JP2003145426A - Pattern eliminating method for recycle of masked substrate, and pattern eliminating device, and masking- pattern-eliminated substrate - Google Patents
Pattern eliminating method for recycle of masked substrate, and pattern eliminating device, and masking- pattern-eliminated substrateInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、マスク用基板上に
所定のパターンが形成されて既に使用されたマスク基板
に対し、当該パターンを除去することでマスク用基板と
して再利用可能とさせるマスク用基板リサイクルのため
のパターン除去方法、パターン除去装置およびマスク用
基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mask substrate which has a predetermined pattern formed on the mask substrate and has already been used, and which can be reused as a mask substrate by removing the pattern. The present invention relates to a pattern removal method for recycling a substrate, a pattern removal device, and a mask substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＬＳＩ（大規模集積回路装置）、
ＬＣＤ（液晶表示装置）、ＰＷＢ（プリント配線基
板）、ＰＣＢ（プリント回路基板）等をフォトリソグラ
フィ技術で作製する場合にフォトマスクが重要な役割を
果たしている。このようなフォトマスクは、その使用後
には再利用または廃棄させるためにパターン除去の処理
加工が必要とされている。このような処理加工におい
て、簡易かつ安価に品質良好で再利用可能なマスク用基
板を作製できることが望まれている。2. Description of the Related Art In recent years, LSI (Large Scale Integrated Circuit Device),
A photomask plays an important role when an LCD (liquid crystal display device), a PWB (printed wiring board), a PCB (printed circuit board), or the like is manufactured by a photolithography technique. Such a photomask needs to be processed for pattern removal so as to be reused or discarded after its use. In such processing, it is desired to be able to easily and inexpensively produce a good quality and reusable mask substrate.
【０００３】従来、ＬＳＩ、ＬＣＤ、ＰＷＢ、ＰＣＢ等
の作製で使用された後のフォトマスク、またはフォトマ
スク自体の作製の工程で不良、不要となったフォトマス
クは、当該フォトマスク上にパターンが残っている場合
には、ドライエッチングやウェットエッチングにより当
該パターンを除去することにより、素ガラスにしてリサ
イクル用のマスク用基板とされ、またそのまま廃棄され
るのが一般的である。Conventionally, a photomask that has been used in the fabrication of LSI, LCD, PWB, PCB, or the like, or a photomask that has become defective or unnecessary in the fabrication process of the photomask itself has a pattern on the photomask. When it remains, the pattern is removed by dry etching or wet etching to make it into a raw glass to be used as a mask substrate for recycling, and it is generally discarded as it is.
【０００４】上記ドライエッチングによるパターン除去
は、エッチャントとして化学薬品ガス（例えば、四塩化
炭素、塩素、トリクロロメタン等）を使用し、プラズマ
を利用して行われる。また、上記ウェットエッチングに
よるパターン除去は、化学薬品溶液（例えば、硝酸第２
セリウムアンモニウム等）を使用して行われる。このよ
うなパターン除去は、手番とスループットの関係からウ
ェットエッチングが主流となっている。The pattern removal by the dry etching is performed by using a chemical gas (for example, carbon tetrachloride, chlorine, trichloromethane, etc.) as an etchant and utilizing plasma. Further, the pattern removal by the wet etching is performed by using a chemical solution (for example, nitric acid second solution).
Cerium ammonium etc.). For such pattern removal, wet etching is predominant due to the relation between turn and throughput.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ド
ライエッチングによるパターン除去では、化学薬品ガス
は毒性があって人体に好ましくなく、また、プラズマを
利用することから高真空や高電力を必要とすることに加
えてオゾンや排気ガスのダクトや浄化設備を必要として
設備コストが高額となり、さらには手番が長く長時間を
要するという問題がある。However, in the pattern removal by the above dry etching, the chemical gas is toxic and unfavorable to the human body, and since plasma is used, high vacuum and high power are required. In addition to that, ozone and exhaust gas ducts and purification equipment are required, resulting in high equipment cost, and there is a problem that it is time-consuming and takes a long time.
【０００６】また、上記ウェットエッチングにより当該
パターン除去では、エッチング液となる化学薬品溶液が
環境や人体に好ましくなく、廃液（例えば、硝酸第２セ
リウムアンモニウムにクロムが溶解した溶液）が金属酸
化（例えば、クロム酸）してさらに環境や人体に好まし
くないと共に、これを浄化するための設備を必要として
設備コストが増大するという問題がある。In the pattern removal by the wet etching, the chemical solution serving as an etching solution is not preferable for the environment and the human body, and the waste solution (for example, a solution of chromium in ceric ammonium nitrate) is subjected to metal oxidation (for example, metal oxide). Chromic acid) is not preferable for the environment and human body, and there is a problem that equipment for purifying this is required and the equipment cost increases.
