィルタおよ
びこれを用いた携帯電話機に関し、特にデュアルモード
やトリプルモード携帯電話機を構成する上で必要とされ
る圧電フィルタの構成に関する。

【０００２】

【従来の技術】次世代通信方式としてCDMA(符号分割多
元接続)方式が導入されつつある。CDMA方式は、現在主
流のFDMA、TDMA方式といった周波数帯域を占有する（周
波数を共有できない）方式ではなく、周波数利用効率の
高い通信が可能なことから、今後ますます普及していく
ものと期待されている。ところで、CDMA方式の携帯電話
サービスを米国にて提供する事業者は、CDMAによる通信
方式だけでは全米のエリアをカバーできないため、すで
に全米で普及しているAMPS（Advanced Mobile Phone Se
rvice）方式とのローミングサービスを行う必要があ
る。そのためCDMA端末（携帯電話機）は、CDMAとAMPSと
の複合方式（デュアルモード）になっている。AMPSとは
FDMA(周波数分割多元接続)による800MHz帯のアナログ方
式を採用した、北南米の携帯電話サービスの名称であ
る。このデュアルモード携帯電話機は、基地局側からの
指示によりCDMAかAMPSのいずれかの方式で変復調して通
信を行う。図１７はデュアルモード携帯電話機の受信回
路の構成を示すブロック図である。アンテナからデュプ
レクサを介してRFフィルタに入力された信号は、不要波
が除去された後、ミキサMIXに入力される。そして局部
発振器OSCからの信号を分周器にて所定の分周比で分周
した信号との混合により、中間周波（ＩＦ）信号にダウ
ンコンバート（周波数変換）される。このとき得られる
ＩＦ信号の中心周波数は183MHzである。またＩＦ信号は
アンプを介してCDMA用ＩＦフィルタにて183MHz±0.6MHz
に帯域制限されて不要波が除去されるとともに、アンプ
を介してAMPS用ＩＦフィルタにて183MHz±0.013MHzに帯
域制限されて不要波が除去される。これらのＩＦ信号が
アンプを介して復調器DEMに入力される構成となってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このように、CDMAとAM
PSとはそれぞれ通信方式が全く異なるため、CDMA方式の
ＩＦ信号出力の帯域は183MHz±0.6MHzと広帯域であるの
に対し、AMPS方式のＩＦ信号出力の帯域は183MHz±0.01
3MHzとCDMA方式に比べて狭帯域であり、ともにＩＦ信号
の中心周波数は183MHzと同じでありながら帯域幅は大き
く異なっている。したがって各方式で使用されるＩＦフ
ィルタの特性も異なり、デュアルバンド携帯電話機を構
成する場合には、CDMA方式のＩＦフィルタとして適した
比較的広帯域な通過帯域特性を有する弾性表面波（ＳＡ
Ｗ）フィルタと、AMPS方式のＩＦフィルタとして適した
狭帯域な通過帯域特性を有するモノリシックフィルタ
（ＭＣＦ）をそれぞれ別個に用意する必要が生じてい
る。しかしながら、デュアルモード携帯電話機（複合方
式端末）では、シングルモード携帯電話機（単体方式端
末）と比較すると部品数が増加するため、端末の大型化
を避けるべく実装部品の小型化が強く求められており、
ＳＡＷフィルタ素子とＭＣＦとを個別の部品としてそれ
ぞれ実装すると携帯電話機（端末）の小型化に寄与する
ことができない。特にＳＡＷフィルタ素子やＭＣＦはチ
ップ抵抗やチップコンデンサといった他の実装部品に比
べて大きな部品であるため、そのような部品が一つでも
増えると端末の小型化を阻害する大きな要因ともなる。
さらにCDMAとAMPSの複合方式に加えて、PCS（Personal
Communications Services：1.9GHz帯のデジタル方式を
採用した北南米地域における携帯電話サービスの総称）
との複合方式も導入されており、このようなトリプルモ
ード携帯電話機ではさらなる小型化への対応が望まれ
る。本発明は上記課題を解決するためになされたもので
あり、デュアルモードあるいはトリプルモード携帯電話
端末の小型化に最適な圧電フィルタを提供することを目
的とする。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１２の発明は、ＳＡＷフィルタ素子とＭＣＦ
素子とを同一パッケージ内に収容したことを特徴とす
る。請求項２の発明は、請求項１において、前記パッケ
ージは、箱形容器の開口を蓋により閉止した構成を備
え、該容器の内底面に、下面に凹所を有した前記ＳＡＷ
フィルタ素子を搭載し、該ＳＡＷフィルタ素子下面の凹
所内に嵌合する位置関係となるように、該パッケージ内
底面に前記ＭＣＦ素子を搭載したことを特徴とする。請
求項３の発明は、請求項１又は２において、前記容器の
内部には、内底面を構成する第１段目の搭載面と、第１
段目の搭載面よりも上方に位置し且つ第１段目の搭載面
を挟んで対向配置された２つの第２段目の搭載面と、を
備え、前記容器の第１段目の搭載面上に容器内壁と所定
の間隔を保った状態でＳＡＷフィルタ素子を搭載し、且
つ第２段目の搭載面上にＭＣＦ素子を搭載し、前記ＳＡ
Ｗフィルタ素子は、矩形の圧電基板と、該圧電基板の上
面に対称位置関係で離間配置した２つのＩＤＴ電極と、
を備え、前記２つの第２段目の搭載面は、前記ＳＡＷフ
ィルタ素子のＩＤＴ電極形成部である圧電基板の両端部
に相当する部分を幅方向外側に退避させて幅狭部とし、
該幅狭部端縁と圧電基板の端縁との間隔を、圧電基板の
中央部端縁と第２段目の搭載面の端縁との間隔よりも広
くなるように設定したことを特徴とする。請求項４の発
明は、請求項１において、前記ＳＡＷフィルタ素子は、
圧電基板と、該圧電基板上面に配置した入力用ＩＤＴ電
極及び出力用ＩＤＴ電極と、両ＩＤＴ電極の外側の基板
面に夫々配置した樹脂アブソーバと、を備え、前記容器
の内底面上に前記ＳＡＷフィルタ素子の下面を搭載し、
該圧電基板上の樹脂アブソーバをバインダとして前記Ｍ
ＣＦ素子を片持ち支持したことを特徴とする。

【０００５】請求項５の発明は、請求項１において、前
記容器の内底面に設けたシールド用接地電極膜上にＳＡ
Ｗフィルタ素子を搭載し、該内底面よりも高い位置にあ
る段差上にＭＣＦ素子を搭載し、該ＭＣＦ素子側のパッ
ド電極と接続するために前記段差上に設けた電極から延
びて容器底部内に埋設された接続導体と、を備えた圧電
フィルタにおいて、前記接続導体と対面する前記シール
ド用接地電極膜の部分を所定範囲に渡って除去し、電極
無し部分としたことを特徴とする。請求項６の発明は、
請求項１、３、４又は５において、前記ＭＣＦ素子は、
矩形の圧電基板と、該圧電基板の片面に形成した複数の
励振電極と、圧電基板の裏面に形成した接地用の共通電
極と、を備え、前記圧電基板の対向する２つの端縁には
夫々内面に導体膜を有した凹陥部を形成し、各凹陥部内
の導体膜を夫々前記励振電極、或いは共通電極と電気的
に接続したことを特徴とする。請求項７の発明は、請求
項１乃至６の何れか一項に記載の圧電フィルタにおい
て、前記ＭＣＦ素子は、帯域通過特性のうち中心周波数
が前記ＳＡＷフィルタ素子と等しく、帯域幅が前記ＳＡ
Ｗフィルタ素子に比べて狭帯域であることを特徴とす
る。請求項８の発明は、請求項１乃至７の何れか一項に
記載の圧電フィルタにおいて、前記ＭＣＦ素子が超薄板
タイプであることを特徴とする。請求項９の発明は、請
求項１乃至８のいずれか１項に記載の圧電フィルタにお
いて、前記ＭＣＦ素子が３電極タイプであることを特徴
とする。請求項１０の発明は、請求項１乃至９のいずれ
か１項に記載の圧電フィルタをＩＦフィルタとして用い
たことを特徴とする。請求項１１の発明は、請求項１０
記載の携帯電話機において、前記携帯電話機がCDMA方式
およびAMPS方式をともに採用する複合方式のものであ
り、前記ＳＡＷフィルタ素子をCDMA方式のＩＦフィルタ
として用い、前記ＭＣＦ素子をAMPS方式のＩＦフィルタ
として用いたことを特徴とする。

【０００６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。本発明にかかる圧電フィル
タは、フィルタ素子（圧電デバイス）を収容するための
１つのセラミックパッケージ内に、フィルタ特性の異な
る複数のフィルタ素子を収容したものである。その構成
は多様であるが、上記デュアルモード携帯電話機を構成
する上で特に必要性の高い、ＳＡＷ/ＭＣＦを例に説明
する。図１は、第１の実施の形態にかかる表面実装型の
圧電フィルタの構成を示す図であり、（ａ）は蓋を除去
したパッケージの上面図、（ｂ）は蓋を取り付けた状態
のパッケージの側部断面図である。圧電フィルタ１は、
セラミックパッケージ２内にＳＡＷフィルタ素子３（以
下、ＳＡＷフィルタ、という）とＭＣＦ素子４（以下、
ＭＣＦ、という）を収容した構成となっている。パッケ
ージ２は、上面が開口した箱型のセラミック製の容器２
ａと、その開口を封止するセラミック製の蓋２ｂとから
なる。容器２ａ内の平坦な底面上にはＳＡＷフィルタ３
およびＭＣＦ４を当該パッケージ２の短手方向（Ｙ方
向）に並べて配置する。ＳＡＷフィルタ３は、容器２ａ
内底面に接着剤５にて固定され、ＭＣＦ４は容器２ａ内
底面に金属バンプ６にて固定される。容器２ａの外底面
には、図示しないプリント基板上に搭載するための外部
電極１５が形成され、容器内の電極部と図示しない導体
により電気的に接続されている。ＳＡＷフィルタ３の圧
電基板３ａは細長い長方形の薄板であり、その上面には
対をなす櫛歯状のＩＤＴ電極３ｂが形成され、各ＩＤＴ
電極３ｂの所定の位置を入出力端子としてボンディング
ワイヤ７の一端が接続され、その他端は容器２ａ内底面
上の外部接続端子８に接続される。ＭＣＦ４はＳＡＷフ
ィルタ３に比べて小さく、パッケージ内の占有面積が少
ないため、これによって生ずる空き領域に外部接続端子
電極８を形成し、ここにボンディングワイヤ７の他端を
接続する。ＳＡＷフィルタ３は帯域通過特性が183MHz±
0.6MHzのものを用いる。ＭＣＦ４の帯域通過特性は183M
Hz±0.013MHzとし、中心周波数が前記ＳＡＷフィルタ３
と等しく、帯域幅が前記ＳＡＷフィルタ３に比べて狭帯
域のものを用いる。ＭＣＦ４は、図２に示すようなフラ
ットな基板４ａを用いることも可能であるが、これを用
いる場合には励振電極（分割電極）４ｃとパッド電極４
ｂとの間隔Ｌをある程度確保しなければ、パッド電極４
ｂをバンプ６にて固定することにより励振時に歪が振動
部（励振電極４ｃ）まで伝達してしまうという問題があ
る。また、上述したようにＩＦ周波数が183MHzと高周波
であることから、かかる高周波を基本波にて実現できる
いわゆる超薄板タイプのものが望ましい。なお、符号４
ｃ’は、励振電極４ｃ、４ｃを形成した主面の裏面に形
成したアース電極としての共通電極であり、４ｂ’はそ
のパッド電極である。

【０００７】図３（ａ）および（ｂ）に示すように、超
薄板タイプのＭＣＦは圧電基板３０１における振動部３
０１ａとその周囲３０１ｂの厚みが異なるので、厚肉部
の周囲３０１ｂをバンプ３０２にて固定しても振動部３
０１ａへの影響は少なく、フリップチップ搭載する上で
好都合である。なお超薄板タイプＭＣＦは図３（ａ）に
示すような基板平坦面側をバンプにて固定する場合の
他、図３（ｃ）に示すように基板の凹陥側をバンプにて
固定することも可能である。また図２および図３に示す
ような２つの励振電極からなるＭＣＦに代えて、図４
（ａ）に示すような３つの励振電極４０１ａ〜４０１ｃ
からなる３電極タイプ（３pole）ＭＣＦ４０１を用いる
こともできる。図４（ｂ）の実線で示すように、この３
poleＭＣＦは２電極のものに比べて減衰傾度が急峻にな
るというフィルタ特性を有することから、AMPS方式に適
しており、より高性能なAMPS用ＩＦフィルタを提供する
ことができる。なお、ＳＡＷフィルタおよびＭＣＦの接
続は、図５（ａ）乃至（ｃ）に示すように、用途に応じ
て平衡または不平衡のいずれにすることも可能である。
すなわち（ａ）に示すようにＳＡＷフィルタとＭＣＦを
ともに平衡接続としたり、（ｂ）に示すようにＳＡＷフ
ィルタを平衡接続、ＭＣＦを不平衡接続としたり、
（ｃ）に示すようにＳＡＷフィルタとＭＣＦをともに不
平衡接続とすることは自由である。このように構成され
た圧電フィルタをデュアルモード携帯電話機に実装した
場合には、ＳＡＷフィルタとＭＣＦとを個別の部品とし
て実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小すること
ができ、携帯電話機の小型化に寄与するものである。

【０００８】図６は、第２の実施の形態にかかる圧電フ
ィルタの構成を示す上面断面図である。なお、図１と同
一の構成要素には同一の符号を付して以下その説明を省
略する。圧電フィルタ１は、セラミックパッケージ２内
にＳＡＷフィルタ３とＭＣＦ４を収容した構成である
が、特に容器２ａ内の平坦な底面上にＳＡＷフィルタ３
およびＭＣＦ４を当該パッケージ２の長手方向（X方
向）に並べて配置する点が第１の実施の形態と異なる。
このように配置するためには、第１の実施の形態で示し
たパッケージより長手方向により長く、短手方向により
短い容器２ａおよびその蓋２ｂを用いる。このように構
成された圧電フィルタをデュアルモード携帯電話機に実
装した場合には、ＳＡＷフィルタとＭＣＦとを個別の部
品として実装した場合に比べて実装面積を大幅に縮小す
ることができ、しかも第１の実施の形態にかかる圧電フ
ィルタとほぼ同一の実装面積でありながらパッケージタ
イプを選択することにより設計の自由度が増すものであ
る。図７は、第３の実施の形態にかかる圧電フィルタの
構成を示す正面断面図である。圧電フィルタ１は、セラ
ミックパッケージ２内にＳＡＷフィルタ３とＭＣＦ４を
上下位置関係となるように収容した構成であるが、特に
パッケージ容器２ａ内の底面を２段に構成した点が第１
および第２の実施の形態と異なる。そしてＭＣＦ４を容
器２ａの内底面（１段目の搭載面）に設けた電極１０上
にバンプ６によって接続配置し、ＳＡＷフィルタ３を２
段目の搭載面に配置したものである。なお１段目の搭載
面の面積はＭＣＦ４を収容するのに十分な面積とし、ま
た２段目の搭載面の面積はＳＡＷフィルタ３を接着剤５
にて固定しかつ外部接続端子電極８を形成するのに十分
な面積とする。ＳＡＷフィルタ３上の入出力端子と外部
接続端子電極８とはボンディングワイヤ７によって接続
される。このように構成された圧電フィルタをデュアル
モード携帯電話機に実装した場合には、ＳＡＷフィルタ
とＭＣＦとを個別の部品として実装した場合に比べて実
装面積を大幅に縮小することができ、さらに第１および
第２の実施の形態と比べても実装面積の更なる縮小が可
能であり、携帯電話機の小型化に寄与するものである。

【０００９】図８は、第４の実施の形態にかかる圧電フ
ィルタの構成を示す正面断面図である。圧電フィルタ１
は、セラミックパッケージ２内にＳＡＷフィルタ３とＭ
ＣＦ４を収容した構成であるが、特にパッケージ容器２
ａ内の底面を３段に構成した点が第３の実施の形態と異
なる。そしてＭＣＦ４を容器２ａ内底面（１段目の搭載
面）に設けた電極１０上にバンプ６によって接続配置
し、ＳＡＷフィルタ３を２段目の搭載面に配置し、３段
目の搭載面には外部接続端子電極８を形成したものであ
る。なお１段目の面積はＭＣＦ４を収容するのに十分な
面積とする必要があり、また２段目はＳＡＷフィルタ３
を接着剤にて固定するのに十分な面積とし、また３段目
は外部接続端子電極８を形成するのに十分な面積とす
る。ＳＡＷフィルタ３上の入出力端子と外部接続端子電
極８とはボンディングワイヤ７によって接続される。こ
のように構成された圧電フィルタをデュアルモード携帯
電話機に実装した場合には、ＳＡＷフィルタとＭＣＦと
を個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大
幅に縮小することができ、さらに第１および第２の実施
の形態に比べても実装面積の更なる縮小が可能であり、
携帯電話機の小型化に寄与するものである。さらに第３
の実施の形態にかかる２段構造のパッケージに比べて、
外部接続端子電極８が上方に位置するのでワイヤボンデ
ィングを極めて容易に行うことができ、製造上極めて有
利である。

【００１０】図９は、第５の実施の形態にかかる圧電フ
ィルタの構成を示す正面断面図である。圧電フィルタ１
は、セラミックパッケージ２内にＳＡＷフィルタ３とＭ
ＣＦ４を収容した構成であり、パッケージ容器２ａ内の
底面を２段に構成し、ＭＣＦ４を容器２ａ内底面（１段
目）に配置して内底面の電極１０上にバンプ６により固
定し、ＳＡＷフィルタ３を２段目に配置した点は第３の
実施の形態と同じであるが、ＳＡＷフィルタ３のＩＤＴ
電極面を容器底面側に向けた状態で、２段目に形成され
た外部接続端子電極８とバンプ９にて接続し固定した点
が第３の実施の形態と異なる。なお１段目の面積はＭＣ
Ｆを収容するのに十分な面積とし、また２段目は外部接
続電極８を形成しＳＡＷフィルタをバンプにて固定する
のに十分な面積とする。このように構成された圧電フィ
ルタをデュアルモード携帯電話機に実装した場合には、
ＳＡＷフィルタとＭＣＦとを個別の部品として実装した
場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、さ
らに第１および第２の実施の形態に比べても実装面積の
更なる縮小が可能であり、携帯電話機の小型化に寄与す
るものである。さらに２段目に外部接続端子電極を形成
する必要がないため、その分だけ第３の実施の形態に比
べて実装面積の小型化を図ることができる。図１０
（ａ）乃至（ｃ）は、第６の実施の形態にかかる圧電フ
ィルタの構成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）
は正面断面図であり、また（ｃ）はこれに用いるＭＣＦ
４の構成を示す上面図である。圧電フィルタ１は、セラ
ミックパッケージ２内にＳＡＷフィルタ３とＭＣＦ４を
収容した構成であり、パッケージ容器２ａ内の底面を２
段に構成した点は第３の実施の形態と同じであるが、Ｓ
ＡＷフィルタ３を容器２ａ内底面（１段目）の電極１０
上にバンプ６により接続配置し、ＭＣＦ４を２段目に配
置した点が第３の実施の形態と異なる。ＳＡＷフィルタ
３はＩＤＴ電極面を上側に向けた状態でバンプ６により
固定し、ＭＣＦ４は２段目の角部に３点がバンプ９によ
り接続されて固定される。なお図１０（ｃ）に示すよう
にＭＣＦ４のパッド電極４ｂ、４ｂ’は圧電基板４ａの
角部に形成し、またこれらが２段目の角部にバンプ９に
て固定されるように、対応する外部接続端子電極を形成
する。また１段目の底面の面積はＳＡＷフィルタ３を収
容するのに十分な面積とし、また２段目はＭＣＦ４をバ
ンプにて固定するのに十分な面積とする。このように構
成された圧電フィルタをデュアルモード携帯電話機に実
装した場合には、第３の実施の形態と同様に、ＳＡＷフ
ィルタとＭＣＦとを個別の部品として実装した場合に比
べて実装面積を大幅に縮小することができ、さらに第１
および第２の実施の形態に比べても実装面積の更なる縮
小が可能であり、携帯電話機の小型化に寄与するもので
ある。

【００１１】図１１は、第７の実施の形態にかかる圧電
フィルタの構成を示す正面断面図である。これは図１０
に示した第6の実施の形態おいて、ＳＡＷフィルタ３を
接着剤５にて固定し、外部接続端子電極８を２段目に形
成し、ＳＡＷフィルタ３と外部接続端子電極８との接続
をワイヤボンディング７により行ったものである。この
ように構成された圧電フィルタをデュアルモード携帯電
話機に実装した場合には、第６の実施の形態と同様に、
ＳＡＷフィルタとＭＣＦとを個別の部品として実装した
場合に比べて実装面積を大幅に縮小することができ、さ
らに第１および第２の実施の形態に比べても実装面積の
更なる縮小が可能であり、携帯電話機の小型化に寄与す
るものである。また第6の実施の形態と比較しても、Ｓ
ＡＷフィルタ３をバンプ接続する必要がなく、ＳＡＷフ
ィルタの固定が極めて容易かつ確実となる。図１２は、
第８の実施の形態にかかる圧電フィルタの構成を示す正
面断面図である。圧電フィルタ１は、セラミックパッケ
ージ２内にＳＡＷフィルタ３とＭＣＦ４を収容した構成
であり、パッケージ容器２ａ内の底面を２段に構成し、
ＳＡＷフィルタ３およびＭＣＦ４をともにバンプにより
固定する点は第５の実施の形態と同じであるが、特にＭ
ＣＦ４をパッケージの蓋２ｂ裏面に固定した点が第５の
実施の形態と異なる。蓋２ｂ裏面にはＭＣＦ４をバンプ
接続するための接続端子電極１２を形成しておく。なお
パッケージ容器２ａ内の底面を２段に構成したのはＳＡ
Ｗフィルタ３を実装する際に位置決めが容易となるから
であり、必ずしも２段に構成する必要はない。このよう
に構成された圧電フィルタをデュアルモード携帯電話機
に実装した場合には、ＳＡＷフィルタ３とＭＣＦ４とを
個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を大幅
に縮小することができ、さらに第１および第２の実施の
形態に比べても実装面積の更なる縮小が可能であり、携
帯電話機の小型化に寄与するものである。さらに、パッ
ケージの容器２ａにＳＡＷフィルタ３をバンプ接続する
工程と、パッケージの蓋２ｂにＭＣＦ４をバンプ接続す
る工程とを、別々に同時進行させることができるため、
第５の実施の形態に比べて製造工程の短縮化を図ること
ができる。

【００１２】図１３は、第９の実施の形態にかかる圧電
フィルタの構成を示す正面断面図であり、ＳＡＷフィル
タ３を蓋２ｂの裏面に固定（裏面に設けた接続端子電極
１２上に搭載）した点が第５の実施の形態と異なる。こ
の場合も第８の実施の形態と同様に、パッケージの容器
２ａにＭＣＦ４をバンプ接続する工程と、パッケージの
蓋２ｂにＳＡＷフィルタ３をバンプ接続する工程とを、
別々に同時進行させることができるため、第５の実施の
形態に比べて製造工程の短縮化を図ることができる。な
お、上述したそれぞれの圧電フィルタは、デュアルモー
ド携帯電話機に限らず、PCSにも対応したトリプルモー
ド携帯電話機にも使用可能である。次に、上記各実施形
態では、いずれもパッケージ２の同一内底面上にＳＡＷ
フィルタ３とＭＣＦ４とを並置したり、或いはパッケー
ジ内底面に段差を設けて上下位置関係にてＳＡＷフィル
タ３とＭＣＦ４とを配置していた。このため、前者の実
施形態ではパッケージの平面積が拡がり、後者の実施形
態ではパッケージの高さ寸法が増大せざるを得なかっ
た。

【００１３】図１４（ａ）は、上記各実施形態が夫々有
する不具合を一挙に解決することができる第１０の実施
形態に係る圧電フィルタの構成を示す縦断面図である。
この図に示した圧電フィルタ１は、セラミックパッケー
ジ２のフラットな内底面上のパターン電極１０上に、圧
電基板３ａの下面に凹所２１を有したＳＡＷフィルタ３
をバンプ６等を用いて搭載する一方で、該凹所２１とパ
ッケージ内底面との間に形成される空間を利用して、該
凹所２１内にＭＣＦ４を非接触にて嵌合させた状態で、
該ＭＣＦ４をパッケージ内底面のパターン電極１３上に
バンプ９等を用いて搭載した構成が特徴的である。この
実施形態に係るＳＡＷフィルタ３は、図１４（ｂ）に示
すように圧電基板３ａ上にＩＤＴ電極３ｂを形成した構
成を備え、その寸法は例えば図示の如く、縦３〜５ｍ
ｍ、横７〜８ｍｍ、肉厚０．４〜０．５ｍｍ程度であ
る。また、同図に示すＭＣＦ４は例えば図３に示した如
き超薄板タイプであり、その寸法は例えば図示の如く、
縦横２〜３ｍｍ、肉厚０．０８ｍｍ程度である。なお、
ここで超薄板タイプとは、超薄肉の振動板の外周を一体
的に厚肉の環状部で一体化した基板を用いたタイプを指
称する。この図から明らかなように、圧電基板３ａの肉
厚が０．４〜０．５ｍｍであるのに対して、ＭＣＦ４の
肉厚は０．０８ｍｍ程度と、大幅に薄くなっている。換
言すれば、圧電基板３ａの肉厚は、ＭＣＦ４の肉厚より
も充分に厚く設定されている。このため、圧電基板３ａ
の下面にその肉厚の約半分以下の深さを有した凹所２１
を形成した場合に、ＭＣＦ４を充分な余裕をもって凹所
２１内に非接触で嵌合しながら、パッケージ内底面上に
バンプ９によって搭載することが可能となる。凹部２５
を有したＭＣＦ４の向きとしては、図示のように凹部２
５を上向きにしても良いし、下向きにしても良い。実際
の組み付け手順としては、パッケージ内底面上のパター
ン電極１３上にＭＣＦ４をバンプ９を用いて搭載してか
ら、ＭＣＦ４を凹所２１内に嵌合させた状態で、パッケ
ージ内底面のパターン電極１０上にＳＡＷフィルタ３を
バンプ６を用いて搭載する。なお、周知のようにＩＤＴ
３ｂによって励起される表面弾性波は、圧電基板３ａの
表面のみを伝搬するため、圧電基板３ａの裏面の形状に
影響されない。従って、圧電基板の裏面に凹所２１を形
成したとしてもＳＡＷフィルタ３の特性に影響はない。

【００１４】次に、図１５（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は、
図１４に示した圧電基板の下面の構成例を示す斜視図で
あり、圧電基板３ａの下面に形成する凹所２１は、
（ａ）の如く周囲全体を包囲された凹所であってもよい
し、（ｂ）のように一側面を除いた３側面を包囲された
凹所であっても良いし、更に、（ｃ）のように対向する
２つの側面だけを包囲された凹所であってもよい。これ
らの凹所２１は、圧電基板３ａを大面積のウェハーを用
いてバッチ処理により製造する際に、大面積のウェハー
上の各個片の下面に相当する位置にエッチングにより形
成する。この実施形態に係る圧電フィルタによれば、パ
ッケージの高さを増大させる原因となるパッケージ内段
差を設けることなく、ＳＡＷフィルタとＭＣＦ４を上下
位置関係に配置し、しかもＳＡＷフィルタ下面の凹所２
１内にＭＣＦ４を収容するようにしたので、圧電フィル
タの平面積（実装面積）を増大させずに高さ方向の寸法
も必要最低限に極限することができる。次に、図１６は
図１４の実施形態の変形例であり、ＳＡＷフィルタ３と
パッケージ側との電気的接続をワイヤ７により確保する
場合を示している。この場合には、図８の実施形態と同
様に、パッケージ内壁に段差を一つ設けて、段差上の外
部接続端子電極８と圧電基板３ａ上のＩＤＴ３ｂとの間
をワイヤ７によりボンディングすればよい。なお、ＭＣ
Ｆ４に関しては、ＳＡＷフィルタ３の下面の凹所２１内
に非接触にて嵌合させた状態で、バンプ６などによって
パッケージ内底面に搭載する。この場合も充分に、パッ
ケージの高さ方向寸法を低減することができる。

【００１５】次に、図１７（ａ）（ｂ）及び（ｃ）は本
発明の第１１の実施形態に係る圧電フィルタの容器構造
を示す平面図、Ａ−Ａ断面図、及びＢ−Ｂ断面図であ
る。また、図１８（ａ）及び（ｂ）は図１７の実施形態
と比較するための従来例を示す平面図、及びバキューム
ノズルにてＳＡＷフィルタを吸着した状態を示す平面図
である。図１８に示す従来の圧電フィルタ１を構成する
パッケージ２は、上面が開口した箱形容器２ａと、この
開口を閉止する図示しない蓋２ｂと、から成る。容器２
ａの内部には、内底面を構成する第１段目の搭載面２Ａ
と、第１段目の搭載面２Ａよりも上方に位置し且つ第１
段目の搭載面２Ａを挟んで対向配置された２つの第２段
目の搭載面２Ｂと、が設けられている。容器２ａの第１
段目の搭載面２Ａ上には、圧電基板３ａの２つの長手方
向端縁と容器内壁２Ｃ（第２段目の搭載面２Ｂの端縁）
との間に夫々所定の間隔Ｗ１を保った状態でＳＡＷフィ
ルタ素子３を搭載し、且つ第２段目の搭載面２Ｂ上には
ＭＣＦ素子４を搭載した構成を備えている。また、圧電
基板３ａの短辺と容器内壁２Ｃとの間にも、所定の間隔
Ｗ２が設定されている。第２段目の搭載面２Ｂ上の電極
８は、ＭＣＦ４側に設けるＩＮ、ＯＵＴ、ＧＮＤの各端
子を接続するための電極である。この例では、容器２ａ
の内部凹所の長手方向寸法は７．６ｍｍであり、内部凹
所の幅方向寸法（第２段目の搭載面の端縁間の間隔）は
２．４ｍｍである。このような内部凹所にＳＡＷフィル
タ３を収容する際には、図１８（ｂ）に示すバキューム
吸引ノズルＮの先端面を圧電基板３ａの上面中央部に吸
着させた状態で内部凹所の内底面である第１段目の搭載
面２Ａ上に移載して位置決めし、搭載する。しかし、ノ
ズルＮにより圧電基板３ａの上面中央部に吸着する際
に、ノズルＮに対する圧電基板３ａの姿勢が、図１８
（ｂ）中に点線で示す如く、実線で示す正規の角度か
ら、ノズルを中心として回転方向に僅かにずれることが
ある。この回転によって発生するズレ量Ｌは最大で０．
３５ｍｍ程度である。このため、容器２ａの内部凹所の
縦横寸法を圧電基板３ａの縦横寸法よりも大きく設定し
ておかないと、圧電基板３ａ端縁と容器内壁２Ｃとが接
触した状態でマウントされ、ＳＡＷフィルタの特性に悪
影響を及ぼすこととなる。そこで、最大のズレ量Ｌに対
応させて、圧電基板３ａの２つの長辺と各容器内壁２Ｃ
との間隔Ｗ１が夫々０．３５ｍｍとなるように設定する
一方、圧電基板３ａの２つの短辺と各容器内壁２Ｃとの
間隔Ｗ２を０．２５ｍｍに設定している。このような制
限から、容器の内部凹所に搭載可能な圧電基板３ａの最
大サイズは、長辺が７．１ｍｍで、短辺が１．７ｍｍと
なる。

【００１６】ところで、ＳＡＷフィルタにあっては、Ｉ
ＤＴ電極を構成する櫛歯状電極指の交差長Ｄを大きくす
ることによって損失を低減して特性を向上できるため、
圧電基板３ａの幅方向寸法を大きくすることが理想であ
る。しかし、実際には上記の如く容器２ａの内部凹所の
寸法との関係から、上記の例における圧電基板３ａのサ
イズの限界値は、長辺が７．１ｍｍで、短辺が１．７ｍ
ｍである、とされていた。本実施形態は、上記の如く内
部凹所の寸法が限られた容器内にＳＡＷフィルタ３を搭
載する際に、圧電基板の幅方向寸法を拡張して圧電基板
上のＩＤＴ電極の櫛歯状電極指同志の交差長Ｄを増大さ
せることを可能とし、しかも位置決めする際に回転方向
への位置決め誤差が発生しても圧電基板と容器内壁とを
接触させることなくマウントできる圧電フィルタを提供
するものである。即ち、図１７に示すように本実施形態
では、ＳＡＷフィルタ３は、長方形状の圧電基板３ａ
と、圧電基板３ａの上面にその長手方向に沿って対称位
置関係で離間配置した２つのＩＤＴ電極３ｂと、を備え
ている。つまり、２つのＩＤＴ電極３ｂは、圧電基板３
ａの中央部よりも両端縁寄りの位置に夫々配置されてい
る。また、容器２ａにあっては、対向し合う２つの第２
段目の搭載面２Ｂのうち、ＳＡＷフィルタ３の長手方向
両端部（非中央部）に対面する部分を夫々所定幅だけ幅
方向外側に退避させて幅狭部２Ｂ’とすることにより、
各幅狭部２Ｂ’の端縁と圧電基板３ａの端縁との間隔Ｗ
３が、圧電基板の長手方向中央部端縁と容器内壁との間
隔Ｗ４よりも広くなるように設定した点が特徴的であ
る。即ち、対向し合う２つの第２段目の搭載面２Ｂは、
その長手方向中央部に夫々張り出し部（幅広部）２Ｂ”
を有すると共に、各張り出し部２Ｂ”の両側方には幅狭
部２Ｂ’を備えている。対向し合う張り出し部２Ｂ”間
の間隔は図１８（ａ）に示した従来例と同様に２．４ｍ
ｍであるが、各幅狭部２Ｂ’は張り出し部２Ｂ”よりも
０．１ｍｍ幅方向外側に退避した位置にある。従って、
対向し合う各幅狭部２Ｂ’間の間隔は、２．６ｍｍと拡
張されており、図１８（ａ）に示した従来の容器の内部
凹所の幅方向寸法である２．４ｍｍよりも大きくなって
いる。

【００１７】このため、上記のように内部凹所内底面に
搭載するＳＡＷフィルタ３の圧電基板３ａの幅方向寸法
を従来よりも０．２ｍｍ拡幅して１．９ｍｍとすること
ができる。従って、圧電基板３ａの幅を拡幅した分だ
け、基板上の非中央部に形成するＩＤＴ電極３ｂの交差
長を長くして損失を少なくすることができる。更に、バ
キューム吸引用のノズルを圧電基板３ａの中央部に当接
させて圧電基板３ａを吸着保持した状態で、容器２ａの
内底面に位置決め搭載する際に、回転方向にずれが発生
したとしても、圧電基板３ａの長辺と各幅狭部２Ｂ’と
の間隔は最大ずれ量（図１８（ｂ）のＬ）である０．３
５ｍｍに設定されているので、圧電基板が容器内壁に接
触した状態で搭載されることがない。このようにこの実
施形態は、第１段目の搭載面上にＳＡＷフィルタ３を上
向きに搭載する一方で、第１段目の搭載面の両側方に配
置した第２段目の搭載面上にＭＣＦ４を搭載した圧電フ
ィルタにおいて、容器内壁を構成する２つの第２段目の
搭載面の中央部を局部的に幅広にして張り出し部２Ｂ”
を形成する（容器内壁間隔を局部的に狭くする）一方
で、張り出し部の両側に位置する第２段目の搭載面を幅
狭部２Ｂ’として容器内壁間隔を局部的に拡幅した。こ
のため、ＳＡＷフィルタ３の中心部をバキューム吸引用
のノズルにより吸着して第１段目の搭載面上に位置決め
する際に、回転方向への位置ズレが発生したとしても、
回転中心に近いために回転による位置ズレ量が少ない圧
電基板３ａの中央部と容器内壁との間隔Ｗ４よりも、回
転による位置ズレ量が大きい圧電基板３ａの両端部側と
容器内壁との間の間隔Ｗ３が広く設定されているので、
位置ズレによる内壁との接触を防止できる。また、容器
内壁間隔を圧電基板の両端部に対応する位置において広
くしているので、その分だけ圧電基板の幅を広くして、
ＩＤＴ電極の電極指間の交差長を長くすることができ
る。

【００１８】次に、図１９（ａ）及び（ｂ）は本発明の
第１２の実施形態に係る圧電フィルタの構成を示す平面
図（蓋を除去した状態）、及び縦断面図である。また、
図２０は、この実施形態に対応する従来例のＳＡＷフィ
ルタ素子を示す斜視図である。まず、図２０に示した従
来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ３にあっては、
圧電基板３ａ上に形成された入力用ＩＤＴ電極３ｂ−Ａ
に電気信号を入力すると表面波ａが励起され、隣接配置
された出力側ＩＤＴ電極３ｂ−Ｂに到達する。出力側Ｉ
ＤＴ電極３ｂ−Ｂはこの表面波ａをピックアップして電
気信号として取り出す。しかし、入力側ＩＤＴ電極３ｂ
−Ａは、表面波ａだけでなく、反対側に表面波ｂを放出
する。この表面波ｂは、圧電基板の端面Ｘにて反射して
表面波ａとの間で干渉を起こす。また、表面波ａの一部
も出力側ＩＤＴ電極３ｂ−Ｂを通過して圧電基板の他端
面Ｙに到達し、他端面Ｙでの反射波が表面波ａと干渉す
る。これらの表面波と反射波との干渉は、フィルタ特性
を悪化させる原因となるため、干渉を防止するために、
圧電基板３ａ表面の両端近傍位置に夫々アブソーバ３１
としての樹脂材料を塗布して端面反射を防止している。
本発明では、このアブソーバ３１として利用される樹脂
をバインダとして兼用し、アブソーバ３１を用いてＳＡ
Ｗフィルタ３上にＭＣＦ４を片持ち支持するようにした
構成が特徴的である。即ち、図１９（ａ）（ｂ）に示す
ようにこの圧電フィルタ１は、容器２ａと蓋２ｂとから
成るパッケージ２内にＳＡＷフィルタ３と、ＭＣＦ４と
を収容した構成を備えている。容器２ａの内底面上には
接着剤、或いはバンプ等の適宜の手法によってＳＡＷフ
ィルタ３が搭載されている。ＳＡＷフィルタ３は、圧電
基板３ａの表面に入力側と出力側の各ＩＤＴ電極３ｂ−
Ａ、３ｂ−Ｂを配置するとともに、各ＩＤＴ電極３ｂ−
Ａ、３ｂ−Ｂの外側の基板面に樹脂から成るアブソーバ
３１を夫々配置している。

【００１９】本発明では、一方のアブソーバ３１をバイ
ンダとして利用し、ＭＣＦ４の圧電基板４ａの一端下部
を接着保持している。製造工程においては、アブソーバ
３１として使用する樹脂を基板３ａ上に塗布してから、
これが硬化する前に、ＭＣＦ４の圧電基板４ａの一端部
をアブソーバ樹脂上に圧接してこれを接着する。接着後
に容器２ａ内の段差２Ｂ上のパッドとの間でワイヤボン
ディングによりＭＣＦ４上のパッド電極４ｂ、４ｂ’
（図１参照）と接続する。容器内底面にＳＡＷフィルタ
３を搭載し、ＳＡＷフィルタよりも上側に位置する容器
内段差上にＭＣＦ４を搭載する場合には、容器の高さ
増、容器構成の複雑化、組み付け手数増という問題が発
生していたが、本実施形態ではＳＡＷフィルタ３の基板
上に配置されるアブソーバ３１をバインダとして兼用し
てＭＣＦ４を支持するようにしたので、容器の小型化、
容器構成のシンプル化、組み付け手数の低減による生産
性の向上、コストダウンを図ることが可能となる。

【００２０】次に、図２１は本発明の第１３の実施形態
に係る圧電フィルタの容器内底面に設けるシールド用接
地電極膜の構成例を示す要部斜視図であり、図２２
（ａ）乃至（ｄ）はこの実施形態との比較構成を説明す
るための要部斜視図、断面図、及び欠点を説明する等価
回路図である。まず、図２２に示した比較例の圧電フィ
ルタ１は、容器２ａの内底面（第１段目の搭載面）２Ａ
上にＳＡＷフィルタ３の圧電基板３ａ下面をシールド用
接地電極膜（全面電極膜）３５を介して導電性接着剤等
により固定し、更に上側に位置する第２段目の搭載面２
Ｂ上にＭＣＦ４を搭載する構成を有している。第２段目
の搭載面２Ｂ上には、ＭＣＦ４の圧電基板４ａ面に設け
た２つの励振電極４ｃ、及び共通電極４ｃ’と夫々接続
される入力側電極８ＩＮ、出力側電極８ＯＵＴ、及び接
地電極８ＧＮＤが隣接配置されており、各電極４ｃ、４
ｃ、４ｃ’から延びるリード端子と、各電極８ＩＮ、８
ＯＵＴ、及び８ＧＮＤが一対一にて接続される。また、
図２２（ｂ）の断面図に示すように、第２段目の搭載面
２Ｂ上の各電極のうちの入力側電極８ＩＮは、対応する
外部電極１５との間の導通を確保するために容器２ａの
底部肉厚内に配線された接続導体３６と接続されてい
る。他の電極８ＯＵＴ、及び８ＧＮＤは、図２２（ｃ）
に示すように容器底部を通過せずに直接各外部電極と接
続されている。このような容器構造にあっては、図２２
（ｄ）に示すように、容器内底面上の全面電極膜３５と
接続導体３６との間にコンデンサ（容量）が形成され、
入力側電極８ＩＮにのみこの容量が加わることとなり、
入力側電極８ＩＮ（入力側励振電極４ｃ）と出力側電極
８ＯＵＴ（出力側励振電極４ｃ）との間でインピーダン
スの対称性が失われ、ＭＣＦ４の電気的特性が悪化す
る。そこで、図２１に示す本発明の実施形態では、容器
２ａの内底面２Ａに形成するシールド用接地電極膜３５
のうち、容器底部内に配線された接続導体３６と対面す
る部分を所定幅に渡って除去して電極無し部３７とし、
この電極無し部３７に容器内底面を露出させるようにし
た。

【００２１】即ち、図２１に示す本実施形態の容器２ａ
は、図２２に示したＳＡＷフィルタ素子３の圧電基板３
ａ下面を接続する第１段目の搭載面（内底面）２Ａ上に
シールド用接地電極膜３５を備えている。また、第１段
目の搭載面２Ａよりも高い位置にある段差である第２段
目の搭載面２Ｂ上には、図２２に示したＭＣＦ４の圧電
基板４ａ面に設けた２つの励振電極４ｃ、及び共通電極
４ｃ’と夫々接続される入力側電極８ＩＮ、出力側電極
８ＯＵＴ、及び接地電極８ＧＮＤが隣接配置されてお
り、各電極４ｃ、４ｃ、４ｃ’から延びるリード端子
と、各電極８ＩＮ、８ＯＵＴ、及び８ＧＮＤが一***置
にて接続される。本実施形態の特徴的な構成は、第２段
目の搭載面２Ｂ上に配置される入力側電極８ＩＮ、及び
出力側電極８ＯＵＴのうちの一つの電極、この例では入
力側電極８ＩＮから外部電極１５へ延びる接続導体３６
と対面する容器内底面上にシールド用接地電極膜３５を
配置しない電極無し部３７を設けた点にある。換言すれ
ば、従来容器内底面上に形成されていた全面ベタの接地
用導体膜のうちから、容器底部内に埋設された接続導体
３６との間で容量を形成する虞のある接地用導体膜部分
を除去した構成が特徴的である。この実施形態によれ
ば、容器内底面上の全面電極膜３５と接続導体３６との
間にコンデンサ（容量）が形成されることがなくなり、
入力側電極８ＩＮにのみ容量が加わることが無くなる。
従って、入力側電極８ＩＮ（入力側励振電極４ｃ）と出
力側電極８ＯＵＴ（出力側励振電極４ｃ）との間でイン
ピーダンスの対称性が失われ、ＭＣＦ４の電気的特性が
悪化する、という不具合が一切なくなる。尚、シールド
用の全面電極膜は、容器内底面上に形成したものに限ら
ず、容器底部の多層セラミック中間層に内装したもので
あってもよい。

【００２２】次に、図２３（ａ）乃至（ｄ）は、本発明
の第１４の実施形態に係るＭＣＦの平面図、要部拡大
図、搭載状態の平面図、及び接続部の断面図である。例
えば図２２（ｂ）に示した圧電フィルタのように、容器
内に張り出した２つの段差２Ｂ上の電極８とＭＣＦ４に
設けた端子とを半田接続するとすれば、狭い段差面上で
使用可能な半田量が限られるため、接続不良が発生する
虞がある。そこで、本実施形態では、図２３に示すよう
に、ＭＣＦ４を構成する圧電基板４ａ（図示した例は、
図１４（ｃ）に示した如き凹所を有したタイプ）の対向
する２つの端縁（端面）に、夫々内面に導体膜４１を有
した凹陥部４０を形成し、各凹陥部４０内の導体膜４１
を夫々基板４ａ上の励振電極４ｃ、或いは共通電極４
ｃ’から延びるリード端子と電気的に接続した。これに
より、図２３（ｄ）に示したように、凹陥部４０内に充
分な量の半田４２が充填されることとなり、導体膜４１
と電極８との間の接続強度を高めることができる。

【００２３】次に、図２４（ａ）及び（ｂ）は本発明の
第１５の実施形態に係る圧電フィルタの構成を示す平面
図、及びその縦断面図である。例えば図２２（ｂ）に示
した圧電フィルタにあっては、容器２ａの内底面である
第２段目の搭載面２Ａ上にＳＡＷフィルタ３を搭載し、
該第１段目の搭載面２Ａを挟むように第２段目の搭載面
２Ｂを２カ所配置して各搭載面２Ｂに跨るようにＭＣＦ
４を搭載している。しかし、このように構成すると、個
々の第２段目の搭載面２Ｂの幅が狭くなるため、搭載作
業が容易でないばかりか、第２段目の搭載面２Ｂ上に形
成する電極８の面積も狭くなるため、接続のために使用
できる半田の量が限定されて、接続強度を充分に確保で
きなくなる。そこで本実施形態の圧電フィルタ１では、
図２４に示すように、第１段目の搭載面２Ａの一端縁寄
りの容器内壁側にだけ第２段目の搭載面２Ｂを設け、こ
の第２段目の搭載面２Ｂの幅を広く確保するようにし
た。そして、第１段目の搭載面２Ａ上にはＳＡＷフィル
タ３を搭載し、ＳＡＷフィルタ３上の電極と第２段目の
搭載面２Ｂ上の電極８ａとの間の導通をワイヤ７により
確保すると共に、ＭＣＦ４については、ＭＣＦ４の一端
縁に沿って配置された各パッド電極４ｂ、４ｂ、４ｂ’
と、第２段目の搭載面２Ｂ上の他の電極８ｂとの間を夫
々半田或いは導電性接着剤などのバインダ５０によって
接続している。幅の広い第２段目の搭載面２Ｂ上に形成
される各電極８ａ、８ｂは、面積を広くすることができ
るので、ＭＣＦ４側の各パッド電極４ｂ、４ｂ、４ｂ’
との接続に使用する半田量を増量して接続強度を高める
ことができる。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、ＳＡＷフィルタ素子とＭＣＦ素子とを同一
パッケージ内に収容したので、ＳＡＷフィルタとＭＣＦ
とを個別の部品として実装した場合に比べて実装面積を
大幅に縮小することができる。また、請求項２に記載の
発明によれば、前記パッケージの内底面に、下面に凹所
を有した前記ＳＡＷフィルタを搭載し、該ＳＡＷフィル
タ下面の凹所内に嵌合する位置関係となるように、該パ
ッケージ内底面に前記ＭＣＦ素子を搭載したので、パッ
ケージの高さを増大させる原因となるパッケージ内段差
を設けることなく、ＳＡＷフィルタとＭＣＦ４を上下位
置関係に配置し、しかもＳＡＷフィルタ下面の凹所２１
内にＭＣＦ４を収容するようにしたので、圧電フィルタ
の平面積（実装面積）を増大させずに高さ方向の寸法も
必要最低限に極限することができる。請求項３に記載の
発明では、第１段目の搭載面上にＳＡＷフィルタを搭載
する一方で、第１段目の搭載面の両側方に配置した第２
段目の搭載面上にＭＣＦを搭載した圧電フィルタにおい
て、容器内壁を構成する２つの第２段目の搭載面の中央
部を局部的に幅広にして張り出し部を形成する（容器内
壁間隔を局部的に狭くする）一方で、張り出し部の両側
に位置する第２段目の搭載面を幅狭部として容器内壁間
隔を局部的に拡幅した。このため、ＳＡＷフィルタの中
心部をバキューム吸引用のノズルにより吸着して第１段
目の搭載面上に位置決めする際に、回転方向への位置ズ
レが発生したとしても、回転中心に近いために回転によ
る位置ズレ量が少ない圧電基板の中央部と容器内壁との
間隔よりも、回転による位置ズレ量が大きい圧電基板の
両端部側と容器内壁との間の間隔が広く設定されている
ので、位置ズレによる内壁との接触を防止できる。ま
た、容器内壁間隔を圧電基板の両端部に対応する位置に
おいて広くしているので、その分だけ圧電基板の幅を広
くして、ＩＤＴ電極の電極指間の交差長を長くすること
ができる。

【００２５】請求項４に記載の発明では、容器内底面に
ＳＡＷフィルタを搭載し、ＳＡＷフィルタよりも上側に
位置する容器内段差上にＭＣＦを搭載する場合に、ＳＡ
Ｗフィルタの基板上に配置されるアブソーバをバインダ
として兼用してＭＣＦを支持するようにしたので、容器
の小型化、容器構成のシンプル化、組み付け手数の低減
による生産性の向上、コストダウンを図ることが可能と
なる。請求項５に記載の発明では、第２段目の搭載面上
に配置される入力側電極、出力側電極、及び接地電極の
うちの一つの電極、この例では入力側電極から外部電極
へ延びる接続導体と対面する容器内底面上にシールド用
接地電極膜を配置しない電極無し部を設けた。つまり、
従来容器内底面上に形成されていた全面ベタの接地用導
体膜のうちから、容器底部内に埋設された接続導体との
間で容量を形成する虞のある接地用導体膜部分を除去し
た。このため、入力側電極にのみ容量が加わることが無
くなる。従って、入力側電極（入力側励振電極）と出力
側電極（出力側励振電極）との間でインピーダンスの対
称性が失われ、その電気的特性が悪化する、という不具
合が一切なくなる。請求項６の発明によれば、ＭＣＦ４
を構成する圧電基板の対向する２つの端縁（端面）に、
夫々内面に導体膜を有した凹陥部を形成し、各凹陥部内
の導体膜を夫々基板上の励振電極、或いは共通電極から
延びるリード端子と電気的に接続した。これにより、凹
陥部内に充分な量の半田が充填されることとなり、導体
膜と電極との間の接続強度を高めることができる。ま
た、請求項７記載の発明によれば、請求項１、乃至６に
記載の圧電フィルタにおいて、前記ＭＣＦは、帯域通過
特性のうち中心周波数が前記ＳＡＷフィルタと等しく、
帯域幅が前記ＭＣＦに比べて狭帯域であるため、請求項
１記載の発明の効果に加えて、CDMAとAMPSとのデュアル
モード携帯電話機において、CDMA方式のＩＦフィルタと
してＳＡＷフィルタを用い、AMPS方式のＩＦフィルタと
してＭＣＦを用いることができ、当該デュアルモード携
帯電話機を高性能化かつ小型化する上で効果が大きいも
のである。

【００２６】また、請求項８記載の発明によれば、請求
項１乃至７記載の圧電フィルタにおいて、前記ＭＣＦが
超薄板タイプであるため、ＩＦ周波数を基本波にて実現
でき、圧電基板をバンプにて固定しても歪による振動部
への影響が少なく、その特性を十分発揮することができ
る。また、請求項９記載の発明によれば、請求項１乃至
８記載の圧電フィルタにおいて、前記ＭＣＦが３電極タ
イプであるため、フィルタ特性の減衰傾度を急峻にする
ことができ、AMPS方式に最適なフィルタ特性を提供する
ことができる。また、請求項１０記載の発明によれば、
携帯電話機において、請求項１乃至９のいずれか１つに
記載の圧電フィルタをＩＦフィルタとして用いたので、
CDMAとAMPSとのデュアルモードのような、ＩＦ周波数は
等しいが帯域幅が異なる２つのＩＦ信号を生成する場合
に、前記圧電フィルタをＩＦフィルタとして用いること
で小型かつ高性能なデュアルモード携帯電話機を提供す
ることが可能となる。また、請求項１１記載の発明によ
れば、請求項１０記載の携帯電話機において、前記携帯
電話機がCDMA方式およびAMPS方式をともに採用する複合
方式のものであり、前記ＳＡＷフィルタをCDMA方式のＩ
Ｆフィルタとして用い、前記ＭＣＦをAMPS方式のＩＦフ
ィルタとして用いたので、小型かつ高性能なデュアルモ
ード携帯電話機を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態にかかる圧電フィルタの構成
を示す図であり、（ａ）は上面断面図、（ｂ）は側面断
面図。

【図２】（ａ）（ｂ）はフラット基板からなるＭＣＦの
構造を示す図。

【図３】（ａ）〜（ｃ）は超薄板タイプのＭＣＦの構造
を示す図。

【図４】（ａ）（ｂ）は３poleＭＣＦの構造を示す図。

【図５】（ａ）〜（ｃ）はＳＡＷフィルタおよびＭＣＦ
の接続構成を示す図。

【図６】第２の実施の形態にかかる圧電フィルタの構成
を示す上面断面図。

【図７】第３の実施の形態にかかる圧電フィルタの構成
を示す正面断面図。

【図８】第４の実施の形態にかかる圧電フィルタの構成
を示す正面断面図。

【図９】第５の実施の形態にかかる圧電フィルタの構成
を示す正面断面図。

【図１０】第６の実施の形態にかかる圧電フィルタの構
成を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は正面断面
図、（ｃ）はこれに用いるＭＣＦの構成を示す上面図。

【図１１】第７の実施の形態にかかる圧電フィルタの構
成を示す正面断面図。

【図１２】第８の実施の形態にかかる圧電フィルタの構
成を示す正面断面図。

【図１３】第９の実施の形態にかかる圧電フィルタの構
成を示す正面断面図。

【図１４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１０の実施形態
に係る圧電フィルタの構成を示す正面縦断面図。

【図１５】（ａ）〜（ｃ）は第１０の実施形態に係る圧
電フィルタに使用するＳＡＷフィルタ素子の例を示す斜
視図。

【図１６】第１０の実施形態の変形例を示す正面縦断面
図。

【図１７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１１の実施形態
に係る圧電フィルタの容器構造を示す平面図、Ａ−Ａ断
面図、及びＢ−Ｂ断面図。

【図１８】（ａ）（ｂ）は図１７の実施形態と比較する
ための従来例を示す平面図、及びバキュームノズルにて
ＳＡＷフィルタを吸着した状態を示す平面図。

【図１９】（ａ）（ｂ）は本発明の第１２の実施形態に
係る圧電フィルタの構成を示す平面図（蓋を除去した状
態）、及び縦断面図。

【図２０】従来のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタの
構成説明図。

【図２１】本発明の第１３の実施形態に係る圧電フィル
タの容器内底面に設けるシールド用接地電極膜の構成例
を示す要部斜視図。

【図２２】（ａ）〜（ｄ）はこの実施形態との比較構成
を説明するための要部斜視図、断面図、及び欠点を説明
する等価回路図。

【図２３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１４の実施形
態に係るＭＣＦの平面図、要部拡大図、搭載状態の平面
図、及び接続部の断面図。

【図２４】（ａ）（ｂ）は本発明の第１５の実施形態に
係る圧電フィルタの構成を示す平面図、及びその縦断面
図。

【図２５】デュアルモード携帯電話機の受信回路の構成
を示すブロック図。

【符号の説明】

１ 圧電フィルタ、２ セラミックパッケージ、２ａ
容器、２ｂ 蓋、２Ａ第１段目の搭載面（内底面）、２
Ｂ 第２段目の搭載面、２Ｂ’ 幅狭部、２Ｂ” 張り
出し部（幅広部）、２Ｃ 容器内壁、３ ＳＡＷフィル
タ（ＳＡＷフィルタ素子）、３ａ 圧電基板、３ｂ Ｉ
ＤＴ電極、４ ＭＣＦ（ＭＣＦ素子）、４ａ 圧電基
板、４ｂ、４ｂ’パッド電極、４ｃ 励振電極、４ｃ’
共通電極、５ 接着剤、６ バンプ（金属バンプ）、
７ ボンディングワイヤ、８ 外部接続端子電極、９
バンプ（金属バンプ）、１０、１３ パターン電極、１
５外部電極、３１ アブソーバ、３５ シールド用接地
電極膜、３６ 接続導体、３７ 電極無し部、４０ 凹
陥部、４１ 導体膜、５０ バインダ、２０１ 励振電
極、２０２ パッド電極、３０１ 圧電基板、３０１ａ
振動部、３０１ｂ振動部の周囲、３０２ バンプ、４
０１ ３電極タイプ（３pole）ＭＣＦ、４０１ａ〜４０
１ｃ 励振電極。

フロントページの続き Ｆターム(参考） 5J097 AA29 AA34 BB15 HA04 JJ01 KK10 LL02 LL08 5J108 AA07 BB02 CC04 CC09 CC11 EE03 EE07 GG03 GG16 JJ04 5K011 DA27 JA01 5K027 AA11 BB14 CC08 MM00

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＳＡＷフィルタ素子とＭＣＦ素子とを同
   一パッケージ内に収容したことを特徴とする圧電フィル
   タ。
2. 【請求項２】 前記パッケージは、箱形容器の開口を蓋
   により閉止した構成を備え、 該容器の内底面に、下面に凹所を有した前記ＳＡＷフィ
   ルタ素子を搭載し、該ＳＡＷフィルタ素子下面の凹所内
   に嵌合する位置関係となるように、該パッケージ内底面
   に前記ＭＣＦ素子を搭載したことを特徴とする請求項１
   に記載に圧電フィルタ。
3. 【請求項３】 前記容器の内部には、内底面を構成する
   第１段目の搭載面と、第１段目の搭載面よりも上方に位
   置し且つ第１段目の搭載面を挟んで対向配置された２つ
   の第２段目の搭載面と、を備え、 前記容器の第１段目の搭載面上に容器内壁と所定の間隔
   を保った状態でＳＡＷフィルタ素子を搭載し、且つ第２
   段目の搭載面上にＭＣＦ素子を搭載し、 前記ＳＡＷフィルタ素子は、矩形の圧電基板と、該圧電
   基板の上面に対称位置関係で離間配置した２つのＩＤＴ
   電極と、を備え、 前記２つの第２段目の搭載面は、前記ＳＡＷフィルタ素
   子のＩＤＴ電極形成部である圧電基板の両端部に対面す
   る部分を幅方向外側に退避させて幅狭部とし、該幅狭部
   端縁と圧電基板の端縁との間隔を、圧電基板の中央部端
   縁と第２段目の搭載面の端縁との間隔よりも広くなるよ
   うに設定したことを特徴とする請求項１、又は２に記載
   の圧電フィルタ。
4. 【請求項４】 前記ＳＡＷフィルタ素子は、圧電基板
   と、該圧電基板上面に配置した入力用ＩＤＴ電極及び出
   力用ＩＤＴ電極と、両ＩＤＴ電極の外側の基板面に夫々
   配置した樹脂アブソーバと、を備え、 前記容器の内底面上に前記ＳＡＷフィルタ素子の下面を
   搭載し、該圧電基板上の樹脂アブソーバをバインダとし
   て前記ＭＣＦ素子を片持ち支持したことを特徴とする請
   求項１に記載の圧電フィルタ。
5. 【請求項５】 前記容器の内底面に設けたシールド用接
   地電極膜上にＳＡＷフィルタ素子を搭載し、該内底面よ
   りも高い位置にある段差上にＭＣＦ素子を搭載し、該Ｍ
   ＣＦ素子側のパッド電極と接続するために前記段差上に
   設けた電極から延びて容器底部内に埋設された接続導体
   と、を備えた圧電フィルタにおいて、 前記接続導体と対面する前記シールド用接地電極膜の部
   分を所定範囲に渡って除去し、電極無し部分としたこと
   を特徴とする請求項１に記載の圧電フィルタ。
6. 【請求項６】 前記ＭＣＦ素子は、矩形の圧電基板と、
   該圧電基板の片面に形成した複数の励振電極と、圧電基
   板の裏面に形成した接地用の共通電極と、を備え、 前記圧電基板の対向する２つの端縁には夫々内面に導体
   膜を有した凹陥部を形成し、各凹陥部内の導体膜を夫々
   前記励振電極、或いは共通電極と電気的に接続したこと
   を特徴とする請求項１、３、４、又は５の何れか一項に
   記載の圧電フィルタ。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６の何れか一項に記載の圧
   電フィルタにおいて、前記ＭＣＦ素子は、帯域通過特性
   のうち中心周波数が前記ＳＡＷフィルタ素子と等しく、
   帯域幅が前記ＳＡＷフィルタ素子に比べて狭帯域である
   ことを特徴とする圧電フィルタ。
8. 【請求項８】 請求項１乃至７の何れか一項に記載の圧
   電フィルタにおいて、前記ＭＣＦ素子が超薄板タイプで
   あることを特徴とする圧電フィルタ。
9. 【請求項９】 請求項１乃至８のいずれか１項に記載の
   圧電フィルタにおいて、前記ＭＣＦ素子が３電極タイプ
   であることを特徴とする圧電フィルタ。
10. 【請求項１０】 請求項１乃至９のいずれか１項に記載
    の圧電フィルタをＩＦフィルタとして用いたことを特徴
    とする携帯電話機。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の携帯電話機におい
    て、前記携帯電話機がCDMA方式およびAMPS方式をともに
    採用する複合方式のものであり、前記ＳＡＷフィルタ素
    子をCDMA方式のＩＦフィルタとして用い、前記ＭＣＦ素
    子をAMPS方式のＩＦフィルタとして用いたことを特徴と
    する携帯電話機。