KR20120121333A - Method for polishing side of substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank - Google Patents
Method for polishing side of substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank Download PDFInfo
- Publication number
- KR20120121333A KR20120121333A KR1020110062275A KR20110062275A KR20120121333A KR 20120121333 A KR20120121333 A KR 20120121333A KR 1020110062275 A KR1020110062275 A KR 1020110062275A KR 20110062275 A KR20110062275 A KR 20110062275A KR 20120121333 A KR20120121333 A KR 20120121333A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- polishing
- mask blank
- slurry
- blank substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 67
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 56
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 52
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 27
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 12
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010079 rubber tapping Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
- H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법, 마스크 블랭크용 기판 및 마스크 블랭크에 관한 것으로서, 특히 반도체 디바이스를 제조하는데 이용되는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법과 이를 통해 제조된 마스크 블랭크용 기판 및 마스크 블랭크에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention [0001] The present invention relates to a side blanking method of a mask blank substrate, a mask blank substrate and a mask blank, and more particularly, to a side polishing method of a mask blank substrate used for manufacturing a semiconductor device, and a mask blank substrate and a mask manufactured therefrom. Relates to blanks.
반도체 소자 제작의 핵심 기술인 리소그래피 공정에 사용되는 핵심 부품소재인 포토마스크는 마스크 블랭크를 e-Beam 등을 통한 방법으로 패턴을 형성하여 제조된다. The photomask, a key component material used in the lithography process, which is a core technology of semiconductor device fabrication, is manufactured by forming a pattern by mask blank using e-Beam.
포토마스크의 성능은 마스크 블랭크의 성능에 의해 결정되고, 마스크 블랭크의 성능은 마스크 블랭크 기판의 성능에 따라 좌우될 수 있기 때문에 마스크 기판의 가공 기술 및 방법이 중요한 핵심 기술로 여겨지고 있다. Since the performance of the photomask is determined by the performance of the mask blank, and the performance of the mask blank may depend on the performance of the mask blank substrate, the processing technique and method of the mask substrate is considered an important core technology.
최근 반도체 회로의 고밀도, 고정밀도에 따라 마스크 블랭크용 기판과 같은 전자 디바이스용 6인치 투명 기판은 더욱 더 우수한 결함 및 표면 거칠기 특성이 요구되고 있다.In recent years, due to the high density and high precision of semiconductor circuits, 6-inch transparent substrates for electronic devices such as mask blank substrates are required to have more excellent defects and surface roughness characteristics.
투명 기판의 표면 결함은 종래 365 nm 이상의 긴 파장의 빛을 이용한 리소그래피에서는 웨이퍼 전사 시 패턴에 미치는 영향이 크게 문제되지 않았다. 하지만 근래에 반도체 제조를 위한 리소그래피에서는 해상도(Resolution) 향상을 위해 248 nm의 KrF, 193 nm의 ArF 및 13.5 nm의 EUV 등으로 노광 파장의 단파장화가 이루어지고 있는 추세이다. 이와 같은 노광 파장의 단파장화는 마스크 기판 상의 작은 파티클(Particle) 또는 결함이 전사 패턴에 영향을 미쳐 Critical Dimension (CD) Error 등을 비롯한 마스크 결함으로 발전할 수 있다. 그리고 위상반전 (Phase Shift) 포토마스크의 경우 기존에 설계된 위상반전, 투과율 (Transmittance) 등에 영향을 주어 마스크 결함을 유발시킨다. The surface defect of the transparent substrate is not significantly affected by the pattern during wafer transfer in lithography using long wavelength light of 365 nm or more. However, in recent years, in lithography for semiconductor manufacturing, shorter wavelengths of exposure have been made with KrF of 248 nm, ArF of 193 nm, and EUV of 13.5 nm to improve resolution. Such shortening of the exposure wavelength may cause small particles or defects on the mask substrate to affect the transfer pattern and develop into mask defects including Critical Dimension (CD) Error. In the case of the phase shift photomask, the mask defect is caused by affecting the previously designed phase inversion and transmittance.
따라서, 이는 마스크의 품질을 저하시키는 요인으로 작용하기 때문에 기판의 결함 및 Particle 제어가 기판의 가공 기술에서 중요한 기술로 자리잡고 있다. 그리고, 그 동안 결함 제어 연구는 포토마스크 패턴이 형성되는 마스크 블랭크용 기판의 주 표면에 대해 집중적으로 이루어져왔다. Therefore, since this acts as a factor to deteriorate the quality of the mask, substrate defects and particle control is becoming an important technology in the processing technology of the substrate. In the meantime, the defect control research has been focused on the main surface of the mask blank substrate on which the photomask pattern is formed.
하지만, 기판의 주 표면 상에 존재하는 파티클을 모두 제거하더라도 기판의 측면에 잔존하고 있는 파티클은 금속막, 위상반전막 및 레지스트막을 형성하는 마스크 블랭크 공정에서 파티클 및 결함 요소가 된다. 특히 금속막 및 위상반전막을 형성하는 스퍼터링 (Sputtering) 공정에서는 박막 형성 시 높은 열이 발생되기 때문에 이로 인해 파티클의 활동성이 증가하며 금속막 및 위상반전막 상에 결함을 유발시킨다. 그리고, 이러한 결함의 빈번한 발생은 마스크 블랭크 제조에 있어 제조 비용 상승과 스퍼터링 챔버의 잦은 세정 작업으로 인해 생산성을 저하시키는 요인으로 작용한다.However, even if all the particles existing on the main surface of the substrate are removed, the particles remaining on the side of the substrate become particles and defect elements in the mask blank process of forming the metal film, the phase shift film and the resist film. In particular, in the sputtering process of forming the metal film and the phase inversion film, since high heat is generated during the formation of the thin film, the activity of the particles is increased, which causes defects on the metal film and the phase inversion film. In addition, the frequent occurrence of such defects causes a decrease in productivity due to the increase in manufacturing cost and the frequent cleaning operation of the sputtering chamber in mask blank manufacturing.
따라서, 상기의 문제점을 해결하기 위하여 기판 측면 연마가 이루어지고 있는데, 종래에는 산화세륨(CeO2) 연마 입자가 포함된 슬러리를 이용하고 있다. 이때, 산화세륨 연마 입자는 보통 1.0 ㎛ 이상의 크기이므로, 측면 표면 거칠기 향상 및 파티클 제거에 있어 한계를 가지고 있다.Therefore, in order to solve the above problems, substrate side polishing has been performed. Conventionally, a slurry containing cerium oxide (CeO 2 ) abrasive particles is used. At this time, since the cerium oxide abrasive particles are usually 1.0 μm or more in size, there are limitations in improving side surface roughness and removing particles.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로, 본 발명의 목적은 기판의 측면에서 발생하는 파티클 및 이로 인한 결함을 방지하도록 기판의 측면 표면 거칠기를 제어할 수 있는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법을 제공하는 것이다.The present invention was created to solve the above problems, an object of the present invention is to polish the side surface of the substrate for the mask blank to control the surface roughness of the substrate to prevent particles and defects generated on the side of the substrate To provide a way.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법은 반도체 디바이스 제조에 사용되는 마스크 블랭크용 기판의 측면을 연마하는 방법으로서, 제1연마입자가 함유된 슬러리를 기판으로 공급하면서 상기 기판의 측면을 연마하는 제1연마공정과, 상기 제1연마공정 후에, 상기 제1연마공정에서 이용된 제1연마입자와 상이한 제2연마입자를 포함하는 슬러리를 상기 기판으로 공급하면서 상기 기판의 측면을 연마하는 제2연마공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, according to the present invention, the method for polishing the side surface of the mask blank substrate is a method for polishing the side surface of the mask blank substrate used for manufacturing a semiconductor device, and supplying a slurry containing the first abrasive particles to the substrate. While the first polishing process for polishing the side surface of the substrate, and after the first polishing process, the slurry containing the second polishing particles different from the first polishing particles used in the first polishing process while supplying the slurry to the substrate And a second polishing step of polishing the side surface of the substrate.
본 발명에 따르면, 상기 제2연마공정 이후, 상기 기판으로 공급되는 슬러리의 농도를 단계적 또는 연속적으로 낮추어가면서 상기 기판의 측면을 연마하는 린스공정을 더 포함하는 것이 바람직하다.According to the present invention, after the second polishing step, it is preferable to further include a rinse step of polishing the side of the substrate while lowering the concentration of the slurry supplied to the substrate stepwise or continuously.
또한, 본 발명에 따르면 상기 린스공정에서 상기 슬러리의 농도는 30wt%에서 단계적 또는 연속적으로 낮아지는 것이 바람직하다.Further, according to the present invention, the concentration of the slurry in the rinsing step is preferably lowered stepwise or continuously at 30wt%.
또한, 본 발명에 따르면 상기 린스공정에서는 초순수 또는 초순수와 계면 활성제의 혼합물을 상기 기판으로 공급하여 상기 슬러리의 농도를 낮추는 것이 바람직하다.Further, according to the present invention, in the rinsing step, it is preferable to supply ultrapure water or a mixture of ultrapure water and a surfactant to the substrate to lower the concentration of the slurry.
또한, 본 발명에 따르면 상기 린스공정에서 사용되는 슬러리에는 콜로이달 실리카(SiO2) 성분의 연마입자가 포함된 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the slurry used in the rinsing process preferably contains abrasive particles of colloidal silica (SiO 2 ).
또한, 본 발명에 따르면 상기 콜로이달 실리카 연마입자의 평균 입경이 50 내지 150 nm 인 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, it is preferable that the average particle diameter of the colloidal silica abrasive particles is 50 to 150 nm.
또한, 본 발명에 따르면 상기 린스공정에서 사용되는 슬러리의 pH는 8 내지 12 인 것이 바람직하다.In addition, according to the present invention, the pH of the slurry used in the rinsing step is preferably 8 to 12.
본 발명에 따르면 마스크 블랭크용 기판의 측면 표면 거칠기를 0.2 nm(Ra) 이하로 조절함으로써, 노광 장비에 대한 감지가 가능하고 6 인치 기판의 142 x 142 mm 영역 내에 0.1 ㎛ 이상 크기의 파티클 및 결함이 없는 기판으로 제조할 수 있다.According to the present invention, by adjusting the side surface roughness of the mask blank substrate to 0.2 nm (Ra) or less, detection of exposure equipment is possible, and particles and defects having a size of 0.1 μm or more within a 142 x 142 mm area of a 6-inch substrate can be detected. It can be produced with no substrate.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법의 흐름도이다.
도 2는 린스공정에서의 슬러리의 농도변화를 나타내는 그래프이다.1 is a flow chart of a side polishing method of a mask blank substrate according to an embodiment of the present invention.
2 is a graph showing a change in the concentration of the slurry in the rinse step.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법과, 이 방법을 통해 제조된 마스크 블랭크용 기판 및 마스크 블랭크에 관하여 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described with respect to the side surface polishing method of the mask blank substrate, the mask blank substrate and the mask blank produced by this method.
먼저, 기판에 관해 설명하면 기판은 투명 기판으로 소다라임, 천연석영 또는 합성석영유리로 이루어지며, 석영 잉곳 (Ingot)으로부터 슬라이싱된 모재를 복수의 연삭 및 연마공정을 통해 제조된다.First, when the substrate is described, the substrate is a transparent substrate made of soda lime, natural quartz or synthetic quartz glass, and a base material sliced from a quartz ingot is manufactured through a plurality of grinding and polishing processes.
연삭공정은 챔퍼링(Chamfering) 공정을 포함할 수 있고, 공정은 복수의 단계로 이루어질 수 있다. 챔퍼링 연삭공정은 날카로운 에지(Edge) 부위를 일정 각도 및 길이로 제조하는 공정이다. 챔퍼링 연삭은 수시 제어(Numerical Control) 장비를 이용하며 연삭 숫돌과 절삭유를 이용하여 진행된다. 일반적으로 결함 방지 및 생산성 향상을 위해 연삭 숫돌의 Mesh 크기가 작아지는 복수의 단계로 진행된다.The grinding process may include a chamfering process, and the process may consist of a plurality of steps. The chamfering grinding process is a process of manufacturing a sharp edge at an angle and length. Chamfering grinding is carried out using the Numerical Control equipment and grinding grinding wheel and coolant. Generally, in order to prevent defects and improve productivity, the grinding wheel's mesh size is reduced in several stages.
기판의 주 표면에 대한 연마공정은 랩핑(Lapping) 공정과 폴리싱(Polishing) 공정을 포함할 수 있고 각각의 공정은 복수의 단계로 이루어질 수 있다. 단일 단계로 랩핑 공정을 진행하는 경우 공정 효율성을 고려하여 큰 크기의 연마 입자를 사용하여 높은 압력 하에 랩핑 공정을 진행한다. 그렇게 되면 빠른 시간 내에 두께를 감소시킬 수 있지만 정확한 두께 조절이 어려워지고 기판 표면에서 깊이 방향으로 생성되는 크랙(Crack)을 포함하는 데미지(Damage) 층이 발생하고 양호한 표면 거칠기를 얻을 수 없다. 표면 거칠기가 나쁘면 연마공정의 시간이 더욱 더 증가하기 때문에 생산성 저하의 문제점을 가진다. 따라서 목표 두께 정확도를 달성하면서 결함을 감소시키는 동시에 양호한 표면 거칠기를 가지기 위해서는 랩핑 공정을 복수의 단계로 진행하는 것이 바람직하다. The polishing process for the main surface of the substrate may include a lapping process and a polishing process, and each process may consist of a plurality of steps. When the lapping process is performed in a single step, the lapping process is performed under high pressure using a large size of abrasive particles in consideration of process efficiency. This can reduce the thickness in a short time, but it is difficult to precisely control the thickness and a damage layer including cracks generated in the depth direction at the substrate surface is generated and a good surface roughness cannot be obtained. If the surface roughness is bad, there is a problem of reduced productivity because the time of the polishing process is further increased. Therefore, it is desirable to proceed the lapping process in multiple steps to achieve a target thickness accuracy while reducing defects and to have good surface roughness.
또한, 주표면 연마공정에서 표면 거칠기를 향상시키기 위해서는 복수의 단계로 공정을 진행할 수 있다. 기판의 표면 거칠기는 사용하는 슬러리, 연마 패드의 특성에 따라 결정된다. 따라서 생산성, 목표 두께 및 표면 거칠기를 달성하기 위해서는 슬러리와 연마 패드가 다른 복수의 연마공정으로 연마를 진행하는 것이 바람직하다.In addition, in order to improve surface roughness in the main surface polishing process, the process may be performed in a plurality of steps. The surface roughness of the substrate is determined by the characteristics of the slurry and the polishing pad to be used. Therefore, in order to achieve productivity, target thickness, and surface roughness, it is preferable to grind | polish with several grinding | polishing processes from which a slurry and a polishing pad differ.
기판의 측면연마공정은 챔퍼링 연삭 공정 종료 후 측면의 표면 거칠기 향상 및 비 이상적인 파티클 제거를 위해 진행된다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법의 흐름도이며, 도 2는 린스공정에서의 슬러리의 농도변화를 나타내는 그래프이다. 도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 따른 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법(M100)은 복수의 연마공정(S10)과 린스공정(S20)을 포함한다.The side grinding process of the substrate is performed after the chamfering grinding process to improve the surface roughness of the side and to remove the non-ideal particles. 1 is a flow chart of a method for polishing the side surface of a mask blank substrate according to an embodiment of the present invention, Figure 2 is a graph showing the concentration change of the slurry in the rinsing process. 1 and 2, the method for polishing the side surface of the mask blank substrate M100 according to the present exemplary embodiment includes a plurality of polishing processes S10 and a rinse process S20.
복수의 연마공정은 상이한 연마이자를 포함하는 슬러리를 이용하여 기판의 측면을 반복적으로 연마하는 방식으로 진행되며, 특히 본 실시예의 경우 제1연마공정(S11)과 제2연마공정(S12)을 포함한다.The plurality of polishing processes are performed by repeatedly polishing the side surfaces of the substrate using slurry containing different polishing interests. In particular, the present embodiment includes the first polishing process S11 and the second polishing process S12. do.
제1연마공정(S11)에서는 산화세륨(CeO2) 연마입자(제1연마입자)가 포함된 슬러리를 기판의 측면으로 공급하면서 기판의 측면을 연마한다. 이때, 슬러리의 산화세륨 연마 입자의 함량은 10 내지 30 wt%인 것이 바람직하다. 슬러리 내의 연마입자의 함량이 10 wt% 미만이면 슬러리에 의해 투명 기판에 도달하는 연마 입자의 양이 부족하여 기판의 연마 균일성이 저하된다. 또한 연마 입자의 함량이 30 wt%를 초과하면 연마 균일성은 확보되지만 슬러리 탱크 내에 용해되지 않는 연마 입자가 다수 낭비되어 비용이 증가하는 단점이 있다. In the first polishing step S11, the side surface of the substrate is polished while supplying a slurry including cerium oxide (CeO 2 ) abrasive particles (first polishing particle) to the side of the substrate. At this time, the content of the cerium oxide abrasive particles of the slurry is preferably 10 to 30 wt%. If the content of the abrasive grains in the slurry is less than 10 wt%, the amount of abrasive grains reaching the transparent substrate by the slurry is insufficient and the polishing uniformity of the substrate is lowered. In addition, when the content of the abrasive particles exceeds 30 wt%, polishing uniformity is secured, but a number of abrasive particles which are not dissolved in the slurry tank are wasteful, and thus, there is a disadvantage in that the cost increases.
또한, 산화세륨 연마 입자의 크기는 0.5 내지 3 ㎛ 인 것이 바람직하다. 산화세륨 연마 입자의 크기가 3 ㎛를 초과하면 목표 두께는 빠른 시간 내에 도달할 수 있지만, 표면 거칠기를 향상시키기 위한 다음 차례의 린스공정 시간이 증가하여 공정 효율성을 저하시킨다. 그리고 산화세륨 연마 입자의 크기가 0.5 ㎛ 미만이면 더 많은 시간 동안 연마 공정이 진행되어야 하기 때문에 이 또한 공정 효율성 측면에서 손실을 가져온다. 또한, 긴 공정 시간으로 합성석영유리 표면에서 스크래치와 같은 결함이 발생될 확률이 증가한다. Moreover, it is preferable that the size of a cerium oxide abrasive particle is 0.5-3 micrometers. If the size of the cerium oxide abrasive particles exceeds 3 μm, the target thickness can be reached in a short time, but the next rinsing process time for improving the surface roughness is increased to lower the process efficiency. And if the size of the cerium oxide abrasive particles is less than 0.5 ㎛ this also leads to a loss in process efficiency because the polishing process has to proceed for more time. In addition, long process times increase the probability of defects such as scratching on the surface of the synthetic quartz glass.
그리고, 제2연마공정(S12)에서는 콜로이달 실리카(SiO2) 연마입자(제2연마입자)가 포함된 슬러리를 기판의 측면으로 공급하면서 기판의 측면을 연마한다. 이때, 콜로이달 실리카 연마입자의 크기는 50 내지 150 nm인 것이 바람직하다. 콜로이달 실리카는 최종 측면 연마 공정에 적용되며 표면 거칠기를 향상시키는 역할을 한다. 연마입자의 크기가 150 nm를 초과하면 0.2 nm (Ra) 이하의 표면 거칠기를 확보하기 어렵고, 콜로이달 실리카의 크기가 50 nm 미만이면 더 많은 시간 동안 연마 공정이 진행되어야 하기 때문에 공정 효율성 측면에서 손실을 가져온다.In the second polishing step (S12), the side surface of the substrate is polished while supplying a slurry including colloidal silica (SiO 2 ) abrasive particles (second polishing particle) to the side of the substrate. At this time, the size of the colloidal silica abrasive particles is preferably 50 to 150 nm. Colloidal silica is applied in the final side polishing process and serves to improve surface roughness. If the size of the abrasive grains exceeds 150 nm, it is difficult to secure the surface roughness of 0.2 nm (Ra) or less. If the size of the colloidal silica is less than 50 nm, the polishing process has to be carried out for a longer time, so it is lost in process efficiency. Bring it.
그리고, 콜로이달 실리카 연마입자를 포함하는 슬러리의 pH는 8 내지 12 인 것이 바람직하다. 연마공정 후에 린스공정에서 세정 효율을 향상시키기 위해 슬러리의 pH는 염기성 즉, 8 내지 12로 조절하는 것이 바람직하다.And, the pH of the slurry containing the colloidal silica abrasive particles is preferably 8 to 12. In order to improve the cleaning efficiency in the rinsing step after the polishing step, it is preferable to adjust the pH of the slurry to basic, that is, 8 to 12.
한편, 연마공정(S10)에 사용되는 슬러리는 0.5 내지 5 wt%의 계면 활성제를 포함할 수 있다. 슬러리 분산제로 첨가되는 유기산은 슬러리 내에서 연마입자의 분산성을 개선시켜 연마입자가 응집되거나, 슬러리 탱크 아래에 침전되는 현상을 방지하여 연마의 균일도를 향상시키는 역할을 한다. 분산제가 0.5 wt% 미만으로 첨가되면 연마입자의 분산력이 약하고, 5 wt%를 초과하여 첨가되면 분산성은 향상되지만 합성 석영 유리 표면과 연마 입자 간의 마찰력을 감소시켜 연마 Brush에 의해서만 연마되어 연마 효율이 낮아진다.On the other hand, the slurry used in the polishing process (S10) may include a surfactant of 0.5 to 5 wt%. The organic acid added as the slurry dispersant improves the dispersibility of the abrasive particles in the slurry to prevent agglomeration of the abrasive particles or to precipitate under the slurry tank, thereby improving the uniformity of polishing. If the dispersant is added less than 0.5 wt%, the dispersing force of the abrasive particles is weak, and if it is added more than 5 wt%, the dispersibility is improved, but the friction between the synthetic quartz glass surface and the abrasive particles is reduced, which is only polished by the polishing brush, resulting in low polishing efficiency. .
또한, 측면에 대한 연마공정에서 슬러리의 공급량은 1 ~ 5 L/min인 것이 바람직하다. 슬러리의 공급량은 연마 입자의 유동성 즉, 기판의 연마 균일도에 영향을 미치기 때문에 충분한 연마 입자의 기판으로의 도달을 위해 1 ~ 5 L/min의 슬러리 양을 공급하는 것이 바람직하다.In addition, the supply amount of the slurry in the polishing process for the side surface is preferably 1 to 5 L / min. Since the supply amount of the slurry affects the fluidity of the abrasive particles, that is, the polishing uniformity of the substrate, it is preferable to supply a slurry amount of 1 to 5 L / min in order to reach the substrate with sufficient abrasive particles.
린스공정(S20)은 측면에 대한 복수회의 연마공정의 최종 단계에서 슬러리의 공급을 중단하고 초순수 및/또는 계면 활성제를 공급하여 수행하는 것으로, 본 실시예의 경우 린스공정은 제2연마공정(S12) 이후에 진행된다. Rinse process (S20) is performed by stopping the supply of slurry at the final stage of the polishing process for the side surface and supplying ultrapure water and / or surfactant, in this embodiment the rinse process is the second polishing process (S12) After that.
이와 관련하여 상세하게 설명하면, 제2연마공정에서 표면 거칠기 향상을 위해 사용되는 콜로이달 실리카 연마입자가 포함된 슬러리는 기판 표면에 볼록 결함을 유발시키는 원인이 된다. 특히, 볼록 결함은 콜로이달 실리카 입자가 기판의 측면에 견고하게 부착되어 형성되며, 이는 이후의 스크럽 및 기타 세정 방법으로도 제거가 어렵다. 따라서, 린스공정에서 연질의 Brush만을 이용하여 물리적으로 실리카 연마입자를 제거하는 것이 바람직하다. In detail in this regard, the slurry containing the colloidal silica abrasive particles used to improve the surface roughness in the second polishing process causes a convex defect on the surface of the substrate. In particular, convex defects are formed by the colloidal silica particles being firmly attached to the side of the substrate, which is difficult to remove even with subsequent scrubs and other cleaning methods. Therefore, it is preferable to physically remove the abrasive silica particles using only a soft brush in the rinse process.
이를 위해, 린스공정에서는 연마장치의 슬러리 공급을 중단시키고 초순수 및/또는 계면 활성제를 기판의 측면으로 공급한다. 그러면, 기판 측면에 공급되는 슬러리의 농도(보다 정확하게는, 기판 측면에 잔존하는 슬러리의 농도이다. 다만, 기판의 입장에서는 일정 시간동안은 지속적으로 슬러리에 노출되는 바, 기판으로 공급되는 슬러리의 농도라 하였다)는, 도 2에 도시된 바와 같이 초순수의 공급에 따라 30 내지 0 wt% 구간에서 연속적으로 낮아지게 되고, 종국에는 슬러리가 없이 초순수만으로 린스공정이 수행된다. 이는, 연마공정 후에 기판 측면에 잔존하는 슬러리를 점차적으로 제거하여, 오직 연마 Brush의 물리적인 힘에 의해서만 연마하는 것이 볼록 결함을 제거하는데 효과적이기 때문이다. 한편, 도 2와 달리 단계적(예를 들어, 계단식)으로 슬러리의 농도가 낮아질 수도 있다. To this end, the rinse process stops supplying slurry to the polishing apparatus and supplies ultrapure water and / or surfactant to the side of the substrate. Then, the concentration of the slurry supplied to the side of the substrate (more precisely, the concentration of the slurry remaining on the side of the substrate. However, from the standpoint of the substrate, the concentration of the slurry supplied to the substrate is continuously exposed to the slurry for a predetermined time. As shown in FIG. 2, as shown in FIG. 2, it is continuously lowered in an interval of 30 to 0 wt% according to the supply of ultrapure water, and eventually, a rinsing process is performed using only ultrapure water without a slurry. This is because it is effective to remove convex defects by gradually removing the slurry remaining on the side of the substrate after the polishing process, and only polishing by the physical force of the polishing brush. On the other hand, unlike in Figure 2, the concentration of the slurry may be lowered step by step (for example, stepped).
한편, 상술한 바와 같이 연마된 마스크 블랭크용 기판의 측면 표면 거칠기는 0.2 nm (Ra) 이하, 바람직하게는 0.182 nm (Ra) 이하이고, 기판 표면에 0.1 ㎛ 크기 이상의 파티클 및 결함이 없는 기판이다.On the other hand, the side surface roughness of the mask blank substrate polished as described above is 0.2 nm (Ra) or less, preferably 0.182 nm (Ra) or less, and the substrate surface is free of particles and defects of 0.1 µm or more in size.
특히, 측면 표면 거칠기 Ra의 경우 0.2 nm 이하의 값을 가지고 기판 측면 부위에서 4 Point 측정 시 Ra 값이 모두 0.2 nm 이내이다. In particular, the side surface roughness Ra has a value of 0.2 nm or less, and the Ra values are all within 0.2 nm when measuring 4 points at the side surface of the substrate.
한편, 본 발명에 따라 제조된 마스크 블랭크용 기판으로부터 마스크 블랭크를 제조하고, 마스크 블랭크로부터 마스크를 제조한다. 마스크 블랭크는 기판 상에 하나 이상의 금속을 포함하는 한 층 이상의 금속막을 성막하고, 금속막 상에 레지스트막을 코팅하여 제조된다. 금속막은 스퍼터링법에 의해 성막될 수 있고, 레지스트막은 스핀 코팅법에 의해 성막될 수 있다. 금속막은 기능에 따라 차광막, 위상 반전막, 반투광막, 식각중지막, 하드마스크막 등이 될 수 있다.On the other hand, a mask blank is manufactured from the mask blank substrate manufactured by this invention, and a mask is manufactured from a mask blank. The mask blank is prepared by depositing at least one metal film containing at least one metal on a substrate and coating a resist film on the metal film. The metal film can be formed by sputtering, and the resist film can be formed by spin coating. The metal film may be a light shielding film, a phase inversion film, a semi-transmissive film, an etch stop film, a hard mask film, or the like depending on its function.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the examples are used only for the purpose of illustration and description of the present invention, and are used to limit the scope of the present invention as defined in the meaning or claims. no. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible from the embodiments. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical details of the claims.
먼저, 실시예는 상술한 복수의 측면연마공정을 적용하여 마스크 블랭크 기판을 제조한 실시예이다. 실시예에서는 6.85 mm의 두께를 가지는 합성석영유리를 준비하여, 일련의 기판 가공 공정에서 측면 연마 장비를 이용하여 측면연마공정을 2 단계로 진행하여 최종적으로 세정한 다음 20 매의 투명 기판을 제조하였다. 여기서 1차 측면 연마 공정은 1.4 ㎛ 입자 크기를 가지는 산화세륨 슬러리를 적용하였고, 2차 측면 연마 공정은 75 nm 입자 크기를 가지는 콜로이달 실리카 슬러리를 이용하여 기판의 측면 연마를 진행하였다. 그리고, 비교예는 상술한 실시예의 1차 측면 연마 공정만 적용하여 최종적으로 세정한 다음 20 매의 투명 기판을 제조하였다. First, an embodiment is an embodiment in which a mask blank substrate is manufactured by applying the plurality of side polishing processes described above. In Example, a synthetic quartz glass having a thickness of 6.85 mm was prepared, and the side polishing process was finally performed in two steps using side polishing equipment in a series of substrate processing processes, and finally 20 sheets of transparent substrates were prepared. . Here, the cerium oxide slurry having a 1.4 μm particle size was applied to the primary side polishing process, and the side surface polishing of the substrate was performed using a colloidal silica slurry having a 75 nm particle size. In the comparative example, only the first side polishing step of the above-described example was applied and finally washed, thereby preparing 20 transparent substrates.
측면 연마 공정은 아래 표 1의 연마 공정 조건으로 진행하였으며 최종 단계의 주 표면의 연마 공정을 진행한 후 산, 알칼리 및 Physical 세정 방법을 적용하여 세정하였다. 그리고 최종적으로 세정이 완료된 40 매의 기판에 대해 표면 거칠기 및 결함 개수를 측정하여 그 결과를 아래 표 2에 나타내었다. 표면 거칠기는 Veeco사의 Scanning Probe Microscope(SPM) 장비를 이용해 Tapping Mode로 측정하였다. 이때, Scan Size는 1 ㎛× 1 ㎛ 이며 측정 위치는 기판 측면의 4 Point에서 측면 표면 거칠기를 측정하고 평균 Ra 값을 산출하였다. 그리고, 측면 표면 거칠기 측정 전에 GM3000 Laser 검사 장비를 이용하여 파티클 및 결함의 개수를 측정하였다.
The side polishing process was carried out under the polishing process conditions shown in Table 1 below, and the polishing was performed by applying acid, alkali, and physical cleaning methods after the polishing process of the main surface of the final stage. Finally, the surface roughness and the number of defects were measured for 40 substrates of which cleaning was completed, and the results are shown in Table 2 below. Surface roughness was measured in Tapping Mode using Veeco Scanning Probe Microscope (SPM). At this time, the scan size was 1 μm × 1 μm, and the measurement position measured side surface roughness at 4 points on the side of the substrate and calculated an average Ra value. And, before the side surface roughness measurement, the number of particles and defects were measured using the GM3000 Laser inspection equipment.
(CeO2)Cerium oxide
(CeO2)
(SiO2)Colloidal silica
(SiO2)
(CeO2)Cerium oxide
(CeO2)
〈표 1. 측면 연마 공정 조건〉<Table 1. Side Polishing Process Conditions>
〈표 2. 측면 표면 거칠기 및 파티클 평가 결과〉
<Table 2. Side surface roughness and particle evaluation results>
상기 표 2에 의하면 복수의 측면 연마 공정을 시행한 실시예에서 표면 거칠기 평균 0.176 nm (Ra)와 0.1 ㎛ 이상 파티클이 없는 우수한 마스크 블랭크용 기판을 제조할 수 있었다. 반면에 단일 측면 연마를 시행한 비교예에서는 0.1 ㎛ 이상 파티클의 개수가 평균 8.1 개, 표면 거칠기가 0.329 nm (Ra)로 복수의 측면 연마 공정을 실시한 실시예 보다 우수하지 못함을 알 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면 복수의 측면 연마 공정 적용을 통해 우수한 품질을 가지는 마스크 블랭크용 기판을 제조할 수 있었다.According to Table 2, an excellent mask blank substrate having an average surface roughness of 0.176 nm (Ra) and no particles of 0.1 μm or more was produced in the embodiment of the plurality of side polishing processes. On the other hand, it can be seen that in the comparative example subjected to single side polishing, the number of particles of 0.1 μm or more is 8.1 and the surface roughness is 0.329 nm (Ra), which is not superior to the example in which the plurality of side polishing processes are performed. Therefore, according to the present invention, a mask blank substrate having excellent quality could be manufactured by applying a plurality of side polishing processes.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation in the embodiment in which said invention is directed. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and detail may be made therein without departing from the scope of the appended claims.
M100...마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법
S10...연마공정 S11...제1연마공정
S12...제2연마공정 S20...린스공정M100 ... Side Polishing Method for Mask Blank Substrate
S10 ... polishing process S11 ... first polishing process
S12 ... 2nd polishing process S20 ... rinse process
Claims (11)
제1연마입자가 함유된 슬러리를 기판으로 공급하면서 상기 기판의 측면을 연마하는 제1연마공정과,
상기 제1연마공정 후에, 상기 제1연마공정에서 이용된 제1연마입자와 상이한 제2연마입자를 포함하는 슬러리를 상기 기판으로 공급하면서 상기 기판의 측면을 연마하는 제2연마공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법.A method of polishing the side surface of a mask blank substrate used for semiconductor device manufacturing,
A first polishing step of polishing the side surface of the substrate while supplying the slurry containing the first abrasive particles to the substrate,
And after the first polishing step, a second polishing step of polishing the side surface of the substrate while supplying a slurry containing second polishing particles different from the first polishing particles used in the first polishing step to the substrate. A side polishing method of a mask blank substrate, characterized in that.
상기 제2연마공정 이후, 상기 기판으로 공급되는 슬러리의 농도를 단계적 또는 연속적으로 낮추어가면서 상기 기판의 측면을 연마하는 린스공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법. The method of claim 1,
After the second polishing step, further comprising a rinsing step of polishing the side of the substrate while gradually or continuously lowering the concentration of the slurry supplied to the substrate side surface polishing method of the mask blank substrate.
