JP2003162253A - 有機電界発光素子の駆動回路 - Google Patents

有機電界発光素子の駆動回路

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淳一 丸山
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Nippon Seiki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光の強度の低下を抑えて寿命を延ばすこと
のできる有機電界発光素子の駆動回路の提供を目的とす
る。 【解決手段】 複数の陽極Ａ１〜Ａ３と複数の陰極Ｂ１
〜Ｂ４とが対向しながら交差し、前記両極間に少なくと
も発光層を有する有機層が介在し、前記両極の一方をド
ライブ線及び前記両極の他方を走査線とし、この走査線
の全部を１フィールドとして所定の周波数で走査するこ
とにより、前記交差個所を画素Ｅ１１〜Ｅ３４として発
光を呈する有機電界発光素子の駆動回路である。画素Ｅ
１１〜Ｅ３４の寄生容量にチャージされる電荷をキャン
セルする方向のバイアス電圧Ｖｒが印加される所定の付
加容量を有するコンデンサＣ１１〜Ｃ３４を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機電界発光素子
（ＯＬＥＤ）の駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機化合物から成る発光層を有するＯＬ
ＥＤは、直流低電圧駆動を実現するものとして注目され
ており、例えば特公平６−３２３０７号公報には、透光
性ガラスから成る基板の上面にインジウムスズ酸化物
（ITO）の半透明被膜から成る陽極を形成し、この上に
正孔注入層、発光層、アルミニュウム（Al）の被膜から
成る陰極を順次形成し、前記陽極と前記陰極との間に電
源を接続することにより、前記陽極で発生した正孔は前
記正孔注入層と前記発光層との界面へ伝達され、ここで
前記陰極から伝達された電子と結合し、可視光線を発す
る構成が開示されている。
【０００３】このＯＬＥＤで前記陽極と前記陰極とを夫
々複数個の短冊状にて形成すると共に前記陽極と前記陰
極とを格子状に配置し、この格子状に配置した前記陽極
と前記陰極との各交点位置を発光個所（画素）として、
前記陽極または前記陰極のいずれか一方を一定の時間間
隔で順次選択して走査すると共に、この走査に同期して
他方を駆動源たる直流定電流回路で駆動することによ
り、任意の前記画素を発光させるようにした所謂単純マ
トリクス型表示を行うＯＬＥＤ及びその駆動回路が知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】斯かるＯＬＥＤは、長
時間の使用において、前記正孔注入層と前記発光層との
界面に電荷が蓄積することにより、前記画素における発
光輝度が低下するという問題があった。
【０００５】このような問題を解決するものとして、例
えば特開平９−２３２０７４号公報には、前記単純マト
リクス型表示を行う駆動回路（方法）として、次の走査
線（前記陰極）への切り替わり時に所定時間（リセット
時間）、全ての前記走査線を一旦同じ電位からなるリセ
ット電圧零ボルト（または電源電圧）に接続することに
より、発光させるべき前記画素の前記寄生容量は、ドラ
イブ線（前記陽極）を介して前記駆動源により充電され
ると共に、発光されない前記画素の前記寄生容量を通じ
て前記走査線の逆バイアス電圧によっても同時に充電さ
れて、これにより発光させるべき前記画素は、その両端
電圧が瞬時に発光可能な電位まで立ち上がるので、瞬時
に発光することができる技術が開示されている。
【０００６】しかしながら、次の走査線への切り替わり
時に、全ての前記走査線を一旦同じ電位からなる前記リ
セット電圧に接続することは操作が煩雑となり、駆動回
路の大型化や複雑化を生じる。また、非選択の前記走査
線には前記電源電圧が印加されることから、前記画素を
介して前記ドライブ線へと発光に寄与しない無効な充電
電流が流れ、消費電流が大きくなる。また、前記リセッ
ト時間の間は発光すべきものも含めて全ての前記画素が
消えてしまうことから、発光時間が相対的に短くなって
発光輝度の低下を招き、これを補うためには通常よりも
ピーク輝度を高くしなければならず、これが輝度低下特
性を促進させて前記ＯＬＥＤの寿命を縮める。
【０００７】また、例えば特許第３１０２４１１号公報
には、前記ＯＬＥＤを駆動する定電流駆動手段にパルス
発生器の出力により前記ＯＬＥＤの駆動立上がり時に前
記寄生容量（接合容量）を所定の電位に充電する充電回
路を設けることにより、所定時間（充電時間）で前記接
合容量を充電することができ、パルスの立上がりを遅ら
せることなく駆動することにより、前記発光輝度の低下
を抑制することができる技術が開示されている。
【０００８】しかしながら、前記充電回路による補正
は、キャンセルする電荷が「電流×時間」又は「電圧×
時間」により決まるため、その制御パラメータである電
流値，電圧値，時間の設定が難しい。また、前記充電時
間を設けることにより、その間は前記画素の全部が非発
光となり、発光すべきものも含めて全ての前記画素が消
えてしまうことから、発光時間が相対的に短くなって発
光輝度の低下を招き、これを補うためには通常よりもピ
ーク輝度を高くしなければならず、これが輝度低下特性
を促進させて前記ＯＬＥＤの寿命を縮める。
【０００９】本発明は、斯かる点に着目してなされたも
のであり、所謂単純マトリクス型表示を行うＯＬＥＤに
適用することにより、簡単な構成により前記ＯＬＥＤの
寿命を延ばすことのできる駆動回路の提供を目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明のＯＬＥＤの駆動回路は、請求項１に記載の
ように、陽極と陰極とが対向し、前記両極間に少なくと
も発光層を有する有機層が介在し、前記対向個所を画素
として発光を呈する有機電界発光素子の駆動回路であっ
て、前記画素の寄生容量にチャージされる電荷をキャン
セルする方向のバイアス電圧が印加される所定の付加容
量を有するコンデンサを設けるものである。
【００１１】また、請求項２に記載の通り、複数の陽極
と複数の陰極とが対向しながら交差し、前記両極間に少
なくとも発光層を有する有機層が介在し、前記両極の一
方をドライブ線及び前記両極の他方を走査線とし、この
走査線の全部を１フィールドとして所定の周波数で走査
することにより前記走査線の何れかを順次選択状態とし
ながらこれと同期して他方に駆動源を接続することによ
り前記交差個所を画素として発光を呈する有機電界発光
素子の駆動回路であって、前記画素の寄生容量にチャー
ジされる電荷をキャンセルする方向のバイアス電圧が印
加される所定の付加容量を有するコンデンサを設けるも
のである。
【００１２】また、請求項３に記載の通り、複数の陽極
と複数の陰極とが対向しながら交差し、前記両極間に少
なくとも発光層を有する有機層が介在し、前記両極の一
方をドライブ線及び前記両極の他方を走査線とし、少な
くとも前記一方の上に誘電体材料で前記走査線間を絶縁
する隔壁を有し、前記走査線の全部を１フィールドとし
て所定の周波数で走査することにより前記走査線の何れ
かを順次選択状態としながらこれと同期して他方に駆動
源を接続することにより前記交差個所を画素として発光
を呈する有機電界発光素子の駆動回路であって、前記隔
壁の上に形成する導体膜と前記一方との間で前記画素の
寄生容量にチャージされる電荷をキャンセルする方向の
バイアス電圧が印加される所定の付加容量を有するコン
デンサを形成するものである。
【００１３】特に、請求項３において請求項４に記載す
るように、前記導体膜は、共通接続されて前記バイアス