【０００７】さらに、上記のような化学的な方法による
パターン除去は、フォトマスク修正で行われるＦＩＢ
（集束イオンビーム）処理工程で加工部に注入されるガ
リウムイオンが完全に除去できないという問題もある。Further, the pattern removal by the chemical method as described above is performed by the photomask correction FIB.
There is also a problem that the gallium ions injected into the processed portion cannot be completely removed in the (focused ion beam) processing step.
【０００８】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、周囲環境に影響を与えず、簡易かつ安価に品質
良好で再利用可能なマスク用基板を作製するマスク用基
板リサイクルのためのパターン除去方法、パターン除去
装置およびマスク用基板を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and is a pattern for mask substrate recycling for producing a mask substrate that is good in quality and reusable easily and inexpensively without affecting the surrounding environment. An object of the present invention is to provide a removing method, a pattern removing device, and a mask substrate.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明では、マスク用基板上に所定のパタ
ーンが形成されたマスク基板より当該パターンを除去し
て、当該マスク用基板上にパターン形成可能とさせるマ
スク用基板リサイクルのためのパターン除去方法であっ
て、前記マスク基板のパターン面に対して、ノズルより
ブラスト材を噴射する圧力を２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満に
調整するステップと、前記マスク基板のパターン面に対
し、前記ノズルよりブラスト材を上記圧力で噴射させて
当該パターンを除去するステップと、を含む構成とす
る。In order to solve the above-mentioned problems, according to the invention of claim 1, the pattern is removed from the mask substrate having a predetermined pattern formed on the mask substrate, and the mask substrate is removed. A pattern removing method for recycling a mask substrate, which enables pattern formation on the mask substrate, wherein the pressure of spraying a blast material from a nozzle to the pattern surface of the mask substrate is adjusted to less than 2.0 Kg / cm 2. And a step of ejecting a blast material with the above pressure onto the pattern surface of the mask substrate to remove the pattern.
【００１０】請求項２の発明では、請求項１記載のマス
ク用基板リサイクルのためのパターン除去方法であっ
て、前記パターンが除去されたマスク用基板における当
該パターン形成面を研磨する構成である。According to a second aspect of the present invention, there is provided the pattern removing method for recycling the mask substrate according to the first aspect, which is configured to polish the pattern forming surface of the mask substrate from which the pattern has been removed.
【００１１】請求項３の発明では、マスク用基板上に所
定のパターンが形成されたマスク基板より当該パターン
を除去して、当該マスク用基板上にパターン形成可能と
させるマスク用基板リサイクルのためのパターン除去装
置であって、前記マスク基板のパターン面に対し、当該
パターンを除去するためのブラスト材を供給するブラス
ト供給手段と、前記ブラスト供給手段から供給されるブ
ラスト材を、前記パターン面に対して圧力を２．０Ｋｇ
／ｃｍ2未満に調整する圧力調整手段と、前記ブラスト
供給手段から供給されるブラスト材を前記調整された圧
力で前記パターン面に噴射する噴射手段と、前記噴射手
段を前記マスク基板のパターン面上で相対的にスキャン
させるために、当該噴射手段および当該マスク基板の少
なくとも一方を移動させる駆動手段と、を有する構成と
する。According to a third aspect of the present invention, a mask substrate for recycling is formed by removing the pattern from the mask substrate having a predetermined pattern formed on the mask substrate so that the pattern can be formed on the mask substrate. A pattern removing device, wherein a blast supply means for supplying a blast material for removing the pattern to the pattern surface of the mask substrate and a blast material supplied from the blast supply means for the pattern surface. Pressure 2.0 kg
/ Cm 2 less than the pressure adjusting means, the blasting material supplied from the blast supply means to the pattern surface at the adjusted pressure, the spraying means, the spraying means on the pattern surface of the mask substrate In order to perform relative scanning with the driving means for moving at least one of the jetting means and the mask substrate.
【００１２】請求項４の発明では、請求項３記載のマス
ク用基板リサイクルのためのパターン除去装置であっ
て、前記パターンが除去されたマスク用基板における当
該パターン形成面を研磨する研磨手段を備える構成であ
る。According to a fourth aspect of the invention, there is provided a pattern removing device for recycling the mask substrate according to the third aspect, which comprises polishing means for polishing the pattern forming surface of the mask substrate from which the pattern has been removed. It is a composition.
【００１３】請求項５の発明では、所定のパターンが形
成された基板に対し、請求項１若しくは２記載のマスク
用基板リサイクルのためのパターン除去方法、または、
請求項３若しくは４記載のマスク用基板リサイクルのた
めのパターン除去装置により前記パターンが除去されて
マスク用基板が作製される構成とする。According to a fifth aspect of the present invention, the pattern removing method for recycling the mask substrate according to the first or second aspect of the present invention is applied to a substrate on which a predetermined pattern is formed, or
A mask substrate is manufactured by removing the pattern by the pattern removing device for recycling a mask substrate according to claim 3 or 4.
【００１４】このように、マスク基板のパターンに対す
るブラスト材噴射の圧力を２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満に調
整し、当該圧力で噴射手段よりブラスト材を当該パター
ン面に噴射してパターンを除去する。すなわち、パター
ン除去にあたって化学薬品を使用しないことから周囲環
境に影響を与えず、また高額な設備を必要としないこと
から簡易かつ安価に品質良好で再利用可能なマスク用基
板を作製することが可能となるものである。In this way, the pressure of the blasting material spraying on the pattern on the mask substrate is adjusted to less than 2.0 Kg / cm 2 , and the blasting material is sprayed onto the patterning surface by the spraying means at that pressure to remove the pattern. In other words, since no chemicals are used for pattern removal, it does not affect the surrounding environment, and no expensive equipment is required. Therefore, it is possible to easily and inexpensively produce a good quality and reusable mask substrate. It will be.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図により説明する。図１に、本発明に係るマスク用基
板リサイクルのためのパターン除去装置の概念構成図を
示す。図１において、パターン除去装置１１は、駆動手
段としての駆動部１２により噴射手段であるノズル１３
が平面的に駆動移動されるもので、ブラストの供給手段
であるブラスト供給部１４より供給され、圧力調整手段
である圧力調整部１５で所定圧力に調整されたブラスト
材１６が上記ノズル１３よりマスク基板２１に噴射させ
る構成としている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a conceptual configuration diagram of a pattern removing apparatus for recycling a mask substrate according to the present invention. In FIG. 1, the pattern removing device 11 includes a nozzle 13 which is an ejecting means by a drive unit 12 which is a drive means.
Is driven and moved in a plane, and the blast material 16 is supplied from a blast supply unit 14 which is a blast supply unit and adjusted to a predetermined pressure by a pressure adjusting unit 15 which is a pressure adjusting unit. The substrate 21 is configured to be jetted.
【００１６】上記マスク基板２１は、マスク用基板（ガ
ラス基板）２２上に所定形状のパターン２３が形成され
たもので、当該パターン２３がブラスト１６により除去
され、リサイクルのマスク用基板とされる対象のもので
ある。このようなマスク基板２１としては、半導体装置
を製造する際に使用される遮光膜、位相変調膜、光学薄
膜としてパターンが形成されるフォトマスクの他、前述
のようにＬＣＤ（液晶表示装置）、ＰＷＢ（プリント配
線基板）、ＰＣＢ（プリント回路基板）等をフォトリソ
グラフィ技術で作製するフォトマスクがある。The mask substrate 21 is a mask substrate (glass substrate) 22 on which a pattern 23 having a predetermined shape is formed. The pattern 23 is removed by the blast 16 and is used as a recycled mask substrate. belongs to. Examples of such a mask substrate 21 include a light-shielding film, a phase modulation film, and a photomask on which a pattern is formed as an optical thin film, which is used when manufacturing a semiconductor device, and an LCD (liquid crystal display device), as described above. There is a photomask for manufacturing a PWB (printed wiring board), a PCB (printed circuit board), etc. by a photolithography technique.
【００１７】このようなマスク基板２１は、形成される
パターン２３が、遮光膜材質として例えばモリブデンシ
リサイドやその他の金属および金属酸化膜が使用され、
位相変調膜材質およびパターン欠陥修正のためのカーボ
ン膜が使用された場合も含まれる。また、例えばニトロ
セルロースによるペリクル（異物保護膜）が接着剤で形
成された場合をも含まれる。In such a mask substrate 21, the pattern 23 formed is made of, for example, molybdenum silicide or another metal or metal oxide film as a light shielding material,
This also includes the case where a phase modulation film material and a carbon film for pattern defect correction are used. It also includes a case where a pellicle (foreign matter protective film) made of nitrocellulose is formed with an adhesive.
【００１８】ここで、このようなマスク基板２１は従来
より公知の方法で作製されるもので、簡単に説明する
と、マスク用基板（石英ガラス基板）２２上の全面にク
ロムまたはモリブデンシリサイド等の低反射膜を遮光膜
として例えばスパッタ等により形成し、当該低反射膜上
に感光性材料としてレジストを塗布してプリベークす
る。続いて、レジスト膜上より所定パターンを形成させ
るために、レーザビーム、電子ビームまたはイオンビー
ムにより露光を行い、現像処理、エッチング、レジスト
剥離、検査、修正、洗浄等によりマスク基板２１が作製
されるものである。Here, such a mask substrate 21 is manufactured by a conventionally known method. To briefly describe, a mask substrate (quartz glass substrate) 22 has a low surface such as chromium or molybdenum silicide on the entire surface. A reflective film is formed as a light-shielding film by, for example, sputtering, and a resist as a photosensitive material is applied on the low reflective film and prebaked. Subsequently, in order to form a predetermined pattern on the resist film, exposure is performed with a laser beam, an electron beam, or an ion beam, and the mask substrate 21 is manufactured by development processing, etching, resist peeling, inspection, correction, cleaning, and the like. It is a thing.
【００１９】上記駆動部１２は、ノズル１３をマスク基
板２１のパターン２３面上の全面でスキャンさせるため
に、本実施形態では、当該ノズル１３のみを移動させる
構成としている。なお、ノズル１３からのブラスト材１
６をマスク基板２１におけるパターン２３面上の全面に
噴射させるものであることから、当該ノズル１３とマス
ク基板２１とは相対的に移動させればよく、したがっ
て、マスク基板２１のみ、またはノズル１３およびマス
ク基板２１の両方を駆動移動させてもよいものである。In order to scan the nozzle 13 over the entire surface of the pattern 23 of the mask substrate 21, the drive unit 12 is configured to move only the nozzle 13 in this embodiment. In addition, the blast material 1 from the nozzle 13
Since 6 is sprayed onto the entire surface of the pattern 23 on the mask substrate 21, the nozzle 13 and the mask substrate 21 may be moved relative to each other. Therefore, only the mask substrate 21 or the nozzle 13 and Both of the mask substrates 21 may be driven and moved.
【００２０】上記ブラスト材１６としては、ガラス基板
（マスク用基板）上に形成されたパターンおよび関連し
た形成層の被着物より硬質な微粒子であり、例えばアル
ミナ、高純度アルミナ、炭化珪素、ジルコニア等のセラ
ミック系、または、ソーダ石灰ガラス等のガラス系、ま
たは、鉄粉、スチールショット、スチールグリット、ラ
ウンドカットワイヤ等の金属系、または、ナイロン、ポ
リプラス等の樹脂係、または、コーンの穂軸、ナッツ
殻、杏や桃の種等を粉砕した植物系等があり、ブラスト
供給部１４内に収納されてノズル１３に供給される。The blast material 16 is fine particles that are harder than the adherend of the pattern formed on the glass substrate (mask substrate) and the related forming layer, such as alumina, high-purity alumina, silicon carbide, and zirconia. Ceramic system, or glass system such as soda lime glass, or metal system such as iron powder, steel shot, steel grit, round cut wire, or resin system such as nylon or polyplus, or the cob of corn, There is a plant system in which nut shells, apricots, peach seeds, etc. are crushed, and they are stored in the blast supply unit 14 and supplied to the nozzle 13.
【００２１】上記圧力調整部１５は、ブラスト供給部１
４より供給されるブラスト材１６をノズル１３よりマス
ク基板２１のパターン２３面上に噴射させる際の圧力を
調整するためのもので、パターン除去後のマスク用基板
の厚さ等を考慮して２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満、好ましく
は１．０Ｋｇ／ｃｍ2以下の例えば窒素ガス圧力で調整
を行うものである。この噴射圧力とすることで、ブラス
ト処理を極めて薄く、すなわちマスク用基板２２に与え
るダメージを極力小さくさせることができ、再生される
マスク用基板の品質を良好とさせることができるもので
ある。The pressure adjusting unit 15 is the blast supply unit 1.
It is for adjusting the pressure when the blast material 16 supplied from the nozzle 4 is sprayed onto the surface of the pattern 23 of the mask substrate 21 from the nozzle 13. In consideration of the thickness of the mask substrate after pattern removal, etc., 2 The adjustment is performed, for example, at a nitrogen gas pressure of less than 0.0 Kg / cm 2 , preferably 1.0 Kg / cm 2 or less. With this injection pressure, the blasting process can be made extremely thin, that is, the damage to the mask substrate 22 can be minimized, and the quality of the mask substrate to be regenerated can be improved.
【００２２】そこで、図２にマスク基板におけるパター
ン除去の説明図を示すと共に、図３にリサイクルされる
マスク用基板の再生方法のフローチャートを示す。ま
ず、図３（Ａ）において、使用済みのマスク基板２１が
用意される。そして、圧力調整部１５により当該マスク
基板２１のパターン２３面に対するブラスト材１６を噴
射する圧力を２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満、好ましくは１．
０Ｋｇ／ｃｍ2以下に調整し、当該パターン２３上方の
初期位置に当該ブラスト材１６を噴射するノズル１３を
位置させる（図３、ステップ（Ｓ）１）。Therefore, FIG. 2 shows an explanatory view of the pattern removal on the mask substrate, and FIG. 3 shows a flowchart of a method for recycling the mask substrate to be recycled. First, in FIG. 3A, a used mask substrate 21 is prepared. Then, the pressure for ejecting the blast material 16 onto the pattern 23 surface of the mask substrate 21 by the pressure adjusting unit 15 is less than 2.0 Kg / cm 2 , preferably 1.
It is adjusted to 0 Kg / cm 2 or less, and the nozzle 13 for injecting the blast material 16 is positioned at the initial position above the pattern 23 (FIG. 3, step (S) 1).
【００２３】続いて、図２（Ａ）に示すように、当該マ
スク基板２１に対し、ノズル１３よりブラスト材１６を
前記調整した圧力で一様に噴射しながら当該マスク基板
２１のコーナーより全面に一定速度でスキャンし、パタ
ーン２３を除去してマスク用基板２２を得るものである
（図３、Ｓ２）。Subsequently, as shown in FIG. 2 (A), the blast material 16 is uniformly sprayed from the nozzle 13 to the mask substrate 21 at the adjusted pressure, and the entire surface of the mask substrate 21 from the corner. The mask substrate 22 is obtained by scanning at a constant speed and removing the pattern 23 (FIG. 3, S2).
【００２４】次に、図２（Ｂ）に示すように、パターン
２３が除去されたマスク用基板２２に対し、研磨手段で
ある例えばバフ３１によりパターン除去面を研磨するこ
とにより、後に所定形状のパターンを形成できる程度に
平坦化させてマスク用基板２２Ａを再生するものである
（図３、Ｓ３）。Next, as shown in FIG. 2B, the pattern-removed surface of the mask substrate 22 from which the pattern 23 has been removed is polished by a polishing means such as a buff 31, so that a predetermined shape can be obtained later. The mask substrate 22A is regenerated by flattening it to the extent that a pattern can be formed (FIG. 3, S3).
【００２５】このように、マスク基板２１のパターン２
３に対するブラスト材１６の噴射の圧力を２．０Ｋｇ／
ｃｍ2未満、好ましくは１．０Ｋｇ／ｃｍ2以下に調整
し、当該圧力でノズル１３よりブラスト材１６を当該パ
ターン面に噴射してパターンを除去させることにより、
パターン除去にあたって従前のように化学薬品を使用し
ないことから周囲環境に影響を与えず、また高額な設備
を必要としないことから簡易かつ安価に品質良好で再利
用可能なマスク用基板を作製することができるものであ
る。In this way, the pattern 2 of the mask substrate 21
The pressure of the blasting material 16 sprayed on 3 is 2.0 Kg /
The pressure is adjusted to less than cm 2 , preferably 1.0 kg / cm 2 or less, and the pattern is removed by spraying the blast material 16 from the nozzle 13 onto the pattern surface with the pressure.
Since chemicals are not used for pattern removal as before, it does not affect the surrounding environment, and since expensive equipment is not required, it is easy and inexpensive to produce a reusable mask substrate with good quality. Is something that can be done.