상기 린스공정에서 상기 슬러리의 농도는 30wt%에서 단계적 또는 연속적으로 낮아지는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법. The method of claim 2,
The concentration of the slurry in the rinsing process is a side polishing method of the mask blank substrate, characterized in that lowering stepwise or continuously at 30wt%.
상기 린스공정에서는 초순수 또는 초순수와 계면 활성제의 혼합물을 상기 기판으로 공급하여 상기 슬러리의 농도를 낮추는 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법. The method of claim 2,
In the rinsing step, the side surface polishing method of the mask blank substrate, characterized in that to supply a mixture of ultrapure water or ultrapure water and a surfactant to the substrate to lower the concentration of the slurry.
상기 린스공정에서 사용되는 슬러리에는 콜로이달 실리카(SiO2) 성분의 연마 입자가 포함된 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법.The method of claim 1,
The slurry used in the rinsing process is a side grinding method of the mask blank substrate, characterized in that the abrasive particles of the colloidal silica (SiO 2 ) component.
상기 콜로이달 실리카 연마 입자의 평균 입경이 50 내지 150 nm 인 것을 특징으로하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법.The method of claim 5,
The colloidal silica abrasive grains have a mean particle diameter of 50 to 150 nm, the side surface polishing method of the mask blank substrate.
상기 린스공정에서 사용되는 슬러리의 pH는 8 내지 12인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판의 측면연마방법.The method of claim 5,
PH of the slurry used in the rinsing step is a side polishing method of the mask blank substrate, characterized in that 8 to 12.
상기 기판 측면의 표면 거칠기는 2nm(Ra) 이하인 것을 특징으로 하는 마스크 블랭크용 기판. 9. The method of claim 8,
The surface roughness of the side surface of the substrate is a mask blank substrate, characterized in that less than 2nm (Ra).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110062275A KR20120121333A (en) | 2011-04-26 | 2011-06-27 | Method for polishing side of substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110038785 | 2011-04-26 | ||
| KR1020110062275A KR20120121333A (en) | 2011-04-26 | 2011-06-27 | Method for polishing side of substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120121333A true KR20120121333A (en) | 2012-11-05 |
Family
ID=47507805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110062275A KR20120121333A (en) | 2011-04-26 | 2011-06-27 | Method for polishing side of substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120121333A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102400200B1 (en) | 2021-04-30 | 2022-05-18 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | Photomask blank, photomask and method of fabricating a semiconductor device |
| KR102400198B1 (en) | 2021-04-30 | 2022-05-18 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | Photomask blank, photomask and method of fabricating a semiconductor device |
-
2011
- 2011-06-27 KR KR1020110062275A patent/KR20120121333A/en not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102400200B1 (en) | 2021-04-30 | 2022-05-18 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | Photomask blank, photomask and method of fabricating a semiconductor device |
| KR102400198B1 (en) | 2021-04-30 | 2022-05-18 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | Photomask blank, photomask and method of fabricating a semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10295900B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
| US10620527B2 (en) | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflection film, transmissive mask blank, reflective mask blank, transmissive mask, reflective mask, and semiconductor device fabrication method | |
| JP6515235B2 (en) | Substrate for mask blank, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask and method for manufacturing semiconductor device | |
| US10527927B2 (en) | Conductive film coated substrate, multilayer reflective film coated substrate, reflective mask blank, reflective mask, and semiconductor device manufacturing method | |
| TW439138B (en) | Method of manufacturing semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers which includes a gas phase etching process, and semiconductor monocrystalline mirror-surface wafers manufactured by the method | |
| US8137574B2 (en) | Processing method of glass substrate, and highly flat and highly smooth glass substrate | |
| CN105300663A (en) | Method for preparing synthetic quartz glass substrate | |
| KR20150108354A (en) | Method for manufacturing mask blank substrate, method for manufacturing mask blank and method for manufacturing transfer mask | |
| JP3943869B2 (en) | Semiconductor wafer processing method and semiconductor wafer | |
| JP2004054285A (en) | Glass substrate for mask blanks, method for manufacturing glass substrate for mask blanks, mask blanks, method for manufacturing mask blanks, transfer mask, and method for manufacturing same | |
| JP2006146250A (en) | Glass substrate for mask blank and transfer mask | |
| KR20120121333A (en) | Method for polishing side of substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank | |
| KR101350714B1 (en) | Method for polishing substrate for mask blank and substrate for mask blank and mask blank | |
| JP2004302280A (en) | Method of manufacturing substrate for mask blank, method of manufacturing mask blank and method of manufacturing transfer mask | |
| KR101270659B1 (en) | Substrate for Blank Mask, Blank Mask and Manufacturing Method Thereof | |
| US20160168020A1 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface | |
| KR101295804B1 (en) | Substrate for Blank Mask, Blank Mask and Manufacturing Method Thereof | |
| KR20120121332A (en) | Polishing device and substrate for mask blank and mask blank | |
| KR20130006916A (en) | Polishing device and substrate for mask blank and mask blank |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |