JP2003131248A - 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法並びに液晶表示装置用基板、電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電極の平面形状に起因する凸凹による液晶の
配向方向の乱れを改善して、液晶の配向性を向上させる
ことができる液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 電極指６ａの間には、絶縁膜１７が埋め
込まれ、第２電極６の上面と絶縁膜１７の上面との段差
が、第２電極６の膜厚よりも小さい液晶表示装置とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
び液晶表示装置の製造方法並びに液晶表示装置用基板、
電子機器に関し、特に、液晶の配向性を向上させること
ができ、明るく表示品質に優れた液晶表示装置およびそ
の製造方法、並びに液晶表示装置用基板、電子機器に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、液晶表示装置の広視野角化を
図る一つの手段として、基板に対して面内方向の横電界
を発生させ、この横電界で液晶分子を基板に平行な面内
で回転させることで光スイッチング機能を持たせるイン
プレイン・スイッチング（In-Plane Switching, 以下、
「ＩＰＳ」と略記する。）技術が実用化されている。そ
して、近年、ＩＰＳ技術をさらに改良した形のフリンジ
フィールド・スイッチング（Fringe-Field Switching,
以下、「ＦＦＳ」と略記する。）技術が、"High-Transm
ittance, Wide-Viewing-Angle Nematic Liquid Crystal
Display Controlled by Fringe-Field Switching", S.
H.Lee et al., ASIA DISPLAY 98, p.371-374, "A High
Quality AM-LCD using Fringe-Field Switching Techno
logy", S.H.Lee et al., IDW'99, p.191-194 などに発
表されている。

【０００３】以下、本明細書に記載するＦＦＳ技術につ
いて説明する。図１２はＩＰＳとＦＦＳの概念の違いを
示す図であって、図１２（ａ）はＩＰＳ、図１２（ｂ）
はＦＦＳをそれぞれ示している。ＩＰＳとＦＳＳとで
は、図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、一
対の基板２００、２０１間の液晶分子２０２が、一対の
電極２０３，２０４による横電界Ｅで駆動される点は同
様である。ところが、セルギャップをｄ、電極幅をｗ、
電極間距離をｌとすると、これらの寸法の関係が、ＩＰ
Ｓではｌ／ｄ＞１かつｌ／ｗ＞１であるのに対し、ＦＦ
Ｓではｌ／ｄ＜１かつｌ／ｗ＜１、またはｌ／ｄ＝０か
つｌ／ｗ＝０である。すなわち、ＩＰＳでは、セルギャ
ップや電極幅よりも電極間距離が大きいのに対し、ＦＦ
Ｓでは、セルギャップや電極幅よりも電極間距離が小さ
い（図１２（ａ）のＩＰＳにおける電極２０３と電極２
０４が充分に接近した状態）か、もしくは電極間距離が
０となっている。言い換えると、ＦＦＳでは、図１２
（ｂ）に示すように、一方の電極２０４（−極）の上方
に絶縁層２０５を介して他方の電極２０３（＋極）を積
層した形態の電極構成を採用している。

【０００４】この電極構成の違いによって発生する電界
の方向が若干変わり、ＩＰＳでの電界方向は、電極が対
向する方向（図中ｙ方向）であるが、ＦＦＳ、特に図１
２（ｂ）の電極構造においては、電極２０３，２０４が
積層されているため、横方向（図中Ｙ方向）に加えて、
特に電極２０３の縁の近傍で基板面に垂直な方向（図中
Ｚ方向）にも強い電界成分を持っている。その結果、Ｉ
ＰＳでは、電極２０３，２０４間に位置する液晶分子２
０２は駆動されても、電極２０３、２０４の上方に位置
する液晶分子２０２はほとんど駆動されないが、ＦＦＳ
の場合、電極２０３，２０３間に位置する液晶分子は勿
論のこと、電極２０３の上方に位置する液晶分子２０２
も駆動されることになる。したがって、ＦＦＳにおいて
は、電極をインジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以
下、「ＩＴＯ」と略記する。）等の透明導電膜で形成す
れば、電極の部分も表示に寄与させることができ、同じ
条件のＩＰＳに比べて開口率を大きくできるという利点
を持っている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たＩＰＳやＦＦＳでは、基板２０１上に液晶側に向かっ
て電極の膜厚に起因する凸凹が形成されてしまう。すな
わち、通常の縦電界を利用する方式では、電極は平坦で
あるが、ＩＰＳやＦＦＳでは、電極は櫛歯状であるの
で、ＩＰＳでは、図１２（ａ）に示すように、基板２０
１上に液晶側に向かって電極２０３および電極２０４に
起因する電極２０３および電極２０４の膜厚分の段差を
有する凸凹が形成され、ＦＦＳでは、図１２（ｂ）に示
すように、基板２０１上に液晶側に向かって電極２０３
に起因する電極２０３の膜厚分の段差を有する凸凹が形
成されてしまう。このような電極の形状に起因する凸凹
は、液晶分子２０２の配向方向を乱すものであるため、
コントラストの低下や光漏れなどの表示不良を引き起こ
す原因となることが問題となっている。

【０００６】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、横電界により駆動される液晶表示
装置において、電極の膜厚に起因する凸凹による液晶の
配向方向の乱れを改善して、液晶の配向性を向上させる
ことができる明るく表示品質に優れた液晶表示装置およ
びその製造方法を提供することを目的とする。また、上
記の液晶表示装置に使用される液晶表示装置用基板を提
供することおよび優れた表示品質を有する上記の液晶表
示装置を備え電子機器を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する一対の
基板間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記
一対の基板のうちの一方の基板上には、電極とスイッチ
ング素子とが設けられ、前記電極は、第１電極と、前記
第１電極よりも上側に層間絶縁層を介して形成された複
数本の電極指を有する第２電極とからなり、前記スイッ
チング素子は、前記第１電極または前記第２電極のいず
れか一方に電気的に接続され、前記液晶は、前記第１電
極と前記第２電極とで発生する横電界により駆動され、
前記電極指の間には、絶縁膜が埋め込まれ、前記第２電
極の上面と前記絶縁膜の上面との段差が、前記第２電極
の膜厚よりも小さいことを特徴とする。

【０００８】従来の横電界を発生する基板を備えた液晶
表示装置では、電極の膜厚分の段差を有する凸凹が必ず
存在していたのに対し、本発明の液晶表示装置では、電
極指の間には絶縁膜が埋め込まれ、第２電極の上面と絶
縁膜の上面との段差が、第２電極の膜厚よりも小さいも
のであるので、後述する実施例に示すように、液晶分子
の配向方向の乱れが改善され、液晶の配向性を向上させ
ることができる。また、本発明の液晶表示装置は、横電
界を発生する基板を備えた液晶表示装置であり、液晶の
駆動に横電界を用いているので、視野角を広くできると
ともに、ディスクリネーションの発生がなく、光漏れ等
の不良が発生することがない。よって、本発明の液晶表
示装置によれば、明るく表示品質に優れた液晶表示装置
が実現できる。

【０００９】また、上記の液晶表示装置においては、第
２電極は、第１電極よりも上側に層間絶縁層を介して形
成され、複数本の電極指を有するものであるので、前記
第１電極と前記第２電極との配置として、容易にＦＦＳ
方式の電極配置が採用された液晶表示装置を実現でき
る。

【００１０】上記の液晶表示装置においては、前記第１
電極と前記第２電極との配置として、ＦＦＳ方式の電極
配置が採用されていなくてもよいが、ＦＦＳ方式の電極
配置を採用することが望ましい。ＦＦＳ方式の電極配置
を採用した場合、電極の上方に位置する液晶分子が良好
な配向状態で駆動されるものとすることができ、電極を
透明導電膜で形成して電極の部分も表示に寄与させた場
合に、同じ条件のＩＰＳ方式の基板を用いた場合と比べ
て開口率を大きくすることができるとともに、明るく表
示品質に優れた液晶表示装置が実現できる。

【００１１】さらに、ＦＦＳ方式を採用する場合、セル
ギャップをｄ、電極幅をｗ、電極間距離をｌとすると、
ｌ／ｄ＜１かつｌ／ｗ＜１の構成、すなわちセルギャッ
プよりも電極間距離が小さく、電極幅よりも電極間距離
が小さい構成を採用してもよい。このような液晶表示装
置とすることにより、より一層、明るく表示品質に優れ
た液晶表示装置が実現できる。

【００１２】また、上記の液晶表示装置においては、前
記第２電極の上面と前記絶縁膜の上面とによって形成さ
れる面が概ね平坦であることが望ましい。本発明の液晶
表示装置において、「概ね平坦である」とは、製造時の
誤差などに起因する意図しない凸凹が存在する場合も含
まれる。このような液晶表示装置とすることにより、液
晶分子の配向方向の乱れをより一層効果的に改善するこ
とができ、液晶の配向性を向上させることができる。

【００１３】また、上記の液晶表示装置においては、第
１電極は、前記一方の基板上の全面に設けられているこ
とが望ましい。

【００１４】このような液晶表示装置とすることで、Ｆ
ＦＳ方式を採用する場合に、セルギャップをｄ、電極幅
をｗ、電極間距離をｌとすると、ｌ／ｄ＝０かつｌ／ｗ
＝０（ｌ＝０）の構成を採用することができ、第１電極
の面積を広くとる（例えば第１電極をベタで形成する）
ことができる。このため、第２電極を透明導電膜で形成
し、第１電極を金属膜で形成し、第１電極を電極として
のみならず反射層としても機能させた場合に、別の反射
層や外付けの反射板などを追加することなく、反射型の
液晶表示装置が実現できる。

【００１５】また、上記の液晶表示装置においては、前
記第１電極および前記第２電極は、複数本の電極指を有
し、前記第２電極の電極指は、平面的に前記第１電極の
電極指の間の位置に配置されているものであってもよ
い。

【００１６】また、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置の製造方法は、上記のいずれかの液晶
表示装置を製造する製造方法であって、前記一対の基板
のうちの一方の基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極よりも上側に層間絶縁層を介して複数本の
電極指を有する第２電極を形成する工程と、前記第２電
極上の全面に絶縁層を形成する工程と、前記第２電極の
表面が露出するまで前記絶縁層を研磨することにより、
前記電極指の間に絶縁膜を形成する工程とを備えること
を特徴とする。このような液晶表示装置の製造方法によ
れば、第２電極の上面と絶縁膜の上面とによって形成さ
れる面が概ね平坦な液晶表示装置が得られ、容易に液晶
の配向状態が良好であり、明るく表示品質に優れた上記
の液晶表示装置を得ることができる。

【００１７】また、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置の製造方法は、上記のいずれかの液晶
表示装置を製造する製造方法であって、前記一対の基板
のうちの一方の基板上に、第１電極を形成する工程と、
前記第１電極よりも上側に絶縁層を形成し、前記絶縁層
の一部を厚み方向に除去することにより、前記絶縁層の
表面に平面視櫛歯状の凹部を形成する工程と、前記絶縁
層の表面に導電層を形成し、前記絶縁層の表面が露出す
るまで前記導電層を研磨することにより、複数本の電極
指が形成された第２電極を形成するとともに、前記電極
指の間に絶縁膜を形成する工程とを備えることを特徴と
する方法であってもよい。このような液晶表示装置の製
造方法によっても、第２電極の上面と絶縁膜の上面とに
よって形成される面が概ね平坦な液晶表示装置が得ら
れ、容易に液晶の配向状態が良好であり、明るく表示品
質に優れた上記の液晶表示装置を得ることができる。

【００１８】また、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置は、互いに対向する一対の基板間に液
晶が挟持された液晶表示装置であって、前記一対の基板
のうちの一方の基板上には、電極とスイッチング素子と
が設けられ、前記電極は、第１電極と、第１電極と同一
層に設けられた第２電極とからなり、前記第１電極およ
び前記第２電極は、複数本の電極指を有し、前記第２電
極の電極指は、前記第１電極の電極指の間の位置に配置
され、前記スイッチング素子は、前記第１電極または前
記第２電極のいずれか一方に電気的に接続され、前記液
晶は、前記第１電極と前記第２電極とで発生する横電界
により駆動され、隣り合う前記第１電極と前記第２電極
との間には、絶縁膜が埋め込まれ、前記第１電極および
前記第２電極の上面と前記絶縁膜の上面との段差が、前
記第１電極と前記第２電極の膜厚よりも小さいことを特
徴とするものであってもよい。

【００１９】本発明の液晶表示装置において、「第１電
極と同一層」とは、第１電極を設ける工程において同時
に設けられた層のことをいう。したがって、第１電極と
同一材料からなる同一の膜厚を有する層となる。

【００２０】上記の液晶表示装置は、隣り合う第１電極
と第２電極との間に絶縁膜が埋め込まれ、第１電極およ
び第２電極の上面と絶縁膜の上面との段差が、第１電極
と第２電極の膜厚よりも小さいものであるので、液晶分
子の配向方向の乱れが改善され、液晶の配向性を向上さ
せることができる。また、この液晶表示装置も横電界を
発生する基板を備えた液晶表示装置であり、液晶の駆動
に横電界を用いているので、視野角を広くできるととも
に、ディスクリネーションの発生がなく、光漏れ等の不
良が発生することがない。よって、本発明の液晶表示装
置によれば、明るく表示品質に優れた液晶表示装置が実
現できる。

【００２１】また、上記の液晶表示装置においては、電
極は、第１電極と、第１電極と同一層に設けられた第２
電極とからなり、前記第１電極および前記第２電極は、
複数本の電極指を有し、前記第２電極の電極指は、前記
第１電極の電極指の間の位置に配置されたものであり、
前記第１電極と前記第２電極との配置として、ＩＰＳ方
式の電極配置が採用された液晶表示装置を実現できる。

【００２２】また、上記の液晶表示装置においては、第
１電極および第２電極の上面と絶縁膜の上面とによって
形成される面が概ね平坦であることが望ましい。このよ
うな液晶表示装置とすることにより、液晶分子の配向方
向の乱れをより一層効果的に改善することができ、液晶
の配向性を向上させることができる。

【００２３】さらに、上記のいずれかの液晶表示装置に
おいては、前記液晶は、誘電異方性が正であることが望
ましい。本発明の液晶表示装置においては、液晶は、誘
電異方性が正であってもよいし、誘電異方性が負であっ
てもよいが、誘電異方性が正であることがより望まし
い。このような液晶表示装置とすることで、誘電異方性
が負である液晶を採用した場合と比較して、駆動電圧を
低電圧化しやすく、応答特性に優れたものとなるため、
液晶分子の配向方向の乱れがより一層効果的に改善さ
れ、液晶の配向性を向上させることができる。

【００２４】また、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置用基板は、基板に、電極とスイッチン
グ素子とが設けられ、前記電極は、第１電極と、前記第
１電極よりも上側に層間絶縁層を介して形成された複数
本の電極指を有する第２電極とからなり、前記スイッチ
ング素子は、前記第１電極または前記第２電極のいずれ
か一方に電気的に接続され、前記電極指の間には、絶縁
膜が埋め込まれ、前記第２電極の上面と前記絶縁膜の上
面との段差が、前記第２電極の膜厚よりも小さいことを
特徴とする。

【００２５】このような液晶表示装置用基板を液晶表示
装置を構成する一対の基板のうちの一方の基板として採
用することで、液晶の配向状態が良好であり、明るく表
示品質に優れた上記の液晶表示装置を得ることができ
る。

【００２６】また、上記の目的を達成するために、本発
明の液晶表示装置用基板は、基板に、電極とスイッチン
グ素子とが設けられ、前記電極は、第１電極と、第１電
極と同一層に設けられた第２電極とからなり、前記第１
電極および前記第２電極は、複数本の電極指を有し、前
記第２電極の電極指は、前記第１電極の電極指の間の位
置に配置され、前記スイッチング素子は、前記第１電極
または前記第２電極のいずれか一方に電気的に接続さ
れ、隣り合う前記第１電極と前記第２電極との間には、
絶縁膜が埋め込まれ、前記第１電極および前記第２電極
の上面と前記絶縁膜の上面との段差が、前記第１電極と
前記第２電極のいずれか一方または両方の膜厚よりも小
さいことを特徴とする液晶表示装置用基板であってもよ
い。

【００２７】このような液晶表示装置用基板を液晶表示
装置を構成する一対の基板のうちの一方の基板として採
用することによっても、液晶の配向状態が良好であり、
明るく表示品質に優れた上記の液晶表示装置を得ること
ができる。

【００２８】また、上記の目的を達成するために、本発
明の電子機器は、上記のいずれかの液晶表示装置を備え
たことを特徴とするものである。このような電子機器と
することで、高輝度、高コントラストの液晶表示部を備
えた電子機器を実現することができる。

【００２９】

【発明の実施の形態】［第１の実施形態］以下、本発明
の第１の実施形態を図面を参照して説明する。本実施形
態の液晶表示装置は、本発明の液晶表示装置用基板の一
例を下基板として採用したものである。なお、本実施形
態の液晶表示装置では、第２電極を構成する電極指の間
に絶縁膜が埋め込まれていることが特に特徴的なものと
なっている。図１は、本実施形態の液晶表示装置におけ
る下基板の構成を示す平面図であり、図２は、本実施形
態の液晶表示装置の一部を拡大視した断面図である。な
お、以下の全ての図面においては、図面を見やすくする
ため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異なら
せてある。

【００３０】本実施形態の液晶表示装置は、図２に示す
ように、上基板７とＦＦＳ方式の電極構成が採用された
下基板１とからなる一対の基板間に、誘電異方性が正の
液晶２２が挟持されたものである。

【００３１】下基板１は、図１に示すように、図１中縦
方向に延在する複数のデータ線２と、図１中横方向に延
在する複数のゲート線３とが互いに交差するようにマト
リクス状に設けられている。図１中各画素の左下の部分
においてゲート線３が画素の内側に向けて分岐してゲー
ト電極４となり、画素スイッチング用の薄膜トランジス
タ５（Thin Film Transistor, 以下、「ＴＦＴ」と略記
する。）を構成している。

