JPH05205873A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH05205873A JPH05205873A JP4013208A JP1320892A JPH05205873A JP H05205873 A JPH05205873 A JP H05205873A JP 4013208 A JP4013208 A JP 4013208A JP 1320892 A JP1320892 A JP 1320892A JP H05205873 A JPH05205873 A JP H05205873A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機ＥＬ素子にて表示装置を構成した場合、
有機ＥＬ素子の瞬時発光輝度を増やさずに、平均発光輝
度を大きくする。 【構成】 有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０を介して
対向する透明電極８および金属電極１１とからなる発光
部４を、基板１上に形成する。透明電極８を介して発光
部４と電気的に直列にａ−Ｓｉ層３を接続形成する。ａ
−Ｓｉ層３は、発光部４からの光を感じて、抵抗値を減
らす。 【効果】 有機ＥＬ素子は、電圧−輝度特性にヒステリ
シスを示すので、一旦発光すると、発光開始電圧よりも
低い電圧の印加で連続発光できる。この有機ＥＬ素子を
複数個組み合わせて、明るい画面の表示パネルを形成で
きる。
有機ＥＬ素子の瞬時発光輝度を増やさずに、平均発光輝
度を大きくする。 【構成】 有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０を介して
対向する透明電極８および金属電極１１とからなる発光
部４を、基板１上に形成する。透明電極８を介して発光
部４と電気的に直列にａ−Ｓｉ層３を接続形成する。ａ
−Ｓｉ層３は、発光部４からの光を感じて、抵抗値を減
らす。 【効果】 有機ＥＬ素子は、電圧−輝度特性にヒステリ
シスを示すので、一旦発光すると、発光開始電圧よりも
低い電圧の印加で連続発光できる。この有機ＥＬ素子を
複数個組み合わせて、明るい画面の表示パネルを形成で
きる。
Description
【０００１】
【技術分野】本発明は、電荷の注入により発光する有機
エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子に
関する。
エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）素子に
関する。
【０００２】
【背景技術】一般に有機ＥＬ素子を用いたディスプレイ
表示装置は、画素数に応じて複数の有機ＥＬ素子をＸ−
Ｙ単純マトリックス型に配列した構造が採られ、各画素
を例えば線順次走査駆動により順次発光させて表示を行
っている。このようにＸ−Ｙ単純マトリックス型で線順
次走査駆動を行う場合、ＮＴＳＣ方式では、１画素の発
光時間は１走査線の走査時間と等しく約６４μｓｅｃと
なり、１フィールド時間は１６．６ｍｓｅｃであるか
ら、駆動デューティは約０．３８％になる。このような
短時間で必要な平均発光輝度を得るためには莫大な瞬時
発光輝度が必要となる。例えば、１画素の平均発光輝度
を１２０cd/m2とする場合では、瞬時発光輝度として３
１５８０cd/m2（１２０cd/m2÷０．３８％）が必要とな
る。
表示装置は、画素数に応じて複数の有機ＥＬ素子をＸ−
Ｙ単純マトリックス型に配列した構造が採られ、各画素
を例えば線順次走査駆動により順次発光させて表示を行
っている。このようにＸ−Ｙ単純マトリックス型で線順
次走査駆動を行う場合、ＮＴＳＣ方式では、１画素の発
光時間は１走査線の走査時間と等しく約６４μｓｅｃと
なり、１フィールド時間は１６．６ｍｓｅｃであるか
ら、駆動デューティは約０．３８％になる。このような
短時間で必要な平均発光輝度を得るためには莫大な瞬時
発光輝度が必要となる。例えば、１画素の平均発光輝度
を１２０cd/m2とする場合では、瞬時発光輝度として３
１５８０cd/m2（１２０cd/m2÷０．３８％）が必要とな
る。
【０００３】しかしながら、ディスプレイの大型化や画
素の高密度化にともない、単純マトリックスによる線順
次走査駆動では、１走査駆動の時間が短くなるので各画
素の十分な発光輝度が得られず画面が暗くなる傾向があ
る。このような有機ＥＬ素子は一般に図１に示す電流−
輝度特性を有するので、平均発光輝度を上げるために各
有機ＥＬ素子の電流量を増加させると、有機ＥＬ素子が
破壊したり、有機ＥＬ素子の劣化が急速に進行すること
がある。
素の高密度化にともない、単純マトリックスによる線順
次走査駆動では、１走査駆動の時間が短くなるので各画
素の十分な発光輝度が得られず画面が暗くなる傾向があ
る。このような有機ＥＬ素子は一般に図１に示す電流−
輝度特性を有するので、平均発光輝度を上げるために各
有機ＥＬ素子の電流量を増加させると、有機ＥＬ素子が
破壊したり、有機ＥＬ素子の劣化が急速に進行すること
がある。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、上記問題点に鑑みなさ
れたもので、有機ＥＬ素子を用いて表示装置を構成した
場合に、有機ＥＬ素子の瞬時発光輝度を増やさずに平均
発光輝度を大きくする構造の有機ＥＬ素子を提供するこ
とにある。
れたもので、有機ＥＬ素子を用いて表示装置を構成した
場合に、有機ＥＬ素子の瞬時発光輝度を増やさずに平均
発光輝度を大きくする構造の有機ＥＬ素子を提供するこ
とにある。
【０００５】
【発明の構成】本発明の有機ＥＬ素子は、有機エレクト
ロルミネッセンス層およびこの有機エレクトロルミネッ
センス層を介して互いに対向して対をなす透明電極およ
び金属電極からなる発光部を含む有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、前記透明電極を介して前記発光
部と電気的に直列に接続されて前記発光部からの光の照
射に感応して抵抗値が減少する感光性可変抵抗部を含む
ものである。
ロルミネッセンス層およびこの有機エレクトロルミネッ
センス層を介して互いに対向して対をなす透明電極およ
び金属電極からなる発光部を含む有機エレクトロルミネ
ッセンス素子であって、前記透明電極を介して前記発光
部と電気的に直列に接続されて前記発光部からの光の照
射に感応して抵抗値が減少する感光性可変抵抗部を含む
ものである。
【０００６】
【発明の作用】本発明の有機ＥＬ素子によれば、感光性
可変抵抗部の抵抗値は、光の照射により小さくなり、光
の照射がないときは大きい。そこで、有機ＥＬ素子の発
光前においては、これに印加される電圧を大きくして
も、感光性可変抵抗部の抵抗値が大きいため印加電圧の
大部分は感光性可変抵抗部で消費されて有機ＥＬ層は発
光しない。さらに印加電圧を増大せしめて有機ＥＬ素子
の発光開始電圧以上に達すると、有機ＥＬ層は発光を開
始する。この有機ＥＬ層の発光の一部は透明電極を介し
て感光性抵抗可変部を照射してこの感光性抵抗可変部の
抵抗値を小さくする。すると、発光部で消費される電圧
が急激に増加するので、有機ＥＬ層の輝度が急速に増大
する。
可変抵抗部の抵抗値は、光の照射により小さくなり、光
の照射がないときは大きい。そこで、有機ＥＬ素子の発
光前においては、これに印加される電圧を大きくして
も、感光性可変抵抗部の抵抗値が大きいため印加電圧の
大部分は感光性可変抵抗部で消費されて有機ＥＬ層は発
光しない。さらに印加電圧を増大せしめて有機ＥＬ素子
の発光開始電圧以上に達すると、有機ＥＬ層は発光を開
始する。この有機ＥＬ層の発光の一部は透明電極を介し
て感光性抵抗可変部を照射してこの感光性抵抗可変部の
抵抗値を小さくする。すると、発光部で消費される電圧
が急激に増加するので、有機ＥＬ層の輝度が急速に増大
する。
【０００７】次に、一旦有機ＥＬ層が発光した状態では
有機ＥＬ素子に印加される電圧を減らしても、有機ＥＬ
層の発光は継続しているので感光性可変抵抗部の抵抗値
は低く、有機ＥＬ層の輝度は僅かに減少するのみであ
る。そして、印加電圧が発光開始電圧よりも下がっても
なお有機ＥＬ層の発光は維持される。更に、印加電圧を
減らすと、有機ＥＬ層の輝度が低下するので可変抵抗部
の抵抗値は大きくなり、この可変抵抗部で消費される電
圧が増大するので有機ＥＬ層の輝度は急激に減少する。
有機ＥＬ素子に印加される電圧を減らしても、有機ＥＬ
層の発光は継続しているので感光性可変抵抗部の抵抗値
は低く、有機ＥＬ層の輝度は僅かに減少するのみであ
る。そして、印加電圧が発光開始電圧よりも下がっても
なお有機ＥＬ層の発光は維持される。更に、印加電圧を
減らすと、有機ＥＬ層の輝度が低下するので可変抵抗部
の抵抗値は大きくなり、この可変抵抗部で消費される電
圧が増大するので有機ＥＬ層の輝度は急激に減少する。
【０００８】このようにして、本発明の有機ＥＬ素子
は、電圧−輝度特性にヒステリシスを有する。
は、電圧−輝度特性にヒステリシスを有する。
【０００９】
【実施例】本発明の有機ＥＬ素子の実施例を図２乃至図
７に基づいて説明する。図２において、１はガラス基板
で、この基板１の一方の主面に所定形状のアルミニウム
（Ａｌ）電極２がメタルマスクを用いた真空蒸着法によ
り膜厚６００オングストロームに形成されている。この
アルミニウム電極２の上に膜厚５０００オングストロー
ムのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）層
３が形成されている。このａ−Ｓｉ層３は、モノシラン
（ＳｉＨ4）と水素（Ｈ2）ガスを原料としてプラズマＣ
ＶＤ法により成膜され、フォトエッチングにより所定の
形状に形成される。
７に基づいて説明する。図２において、１はガラス基板
で、この基板１の一方の主面に所定形状のアルミニウム
（Ａｌ）電極２がメタルマスクを用いた真空蒸着法によ
り膜厚６００オングストロームに形成されている。この
アルミニウム電極２の上に膜厚５０００オングストロー
ムのアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）層
３が形成されている。このａ−Ｓｉ層３は、モノシラン
（ＳｉＨ4）と水素（Ｈ2）ガスを原料としてプラズマＣ
ＶＤ法により成膜され、フォトエッチングにより所定の
形状に形成される。
【００１０】なお、モノシランと水素との混合ガスに微
量のホスフィン（ＰＨ3）ガスを添加することにより、
ａ−Ｓｉ層３の暗伝導度と明伝導度との比を制御するこ
とができる。このａ−Ｓｉ層３をこのａ−Ｓｉ層３の上
部に形成される発光部４と電気的に直列に接続するため
に、アルミニウム電極２およびａ−Ｓｉ層３の側面５に
絶縁層６が形成されている。この絶縁層６は、発光部４
の発光をａ−Ｓｉ層３に照射するために透明な二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）にてスパッタ蒸着により膜厚約５０
０オングストロームに形成されている。
量のホスフィン（ＰＨ3）ガスを添加することにより、
ａ−Ｓｉ層３の暗伝導度と明伝導度との比を制御するこ
とができる。このａ−Ｓｉ層３をこのａ−Ｓｉ層３の上
部に形成される発光部４と電気的に直列に接続するため
に、アルミニウム電極２およびａ−Ｓｉ層３の側面５に
絶縁層６が形成されている。この絶縁層６は、発光部４
の発光をａ−Ｓｉ層３に照射するために透明な二酸化シ
リコン（ＳｉＯ2）にてスパッタ蒸着により膜厚約５０
０オングストロームに形成されている。
【００１１】このようにして感光性可変抵抗部７が形成
される。次に、この感光性可変抵抗部７の上に膜厚１０
００オングストロームのＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）をスパッタ法にて成膜して透明電極８が形成され
る。この透明電極８の上にＴＰＤの抵抗蒸着法により有
機ホール層９が膜厚約７００オングストロームに成膜さ
れる。この有機ホール層９を形成後、連続して有機ＥＬ
層１０としてのアルミキノリンを抵抗蒸着法にて膜厚約
５００オングストロームに形成する。さらに、透明電極
８と対をなす金属電極１１を、アルミニウム・リチウム
（Ａｌ−Ｌｉ）合金の抵抗蒸着法により膜厚約１５００
オングストロームに形成する。
される。次に、この感光性可変抵抗部７の上に膜厚１０
００オングストロームのＩＴＯ（インジウム・錫酸化
物）をスパッタ法にて成膜して透明電極８が形成され
る。この透明電極８の上にＴＰＤの抵抗蒸着法により有
機ホール層９が膜厚約７００オングストロームに成膜さ
れる。この有機ホール層９を形成後、連続して有機ＥＬ
層１０としてのアルミキノリンを抵抗蒸着法にて膜厚約
５００オングストロームに形成する。さらに、透明電極
８と対をなす金属電極１１を、アルミニウム・リチウム
（Ａｌ−Ｌｉ）合金の抵抗蒸着法により膜厚約１５００
オングストロームに形成する。
【００１２】このように有機ホール層９および有機ＥＬ
層１０が形成されると、感光性可変抵抗部７と電気的に
直列に接続された発光部４が形成されて、有機ＥＬ素子
１２が形成される。従って、この有機ＥＬ素子１２の等
価回路は図３に示す構成となる。また、上記の感光性可
変抵抗部は、発光部の発光がない状態ではアルミニウム
電極２と透明電極８との間のａ−Ｓｉ層３の抵抗値は１
２０ｋΩとなり、有機ＥＬ層１０から３００cd/m2の光
量を照射した状態では、ａ−Ｓｉ層３の抵抗値は１ｋΩ
になっている。
層１０が形成されると、感光性可変抵抗部７と電気的に
直列に接続された発光部４が形成されて、有機ＥＬ素子
１２が形成される。従って、この有機ＥＬ素子１２の等
価回路は図３に示す構成となる。また、上記の感光性可
変抵抗部は、発光部の発光がない状態ではアルミニウム
電極２と透明電極８との間のａ−Ｓｉ層３の抵抗値は１
２０ｋΩとなり、有機ＥＬ層１０から３００cd/m2の光
量を照射した状態では、ａ−Ｓｉ層３の抵抗値は１ｋΩ
になっている。
【００１３】次に本実施例の作用を図３および図４に基
づいて説明する。一般に、ａ−Ｓｉ薄膜は光伝導特性を
有しており、暗伝導度に対して明伝導度は１桁以上変化
する。すなわち、上記ａ−Ｓｉ層３は、発光部４からの
光に照射された時の抵抗値は小さく、発光部４からの光
の照射が無いときの抵抗値は大きい。
づいて説明する。一般に、ａ−Ｓｉ薄膜は光伝導特性を
有しており、暗伝導度に対して明伝導度は１桁以上変化
する。すなわち、上記ａ−Ｓｉ層３は、発光部４からの
光に照射された時の抵抗値は小さく、発光部４からの光
の照射が無いときの抵抗値は大きい。
【００１４】このため、上記有機ＥＬ素子１２は、図４
に示すように、電圧を印加していくと、最初は発光部４
が発光していないためにａ−Ｓｉ層３の抵抗値は大き
く、印加電圧の大部分はａ−Ｓｉ層３で消費されるため
に有機ＥＬ層１０は発光しない（曲線領域）。さら
に、印加電圧を大きくして発光開始電圧（図４中、Ａ）
以上に達すると、有機ＥＬ層１０は発光を開始する（曲
線領域）。そして、この有機ＥＬ層１０の発光がａ−
Ｓｉ層３を照射してこのａ−Ｓｉ層３の抵抗値を小さく
するので、発光部４に供給される電圧が増大して輝度は
大きくなる（曲線領域）。
に示すように、電圧を印加していくと、最初は発光部４
が発光していないためにａ−Ｓｉ層３の抵抗値は大き
く、印加電圧の大部分はａ−Ｓｉ層３で消費されるため
に有機ＥＬ層１０は発光しない（曲線領域）。さら
に、印加電圧を大きくして発光開始電圧（図４中、Ａ）
以上に達すると、有機ＥＬ層１０は発光を開始する（曲
線領域）。そして、この有機ＥＬ層１０の発光がａ−
Ｓｉ層３を照射してこのａ−Ｓｉ層３の抵抗値を小さく
するので、発光部４に供給される電圧が増大して輝度は
大きくなる（曲線領域）。
【００１５】次に、上記状態から電圧を減じていくと、
発光部４に印加される電圧も低下するので、この有機Ｅ
Ｌ層１０の輝度は僅かに低下する。しかし、発光部４の
発光は継続しているのでａ−Ｓｉ層３の抵抗値が小さい
ために、印加電圧が発光開始電圧Ａにまで減じても、有
機ＥＬ層３の発光は維持され、しかも有機ＥＬ素子１２
の輝度変動は僅かである（曲線領域）。このように、
印加電圧が発光開始電圧Ａ以下に低下しても有機ＥＬ層
３は発光しているが、さらに電圧が低下すると、ａ−Ｓ
ｉ層３を照射する光量が減少するためａ−Ｓｉ層３の抵
抗値が大きくなり、有機ＥＬ層１０の輝度は急激に減少
する（曲線領域）。
発光部４に印加される電圧も低下するので、この有機Ｅ
Ｌ層１０の輝度は僅かに低下する。しかし、発光部４の
発光は継続しているのでａ−Ｓｉ層３の抵抗値が小さい
ために、印加電圧が発光開始電圧Ａにまで減じても、有
機ＥＬ層３の発光は維持され、しかも有機ＥＬ素子１２
の輝度変動は僅かである（曲線領域）。このように、
印加電圧が発光開始電圧Ａ以下に低下しても有機ＥＬ層
３は発光しているが、さらに電圧が低下すると、ａ−Ｓ
ｉ層３を照射する光量が減少するためａ−Ｓｉ層３の抵
抗値が大きくなり、有機ＥＬ層１０の輝度は急激に減少
する（曲線領域）。
【００１６】従って、有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性に
ヒステリシスを有するのである。上記有機ＥＬ素子１２
に最大４５Ｖの電圧を印加した場合の電圧−輝度特性を
図５に示す。この図５からは、最初に有機ＥＬ素子１２
に４５Ｖを印加して有機ＥＬ層１０を発光させてから引
き続き４．８Ｖを印加し続けると、発光していなかった
有機ＥＬ素子１２に最初に４．８Ｖを印加した時の有機
ＥＬ層１０の輝度よりもはるかに高輝度で、しかも輝度
変動を初期の僅かに１０％以内とする有機ＥＬ層１０の
発光を維持できることが判る。
ヒステリシスを有するのである。上記有機ＥＬ素子１２
に最大４５Ｖの電圧を印加した場合の電圧−輝度特性を
図５に示す。この図５からは、最初に有機ＥＬ素子１２
に４５Ｖを印加して有機ＥＬ層１０を発光させてから引
き続き４．８Ｖを印加し続けると、発光していなかった
有機ＥＬ素子１２に最初に４．８Ｖを印加した時の有機
ＥＬ層１０の輝度よりもはるかに高輝度で、しかも輝度
変動を初期の僅かに１０％以内とする有機ＥＬ層１０の
発光を維持できることが判る。
【００１７】次に、上記有機ＥＬ素子１２を複数個用い
て構成したＸ−Ｙ単純マトリックス型の表示装置を、図
６および図７に基づいて説明する。図７にＸ−Ｙ単純マ
トリックスの駆動波形を示す。図６において、画素Ｃを
発光させる場合、スキャンライン（Ｙ1,2,3,…,N）は従
来と同様のスキャン信号で順次駆動する。データライン
（Ｘ1,2,3,…,N）は、スキャン時間と同期させ、データ
書き込み時は図５の電圧−輝度特性に基づいて４５Ｖで
書き込みを行う。次にスキャン信号が再度回ってくるま
での間、４．８Ｖを印加して発光を維持しておく。デー
タラインＸ2 には常に４．８Ｖが印加されているが、同
じライン上の画素Ｄや画素Ｅは電圧−輝度特性のヒステ
リシスのため発光しない。さらに、同一画素Ｃを続けて
書き込む場合は、再度４５Ｖの書き込み電圧を印加する
か、または４．８Ｖを維持し続ければ良い。そして、一
度書き込まれた画素を次に消す場合は、印加電圧を３Ｖ
以下にすれば良い。
て構成したＸ−Ｙ単純マトリックス型の表示装置を、図
６および図７に基づいて説明する。図７にＸ−Ｙ単純マ
トリックスの駆動波形を示す。図６において、画素Ｃを
発光させる場合、スキャンライン（Ｙ1,2,3,…,N）は従
来と同様のスキャン信号で順次駆動する。データライン
（Ｘ1,2,3,…,N）は、スキャン時間と同期させ、データ
書き込み時は図５の電圧−輝度特性に基づいて４５Ｖで
書き込みを行う。次にスキャン信号が再度回ってくるま
での間、４．８Ｖを印加して発光を維持しておく。デー
タラインＸ2 には常に４．８Ｖが印加されているが、同
じライン上の画素Ｄや画素Ｅは電圧−輝度特性のヒステ
リシスのため発光しない。さらに、同一画素Ｃを続けて
書き込む場合は、再度４５Ｖの書き込み電圧を印加する
か、または４．８Ｖを維持し続ければ良い。そして、一
度書き込まれた画素を次に消す場合は、印加電圧を３Ｖ
以下にすれば良い。
【００１８】このように、上記有機ＥＬ素子１２を複数
個用いて表示装置を構成した場合、各有機ＥＬ素子１２
が電圧−輝度特性にヒステリシスを有するために、一旦
発光させれば書き込み電圧よりも低電圧を印加し続けれ
ば発光部４の発光を維持できる。このため、例えば選択
された画素のみを必要な時間において書き込み電圧より
も低電圧で連続発光させることができる。
個用いて表示装置を構成した場合、各有機ＥＬ素子１２
が電圧−輝度特性にヒステリシスを有するために、一旦
発光させれば書き込み電圧よりも低電圧を印加し続けれ
ば発光部４の発光を維持できる。このため、例えば選択
された画素のみを必要な時間において書き込み電圧より
も低電圧で連続発光させることができる。
【００１９】また、各有機ＥＬ素子１２に電流をより多
く流して瞬時発光輝度を高くすることなく、各有機ＥＬ
素子１２の平均発光輝度を高くできる。従って、表示装
置の画面が暗くなることを防止するとともに、過電流に
よる有機ＥＬ素子１２の破壊や早期劣化を防止できる。
なお、有機ＥＬ層１０と透明電極８との間にＴＰＤから
なる有機ホール層９を形成したが、本発明は、有機ホー
ル層９が形成されていない有機ＥＬ素子にも適用でき、
同様の効果が期待できる。
く流して瞬時発光輝度を高くすることなく、各有機ＥＬ
素子１２の平均発光輝度を高くできる。従って、表示装
置の画面が暗くなることを防止するとともに、過電流に
よる有機ＥＬ素子１２の破壊や早期劣化を防止できる。
なお、有機ＥＬ層１０と透明電極８との間にＴＰＤから
なる有機ホール層９を形成したが、本発明は、有機ホー
ル層９が形成されていない有機ＥＬ素子にも適用でき、
同様の効果が期待できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明の有機ＥＬ素子によれば、発光部
と直列に、この発光部の光の照射に感応して抵抗値が減
少する感光性可変抵抗部を電気的に接続することによ
り、有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性にヒステリシスを有
することができる。このため、発光している有機ＥＬ素
子は、その素子としての発光開始電圧よりも低い電圧で
も発光を維持できる。従って、これらを複数個組み合わ
せて表示パネルを形成したとき、有機ＥＬ素子の寿命を
短縮させることなく、十分な発光輝度を得ることができ
る。
と直列に、この発光部の光の照射に感応して抵抗値が減
少する感光性可変抵抗部を電気的に接続することによ
り、有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性にヒステリシスを有
することができる。このため、発光している有機ＥＬ素
子は、その素子としての発光開始電圧よりも低い電圧で
も発光を維持できる。従って、これらを複数個組み合わ
せて表示パネルを形成したとき、有機ＥＬ素子の寿命を
短縮させることなく、十分な発光輝度を得ることができ
る。
【図１】従来の有機ＥＬ素子の電流−輝度特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図２】本発明の一実施例を示す有機ＥＬ素子の構成図
である。
である。
【図３】同上有機ＥＬ素子の等価回路図である。
【図４】同上有機ＥＬ素子の電圧−輝度特性を示すグラ
フである。
フである。
【図５】同上第１の実施例としての有機ＥＬ素子の電圧
−輝度特性のグラフである。
−輝度特性のグラフである。
【図６】同上複数の有機ＥＬ素子にてＸ−Ｙ単純マトリ
ックス型の表示装置を構成した場合の一実施例を示す構
成図である。
ックス型の表示装置を構成した場合の一実施例を示す構
成図である。
【図７】同上表示装置のデータラインの駆動波形図であ
る。
る。
１ 有機ＥＬ層 ３ ａ−Ｓｉ層 ４ 発光部 ７ 感光性可変抵抗部 ８ 透明電極 １１ 金属電極 １２ 有機ＥＬ素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 輝一 埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号パイ オニア株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 有機エレクトロルミネッセンス層および
この有機エレクトロルミネッセンス層を介して互いに対
向して対をなす透明電極および金属電極からなる発光部
を含む有機エレクトロルミネッセンス素子であって、 前記透明電極を介して前記発光部と電気的に直列に接続
されて前記発光部からの光の照射に感応して抵抗値が減
少する感光性可変抵抗部を含むことを特徴とする有機エ
レクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01320892A JP3197312B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01320892A JP3197312B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205873A true JPH05205873A (ja) | 1993-08-13 |
| JP3197312B2 JP3197312B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=11826737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01320892A Expired - Fee Related JP3197312B2 (ja) | 1992-01-28 | 1992-01-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197312B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000001202A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Circuit d'attaque pour ecran electroluminescent organique |
| US6054809A (en) * | 1996-08-14 | 2000-04-25 | Add-Vision, Inc. | Electroluminescent lamp designs |
| US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
-
1992
- 1992-01-28 JP JP01320892A patent/JP3197312B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6054809A (en) * | 1996-08-14 | 2000-04-25 | Add-Vision, Inc. | Electroluminescent lamp designs |
| US6316879B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-11-13 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Driver circuit for organic electroluminescent display |
| KR100573472B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2006-04-24 | 닛폰 세이키 가부시키가이샤 | 유기 전계발광 디스플레이의 구동회로 |
| WO2000001202A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Nippon Seiki Co., Ltd. | Circuit d'attaque pour ecran electroluminescent organique |
| US9905624B2 (en) | 2001-11-09 | 2018-02-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7723721B2 (en) | 2001-11-09 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having TFT |
| US11063102B2 (en) | 2001-11-09 | 2021-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8324618B2 (en) | 2001-11-09 | 2012-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10680049B2 (en) | 2001-11-09 | 2020-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US10461140B2 (en) | 2001-11-09 | 2019-10-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9054199B2 (en) | 2001-11-09 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9577016B2 (en) | 2001-11-09 | 2017-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7445946B2 (en) | 2002-04-30 | 2008-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US9006757B2 (en) | 2002-04-30 | 2015-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US8502241B2 (en) | 2002-04-30 | 2013-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
| US8101439B2 (en) | 2002-04-30 | 2012-01-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3197312B2 (ja) | 2001-08-13 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |