JP2002182228A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 簡単な構成で製造プロセスを複雑にすること
なく、高輝度、高コントラストの液晶表示装置を提供す
る。 【解決手段】 本発明の液晶表示装置は、互いに対向す
る一対の基板間に２色性染料が含有された液晶２２が挟
持され、上基板７、下基板１がともに共通電極と画素電
極とを有し、液晶２２のうち、上基板７寄りの部分が上
基板７上の共通電極１９と画素電極１２とで発生する横
電界により駆動されるとともに、下基板１寄りの部分が
下基板１上の共通電極１４と画素電極６とで発生する横
電界により駆動される。この構成により、従来の積層Ｇ
Ｈ型液晶表示装置における中基板が不要となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
び電子機器に関し、特に積層ゲストホストモード液晶表
示装置の構成を利用した液晶表示装置に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】従来一般の反射型液晶表示装置は、１枚
または２枚の偏光板を用いるものが通常であったが、偏
光板による光の吸収があるために外光の利用効率が最大
でも５０％程度と低く、表示が暗いという問題があっ
た。この問題を解決するために、偏光板を使わない液晶
表示装置の一つの形態として、ゲストホスト（Guest-Ho
st, 以下、ＧＨと略記する）モードの液晶表示装置が知
られている。ＧＨモードの液晶表示装置とは、分子の長
軸方向と短軸方向とで可視光の吸収に異方性を持つ２色
性染料（ゲスト）を一定の分子配列の液晶（ホスト）中
に含有させ、２色性染料分子を液晶分子と平行に配列さ
せたものである。これにより、ホスト液晶の分子配列を
電圧印加で変化させるとそれに連動してゲスト染料の分
子配列も変化し、２色性染料による可視光の吸収量を電
気的に制御することで表示が可能となる。

【０００３】しかしながら、ＧＨモードの液晶表示装置
の場合、明るさとコントラストを両立させるのが難しい
という問題があった。その理由は、基板間の中央付近の
液晶は問題ないが、特に基板表面近傍の液晶分子がバル
クの配向に追随できず、黒表示が浮いてしまうためであ
る。したがって、ＧＨモードの液晶表示装置では表示は
明るいものの、コントラストがとれないという問題が起
こっていた。

【０００４】そこで、ＧＨモードの液晶表示装置であっ
ても、充分なコントラストが得られるものとして、例え
ば特開平１０−２３９７０２号公報、特開２０００−２
２１５３８公報等に見られるような積層ＧＨ型液晶表示
装置が提案されている。図２２（ａ）、（ｂ）は、積層
ＧＨ型液晶表示装置の一つの動作原理を説明するための
図である。この例の積層ＧＨ型液晶表示装置１００の場
合、３枚の基板（上基板１０１、中基板１０２、下基板
１０３）が用いられ、上基板１０１と中基板１０２の
間、中基板１０２と下基板１０３の間にそれぞれ２色性
染料を含有する液晶１０４ａ、１０４ｂが挟持されてい
る。そして、上基板１０１の下面、中基板１０２の上面
および下面、下基板１０３の上面にそれぞれ電極１０５
が設けられ、上基板１０１と中基板１０２の間の液晶１
０４ａと中基板１０２と下基板１０３の間の液晶１０４
ｂを独立して駆動できるようになっている。すなわち、
この積層ＧＨ型液晶表示装置１００は、中基板１０２が
共通の２組の液晶セルが積層された構成となっている。

【０００５】例えば誘電異方性が正（Δε＞０）の液晶
を用いた場合、上側の液晶セル（上基板１０１の下面と
中基板１０２の上面）に紙面に平行な方向の水平配向処
理を施し、下側の液晶セル（中基板１０２の下面と下基
板１０３の上面）に紙面を貫通する方向の水平配向処理
を施しておけば、その配向処理に従って、電圧無印加状
態において液晶分子１０６および２色性染料分子１０７
は図２２（ａ）のように配向する。このとき、紙面に平
行な方向および垂直な方向にそれぞれ振動方向を持つ偏
光が各液晶セルで吸収されるので、全体として光は吸収
され、電圧無印加状態で黒表示となる。次に、双方の液
晶セルに電圧を印加すると、液晶分子１０６および２色
性染料分子１０７は電界に沿って配列するので、図２２
（ｂ）のように基板面に垂直に配向する。このとき、液
晶分子１０６および２色性染料１０７の配向方向と光の
透過方向が平行となるので、光は吸収されず、電圧印加
状態で白表示となる。このような動作原理により、積層
ＧＨ型液晶表示装置では一般のＧＨ型液晶表示装置に比
べてコントラストの向上が可能となる。

【０００６】ところで、液晶表示装置の広視野角化を図
る一つの手段として、基板に対して面内方向の横電界を
発生させ、この横電界で液晶分子を基板に平行な面内で
回転させることで光スイッチング機能を持たせるインプ
レイン・スイッチング（In-Plane Switching, 以下、Ｉ
ＰＳと略記する）技術が実用化されている。そして、近
年、ＩＰＳ技術をさらに改良した形のフリンジフィール
ド・スイッチング（Fringe-Field Switching, 以下、Ｆ
ＦＳと略記する）技術が、"High-Transmittance, Wide-
Viewing-Angle Nematic Liquid Crystal Display Contr
olled by Fringe-Field Switching", S.H.Lee et al.,
ASIA DISPLAY 98, p.371-374, "A HighQuality AM-LCD
using Fringe-Field Switching Technology", S.H.Lee
et al.,IDW'99, p.191-194 などに発表されている。

【０００７】以下、本明細書に記載するＦＦＳ技術につ
いて説明する。図２３はＩＰＳとＦＦＳの概念の違いを
示す図であって、図２３（ａ）はＩＰＳ、図２３（ｂ）
はＦＦＳをそれぞれ示している。一対の基板２００、２
０１間の液晶分子２０２が一対の電極２０３，２０４に
よる横電界Ｅで駆動される点は同様である。ところが、
セルギャップをｄ、電極幅をｗ、電極間距離をｌとする
と、これらの寸法の関係が、ＩＰＳではｌ／ｄ＞１かつ
ｌ／ｗ＞１であるのに対し、ＦＦＳではｌ／ｄ＜１かつ
ｌ／ｗ＜１、またはｌ／ｄ＝０かつｌ／ｗ＝０である。
すなわち、ＩＰＳではセルギャップや電極幅よりも電極
間距離が大きいのに対し、ＦＦＳではセルギャップや電
極幅よりも電極間距離が小さい（図２３（ａ）のＩＰＳ
における電極２０３と電極２０４が充分に接近した状
態）か、もしくは電極間距離が０、言い換えると、図２
３（ｂ）に示すように一方の電極２０４（−極）の上方
に絶縁層２０５を介して他方の電極２０３（＋極）を積
層した形態の電極構成を採用している。

【０００８】この電極構成の違いによって発生する電界
の方向が若干変わり、ＩＰＳでの電界方向は電極が対向
する方向（図中ｙ方向）であるが、ＦＦＳ、特に図２３
（ｂ）の電極構造においては、電極２０３，２０４が積
層されているため、横方向（図中Ｙ方向）に加えて、特
に電極２０３の縁の近傍で基板面に垂直な方向（図中Ｚ
方向）にも強い電界成分を持っている。その結果、ＩＰ
Ｓでは電極２０３，２０４間に位置する液晶分子２０２
は駆動されても電極の上方に位置する液晶分子はほとん
ど駆動されないが、ＦＦＳの場合、電極２０３，２０３
間に位置する液晶分子は勿論のこと、電極２０３の上方
に位置する液晶分子２０２も駆動されることになる。し
たがって、ＦＦＳにおいては、電極をインジウム錫酸化
物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）等の
透明導電膜で形成すれば、電極の部分も表示に寄与させ
ることができ、同じ条件のＩＰＳに比べて開口率を大き
くできるという利点を持っている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、反射
型液晶表示装置においては、明るさとコントラストの両
立が望まれており、その手段として積層ＧＨ型液晶表示
装置が提案されている。この積層ＧＨ型液晶表示装置
は、積層した複数組の液晶セルを独立して駆動するもの
であるから、個々の液晶セルをコントラスト良く確実に
駆動するためには各液晶セルのセルギャップを精密に制
御する必要がある。しかしながら、図２２（ａ）、
（ｂ）に示したように、中基板を中心としてその上下に
２枚の基板を配置することで液晶セルを積層する構成の
ため、各液晶セルのセルギャップを均一に保った状態で
積層することは極めて難しい。例えば中基板に反りがあ
ったとすると、双方の液晶セルのセルギャップにばらつ
きが生じてしまう。また、積層ＧＨ型液晶表示装置の構
成は製造プロセスが非常に複雑になるという問題を抱え
ていた。

【００１０】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、簡単な構成で製造プロセスを複雑
にすることなく、積層ＧＨ型液晶表示装置と同等の高輝
度、高コントラストが得られる液晶表示装置を提供する
ことを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の液晶表示装置は、互いに対向する一対の
基板間に液晶が挟持された液晶表示装置であって、液晶
中に２色性染料が含有され、前記一対の基板を構成する
第１の基板、第２の基板のそれぞれがともに共通電極と
画素電極とを有し、一対の基板間に挟持された液晶のう
ち、第１の基板寄りの部分が第１の基板上の共通電極と
画素電極とで発生する横電界により駆動されるととも
に、第２の基板寄りの部分が第２の基板上の共通電極と
画素電極とで発生する横電界により駆動されることを特
徴とする。

【００１２】本発明者は、明るさとコントラストに優れ
た積層ＧＨ型液晶表示装置において各液晶セルのセルギ
ャップの均一化や製造プロセスの簡略化を困難にする要
因である中基板の存在をなくせないかと考えた。このと
き、液晶表示装置を構成する一対の基板の各々に横電界
駆動型の基板を用いることによって中基板が省略できる
ことに想い到った。つまり、ＩＰＳ方式等の横電界を利
用した場合、基板の表面からある程度の高さにまで横電
界が及ぶため、下基板（上記第１の基板に相当）、上基
板（上記第２の基板に相当）の双方に横電界駆動基板を
用い、基板間距離と印加電圧を適切に調整すれば、これ
ら基板に挟持された１層の液晶のうち、上基板寄りの部
分が上基板の共通電極と画素電極から発生する横電界に
より駆動され、下基板寄りの部分が下基板の共通電極と
画素電極から発生する横電界により駆動されることにな
る。

【００１３】このように、本発明の構成を採用すること
により、中基板を用いることなく、１層の液晶のうちの
上側と下側を独立に駆動できる積層（２層）ＧＨ型液晶
表示装置と類似した表示原理の液晶表示装置を実現する
ことができる。したがって、本発明の液晶表示装置で
は、中基板がないため、積層した個々の液晶セルのセル
ギャップを管理する必要はなくなり、製造プロセスもそ
れ程複雑になることがない。

【００１４】本発明の液晶表示装置において、第１の基
板側に反射層を設けてもよいし、第１の基板、第２の基
板のいずれか一方にカラーフィルターを設けてもよい。

【００１５】本発明の構成は、透過型／反射型／半透過
反射型、白黒／カラーの液晶表示装置のいずれにも適用
可能であるが、第１の基板側に反射層を設けることによ
り反射型液晶表示装置を提供することができ、第１の基
板、第２の基板のいずれか一方にカラーフィルターを設
けることによりカラー液晶表示装置を提供することがで
きる。

【００１６】本発明の液晶表示装置を構成する一対の基
板には、横電界を発生する基板としてＩＰＳ方式、ＦＦ
Ｓ方式の基板のいずれを用いてもよいが、ＦＦＳ方式の
電極配置を採用することがより望ましい。

【００１７】ＦＦＳ方式を採用した場合、上述したよう
に、電極の上方に位置する液晶分子も駆動されるので、
電極を透明導電膜で形成すれば、電極の部分も表示に寄
与させることができ、同じ条件のＩＰＳに比べて開口率
を大きくすることができる。

【００１８】さらに、ＦＦＳ方式を採用する場合、セル
ギャップをｄ、電極幅をｗ、電極間距離をｌとすると、
ｌ／ｄ＜１かつｌ／ｗ＜１の構成、すなわちセルギャッ
プよりも電極間距離が小さく、電極幅よりも電極間距離
が小さい構成を採用してもよいし、ｌ／ｄ＝０かつｌ／
ｗ＝０（ｌ＝０）の構成、すなわち共通電極の一部の上
方に絶縁層を介して画素電極を形成した構成を採用して
もよい。特に後者の構成を採用した場合、共通電極の面
積を広くとる（例えば共通電極をベタで形成する）こと
ができ、以下のような利点がある。

【００１９】ＦＦＳ方式の電極配置を有する側の基板上
の画素電極を透明導電膜で形成し、共通電極を金属膜で
形成すると、この共通電極が電極としてのみならず反射
層としても機能する。したがって、他方の基板上の画素
電極と共通電極をともに透明導電膜で形成すれば、別の
反射層や外付けの反射板などを追加することなく、反射
型液晶表示装置が実現できる。

【００２０】さらに、画素電極と共通電極との間に介在
する絶縁層中に光を散乱させるためのビーズ等の粒子を
添加したり、表面に凹凸を形成したりすれば、この絶縁
層が光散乱層としても機能する。この構成によれば、新
たに光散乱層を追加することなく、全面にわたって均一
に明るい反射型液晶表示装置が実現できる。

【００２１】また、共通電極と画素電極との間にカラー
フィルターを設ける構成にすれば、共通電極と画素電極
との間の絶縁膜を特に設けない構成とすることもでき、
反射型カラー液晶表示装置を実現することができる。

【００２２】これに対して、下基板上の画素電極および
共通電極、上基板上の画素電極および共通電極の全てを
透明導電膜で形成すれば、透過型液晶表示装置を実現す
ることも可能である。

【００２３】ＦＦＳ方式の電極配置を採用する際、誘電
異方性が負の液晶を用いる場合には第１の基板、第２の
基板の互いに対向する面に垂直配向処理を行っておく必
要がある。

【００２４】この構成においては、電圧無印加状態で液
晶分子および２色性染料分子は基板面に対して垂直配向
するため、白表示となる。そして、電圧印加状態におい
てはＦＦＳ方式（特に一方の電極上に絶縁膜を介して他
方の電極を積層した構成）では横電界とはいうものの、
電極の縁近傍の電界の強い領域で基板面に対してほぼ垂
直方向の電界が発生するため、この電界の作用により誘
電異方性が負の液晶分子および２色性染料分子は基板面
に対して平行な方向に配向する。したがって、上基板側
と下基板側とで平面視して互いに直交する方向に電界が
印加されるような電極配置としておけば、各々の電界方
向に従って上基板側の液晶分子および２色性染料分子と
下基板側の液晶分子および２色性染料分子が互いに直交
する方向に配向するので、黒表示となる。

【００２５】一方、誘電異方性が正の液晶を用いる場合
には、第１の基板、第２の基板の互いに対向する面に、
平面視して互いに直交する配向方向を持つように水平配
向処理を行っておく必要がある。

【００２６】この構成においては、電圧無印加状態で液
晶分子および２色性染料分子は基板面に対して水平配向
し、上基板側の液晶分子および２色性染料分子と下基板
側の液晶分子および２色性染料分子が互いに直交する方
向に配向するので、黒表示となる。そして、電圧印加状
態では、上述したように、電極の縁近傍の電界の強い領
域で基板面に対してほぼ垂直方向の電界が発生し、この
電界の作用によって誘電異方性が正の液晶分子および２
色性染料分子は基板面に対して垂直配向するため、白表
示となる。

【００２７】本発明の構成によって、従来の積層ＧＨ型
液晶表示装置で用いたような両面に電極を有する中基板
は不要となるが、液晶の内部に、各基板から発生する横
電界により駆動される液晶の２つの領域を区画する隔壁
を設けるようにしてもよい。この構成によれば、２つの
領域の境界で液晶が分離されるため、２つの領域の境界
近傍の液晶分子がより独立して動くようになり、コント
ラストをさらに向上させることができる。ただし、この
隔壁は液晶を分離するためだけのものであるから、積層
した２つの液晶セル各々のセルギャップの制御が必要な
従来の積層ＧＨ型液晶表示装置の場合と異なり、各基板
と隔壁の距離を精密に制御する必要はない。

【００２８】本発明の液晶表示装置に用いるＧＨ液晶中
に含有させる２色性染料に代えて、２色性蛍光材料を用
いてもよい。この構成によれば、用いる２色性蛍光材料
から発光する光の色に対応した表示が可能となる。

【００２９】本発明の電子機器は、上記本発明の液晶表
示装置を備えたことを特徴とするものである。これによ
り、高輝度、高コントラストの液晶表示部を備えた電子
機器を実現することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】［第１の実施の形態］以下、本発
明の第１の実施の形態を図１〜図８を参照して説明す
る。本実施の形態の液晶表示装置は反射型ＴＦＴカラー
液晶表示装置の例であり、図１は下基板の構成を示す平
面図、図２は上基板の構成を示す平面図、図３は下基板
と上基板の構成を合わせて示す平面図、図４は一画素の
中央部を拡大視した平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線に
沿う断面図、である。本実施の形態では上基板、下基板
ともにＦＦＳ方式の電極構成を採用している。なお、以
下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、
各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてあ
る。

【００３１】本実施の形態の液晶表示装置は、上基板、
下基板からなる一対の基板間に、２色性染料を含有す
る、誘電異方性が負のＧＨ型の液晶が挟持されている。
下基板１の構成は、図１に示すように、図中縦方向に延
在する複数のデータ線２と図中横方向に延在する複数の
ゲート線３とが互いに交差するようにマトリクス状に設
けられている。図中各画素の左下の部分においてゲート
線３が画素の内側に向けて分岐し、さらにゲート線３に
沿って延在する部分がゲート電極４となり、画素スイッ
チング用の薄膜トランジスタ５（Thin Film Transisto
r, 以下、ＴＦＴと略記する）を構成している。そし
て、図中縦方向に延在する複数本（図１においては１０
本）の電極指６ａを有する櫛歯状の画素電極６が設けら
れ、画素電極６の各電極指６ａ間を連結する部分がゲー
ト電極４と平面的に重なっている。

【００３２】一方、上基板７の構成は、図２に示すよう
に、図中横方向に延在する複数のデータ線８と図中縦方
向に延在する複数のゲート線９とが互いに交差するよう
にマトリクス状に設けられている。図中各画素の右下の
部分においてゲート線９が画素の内側に向けて分岐し、
さらにゲート線９に沿って延在する部分がゲート電極１
０となり、ＴＦＴ１１を構成している。そして、図中横
方向に延在する複数本（図２においては１３本）の電極
指１２ａを有する櫛歯状の画素電極１２が設けられ、画
素電極１２の各電極指１２ａ間を連結する部分がゲート
電極１０と平面的に重なっている。

【００３３】このように、下基板１と上基板７とではデ
ータ線、ゲート線、画素電極等の縦横の位置関係が９０
°回転しており、下基板１と上基板７を重ね合わせてみ
ると、図３に示すように、下基板１のデータ線２上には
上基板７のゲート線９が、下基板１のゲート線３上には
上基板７のデータ線８が平面的に重なっている。そし
て、下基板１と上基板７とで重なり合ったこれらデータ
線２，８とゲート線３，９で囲まれた領域が本実施の形
態の液晶表示装置の一画素を構成している。

【００３４】よって、画素の中央部では、図４に示すよ
うに、下基板１側の画素電極６の電極指６ａと上基板７
側の画素電極１２の電極指１２ａとが互いに交差してい
る。この部分の断面構造を見ると、図５に示すように、
下基板１は、ガラス等からなる透明基板１３上に共通電
極１４が形成されている。共通電極１４は、図１〜図４
の平面図では図示を省略したが、基板全面にわたってベ
タで形成されている。また、共通電極１４は、アルミニ
ウム、銀等の反射率の高い金属膜で形成されており、電
極として機能するとともにこの反射型液晶表示装置にお
ける反射層としても機能する。よって、この液晶表示装
置では外光は上基板７側から入射することになる。ま
た、共通電極１４上に透光性材料からなる絶縁層１５が
形成され、絶縁層１５上にはＩＴＯ等の透明導電膜から
なる画素電極６が形成されている（図５においては画素
電極６の電極指６ａが紙面を貫通する方向に延在してい
る）。

【００３５】そして、画素電極６を覆うように基板全面
に垂直配向処理がなされた配向膜１６が形成されてい
る。配向膜１６の材料としては、ポリイミド、界面活性
剤、カップリング剤、金属錯体等を用いることができ
る。さらに、金属膜と直鎖構造の硫黄化合物分子により
金属膜表面に形成された単分子膜とを含む配向膜を用い
ることもできる。ラビング処理は行っても行わなくても
よいが、ラビング処理を行う場合には、後述する電圧印
加時に液晶分子の倒れる方向と一致させるためにラビン
グ方向を画素電極６の電極指６ａの延在方向とすること
が望ましい。

【００３６】一方、上基板７は、ガラス等からなる透明
基板１７上に例えばＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各
色の着色層と遮光層（ブラックマトリクス）とを備えた
カラーフィルター１８が形成され、カラーフィルター１
８上には共通電極１９が形成されている。この共通電極
１９も下基板１側と同様、基板全面にわたってベタで形
成されているが、下基板１側が金属膜で形成されている
のに対し、上基板７側はＩＴＯ等の透明導電膜で形成さ
れている。共通電極１９上に透光性材料からなる絶縁層
２０が形成され、絶縁層２０上にはＩＴＯ等の透明導電
膜からなる画素電極１２が形成されている（図５におい
ては画素電極１２の電極指１２ａが横方向に延在してい
る）。そして、画素電極１２を覆うように基板全面に垂
直配向処理がなされた配向膜２１が形成されている。配
向膜２１の材料は下基板１側と同様でよい。

【００３７】本実施の形態の場合、下基板１、上基板７
ともに共通電極１４，１９の上方に絶縁層１５，２０を
介して画素電極６，１２を積層しており、ＦＦＳ方式の
電極構成を採用している。したがって、下基板１、上基
板７に挟持された液晶２２のうち、下基板１側の半分は
下基板１の共通電極１４と画素電極６で発生する横電界
によって駆動され、上基板７側の半分は上基板７の共通
電極１９と画素電極１２で発生する横電界によって駆動
される。本実施の形態の液晶表示装置では駆動電圧を５
Ｖと設定している。この設定において各部の寸法の一例
を示すと、セルギャップｄは４．８〜６．４μｍ、画素
電極６、１２の各電極指６ａ、１２ａの幅ｗが２〜４μ
ｍ、画素電極６，１２の電極指６ａ，１２ａ間の間隔ｍ
が３〜６μｍである。ただし、［従来の技術］の項で述
べた電極間距離ｌは共通電極１４，１９と画素電極６，
１２の間の間隔に相当するので、この例ではｌ＝０であ
り、ＦＦＳ方式の条件を満たしている。

【００３８】セルギャップｄの数値範囲に関しては、駆
動電圧を５Ｖと設定した場合、基板上で発生する横電界
Ｅは基板表面から高さ３．２μｍ程度の距離までしか液
晶分子を駆動できないので、両基板間で６．４μｍ以下
としなければならず、セルギャップｄが６．４μｍを超
えると、液晶２２の中央部にどちらの基板からも駆動さ
れない部分ができてしまう。一方、セルギャップｄが
４．８μｍ未満ではリタデーションが充分にとれないの
で、暗い液晶パネルになってしまう。以上の理由から、
本実施の形態の場合、セルギャップｄの値を４．８〜
６．４μｍの範囲とすることが望ましい。

【００３９】次に、上記構成の液晶表示装置の動作につ
いて図６を用いて説明する。図６（ａ）に示すように、
下基板１、上基板７ともに共通電極と画素電極の間に電
圧を印加していない状態では、双方の基板１，７の表面
に垂直配向処理がなされているので、これに従って液晶
分子２３および２色性染料分子２４は基板面に対して垂
直に配向する。このとき、液晶分子２３および２色性染
料２４の配向方向と光の入射方向が平行となるので、光
は吸収されず、電圧無印加状態で白表示となる。

【００４０】一方、図６（ｂ）に示すように、下基板
１、上基板７ともに共通電極と画素電極の間に電圧を印
加した状態では、誘電異方性が負の液晶を用いており、
画素電極の縁近傍の電界の強い領域で基板面に対してほ
ぼ垂直方向の電界が発生するため、この電界の作用によ
り誘電異方性が負の液晶分子２３および２色性染料分子
２４は基板面に対して平行な方向に配向する。このと
き、液晶分子２３および２色性染料分子２４は、その長
軸が各基板１，７上の画素電極６，１２の電極指６ａ，
１２ａの延在方向に向くように配向するので、図６
（ｂ）に示すように、液晶のうちの下半分では液晶分子
２３および２色性染料分子２４の長軸が紙面を貫通する
方向に向き、上半分では液晶分子２３および２色性染料
分子２４の長軸が紙面に平行な方向に向く。このように
して、あたかも中基板を有する従来の積層ＧＨ型液晶表
示装置のように、上基板７側の液晶分子２３および２色
性染料分子２４と下基板１側の液晶分子２３および２色
性染料分子２４を独立に駆動することができ、２色性染
料分子２４が上基板７側と下基板１側とで互いに直交す
る方向に配向するので、液晶層全体として光の吸収が起
こり、電圧印加状態で黒表示となる。

【００４１】本実施の形態の液晶表示装置においては、
従来の積層ＧＨ型液晶表示装置と同様、偏光板を用いる
ことがないため、明るくコントラスト比の高いカラー反
射型液晶表示装置を実現することができる。その一方、
従来の積層ＧＨ型液晶表示装置とは異なり、中基板を用
いないので、積層した個々の液晶セルのセルギャップを
管理する必要はなくなり、従来に比べて構造が簡単で製
造プロセスも充分に簡略化することができる。

【００４２】また、液晶の駆動に横電界を用いているの
で、視野角を広くできるとともに、ディスクリネーショ
ンの発生がなく、光漏れ等の不良が発生することがな
い。さらに本実施の形態の場合、同じ横電界モードの基
板でもＦＦＳ方式の電極構成を採用しているため、画素
電極６，１２上の液晶も駆動することができ、画素電極
６，１２の部分も表示に寄与させることができるので、
ＩＰＳ方式を用いた場合と比べて開口率を向上させるこ
とができる。ＦＦＳ方式の中でも、本実施の形態のよう
に積層型の構成を用いた場合、共通電極１４，１９をベ
タで形成することができ、共通電極１４，１９を金属膜
で形成することによって反射層として用いることができ
るので、ＦＦＳ方式の特徴を生かして反射型液晶表示装
置を極めて合理的に実現することができる。

【００４３】なお、本実施の形態では誘電異方性が負の
液晶を用い、初期配向が垂直配向の例を示したが、誘電
異方性が正の液晶を用いることもできる。この場合、各
基板の表面を水平配向処理しておく必要があるが、下基
板１、上基板７ともに画素電極６，１２の電極指６ａ，
１２ａの延在方向と直交する方向にラビング処理を行う
ようにする。すると、図７（ａ）に示すように、電圧無
印加状態では、ラビング方向に対応して液晶２２のうち
の下半分では液晶分子２３および２色性染料分子２４は
その長軸が紙面に平行な方向を向くように配向し、上半
分では長軸が紙面を貫通する方向を向くように配向す
る。その結果、液晶層全体として光の吸収が起こり、電
圧無印加状態で黒表示となる。

【００４４】次に、図７（ｂ）に示すように、下基板
１、上基板７の双方に電圧を印加すると、液晶分子２３
および２色性染料分子２４は、画素電極６，１２の電極
指６ａ，１２ａの縁近傍の基板面に垂直方向の強い電界
に沿って配列するので、その長軸が基板面に垂直に立つ
ように配向する。その結果、液晶分子２３および２色性
染料２４の配向方向と光の入射方向が平行となるので、
光は吸収されず、電圧印加状態で白表示となる。ただ
し、誘電異方性が正の液晶を用い、初期配向が水平配向
のモードを用いた場合、電圧印加時に液晶分子がややき
れいに立ちにくい傾向があるため、コントラストの面か
らは図６（ａ）、（ｂ）に示した本実施の形態のモード
の方が好ましい。

【００４５】また、隣接する画素間の画素電極の位置関
係に関しては、各基板１，７上の各画素電極６，１２の
電極指６ａ，１２ａが画素間にわたって直線上に並ぶよ
うに配置してもよいし、図８に拡大平面図を示すよう
に、隣接する画素Ｃ，Ｃ’間で電極指６ａ，１２ａの位
置が食い違うように配置してもよい（図８では上基板７
側の画素電極１２の電極指１２ａの位置関係のみを示し
ている）。隣接する画素で画素電極の電極指が直線上に
並んでいると、隣接する画素の電極指の先端間の距離が
短くなるため、これら画素を跨いだ電極指間でも横電界
が発生してしまい、ディスクリネーションの発生要因と
なることが考えられる。これに対して、図８のような電
極配置とした場合、隣接する画素Ｃ，Ｃ’の電極指１２
ａ間の距離が長くなるため、これら画素を跨いだ電極指
間での横電界の発生が抑制され、ディスクリネーション
の発生要因を最小限に抑えることができる。

【００４６】［第２の実施の形態］以下、本発明の第２
の実施の形態を図９、図１０を参照して説明する。本実
施の形態の液晶表示装置も第１の実施の形態と同様、反
射型ＴＦＴカラー液晶表示装置の例であり、図９は第１
の実施の形態の図４に相当する図であって一画素の中央
部を拡大視した平面図、図１０は第１の実施の形態の図
５に相当する図であって図９のＡ−Ａ’線に沿う断面
図、である。上基板、下基板ともにＦＦＳ方式の電極構
成を採用した点も第１の実施の形態と同様であるが、異
なる点は下基板にカラーフィルターを、上基板に散乱層
を備えた点である。よって、図９、図１０において図
４、図５と共通の構成要素には同一の符号を付し、共通
部分の詳細な説明は省略する。

【００４７】本実施の形態の液晶表示装置において、図
１０に示すように、下基板１、上基板２ともに透明基板
１３，１７上にベタの共通電極１４，１９が形成され、
共通電極１４，１９の上方に画素電極６，１２が積層さ
れている点、また、下基板１上の共通電極１４が反射層
を兼ねている点は第１の実施の形態と同様である。しか
しながら、第１の実施の形態では共通電極１４，１９と
画素電極６，１２との間に一般的な絶縁膜１５，２０が
介在していたのに対し、本実施の形態の場合、下基板１
側では共通電極１４と画素電極６との間にカラーフィル
ター１８が介在し、上基板７側では共通電極１９と画素
電極１２との間に散乱層２６が介在しており、両基板と
もに一般の絶縁層は用いていない。

【００４８】具体的には、下基板１の共通電極１４上に
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の着色層と遮光層（ブラ
ックマトリクス）とを備えたカラーフィルター１８が形
成され、その上に画素電極６が形成されている。一方、
上基板７の共通電極１９上に例えばアクリル等の樹脂中
に屈折率の異なるビーズ状の粒子を分散させたものや表
面に微小な凹凸を形成した樹脂からなる散乱層２６が形
成され、その上に画素電極１２が形成されている。これ
らカラーフィルター１８や散乱層２６が共通電極１４，
１９と画素電極６，１２との間を絶縁する絶縁膜の機能
を有することは勿論である。その他の詳細な構成は第１
の実施の形態と同様である。

【００４９】本実施の形態の液晶表示装置においては、
第１の実施の形態と共通の効果に加えて、反射層として
機能する下基板１の共通電極１４上に直接カラーフィル
ター１８が形成されているため、視差が少なく、色にじ
み等の少ない反射型カラー液晶表示装置を実現すること
ができる。また、上基板７上に散乱層２６を備えている
ので、反射光がここで散乱され、全面にわたって均一に
明るい表示画面が得られる。しかも、絶縁膜に代えてこ
れらカラーフィルター１８や散乱層２６を設けているの
で、構造が簡単であり、製造プロセスを簡略化すること
ができる。

【００５０】［第３の実施の形態］以下、本発明の第３
の実施の形態を図１１、図１２を参照して説明する。本
実施の形態の液晶表示装置も第１の実施の形態と同様、
反射型ＴＦＴカラー液晶表示装置の例であり、図１１は
第１の実施の形態の図４に相当する図であって一画素の
中央部を拡大視した平面図、図１２は第１の実施の形態
の図５に相当する図であって図１１のＡ−Ａ’線に沿う
断面図、である。上基板、下基板ともにＦＦＳ方式の電
極構成を採用した点も第１の実施の形態と同様である
が、異なる点は下基板に散乱層を、上基板にカラーフィ
ルターを備えた点である。よって、図１１、図１２にお
いて図４、図５と共通の構成要素には同一の符号を付
し、共通部分の詳細な説明は省略する。

【００５１】第２の実施の形態の液晶表示装置では下基
板１上にカラーフィルター１８が、上基板７上に散乱層
２６が形成されていた。これに対し、本実施の形態の液
晶表示装置の場合、図１２に示すように、下基板１の共
通電極１４上に散乱層２６が形成され、散乱層２６上に
画素電極６が形成されている。また、上基板７の共通電
極１９上にカラーフィルター１８が形成され、カラーフ
ィルター１８上に画素電極１２が形成されている。

【００５２】本実施の形態の液晶表示装置においても、
散乱層２６が設けられたことで全面にわたって均一に明
るい表示画面が得られる、絶縁膜を用いないために構造
が簡単であり、製造プロセスを簡略化できる、といった
第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。

【００５３】［第４の実施の形態］以下、本発明の第４
の実施の形態を図１３、図１４を参照して説明する。第
１〜第３の実施の形態が反射型液晶表示装置の例であっ
たのに対し、本実施の形態の液晶表示装置は透過型ＴＦ
Ｔカラー液晶表示装置の例である。図１３は第１の実施
の形態の図４に相当する図であって一画素の中央部を拡
大視した平面図、図１４は第１の実施の形態の図５に相
当する図であって図１３のＡ−Ａ’線に沿う断面図、で
ある。上基板、下基板ともにＦＦＳ方式の電極構成を採
用した点は第１の実施の形態と同様である。図１３、図
１４において図４、図５と共通の構成要素には同一の符
号を付し、共通部分の詳細な説明は省略する。

【００５４】本実施の形態の液晶表示装置の構成は、図
１４に示すように、基本的に第２の実施の形態と同様で
ある。すなわち、下基板１側は、透明基板１３上に共通
電極２８が形成され、共通電極２８上にＲ、Ｇ、Ｂの着
色層と遮光層とを備えたカラーフィルター１８が形成さ
れ、カラーフィルター１８上に画素電極６が形成されて
いる。一方、上基板７側は、透明基板１７上に共通電極
１９が形成され、共通電極１９上に例えば樹脂中に屈折
率の異なるビーズ状粒子を分散させたものや表面に微小
凹凸を形成した樹脂からなる散乱層２６が形成され、散
乱層２６上に画素電極１２が形成されている。

【００５５】ところが、第２の実施の形態では下基板１
側の共通電極１４がアルミニウム等の金属膜で形成さ
れ、この共通電極１４が反射層を兼ねていたのに対し、
本実施の形態では下基板１側の共通電極２８がＩＴＯ等
の透明導電膜で形成されている。したがって、本実施の
形態の場合、下基板１の共通電極２８、画素電極６、上
基板７の共通電極１９、画素電極１２の全ての電極がＩ
ＴＯ等の透明導電膜で形成されている。これにより、こ
の液晶セルは透過型対応となっており、下基板１の外面
にはバックライト２９が配置されている。

【００５６】本実施の形態の液晶表示装置においては、
明るく、コントラスト比の高い透過型カラー液晶表示装
置を実現することができる。また、上基板７上に散乱層
２６を備えているので、反射光がここで散乱され、全面
にわたって均一に明るい表示画面が得られる。しかも、
絶縁膜に代えてカラーフィルター１８や散乱層２６を設
けているので、構造が簡単であり、製造プロセスを簡略
化することができる。

【００５７】［第５の実施の形態］以下、本発明の第５
の実施の形態を図１５〜図１８を参照して説明する。第
１〜第４の実施の形態の液晶表示装置がＦＦＳ方式の電
極構成を採用したものであったのに対し、本実施の形態
ではＩＰＳ方式の電極構成を採用した透過型カラー液晶
表示装置の例を説明する。図１５は下基板の構成を示す
平面図、図１６は上基板の構成を示す平面図、図１７は
下基板と上基板の構成を合わせて示す平面図、図１８は
図１７のＡ−Ａ’線に沿う断面図、である。本実施の形
態では上基板、下基板ともにＩＰＳ方式の電極構成を採
用している。

【００５８】本実施の形態の液晶表示装置は、上基板、
下基板からなる一対の基板間に、２色性染料を含有し、
誘電異方性が負のＧＨ型の液晶が挟持されている。下基
板１の構成は、図１５に示すように、図中縦方向に延在
する複数のデータ線２と図中横方向に延在する複数のゲ
ート線３とが互いに交差するようにマトリクス状に設け
られている。図中各画素の左下の部分においてゲート線
３が画素の内側に向けて分岐し、さらにゲート線３に沿
って延在する部分がゲート電極４となり、画素スイッチ
ング用のＴＦＴ５を構成している。そして、画素の右端
と左端に縦方向に延在する２本の電極指３１ａを有する
画素電極３１が設けられ、画素電極３１の電極指３１ａ
間を連結する部分がゲート電極３と平面的に重なってい
る。一方、画素の中央部に縦方向に延在する１本の電極
指３２ａを有する共通電極３２が設けられている。

【００５９】一方、上基板７の構成は、図１６に示すよ
うに、図中横方向に延在する複数のデータ線８と図中縦
方向に延在する複数のゲート線９とが互いに交差するよ
うにマトリクス状に設けられている。図中各画素の右下
の部分においてゲート線９が画素の内側に向けて分岐
し、さらにゲート線９に沿って延在する部分がゲート電
極１０となり、ＴＦＴ１１を構成している。そして、画
素の上端と下端に横方向に延在する２本の電極指３３ａ
を有する画素電極３３が設けられ、画素電極３３の電極
指３３ａ間を連結する部分がゲート電極１０と平面的に
重なっている。一方、画素の中央部に横方向に延在する
１本の電極指３４ａを有する共通電極３４が設けられて
いる。

【００６０】このように、下基板１と上基板７とではデ
ータ線２，８、ゲート線３，９、画素電極３１，３３、
共通電極３２，３４等の縦横の位置関係が９０°回転し
ており、下基板１と上基板７とを重ね合わせてみると、
図１７に示すように、下基板１のデータ線２上には上基
板７のゲート線９が、下基板１のゲート線３上には上基
板７のデータ線８が平面的に重なっている。そして、下
基板１と上基板７とで重なり合ったこれらデータ線２，
８とゲート線３，９で囲まれた領域が本実施の形態の液
晶表示装置の一画素を構成している。

【００６１】画素部分の断面構造を見ると、図１８に示
すように、下基板１は、ガラス等からなる透明基板１３
上に同一のレイヤーからなる共通電極３２および画素電
極３１が形成されている。これら共通電極３２および画
素電極３１はＩＴＯ等の透明導電膜から形成されてい
る。そして、共通電極３２および画素電極３１を覆うよ
うに基板全面に垂直配向処理がなされた配向膜１６が形
成されている。配向膜１６の材料やラビング処理に関し
ては、第１の実施の形態と同様でよい。

【００６２】一方、上基板７は、ガラス等からなる透明
基板１７上にカラーフィルター１８が形成され、カラー
フィルター上には同一のレイヤーからなる共通電極３４
および画素電極３３（図１８では共通電極３４のみが図
示されている）が形成されている。これら共通電極３４
および画素電極３３も下基板１側と同様、ＩＴＯ等の透
明導電膜で形成されている。そして、共通電極３４およ
び画素電極３３を覆うように基板全面に垂直配向処理が
なされた配向膜２１が形成されている。配向膜２１の材
料は下基板１側と同様でよい。

【００６３】本実施の形態の場合、共通電極３２，３４
と画素電極３１，３３が並んで配置されており、画素サ
イズが１００μｍオーダー、セルギャップが数μｍ程度
であるから、図１８に示すように、共通電極３２と画素
電極３１との距離ｌはセルギャップｄや電極幅ｗに対し
て充分大きく、ＩＰＳ方式の電極構成となる条件を満た
している。ＩＰＳの場合も上記実施の形態のＦＦＳの場
合と同様、下基板１、上基板７に挟持された液晶２２の
うち、下基板１側の半分は下基板１の共通電極３２と画
素電極３１とで発生する横電界Ｅによって駆動され、上
基板７側の半分は上基板７の共通電極３４と画素電極３
３とで発生する横電界Ｅによって駆動される。したがっ
て、本実施の形態の場合も、液晶表示装置の動作につい
ては第１の実施の形態で説明したのと同様である。つま
り、電圧無印加状態で白表示、電圧印加状態で黒表示と
なる。

【００６４】本実施の形態の液晶表示装置においても、
偏光板を用いないために明るくコントラスト比の高い液
晶表示装置を実現できる、中基板が不要なために従来の
積層ＧＨ型液晶表示装置に比べて構造が簡単で製造プロ
セスも簡単になる、液晶の駆動に横電界を用いているた
めに視野角を広くできるとともにディスクリネーション
の発生を抑制できる、等の第１の実施の形態と同様の効
果を得ることができる。

【００６５】［電子機器］上記実施の形態の液晶表示装
置を備えた電子機器の例について説明する。図１９は、
携帯電話の一例を示した斜視図である。図１９におい
て、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１
は上記の液晶表示装置を用いた液晶表示部を示してい
る。

【００６６】図２０は、腕時計型電子機器の一例を示し
た斜視図である。図２０において、符号１１００は時計
本体を示し、符号１１０１は上記の液晶表示装置を用い
た液晶表示部を示している。

【００６７】図２１は、ワープロ、パソコンなどの携帯
型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２１に
おいて、符号１２００は情報処理装置、符号１２０２は
キーボードなどの入力部、符号１２０４は情報処理装置
本体、符号１２０６は上記の液晶表示装置を用いた液晶
表示部を示している。

【００６８】図１９〜図２１に示す電子機器は、上記実
施の形態の液晶表示装置を用いた液晶表示部を備えてい
るので、画面が明るく、コントラスト比の高い表示部を
備えた電子機器を実現することができる。

【００６９】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えば上記実施の形態では反射型カラー液晶表示装置、も
しくは透過型カラー液晶表示装置の例を示したが、本発
明は、白黒／カラー、反射型／透過型／半透過反射型を
問わず、適用が可能である。すなわち、上記実施の形態
のように必ずしもカラーフィルターを備えなくてもよい
し、例えば、上記実施の形態において反射層として用い
た共通電極にバックライトからの光を透過させるための
孔を開けるなどして半透過反射型の液晶表示装置として
もよい。

【００７０】また、上記実施の形態では反射型の例とし
て共通電極が反射層を兼ねる構成を例に挙げたが、この
構成に限らず、共通電極とは別に反射層（反射板）を設
ける構成としてもよい。さらに、ＦＦＳ方式の電極構成
として、共通電極上に絶縁膜を介して画素電極を積層す
る構成のみならず、ＩＰＳと同様の層構成を用いて電極
間距離をセルギャップ以下に接近させる構成を採用して
もよい。また、本発明の構成によって従来の積層ＧＨ型
液晶表示装置における中基板は不要となるが、液晶の内
部に、各基板からの横電界により駆動される液晶の２つ
の領域を区画する隔壁を設けるようにしてもよい。さら
に、液晶中に含有する２色性染料に代えて、２色性蛍光
材料を用いてもよい。そして、画素電極、共通電極、デ
ータ線、ゲート線等の各構成要素の形状、寸法等の具体
的な記載に関しては、上記実施の形態の例に限ることな
く、適宜設計変更が可能である。

【００７１】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明の
液晶表示装置によれば、偏光板が不要なため、明るくコ
ントラスト比の高い液晶表示装置を実現することができ
る。その上、従来の積層ＧＨ型液晶表示装置とは異な
り、中基板を用いないので、積層した個々の液晶セルの
セルギャップを管理する必要がなくなり、従来に比べて
構造が簡単になり、製造プロセスも簡単化することがで
きる。また、液晶の駆動に横電界を用いているので、視
野角を広くできるとともに、ディスクリネーションの発
生がなく、光漏れ等の不良が発生することがない。特に
ＦＦＳ方式の電極構成を採用した場合、画素電極上の液
晶も駆動することができ、開口率の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１の実施形態の液晶表示装置にお
ける下基板の構成を示す平面図である。

【図２】 同、液晶表示装置における上基板の構成を示
す平面図である。

【図３】 同、下基板と上基板の構成を合わせて示す平
面図である。

【図４】 同、一画素の中央部を拡大視した平面図であ
る。

【図５】 図４のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図６】 同、液晶表示装置の動作（誘電異方性が負の
液晶を用いた場合）を説明するための図である。

【図７】 同、液晶表示装置の動作（誘電異方性が正の
液晶を用いた場合）を説明するための図である。

【図８】 画素電極の配置の変形例を示す平面図であ
る。

【図９】 本発明の第２の実施形態の液晶表示装置にお
ける一画素の中央部を拡大視した平面図である。

【図１０】 図９のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図１１】 本発明の第３の実施形態の液晶表示装置に
おける一画素の中央部を拡大視した平面図である。

【図１２】 図１１のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図１３】 本発明の第４の実施形態の液晶表示装置に
おける一画素の中央部を拡大視した平面図である。

【図１４】 図１３のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図１５】 本発明の第５の実施形態の液晶表示装置に
おける下基板の構成を示す平面図である。

【図１６】 同、液晶表示装置における上基板の構成を
示す平面図である。

【図１７】 同、下基板と上基板の構成を合わせて示す
平面図である。

【図１８】 図１７のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。

【図１９】 同、液晶表示装置を備えた電子機器の一例
を示す図である。

【図２０】 同、電子機器の他の例を示す図である。

【図２１】 同、電子機器のさらに他の例を示す図であ
る。

【図２２】 従来の積層ＧＨ型液晶表示装置の動作（誘
電異方性が正の液晶を用いた場合）を説明するための図
である。

【図２３】 横電界モードの液晶表示装置（（ａ）ＩＰ
Ｓ方式、（ｂ）ＦＦＳ方式）の原理を説明するための図
である。

【符号の説明】

１ 下基板（第１の基板） ６，１２，３１，３３ 画素電極 ７ 上基板（第２の基板） １４，１９，２８，３２，３４ 共通電極 １８ カラーフィルター ２２ 液晶 ２３ 液晶分子 ２４ ２色性染料分子 ２６ 散乱層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA02Y FA08X FA08Z FA14Z FA16Z HA08 LA17 2H092 GA14 NA01 PA08 PA11 PA12 QA08 5C094 AA06 AA10 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 ED03

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに対向する一対の基板間に液晶が挟
   持された液晶表示装置であって、 前記液晶中に２色性染料が含有され、前記一対の基板を
   構成する第１の基板、第２の基板のそれぞれがともに共
   通電極と画素電極とを有し、前記一対の基板間に挟持さ
   れた液晶のうち、前記第１の基板寄りの部分が該第１の
   基板上の共通電極と画素電極とで発生する横電界により
   駆動されるとともに、前記第２の基板寄りの部分が該第
   ２の基板上の共通電極と画素電極とで発生する横電界に
   より駆動されることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記第１の基板に反射層が設けられたこ
   とを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記第１の基板、前記第２の基板のいず
   れか一方にカラーフィルターが設けられたことを特徴と
   する請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記一対の基板のうちの少なくとも一方
   の基板に、フリンジフィールド・スイッチング方式の電
   極配置が採用されたことを特徴とする請求項１ないし３
   に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記フリンジフィールド・スイッチング
   方式の電極配置を有する基板が、共通電極と該共通電極
   の一部の上方に絶縁層を介して形成された画素電極とを
   有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装
   置。
6. 【請求項６】 前記フリンジフィールド・スイッチング
   方式の電極配置を有する基板が第１の基板として用いら
   れ、該第１の基板上の前記画素電極が透明導電膜で形成
   され、前記第１の基板上の前記共通電極が金属膜で形成
   されることにより該共通電極が反射層としても機能する
   とともに、前記第２の基板上の前記画素電極および前記
   共通電極がともに透明導電膜で形成されたことを特徴と
   する請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】 前記絶縁層が光散乱層としても機能する
   ことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記共通電極と前記画素電極との間に、
   カラーフィルターが設けられたことを特徴とする請求項
   ５ないし７のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記第１の基板上の前記画素電極および
   前記共通電極が透明導電膜で形成されるとともに、前記
   第２の基板上の前記画素電極および前記共通電極が透明
   導電膜で形成されたことを特徴とする請求項１ないし５
   のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
10. 【請求項１０】 前記液晶は誘電異方性が負であり、前
    記第１の基板、前記第２の基板の互いに対向する面に垂
    直配向処理がなされ、前記第１の基板、前記第２の基板
    各々で発生する横電界の方向が平面視して互いに直交す
    ることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】 前記液晶は誘電異方性が正であり、前
    記第１の基板、前記第２の基板の互いに対向する面に、
    平面視して互いに直交する配向方向を持つように水平配
    向処理がなされたことを特徴とする請求項１ないし９の
    いずれか一項に記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】 前記液晶の内部に、前記第１の基板、
    前記第２の基板のそれぞれから発生する横電界により駆
    動される液晶の２つの領域を区画する隔壁が設けられた
    ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置。
13. 【請求項１３】 前記２色性染料に代えて、２色性蛍光
    材料を用いたことを特徴とする請求項１ないし１２のい
    ずれか一項に記載の液晶表示装置。
14. 【請求項１４】 請求項１ないし１３のいずれか一項に
    記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機
    器。