【００３２】各画素のＴＦＴはソースおよびドレインの
一方の端子がデータ線２に接続され、他方の端子は、各
画素領域毎に分離された第１電極１４に接続されてい
る。この第１電極１４は、データ線２，ゲート線３およ
びＴＦＴ５の上に堆積した絶縁層上に形成され、コンタ
クトホール５ａを介してＴＦＴ５のドレイン端子に接続
されている。そして、図１中縦方向に延在する複数本
（図１においては１画素あたり６本）の電極指６ａを有
する櫛歯状の第２電極６が設けられ、第２電極６の各電
極指６ａ間を連結する部分がゲート線３と一部平面的に
重なっている。

【００３３】この第２電極６は、図１で示すとおり各画
素間で互いに接続されており、表示領域全体において一
定の電位に保たれる構成となっている。そして、データ
線２とゲート線３で囲まれた領域が本実施の形態の液晶
表示装置の一画素を構成している。

【００３４】また、図２は、図１で示した下基板１のＡ
−Ａ’部における断面構造である。ここで第１電極１４
は、アルミニウム、銀等の反射率の高い金属膜で形成さ
れており、画素スイッチング用のＴＦＴ５（図２には示
されていない）と電気的に接続され、電極として機能す
るとともに、反射層としても機能する。したがって、こ
の液晶表示装置は、反射型の液晶表示装置であり、外光
が上基板７側から入射することになる。

【００３５】また、第１電極１４上には、透光性材料か
らなる層間絶縁層１５が形成され、層間絶縁層１５上に
は、数１０００ｎｍ程度の膜厚を有するＩＴＯ等の透明
導電膜からなり、図２において紙面を貫通する方向に延
在する複数本の電極指６ａを有する第２電極６が形成さ
れ、電極指６ａの間には、第２電極６の表面と絶縁膜１
７の表面とによって形成される面が概ね平坦となるよう
に絶縁膜１７が埋め込まれている。

【００３６】そして、第２電極６上および絶縁膜１７上
には、配向膜１６が形成されている。配向膜１６の材料
としては、ポリイミド、界面活性剤、カップリング剤、
金属錯体等を用いることができる。さらに、金属膜と直
鎖構造の硫黄化合物分子により金属膜表面に形成された
単分子膜とを含む配向膜を用いることもできる。ラビン
グ処理は行っても行わなくてもよいが、ラビング処理を
行う場合には、後述する電圧印加時に液晶分子の倒れる
方向と一致させるためにラビング方向を電極指６ａの延
在方向と直交する方向とすることが望ましい。

【００３７】一方、上基板７の断面構造を見ると、ガラ
ス等からなる透明基板２７上には、例えばＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）の各色の着色層と遮光層（ブラックマ
トリクス）とを備えたカラーフィルター１８が形成さ
れ、カラーフィルター１８上には、透光性材料からなる
絶縁層２０が形成され、絶縁層２０上には、配向膜２１
が形成されている。配向膜２１の材料は、下基板１側と
同様でよい。

【００３８】本実施の形態の場合、下基板１には、第１
電極１４の上方に層間絶縁層１５を介して第２電極６を
積層したＦＦＳ方式の電極構成を採用している。したが
って、液晶２２は、下基板１の第１電極１４と第２電極
６とで発生する横電界Ｅによって駆動される。ここで、
本実施形態の液晶表示装置を構成する各部の寸法の一例
を示すと、一画素のピッチが１５０〜２００ｎｍ、セル
ギャップｄが４８〜６４ｎｍ、第２電極６の各電極指６
ａの幅ｗが２０〜４０ｎｍ、第２電極６の電極指６ａ間
の間隔ｍが３０〜６０ｎｍである。好ましくは、一画素
のピッチが１５０ｎｍで第２電極６の各電極指６ａの数
が３〜４本、第２電極６の各電極指６ａの幅ｗが２０ｎ
ｍ、第２電極６の電極指６ａ間の間隔ｍが３０〜４０ｎ
ｍである。なお、［従来の技術］の項で述べた電極間距
離ｌは、第１電極１４と第２電極６との間の間隔に相当
するので、本実施形態に示した例ではｌ＝０であり、Ｆ
ＦＳ方式の条件を満たしている。

【００３９】次に、本実施形態の液晶表示装置の動作に
ついて図３および図４を用いて説明する。なお、図３お
よび図４においては、図面を見やすくするため、配向膜
を省略して図示している。図３は、電圧無印加状態での
液晶分子の状態を第２電極および絶縁膜とともに示した
図であり、図３（ａ）は平面図であり、図３（ｂ）は断
面図である。図３（ａ）および図３（ｂ）に示すよう
に、第１電極１４と第２電極６との間に電圧を印加して
いない状態（電圧無印加状態）では、下基板１および上
基板７の表面にそれぞれ設けられている配向膜１６、２
１によって、液晶分子２３の長軸方向は、第２電極６の
電極指６ａの延在方向に配向する。その結果、電圧無印
加状態で黒表示となる。

【００４０】また、図４は、電圧印加状態での液晶分子
の状態を第２電極および絶縁膜とともに示した図であ
り、図４（ａ）は平面図であり、図４（ｂ）は断面図で
ある。図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、第１
電極１４と第２電極６との間に電圧を印加した状態（電
圧印加状態）では、絶縁膜１７上に位置する液晶分子２
３の長軸方向は、第２電極６の電極指６ａの延在方向に
直交する方向に配向する。また、第２電極６上に位置す
る液晶分子２３の長軸方向も、第２電極６の電極指６ａ
の延在方向に直交する方向に精度よく配向する。その結
果、電圧印加状態で白表示となる。

【００４１】次に、本実施形態の液晶表示装置の製造方
法の一例を図面を参照して詳しく説明する。図５は、本
発明の液晶表示装置の製造方法の一例の一部を説明する
ための図であって、図２に示した液晶表示装置に対応す
る部分を取り上げて示した断面図である。上述したよう
に、本発明の液晶表示装置および液晶表示装置用基板
は、第２電極６を構成する電極指６ａの間に絶縁膜１７
が埋め込まれていることが特に特徴的なものであるの
で、本実施形態においては、絶縁膜１７を設ける工程の
み図面を参照して詳しく説明し、従来と同様の方法を採
用することが可能である絶縁膜１７を設ける前の工程お
よび絶縁膜１７を設けた後の工程については、詳しい説
明を省略する。なお、図５において、図２と同じ構成要
素については、同じ符号を付している。

【００４２】はじめに、本発明の液晶表示装置用基板の
一例である下基板１の製造方法について説明する。ま
ず、ガラス等からなる透明基板１３上に、従来と同様の
方法などを用いて、画素スイッチング用のＴＦＴ５（図
５には示されていない）を形成する。ついで、図５
（ａ）に示すように従来と同様の方法などを用いて、Ｔ
ＦＴ５と電気的に接続された第１電極１４を透明基板１
３上全面に設ける。この第１電極はパターニングによっ
て各画素毎に分離された形状とする。その後、図５
（ｂ）に示すように第１電極１４上に、層間絶縁層１５
を形成する。

【００４３】続いて、図５（ｃ）に示すように層間絶縁
層１５上に、ＩＴＯ等の透明導電膜６ｂを全面に形成し
てパターニングすることにより、図６（ａ）に示すよう
に、図６において紙面を貫通する方向に延在する複数本
の電極指６ａを有する第２電極６を形成する。

【００４４】次に、図６（ｂ）に示すように、絶縁層１
７ａを全面に形成し、第２電極６の表面が露出するまで
化学的機械研磨（ＣＭＰ）法を用いて研磨することによ
り、図６（ｃ）に示すように、電極指６ａの間に絶縁膜
１７が形成され、第２電極６の表面と絶縁膜１７の表面
とによって形成される面が概ね平坦となる。ここでの研
磨に用いられるＣＭＰ法では、通常、研磨した膜厚の１
０％程度の誤差が発生する。よって、本実施形態におい
て、第２電極６の表面と絶縁膜１７の表面とによって形
成される面が「概ね平坦である」とは、ＣＭＰ法によっ
て研磨した絶縁層１７ａの膜厚の１０％程度の誤差など
による意図しない凸凹が存在する場合も含まれる。

【００４５】その後、第２電極６上および絶縁膜１７上
に、配向膜１６が形成され、本実施形態の下基板１が製
造される。

【００４６】次に、上基板７の製造方法について説明す
る。まず、ガラス等からなる透明基板２７上に、従来と
同様の方法などを用いて、カラーフィルター１８、絶縁
層２０、配向膜２１を順次形成することにより、本実施
形態の上基板７が製造される。

【００４７】最後に、上述のように製造された下基板１
と上基板７とを、配向膜１６と配向膜２１とが互いに対
向するようにシール材により貼り合わせ、真空吸引法な
どの方法により、両基板間の空間に液晶２２を吸引し
て、所定の厚みを有する液晶層を形成することにより、
図２に示す液晶表示装置が製造される。

【００４８】本実施形態の液晶表示装置においては、電
極指６ａの間には、第２電極６の表面と絶縁膜１７の表
面とによって形成される面が概ね平坦となるように絶縁
膜１７が埋め込まれているので、液晶分子２３の配向方
向の乱れが改善され、後述する実施例に示すように、絶
縁膜１７が設けられていない場合と比較して、第２電極
６上に位置する液晶分子２３の長軸方向が、電圧印加状
態で第２電極６の電極指６ａの延在方向に直交する方向
に精度よく配向する。その結果、液晶層に吸収される光
が非常に少なくなり、明るい白表示が得られる。また、
本実施形態の液晶表示装置においては、液晶２２の駆動
に横電界を用いているので、視野角を広くできるととも
に、ディスクリネーションの発生がなく、光漏れ等の不
良が発生することがない。このように本実施形態の液晶
表示装置によれば、明るく表示品質に優れた液晶表示装
置を実現することができる。

【００４９】また、本実施形態の液晶表示装置において
は、下基板１に、第１電極１４と第２電極６との配置と
してＦＦＳ方式の電極配置が採用され、第２電極６を透
明導電膜で形成しているので、第２電極６の上方に位置
する液晶分子２３を良好な配向状態で駆動させることが
でき、第２電極６上の部分を表示に寄与させることがで
きるので、同じ条件のＩＰＳ方式の基板を用いた場合と
比べて開口率を大きくすることができ、しかも、明るく
表示品質に優れた液晶表示装置を実現することができ
る。

【００５０】さらに、ＦＦＳ方式の電極配置の中でも特
に、本実施形態の液晶表示装置においては、積層型の構
成を用いているので、第１電極１４を金属膜で形成する
ことによって電極としてのみならず反射層として機能さ
せることができるので、ＦＦＳ方式の特徴を生かし、第
１電極１４とは別に反射層や外付けの反射板などを追加
することなく、極めて合理的に反射型の液晶表示装置を
実現することができる。

【００５１】さらに、本実施形態の液晶表示装置は、第
２電極６の電極指６ａ間の間隔ｍが３０〜４０ｎｍであ
るので、液晶分子２３の配向方向の乱れがより一層効果
的に改善され、液晶２２の配向性を向上させることがで
きる。また、高精細な表示が可能となる。

【００５２】さらに、本実施形態の液晶表示装置におい
ては、液晶２２の誘電異方性が正であるので、誘電異方
性が負である液晶を採用した場合と比較して、駆動電圧
を低電圧化しやすく、応答特性に優れたものとなるた
め、液晶分子２３の配向方向の乱れがより一層効果的に
改善され、液晶２２の配向性を向上させることができ
る。

【００５３】また、本実施形態の液晶表示装置の製造方
法は、下基板１に、複数本の電極指６ａを有する第２電
極６を形成した後、絶縁層１７ａを全面に形成し、第２
電極６の表面が露出するまで研磨することにより、電極
指６ａの間に絶縁膜１７を形成する方法であるので、第
２電極６の表面と絶縁膜１７の表面とによって形成され
る面が概ね平坦な液晶表示装置が得られ、容易に、液晶
２２の配向状態が良好であり、明るく表示品質に優れた
液晶表示装置を得ることができる。

【００５４】なお、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、上記の製造方法に限定されるものではなく、例え
ば、以下に示す方法などが挙げられる。以下に、本実施
形態の液晶表示装置の製造方法の他の一例を図面を参照
して詳しく説明する。図７は、本発明の液晶表示装置の
製造方法の他の一例の一部を説明するための図であっ
て、図２に示した液晶表示装置に対応する部分を取り上
げて示した断面図である。

【００５５】図７に示した液晶表示装置の製造方法が、
上述した図５および図６に示した液晶表示装置の製造方
法と異なるところは、絶縁膜１７を設ける工程のみであ
るので、ここでは、絶縁膜１７を設ける工程のみ図面を
参照して詳しく説明し、絶縁膜１７を設ける前の工程お
よび絶縁膜１７を設けた後の工程については、詳しい説
明を省略する。なお、図７においても、図２と同じ構成
要素については、同じ符号を付している。

【００５６】上述した図５に示した液晶表示装置の製造
方法などを用いて、ＴＦＴ５と電気的に接続された第１
電極１４を透明基板１３上に各画素毎に分離された形状
にパターニングすることにより形成し、第１電極１４上
全面にわたって、図７（ａ）に示すように、絶縁層１５
ａを形成する。この絶縁層１５ａは、各画素の境界に対
応する第１電極の分離部分において若干の凹みが形成さ
れる。なおこの凹みは画素の表示領域以外の部分である
ので、特に画素サイズの大きな直視型ディスプレイの場
合には、そのままでもほとんど表示品質に影響を与えな
い。ただし投写型ディスプレイの表示エンジンであるラ
イトバルブなどの画素サイズが２０マイクロメートル以
下となるようなサイズでは、画素間の凹凸が画素部の光
抜けなどに影響することがある。このような場合にはこ
の画素間の凹部を研磨処理によって平坦化しても良い。
続いて、絶縁層１５ａ上に所定の形状を有するフォトレ
ジストパターンを形成してからエッチングする方法など
により、絶縁層１５ａの一部を厚み方向に除去すること
により、図７（ｂ）に示すように、絶縁層１５ａの表面
に平面視櫛歯状の凹部が形成された絶縁層１５ｂを形成
する。

【００５７】次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁層１
５ｂの表面にＩＴＯ等の透明導電膜からなる導電層６ｂ
を全面に形成し、絶縁層１５ｂの表面が露出するまでＣ
ＭＰ法を用いて導電層６ｂを研磨することにより、図７
（ｄ）に示すように、図７において紙面を貫通する方向
に延在する複数本の電極指６ａが形成された第２電極６
が形成されるとともに、電極指６ａの間に絶縁膜１７が
形成され、第２電極６の表面と絶縁膜１７の表面とによ
って形成される面が概ね平坦となる。なお、図７に示し
た液晶表示装置の製造方法において、第２電極６の表面
と絶縁膜１７の表面とによって形成される面が「概ね平
坦である」とは、ＣＭＰ法によって研磨した導電層６ｂ
の膜厚の１０％程度の誤差などによる意図しない凸凹が
存在する場合も含まれる。

【００５８】このような液晶表示装置の製造方法によっ
ても、第２電極６の表面と絶縁膜１７の表面とによって
形成される面が概ね平坦な液晶表示装置が得られ、容易
に、液晶２２の配向状態が良好であり、明るく表示品質
に優れた液晶表示装置を得ることができる。

【００５９】［第２の実施形態］以下、本発明の第２の
実施形態を図面を参照して説明する。上述した第１の実
施形態では、ＦＦＳ方式の電極構成を採用した反射型の
液晶表示装置の例を説明したが、本実施形態では、ＩＰ
Ｓ方式の電極構成を採用した透過型の液晶表示装置の例
を説明する。図７は、本実施形態の液晶表示装置の一部
を拡大視した断面図である。本実施形態の液晶表示装置
が上述した第１の実施形態の液晶表示装置と異なるとこ
ろは、第１電極の材質と、電極構成としてＩＰＳ方式の
電極構成を採用したところのみである。よって、図７に
おいて、図２と同じ構成要素については、同じ符号を付
し、共通部分の詳細な説明を省略する。

【００６０】本実施形態の液晶表示装置を構成する下基
板１の断面構造を見ると、図８に示すように、透明基板
１３上には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなり、第１電極
３２および第２電極３１が形成されている。第１電極３
２および第２電極３１は、各々、図８において紙面を貫
通する方向に延在する複数本の電極指３１ａ、３２ａを
有し、第２電極３１の電極指３１ａは、平面的に第１電
極３２の電極指３２ａの間の位置に配置されている。ま
た、隣り合う第１電極３２と第２電極３１との間には、
第１電極３２および第２電極３１の表面と絶縁膜３７の
表面とによって形成される面が概ね平坦となるように絶
縁膜３７が埋め込まれている。

【００６１】本実施の形態の場合、下基板１には、第１
電極３２と第２電極３１とが並んで配置されたＩＰＳ方
式の電極構成を採用している。したがって、液晶２２
は、下基板１の第１電極３２と第２電極３１とで発生す
る横電界Ｅによって駆動される。本実施の形態の場合、
図８に示すように、第１電極３２と第２電極３１とが並
んで配置され、画素サイズが１００μｍオーダー、セル
ギャップが数μｍ程度であるから、第１電極３２と第２
電極３１との距離ｌはセルギャップｄや電極幅ｗに対し
て充分大きく、ＩＰＳ方式の電極構成となる条件を満た
している。

【００６２】本実施形態の液晶表示装置においては、隣
り合う第１電極３２と第２電極３１との間には、第１電
極３２および第２電極３１の表面と絶縁膜３７の表面と
によって形成される面が概ね平坦となるように絶縁膜３
７が埋め込まれているので、液晶分子２３の配向方向の
乱れが改善され、絶縁膜３７が設けられていない場合と
比較して、第１電極３２上および第２電極３１上に位置
する液晶分子２３の長軸方向が、電圧印加状態で第１電
極３２および第２電極３１の電極指３１ａ、３２ａの延
在方向に直交する方向に精度よく配向する。その結果、
液晶層に吸収される光が非常に少なくなり、明るい白表
示が得られる。

【００６３】また、本実施形態の液晶表示装置において
も、液晶２２の駆動に横電界を用いているので、視野角
を広くできるとともに、ディスクリネーションの発生が
なく、光漏れ等の不良が発生することがない。このよう
に本実施形態の液晶表示装置によっても、第１の実施形
態と同様の効果を得ることができる。

【００６４】［電子機器］以下、上記の実施形態の液晶
表示装置を備えた電子機器の例について説明する。図９
は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９におい
て、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１
は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示してい
る。

【００６５】図１０は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図１０において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。

【００６６】図１１は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１１に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。

【００６７】図９〜図１１に示す電子機器は、上記実施
の形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えている
ので、明るく表示品質に優れた表示部を備えた電子機器
を実現することができる。

【００６８】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記の実施形態では、反射型のカラー液晶表示装置
と透過型のカラー液晶表示装置の例を示したが、本発明
は、白黒／カラー、反射型／透過型／半透過反射型を問
わず、適用可能である。すなわち、上記の実施形態のよ
うに、必ずしもカラーフィルターを備えなくてもよい
し、例えば、上記の第１の実施形態において、反射層と
して用いた第１電極に、バックライトからの光を透過さ
せるための孔を開けることなどによって半透過反射型の
液晶表示装置としてもよい。

【００６９】また、上記の実施形態では、電極の液晶側
表面と絶縁膜の液晶側表面とによって形成される面が概
ね平坦である構成を例に挙げたが、この構成に限らず、
電極の液晶側表面と絶縁膜の液晶側表面との段差が、第
１電極と第２電極のいずれか一方または両方の膜厚より
も小さい構成であれば、液晶分子の配向方向の乱れが改
善され、液晶の配向性を向上させる効果が得られる。

【００７０】また、上記の実施形態では、液晶の誘電異
方性が正である構成を例に挙げたが、この構成に限ら
ず、液晶の誘電異方性が負である構成であってもよい。
また、上記の実施形態では、第１電極と画素スイッチン
グ用のＴＦＴとが電気的に接続された構成を例に挙げた
が、この構成に限らず、第２電極と画素スイッチング用
のＴＦＴとが電気的に接続された構成としてもよい。

【００７１】また、上記の実施形態では、反射型の例と
して第１電極が反射層を兼ねる構成を例に挙げたが、こ
の構成に限らず、第１電極とは別に反射層（反射板）を
設ける構成としてもよい。さらに、ＦＦＳ方式の電極構
成として、第１電極上に絶縁膜を介して第２電極を積層
する構成のみならず、ＩＰＳと同様の層構成を用いて電
極間距離をセルギャップ以下に接近させる構成を採用し
てもよい。

【００７２】さらに、第１電極および第２電極、データ
線、ゲート線等の各構成要素の形状、寸法等の具体的な
記載に関しては、上記実施の形態の例に限ることなく、
適宜設計変更が可能である。

【００７３】

【実施例】以下、本発明の液晶表示装置の効果につい
て、実施例を示して詳しく説明する。図２に示した本発
明の液晶表示装置と、図２に示した本発明の液晶表示装
置と絶縁膜が設けられていないことのみが異なる従来の
液晶表示装置とを用意し、電圧印加状態での液晶表示装
置の電極指を横断する方向の透過率の分布を測定して液
晶分子の配向状態を調べた。

【００７４】その結果を図１３に示す。図１３は、電圧
印加状態での液晶表示装置の電極指を横断する方向の透
過率の分布を示したグラフであり、縦軸は透過率を示
し、横軸は液晶表示装置における電極指６ａを横断する
方向の相対的な位置を示している。なお、図１３におい
ては、横軸の下部に横軸の相対的な位置に一致させて、
図２に示した液晶表示装置の第２電極６を構成する電極
指６ａおよび絶縁膜１７の断面図を示してある。また、
図１３において、符号ｂは、本発明の液晶表示装置の透
過率を示し、符号ａは、従来の液晶表示装置の透過率を
示している。

【００７５】図１３より、本発明の液晶表示装置では、
絶縁膜が設けられていない従来の液晶表示装置と比較し
て、第２電極６上における透過率が高くなっている。こ
のことより、第２電極６上に位置する液晶分子が良好な
配向状態で駆動され、液晶分子の配向方向の乱れが改善
されていることがわかる。よって、本発明の液晶表示装
置によれば、電圧印加状態で明るい白表示が得られるこ
とを確認できた。

【００７６】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶表示装置は、電極指の間には、絶縁膜が埋め込ま
れ、第２電極の上面と絶縁膜の上面との段差が、第２電
極の膜厚よりも小さいものであるので、液晶分子の配向
方向の乱れが改善され、液晶の配向性を向上させること
ができる。また、本発明の液晶表示装置は、隣り合う第
１電極と第２電極との間には、絶縁膜が埋め込まれ、第
１電極および第２電極の上面と絶縁膜の上面との段差
が、第１電極と第２電極のいずれか一方または両方の膜
厚よりも小さいものであってもよく、この構成によって
も、液晶分子の配向方向の乱れが改善され、液晶の配向
性を向上させることが可能である。よって、本発明の液
晶表示装置によれば、明るく表示品質に優れた液晶表示
装置が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施形態の液晶表示装置における下基
板の構成を示す平面図である。

【図２】 第１の実施形態の液晶表示装置の一部を拡大
視した断面図である。

【図３】 電圧無印加状態での液晶分子の状態を第２電
極および絶縁膜とともに示した図であり、図３（ａ）は
平面図であり、図３（ｂ）は断面図である。

【図４】 電圧印加状態での液晶分子の状態を第２電極
および絶縁膜とともに示した図であり、図４（ａ）は平
面図であり、図４（ｂ）は断面図である。

【図５】 本発明の液晶表示装置の製造方法の一例の一
部を説明するための図であって、図２に示した液晶表示
装置に対応する部分を取り上げて示した断面図である。

【図６】 本発明の液晶表示装置の製造方法の一例の一
部を説明するための図であって、図２に示した液晶表示
装置に対応する部分を取り上げて示した断面図である。

【図７】 本発明の液晶表示装置の製造方法の他の一例
の一部を説明するための図であって、図２に示した液晶
表示装置に対応する部分を取り上げて示した断面図であ
る。

【図８】 本実施形態の液晶表示装置の一部を拡大視し
た断面図である。

【図９】 本発明の液晶表示装置を備えた電子機器の一
例を示す図である。

【図１０】 本発明の液晶表示装置を備えた電子機器の
他の一例を示す図である。

【図１１】 本発明の液晶表示装置を備えた電子機器の
他の一例を示す図である。

【図１２】 横電界モードの液晶表示装置（（ａ）ＩＰ
Ｓ方式、（ｂ）ＦＦＳ方式）の原理を説明するための図
である。

【図１３】 電圧印加状態での液晶表示装置の電極指を
横断する方向の透過率の分布を示したグラフであり、縦
軸は透過率を示し、横軸は液晶表示装置における電極指
６ａを横断する方向の相対的な位置を示している。

【符号の説明】

１ 下基板 ５ ＴＦＴ ６、３１ 第２電極 ６ａ、３１ａ、３２ａ 電極指 ６ｂ 導電層 ７ 上基板 １３、２７ 透明基板 １４、３２ 第１電極 １５、１５ａ、１５ｂ、１７ａ 絶縁層 １６、２１ 配向膜 １７、３７ 絶縁膜 １８ カラーフィルター ２２ 液晶 ２３ 液晶分子

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に液晶が挟
   持された液晶表示装置であって、 前記一対の基板のうちの一方の基板上には、電極とスイ
   ッチング素子とが設けられ、 前記電極は、第１電極と、前記第１電極よりも上側に層
   間絶縁層を介して形成された複数本の電極指を有する第
   ２電極とからなり、 前記スイッチング素子は、前記第１電極または前記第２
   電極のいずれか一方に電気的に接続され、 前記液晶は、前記第１電極と前記第２電極とで発生する
   横電界により駆動され、 前記電極指の間には、絶縁膜が埋め込まれ、 前記第２電極の上面と前記絶縁膜の上面との段差が、前
   記第２電極の膜厚よりも小さいことを特徴とする液晶表
   示装置。
2. 【請求項２】 前記第２電極の上面と前記絶縁膜の上面
   とによって形成される面が概ね平坦であることを特徴と
   する請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記第１電極は、前記一方の基板上の全
   面に設けられていることを特徴とする請求項１または請
   求項２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記第１電極および前記第２電極は、複
   数本の電極指を有し、 前記第２電極の電極指は、平面的に前記第１電極の電極
   指の間の位置に配置されていることを特徴とする請求項
   １または請求項２に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 互いに対向する一対の基板間に液晶が挟
   持された液晶表示装置であって、 前記一対の基板のうちの一方の基板上には、電極とスイ
   ッチング素子とが設けられ、 前記電極は、第１電極と、第１電極と同一層に設けられ
   た第２電極とからなり、前記第１電極および前記第２電
   極は、複数本の電極指を有し、前記第２電極の電極指
   は、前記第１電極の電極指の間の位置に配置され、 前記スイッチング素子は、前記第１電極または前記第２
   電極のいずれか一方に電気的に接続され、 前記液晶は、前記第１電極と前記第２電極とで発生する
   横電界により駆動され、 隣り合う前記第１電極と前記第２電極との間には、絶縁
   膜が埋め込まれ、 前記第１電極および前記第２電極の上面と前記絶縁膜の
   上面との段差が、前記第１電極と前記第２電極の膜厚よ
   りも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記第１電極および前記第２電極の上面
   と前記絶縁膜の上面とによって形成される面が概ね平坦
   であることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装
   置。
7. 【請求項７】 前記液晶は、誘電異方性が正であること
   を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に
   記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項４または請求項７
   のいずれか一項に記載の液晶表示装置を製造する製造方
   法であって、 前記一対の基板のうちの一方の基板上に、 第１電極を形成する工程と、 前記第１電極よりも上側に層間絶縁層を介して複数本の
   電極指を有する第２電極を形成する工程と、 前記第２電極上の全面に絶縁層を形成する工程と、 前記第２電極の表面が露出するまで前記絶縁層を研磨す
   ることにより、前記電極指の間に絶縁膜を形成する工程
   とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１ないし請求項４または請求項７
   のいずれか一項に記載の液晶表示装置を製造する製造方
   法であって、 前記一対の基板のうちの一方の基板上に、 第１電極を形成する工程と、 前記第１電極よりも上側に絶縁層を形成し、前記絶縁層
   の一部を厚み方向に除去することにより、前記絶縁層の
   表面に平面視櫛歯状の凹部を形成する工程と、 前記絶縁層の表面に導電層を形成し、前記絶縁層の表面
   が露出するまで前記導電層を研磨することにより、複数
   本の電極指が形成された第２電極を形成するとともに、
   前記電極指の間に絶縁膜を形成する工程とを備えること
   を特徴とする液晶表示装置の製造方法。
10. 【請求項１０】 基板に、 電極とスイッチング素子とが設けられ、 前記電極は、第１電極と、前記第１電極よりも上側に層
    間絶縁層を介して形成された複数本の電極指を有する第
    ２電極とからなり、 前記スイッチング素子は、前記第１電極または前記第２
    電極のいずれか一方に電気的に接続され、 前記電極指の間には、絶縁膜が埋め込まれ、 前記第２電極の上面と前記絶縁膜の上面との段差が、前
    記第２電極の膜厚よりも小さいことを特徴とする液晶表
    示装置用基板。
11. 【請求項１１】 基板に、電極とスイッチング素子と
    が設けられ、 前記電極は、第１電極と、第１電極と同一層に設けられ
    た第２電極とからなり、前記第１電極および前記第２電
    極は、複数本の電極指を有し、前記第２電極の電極指
    は、前記第１電極の電極指の間の位置に配置され、 前記スイッチング素子は、前記第１電極または前記第２
    電極のいずれか一方に電気的に接続され、 隣り合う前記第１電極と前記第２電極との間には、絶縁
    膜が埋め込まれ、 前記第１電極および前記第２電極の上面と前記絶縁膜の
    上面との段差が、前記第１電極と前記第２電極のいずれ
    か一方または両方の膜厚よりも小さいことを特徴とする
    液晶表示装置用基板。
12. 【請求項１２】 請求項１ないし請求項７のいずれか一
    項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子
    機器。