【００２６】なお、図２（Ｂ）および図３のステップＳ
３に示す研磨処理は、必ずしもパターン除去と一連の工
程で行う必要はない。パターン除去されたマスク用基板
２２を異なる場所で研磨処理を行う場合があるからであ
る。すなわち、リサイクルのためのマスク用基板とは、
図２（Ａ）でパターンが除去された基板２２と、図２
（Ｂ）で研磨処理された基板２２Ａとの両方を指す。Note that step S in FIG. 2B and FIG.
The polishing treatment shown in 3 does not necessarily have to be performed in a series of steps including pattern removal. This is because the pattern-removed mask substrate 22 may be subjected to polishing treatment at different locations. That is, the mask substrate for recycling is
The substrate 22 from which the pattern is removed in FIG.
It refers to both the substrate 22A polished in (B).
【００２７】[0027]
【実施例】次に、上記マスク基板２１のパターン除去を
行う場合の実験例を示す。マスク基板２１は、通常５０
０９基板と称される厚さ２．３ｍｍ、１２５ｍｍ四方の
石英ガラス上に、低反射膜としてクロムを６００〜１０
００Åでパターン２３がスパッタされたフォトマスクで
ある。また、ブラスト材１６を８０μｍのアルミナ粉末
とし、窒素圧力を０．５Ｋｇ／ｃｍ2間隔で４．０Ｋｇ
／ｃｍ2まで調整を行うものとしている。そして、ノズ
ル１３の先端とパターン面との距離を１０〜３０ｍｍの
何れかに設定させている。因みに、上記マスク基板２１
でのブラスト処理は、１〜２分程度であり、ブラスト材
（アルミナ粉末）１６の噴射量は、窒素圧力０．５Ｋｇ
／ｃｍ2、噴射時間１０秒の条件で４０〜５０ｇであっ
た。EXAMPLE Next, an example of an experiment for removing the pattern of the mask substrate 21 will be described. The mask substrate 21 is usually 50
On a quartz glass having a thickness of 2.3 mm and 125 mm, which is called a 09 substrate, chromium is used as a low reflection film in an amount of 600 to 10
This is a photomask in which the pattern 23 is sputtered with 00Å. Further, the blast material 16 was 80 μm of alumina powder, and the nitrogen pressure was 4.0 Kg at intervals of 0.5 Kg / cm 2.
/ Cm 2 is supposed to be adjusted. Then, the distance between the tip of the nozzle 13 and the pattern surface is set to any of 10 to 30 mm. Incidentally, the mask substrate 21
The blast treatment in 1 to 2 minutes is about 1 to 2 minutes.
/ Cm < 2 > and 40 to 50g on the conditions of injection time 10 seconds.
【００２８】上記条件でのブラスト処理の結果が、図４
および図５に示される。図４はパターン除去されたマス
ク用基板における重量、光透過率、板厚および表面状態
の表を示した説明図であり、図５は図４中の各窒素圧力
における減量、板厚最大−最小差、板厚最大差及び表面
うねりのグラフを示した説明図である。ここで、ブラス
ト処理された石英ガラス（マスク用基板２２）は、表面
に略一定の深さの傷が付き、曇りガラスの様相を呈す
る。The result of the blasting process under the above conditions is shown in FIG.
And shown in FIG. FIG. 4 is an explanatory view showing a table of weight, light transmittance, plate thickness and surface condition in the mask substrate from which the pattern is removed, and FIG. 5 is a graph showing the weight reduction, plate thickness maximum-minimum at each nitrogen pressure in FIG. It is explanatory drawing which showed the graph of the difference, the maximum difference of board thickness, and surface waviness. Here, the blast-processed quartz glass (mask substrate 22) has a scratch of a substantially constant depth on the surface, and has a frosted glass appearance.
【００２９】図４および図５に示されるように、窒素圧
力を変化させたときの光透過率の比較は、２００〜３０
０ｎｍの波長にて測定したところ、素ガラス９０％、ク
ロム膜０％、ブラスト面１０％以下であった。また、光
透過率の比較で、窒素圧力を０．５〜４．０Ｋｇ／ｃｍ
2まで行ってもさほどの差はでなかった。As shown in FIGS. 4 and 5, the comparison of the light transmittances when the nitrogen pressure was changed was 200 to 30.
When measured at a wavelength of 0 nm, the glass content was 90%, the chromium film was 0%, and the blast surface was 10% or less. Also, in comparison of the light transmittance, the nitrogen pressure is 0.5 to 4.0 Kg / cm.
Even if I went up to 2, it was not so different.
【００３０】すなわち、図４および図５に示すように、
ブラスト処理後の光透過率に差はないが、ブラスト材を
噴射する圧力により減量、板厚最大−最小差、板厚最大
差及び表面うねり等でマスク用基板２２に与えるダメー
ジに差を生じていることがわかる。すなわち、ブラスト
材１６の噴射の圧力を２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満、好まし
くは１．０Ｋｇ／ｃｍ2以下に調整することにより、高
額な設備を必要としないことから簡易かつ安価に品質良
好で再利用可能なマスク用基板を作製することができる
ものである。また、パターン除去にあたって従前のよう
に化学薬品を使用しないことから周囲環境に影響を与え
ないようにすることができるものである。That is, as shown in FIG. 4 and FIG.
Although there is no difference in the light transmittance after the blasting treatment, there is a difference in the damage given to the mask substrate 22 due to the weight loss, the maximum-minimum difference in plate thickness, the maximum difference in plate thickness, and the surface waviness due to the pressure of spraying the blast material. You can see that That is, by adjusting the injection pressure of the blast material 16 to less than 2.0 Kg / cm 2 , preferably 1.0 Kg / cm 2 or less, no expensive equipment is required, so that the quality of the blast material 16 is simple, inexpensive, and of good quality. It is possible to manufacture a usable mask substrate. In addition, since no chemicals are used for removing the pattern as before, it is possible to prevent the surrounding environment from being affected.
【００３１】ところで、本発明に係るブラスト処理後に
おける切削粉は、例えば遠心分離器により分離選別する
ことができもので、ブラスト材をブラスト供給部１４に
再び戻すことにより再利用することができ、クロムおよ
び石英ガラスも適宜再利用することが可能である。な
お、切削粉におけるブラスト材とクロムの分別は、遠心
分離方法以外に、例えば比重の相違を利用して行うこと
もできる。因みに、上記条件（８０μｍのアルミナを
０．５Ｋｇ／ｃｍ2の窒素圧力で噴射）で、アルミナの
比重が３．９９、クロムの比重が７．１８８８、石英ガ
ラスの比重が２．６〜２．６６である。さらに、金属の
常時性を利用した分別、粒径の相違を利用したフィルタ
による分別を行うことも可能である。By the way, the cutting powder after the blast treatment according to the present invention can be separated and sorted by, for example, a centrifugal separator, and can be reused by returning the blast material to the blast supply section 14 again. Chromium and quartz glass can also be appropriately reused. The blast material and chromium in the cutting powder can be separated by using a difference in specific gravity other than the centrifugal separation method. By the way, under the above conditions (80 μm of alumina is sprayed at a nitrogen pressure of 0.5 kg / cm 2 ), the specific gravity of alumina is 3.99, the specific gravity of chromium is 7.1888, and the specific gravity of quartz glass is 2.6 to 2. 66. Furthermore, it is also possible to perform separation using the regularity of metals and separation using a filter that uses the difference in particle size.
【００３２】[0032]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、マスク
基板のパターンに対するブラスト材噴射の圧力を２．０
Ｋｇ／ｃｍ2未満に調整し、当該圧力で噴射手段よりブ
ラスト材を当該パターン面に噴射してパターンを除去す
ることにより、周囲環境に影響を与えず、簡易かつ安価
に品質良好で再利用可能なマスク用基板を作製すること
ができるものである。As described above, according to the present invention, the pressure of the blast material spraying on the pattern of the mask substrate is 2.0.
By adjusting the pressure to less than Kg / cm 2 and ejecting the blast material onto the pattern surface with the pressure to eject the pattern, the surrounding environment is not affected and the quality can be reused easily and inexpensively with good quality. It is possible to manufacture various mask substrates.
【図１】本発明に係るマスク用基板リサイクルのための
パターン除去装置の概念構成図である。FIG. 1 is a conceptual configuration diagram of a pattern removing apparatus for recycling a mask substrate according to the present invention.
【図２】マスク基板におけるパターン除去の説明図であ
る。FIG. 2 is an explanatory diagram of pattern removal on a mask substrate.
【図３】リサイクルされるマスク用基板の再生方法のフ
ローチャートである。FIG. 3 is a flowchart of a method for recycling a mask substrate to be recycled.
【図４】パターン除去されたマスク用基板における重量
および光透過率の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram of the weight and the light transmittance of the pattern-removed mask substrate.
【図５】パターン除去されたマスク用基板における板厚
および表面状態の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a plate thickness and a surface state of the mask substrate from which the pattern is removed.
１１ パターン除去装置 １２ 駆動部 １３ ノズル １４ ブラスト供給部 １５ 圧力調整部 １６ ブラスト材 ２１ マスク基板 ２２，２２Ａ マスク用基板 ２３ パターン ３１ 研磨手段 11 Pattern remover 12 Drive 13 nozzles 14 Blast supply section 15 Pressure adjustment unit 16 Blast material 21 Mask substrate 22,22A mask substrate 23 patterns 31 polishing means
Claims (5)
れたマスク基板より当該パターンを除去して、当該マス
ク用基板上にパターン形成可能とさせるマスク用基板リ
サイクルのためのパターン除去方法であって、 前記マスク基板のパターン面に対して、ノズルよりブラ
スト材を噴射する圧力を２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満に調整
するステップと、 前記マスク基板のパターン面に対し、前記ノズルよりブ
ラスト材を上記圧力で噴射させて当該パターンを除去す
るステップと、 を含むことを特徴とするマスク用基板リサイクルのため
のパターン除去方法。1. A pattern removal method for recycling a mask substrate, which comprises removing a pattern from a mask substrate having a predetermined pattern formed on the mask substrate to enable pattern formation on the mask substrate. Adjusting the pressure of the blasting material sprayed from the nozzle to the pattern surface of the mask substrate to less than 2.0 Kg / cm 2, and the blasting material to the pattern surface of the mask substrate from the nozzle. And a step of removing the pattern by spraying with a pressure.
ためのパターン除去方法であって、前記パターンが除去
されたマスク用基板における当該パターン形成面を研磨
することを特徴とするマスク用基板リサイクルのための
パターン除去方法。2. The pattern removing method for recycling a mask substrate according to claim 1, wherein the pattern forming surface of the mask substrate from which the pattern has been removed is polished. Pattern removal method for.
れたマスク基板より当該パターンを除去して、当該マス
ク用基板上にパターン形成可能とさせるマスク用基板リ
サイクルのためのパターン除去装置であって、 前記マスク基板のパターン面に対し、当該パターンを除
去するためのブラスト材を供給するブラスト供給手段
と、 前記ブラスト供給手段から供給されるブラスト材を、前
記パターン面に対して圧力を２．０Ｋｇ／ｃｍ2未満に
調整する圧力調整手段と、 前記ブラスト供給手段から供給されるブラスト材を前記
調整された圧力で前記パターン面に噴射する噴射手段
と、 前記噴射手段を前記マスク基板のパターン面上で相対的
にスキャンさせるために、当該噴射手段および当該マス
ク基板の少なくとも一方を移動させる駆動手段と、 を有することを特徴とするマスク用基板リサイクルのた
めのパターン除去装置。3. A pattern removing device for recycling a mask substrate, which is capable of removing a pattern from a mask substrate having a predetermined pattern formed on the mask substrate to form a pattern on the mask substrate. The blast supply means for supplying the blast material for removing the pattern to the pattern surface of the mask substrate, and the blast material supplied from the blast supply means are applied to the pattern surface with a pressure of 2. Pressure adjusting means for adjusting to less than 0 Kg / cm 2 , jetting means for jetting the blast material supplied from the blast supplying means onto the pattern surface at the adjusted pressure, and the jetting means for the pattern surface of the mask substrate. Drive means for moving at least one of the jetting means and the mask substrate for relatively scanning above. Pattern removal device for the mask substrate recycling, characterized in that it comprises a.
ためのパターン除去装置であって、前記パターンが除去
されたマスク用基板における当該パターン形成面を研磨
する研磨手段を備えることを特徴とするマスク用基板リ
サイクルのためのパターン除去装置。4. A pattern removing apparatus for recycling a mask substrate according to claim 3, comprising polishing means for polishing the pattern forming surface of the mask substrate from which the pattern has been removed. Pattern removal equipment for mask substrate recycling.
請求項１若しくは２記載のマスク用基板リサイクルのた
めのパターン除去方法、または、請求項３若しくは４記
載のマスク用基板リサイクルのためのパターン除去装置
により前記パターンが除去されて作製されることを特徴
とするマスク用基板。5. A substrate on which a predetermined pattern is formed,
The pattern removing method for recycling the mask substrate according to claim 1 or 2, or the pattern removing device for recycling the mask substrate according to claim 3 or 4 to produce the pattern. Substrate for the mask.
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