電圧を供給するバイアス回路に接続される。
【００１４】特に、請求項１から請求項３において請求
項５に記載するように、前記付加容量の合計は、前記寄
生容量の合計以上である。
【００１５】特に、請求項１から請求項３において請求
項６に記載するように、前記駆動源は、直流電流又は直
流電圧駆動を行い、前記バイアス電圧は、直流である。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明を、添付図面に示した実施
の形態に基づき説明する。
【００１７】図１，図２は、実施の形態に係る駆動回路
であり、行（横方向）×列（縦方向）＝３×４個＝１２
個の画素を有する場合を示している。例えば車輌の走行
距離計や時計等の数字を１行で表示する表示装置として
斯かるＯＬＥＤを用いる場合には、前記行の個数は表示
する桁数により定まり、前記列は１６個程度必要であ
る。
【００１８】Ａ１〜Ａ３は陽極、Ｂ１〜Ｂ４は陰極、Ｅ
１１〜Ｅ３４は、陽極Ａ１〜Ａ３と陰極Ｂ１〜Ｂ４との
交点に位置して発光を呈する画素であり、各画素Ｅ１１
〜Ｅ３４は、夫々ダイオード特性からなる発光エレメン
トとこれに並列接続された寄生容量との等価回路で示さ
れるが、以下の説明及び図面では、画素Ｅ１１〜Ｅ３４
の特性が等しいものとして、任意の画素Ｅｘｘの前記寄
生容量をＣｅｌとする。そして、陽極Ａ１〜Ａ３にはド
ライブ回路１０、陰極Ｂ１〜Ｂ４には走査回路２０が接
続されている。
【００１９】ドライブ回路１０には、駆動電圧Ｖａを出
力する駆動電圧回路３０を接続し、陽極Ａ１〜Ａ３との
間に陽極Ａ１〜Ａ３を選択するためのスイッチ１１〜１
３を有し、これらのスイッチ１１〜１３を「ＯＮ」する
ことにより、陽極Ａ１〜Ａ３に対してドライブ用の駆動
源たる直流定電流回路１４〜１６を接続するものであ
る。
【００２０】走査回路２０には、各陰極Ｂ１〜Ｂ４を走
査線として順次に走査するためのスイッチ２１〜２４を
有し、各スイッチ２１〜２４の一端は、駆動電圧回路３
０から供給されるカットオフ電圧Ｖｋボルトが印加され
る逆電圧端子、他端は０（零）ボルトのグランド端子に
接続されており、このスイッチ２１〜２４は順番に前記
逆電圧端子（非選択）と前記グランド端子（選択）とに
切り替えられる。
【００２１】そして、ドライブ回路１０及び走査回路２
０の制御は、表示制御回路４０により制御される。な
お、図面中では、ドライブ回路１０のスイッチ１１〜１
３において、電流回路１４〜１６で電流Ｉｄを画素Ｅ１
１〜Ｅ３４の何れかへ印加する場合を「ＯＮ」、印加し
ない場合を「ＯＦＦ」として表示する。また、走査回路
２０のスイッチ２１〜２４において、陽極Ｂ１〜Ｂ４の
うち走査しているものに繋がる場合を「選択」、走査し
ていないものに繋がる場合を「非選択」として表示す
る。これにより、ドライブ回路１０が「ＯＮ」及び走査
回路２０が「選択」である画素Ｅ１１〜３４の何れかの
みが発光することになる。
【００２２】画素Ｅ１１〜Ｅ３４と陽極Ａ１〜Ａ３の各
接続点には、コンデンサＣ１１〜Ｃ３４の一端が夫々接
続されており、このコンデンサＣ１１〜Ｃ３４の他端
は、一括してバイアス回路５０に接続されており、この
バイアス回路５０は、コンデンサＣ１１〜Ｃ３４へバイ
アス電圧Ｖｒ（＝Ｖｋ，＞Ｖｆ）ボルトを供給する。な
お、任意のコンデンサＣｘｘは、前記一端が繋がる画素
Ｅｘｘの寄生容量Ｃｅｌ以上の付加容量Ｃｒを有するよ
うに選択接続するが、前述の通り画素Ｅ１１〜Ｅ３４の
特性が等しい（すなわち、寄生容量Ｃｅｌは画素Ｅ１１
〜Ｅ３４で全て同じ）ものとすれば、付加容量Ｃｒは一
種類となる。
【００２３】斯かる駆動回路による発光の制御について
説明するが、以下においては、陰極Ｂ２を走査線として
走査して画素Ｅ２２，Ｅ３２を発光させた後、陰極Ｂ３
を走査して画素Ｅ１３，Ｅ３３を発光させる場合につい
て説明する。
【００２４】陰極Ｂ２を走査して画素Ｅ２２，Ｅ３２を
発光させるには、図１で示すように、走査回路２０のス
イッチ２２が選択側である前記グランド端子に切り替え
られており、陰極Ｂ２が走査されている。その他のスイ
ッチ２１，２３，２４は非選択側である逆電圧端子に切
り替えられている。従って、走査回路２０の画素側の電
位は、スイッチ２２が０ボルトで、他はＶｋボルトであ
る。
【００２５】陽極Ａ２，Ａ３には、ドライブ回路１０の
スイッチ１２，１３によって電流回路１５，１６が接続
されているが、他のスイッチ１１はグランド端子に接続
されている。従って、ドライブ回路１０の画素側の電位
は、スイッチ１２，１３が所定の電位であるＶｆボルト
で、他は０ボルトである。
【００２６】このとき、ドライブ回路１０が「ＯＮ」で
走査回路２０が「選択」である画素Ｅ２２，Ｅ３２のみ
が順方向にバイアスされ、電流回路１５，１６から駆動
電流Ｉdが流れており、この画素Ｅ２２，Ｅ３２にチャ
ージされる電荷Ｑonは、Ｃｅｌ×Ｖｆ＞０である。
【００２７】走査回路２０が「選択」である他の画素Ｅ
１２にチャージされる電荷Ｑoff１は、０であり、Ｑon
＞Ｑoff１の関係となり、画素Ｅ１２は発光しないし、
電流は流れない。
【００２８】ドライブ回路１０が「ＯＮ」で走査回路２
０が「非選択」である画素Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ２４，Ｅ
３１，Ｅ３３，Ｅ３４にチャージされる電荷Ｑoff２
は、Ｃｅｌ×（Ｖｋ−Ｖｆ）＜０である。すなわち、Ｖ
ｋとＶｆとは逆極性であることからこれらの差はＶｆに
比べて低く、Ｑon＞Ｑoff２の関係となり、電荷Ｑoff２
の画素Ｅｘｘは発光しないし、殆ど電流が流れない。
【００２９】ドライブ回路１０が「ＯＦＦ」で走査回路
２０が「非選択」である画素Ｅ１１，Ｅ１３，Ｅ１４に
チャージされる電荷Ｑoff３は、Ｃｅｌ×Ｖｋ＜０であ
る。すなわち、ＶｋとＶｆとは逆極性であることから、
Ｑon＞Ｑoff３の関係となり、電荷Ｑoff３の画素Ｅｘｘ
は発光しないし、殆ど電流が流れない。
【００３０】ドライブ回路１０が「ＯＮ」である画素Ｅ
ｘｘに繋がっているコンデンサＣ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１
〜Ｃ３４にチャージされる電荷Ｑｃ１は、Ｃｒ×（Ｖｒ
−Ｖｆ）＞０である。これは、ＶｋとＶｆとを同極性に
設定することによる。
【００３１】ドライブ回路１０が「ＯＦＦ」である画素
Ｅｘｘに繋がっているコンデンサＣ１１〜Ｃ１４にチャ
ージされる電荷Ｑｃ２は、Ｃｒ×Ｖｒ＞０である。これ
は、ＶｋとＶｆとを同極性に設定することによる。
【００３２】次に、陰極Ｂ３を走査して画素Ｅ１３，Ｅ
３３を発光させるには、図２で示すように、走査回路２
０のスイッチ２３が選択側であるグランド端子に切り替
えられて、陰極Ｂ３が走査される。その他のスイッチ２
１，２２，２４は非選択側である逆電圧端子に切り替え
られている。従って、走査回路２０の画素側の電位は、
スイッチ２２が０ボルトで、他はＶｋボイルである。
【００３３】陽極Ａ１，Ａ３には、ドライブ回路１０の
スイッチ１１，１３によって電流回路１４，１６が接続
されているが、他のスイッチ１２はグランド端子に接続
されている。従って、ドライブ回路１０の画素側の電位
は、スイッチ１１，１３が所定の電位であるＶｆボルト
で、他は０ボルトである。
【００３４】このとき、ドライブ回路１０が「ＯＮ」で
走査回路２０が「選択」である画素Ｅ１３，Ｅ３３のみ
が順方向にバイアスされ、電流回路１４，１６から駆動
電流Ｉdが流れており、この画素Ｅ１３，Ｅ３３にチャ
ージされる電荷ＱonはＣｅｌ×Ｖｆである。一方、他の
画素Ｅｘｘの電荷Ｑoffは前述の通り（Ｑoff１〜Ｑoff
３参照）であり、Ｑon＞Ｑoffの関係となって、電荷Ｑo
ffの前記他の画素Ｅｘｘは発光しない。
【００３５】また、コンデンサＣ１ｎ，Ｃ３ｎ（ｎ＝１
〜４、以下同じ）にチャージされる電荷Ｑｃ１とコンデ
ンサＣ２ｎの電荷Ｑｃ２も前述の通りである。
【００３６】この図１から図２へ移行する際、画素Ｅ１
１，Ｅ１３，Ｅ１４にチャージされていた電荷Ｑoff３
は、Ｑoff３＝Ｑｃ２の関係から、コンデンサＣ１１，
Ｃ１３，Ｃ１４にチャージされていた電荷Ｑｃ２とキャ
ンセルされる。
【００３７】同様に、画素Ｅ３１，Ｅ３３，Ｅ３４にチ
ャージされていた電荷Ｑoff２は、Ｑoff２＝Ｑｃ１の関
係から、コンデンサＣ３１，Ｃ３３，Ｃ３４にチャージ
されていた電荷Ｑｃ１とキャンセルされる。
【００３８】一方、画素Ｅ２ｎ及びこれに繋がるコンデ
ンサＣ２ｎにチャージされていた電荷は、スイッチ１２
がアースされることから放電される。
【００３９】なお、画素Ｅ１２にチャージされていた電
荷Ｑoff１は０であったので、図１から図２への切り替
わりにおいて電荷の移動はなく、これに繋がるコンデン
サＣ１２にチャージされていた電荷Ｑｃ２は変化しな
い。
【００４０】また、画素Ｅ３２では、電荷Ｑon（図１）
から電荷Ｑoff２（図２）へ低下するが、これに繋がる
コンデンサＣ３２がその電荷Ｑｃ１を一定に保とうとす
るため、余分な電荷Ｑon−Ｑoff２は、スイッチ２３を
介してグランド端子に繋がる画素Ｅ３３へ移動する。
【００４１】このように、画素Ｅｘｘとこれに繋がるコ
ンデンサＣｘｘとで、画素Ｅｘｘ（前述の例では、画素
Ｅ１１，Ｅ１３，Ｅ１４，Ｅ３１，Ｅ３３，Ｅ３４）に
チャージされていた電荷をキャンセルすることができ、
前記電荷による劣化を改善することができる。
【００４２】また、発光から非発光へ変化する画素Ｅｘ
ｘ（前述の例では、画素Ｅ３２）と非発光から発光へ変
化する画素Ｅｘｘ（前述の例では、画素Ｅ３３）とがド
ライブ回路１０の同一ライン（前述の例では、陽極Ａ
３）に接続されている場合、前者の画素から後者の画素
へその余分な電荷が移動するため、後者の画素への電荷
の注入が効率良く短時間で行われることになり、発光の
立上がりが急峻になる。
【００４３】画素Ｅｘｘが非発光から発光へと移行する
場合、すなわち、ドライブ回路１０側の電位が０ボルト
からＶｆボルトへと上昇する過程で、電圧上昇分をΔＶ
とすると、画素Ｅｘｘの発光に寄与しない電荷＝Ｃｅｌ
×ΔＶと、これに繋がるコンデンサＣｘｘの電荷＝Ｃｒ
×ΔＶとは、電圧上昇分ΔＶが等しいことから、寄生容
量Ｃｅｌと付加容量Ｃｒにより蓄積されていた互いの電
荷がキャンセルされることになる。
【００４４】このためには、画素Ｅｘｘに蓄積されて発
光に寄与しない電荷と、これに繋がるコンデンサＣｘｘ
に蓄積されている電荷の極性が逆で、前者の電荷を完全
になくするには、後者の電荷をそれよりも大きくしてお
くことが必要であり、このため、Ｃｅｌ≦Ｃｒが望まし
いものである。
【００４５】なお、図１，図２において、駆動源として
直流定電流回路１４〜１６を用いた例を説明したが、直
流定電圧回路を用いても前記同様に実現することがで
き、何れの場合でも駆動源が直流であれば、画素Ｅｘｘ
の寄生容量Ｃｅｌにチャージされる電荷をキャンセルす
るコンデンサＣｘｘの付加容量Ｃｒへチャージするた
め、バイアス電圧Ｖｒは、直流とすることが望ましい。
【００４６】次に、コンデンサＣｘｘの具体的な形成方
法について説明する。
【００４７】所謂単純マトリクス型表示を行うＯＬＥＤ
の構造として、例えば特開平８−３１５９８１号公報に
は、図３，図４で示すように、複数の第１表示電極たる
陽極Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・Ａｘが表面に形成された基
板１００と、少なくとも陽極Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・Ａ
ｘの一部分を露出せしめる基板１００上に突出する複数
の電気絶縁性の隔壁２００と、露出した陽極Ａ１，Ａ
２，Ａ３・・・Ａｘの部分の各々上に形成された少なく
とも１層の有機ＥＬ媒体の薄膜３００と、この薄膜３０
０の上に形成された複数の第２表示電極たる陰極Ｂ１，
Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４・・・Ｂｘとからなるものが開示され
ている。
【００４８】斯かる構成においては、陰極Ｂ１，Ｂ２，
Ｂ３，Ｂ４・・・Ｂｘを形成する際に、陰極Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４・・・Ｂｘの材料、例えばアルミニュウ
ムを隔壁２００の上方より蒸着することにより、隔壁２
００の上にも陰極Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４・・・Ｂｘと
同じ材料からなる導体膜４００が形成される。
【００４９】ここで、隔壁２００を形成する材料とし
て、誘電体を用い、陽極Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・Ａｘの
少なくとも１個（例えば、最後のＡｘ）を表示には寄与
せずに図１，図２で示したバイアス回路５０へ繋がる接
続ラインとし、これに導体膜４００を電気的に接続させ
る。
【００５０】具体的には、図４で示すように、各隔壁２
００の陽極Ａｘと対向する個所にスルーホール５００を
形成し、隔壁２００の上から陰極Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ
４・・・Ｂｘ及び導体膜４００を形成する際に、それら
の材料の一部がスルーホール５００に入り、導体膜４０
０と陽極Ａｘとを電気的に接続することで、導体膜４０
０は、共通接続されてバイアス電圧Ｖｒを供給するバイ
アス回路５０（図１，図２参照）に接続されるため、構
成を簡単にすることができる。
【００５１】これにより、隔壁２００の上の導体膜４０
０と陽極Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・Ａｘ−１との間でコン
デンサＣｘｘを得ることができる。
【００５２】なお、隔壁２００は、殆どの個所で陽極Ａ
１，Ａ２，Ａ３・・・Ａｘに挟まれており、例えば、陰
極Ｂ１と陰極Ｂ２との間に位置する隔壁２００ａの上の
導体膜４００ａと陽極Ａ１，Ａ２，Ａ３・・・Ａｘとの
間で得られるコンデンサＣｘｘは、陽極Ａ１，Ａ２，Ａ
３・・・と陰極Ｂ１とで形成される画素Ｅ１１，Ｅ２
１，Ｅ３１・・・のグループと、陽極Ａ１，Ａ２，Ａ３
・・・と陰極Ｂ２とで形成される画素Ｅ１２，Ｅ２２，
Ｅ３２・・・のグループとの双方に影響を与えるコンデ
ンサＣｘｘとなる。
【００５３】従って、斯かる構成とした場合には、図
１，図２で示したような、画素ＥｘｘとコンデンサＣｘ
ｘとが１対１で対応する構成とはならない。このため、
コンデンサＣｘｘの付加容量Ｃｒの合計は、影響を与え
る画素Ｅｘｘの個数を考慮して画素Ｅｘｘの寄生容量Ｃ
ｅｌの合計以上、望ましくはかなり大きめに設定する必
要がある。
【００５４】本発明は、前述した所謂単純マトリクス型
表示を行うＯＬＥＤに限らず、セグメント型表示を行う
ＯＬＥＤであっても、同様に適用することができるもの
で、陽極と陰極とが対向し、前記両極間に少なくとも発
光層を有する有機層が介在し、前記対向個所を画素とし
て発光を呈するＯＬＥＤであれば、前記画素の寄生容量
にチャージされる電荷をキャンセルする方向のバイアス
電圧が印加される所定の付加容量を有するコンデンサを
設けることで実現することができる。
【００５５】
【発明の効果】請求項１〜請求項６に記載の発明によれ
ば、前記従来の技術が必要としたリセット時間又は充電
時間の設定による発光時間の短縮がなくなり、発光ピー
ク輝度が下がる。また、発光立上がり特性が向上して階
調のためのリニアリティーが良くなり、表示商品性が向
上する。また、駆動シーケンスに特別なタイミング回路
を付加する必要がなくなり、駆動回路は小型化や簡素化
ができる。よって、簡単な構成により前記ＯＬＥＤの寿
命を延ばすことのできる駆動回路の提供を実現すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態の回路図。
【図２】 同上の回路図。
【図３】 本発明の実施の形態の要部概略斜視図。
【図４】 同上の要部概略断面図。
【符号の説明】
Ａ１〜Ａ３〜Ａｘ 陽極 Ｂ１〜Ｂ４〜Ｂｘ 陰極 Ｃ１１〜Ｃ３４〜Ｃｘｘ コンデンサ Ｅ１１〜Ｅ３４〜Ｅｘｘ 画素 １０ ドライブ回路 ２０ 走査回路 ３０ 駆動電圧回路 ４０ 表示制御回路 ５０ バイアス回路

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 陽極と陰極とが対向し、前記両極間に少
    なくとも発光層を有する有機層が介在し、前記対向個所
    を画素として発光を呈する有機電界発光素子の駆動回路
    であって、前記画素の寄生容量にチャージされる電荷を
    キャンセルする方向のバイアス電圧が印加される所定の
    付加容量を有するコンデンサを設けることを特徴とする
    有機電界発光素子の駆動回路。
  2. 【請求項２】 複数の陽極と複数の陰極とが対向しなが
    ら交差し、前記両極間に少なくとも発光層を有する有機
    層が介在し、前記両極の一方をドライブ線及び前記両極
    の他方を走査線とし、この走査線の全部を１フィールド
    として所定の周波数で走査することにより前記走査線の
    何れかを順次選択状態としながらこれと同期して他方に
    駆動源を接続することにより前記交差個所を画素として
    発光を呈する有機電界発光素子の駆動回路であって、前
    記画素の寄生容量にチャージされる電荷をキャンセルす
    る方向のバイアス電圧が印加される所定の付加容量を有
    するコンデンサを設けることを特徴とする有機電界発光
    素子の駆動回路。
  3. 【請求項３】 複数の陽極と複数の陰極とが対向しなが
    ら交差し、前記両極間に少なくとも発光層を有する有機
    層が介在し、前記両極の一方をドライブ線及び前記両極
    の他方を走査線とし、少なくとも前記一方の上に誘電体
    材料で前記走査線間を絶縁する隔壁を有し、前記走査線
    の全部を１フィールドとして所定の周波数で走査するこ
    とにより前記走査線の何れかを順次選択状態としながら
    これと同期して他方に駆動源を接続することにより前記
    交差個所を画素として発光を呈する有機電界発光素子の
    駆動回路であって、前記隔壁の上に形成する導体膜と前
    記一方との間で前記画素の寄生容量にチャージされる電
    荷をキャンセルする方向のバイアス電圧が印加される所
    定の付加容量を有するコンデンサを形成することを特徴
    とする有機電界発光素子の駆動回路。
  4. 【請求項４】 前記導体膜は、共通接続されて前記バイ
    アス電圧を供給するバイアス回路に接続されることを特
    徴とする請求項３に記載の有機電界発光素子の駆動回
    路。
  5. 【請求項５】 前記付加容量の合計は、前記寄生容量の
    合計以上であることを特徴とする請求項１から請求項３
    の何れかに記載の有機電界発光素子の駆動回路。
  6. 【請求項６】 前記駆動源は、直流電流又は直流電圧駆
    動を行い、前記バイアス電圧は、直流であることを特徴
    とする請求項１から請求項３の何れかに記載の有機電界
    発光素子の駆動回路。
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