JP2003133217A

JP2003133217A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2003133217A
Application number: JP2001329952A
Authority: JP
Inventors: Masaya Shinozaki; 賢哉篠崎; Tetsuya Sada; 徹也佐田; Hiroshi Nagata; 広永田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-10-26
Filing date: 2001-10-26
Publication date: 2003-05-09

Abstract

(57)【要約】【課題】平流し方式において被処理基板上の液を基板
両面から効果的かつ確実に取り除くこと。【解決手段】搬送路１１４上で基板Ｇが上下エアナイ
フ１４０，１４２の間を通過する際、最初に上部エアナ
イフ１４０が搬送方向に逆らう向きで斜め上方から基板
Ｇの上面に気体を吹き付け、少し遅れて下部エアナイフ
１４２が搬送方向に逆らう向きで斜め下方から基板Ｇの
下面に気体を吹き付ける。そうすると、基板Ｇの上面で
は、リンス液の液膜ＲUが表面張力に抗して基板後方へ
吹き寄せられ、大部分は基板後端から基板の外へ落とさ
れ、一部は基板下面に廻り込む。そして、基板Ｇの下面
では、リンス液の液滴ＲLが基板後端部へ寄せ集めら
れ、基板上面から廻り込んできた分と一緒に殆どが基板
後端から基板の外へ落とされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平流し方式で被処
理基板に処理を施す基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣ
Ｄ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現
像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷
設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処
理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し
方式が注目されている。このような平流し方式は、基板
を回転運動させるスピンナ方式と較べて、基板の取扱い
や搬送系および駆動系の構成が簡単であり、ミストの発
生ないし基板への再付着が少ない等の利点がある。

【０００３】一般に、平流し方式の洗浄装置や現像装置
では、処理工程の最終段で基板の表面に残存または付着
している液を取り除いて基板を乾燥させるためのツール
として、エアナイフが用いられている。エアナイフは、
搬送路の左右幅方向で基板の端から端までカバーする無
数のガス吐出口またはスリット状のガス吐出口を有し、
所定の位置で直下または直上を通過する基板に対してナ
イフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス
流）を吹き付けるものである。このナイフ状の鋭利な気
体流の吹き付けにより、基板がエアナイフの傍を通過す
る際に、基板表面の液が基板後端側へ掃き寄せられるよ
うにして基板の外へ払い落とされる（つまり液切りされ
る）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のこの種の基板処
理装置では、基板の上下両面を同時に液切りするため
に、搬送路を挟んで上下に一対のエアナイフを対向配置
し、上部エアナイフからの気体流と下部エアナイフから
の気体流とを搬送路上の基板に同位相で当てる方式を採
っていた。この方式によれば、上下エアナイフの位相が
一致する限り、基板の上下両面において液を掃き出すタ
イミングを一致させ、基板後端からの液切りを良好に行
うことができる。しかしながら、実際には、上下エアナ
イフの位相を一致させるための位置調整は非常に困難で
ある。また、上下エアナイフの位相が一致しても、それ
ぞれの風量が僅かでも違うと、基板後端部で液が片側
（上面もしくは下面）に廻り込んで残留してしまうとい
う問題がある。さらには、上下エアナイフの気体流が搬
送路上で互いに衝突するため、そこに基板が進入するこ
とで大きな風切音（共鳴）が発生するという問題もあっ
た。

【０００５】本発明は、かかる従来技術の問題点を解決
するものであり、平流し方式において被処理基板上の液
を基板両面から効果的かつ確実に取り除くようにした基
板処理装置を提供することを目的とする。

【０００６】本発明の別の目的は、平流し方式において
エアナイフの位置精度要件を緩和しつつ良好な液切りを
保証できる基板処理装置を提供することにある。

【０００７】本発明の別の目的は、平流し方式において
エアナイフに起因する風切音（共鳴）を防止ないし低減
できる基板処理装置を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平
な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、第１の位置にて
前記搬送路の上方または下方のいずれか一方の側から前
記基板に気体を吹き付ける第１のエアナイフと、前記搬
送路に沿って前記第１の位置より直ぐ下流側の第２の位
置にて前記第１のエアナイフからみて前記搬送路の反対
側より前記基板に気体を吹き付ける第２のエアナイフと
を有する構成とした。

【０００９】本発明の基板処理装置では、搬送路を挟ん
で上下に配置される一対のエアナイフの間で搬送方向に
位置的なオフセットをもたせることにより、基板の上面
および下面における液の掃き寄せないし掃き出しに時間
的なオフセットを与え、それによって基板後端における
液切りを良好に行い、基板後端付近の液の残留を防止な
いし低減することができる。

【００１０】また、上記のようなオフセット関係によ
り、上下エアナイフからの気体流が搬送路上で相互衝突
するのを回避するため、両エアナイフ間に基板が進入す
る際の風切音（共鳴）を防止ないし低減することができ
る。

【００１１】本発明の一態様として、好ましくは、第１
および第２のエアナイフを互いに平行に、かつ搬送路の
左右横方向に対して斜めに傾けて配置してよい。かかる
構成によれば、基板Ｇの上面および下面において液を基
板後端部の同じ角隅部の方に寄せ集めて対角線方向に効
果的に液切りすることができる。

【００１２】また、別の好ましい態様として、第１およ
び第２のエアナイフを搬送路の左右横方向に対して互い
に逆向きに斜めに傾けて配置してもよい。この構成によ
れば、基板の上面または下面の一方で基板後端部の片側
の角隅部から液切りした直後に、基板の上面または下面
の他方で基板後端部の反対側の角隅部から液切りするこ
とにより、基板後端でいったん廻り込んだ液を基板後端
に沿って逆流させ、液切り効果を高めることができる。

【００１３】また、別の好ましい態様として、搬送路に
沿って第２のエアナイフの位置（第２の位置）より直ぐ
下流側の第３の位置にて第２のエアナイフからみて搬送
路の反対側より基板に気体を吹き付ける第３のエアナイ
フを設けてよい。この構成によれば、仮に第２のエアナ
イフを通過した直後の基板に液が残留していても、この
第３のエアナイフによって基板後端部の液をほぼ跡形も
無く吹き落として、十全な乾燥処理品質を保証すること
ができる。

【００１４】また、別の好ましい態様として、搬送路に
沿って第１の位置と第２の位置との間の第４の位置にて
第２のエアナイフと同じ側から基板に付着している液を
バキューム吸引力により吸い込むバキューム手段を設け
てよい。この構成によれば、基板の上面もしくは下面か
ら液をバキューム力で吸引分離することができる。特
に、基板の後端部がバキューム手段に差し掛かった時
に、第１のエアナイフからの気体の吹き付けにより基板
の片側面から反対面に廻り込んだ液と、第２のエアナイ
フからの気体の吹き付けにより該基板反対面内で後端に
掃き寄せられた液とを効率良く一機に吸い取ることがで
きる。

【００１５】本発明においては、液切りを効率的に行う
ために、各エアナイフが気体を搬送方向に逆らう向きで
基板に吹き付けるようにしてよい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。

【００１７】図１に、本発明の現像処理装置を適用でき
る一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置
され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
ク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシス
テムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われ
る。

【００１８】この塗布現像処理システム１０は、中心部
に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置
し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーシ
ョン（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ
／Ｆ）１８とを配置している。

【００１９】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、
システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Ｃを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能
なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセ
ットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２と
を備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手
段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの
４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようにな
っている。

【００２０】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、
システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステー
ション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスライン
Ａには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６
と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／
Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２
の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロ
セス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置
している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０
が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、
両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。

【００２１】両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送
空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に
載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によって
ライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっ
ている。

【００２２】上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄
プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４
２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接す
る場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を
配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット
（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。

【００２３】洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第
１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心
部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に
示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４に
は、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、
脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およ
びアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０
は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，
６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡し
を行うためのものである。

【００２４】図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直
方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送
体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有して
いる。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６
が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送
体７２を旋回駆動するための駆動部７８が垂直搬送体７
０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するため
の駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。
各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。

【００２５】上記のように構成された搬送機構４６は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板
Ｇを受け渡しできるようになっている。

【００２６】第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する
塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗
布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８
４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロ
セスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニッ
ト（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇ
を工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８
４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われ
るようになっている。

【００２７】塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第
２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同
様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に
縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後
尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロ
セスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（Ｔ
Ｂ）９２を設けている。

【００２８】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、
その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。

【００２９】第２の熱的処理部３０における搬送機構９
０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれ
のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２
８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル
４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）
１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。

【００３０】下流部のプロセスラインＢにおいて、現像
プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。

【００３１】現像プロセス部３２の下流側には脱色プロ
セス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置され
る。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線
（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ
線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。

【００３２】第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的
処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有し
ており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１０
０とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９
８，１０２を設けている。

【００３３】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット
（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１
０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が
１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。

【００３４】第３の熱的処理部３６における搬送機構１
００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパス
ユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユ
ニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション
（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板
Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

【００３５】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う
ための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ス
テージ（ＢＵＦ）１０５、エクステンション・クーリン
グステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６および周辺装置１
１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１
０５には定置型のバッファカセット（図示せず）が置か
れる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ
・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用
のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１
６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置
１１０はたとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露
光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよ
い。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえ
ば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や
各ユニット（ＢＵＦ）１０５、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０
６、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡し
を行えるようになっている。

【００３６】図３に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上
の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部
２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬
入する（ステップＳ1）。

【００３７】エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４
１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される
（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構
２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２へ移される。

【００３８】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２で
は、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基
板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後に
エアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。

【００３９】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で
洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）５０に搬入される。

【００４０】第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは
搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット
（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５
４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップ
Ｓ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６
２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化
処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了
後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１
つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に移される。

【００４１】このように、第１の熱的処理部２６内で
は、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニ
ット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）
４８との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。

【００４２】第１の熱的処理部２６で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段
ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）
６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布
ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

【００４３】基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８
２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理
面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８
６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれ
る（ステップＳ8）。

【００４４】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の
熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

【００４５】第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬
送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット
（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット
（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流
側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６へ受け渡さ
れる。

【００４６】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６から周辺装置１１０
の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップ
Ｓ11）。

【００４７】露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースス
テーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ1
1）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥ
Ｒ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエ
クステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）１０６に戻される。インタフェースステーション
（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１
２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行わ
れる。

【００４８】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６で
は、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエク
ステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）
１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスライン
Ｂ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット
（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９
２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇ
を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニッ
ト（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの
下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現
像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ス
テップＳ13）。

【００４９】現像プロセス部３２で現像処理を受けた基
板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこ
でｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。
脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）に受け渡される。

【００５０】第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、
基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇ
は、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３
の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１０
０によって行われる。

【００５１】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側で
は、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板
Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ
1）。

【００５２】この塗布現像処理システム１０において
は、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以
下、図４〜図１３を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）４２に適用した実施形態を説明する。

【００５３】図４に、本発明の一実施形態によるスクラ
バ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の全体構成を示す。この
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスライ
ンＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を
敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬
送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロック
またはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。

【００５４】これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、
最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入
部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗
浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗
浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処
理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を
構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬
出部を構成している。

【００５５】基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送
機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受
け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複
数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部
Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送
機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリ
フトピン１２０が設けられている。

【００５６】スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路
１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレ
ウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄
用の上下一対のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し
用の上下一対の洗浄スプレー管１３０，１３１等が配置
されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室
（Ｍ3）と雰囲気を遮断するためのエアカーテン形成部
またはエア吹出し部１３２が設けられている。

【００５７】ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流
体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４，１３５が
搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置
されるとともに、下流側の隣室（Ｍ4）と雰囲気を遮断
するためのエアカーテン形成部１３６も設けられてい
る。

【００５８】リンス処理部Ｍ4には、搬送路１１４を挟
んで上下一対のリンスノズル１３７，１３８が配置され
るとともに、下流側の隣室（Ｍ5）と雰囲気を遮断する
ためのエアカーテン形成部１３９も設けられている。

【００５９】乾燥処理部Ｍ5には、本実施形態における
液切り用のエアナイフ機構として複数（図示の例では一
対）のエアナイフ１４０，１４２が、搬送路１１４を挟
んで上下に、かつ搬送方向にオフセットして配置されて
いる。

【００６０】処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４
の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４
６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン
１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統ま
たは排液系統の配管が接続されている。

【００６１】ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）４２における全体の動作および作用を説明する。基
板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基
板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または
搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２
は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）
を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方
向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った
基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向け
て搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成
されており、その長辺方向が搬送方向と平行になる向き
で搬送路１１４上を搬送される。

【００６２】スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路
１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対し
て、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカ
リ系の薬液を基板Ｇの上面に吹き付け、直後に洗浄スプ
レー管１２４がプレウエット用の洗浄液たとえば純水を
吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方
にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置し
て、基板Ｇの下面にも薬液やプレウエット液を吹き付け
てもよい。

【００６３】次いで、基板Ｇは上下のロールブラシ１２
６，１２８の間を通り抜け、その際に各ロールブラシ１
２６，１２８が基板Ｇの上下面に付いている異物（塵
埃、破片、汚染物等）を擦り取る。直後に、上下の洗浄
スプレー管１３０，１３１が基板Ｇの上下面に洗浄液た
とえば純水を吹き付け、基板表面に浮遊している異物を
洗い流す。

【００６４】スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、
基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。その際、エ
アカーテン形成部１３２より空気流が基板Ｇの上面に吹
き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液
が基板後端から処理部Ｍ2側のパン１４４に落とされ
る。

【００６５】ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノ
ズル１３４，１３５が、加圧された洗浄液（たとえば純
水）と加圧された気体（たとえば窒素）とをノズル内で
混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇの
上下面に向けて噴射する。こうしてガスが溶け込んだ洗
浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着
または残存している異物が除去される。

【００６６】ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリン
ス処理部Ｍ4を通過する。ブロー洗浄処理部Ｍ3を抜ける
際にも、エアカーテン形成部１３６より空気流が基板Ｇ
の上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基
板上面の液が基板後端から処理部Ｍ3側のパン１４６に
落とされる。

【００６７】リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を
水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下両面に対して、上下
のリンスノズル１３７，１３８がリンス液たとえば純水
を吹き付けることにより、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持
ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリ
ンス液と一緒に流れて基板の外へ掃き出され、基板表面
には清浄なリンス液が残る（つまり置換される）。

【００６８】リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理
部Ｍ5に送られる。リンス処理部Ｍ4を抜ける際にも、エ
アカーテン形成部１３９より空気流が基板Ｇの上面に吹
き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液
が基板後端から処理部Ｍ4側のパン１４８に落とされ
る。

【００６９】乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水
平姿勢で搬送される基板Ｇの両面に対して、上下のエア
ナイフ１４０，１４２がナイフ状の鋭利な気体流たとえ
ば空気流を当てることにより、基板表面に付いていたリ
ンス液のほぼ全部が基板後方へ払い落とされる（液切り
される）。本実施形態におけるエアナイフ機構の構成お
よび作用は後で詳しく説明する。なお、乾燥処理後に基
板Ｇ上に水あかが部分的または局所的に残るのを防止す
るために、エアナイフ１４０，１４２の少し上流側でプ
レウエット用のノズル（図示せず）よりたとえば純水を
基板Ｇの全面に万遍に吹き付けるのが好ましい。

【００７０】乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそ
のまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られ
る。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有
しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、
基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４より
も低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）
から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の
直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ
突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送
機構（図示せず）へ渡す。

【００７１】次に、図５〜図１３につき、本実施形態の
乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の実施例を
説明する。

【００７２】図５に、本実施形態で用いるエアナイフ
（１４０，１４２）の一構成例を縦断面図で示す。この
構成例のエアナイフ本体１は、気体供給部（図示せず）
より圧送されてくる気体（たとえば空気または窒素ガ
ス）を導入する気体導入口２と、この気体導入口２より
導入された気体をいったん蓄積するバッファ室３と、こ
のバッファ室３内の気体を外へ噴き出す断面テーパ状の
噴出部４とを有する。バッファ室３内の噴出部４の手前
には整流用の多孔板５が取り付けられている。噴出部４
には一対の気体噴射板６，７がそれぞれの長孔６ａ，７
ａを介してボルト５で取り付けられ、両気体噴射板６，
７の先端部間に形成される可変の隙間がスリット型の噴
出口８を構成する。

【００７３】図６および図７に、第１の実施例によるエ
アナイフ機構の構成を示す。この実施例では、搬送方向
において上部エアナイフ１４０よりも下部エアナイフ１
４２を下流側にオフセットさせて配置する形態を採る。
両エアナイフ１４０，１４２は、搬送方向と平行な水平
面内では互いにほぼ平行に、かつ搬送路１１４の左右横
方向に対して斜めに傾けて配置され（図７）、搬送方向
と直交する垂直面内では搬送方向に逆らう向きで気体を
基板Ｇに吹き付ける姿勢で配置される（図６）。なお、
この実施形態において「左」と「右」は搬送方向（Ｘ方
向）を基準（前）としている。

【００７４】両エアナイフ１４０，１４２を通過する基
板Ｇは、前段のリンス処理部Ｍ4で上下リンスノズル１
３７，１３８よりリンス液を浴びてきており、概して、
基板上面にはリンス液が１つないし数個の液膜ＲUの形
態で付いており、基板下面にはリンス液が無数の液滴Ｒ
Lの形態で付いている。

【００７５】図８に、この実施例におけるエアナイフ機
構の作用を示す。図８の（Ａ）に示すように、搬送路１
１４上で基板Ｇが上下エアナイフ１４０，１４２の間を
通過する際、上部エアナイフ１４０は搬送方向に逆らう
向きで斜め上方から基板Ｇの上面に気体を吹き付け、下
部エアナイフ１４２は搬送方向に逆らう向きで斜め下方
から基板Ｇの下面に気体を吹き付ける。そうすると、基
板Ｇの上面では、図８の（Ｂ）に示すように、リンス液
の液膜ＲUが表面張力に抗して基板後方へ吹き寄せら
れ、大部分は基板後端から基板の外へ落とされ、一部は
基板下面に廻り込む。そして、基板Ｇの下面では、図８
の（Ｃ）に示すように、リンス液の液滴ＲLが基板後端
部へ寄せ集められ、基板上面から廻り込んできた分と一
緒に殆どが基板後端から基板の外へ落とされる。もっと
も、一部が基板上面に廻り込むこともあるが、その廻り
込み量は１回目（上面→下面）の廻り込み量よりも少な
い。

【００７６】このように、この実施例では、上部エアナ
イフ１４０と下部エアナイフ１４２との間で搬送方向に
位置的なオフセットをもたせることにより、基板Ｇの上
面および下面における液の掃き寄せないし掃き出しに時
間的なオフセットを与え、それによって基板後端におけ
る液切りを良好に行い、基板後端付近の液の残留を防止
ないし低減することができる。

【００７７】また、この実施例では、上記のような上下
エアナイフ１４０，１４２間のオフセット配置により、
それぞれの気体流が搬送路１１４上で相互衝突しないの
で、両エアナイフ間に基板Ｇが進入する際の風切音（共
鳴）は殆ど発生しなくなり、発生しても著しく小さなも
のになる。

【００７８】また、この実施例では、両エアナイフ１４
０，１４２が互いに平行状態で搬送路１１４の左右横方
向に対して斜めに傾いていることにより、図９に示すよ
うに基板Ｇの上面および下面において液ＲU，ＲLを基板
後端部の同じ角隅部（図９では左側の角隅部）の方に寄
せ集めて対角線方向（矢印Ａの方向）に液切りすること
ができる。その際、矢印Ｂで示すように、反対側の角隅
部（右側角隅部）側からの液が基板後端に沿って流れ、
この流れの勢いで液切りが促進される。

【００７９】図１０に、第２の実施例によるエアナイフ
機構の構成を示す。第１の実施例が両エアナイフ１４
０，１４２を平行に配置したのに対して、この実施例で
は両エアナイフ１４０，１４２を搬送路１１４の左右横
方向に対して互いに逆向きで斜めに傾けて（つまり
“ハ”字状に）配置する。

【００８０】かかる“ハ”字状配置方式によれば、基板
Ｇの上面および下面において液ＲU，ＲLを時間差を置い
て基板後端部の左右角隅部より液切りすることができ
る。より詳細には、上部エアナイフ１４０は基板上面に
対して図９に示すように基板後端部の左側角隅部より液
切りするように作用する。この際、上記したように、基
板後端に沿って右側角隅部側から左側角隅部への液の流
れによって液切りが促進される。一方、上部エアナイフ
１４０より少し遅れて下部エアナイフ１４２は、基板下
面に対して図１１に示すように基板後端部の右側角隅部
より対角線方向（矢印Ｃの方向）に液切りするように作
用する。この際、矢印Ｄで示すように、反対側の角隅部
つまり左側角隅部からの液（基板上面から廻り込んだ液
も含まれる）が基板後端に沿って右側角隅部側に流れる
ことにより、この流れの勢いで液切りが促進される。こ
のように、基板上面から基板下面に廻り込んだ液を基板
後端に沿って逆流させることで、液切り効果を高めるこ
とができる。

【００８１】図１２に、第３の実施例によるエアナイフ
機構の構成を示す。この実施例は、上記した第１または
第２の実施例の構成において、下部エアナイフ１４２よ
り直ぐ下流側の位置にて搬送路１１４の上方に別の上部
エアナイフ１５２を配置するものである。この構成によ
れば、仮に下部エアナイフ１４２を通過した直後の基板
Ｇに液が残留していても、つまり下部エアナイフ１４２
からの気体の吹き付けによって基板後端部で下面から上
面へ廻り込んだ液が有っても、この上部エアナイフ１５
２によって基板後端部の液をほぼ跡形も無く吹き落とし
て、十全な乾燥処理品質を保証することができる。十全
な乾燥処理を保証するために、従来は搬送路に沿って上
下エアナイフを２対以上設けていたが、本実施例形態に
よれば３個のエアナイフで同等またはそれ以上の乾燥処
理品質を得ることができる。もっとも、本実施例形態に
おいてエアナイフを４個以上用いる構成ももちろん可能
である。

【００８２】図１３に、第４の実施例によるエアナイフ
機構の構成を示す。この実施例は、上記した第１または
第２の実施例の構成において、搬送路１１４に沿って上
部エアナイフ１４０と下部エアナイフ１４２との間の位
置にて下部エアナイフ１４２側（搬送路１１４の下）
に、基板Ｇから液を吸引分離するためのバキューム手段
１５４を設ける。図示の構成例におけるバキューム手段
１５４は、基板Ｇの左右両端をカバーする範囲で搬送路
１１４の左右横方向に延在する上面の開口した筒体から
なり、配管１５６を介して真空装置たとえばエジェクタ
装置（図示せず）に接続されている。

【００８３】図１３に示すように、バキューム手段１５
４は基板Ｇの下面から液をバキューム力で吸引分離する
ことができる。特に、基板Ｇの後端部がバキューム手段
１５４に差し掛かる時は、上部エアナイフ１４０からの
気体の吹き付けにより基板上面から基板下面側に廻り込
んだ液と、下部エアナイフ１４２からの気体の吹き付け
により基板下面内で後端に掃き寄せられた液とを効率良
く一機に吸い取ることができる。

【００８４】上記した実施形態では搬送路１１４に沿っ
て上部エアノズル１４０の下流側に下部エアノズル１４
２を配置したが、反対の位置関係つまり下部エアノズル
１４２を上部エアノズル１４０の上流側に配置する構成
も可能である。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内
のエアノズル機構以外の部分においても種々の変形が可
能である。

【００８５】上記した実施形態では、搬送ローラ１１２
を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を
構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向
する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基
板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間
隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベル
ト搬送型の搬送路も可能である。

【００８６】搬送路の途中で、たとえば乾燥処理部Ｍ5
内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可能
である。その場合、本発明におけるエアナイフも基板の
傾斜に合せて傾斜状態に切り換える構成とすることがで
きる。

【００８７】なお、図６において、上部エアナイフ１４
０からの気体吐出方向と基板表面との間の小さい方の角
度（傾き角）θ1と下部エアナイフ１４２からの気体吐
出方向と基板表面との間の小さい方の角度（傾き角）θ
2とは同じでもよいが、上部エアナイフ１４０の傾き角
θ1よりも下部エアナイフ１４２の傾き角θ2の方を小さ
くしてもよい。θ1＞θ2とすることにより、下部エアナ
イフ１４２からの気体吹き付けによる基板裏面から基板
表面への液の戻り量を低減できるとともに、基板Ｇの上
下振動も低減できる。なお、上部エアナイフ１４０の傾
き角θ1は液切りに最適な角度に設定されてよい。θ1＞
θ2の条件によれば、下部エアナイフ１４２の液切り能
力は上部エアナイフ１４０よりも若干低下するが、概し
て付着液量の少ない基板裏面に対しては十分な能力を確
保できる。

【００８８】また、図１２において、上部エアナイフ１
５２の気体吐出方向と基板表面との間の小さい方の角度
（傾き角）θ3とエアナイフ１４０，１４２の傾き角θ
1，θ2との関係を、θ1＝θ2＝θ3、θ1＝θ2＞θ3、θ
1＝θ3＞θ2、θ1＞θ2＝θ3、θ1＞θ2＞θ3のいずれ
かに設定してもよいことはいうまでもない。θ1＝θ2＞
θ3とすれば基板の裏面も十全に乾燥でき、θ1＝θ3＞
θ2とすれば基板表面の乾燥能力を向上でき、θ1＞θ2
＝θ3とすれば基板の上下振動を低減しつつ基板を乾燥
でき、θ1＞θ2＞θ3とすればさらに基板の上下振動を
低減しつつ基板乾燥を良好に行うことができる。

【００８９】上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニット
または洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗
浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、た
とえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現
像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわ
ち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上のリ
ンス処理部の下流側で上記実施形態と同様の乾燥処理を
行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任
意の液の液切りに適用可能である。本発明における被処
理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、液切りまたは
乾燥を必要とする任意の被処理基板が含まれる。

【００９０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、平流し方式において被処理基板上の液を
基板両面から効果的かつ確実に取り除くことができる。
また、液切り用エアナイフの位置精度要件を緩和しつつ
良好な液切りを保証することもできる。さらには、エア
ナイフに起因する風切音（共鳴）を防止ないし低減する
こともできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。

【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部
の構成を示す側面図である。

【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順
を示すフローチャートである。

【図４】実施形態におけるスクラバ洗浄ユニットの全体
構成を示す正面図である。

【図５】実施形態で用いるエアナイフの構成例を示す縦
断面図である。

【図６】第１の実施例におけるエアナイフ機構の構成を
示す側面図である。

【図７】第１の実施例におけるエアナイフ機構の構成を
示す平面図である。

【図８】第１の実施例におけるエアナイフ機構の作用を
示す側面図である。

【図９】第１の実施例におけるエアナイフ機構の作用を
示す平面図である。

【図１０】第２の実施例におけるエアナイフ機構の構成
を示す平面図である。

【図１１】第２の実施例におけるエアナイフ機構の作用
を示す平面図である。

【図１２】第３の実施例におけるエアナイフ機構の構成
を示す側面図である。

【図１３】第４の実施例におけるエアナイフ機構の構成
を示す側面図である。

【符号の説明】

１０塗布現像処理システム１６（Ｐ／Ｓ）プロセスステーション２４洗浄プロセス部４２スクラバ洗浄ユニット１１２搬送ローラ１１４搬送路Ｍ5 乾燥処理部１４０上部エアナイフ１４２上部エアナイフ１５２上部エアナイフ１５４バキューム手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者永田広東京都港区赤坂五丁目３番６号ＴＢＳ放送センター東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 2H088 FA18 FA21 FA25 FA27 FA28 FA29 FA30 HA01 MA20 2H090 JC00 JC19 2H096 AA27 AA28 GA21 GA23 GA24 5F046 LA11 LA18

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向
に搬送する搬送路と、第１の位置にて前記搬送路の上方もしくは下方から前記
基板に気体を吹き付ける第１のエアナイフと、前記搬送路に沿って前記第１の位置より直ぐ下流側の第
２の位置にて前記第１のエアナイフからみて前記搬送路
の反対側より前記基板に気体を吹き付ける第２のエアナ
イフとを有する基板処理装置。
【請求項２】被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向
に搬送する搬送路と、前記搬送路に沿った第１の位置にて前記搬送路の上方か
ら前記基板の上面に気体を吹き付ける第１のエアナイフ
と、前記搬送路に沿って前記第１の位置より直ぐ下流側の第
２の位置にて前記搬送路の下方から前記基板の下面に気
体を吹き付ける第２のエアナイフとを有する基板処理装
置。
【請求項３】前記第１および第２のエアナイフを互い
にほぼ平行に、かつ前記搬送路の左右横方向に対して斜
めに傾けて配置する請求項１または２に記載の基板処理
装置。
【請求項４】前記第１および第２のエアナイフを前記
搬送路の左右横方向に対して互いに逆向きに斜めに傾け
て配置する請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項５】前記搬送路に沿って前記第２の位置より
直ぐ下流側の第３の位置にて前記第２のエアナイフから
みて前記搬送路の反対側より前記基板に気体を吹き付け
る第３のエアナイフを有する請求項１〜４のいずれかに
記載の基板処理装置。
【請求項６】前記搬送路に沿って前記第１の位置と前
記第２の位置との間の第４の位置にて前記第２のエアナ
イフと同じ側から前記基板に付着している液をバキュー
ム吸引力により吸い込むバキューム手段を有する請求項
１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】各々の前記エアナイフが前記気体を搬送
方向に逆らう向きで前記基板に吹き付ける請求項１〜６
のいずれかに記載の基板処理装置。